TWI479711B - 有機發光裝置、照明設備、顯示設備及該有機發光裝置之製造方法 - Google Patents
有機發光裝置、照明設備、顯示設備及該有機發光裝置之製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI479711B TWI479711B TW100104334A TW100104334A TWI479711B TW I479711 B TWI479711 B TW I479711B TW 100104334 A TW100104334 A TW 100104334A TW 100104334 A TW100104334 A TW 100104334A TW I479711 B TWI479711 B TW I479711B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- organic light
- layer
- inorganic layer
- flexible layer
- emitting device
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 52
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 7
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- WJMXTYZCTXTFJM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetraethoxydecane Chemical compound C(C)OC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC WJMXTYZCTXTFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 208000032767 Device breakage Diseases 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000417 polynaphthalene Polymers 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本文中所述之若干實施例大體上係關於一種有機發光裝置、一種照明設備、一種顯示設備及一種製造該有機發光裝置之方法。
本申請案係基於並主張2010年3月23日申請之優先日本專利申請案P2010-065914之優先權權利，該案之全文以引用方式併入本文中。
當將一有機發光元件(諸如一有機電致發光(EL)元件)暴露於濕氣時，作為一不發光部分之一暗點出現在有關有機發光元件中，這是由一電極材料及一有機材料之劣化所致。此暗點之生長降低該有機發光元件之發光亮度並縮短其使用期限。為防止濕氣進入至該有機發光元件中，通常已使用一方法，其中一乾燥劑係配置在相對於該有機發光元件之玻璃上，且由一樹脂密封件密封該有機發光元件。由一薄膜執行此密封以獲得所需撓性。
同時，近年來，為實現有機發光元件之變薄、重量減輕及撓性，一撓性基板(諸如一塑膠基板)已用作為一基板以於該基板上提供有機發光元件。就使用此撓性基板而言，作為此一密封薄膜之一保護膜不僅具有高防潮性且具有抵抗彎曲之穩定撓性是必要的。用作為一半導體或類似物之一保護膜的一無機膜(諸如氮化矽膜)能夠藉由增加該膜之一膜厚度(大於1微米)而獲得高防潮性。
然而，具有大於1微米之膜厚度(如上所提及)的有機膜無法獲得足夠撓性，且當保護膜被彎曲時，一裂痕出現在有關保護膜中。同時，當無機膜係變薄至一定程度以不導致該裂痕時，保護膜之防潮性被降低。因此，難以在防潮性與撓性之間實現兩全。因此，為獲得所需撓性同時保持防潮性，已提議藉由在彼此上堆疊一有機薄膜及一無機薄膜而密封。在藉由堆疊該等薄膜之此密封中，一有機薄膜及一無機薄膜(其等係變薄至一定程度以不導致裂痕)係堆疊於彼此上，藉此構成保護膜。
然而，雖然藉由通過堆疊薄膜之以上所提及密封而在一定程度上增強撓性，但有必要藉由採用具有經堆疊以構成有關保護膜之四個或四個以上薄膜的一多層組態而構成保護膜以獲得所需防潮性。因此，增加構成保護膜之經堆疊薄膜之數量，藉此降低撓性，另外，因為增加製造步驟之數量，所以降低產能。
一般而言，根據一實施例，一有機發光裝置包含：一基底材料，其具有撓性；一有機發光元件，其設置於該基底材料上；及一保護膜，其覆蓋該有機發光元件。該保護膜包含：一第一無機層，其係設置於該有機發光元件上並覆蓋該有機發光元件；一撓性層，其係設置於該第一無機層上、含有一有機聚合物並具有撓性；及一第二無機層，其係設置於該撓性層上並覆蓋該撓性層。
參考圖式而描述第一至第五實施例。
參考圖式而描述本發明之第一實施例。
如圖1中所示，根據第一實施例之一有機發光裝置1A包含：一基底材料2，其具有撓性；一保護膜3，其設置於該基底材料2上；及一有機發光元件4，其設置於該保護膜3上；及一保護膜5，其覆蓋該有機發光元件4。
基底材料2係具有撓性之一撓性基底材料。例如，一樹脂基板(諸如聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基板)係用作為此基底材料2。
保護膜3之構成如下：一撓性層3a，其設置於基底材料2上；及一無機層3b，其設置於此撓性層3a上。在基底材料2之防潮性為不足之情況中，保護膜3係一絕緣層並設置於基底材料2與有機發光元件4之間。以此一方式，防止濕氣自基底材料2進入有機發光元件4。
撓性層3a係含有一有機聚合物並具有撓性之一層。撓性層3a之撓性因該有機聚合物而增強。撓性層3a之一厚度為(例如)25微米，且較佳為1微米或更大至50微米或更小以增強撓性及防潮性。含有該有機聚合物之二氧化矽膜、氧化鋁膜、二氧化鈦膜或氧化鋯膜係用作為撓性層3a。例如，藉由烘烤含有該有機聚合物之四乙氧基矽烷(TEOS)而形成二氧化矽膜。
無機層3b係具有高防潮性之一層。無機層3b之一厚度為(例如)0.5微米，且較佳為1微米或更小以增強撓性。例如，氮化矽(SiN)膜或類似物係用作為無機層3b。
