TWI384542B - 處理裝置及表面處理治具 - Google Patents

Description

處理裝置及表面處理治具

本發明是有關對被處理體的表面進行使用處理液的處理之處理裝置及適用於該處理的表面處理治具。

近年來被要求IC卡或行動電話的薄型化、小型化、輕量化，為了滿足此要求，有關所被裝入的半導體晶片亦必須為薄型的半導體晶片。因此，成為半導體晶片的基礎之半導體晶圓的厚度(膜厚)現狀為125μm~150μm，但宣稱次世代的晶片用必須為25μm~50μm。

就取得上述膜厚的半導體晶圓的方法之一而言，可舉以下的薄化方法。此方法，首先是經由在兩面具有黏著層的膠帶或接著劑來貼附半導體晶圓及支承板(support plate)等的板材。此支承板是在於發揮保護被薄化的半導體晶圓之任務。進而，在藉由支承板來保護的狀態下，利用研磨器(grinder)等來進行半導體晶圓的研磨，藉此形成被薄化的半導體晶圓。最後，從該被薄化的半導體晶圓來剝離支承板。

然而，在上述薄化方法中，採用經由接著劑來貼附支承板與半導體晶圓的方法時，從半導體晶圓分離支承板後會有接著劑殘留於半導體晶圓的情況。因此，必須除去接著劑來使半導體晶圓的上面形成清淨的面。在此，上述被薄化的半導體晶圓，一般是貼附在固定於切割框的切割膠帶之狀態下被切割，分割成各個的晶片。上述被薄化的半導體晶圓是在與支承板貼合的狀態下貼附於切割膠帶之後，進行支承板的剝離，然後除去半導體晶圓上的接著劑。在使用該切割膠帶時，通常其表面積是比半導體晶圓大，因此在半導體晶圓的外周有切割膠帶的露出面。若針對如此的被處理體實施一面使被處理體旋轉一面滴下處理液(溶劑)的方法、或使半導體晶圓浸漬之通常的洗淨處理，則切割膠帶的露出面也會以該處理液來處理。亦即，想要處理的面不僅是半導體晶圓的表面，甚至設置於半導體晶圓的外周之切割膠帶的露出面也被進行處理。依照此時的處理液種類，切割膠帶會有劣化的疑慮，因此期望開發一種可一面保護切割膠帶，一面除去半導體晶圓上的接著劑之處理方法。

本發明是有鑑於上述問題點而研發者，其目的是在於提供一種只對被處理面實施利用處理液的處理之處理裝置及表面處理治具。

(1)本發明之處理裝置的特徵係包含：載置台，其係載置被處理體；表面處理治具，其係以處理液來處理上述被處理體的被處理面；供給手段，其係對上述表面處理治具供給處理液；回收手段，其係回收供給至上述表面處理治具的處理液；及離間維持手段，其係將上述表面處理治具維持成與上述被處理面離間的狀態，又，上述表面處理治具，係具備：具有對向於上述被處理面的對向面，在該對向面與該被處理面之間保持從上述供給手段所供給的處理液，而來處理被處理面之處理部。

本發明的處理裝置是包含：可一面維持與被處理面離間的狀態，一面對表面處理治具進行處理液的供給及回收之表面處理治具。因此，可只在被處理面與對向面(和被處理面對向)之間保持處理液，不會有處理液飛散至被處理面以外的情況。其結果，若根據本發明的處理裝置，則可只對被處理面中想要實施處理的領域實施處理。又，由於表面處理治具不會接觸於被處理體，因此可降低對被處理體造成損傷的可能性。

(2)在本發明的處理裝置中，最好上述處理部，係具備：從上述對向面往上述被處理體突出的突出部，藉由該突出部與上述被處理面之間的處理液的表面張力來將所被供給的處理液保持於上述對向面與上述被處理面之間。