有機發光元件4係由一第一電極、一發光層、一第二電極及類似物構成。該發光層係經堆疊並夾於該第一電極與該第二電極之間，且當將一電流施加於該第一電極與該第二電極之間時，該發光層發光。例如，一有機電致發光(EL)元件或類似物係用作為此有機發光元件4。
保護膜5之構成如下：一無機層5a，其設置於有機發光元件4上；一撓性層5b，其設置於該無機層5a上；及一無機層5c，其設置於該撓性層5b上。此保護膜5係一絕緣層並設置於基底材料2上以便覆蓋有機發光元件4。以此一方式，防止濕氣進入有機發光元件4。
無機層5a係具有高防潮性並覆蓋有機發光元件4之一層。無機層5a之一厚度為(例如)0.5微米，且較佳為1微米或更小以增強撓性。例如，氮化矽(SiN)膜或類似物係用作為無機層5a。此無機層5a充當一第一無機層。
撓性層5b係含有一有機聚合物並具有撓性之一層。撓性層5b之撓性因該有機聚合物而增強。撓性層5b之一厚度為(例如)25微米，且較佳為1微米或更大至50微米或更小以增強撓性。含有該有機聚合物之二氧化矽膜、氧化鋁膜、二氧化鈦膜、二氧化鋯膜或類似物係用作為撓性層5b。例如，藉由烘烤含有該有機聚合物之四乙氧基矽烷(TEOS)而形成二氧化矽膜。
無機層5c係具有高防潮性並覆蓋撓性層5b之一層。無機層5c之一厚度為(例如)0.5微米，且較佳為1微米或更小以增強撓性。例如，氮化矽(SiN)膜或類似物係用作為無機層5c。特定言之，無機層5c完全覆蓋撓性層5b並防止將撓性層5b之一末端部分暴露於外側。以此一方式，可確保抑制濕氣通過撓性層5b而自外側進入有機發光元件4。此無機層5c充當一第二無機層。
撓性層5b亦充當將無機層5c平坦化之一平坦化層。例如，如圖2中所示，即使一雜質F(一前述步驟中之一黏附體，例如粉塵及一外來物體)係黏附至有機發光元件4之一表面上，無機層5c亦因撓性層5b之存在而平坦。
例如，在無機層5c係直接沈積在無機層5a上且不存在撓性層5b之情況中，無機層5c為不平坦以因雜質F而導致由無機層5a之一突出部分所致之一彎曲部分。濕氣傾向於自此彎曲部分進入有機發光元件4，且降低防潮性。當形成本身較厚之無機層5a或無機層5c以避免出現該彎曲部分時，降低撓性。因此，形成薄至(例如)1微米或更小之無機層5a及無機層5c，因此，以上所提及之彎曲部分不可避免地出現在無機層5c中。濕氣自該突出部分(其係此彎曲部分)之一根部附近進入有機發光裝置1A之一內側。
因此，以上所提及之撓性層5b係設置於無機層5a上，達一定厚度以掩埋由雜質F引起之無機層5a之突出部分，藉此撓性層5b吞併無機層5a之不規則，且撓性層5b之一表面(與有機發光元件4側相對之表面)為平坦。因此，設置於撓性層5b之此一平坦表面上之無機層5c亦為平坦，防止一彎曲部分出現在無機層5c中，因此，可抑制降低無機層5c之防潮性。應注意，甚至在雜質F係黏附至無機層5a之一表面上之情況中，撓性層5b吞併無機層5a上之雜質F之不規則，且撓性層5b之表面(與有機發光元件4側相對之表面)為平坦。以此一方式，防止彎曲部分出現在無機層5c中，如上所提及，因此，可抑制降低無機層5c之防潮性。
接著，描述以上所提及之有機發光裝置1A之一製造方法。
如圖3中所示，首先，保護膜3(即：撓性層3a及無機層3b)係設置於基底材料2(諸如PEN基板)上，且有機發光元件4係設置於無機層3b之一表面之一大致中心上。其後，無機層5a係設置於其上設置有機發光元件4之基底材料2上以便覆蓋有機發光元件4。
詳細而言，例如通過一塗佈方法(諸如噴塗)，藉由使撓性層3a形成於基底材料2之整個表面上而提供撓性層3a。旋塗塗佈、噴墨塗佈、施配器塗佈、條碼塗佈、凹板塗佈機塗佈、模具塗佈機塗佈、網版印刷塗佈及類似方法係作為其他塗佈方法。再者，例如通過一形成方法(諸如電漿CVD)，藉由使無機層3b形成於基底材料2上之撓性層3a之整個表面上而提供無機層3b。例如，濺鍍、真空蒸鍍、電子束蒸鍍、離子鍍敷、催化CVD及類似方法係作為其他形成方法。
藉由在無機層3b上依序堆疊第一電極、發光層及第二電極而形成有機發光元件4，且有機發光元件4係設置於保護膜3上。再者，以類似於無機層3b之一方式，例如通過形成方法(諸如電漿CVD)，亦藉由使無機層5a形成於基底材料2上之整個表面上而提供無機層5a以便完全覆蓋基底材料2上之有機發光元件4。
隨後，如圖4中所示，定位一遮罩M，且藉由使用有關遮罩M而塗佈形成撓性層5b之材料。該遮罩M係僅形成無機層5a上之一預定區(例如覆蓋有機發光元件4之一預定區)上之撓性層5b的一遮罩。以此一方式，如圖5中所示，撓性層5b係形成於無機層5a上之該預定區上。最後，無機層5c係設置於撓性層5b上以便完全覆蓋有關撓性層5b。以此一方式，完成圖1中所示之有機發光裝置1A。
詳細而言，例如通過使用遮罩M之噴塗，藉由使撓性層5b形成於無機層5a之預定區上而提供撓性層5b以便覆蓋有機發光元件4。旋塗塗佈、噴墨塗佈、施配器塗佈、條碼塗佈、凹板塗佈機塗佈、模具塗佈機塗佈、網版印刷塗佈及類似方法係作為其他塗佈方法。再者，以類似於以上所提及之無機層3b及無機層5a的一方式，例如通過形成方法(諸如電漿CVD)，藉由使無機層5c形成於基底材料2上之整個表面上而提供無機層5c以便完全覆蓋有機發光元件4上之撓性層5b。
此處，(例如)含有有機聚合物之二氧化矽膜或類似物係用作為撓性層3a及撓性層5b。例如，含有有機聚合物之四乙氧基矽烷(TEOS)係用作為二氧化矽膜或類似物之一衍生材料。藉由將含有有機聚合物之此四乙氧基矽烷噴射在基底材料2上之整個表面上及無機層5b之預定區上而塗佈含有有機聚合物之此四乙氧基矽烷，然後進行加熱及烘烤。接著，發生一縮合反應，且形成含有有機聚合物之二氧化矽膜。
通常，藉由加熱(例如在約100℃之一溫度下加熱)而劣化有機發光元件4。然而，就將含有有機聚合物之二氧化矽膜用作為撓性層3a及撓性稱5b而言，可在(例如)低至約80℃之一溫度下形成撓性層3a及撓性層5b。因此，可在撓性層3a及撓性層5b之產生期間抑制有機發光元件4之此一加熱劣化。因此，較佳為將含有有機聚合物之二氧化矽膜用作為撓性層3a及撓性層5b。