若根據此形態，則可藉由突出部的設置，在被處理面與對向面之間確實地進行處理液的保持。

(3)在本發明的處理裝置中，最好上述突出部之與上述被處理面對向的面為平面，藉由上述離間維持手段來使該突出部與該被處理面的距離維持於3mm以下。

若根據此形態，則可利用處理液的表面張力，在被處理面與表面處理治具的對向面之間，更確實地保持處理液。因此，可抑止處理液飛散至被處理面以外。

(4)在本發明的處理裝置中，最好具備：使處理後的被處理面乾燥之乾燥手段。

若根據此形態，則即使是無法完全進行處理液的回收，還是可進行被處理面的乾燥。

(5)在本發明的處理裝置中，最好上述乾燥手段，為往上述被處理面供給惰性氣體的惰性氣體供給手段。

若根據此形態，則可藉由吹附惰性氣體，來使處理液飛散、乾燥。

(6)在本發明的處理裝置中，最好上述乾燥手段，為吸引殘留於上述被處理面的處理液之吸引手段。

(7)在本發明的處理裝置中，最好上述吸引手段，係利用上述表面處理治具來進行，在停止來自上述供給手段之處理液的供給的狀態下，藉由上述回收手段來吸引殘留於上述被處理面的處理液。

若根據此形態，則可對處理及乾燥的雙方使用表面處理治具。

(8)在本發明的處理裝置中，最好上述對向面的面積，係比上述被處理面的面積小。

(9)在本發明的處理裝置中，上述離間維持手段可使表面處理治具對被處理體移動。

若根據此形態，則即使對向面的面積比被處理面的面積小，還是可對被處理面的全域進行處理。

(10)在本發明的處理裝置中，上述離間維持手段可使表面處理治具從被處理體的大略中心往外緣移動。

另外，在本形態中，所謂的「大略中心」是意指包含中心及中心的周圍。若根據此形態，則特別是可一邊使被處理體旋轉，一邊使表面處理治具從中心往外周移動，藉此得以處理被處理體全體。

(11)在本發明的處理裝置中，上述載置台可使所被載置的被處理體旋轉。

若根據此形態，則在被處理面的面積比對向面大時，可謀求處理的效率化。

(12)本發明的表面處理治具，係使用於以處理液來處理被處理體的被處理面之表面處理治具，其特徵為：具備處理部，其係具有在維持對被處理面離間時對向於上述被處理面的對向面，保持在該對向面與上述被處理面之間所被供給的處理液，而來處理被處理面。

本發明的表面處理治具可在被處理面與對向面之間保持處理液。因此，在利用本發明的表面處理治具來進行處理之下，可只在所望的領域實施利用處理液的處理。其結果，即使在與被處理面同一位準設有不想要實施處理的面，照樣可實現處理液飛散於該面的情況會被抑止的處理。

本發明的其他目的、特徵、及優點，根據以下記載可充分了解。並且，本發明的利點可由參照圖面的以下說明明白得知。

以下，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的實施形態。

(處理裝置)

有關本實施形態的處理裝置100是一邊參照圖1~圖3一邊進行說明。圖1是表示本實施形態的處理裝置100的要部剖面圖。圖2是更詳細顯示圖1的A部之剖面圖。圖3是表示本實施形態的處理裝置所具備的表面處理治具的一部份平面圖。另外，圖3是表示表面處理治具的對向面(與被處理面對向的面)的平面圖。

如圖1所示，處理裝置100是包含：載置被處理體18的載置台10、及以處理液來處理被處理體18的被處理面18a之表面處理治具20、及對表面處理治具20供給處理液的供給手段30、回收供給至表面處理治具20的處理液之回收手段40、及使表面處理治具20維持與被處理面18a離間的狀態之離間維持手段50。更在處理裝置100設有洗淨杯16，其係設置成圍繞被處理體18。

載置台10是例如可吸引保持被處理體18。並且，載置台10是大略以中心為軸來設於可旋轉的旋轉軸12上，在旋轉軸12安裝有使旋轉的馬達14。藉由此構成，可使被處理體18以通過被處理面18a的大略中心的垂線作為軸來旋轉。

表面處理治具20具有對向於被處理面18a的對向面22a，在對向面22a與被處理面18a之間，發揮用以保持從供給手段30所供給的處理液之任務。在本實施形態的處理裝置，表面處理治具20是只要能夠揮發上述任務即可，其構造並無特別加以限制。