再者，例如，氮化矽(SiN)膜或類似物係用作為無機層3b、無機層5a及無機層5c。就將氮化矽膜用作為無機層3b、無機層5a及無機層5c而言，可在(例如)低至約60℃之一溫度下沈積無機層3b、無機層5a及無機層5c。因此，可在無機層3b、無機層5a及無機層5c之沈積期間抑制有機發光元件4之加熱劣化。因此，較佳為將氮化矽膜用作為無機層3b、無機層5a及無機層5c。
接著，描述不同於以上所提及之製造方法的另一製造方法。
首先，以相同於以上所提及之製造方法的方式，保護膜3(即：撓性層3a及無機層3b)係設置於基底材料2上，且有機發光元件4係設置於無機層3b之表面之大致中心上。其後，無機層5a係設置於其上設置有機發光元件4之基底材料2上以便覆蓋有機發光元件4(參考圖3)。
隨後，如圖6及圖7中所示，一限制層6係設置於無機層5a上呈包圍有機發光元件4之一框架形狀，其後，塗佈形成撓性層5b之材料。該限制層6係僅形成無機層5a上之預定區(例如覆蓋有機發光元件4之預定區)上之撓性層5b的一層。在形成撓性層5b之後，移除該限制層6。以此一方式，如圖8中所示，撓性層5b係形成於無機層5a上之預定區上。最後，無機層5c係設置於撓性層5b上以便完全覆蓋有關撓性層5b。以此一方式，完成圖1中所示之有機發光裝置1A。
詳細而言，限制層6係設置於無機層5a上，同時形成框架形狀以便以一預定距離包圍除有關有機發光元件4以外之有機發光元件4。限制層6係限制一產生區(即：至無機層5a上之撓性層5b之安裝區)之一層。例如，一防水層(防液體層)(諸如矽烷耦合劑)係用作為限制層6。此防水層係由能夠抵抗形成撓性層5b之材料的一材料製成。在形成撓性層5b之後，限制層6變得多餘，因此將其移除。可藉由使用如上所述之限制層6而限制撓性層5b之安裝區，因此，撓性層5b可準確設置於無機層5a上之一所需區域上。
再者，撓性層5b係(例如)藉由一噴塗而形成於由限制層6限制之無機層5a上之安裝區上，接著，撓性層5b係設置於無機層5a之預定區上以便覆蓋有機發光元件4。噴墨塗佈、施配器塗佈、條碼塗佈、凹板塗佈機塗佈、模具塗佈機塗佈、網版印刷塗佈及類似方法係作為其他塗佈方法。
此處，對包含不含有機聚合物之一撓性層的一保護膜及包含含有有機聚合物之撓性層(撓性層3a或撓性層5b)的保護膜(保護膜3或保護膜5)執行一撓性評估。
首先，具有下述一第一組態之一保護膜(二氧化矽膜)或具有下述一第二組態之一保護膜(含有有機聚合物之二氧化矽膜)係形成於聚萘二甲酸乙二酯(PEN)基板上，其後，彎曲該PEN基板並評估保護膜之一狀態。應注意該PEN基板之一厚度為200微米。再者，氮化矽(SiN)膜係藉由電漿CVD而形成於此一所得物上，且撓性層係藉由噴塗而形成於該氮化矽膜上，接著在一溫度為80℃之條件下於周圍大氣中烘烤且烘烤時間為1小時。
第一組態具有SiN(厚度：0.5微米)/二氧化矽(厚度：25微米)/SiN(厚度：0.5微米)之一堆疊結構，且第二組態具有SiN(厚度：0.5微米)/含有機聚合物之二氧化矽(厚度：25微米)/SiN(厚度：0.5微米)之一堆疊結構。
在第一組態中，當將所獲得之保護膜彎曲至60毫米之一曲率半徑時，一裂痕出現在該保護膜中。同時，在第二組態中，即使當將所獲得之保護膜彎曲至1.5毫米之一曲率半徑，一裂痕亦不出現在該保護膜中，且證實有關保護膜具有高撓性。因此，保護膜之撓性因有機聚合物而增強。應注意，若SiN膜具有無關於一外來物體及類似物之一平坦表面，則具有約0.5微米至1.0微米之一厚度的此一SiN膜具有足夠防潮性。因此，藉由撓性成5b而消除不規則，藉此甚至一薄SiN膜可獲得足夠防潮性。
如上所述，根據如第一實施例之有機發光裝置1A，藉由於無機層5a與無機層5c之間設置含有有機聚合物之撓性層5b而構成保護膜5。以此一方式，可藉由將有關無機層5a及5c變薄而增強具有高防潮性及低撓性之無機層5a及5c之撓性。另外，可由含有有機聚合物之撓性層5b補償因此變薄而降低之防潮性。此外，撓性層5b中含有有機聚合物，藉此增強撓性層5b之撓性。自此等事實，可增強撓性同時保持防潮性。另外，撓性層5b中含有有機聚合物，藉此可相較於習知情況而更多地減少保護膜5中之層數量。以此一方式，減少製造步驟之數量，因此可提高有機發光裝置1A之產能。
再者，甚至在基底材料2係防潮性不足之一基底材料(諸如一塑膠基板)的情況中，有關基底材料2上之保護膜3僅需要由撓性層3a及無機層3b構成。以此一方式(以類似於以上方式之一方式)，可藉由將有關無機層3b變薄而增強具有高防潮性及低撓性之無機層3b之撓性，另外，可由含有有機聚合物之撓性層3a補償因此變薄而降低之防潮性。此外，撓性層3a中含有有機聚合物，藉此增強撓性層3a之撓性。自此等事實，可增強撓性同時保持防潮性。另外，撓性層3a中含有有機聚合物，藉此可相較於習知情況而更多地減少保護膜3中之層數量。以此一方式，減少製造步驟之數量，因此可提高有機發光裝置1A之產能。
參考圖9至圖12而描述一第二實施例。
第二實施例與第一實施例基本相同。在第二實施例中，描述不同於第一實施例之若干點。以相同裝置符號表示與第一實施例中所述部分相同之部分，且省略該等部分之描述。
如圖9及圖10中所示，在根據第二實施例之一有機發光裝置1B中，一限制層5d係設置於無機層5a上。此限制層5d係僅形成無機層5a上之一預定區(例如覆蓋有機發光元件4之一預定區)上之撓性層5b的一層。
詳細而言，限制層5d係設置於無機層5a上呈一框架形狀(參考圖10)以便包圍有機發光元件4之一層，並限制一形成區，即：至無機層5a上之撓性層5b之安裝區。此限制層5d具有撓性並充當保護膜5之一部分。將撓性層5b之材料供應至由限制層5d包圍之一內部區域。此時，限制層5d係一側壁，其充當阻攔撓性層5b之材料的一壩。例如，一抗蝕膜或類似物係用作為限制層5d。藉由使用如上所述之限制層5d，可限制撓性層5b之安裝區，因此，撓性層5b可準確設置於無機層5a上之一所需區域上。
接著，描述以上所提及之有機發光裝置1B之一製造方法。
首先，以與根據第一實施例之有機發光裝置1A之製造方法中相同之方式，保護膜3(即：撓性層3a及無機層3b)係設置於基底材料2上，且有機發光元件4係設置於無機層3b之表面之大致中心上。其後，無機層5a係設置於其上設置有機發光元件4之基底材料2上以便覆蓋有機發光元件4(參考圖3)。