以下，一邊參照圖2及圖3一邊說明有關表面處理治具20的構造之一例。如圖2所示，表面處理治具20是具有保持所供給的處理液來處理被處理面18a的處理部22。此處理部22是具有表面處理治具20對被處理面18a維持離間時對向於被處理面18a的對向面22a。亦即，若根據本實施形態的表面處理治具20，則可在處理部22與對向面22a之間保持處理液。

在處理部22設有第1貫通孔26及第2貫通孔28。第1貫通孔26是用以將處理液供給至處理部22的孔，第2貫通孔28是用以回收處理部22的處理液之孔。在圖2中，各虛線的箭號是表示處理液的流向。另外，在圖2及圖3是顯示第1貫通孔26為設置一個，第2貫通孔28為設置4個的情況，但並非限於此，例如亦可設置6個或8個的第2貫通孔。又，有關第1貫通孔26及第2貫通孔28的配置，亦非限於圖示的配置。第1貫通孔26及第2貫通孔28的平面形狀可為圓形、橢圓形或矩形，只要不妨礙處理液的流動，並無特別加以限制。這有關第1貫通孔26及第2貫通孔28的開口徑也是同様的。

又，上述處理部22最好是具備從對向面22a往被處理體18突出的突出部24。突出部24，如圖2及圖3所示，最好是設置於對向面22a的周緣。如此，處理部22可藉由具備突出部24來將所供給的處理液予以更確實地保持於與被處理面18a之間。處理液的保持是利用處理液的表面張力來進行。

又，當突出部24的底面(與被處理面18a對向的面)為平面時，最好是藉由後述的離間維持手段50來將突出部24與被處理面18a的距離維持於0.5mm以上、3mm以下，更理想是0.5~1.5mm的範圍。另外，突出部24與被處理面18a的距離並非限於不接觸的範圍，亦可趨近於0mm。藉此，更可確實地保持處理液。

本實施形態的表面處理治具20最好是使用於被處理面18a的面積比其對向面22a的面積(處理部22的處理面積)大的被處理體18之處理。當被處理面18a的面積比對向面22a的面積大時，可藉由離間維持手段50來調整被處理面18a與處理部22的距離，而利用其表面張力來保持處理液。具體而言，當對向面22a及被處理面18a(處理部22的處理面積)為圓形狀時，對向面22a的直徑最好是比被處理面18a的半徑小。

供給手段30是在於達成對表面處理治具20的處理部22供給處理液的任務。此供給手段30是例如包含：儲存處理液的處理液槽34、連接至處理液槽34的供給配管32、及用以對表面處理治具22供給處理液的泵(未圖示)等。並且，上述供給配管32是被連接至第1貫通孔26。然後，經由處理液槽34、供給配管32及第1貫通孔26來對上述處理部22供給處理液。

吸引手段40是在於達成從表面處理治具20的處理部22來回收處理液的任務。此吸引手段40是例如包含：處理液的回收配管42、及用以回收處理完成的處理液的回收槽44、用以吸引處理液的泵或排出器等。另外，上述泵或排出器(ejector)只要設置於回收槽的後方即可。並且，上述回收配管42是被連接至第2貫通孔28。然後，被供給至處理部22的處理液可經由第2貫通孔28、回收配管42來回收於回收槽44。在上述雖是記載將處理液回收於回收槽的構成，但亦可為只是藉由泵、排出器等來從表面處理治具20排出處理液的構成。

離間維持手段50是使表面處理治具20對被處理面18a維持離間者。將表面處理治具20與被處理面18a的距離維持於所定的距離，藉此可在上述處理部22保持處理液。並且，離間維持手段50亦可具備：使表面處理治具20可移動於和被處理面18a平行的方向及對被處理面18a上下的方向之機構。離間維持手段50具體而言是例如可藉由保持表面處理治具20的臂52等來實現。

又，本實施形態的處理裝置100是具備使處理後的被處理面18a乾燥的乾燥手段。乾燥手段，例如可為往被處理面18a供給惰性氣體的惰性氣體供給手段60、及吸引殘留於被處理面18a的處理液之吸引手段(未圖示)。惰性氣體供給手段60例如可由：惰性氣體槽62、惰性氣體供給配管64、及設於惰性氣體供給配管64的前端之噴嘴66所構成。惰性氣體，可使用公知的惰性氣體、例如氬、氮等。並且，在惰性氣體的供給時，最好是以能夠吹附於被處理面18a的方式來供給。又，吸引手段例如可由：吸引用的泵、及用以回收處理液的回收槽及處理液的回收配管所構成。惰性氣體供給手段60及吸引手段，可與後述的表面處理治具20一體構成，或各別構成。而且，該被處理體18的乾燥亦可利用表面處理治具20來進行。有關利用表面處理治具20來進行被處理面18a的乾燥時的處理方法會在往後敘述。

(處理方法)

其次，說明有關利用上述處理裝置之被處理體的處理方法。就本處理方法而言，首先是將被處理體18保持於載置台10。在載置台10中設有吸引機構，可保持被處理體18。進而藉由離間維持手段50來將表面處理治具20配置於被處理體18的上方。此時，被處理體18的被處理面18a與表面處理治具20(特別是突出部24)的距離，最好是例如維持於3mm以下。藉此，容易將處理液保持於被處理面18a與表面處理治具20的對向面22a之間。

其次，由處理液的供給手段30來對表面處理治具20(處理部22)供給處理液。此處理液的供給是經由表面處理治具20的第1貫通孔26來進行。與處理液的供給同時，所被供給之處理液的回收會藉由回收手段40來進行(以下稱為「供給．回收處理」)。此處理液的回收是經由表面處理治具20的第2貫通孔28來吸引處理液至回收配管44側。

然後，可利用在被處理面18a與表面處理治具20之間產生的處理液的表面張力來保持處理液。另外，上述供給．回收處理之處理液的供給量及回收量是只要保持上述表面張力，處理液不會從表面處理治具20擴散即可，例如只要調整成大致相同的量等即可。

此處理液的供給．回收處理，可一邊使表面處理治具20對被處理體18移動一邊進行。此刻，最好是使表面處理治具20從被處理體18的大略中往外緣移動。如此，在使表面處理治具20移動之下，即使表面處理治具20的處理部22的處理面比被處理面18a小，還是可以對被處理面18a的全域實施處理。另外，在本形態中，所謂的「大略中心」是意指包含中心及中心的周圍。

又，亦可一面使被處理體18以通過其表面的大略中心的垂線為軸來旋轉，一面進行供給．回收處理。此情況，最好旋轉速度是10rpm以上，100rpm以下。若為上述範圍內，則可將處理液保持於處理部22與被處理面18a之間，抑止處理液飛散至其他的領域。並且，在如此使被處理體18旋轉下謀求處理的效率化。

其次，在終了供給．回收處理後，使被處理面18a乾燥(以下稱為「乾燥處理」)。乾燥處理可利用上述惰性氣體供給手段60或吸引手段來進行。並且，可利用表面處理治具20來進行該乾燥工程。在利用表面處理治具20時，是在來自供給手段30之處理液的供給停止的狀態下，利用回收手段40來吸引殘留於被處理面18a的處理液。此情況，表面處理治具20可實現處理液的處理及乾燥，可有效活用處理裝置。

以上，可利用本實施形態的處理裝置來對被處理面18a進行處理液的處理。

若根據本實施形態的處理裝置100，則可藉由離間維持手段50來一面維持被處理面18a與表面處理治具20的離間狀態，一面進行對表面處理治具20之處理液的供給、及所被供給之處理液的回收。如此在同時進行處理液的供給及所被供給的處理液的回收之下，可在表面處理治具20與被處理面18a之間保持處理液。因此，可抑止對不希望處理液飛散的領域之處理液的飛散。其結果，可提供一種只對想要實施處理的面(被處理面)實施處理的處理裝置。