隨後，如圖11中所示，限制層5d係設置於無機層5a上呈包圍有機發光元件4之框架形狀，其後，塗佈形成撓性層5b之材料以將該材料供應至由具有框架形狀之限制層5d包圍之內部區域。以此一方式，如圖12中所示，將撓性層5b之材料填充至由具有框架形狀之限制層5d包圍之內部區域中，且撓性層5b係形成於無機層5a上之預定區上。最後，無機層5c係設置於撓性層5b上以便完全覆蓋有關撓性層5b。以此一方式，完成圖9中所示之有機發光裝置1B。
如上所述，根據如第二實施例之有機發光裝置1B，可獲得類似於第一實施例之結果的結果。再者，相比於第一實施例中在形成撓性層5b之後移除限制層6之情況，未必移除限制層5d，減少製造步驟之數量，且因此可提高產能。
參考圖13而描述一第三實施例。
第三實施例與第一實施例基本相同。在第三實施例中，描述不同於第一實施例之若干點。以相同裝置符號表示與第一實施例中所述部分相同之部分，且省略該等部分之描述。
如圖13中所示，在根據第三實施例之一有機發光裝置1C中，基底材料2係具有所需防潮性及撓性之一基底材料，且有機發光元件4及保護膜5係直接設置於有關基底材料2上。例如，具有高防潮性之一玻璃基板係用作為基底材料2，且防止濕氣自基底材料2進入有機發光元件4。應注意，形成該玻璃基板使得其之一厚度可為達到一定程度之一厚度以獲得所需撓性。
如上所述，根據如第三實施例之有機發光裝置1C，可獲得類似於第一實施例之結果的結果。再者，相比於第一實施例，減少基底材料2上所產生之層之數量，減少製造步驟之數量，且因此可提高產能。
參考圖14而描述一第四實施例。
如圖14中所示，根據一第四實施例之一照明設備11包含：根據第一實施例之有機發光裝置1A；及一電流施加裝置22，其將一電流施加至有關有機發光裝置1A。應注意，可提供根據第二實施例之有機發光裝置1B或根據第三實施例之有機發光裝置1C以取代根據第一實施例之有機發光裝置1A。
例如，提供一或複數個有機發光裝置1A。回應於一所需光量而判定有機發光裝置1A之數量。電流施加裝置22將電流施加至有機發光裝置1A包含之有機發光元件4。藉由此電流施加，有機發光元件4發光，且照明設備11照射光。
如上所述，根據第一實施例之有機發光裝置1A(或根據第二實施例之有機發光裝置1B或根據第三實施例之有機發光裝置1C)係用在根據本發明之第四實施例之照明設備11中，藉此增強防潮性及撓性，且防止一亮度劣化、一設備破損及類似情況，且因此可增強設備可靠性。再者，因為亦提高產能，所以可實現成本降低。
參考圖15而描述一第五實施例。
如圖15中所示，根據本發明之第五實施例之一顯示設備21包含：一有機發光裝置1D，其具有複數個有機發光元件4；電流施加裝置22，其將電流個別施加至有關有機發光裝置1D之各自有機發光元件4；及一控制裝置23，其控制電流施加裝置22。
有機發光裝置1D包含(例如)配置成一矩陣之複數個有機發光元件4以作為顯示一影像之若干像素。具體而言，此等有機發光元件4係成矩陣地設置於無機層3b上(參考圖15)，且無機層5a係設置於全部此等有機發光元件4上以便覆蓋全部有機發光元件4。以一類似方式，撓性層5b係設置於無機層5a上之一預定區上以便覆蓋全部有機發光元件4，且無機層5c係設置於撓性層5b上以便覆蓋有關撓性層5b。
因此，根據第五實施例之有機發光裝置1D係具有一結構之一裝置，其中存在根據第一實施例之有機發光裝置1A(參考圖1)之複數個有機發光元件4。此處，可採用類似於根據第二實施例之有機發光裝置1B(參考圖9)或根據第三實施例之有機發光裝置1C(參考圖13)之結構的一結構，且可使用其中憑藉此結構而提供複數個有機發光元件4之一結構。應注意，就採用根據第二實施例之有機發光裝置1B之結構而言，限制層5d係形成於無機層5a上呈逐一包圍全部有機發光元件4之周邊的一框架形狀。
電流施加裝置22回應於控制裝置23之控制而將電流施加至各自有機發光元件4。控制裝置23包含一CPU、一記憶體及類似物，並控制電流施加裝置22以基於關於一影像之影像資料而由各自有機發光元件4顯示該影像。以此一方式，顯示設備21藉由各自有機發光裝置4而顯示該影像。應注意影像資料係設置於一儲存單元(諸如控制裝置23中所包含之記憶體)中。
如上所述，根據第一實施例之有機發光裝置1A(或根據第二實施例之有機發光裝置1B或根據第三實施例之有機發光裝置1C)係用在根據本發明之第五實施例之顯示設備21中，藉此增強防潮性及撓性，且防止亮度劣化、設備破損及類似情況，且因此可增強設備可靠性。再者，因為亦提高產能，所以可實現成本降低。
雖然已描述某些實施例，但此等實施例已僅作為實例而呈現且非意欲限制本發明之範圍。當然，本文中所述之新穎設備及方法可體現為各種其他形式；此外，可在不背離本發明之精神之情況下作出呈本文中所述設備及方法之形式的各種省略、替代及改變。附屬請求項及其等效物意欲涵蓋將落在本發明之範圍及精神內之此等形式或修改。
1A．．．有機發光裝置
1B．．．有機發光裝置
1C．．．有機發光裝置
1D．．．有機發光裝置
2．．．基底材料
3．．．保護膜
3a．．．撓性層
3b．．．無機層
4．．．有機發光元件
5．．．保護膜
5a．．．無機層
5b．．．撓性層
5c．．．無機層
5d．．．限制層
6．．．限制層
11．．．照明設備
21．．．顯示設備
22．．．電流施加裝置
23．．．控制裝置
F．．．雜質
M．．．遮罩
圖1係顯示根據一第一實施例之一有機發光裝置之一示意組態的一橫截面圖。
圖2係放大地顯示圖1中所示之有機發光裝置之一部分的一放大橫截面圖。
圖3係解釋圖1中所示之有機發光裝置之一製程的一第一程序橫截面圖。
圖4係一第二程序橫截面圖。
圖5係一第三程序橫截面圖。
圖6係解釋圖1中所示之有機發光裝置之另一製程的一第一程序橫截面圖。
圖7係解釋圖6中所示製程之一平面圖。
圖8係一第二程序橫截面圖。
圖9係顯示根據一第二實施例之一有機發光裝置之一示意組態的一橫截面圖。
圖10係顯示圖9中所示之有機發光裝置之一示意組態的一平面圖。
圖11係解釋圖9中所示之有機發光裝置之一製程的一第一程序橫截面圖。
圖12係一第二程序橫截面圖。
圖13係顯示根據一第三實施例之一有機發光裝置之一示意組態的一橫截面圖。
圖14係顯示根據一第四實施例之一照明設備之一示意組態的一方塊圖。
圖15係顯示根據一第五實施例之一顯示設備之一示意組態的一方塊圖。