又，本實施形態的處理裝置100可藉由離間維持手段50來調整表面處理治具20與被處理面18a之間的距離，利用處理液的表面張力來更確實地保持處理液。因此，可防止處理液的飛散的同時，在被施以處理的領域中保持所定量的處理液。並且，在設置突出部24時，按照突出部24的長度在處理部22中產生凹陷。其結果，可使該凹陷具有作為處理液的保持領域之機能。在如此利用表面處理治具20之下，可保持所望量的處理液，良好地進行處理。

又，若利用本實施形態的處理裝置，則可不使處理液飛散，因此可提高處理液的利用效率。

其次，說明有關藉由本實施形態的處理裝置來特別良好地進行處理之被處理體的例子。另外，當然被處理體18並非是限於以下例示的被處理體。

藉由本實施形態的處理裝置來良好地進行處理的被處理體18是設置於支持體的切割膠帶上，被薄化的半導體晶圓。如此薄化的半導體晶圓有時在其薄化製程中，於半導體晶圓的表面殘留有接著劑。在如此之半導體晶圓的接著劑的除去處理中，可利用本實施形態的處理裝置。

在以下的說明，首先一面參照圖面一面說明有關半導體晶圓的薄化製程之後，說明有關利用本實施形態的處理裝置之優點。圖4(a)~圖4(d)是說明半導體晶圓的薄化製程的剖面圖。在此，說明有關使用有孔支承板70的例子。

首先，如圖4(a)所示，經由接著劑72來貼附支承板70及半導體晶圓74a。此半導體晶圓74a是薄化之前者。進而，如圖4(b)所示，研磨半導體晶圓74a，形成被薄化的半導體晶圓74。半導體晶圓74a的研磨可藉由各種公知的技術來進行。進而，如圖4(c)所示，使未與半導體晶圓74的接著劑72接觸的面和切割膠帶(支持體)76貼合。此時，切割膠帶76是在於填補剝離後之半導體晶圓74的強度，發揮容易處理的任務。另外，在切割膠帶76的周圍設有切割框架(固定具)78。此切割框架78是在於防止切割膠帶76的鬆弛。然後，從支承板70的孔來供給溶解接著劑72的溶劑，在溶解接著劑72之後，除去支承板70。此刻，接著劑72未完全被除去殘留於半導體晶圓74上。以殘留後的接著劑72作為殘留接著劑73表示。如此，具有殘留接著劑73的半導體晶圓74是相當於被處理體18。

此被處理體18是經由上述工程在其外周配置切割膠帶76。切割膠帶76有時會因為附著有使用於殘留接著劑73的除去之溶劑(處理液)而劣化。切割膠帶76的劣化會引起鬆弛，此鬆弛有時會引起被薄化強度降低之半導體晶圓74的破裂。因此，必須使切割膠帶76不劣化，除去半導體晶圓74上的殘留接著劑73。亦即，會被要求只在半導體晶圓74的表面實施溶劑的除去。

將本實施形態的處理裝置100使用於半導體晶圓74上的殘留接著劑73的除去時，如上述，可進行抑止在半導體晶圓74(被處理體18)以外溶劑飛散的處理。因此，可不使切割膠帶76劣化，良好地進行殘留接著劑73的除去。若利用本實施形態的處理裝置，則提供一種一面對不想要實施處理的面抑止處理液的飛散，一面對想要處理的面進行良好的處理之處理裝置。

另外，本實施形態是針對被處理體18設於切割膠帶76上的半導體晶圓74時，但並非限於此。只要是希望實施處理液的處理之被處理體，任何的被處理體皆可使用本實施形態的處理裝置。

另外，上述處理裝置100是顯示表面處理治具20的平面形狀為圓形時，但表面處理治具20的形狀並非限於此。以下一面參照圖5一面說明有關上述表面處理治具20的變形例之表面處理治具70。圖5是表面處理治具70位於被處理面18a上方時的平面圖。其他的構成則是與表面處理治具20同様。

如圖5所示，表面處理治具70為長方形狀，具有其角為圓弧的平面形狀。在表面處理治具70設有：將處理液供給至被處理面18a的第1貫通孔76、及第2貫通孔78。經由第1貫通孔76來進行往處理部之處理液的供給，經由第2貫通孔78來進行所被供給之處理液的回收。第1貫通孔76及第2貫通孔78的開口形狀、個數、配置皆不是限於圖5所示者。當被處理面18a為圓形時，最好表面處理治具70的長邊方向的長度是與被處理面18a的半徑大略相同。此情況，例如可在一邊使被處理體旋轉於箭號所示的方向一邊進行處理之下，對被處理面的全域實施處理。並且，在表面處理治具70也是與表面處理治具20同様，當然亦可在與被處理面18a的對向面設置突出部。另外，在表面處理治具70雖顯示其平面形狀為長方形狀，但並非限於此形狀，只要可進行對被處理面18a之處理液的供給及所被供給之處理液的回收，在表面處理治具70與被處理面18a之間保持處理液即可。

本發明並非限於上述各實施形態，可在請求項所示的範圍內進行各種的變更，有關適當組合不同實施形態所分別揭示的技術手段取得的實施形態亦為本發明的技術範圍所包含。

本發明的處理裝置是具備：與被處理體維持離間的表面處理治具、及處理液的供給手段與回收手段，藉此可在被處理面與對向面之間保持處理液，可實現抑止對被處理面以外的處理液的飛散之處理。

本發明的處理裝置可實現處理液的洗淨或塗佈等各種處理。

在發明的詳細說明中之具體的實施形態或實施例，終歸是為了明確本發明的技術內容者，並非狹隘地只限於如此的具體例，只要是在本發明的技術思想及其次記載的申請專利範圍內，亦可實施各種的變更。

10．．．載置台

12．．．旋轉軸

14．．．馬達

16．．．洗淨槽

18．．．被處理體

18a．．．被處理面

20．．．表面處理治具

22．．．處理部

22a．．．對向面

24．．．突出部

26．．．第1貫通孔

28．．．第2貫通孔

30．．．供給手段

32．．．供給配管

34．．．處理液槽

40．．．回收手段

42．．．回收配管

44．．．吸引泵

50．．．離間維持手段

52．．．臂

60．．．惰性氣體供給手段

62．．．惰性氣體槽

64．．．惰性氣體供給配管

66．．．噴嘴

100．．．處理裝置

圖1是表示本發明的實施形態之處理裝置的構成要部的剖面圖。

圖2是更詳細顯示圖1的A部之剖面圖。

圖3是表示本實施形態的處理裝置所具有的表面處理治具的平面圖。

圖4(a)是表示在本實施形態的處理裝置所處理的被處理體之一例的剖面圖。

圖4(b)是表示在本實施形態的處理裝置所處理的被處理體之一例的剖面圖。

圖4(c)是表示在本實施形態的處理裝置所處理的被處理體之一例的剖面圖。

圖4(d)是表示在本實施形態的處理裝置所處理的被處理體之一例的剖面圖。

圖5是表示其他形態的表面處理治具的平面圖。

10．．．載置台

12．．．旋轉軸

14．．．馬達

16．．．洗淨槽

18．．．被處理體

18a．．．被處理面

20．．．表面處理治具

22a．．．對向面

30．．．供給手段

32．．．供給配管

34．．．處理液槽

40．．．回收手段

42．．．回收配管

44．．．吸引泵

50．．．離間維持手段

60．．．惰性氣體供給手段

62．．．惰性氣體槽

64．．．惰性氣體供給配管

66．．．噴嘴

100．．．處理裝置

A．．．剖面圖

Claims (15)

1. 一種處理裝置，其特徵係包含：載置台，其係載置被處理體；表面處理治具，其係以處理液來處理上述被處理體的被處理面；供給手段，其係對上述表面處理治具供給處理液；回收手段，其係回收供給至上述表面處理治具的處理液；及離間維持手段，其係將上述表面處理治具維持成與上述被處理面離間的狀態，又，上述表面處理治具，係具備：具有對向於上述被處理面的對向面，在該對向面與該被處理面之間保持從上述供給手段所供給的處理液，而來處理被處理面之處理部，上述處理部，係具備：從上述對向面往上述被處理體突出的突出部，藉由該突出部與上述被處理面之間的處理液的表面張力來將所被供給的處理液保持於上述對向面與上述被處理面之間。
2. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，上述突出部之與上述被處理面對向的面為平面，藉由上述離間維持手段來使該突出部與該被處理面的 距離維持於3mm以下。
3. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，具備：使處理後的被處理面乾燥之乾燥手段。
4. 如申請專利範圍第3項之處理裝置，其中，上述乾燥手段，為往上述被處理面供給惰性氣體的惰性氣體供給手段。
5. 如申請專利範圍第3項之處理裝置，其中，上述乾燥手段，為吸引殘留於上述被處理面的處理液之吸引手段。
6. 如申請專利範圍第5項之處理裝置，其中，上述吸引手段，係利用上述表面處理治具來進行，在停止來自上述供給手段之處理液的供給的狀態下，藉由上述回收手段來吸引殘留於上述被處理面的處理液。
7. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，上述對向面的面積，係比上述被處理面的面積小。
8. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，上述離間維持手段，係使表面處理治具對被處理體移動。
9. 如申請專利範圍第8項之處理裝置，其中，上述離間維持手段，係使表面處理治具從被處理體的大略中心往外緣移動。
10. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，上述載置台，係使所被載置的被處理體旋轉。
11. 一種表面處理治具，係使用於以處理液來處理被處理體的被處理面之表面處理治具，其特徵為： 具備處理部，其係具有在維持對被處理面離間時對向於上述被處理面的對向面，保持在該對向面與上述被處理面之間所被供給的處理液，而來處理被處理面，上述處理部，係具備：從上述對向面往上述被處理體突出的突出部，藉由該突出部與上述被處理面之間的處理液的表面張力來將所被供給的處理液保持於上述對向面與上述被處理面之間。
12. 一種處理裝置，其特徵係包含：載置台，其係載置被處理體；表面處理治具，其係以處理液來處理上述被處理體的被處理面；供給手段，其係對上述表面處理治具供給處理液；回收手段，其係回收供給至上述表面處理治具的處理液；及離間維持手段，其係將上述表面處理治具維持成與上述被處理面離間的狀態，又，上述表面處理治具，係具備：具有對向於上述被處理面的對向面，在該對向面與該被處理面之間保持從上述供給手段所供給的處理液，而來處理被處理面之處理部，上述對向面的面積，係比上述被處理面的面積小。
13. 一種表面處理治具，係使用於以處理液來處理被處理體的被處理面之表面處理治具，其特徵為： 具備處理部，其係具有在維持對被處理面離間時對向於上述被處理面的對向面，保持在該對向面與上述被處理面之間所被供給的處理液，而來處理被處理面，上述對向面的面積，係比上述被處理面的面積小。
14. 一種處理裝置，其特徵係包含：載置台，其係載置被處理體；表面處理治具，其係以處理液來處理上述被處理體的被處理面；供給手段，其係對上述表面處理治具供給處理液；回收手段，其係回收供給至上述表面處理治具的處理液；及離間維持手段，其係將上述表面處理治具維持成與上述被處理面離間的狀態，又，上述表面處理治具，係具備：具有對向於上述被處理面的對向面，在該對向面與該被處理面之間保持從上述供給手段所供給的處理液，而來處理被處理面之處理部，上述離間維持手段，係使表面處理治具對被處理體移動，上述離間維持手段，係使表面處理治具從被處理體的大略中心往外緣移動。
15. 一種表面處理治具，係使用於以處理液來處理被處理體的被處理面之表面處理治具，其特徵為包含：處理部，其係具有在維持對被處理面離間時對向於上 述被處理面的對向面，保持在該對向面與上述被處理面之間所被供給的處理液，而來處理被處理面，離間維持手段，其係將上述表面處理治具維持成與上述被處理面離間的狀態，上述離間維持手段，係使表面處理治具對被處理體移動，上述離間維持手段，係使表面處理治具從被處理體的大略中心往外緣移動。