1A．．．有機發光裝置
2．．．基底材料
3．．．保護膜
3a．．．撓性層
3b．．．無機層
4．．．有機發光元件
5．．．保護膜
5a．．．無機層
5b．．．撓性層
5c．．．無機層
Claims (9)
- 一種有機發光裝置，其包括：一基底材料，其具有撓性；一有機發光元件，其設置於該基底材料上；及一保護膜，其覆蓋該有機發光元件，該保護膜包括：一第一無機層，其係設置於該有機發光元件上並覆蓋該有機發光元件；一撓性層，其係設置於該第一無機層上、可在低於上述有機發光元件之熱劣化溫度之溫度下生成、為含有一有機聚合物之二氧化矽膜並具有撓性；及一第二無機層，其係設置於該撓性層上並覆蓋該撓性層。
- 如請求項1之有機發光裝置，其中該保護膜進一步包括：一限制層，其係設置於該第一無機層上以便包圍該有機發光元件並限制至該第一無機層上之該撓性層之一安裝區。
- 如請求項1之有機發光裝置，其中該撓性層之厚度為1μm以上50μm以下。
- 一種照明設備，其包括：一有機發光裝置，其包括：一基底材料，其具有撓性；一有機發光元件，其設置於該基底材料上；及一保護膜，其覆蓋該有機發光元件，該保護膜包 括：一第一無機層，其係設置於該有機發光元件上並覆蓋該有機發光元件；一撓性層，其係設置於該第一無機層上、可在低於上述有機發光元件之熱劣化溫度之溫度下生成、為含有一有機聚合物之二氧化矽膜並具有撓性；及一第二無機層，其係設置於該撓性層上並覆蓋該撓性層；及一電流施加裝置，其經組態以將一電流施加至該有機發光裝置。
- 如請求項4之照明設備，其中該撓性層之厚度為1μm以上50μm以下。
- 一種顯示設備，其包括：有機發光裝置，其包括：一基底材料，其具有撓性；複數個有機發光元件，其等設置於該基底材料上；及一保護膜，其覆蓋該等有機發光元件，該保護膜包括：一第一無機層，其係設置於該等有機發光元件上並覆蓋該等有機發光元件；一撓性層，其係設置於該第一無機層上、可在低於上述有機發光元件之熱劣化溫度之溫度下生成、為含有一有機聚合物之二氧化矽膜並具有撓性；及一第二無機層，其係設置於該撓性層上並覆蓋該 撓層；一電流施加裝置，其經組態以將電流個別施加至該等有機發光元件；及一控制裝置，其經組態以控制該電流施加裝置以由該等有機發光元件顯示一影像。
- 如請求項6之顯示設備，其中該撓性層之厚度為1μm以上50μm以下。
- 一種製造有機發光裝置之方法，其包括：在具有撓性之一基底材料上設置一有機發光元件；在該基底材料上設置一第一無機層以便覆蓋該有機發光元件；在該第一無機層上設置可在低於上述有機發光元件之熱劣化溫度之溫度下生成、為含有一有機聚合物之二氧化矽膜並具有撓性之一撓性層；及在該撓性層上設置一第二無機層以便覆蓋該撓性層。
- 如請求項8之有機發光裝置之製造方法，其中該撓性層之厚度為1μm以上50μm以下。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010065914A JP5197666B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201133979A TW201133979A (en) | 2011-10-01 |
| TWI479711B true TWI479711B (zh) | 2015-04-01 |
Family
ID=44655788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100104334A TWI479711B (zh) | 2010-03-23 | 2011-02-09 | 有機發光裝置、照明設備、顯示設備及該有機發光裝置之製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110234477A1 (zh) |
| JP (1) | JP5197666B2 (zh) |
| KR (1) | KR101261142B1 (zh) |
| CN (1) | CN102201547B (zh) |
| TW (1) | TWI479711B (zh) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104067692A (zh) * | 2012-01-23 | 2014-09-24 | 株式会社爱发科 | 元件结构体以及元件结构体的制造方法 |
| KR101931177B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN103427040B (zh) * | 2012-05-23 | 2016-12-14 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| KR101503313B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2015-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
| WO2014073534A1 (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | シャープ株式会社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| KR102000047B1 (ko) * | 2012-12-06 | 2019-07-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
| WO2014188731A1 (ja) | 2013-05-24 | 2014-11-27 | パナソニック株式会社 | 封止膜、有機ｅｌデバイス、可撓性基板、および、封止膜の製造方法 |
| KR102015126B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2019-08-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 |
| KR102127238B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2020-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
| CN104269426A (zh) | 2014-09-01 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
| KR102259749B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2021-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US10333103B2 (en) | 2014-11-12 | 2019-06-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device and method for producing same |
| CN105762298B (zh) * | 2014-12-17 | 2018-07-06 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 有机发光二极管封装结构、有机发光显示屏及其制造方法 |
| KR102273053B1 (ko) * | 2015-02-16 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US10319941B2 (en) | 2015-02-16 | 2019-06-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device |
| CN105374947B (zh) * | 2015-11-25 | 2017-06-13 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN106653820B (zh) * | 2017-03-08 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板及制作方法、柔性显示装置 |
| FR3066324B1 (fr) * | 2017-05-11 | 2021-09-10 | Isorg | Dispositif electronique a tenue au vieillissement amelioree |
| JP7144785B2 (ja) * | 2017-08-17 | 2022-09-30 | 日本化学工業株式会社 | リン酸バナジウムリチウムの製造方法 |
| JP2020536366A (ja) * | 2017-10-11 | 2020-12-10 | シェンジェン ロイオル テクノロジーズ カンパニー リミテッドＳｈｅｎｚｈｅｎ Ｒｏｙｏｌｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 有機発光素子のパッケージ構造及びその製造方法、有機発光装置 |
| CN107768414B (zh) * | 2017-10-27 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基底及其制作方法、柔性显示基板及其制作方法 |
| KR102552840B1 (ko) | 2017-12-15 | 2023-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 조명장치 및 표시장치 |
| US10826017B2 (en) * | 2018-03-30 | 2020-11-03 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Packaging assembly and preparation method thereof, and display device |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003109748A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | 電子デバイス、又は有機ｅｌ素子用プラスチック基板の製造方法、及び該方法により構成された電子デバイス、又は有機ｅｌ素子用プラスチック基板、又は有機ｅｌ素子 |
| TW554398B (en) * | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device |
| TWI235976B (en) * | 2003-03-27 | 2005-07-11 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method of optoelectronic device, optoelectronic device, and electronic machine |
| TWI236310B (en) * | 2003-08-01 | 2005-07-11 | Toyota Ind Corp | EL device and method for manufacturing the same |
| TW200746373A (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-16 | Dow Corning | Electronic package and method of preparing same |
| TW200917886A (en) * | 2007-07-31 | 2009-04-16 | Sumitomo Chemical Co | Manufacturing method of organic electro luminescence apparatus |
| TW201001780A (en) * | 2008-02-15 | 2010-01-01 | Tno | Encapsulated electronic device and method of manufacturing |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5811177A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US5952778A (en) * | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
| JP4482949B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | 平面表示素子及びその配線方法 |
| JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2001307873A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
| JP3761843B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2006-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
| TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| US7109653B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
| JP2003282241A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
| JP2003323974A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Casio Comput Co Ltd | Ｅｌパネル及びその製造方法 |
| US20030203210A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Vitex Systems, Inc. | Barrier coatings and methods of making same |
| TWI283914B (en) * | 2002-07-25 | 2007-07-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Passivation structure |
| JP2004087253A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電子デバイス |
| US7279239B2 (en) * | 2002-08-07 | 2007-10-09 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Laminating product including adhesion layer and laminate product including protective film |
| JP4346459B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2009-10-21 | 三洋電機株式会社 | 発光装置 |
| JP4821092B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-11-24 | 日本ゼオン株式会社 | 発光素子 |
| JP2006253055A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用フレキシブル基板及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008130449A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Alps Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2008218143A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2123733B1 (en) * | 2008-05-13 | 2013-07-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| KR20100026739A (ko) * | 2008-09-01 | 2010-03-10 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
-
2010
- 2010-03-23 JP JP2010065914A patent/JP5197666B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-11 US US13/004,323 patent/US20110234477A1/en not_active Abandoned
- 2011-02-09 TW TW100104334A patent/TWI479711B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-02-23 CN CN201110045706.6A patent/CN102201547B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-18 KR KR1020110024486A patent/KR101261142B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW554398B (en) * | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2003109748A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | 電子デバイス、又は有機ｅｌ素子用プラスチック基板の製造方法、及び該方法により構成された電子デバイス、又は有機ｅｌ素子用プラスチック基板、又は有機ｅｌ素子 |
| TWI235976B (en) * | 2003-03-27 | 2005-07-11 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method of optoelectronic device, optoelectronic device, and electronic machine |
| TWI236310B (en) * | 2003-08-01 | 2005-07-11 | Toyota Ind Corp | EL device and method for manufacturing the same |
| TW200746373A (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-16 | Dow Corning | Electronic package and method of preparing same |
| TW200917886A (en) * | 2007-07-31 | 2009-04-16 | Sumitomo Chemical Co | Manufacturing method of organic electro luminescence apparatus |
| TW201001780A (en) * | 2008-02-15 | 2010-01-01 | Tno | Encapsulated electronic device and method of manufacturing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102201547A (zh) | 2011-09-28 |
| KR20110106801A (ko) | 2011-09-29 |
| TW201133979A (en) | 2011-10-01 |
| JP5197666B2 (ja) | 2013-05-15 |
| KR101261142B1 (ko) | 2013-05-06 |
| JP2011198675A (ja) | 2011-10-06 |
| CN102201547B (zh) | 2014-04-02 |
| US20110234477A1 (en) | 2011-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI479711B (zh) | 有機發光裝置、照明設備、顯示設備及該有機發光裝置之製造方法 | |
| US10903449B2 (en) | Display device | |
| US8552634B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| US20190181379A1 (en) | Light-emitting display panel | |
| JP4905783B2 (ja) | 有機半導体素子 | |
| JP6054763B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| US8664852B2 (en) | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same | |
| US8314551B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing thereof | |
| US20080252839A1 (en) | Display device and manufacturing method therefor | |
| TWM524998U (zh) | 軟性有機發光二極體顯示器面板 | |
| KR20160135804A (ko) | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 | |
| EP3399555B1 (en) | Flexible display apparatus and manufacturing method therefor | |
| CN109671751B (zh) | 显示装置、显示面板及其制造方法 | |
| JP2017212038A (ja) | 表示装置 | |
| US20050046347A1 (en) | El device | |
| US20190131574A1 (en) | Sealing structure and light emitting device | |
| JP2009283242A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP5049613B2 (ja) | 有機発光装置及びその製造方法 | |
| CN212182364U (zh) | 一种柔性amoled面板封装结构 | |
| JP2011100024A (ja) | 有機ｅｌ装置 | |
| JP2005353501A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 | |
| JP2009123615A (ja) | 表示装置 | |
| JP6343649B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| CN114284326A (zh) | 柔性oled基板及其封装方法 | |
| CN111599935A (zh) | 一种柔性amoled面板封装结构及其封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |