TWI297097B - Liquid crystal display device - Google Patents

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TWI297097B
TWI297097B TW090121035A TW90121035A TWI297097B TW I297097 B TWI297097 B TW I297097B TW 090121035 A TW090121035 A TW 090121035A TW 90121035 A TW90121035 A TW 90121035A TW I297097 B TWI297097 B TW I297097B
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liquid crystal
pixel
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Kobayashi Setsuo
Katsumi Kondo
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Hitachi Ltd
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1297097 A7 B7 __ 五、發明説明(3 ) 也會有看得到著色的問 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,F C A方式,由於其驅動器係直接地被搭載在液 晶顯示裝置的基板,因此,來自該驅動器的發熱會直接傳 到液晶顯示裝置的基板,而在該驅動器之附近的液晶會導 致局部的溫度上昇,而發現在該部分會有看到的變色的問 題。 (本發明所要解決的第2課題) 又,當採用F C A方式時,則大多直接將只由半導體 晶片所構成之驅動器安裝到液晶顯示裝置的基板,而發現 在半導體晶片之周邊的基板容易產生應力。 此外,因爲該應力,會發現在顯示面之驅動器之附近 的部分產生看得到變色的問題。 此時,當爲所謂的正常黑模式時,則在作黑顯示時會 產生漏光,而確認出對比比會降低。在此,所謂的正常黑 模式係指在未對液晶施加電場的狀態下,該液晶的透光率 會成爲最低的情形。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (本發明所要解決的第3課題) 又,爲了使經由液晶而被對向配置之各基板的間隙設 成均勻,當在單側的基板形成支柱時,則上述課題2的應 力會成爲原因,而造成在晶片附近的領域,其上下基板之 對位偏移會較其他的領域惡化。 當利用粒體(beads)時,藉著其形狀爲球體,且未被 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 一 — -6- 1297097— A7 B7 五、發明説明(4 ) 固地固定,當施加局部的應力時,則在使其緩和的方向進 行粒體的再配置,結果可知能夠減低在半導體晶片之附近 之上下基板的對偏移程度。 但是當爲支柱時,由於支柱與基板是面接觸,因此接 觸面積大,又,由於支柱本身是被固定在單側的基板,因 此發現在半導體晶片附近仍會因爲應力而產生局部的對位 偏移,而難以被緩和。 (本發明所要解決的第4課題) 更者,當爲橫向電場方式時,則已知在彼此產生電場 的畫素電極與基準電極中,基準電極係鄰接於影像信號線 而配置。 而此是爲了讓來自影像信號線的電場終止於基準電極 側,而不致於影到畫素電極側。 此外,則在影像信號線與基準電極之間形成間隙,而 由於在該間隙部驅動液晶,而發生所謂的Domain情形,因 此在該部分形成遮光膜。 但是,該遮光膜的形成會阻礙提高畫素的數値孔徑。 (本發明所要解決的第5課題) 更者,在閘極信號線或汲極信號線與驅動器(drive ) 連接時,則位在該驅動器附近的信號線,會形成爲可以被 擠入到半導體晶片之尺寸範圍內的案圖(pattern)。 此時,將上述以外的信號線,例如基準信號線拉出到 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公楚) I!----· — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7- 1297097- A7 B7 五、發明説明(6 ) 號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之間 產生電場的基準電極, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片所形成, 當在畫素電極與基準電極之間未施加電壓時,則構成 使上述液晶層之透光率成爲最低,且將上述影像信號的電 壓最大振幅設定在當要將上述液晶層的相對透過率設成 9 0 % .時所需要的電壓以下。 用於解決上述第2課題之代表的手段,其特徵在於: 在經由液晶層被對向配置之各基板中,在其中一個基 板的液晶側的面備有:根據來自閘極信號線之掃描信號而 作動的開關元件,經由該開關元件,而被供給有來自汲極 信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之間 產生電場的基準電極, 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片所形成, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該驅動晶片與上述其中一個基板之間則存在有應力 緩衝層。 用於解決上述課題之代表性的手段,其特徵在於: 在經由液晶層被對向配置之各基板中,在其中一個基 板的液晶側的面備有:根據來自閘極信號線之掃描信號而 作動的開關元件,經由該開關元件,而被供給有來自汲極 信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之間 產生電場的基準電極, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " " -9 - 1297097 A7 ____ B7 五、發明説明(7 ) 來自上述各丨g號線的信號是由被安裝在上述其中一個 基板上的驅動晶片所形成, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 備有用於確保在上述各基板中,與面向一個基板之液 晶側的面的另一個基板的間隙的支柱, 該支柱則以每相鄰的2個畫素領域1個以下的密度被 配置。 用於解決上述第4課題之代表的手段,其特徵在於: 在經由液晶層被對向配置之各基板中,在其中一個基 板的液晶側的面備有:根據來自閘極信號線之掃描信號而 作動的開關元件,經由該開關元件,而被供給有來自汲極 信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該畫素電極之間 產生電場多個的基準電極, 上述各基準電極中的一者,則經由介電率較無機材料 爲低的絕緣膜,而與汲極信號線重疊被形成,且其寬度則 被形成爲較該汲極信號線的寬度爲大。 用於解決上述第5課題之代表性的手段,其特徵在於 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在經由液晶層而被對向配置之各基板中,在其中一個 基板之液晶側的面備有:根據來自閘極之掃描信號而作動 的開關元件,經由該開關元件,而被供給有來自汲極信號 線之影像信號的畫素電極,以及離開該畫素電極而被配置 ,而被供給有來自基準信號線之基準信號的基準電極, 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片來形成, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -10- 129709? A7 B7 五、發明説明(9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 延伸到外方。雖然之後會詳述,但該部分成爲一搭載有聞 極驅動器電路(I C ) 5以及汲極驅動電路(I C ) 6的 領域。 在各透明基板S U B 1、S U B 2的重疊的領域,則 設有被配置呈矩陣狀的畫素2,該畫素2則被形成在爲在 圖中X方向延伸,而被並設在y方向的閘極信號線G L, 與在y方向延伸,而被並設在X方向的汲極信號線D L所 包圍的領域,至少備有根據供給來自其中一個閘極信號線 G L的掃描信號而被驅動的開關元件T F T、以及經由該 開關元件T F T,而被施加由其中一個汲極信號線D L所 供給之影像信號的畫素電極。 在此,如上所述,各畫素2乃採用所謂的橫向電場方 式,如後所詳述,除了上述的閂關元件T F T以及晝素電 極P X外,也備有基準電極C T以及保持電容C s t g。 此外,各閘極信號線G L,其中一端(圖中左側的端 部)則延伸到透明基板S U B 1外,而被連接到搭載在透 明基板S U B 1之閘極驅動電路5的輸出端子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外,除了設有多個的閘極驅動電路5外,上述閘極 信號線G L,則將互相鄰接者加以群化(參照圖5 8 ), 該些各個經群化的閘極信號線G L,則分別被連接到接近 的各閘極驅動電路5。 又,同樣地,各汲極信號線D L,其中一端(圖中上 側的端部)則延伸到透明基板S U B 1外,而被連接到被 搭載在透明基板S U B 1之汲極驅動電路6的輸出端子。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210><297公釐) -12- 1297097 A7 B7 五、發明説明(ib (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時,除了設有多個的汲極驅動電路6外,上述汲極 信號線D L,則將互相鄰接者加以群化,該些各個經群化 的汲極信號線D L,則分別被連接到接近的各汲極驅動電 路6。 另一方面,具有接近於已搭載有閘極驅動電路5以及 汲極驅動電路6之液晶顯示面板P N L而被配置的印刷基 板1 0 (控制基板1 0 ),在該印刷基板1 0,則除了電 源電路1 1等之外,也搭載有用於將輸入信號供給到述閘 極驅動電路5以及汲極驅動電路6的控制電路(I C ) 2 0。 此外,來自該控制電路1 2的信號,則經由彈性配線 基板(閘極電路基板1 5、汲極電路基板1 6A、汲極電 路基板1 6 B ),而被供給到閘極驅動電路5以及汲極驅 動電路Θ。 亦即,在閘極驅動電路5側,則配置有備有分別面向 各閘極驅動電路5之輸入側的端子而被連接之端子的彈性 配線基板(閘極電路基板1 5 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該閘極電路基板1 5,其中一部分則延伸到上述控制 基板1 0側而被形成,而在該延伸部,則經由連接部1 8 而被連接到該控制基板1 0。 來自被搭載在控制基板1 0之控制電路1 2的輸出信 號,則經由位在該控制基板1 0上的配線層,上述連接部 ,更者在閘極電路基板1 5上的配線層,而被輸入到各閘 極驅動電路5。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -13- 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 B7五、發明説明(11 ) 又,在汲極驅動電路6側,則配置有分別面向各汲極 驅動電路6之輸入側的端子而被連接之端子的汲極電路基 板 1 6 A、1 6 B。 該汲極電路基板1 6 A、1 6 B,其中一部分則延伸 到上述控制基板1 〇側而被形成,在該延伸部,則經由連 接部1 9 A、1 9 B而被連接到該控制基板1 〇。 來自被搭載在控制基板1 0之控制電路1 2的輸出信 號,則經由位在該控制基板1 0上的配線層,上述連接部 19A、19B,更者,在汲極電路基板16A、16B 上的配線層,而被輸入到各汲極驅動電路6。 此外,位在汲極驅動電路6側的汲極電路基板1 6 A 、1 6 B,如圖所示乃被分割成2個而設,用來防止隨著 液晶顯示面板1的大型化,因爲汲極電路基板朝圖中X方 向之長度增加而造成熱膨脹的情形。 此外,來自在控制基板1 0上之控制電路1 2的輸出 ,則分別經由汲極電路基板1 6 A的連接部1 9 A、以及 汲極電路基板1 6 B的連接部1 9 B,而被輸入到對應的 汲極驅動電路6。 更者,在控制基板1 0,則從影像信號源2 2,藉由 電纜2 3,經由介面基板2 4而被供給有影像信號,且被 輸入到被搭載在該控制基板1 0的控制電路1 2。 此外,在該圖中,雖然液晶顯示面板p N L '閘極電 路基板1 5、汲極電路基板1 6 A、1 6 B以及控制基板 1 0係位在大約同一平面內,但實際上,該控制基板1 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -14- 1297097 A7 B7 _______ 五、發明説明(12 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,在閘極電路基板1 5、汲極電路基板1 6 A、1 6 B的 部分乃呈彎曲,而大約相對於液晶顯示面板1呈直角。藉 此,可以減小所謂額緣的面積。在此,所謂的額緣係指位 在顯示面板P N L之外框的輪廓與顯示領域A R之輪廓之 間的領域,藉由減小該領域,可得到相對於外框加大顯示 部之面積的效果。 < <畫素的構成> > 在此’上述液晶顯不面板P N L,如上所述’其#頁7^ 領域部A R係由被配置呈矩陣狀的多個的畫素2所構成’ 其中一個畫素的構成,則成爲如圖3所示。又,圖4爲在 圖3之I V— I V線之斷面圖,圖5爲在圖3之V — V線 的斷面圖。 在同一圖中,在透明基板S U B 1的主表面則形成在 X方向延伸之閘極信號線G L與基準電壓信號線C L。此 外,被各信號線G L、C L與後述之在y方向延伸的汲極 信號線D L所包圍的領域,則成爲畫素領域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦即,在本實施例中,基準電壓信號線C L則被形成 爲在與閘極信號線G L之間行走,而在以該基準電壓信號 線C L作爲邊界之± y方向分別形成畫素領域。 藉此,被並設在y方向的基準電壓信號線(:1^,則可 以減少到爲以往之大約一半,爲此所封閉的領域,則可以 分擔作爲畫素領域來使用,而能夠加大該畫素領域的面積 〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210χ297公釐) -15- 1297097 A7 B7 五、發明説明(13) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在各畫素領域中,在上述基準電壓信號線G L,則呈 等間隔地形成例如3條與其成爲一體,而在y方向延伸的 基準電極C T。各基準電極C T,則在不連接到閘極信號 線G L的情形下接近閘極信號線G L而延伸,其中位在兩 側的2個,則被配置成鄰接汲極信號線D L,而剩下來的 1個則位於中央。 更者,在已形成有閘極信號線G L、基準電壓信號線 C L以及基準電極C T之透明基板S U B 1的主表面,則 乃被覆該些閘極信號線G L等般地形成例如由矽氮化膜所 構成的絕緣膜G I。該絕緣膜G I對於後述之汲極信號線 D L,可以當作用於取得與閘極信號線G L以及基準電壓 信號線C L之絕緣的層間絕緣膜來使用,而對於薄膜電晶 體丁 F T當作閘極絕緣膜來使用,對於積蓄電容c s t g ,則當作介電體膜來使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該絕緣膜G I的表面,則在其薄膜電晶體T F T的 形成領域形成有半導體層A S。該半導體層A S例如是由 非晶矽所構成,而在閘極信號線G L上,如被重疊在接近 於後述之汲極信號線D L的部分般被形成。藉此,閘極信 號線G L的一部分,則兼作爲薄膜電晶體T F T的閘極。 此外,在該絕緣膜G I的表面,則形成在其y方向上 延伸,且被並設在X方向的汲極信號線D L。該汲極信號 線D L,則與延伸到構成薄膜電晶體T F T之上述半導體 層A S之表面的一部分所形成的汲極S D 1成爲一體。 更者,在畫素領域中之絕緣膜G I的表面,則形成有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16- 1297097 A7 _ B7 _ 五、發明説明(14 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 被連接到薄膜電晶體T F T之源極S D 2的畫素電極P X 。該畫素電極,則在上述基準電極CT之各自的中央,在 y方向延伸而被形成。亦即,畫素畫素P X的一端則兼作 爲上述薄膜電晶體TFT的源極SD 2,當在y方向上延 伸,且在基準電壓信號線C L上,在X方向延伸後,才向 y方向延伸,而成爲一 j字狀。 在此,被重疊在畫素電極P X之基準電壓信號線C L 的部分,則在與該基準電壓信號線C L之間構成一以上述 絕緣膜G I作爲介電體膜的積蓄電容C s t g。藉由該積 蓄電容C s t g,當例如在使薄膜電晶體T F T作〇F F 之際,可以具有能夠使影像資訊更長時間積蓄在畫素電極 P X的效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外,在相當於上述薄膜電晶體T F T的汲極S D 1 與源極S D 2之界面之半導體層A S的表面,則被摻雜了 磷(P ),而成爲一高濃度層,藉此,在上述各電極可達 成歐姆接點,(Ohmic contact)。此時,則在半導體層A S 之表面的整個領域形成上述高濃度層。在形成上述各電極 後,則以該電極作爲掩罩(mask),而針對該電極形成領 域以外的高濃度層進行鈾刻,而能夠成爲上述的構成。 此外,在已形成有薄膜電晶體T F T、汲極信號線 D L、畫素電極P X、以及積蓄電容C s t g之絕緣膜 G I的上面,則形成有例如由矽氮化膜所構成之保護膜 P S V,在保護膜P S V的上面,則成有配向膜〇R 1 1 ,而構成液晶顯示面板P N L之所謂下側基板。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 1297097 A7 B7 _____ 五、發明説明(15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此,基準電極CT以及畫素電極PX,均可以如金 屬般之不透光性的材料層所形成,又,也可以至少使其中 一者以例如I T〇(Indium-Tin-Oxide )等之透光性的材料 層來形成。當爲後者時,則具有可提昇畫素之數値孔徑的 效果。 又,在成爲上側基板之透明基板(瀘色器基板) S ϋ B 2的液晶側的部分,則形成在相當於各晝素領域之 部分具有開口部的黑色矩陣Β Μ。 更者,則如被覆在相當於該黑色矩陣Β Μ之畫素領域 的部分所形成的開口部般地形成瀘色器F I L。該瀘色器 F I L,除了具備與位在X方向相鄰之畫素領域不同的顏 色外,也分別在黑色矩陣Β Μ上具有邊界部。 又,在已形成有黑色矩陣Β Μ、以及濾色器F I L的 面上形成由樹脂膜所構成的平坦膜〇C,而在該平坦膜 〇C的表面形成有配向膜〇R I 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此,在本實施例中,是一當在畫素電極Ρ X與基準 電極C Τ之間未產生電場時,液晶之透光率會成爲最小之 所謂的正常黑(normal black)模式的構成。 此外,將被供給到汲極信號線D L之影像信號(電壓 )的最大振幅設定成在對液晶層L C之相寺透過率設成 9 0 %時爲必要之電壓(V 9 0 )以下。 本實施例的液晶顯示裝置是一正常黑模式.,以此作爲 背景,可以抑制液晶驅動電壓之大幅減少,與對& ( contrast)比降低之影響的情形。 ’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -- -18- 1297097 A 7 B7__ 五、發明説明(16 ) • 亦即,圖1爲表示在正常黑模式下之液晶驅動電壓( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) V ) 相對輝度(% )之關係的說明圖。當爲正常黑彳旲式 時,雖然白顯示輝度是依存於電壓,但在給予相對輝度 1 0 0 %之電壓(V m a X )的附近具有飽和的傾向。而 此則意味著在給予相對度1 〇 0 %之電壓(V m a X )的 附近,即使是驅動電壓’輝度一點也不會有變化。 因此,藉由將輝度抑制在9 0 %以下而作白顯示’可 以大幅地減低液晶驅動電壓。 而此,則作爲將影像信號供給到汲極信號線D L的汲 極驅動I C,而選擇其中輸出小者’或是連發熱量也可以 減低。 又,由於此時的黑顯示處於無通電狀態’因此’相較 於正常白模式的情形(其特性表示在圖6 ),可以抑制對 於對比比所產生的影響。 (實施例2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,在本實施例中,經由基準電壓信號線C L,而供 給到各畫素領域之基準電極C T的基準信號,則依據圖框 單位而反轉。 如圖7所示,由於係針對依據圖框單位而反轉的基準 信號來決定影像信號的振幅V,因此可以減小整體之影像 信號的振幅。 爲了供比較起見,如圖8所示,當考慮依據圖框單位 將基準信號設爲一定時,則影像信號必須相對於基準信號 本紙張尺度適用中關家標準(CNS ) A4規格(21GX297公釐1 -19- 1297097 A7 B7 五、發明説明(19 ) 接(在本說明書中稱爲F C A方式)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時,汲極驅動I C 6則位於被並設之輸入凸部群與 輸出凸部群之間,至少讓在該凸部之高度以上的間隙位在 與透明基板S U B 1側之間。 此外,如埋往該間隙般地,在該透明基板S U B 1側 形成應力緩衝層3 1。藉此,藉由在該透明基板SUB 1 側所形成的應力緩衝層3 1來吸收上述汲極驅動I C 6之 撓彎(位在該汲極驅動I C的中央部,朝透明基板 S U B 1側成爲凹部的撓彎)。 此時,在汲極驅動I C 6所產生的應力則會變得難以 傳達到透明基板S U B 1側,可避免在其附近之透明基板 S U B 1與透明基板S U B 2產生局部的對位(alignment )偏移。 又,圖1 0 ( b )爲表示其他實施例的構成圖,係對 應於1〇(a )。 在該圖1 0 ( b )中,應力緩衝層3 1 ,則不限於汲 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 極驅動I C 6的安裝領域,也被形成到其周邊爲止。又與 汲極驅動I C 6之各凸部連接的配線層(汲極信號線D L ),則被形成在該應力緩衝層3 1的上面。 此外,在各畫素領域所形成之上述保護膜p s V ’也 有以例如由S i N所構成之無機材料層以及由樹脂所構成 的有機材料層的依序積層體而構成的情形。也此是因爲有 要求減小保護膜P S V之介電常數,或要求以有機材料層 來被覆無機材料之裂痕等的情形。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22- 1297097 A7 ______ B7 ___________ 五、發明説明(20 ) 此時,藉由在形成上述有機材料層的同時形成上述應 力緩衝層3 1 (也可以直接延伸而形成),具有避免製程 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 數目增加的效果。 以外,在本實施例中,雖然是針對汲極驅動I C 6來 加以說明,但由於對於閘極驅動I C 5的情形也相同,因 此,當然在閘極驅動I C 5的安裝領域,也可以採用同樣 的構成。 (實施例5 ) 在上述各實施例中,雖然是以透明基板S U B 1當作 玻璃基板,但在本實施例中,該透明基板S U B 1 ,則特 別使用由樹脂所構成樹脂基板。 在該透明基板S U B 1則安裝有汲極驅動I C 6以及 閘極驅動I C 5,藉由該基板使用伸縮性較玻璃爲高的樹 月旨,可以解決由在該各驅動I C所產生的應力而造成的問 題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由採用在上述各實施例中的至少一者,可以減低驅 動I C的驅動能力,又,也可以減少由此所產生的發熱量 ,因此,如圖1 1所示,在顯示領A R中,可以避免在接 近於該驅動I C的領域丁尺中受到該發熱的影響(變色等 (實施例6 ) 如圖1 2所示,在經由液晶而被對向配置之各透明基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -23- 1297097 A7 _ B7 _____ 五、發明説明(21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 板中,則在透明基板s U B 2形成有被稱爲黑色矩陣B Μ 的遮光膜。此外,在同一圖中,(a)爲平面圖,(b) 爲在(a )之b - b線的斷面圖。 此外,用於確保透明基板S U B 1與透明基板 S U B 2之間隙的間隔件(spacer ),則使用例如藉由光石 印技術,對在透明基板S U B側所形成的樹脂層進行擇蝕 刻而形成的支柱3 3。 該支柱3 3,則在當作各畫素領域的集合所形成的顯 示部內,可以配置在所設定的位置,而如可與上述黑色矩 陣B Μ發生重疊般地被形成。 而此是因爲在支柱3 3的周邊液晶分子的配向容易產 生混亂,而容易被目視使然(被稱爲Domain )。 此外,在本實施例中,乃將位在汲極驅動I C 6、閘 極驅動I C 5之附近的黑色矩陣的寬度設成較在其他部分 中之黑色矩陣的寬度爲大。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此設定之理由在於各驅動I C的附近,會因爲該驅 動I C的發熱,而容易使透明基板SUB 1、SUB 2的 位發生偏移,而因爲該對位偏移會導致容易看到上述 Domain使然。 此外,遮光膜也不限定在黑色矩陣B Μ,當然也可以 採用爲了其他目的而形成的遮光膜。 (實施例7 ) 在本實施例中,乃以每2個單位畫素〜8個單位畫素 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -24 - 1297097 A7 B7 五、發明説明(22 ) 成爲1個的密度來配置顯示部內的上述支柱。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此,所謂的單位畫素係指R G B或C Μ Y組設定成 1個單位畫素者。 假設將上述支柱,以每8個單位畫素未滿1個的方式 來加以配置時,則上下的基板會因爲應力容易產生移動, 而會導致對位發生偏移,又,支柱的強度會不敵於該應力 而發生塑性變形,逐妨礙到上下基板之間隙的均一性。 上述各實施例雖然是適用於例如圖1 3所示之畫素構 成的液晶顯示裝置,但是也可以適用於以後所表示之畫素 構成的液晶顯示裝置。 (實施例8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中,如圖1 3所示,汲極信號線D L與畫 素電極Ρ X係位在同一層,基準電極C Τ,則經由保護膜 P S V 1被形成在該汲極信號線D L與畫素電極Ρ X的上 層。又,該基準電極C Τ,則通過貫通孔Τ Η而與被形成 與閘極信號線G L同一層的基準電壓信號線C L互相連接 。此外,在同一圖中,(a)爲平面圖,(b)爲b — b 線的斷面圖,(c )爲c 一 c線的斷面圖。 此外,如與汲極信號線D L呈重疊狀地形成基準電極 C T,因此,無法目視到因爲在汲極信號線D L與基準電 極C T之間所產生的電場對液晶所造成之不可預期舉動( Domain) ° 亦即,由來自汲極信號線D L的界場所造成的Domain 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) : -25- 1297097 A7 B7 五、發明説明(23 ) ,則會被上述基準電極C T所遮光。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,如此一來,來自汲極信號線D L的電場會被結束 在電位被固定的基準電極C T側,而可以抑制對畫素領域 側所造成的影響。 此外,上述基準電極C T,則考慮有以如金屬層般之 不透明的導電層來形成的情形,與如I T〇(Indiinn-Tin-〇xide)般之透明的導電層來形成的情形。 在此,當以透明的導電層來構成基準電極C T時,則 爲了該基準電極CT擁有具有作爲遮住舉動(D〇main)之 目視情形之遮光膜的功能,則必須設成所謂的正常白模式 〇 正常白模式,當在畫素電極CT與基準電壓電極線 c L之間未產生電場時,可以由選擇能夠使液晶的透光率 成爲最低的該液晶的材料來構成。 此外,透明的導電層則不限定於I T ◦,也可以例如 是1]12〇3、811〇2、12〇、211〇2,些的混合物、 或是積層體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,在本實施例中,在基準電極C T的上面形成有保 護膜P S V 2,而在該保護膜P S V 2的上面形成配向膜 (未圖示)。 此時,保護膜P S V 2可以使用樹脂等的有機材料, 如此一來,具有可以使其表面平坦化等的效果。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26- 1297097 A7 _ B7 _ 五、發明説明(24 ) (實施例9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本實施例,係針對實施例8 (圖1 3 )所示的構成’ 以例如由S i N所構成的無機材料與由樹脂所構成的有機 材料的依序積層體來構成保護膜P S V 1。如此此的情形 ,.可以得到能夠降低在畫素電極P X與基準電極C T之間 之介電率的效果。 (實施例1 ◦) 在本實施例中,當上述實施例8 (圖1 3 )的構成, 特別以金屬層來構成基準電極C T時,則在上面,如被覆 該基準電極C T般地形戊保護膜P S V 2,而在該保護膜 P S V 2的上面形成配向膜。 當以金屬層來構成基準電極C T時,則該金屬層會,經 由極薄的配向膜而面向液晶,該金屬層容易與液晶產生〈七 學反應,而產生例如電蝕等的問題。 因此,藉由絕緣膜位於基準電極c T與配向膜之間, 可以保護該基準電極c T。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述絕緣膜可以是利如s i N、S i〇2般的無機材料 、或是如樹脂般的有機材料。 (實施例1 1 ) 在本實施例中,如圖1 3所示,用於將基準信號丨共& 到基準電極C T的基準信號線C L則被形成在與聞極信_ 線G L同一層,且以與_極信號線G T相同的材料(金屬 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(YlO X 297公釐) 〜-------- -27- 1297097 A7 B7 五、發明説明(25 ) 層)來形成。
基準信號線C L除了被配置成大約與閘極信號線G L (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 呈平行外,也位在彼此相鄰之閘極信號線G L的大約中央 〇 此外,基準電極C T,則從已形成有上述基準信號線 c L的透明基板S U B 1的面開始,經由絕緣膜G I以及 保護膜P S V 1,而被成在該保護膜上。 基準信號線C L與基準電極C T的連接,則是經由位 於晝素領域之大約中央,而在保護膜P S V 1與絕緣膜 G I所形成的貫通孔T Η來達成。 基準電極C Τ例如是由I Τ ◦膜所形成,乃形成爲在 圖中的y方向延伸,且被並設在X方向上之合計3個電極 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時,中央的基準電極C T,則經由上述貫通孔τ Η ,而被連接到基準信號線C L,除了該基準電極C Τ以外 之剩下來的2個基準電極C Τ,則分別重疊於影像信號線 D L而被形成。又,各基準電極C Τ之上下的端部,則分 別藉由被重疊在閘極信號線G L的I Τ ◦膜而互相被連接 〇 因此,在保護膜P S V 1上所形成的I Τ ◦膜,則設 成包圍畫素領域,換言之,係被重疊在汲極信號線D L以 及閘極信號線G L上,且具有較該些信號線的寬度爲大的 寬度。 此外,該I T ◦膜則被形成爲與其他相鄰之畫素領域 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -28- 1297097. A7 B7 五、發明説明(26 ) 之I T〇膜成爲一體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時’ I T〇膜,由於在顯示領域內形成爲格子狀的 圖案,因此,具有可減低其本身之電阻値的效果。 此外,將基準信號供給到該I T ◦膜的基準信號線 c L,由於是以電阻値低的金屬層來形成,因此,可以抑 制被供給到基準電極C T之基準信號發生信號偏移。 (實施例1 2 ) 在本實施例中,在上述實施例1 1的構成,保護膜 P S V 1例如是由S i N所構成的無機材料與由樹脂所構 成的有機材料的依序積層體而構成。 (實施例1 3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在實施例1 1、1 2中,除了以金屬層形成基準電壓 信號線C L外,也以I T 0等的透光性的導電層形成基準 電極C T,但只要基準電壓信號線C L的材料層的電阻較 基準電極C T之材料層的電阻爲小,則不一定要限制該些 材料。 如此一來,可以減低基準電壓信號線C L與基準電極 C T的整體的電阻,而能夠確保被供給到各基準電極C 丁 之基準信號之電位的安定化。 (實施例1 4 ) 在實施例1 1 (圖1 3 )的構成中’乃採用正常黑模 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29- 1297097 Α7 Β7 五、發明説明(27 ) 式。 亦即,當在晝素電極P X與基準電極C T之間未施加 電場時,液晶的透光率會成爲最低(黑顯示)。 此時,以基準電極C T作爲一部分而構成的I τ ◦膜 則當作遮光膜來使用,而形成可充分地被覆閘極信號線 G L以及汲極信號線D L的遮光膜。 而此具有不需要在另外的過程形成具有同樣功能之例 如黑色矩陣等之遮光膜的效果。 此外,此時,將基準電極當作一部分所形成的材料, 則不限於I T〇,也可以是I η 2〇3、S η〇2、I Z〇 、Ζ η〇2或該些的混合體、積層體。 (實施例1 5 ) 在實施例1 1至1 4的各構成中,以基準電極C 丁作 爲一部分而形成的材料層,由於係成爲格子狀的圖案而被 形成在顯示領域內,因此,也可以將基準信號供給到該材 料層。 因此,在本實施例中,基準電壓信號線C L自不得言 ,也會將基準信號供給到以基準電極C Τ作爲一部分而形 成的材料層。此時,則是從與基準信號線C L之延伸方向 呈直交的方向來供給該基準信號。 亦即,從在以基準電極C Τ作爲一部分而形成之材料 層的周邊中,以及在與圖中X方向平行的周邊中之其中一 者,或是從雙方來供給基準信號。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30 - 1297097 A7 B7 ____ 五、發明説明(28 ) 此時,如圖1 4所示,讓帶狀之低電阻的金屬層3 5 重疊在該材料層的一邊,而經由該金屬層供給基準信號。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 如此一來,可以緩和被供給到在各畫素領域中之基準 電極C T的基準信號的波形失真程度。 此外,在本實施例中,以上述基準電極C T作爲一部 分的材料層當然可以是透光性高的材料或是金屬層。 (實施例1 6 ) 在本實施例中,在上述實施例1 3至1 5之任一個構 成中,針對每個圖框讓基準信號反轉(共同反轉驅動)。 如上所述,由於基準電壓信號線c L的電阻較基準電 極C T爲低,因此,可以減少將基準信號供給到基準電極 C T時之信號波形的失真。 又,由於作共用反轉驅動,因此能夠減低汲極驅動 I C的輸出,而能夠使用輸出小者作爲該汲極驅動I C。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外,該構成,除了可以抑制在基準電壓信號線c L (A 1、C I*、Ta、Mo、W以及該些的混合體或積層 體)中的信號失真情形外,在汲極信號線中的信號失真, 則可以藉由其材料使用A 1 、C I*、以及該些的混合體、 或積層體來加以抑制。 (實施例1 7 ) 在本實施例中,如圖1 3所示,將在畫素領域內所形 成的貫通孔形成在相鄰之各畫素電極P X的大約中央,而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -31 - 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(29 ) 藉由該貫通孔T Η來連接基準電壓信號線C L與基準電極 C Τ 〇 當如此構成時,可以減少貫通孔τ Η與和其鄰接之畫 素電極Ρ X發生短路的機率。 (實施例1 8 ) 在本實施例中,將貫通孔Τ Η的直徑,如圖1 3所示 般,設成基準電壓信號線C L的寬度爲小,且較基準電極 C Τ的寬度爲小。 如此一來,可以減低基準電極C Τ在該貫通孔Τ Η部 發生斷線的機率。 (實施例1 9 ) 在本實施例中,如圖1 5所示,經由基準電壓信號線 C L與保護膜P S V 1 ,在該保護膜P S V 1上形成以基 準電極C Τ作爲一部分的材料層,該材料層具有至少以沿 著基準信號線C L而重疊的帶狀的部分3 7、以及如與該 帶狀的部分3 7呈交差地延伸的基準電極C Τ,在該些的 交差部,則通過貫通孔Τ Η而被連接到上述基準電壓信號 線C L。 藉由如此地構成,由於可以藉由低電阻,將來自基準 電壓信號線C L的電位傳到基準電極’因此’更可以抑制 基準電位之偏移。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -32- 1297097 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明说明(30 ) (實施例2 0 ) 在本實施例中’如圖1 6所示,經中基準電壓信號線 C L與保護膜P S V 1 ,在該保護膜p s v i上形成基準 電極C T作爲一部分的材料層,該材料層除了至少具有與 基準電壓信號線c L呈交差而延伸的基準電極c T外,在 與該基準電壓信號線C L的交差部,則寬度被形成爲較其 他的部分爲寬,而在該寬度被形成較寬的部分,則通過貫 通孔T Η被連接到上述基準電壓信號線C l。 藉由如此地構成,可以避免基準電極C Τ在貫通孔 Τ Η部發生斷線。 (實施例2 1 ) 本實施例,如圖1 7所示,乃類似於圖1 5所示的構 成,首先,以基準電極C Τ作爲一部分的材料層係以由金 屬層所構成之不透光性的導電材所構成。 此外,沿著基準電壓信號線C L重疊而形成的材料餍 ,除了其中心軸大致上與該基準電壓信號線C L的中心軸 呈一致外,其寬度也形成較該基準電壓信號線C L的寬度 爲小。 藉由如此地構成,可以加大在畫素領域中的透光領@ ,而能夠提高數値孔徑。 (實施例2 2 ) 本實施例,如圖1 8所示,經由基準電壓信號線c L 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -33- 1297097 A7 ------^一 B7 _一 五、發明説明(31 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 與保護膜P S V 1 ’在該保護膜p s v 1上形成以基準電 極C τ作爲一部分的材料層,該材料層具有至少沿著基準 電壓信號線c L而重疊的帶狀的部分,與和該帶狀的部分 呈交差而延伸的基準電極C T,在該些交差部,則通過貫 通孔Τ Η而被連接到上述基準電壓信號線c L,在該貫通 孔Τ Η的附近,上述基準電極c τ則愈接近於該貫通孔 丁Η,寬度形成愈寬。 此外’此時’基準電極C Τ是由不透光性的金屬層所 形成’沿著基準電壓信號線C L而重疊之上述帶狀的部分 的寬度’則被形成爲較該基準電壓信號線C L的寬度爲小 (實施例2 3 ) 在本實施例中,如圖1 9所示,例如在實施例1 1 ( 圖1 5 )的構成中,以被覆閘極信號線G L所形成的基準 電極作爲一部分的材料層,則在面向薄膜電晶體丁 F T的 部分設有開口(該材料層的非形成領域)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若在薄膜電晶體T F T的上部施加電位時,由於該薄 膜電晶體T F T的閾値會變動(Back Channel ),因此,藉 由上述開口,可以避免該問題發生。 (實施例2 4 ) 在本實施例中,如圖2 0所示,例如在實施例1 1的 構成中,將在面向薄膜電晶體T F T的部分所形成的上述 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -34- 1297097 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(32 ) 材料層的開口,如沿著閘極信號線G L,朝著汲極信號線 D L側延伸般地形成較大,而該汲極信號線^ L的一部分 則面向該開口。 藉由如此地構成,可以避免由從基準電極C T的電位 對薄膜電晶體之Back Channel之突入電壓所產生的影響。 (實施例2 5 ) 在本實施例中’如圖2 1所示,將在和汲極信號線 D L重疊之基準電極C T,與相鄰之其他基準電極CT之 間所形成的材料層的開口擴展到薄膜電晶體T F T的形成 領域爲止,藉此,可使得該材料層不致與薄膜電晶體發生 重疊。 即使如此構成,也可以避免由從基準電極C T對薄膜 電晶體T F T之Back Channel之突入電壓所產生的影響。 又,由於該材料層不需要進行微細加工,因此可以提 高良品率(例如相較於實施例1 1 )。 (實施例2 6 ) 在本實施例中,如圖2 2所示,在實施例2 5的構成 (圖2 1 )中,使在和汲極信號線重疊的基準電極C T, 與相鄰之其他基準電極C T之間所形成的材料層的開口超 過薄膜電晶體T F T的形成領域,將閘極信號線G L置於 中間,而形成爲及於相鄰之其他的畫素領域。. 此時,由於該材料層不需要進行微細加工(例如相較 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -35- 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(33 ) 於實施例2 4 ),因此可以提高良品率。 此外,實施例2 3至2 6的構成,不管是何者,基準 電極C T與基準電壓信號線C L皆形成作爲不同的層,但 限定於此,當然該基準電極與基準信號線可以是同一層, 且被形成爲一體。 (實施例2 7 ) 圖2 3係例如圖1 3之X X I I I — X X I I I線的 斷面圖,乃表示用來連接基準電壓信號線C L與基準電極 C T之貫通孔T Η的斷面。 在透明基板S U Β 1的表面首先形戊基準電壓信號線 C L,而被覆該基準電壓信號線C L,在基板上形成由 S i Ν膜所構成的絕緣膜G I。該絕緣膜G I係當作薄膜 電晶體T F T之閘極絕緣膜來使用。又,在該絕緣膜G I 的上面形成有保護膜P S V 1、P S V 2,該些保護膜 P S V 1、P S V 2係以由S i N膜所構成的無機材料以 及由樹脂膜所構成之有機材料的依序積層體。 此外,則形成到達上述保護膜P S V 1、P S V 2以 及絕緣膜G I ,而讓上基基準電壓信號線C L的一部分露 出的貫通孔T Η,在該貫通孔T Η內之作爲上述絕緣膜 G I的S i Ν膜與作爲上述保護膜P S V 1的S i Ν膜的 側壁形成有S i〇2膜4 0。 藉此,能夠使在該貫通孔T Η之側壁中的斜面形成爲 平滑的面,以避免因爲基準電極C Τ的段差而造成中斷。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ' -36- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1297097 A7 B7 五、發明説明(34 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了比較起見,圖2 6爲表示未形成有上述S i〇2膜 之狀態的斷面圖。在作爲絕緣膜G I的S i N膜與作爲保 護膜P S V 1的S i N膜之間,作爲保護膜P S V 1的 S i N膜與作爲保護膜P S V 2的樹脂膜之間乃產生段差 〇 作爲絕緣膜G I的S i N膜,由於帶來作爲薄膜電晶 體T F T之閘極絕緣膜的功能,因此其密度爲緻密,相較 於此,作爲保護膜P S V 1的S i N,由於以提高生產率 爲優先,因此其密度較該絕緣膜G I爲疏鬆。 由於對積層體的各材料的鈾刻速率不同,因此會產生 如圖2 6所示的段差。 上述S i〇2膜4 0的形成方法,則例如採用在對上述 S i N膜進行鈾刻時,會導入〇2氣體來進行淸洗處理的方 法。 又,其他的方法,則可以採用對樹脂層進行乾蝕刻, 而此時,則藉由含有◦ 2的氣體來進行鈾刻的方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例2 8 ) 本實施例爲上述貫通孔T Η之構成的其他實施例’圖 2 4爲其斷面圖。 在此,作爲保護膜P S V 2的樹脂膜,則如被覆在其 保護膜P S V 2之下層所形成的S i Ν膜(保護膜 P S V 1 ),更者位在其下層之S i N膜(絕緣膜G I ) 的各側壁般地被形成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) -37- 1297097 , A7 B7 五、發明説明(35 ) 當如此構成時,除了 S i N膜(絕緣膜(T I )與 S i N膜(保護膜P S V 1 )之間的段差被樹脂膜所被覆 外,由於沿著貫通孔T Η之側壁的整個領域形成樹脂膜, 因此,其斜面會成爲平滑。 因此,藉由該貫通孔ΤΗ,可以避免因爲基準電壓信 號線C L與被連接的基準電極C Τ的段差造成中斷。 此外,該貫通孔Τ Η的產生方法,首先,在作爲被形 成在透明基板S U Β 1上之絕緣膜G I的S i Ν膜,以及 保護膜P S V 1的S i N膜形成貫通孔Τ Η。此外,則被 覆該貫通孔Τ Η,在基板上形成作爲保護膜P S V 2的樹 脂膜,而在該樹脂膜形成與上述貫通孔Τ Η呈同心,且直 徑較該貫通孔Τ Η的直爲小的貫通孔Τ Η。 此時,當然樹脂膜可以是光分解性者或是光硬化性者 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 (實施例2 9 ) 在本實施例中,如圖2 5所示,有鑑於形成貫通孔 Τ Η的絕緣膜爲多層構造,因此,在基準電壓信號線C L 與基準電極C Τ的連接時,乃經由其他導電層4 2。 亦即,在絕緣膜G I,由無機材料所構成的保護膜 P S V 1 ,由有機材料所構成的保護膜P S V 2的依序積 層體,乃形成經由在上述絕緣膜G I所形成的貫通孔Τ Η ’而與基準電壓信號線C L連接的導電層4 2 ,更者,則 形成經由在由無機材料以及有機材料的依序積層體所構成 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -38 - 1297097 A7 B7 五、發明説明(36 ) 的保護膜P s V所形成的貫通孔τ Η,而與上述導電層 4 2連接的基準電極C Τ。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 貫通孔Τ Η,由於形成直徑愈到其底部愈小的形狀, 因此,經由來自該貫通孔Τ Η的暴露面積較基準電壓信號 線C L的情形爲大的上述導電層4 2,來進行基準電壓信 號線C L與基準電極C Τ的連接,除了可以減低斷線的發 生率外,也能夠減低接觸電阻。 又,當爲由對基準電壓信號線C L無法良好連接的材 料所構成基準電極C Τ時,則具有藉由選擇該導電層4 2 的材料,可以避免該問題的效果。 例如當基準電壓信號線C L爲A 1系的材料時,若基 準電極C T爲I T〇等之透光性的導電膜時即是如此,此 時,藉由使用C r系的材料作爲上述導電層4 2,可以使 彼此的連接成爲良好。 又,該導電層4 2,例如在形成汲極信號線D L的同 時被形成,可以避免製程數目的增加。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 此外,在本實施例中,雖然是針對基準電壓信號線 C L與基準電極C T的連接來說明,但並不限於該些,也 可以適用於經由貫通孔來連接各導電層的情形。 (實施例3〇) 圖2 7 ( a )至(b )爲當將顯示領域當作整體來看 分別形成在畫素領域內的貫通孔時,表示其配置狀態之各 實施例的平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -39- 129709? 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明(37 ) 各圖,分別負責彩色顯示的三原色R、G、B的各畫 素領域則相鄰地形成,在以外的說明中,也有將該3個的 各畫素當作彩色顯示中的單位畫素來表現的情形。 圖2 7 ( a )爲貫通孔T Η例如形成在每隔1個的晝 素領域的情形。因此,在各單位畫素有該貫通孔存在1個 的情形以及存在2個的情形。 如此一來,光是減少貫通孔的部分’即具有提高數値 孔徑的效果。 此外,當如此構成時,畫素領域的構成,例如如圖 1 3所示,基準電極C Τ係呈格子狀被形成在顯示面上’ 而經由基準電壓信號線C L,將基準信號供給到該基準電 極C 丁。 圖2 7 (b )爲每單位畫素形成1個的貫通孔ΤΗ ’ 該貫通孔則被形成在負責G (綠色)的畫素領域內。 由於負責G (綠色)的畫素領域的光的透過率較負責 其他顏色的畫素領域爲高,因此,藉由在該領域形成貫通 孔Τ Η,可以儘量避免數値孔徑減少。 (實施例3 1 ) 在本實施例中,如圖2 8所示,當形成用來連接基準 電壓信號線C L與基準電極C Τ的貫通孔Τ Η時,則其形 狀沿著基準電壓信號線C L的延伸方向而擴展。 亦即,經由絕緣膜(絕緣膜G I、保護膜P S V 1、 P S V 2 ),而位在該絕緣膜上的基準電極c Τ,與基準 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -40- 1297097 A 7 B7 ___ 五、發明説明(38 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電壓信號線C L的連接,則是通過在該絕緣膜上所形成’ 位在該基準電壓信號線C L之寬度內的領域上,且沿著該 基準電壓信號線C L之延伸方向而擴展的貫通孔T Η來進 行。 當如此構成時,可以加大基準電極C Τ對基準電壓信 號線C L的連接面積,具有能夠大幅減低其連接電阻的效 果。 (實施例3 2 ) 在本實施例中,則表示在基準電壓信號線C L與畫素 電極Ρ X之間所形成之電容元件C s t g的構成。 亦即,如圖2 9所示,基準電極C T則被成在經由絕 緣膜,而與上述基準電壓信號線C L交差的方向上,且通 過在該絕緣膜所形成的貫通孔Τ Η而被連接。 畫素電極Ρ X則位在上述基準電極C Τ的兩側,該畫 素電極Ρ X,則在上述基準電壓信號線C L上具有在遠離 上述貫通孔Τ Η的方向延伸的延伸部4 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由該延伸部4 5,可以在畫素電極Ρ X與基準電壓 信號線C L之間形成具有某個値以上之電容的電容元件 C s t g,且由於該延伸部4 5係離開貫通孔Τ Η而被形 成,因此具有可以避免畫素電極Ρ X與基準電壓信號線 C L發生短路的效果。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ29?公釐) -41 - 1297097 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(39 ) (實施例3 3 ) 本實施例係將實施例3 2再加以改良者,如圖3 0所 示,位在通過貫通孔T Η ’而與基準電壓信號線C L連接 之基準電極C Τ的兩側的晝素電極ρ X ’則在上述基準電 壓信號線C L上,具有在接近於上述貫通孔Τ Η的方向延 伸延伸部4 6,且其長度較在離開上述貫通孔τ Η的方向 延伸的上述延伸部4 5爲小。 藉由如此地構成,除了可以避免延伸部4 6與貫通孔 Τ Η的衝突外,也具有可以加大電容元件C s t g之電容 的效果。 (實施例3 4 ) 本實施例,如圖3 1所示,未形成上述基準電壓信號 線C L,藉此,可以提高數値孔徑。 如圖3 1所示,基準電極C T,除了位在閘極信號線 G L、薄膜電晶體T F T、汲極信號線D L、畫素電極 Ρ X的上外,也當作重疊於上述閘極信號線G L以及汲極 信號線D L所形成的導電層的一部分,基準fe號則經由上 述導電層供給到該基準電極C T。 亦即,該導電層則被形成爲與相鄰之其他畫素領域呈 對應的其他的導電層成爲一體,藉此,及於顯示領域的周 邊而被形成。因此,基準信號很容易從該導電層的周邊來 供給。 此時的供電,則例如如圖1 4所示,藉由經由金屬層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) - 42 - 129709? A7 B7 五、發明説明(40 ) 3 5來進行,可均勻地將基準信號供給到上述導電層。 此外,此時,基準電極則不限於具有I T〇膜等之光 透光性的導電層,當然也可以是金屬層般之不透明導電層 〇 (實施例3 5 ) 本實施例是一當未形成稱爲上述基準電壓信號線C L 者時,用來確保晝素電極P X與基準電極C T之間的電容 兀件C a d d的構成。 亦即,如圖3 2所示,設有被配置在基準電極C T之 兩側之各畫素電極的連接部4 8,該連接部4 8則與上述 基準電極C T呈交差,而在該交差部形成電容元件 C a d d 〇 該基準電極C T則被形成爲與被覆閘極信號線G L的 材料層成爲一體,上述各基準電極C T之各自的兩端則設 成與上述材料層重疊,而在該重疊的部分也形成有電容元 件 C a d d。 (實施例3 6 ) 又,如圖3 3所示,也可以如與各畫素電極PX的連 接邰4 8重疊般地,在以基準電極C T作爲一部分而形成 的材料層形成連接部4 9。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -43- 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7五、發明説明(d (實施例3 7 ) 在本實施例中,則在一個晝素領域形成電容元件 Cstg與電容元件Cadd。 如圖3 4所示,畫素電極P X的延伸部,除了經由絕 緣膜G I被重疊在聞極ig號線G L的一部分,而形成在電 容元件C a d d外,也經由保護膜p s V被重疊在上述基 準電極C T的延伸部,而形成電容元件C s t g。此外, 圖3 5爲圖3 4之3 5 — 3 5線的斷面圖。 (實施例3 8 ) 又’圖3 6爲針對圖3 5所示之實施例的其他的實施 例,當保護膜P SV爲以無機材料與有機材料的依序積層 體(PSV1、PSV2)所構成時,由於無法充分地確 保電容兀件C s t g的電谷’因此,同時使用電容元件 C a d d的構成很有幫助。 又,如與圖3 6對應的圖3 7所示,當然在基準電極 C T的上面更可以形成保護膜P S V 3。 (實施例3 9 ) 又,根據上述的構成,電容元件C s t g與電容元件 C a d d則被形成在大約相同的領域內,換言之,由於各 元件C s t g、C a d d係被重疊地形成,因此,可以減 小該些的占有面積,而能夠提高數値孔徑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ:297公釐) -44- 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(遶 (實施例4 0 ) 又,根據上述的構成,藉由將電容元件C a d d的面 積形成爲較電容元件C s t g的面積爲小,可以一邊確保 的電容,一邊在電氣上更安定地確保電容元件C s t g的 保持能力,而能夠達成保持電位的安定化。 (實施例4 1 ) 又,根據上述的構成,由於畫素電極P X的延伸部係 由和其他之相鄰的畫素電極P X的連接部,與和閘極信號 線G L的一部分重疊的部分(電容元件C a d d形成部) 所構成,因此,當在該電容元件C a d d的形成部發生短 路時,則藉由雷射光線,將和閘極信號線重疊的部分,與 其他的部分加以切離,而能夠加以救助。 此時,藉由電容元件C s t g可以確保一定的電容, 而能夠抑制該畫素的畫質降低。 (實施例4 2 ) 又,實施例4 1的情形,藉由將基準電極C T作爲一 部分的材料層以光透光性的材料層來構成,因此具有能夠 容易目視到該電容元件C a d d的形成部所產生之短路的 效果。 (實施例4 3 ) 上述實施例3 7〜4 2所示的效果,對於如圖3 8所 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 -45- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1297097 A7 ____ B7五、發明説明(43 ) 示,形成基準信號線,而藉由貫通孔來連接該基準信號線 與基準電極的構成也同樣地適用。 (實施例4 4 ) 圖3 9係表示當將上述實施例3 7至4 3的構成應用 在所謂之multidomain方式時的構成。 所謂的multi domain係指使在畫素電極p X基準電極 C T之間所產生的電場方向.,在畫素領域內形成2個,藉 此’即使是從相對於顯不面的垂直方向爲不同的方向來看 時,色調也不會產生變化者。 其中一貫施’係使畫素電極以及基準電極,沿著各自 的延伸方向形成多個的彎曲部,而成爲一鋸齒形狀。 此外,在本實施例中,圖3 9爲表示構成電容元件 C a d d的例子,但只有電容元件c s t g的情形也可以 適用。 (實施例4 5 ) 圖4 0係在實施例4 4的構成中設置與閘極信號線 G L呈平行的基準電壓信號線G L,而通過在絕緣膜所形 成貫通孔T Η被連接到基準電極C T。 (實施例4 6 ) 圖4 1係表在實施例4 4的構成中,讓汲極信號線 D L對應於被形成在其上層的基準電極c Τ的形狀,而在 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -46- 1297097 A7 B7 五、發明説明(44 ) 其行走方向設成鋸齒狀。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉此,可以以均勻的寬度來被覆基準電極C T、汲極 信號線D L,有信賴性地使來自該汲極信號線D L的電場 終止於基準電極C T側。 (實施例4 7 ) 本實施例,如圖4 2所示,則是在上述實施例4 6的 構成中備有基準電壓信號線C L,而將通過貫通孔τ Η而 被連接之基準電極C Τ的該連接部的寬度形成較寬。 (實施例4 8 ) 本實施例,則是在實施例2 3至2 6的各構成中,爲 .了要避免薄膜電晶體T F Τ產生Back Channel,乃在以基準 電極C T作爲一部分而構成的導電膜該薄膜電晶體T F 丁 上的領域設置開口。 (實施例4 9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例,則是在實施例3 7至4 8的各構成中,基 準電極C Τ使用A 1 、C r、Μ 〇 ' τ a、w之任一材料 ’或是由該些的合金所構成的材料,或是讓該些中之數键 積層而成的材料。 如此一來’不需要在汲極信號線D L上特別形成遞光 膜,或由於成爲低電阻,因此,可以抑制在共用反轉驅動 下之波形失真情形。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐 -___ -47- 1297097 A7 B7 五、發明説明(45 ) 〜 --- (實施例5 〇 ) 、、本實施例,則是在實施例3至4 8的各構成中’除了 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基準電極C τ使用A 1 、C r、M u iVi 〇、T a、W 之任一材 料,或是由該些的合金所構成的材料,或是讓該些中之數 種積層而成的材料外,基準電壓信號線c l也使用a丄、 C之任材料,或由该些的合金所構成的材料,或讓該 些中之數種積層而成的材料。 (實施例5 1 ) 本實施例,基準電極C T使用I τ〇、I η 2〇3、 Sn〇2、I Ζ〇、Ζη〇2之任一材料,或由該些的合金 所構成的材料,或是讓該些中的數種積層而成的材料。 此時’在閘極信號線G L、汲極信號線D L、基準電 壓信號線C L .的端子部,當爲了要防止電蝕而被覆上述材 料時’則可以同時形成該基準電極,以避免製程數目的增 加。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,此時,在修復電容元件時,由於可通過該基準電 極直接看到電容元件,因此且具有在藉由雷射切斷來修復 時容易定位的效果。 (實施例5 2 ) 本實施例,則是在實施例5 1的構成中成爲所謂的正 常黑模式。 藉此,位在汲極信號線上的基準電極c Τ可當作遮光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Α4規格(210x297公^ 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____ B7五、發明説明(46 ) 膜來使用,相較於以正常白模式來構成的情形,可以解決 因爲漏光所造成的問題。 在此,所謂的正常白模式係指當在畫素電極P X與基 準電極C T之間產生電場時,液晶的透光率會成爲最高的 構成。 (實施例5 3 ) 本實施例,則是在實施例5 1、5 2的各構成中,在 所謂的點反轉驅動下,在基準電極C T與畫素電極P X之 間施加電壓。 基準電極C T係以上述的材料(I τ〇、I η 2〇3、 Sn〇2、ΙΖ〇、Ζη〇2等)來構成,有鑑於其電阻比 較高,藉由進行該點反轉,可以提高顯示面之輝度的均一 化。 (實施例5 4 ) 本實施例是在上述各構成中,針對在薄膜電晶體 T F Τ的上方形成以基準電極C Τ作爲一部分的導電層者 (未形成有開口者),使基準電極的電位位於(一)5 V 以上(+ ) 1 0 V以下之範圍內加以驅動。 其理由即在於在上述範圍內來驅動基準電極,可知可 將薄膜電晶體Τ F Τ之閾値的變動抑制在容許範圍內使然 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -49- 1297097 A7 B7 ___ 五、發明説明(47 ) (實施例5 5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述各實施例中,在畫素內所形成的開關元件並不 限定於薄膜電晶體T F T,也可以適用於其他構成的開關 元件。 但是當應用薄膜電晶體T F T時,爲了要使其成爲 〇 N狀態,則供給到閘極信號線的掃描信號被設定在 + 1 2 V以上,而爲了要成爲〇F F狀態,則被設定在 —5 V以下。 因此,藉由將基準電極C T的電位,在不會抵觸於該 條件的領域中來驅動,可以防止因爲該基準電極C T而導 致該薄膜電晶體T F T發生錯誤動作。 (實施例5 6 ) 在本實施例中,則是在上述的各構成中,針對在薄膜 電晶體T F T的上方形成以基準電極作爲一部分的導電層 者(未形成有開口者),在所謂的共用反轉驅動方法下, 將該基準電極之電位的最小値設在- 5 V以上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時,也可以抑制薄膜電晶體T F T的閾値變動。 (實施例5 7 ) 在本實施例中,則在上述的各構成中,針對在薄膜電 晶體T F T的上方形成以基準電極C T作爲一部分的導電 層者(未形成有開口者),在將基準電極的電位設成大約 一定的驅動方式下,將其電位設定在- 5 V以上、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -50- 1297097 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(48 ) + 1 〇 V以下的範圍,最好是—1 V以上、+ 7 V以下的 範圍。 此時,也可以抑制薄膜電晶體T F T閾値變動。 (實施例5 8 ) 本實施例則表示例如閘極信號線G L在閘極驅動 I C 5之連接部附近構成。 如圖4 3所示,閘極信號線G L在閘極驅動I C 5的 連接部附近,如上所述,乃形成爲與相鄰之其他的閘極信 號線G L —起綁在閘極驅動I C 5側的形式。此外,該部 分則對應於被圖5 8之一點虛線框A所包圍的部分。 此時,基準電壓信號線C L,則在同一層被配置在各 閘極信號線G L之間,當該基準電壓信號線C L也被拉出 到閘極驅動I C 5側時,在各閘極信號線G L之上述綁住 領域會與相鄰的閘極信號線G L發生干涉,而容易發生短 路。 因此,在本實施例中,除了基準電壓信號線C L,相 對閘極信號線G L,經由絕緣膜被形成在其他的層外,在 各閘極信號線G L之上述綁住領域,則通過形成在上述絕 緣膜的貫通孔,而與在和該閘極信號線G L大約直交方向 上延伸的配線層5 〇連接。 如此一來,可以避被稱爲額緣之領域的增加。 亦即,在先前的例5中,若是想要使基準電壓信號線 C L ’在各閘極信號線G L之上述綁住領域不會發生短路 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -51 - 1297097 A7 ___ B7 _ 一 五、發明説明(49 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 般地來形成時,則不得不減小在該綁住部分之各閘極信號 線的彎曲角度,而必須將閘極驅動I C 5安裝在遠離顯示 領域A R的位置。 此外,當本實施例的畫素如圖1 3所示般地構成時, 則上述配線層5 0可以設成與汲極信號線D L同時形成的 配線層。 又,在本實施例中,雖然是表示閘極信號線G L在閘 極驅動I C 5之連接部附近的構成,但是當然也適用於汲 極信號線D L在汲極驅動I C 6之連接部附近。 (實施例5 9 ) 本實施例,如與圖4 3 ( b )對應的圖4 4所示,上 述配線層5 0則形成爲與基準電壓信號線c L成爲一體。 (實施例δ〇) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例是在實施例5 8所示的構成中表示在畫素領 域中的構成。亦即,將閘極信號線G L與基準電壓信號線 C L形成在同一層,藉由形成在絕緣膜的貫通孔τ Η,而 與經由該絕緣膜,而在該絕緣膜的上面所形成的基準電極 C 丁連接。 (實施例6 1 ) 本寳施例是在實施例5 9所示的構成中還是表不在晝 素領域中的構成的說明圖。 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210x297公釐了 -52- 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7_____五、發明説明(50 ) (實施例6 2 ) 圖4 7係對應於圖4 3,而不同於圖4 3的構成則在 於被拉出到配線層5 0的基準電壓信號線C L係每隔1個 被配置。此時,並不限於每隔1個,當然也可以每隔2個 、.或每隔3個。 此外,此時,基準電極C T,如上所述,係當作材料 層的一部分被形成,該材料層則被形成爲與在相鄰之其他 的畫素領域中對應的材料層連接。 當如此地構成時,在各閘極信號線G L綁住的領域則 可以避免信號線的密集。 此外,在本實施例中,雖然是針對基準電壓信號線來 加以說明,但是當然也可以適甩於保持電容線。 (實施例6 3 ) 在本實施例中,如圖4 8所示,上述配線層5 0係在 被連接到1個驅動晶片(汲極驅動I C 6、閘極驅動 I C 5 )之各聞極信號線G L來的外側迁迴’更者’則鄰 接於該驅動晶片而被拉出。 當如此地構成時,則讓該配線層5 0拉出到該驅動晶 片之輸入側的端子側。 此外,圖4 8所示的部分則對應於圖5 8所示之一點 虛線框B所示的部分。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -53- 1297097 A7 _ _ B7 _ 五、發明説明(51 ) (實施例6 4 ) 本實施例係針對4 8之其他的實施例,如圖4 9所示 ’鄰接於驅動晶片被拉出的配線層5 0,則被設成位在驅 動晶片的下側。 (實施例6 5 ) 在本實施例中,則在上述各實施例的構成中,使用由 以下的構造式所構成材料作爲配向膜〇R I 1 、◦ R I 2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由使用如此的配向膜〇R I 1 、〇R I 2 ,可以抑 制因爲在液晶層內之離子性雜質的移動而造成殘像(離子 性殘像) 更者,當相對於配向膜中的式(1 )以及式(2 )之 物質的合計的成分比,若式(1 )的物質占3 0 %〜7 0 %的比例時’更可以抑制其發生。 在此,所謂的離子性殘像,如圖5 0 ( a )所示,係 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) -54- 1297097 A7 B7 五、發明説明(52 ) 指在初始狀態下,在相鄰的領域進行1個小時的白色以及 黑色的顯示,以中間灰階來進行顯示,在從白顯示的領域 沿著黑顯示的領域來檢測其輝度變化時,從與該中間灰階 對應的輝度所突出之輝度的部分。 此時,藉由上述配向膜◦ R I 1 、〇R I 2使用上述 的材料,可以將圖5 0 ( a )所示的離子性殘像強度抑制 到3以下(最好是2以下),而能夠避免發生離子性殘像 〇 此外,圖5 0 ( b )則是將圖5 0 ( a )之初期的黑 顯示當作共同的部分,而在其右側則有白顯示。 相較於圖5 0 ( a )的情形,之所以在中間灰階中的 輝度分佈會不同則是因爲離子朝著圖中左側移動所造成。 (實施例6 6 ) 在本實施例中,在圖3 1的構成中,如對應於其(b )之5 1 ( a )所示般,基準電極C T被形成在保護膜 P S V (其上層爲由有機材料所構成的保護膜P S V 2 ) 上,此外,也被覆該基準電極C T,在該保護膜P S V上 形成配向膜〇R I 1。 此外,在該保護膜P S V之上面之形成有該基準電極 C T的部分則形成有凹陷部。 藉此,可以儘量地減小該基準電極C T的段差,而解 決上述配向膜〇R I 1在該基準電極c τ的附近的摩擦性 的降低問題,殘像惡化,以及因爲配向不良而造成漏光的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) I!----参丨丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -55- 1297097 A7 B7 五、發明説明(53 ) 問題。 此時,如圖5 1 ( b )所示,當將電極的厚度設爲Η (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (-3 0 〇 n m ),將從凹陷部突出之電極的高度設爲H i (=0、90、150、300n m)時,若調查各自電 極的漏光情形,則成爲圖5 2所示。圖中’ ◎爲避免漏光 最佳的狀態、〇爲良好的狀態、X爲不好的狀態。 因此,該基準電極C T最好是被埋入到保護膜 P S V 2,當將該基準電極C T的厚度設爲Η,將從凹陷 部突出之電極之的高度設爲H i時,可知最好是有如下式( 3 )所的關係。 (H-Hi)/H^0 . 5...... (3) 此外,在本實施例中,則是針對在基準電極C T的表 面直接形成配向膜〇R I 1的情形來說明。但是也可以適 用在形成其他的絕緣膜,而在其表面形成配向膜〇 R I 1 的情形。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時,由基準電極C T所造成的段差會在上述其他絕 緣膜之表面顯著化之段差中的高度也可以換算成H i。 此外,此時的電極則不限於基準電極C T,也可以是 其他的電極。或也不限於透光性或非透光性的材料層。 (實施例6 7 ) 在本實施例中,則在上述的各實施例中,當以由無機 材料所構成的保護膜P S V 1 ,與由有機材料所構成之保 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -56- 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7 _五、發明説明(54 ) 護膜P s V 2的依序積層體來形成保護膜PSV時,則該 保護膜P S V 2的材料可以使用丙烯系(透明性高、正型 感光性)、聚醯亞胺系(耐熱性高)、酚醛淸漆系(容易 著色)、聚醯亞胺、環氧共聚物.(可兼作爲配向膜)之其 中任一者,或是該些的積層體。 如此的保護膜P S V 2,其膜厚爲4 0 0 n m,具有 9 5 %的透光性、2 3 0 °C以上的耐熱性。 又,針對液晶的污染性低,且具有耐製程性(耐住噴 濺鈾刻液、剝離液、配向膜溶媒、U V / 〇 3洗淨)。 (實施例6 8 ) 當在晝素電極P X與基準電極C T之間施加電壓而形 成包場時,若在與各電極之間存在有有機材料的保護膜 P S V 2時,可以確認要存在有該保護膜p s V 2,則不 得不增加驅動電壓。 此時,當將驅動器,亦即,將掃描信號供給到閘極信 號線G L的閘極驅動I C 5、或將影像信號供給到汲極信 號線D L的汲極驅動I C 6直接安裝到透明基板S U B 1 時(F C A方式),則必須要有針對該驅動I C的發熱對 策。 在此,在正常黑模式下了解成爲最大輝度之液晶驅動 電壓V m a X與有機材料所構成之保護膜p s V 2的膜厚 、畫素電極P X與基準電極C T的間隔,液晶之介電常數 異方性的關係。 本紙張尺度適财關家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) '— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -57- 1297097 Α7 Β7 五、發明説明(55 ) 首先’液晶之介電常數異方性、畫素電極p X和基準 電極C T的間隔、v m a X的關係圖則表示在圖5 3 ,而 在液晶之介電常數異方性=1 〇下之保護膜P S V 2的膜 厚、畫素電極P X和基準電極C T的間隔、與V m a X的 關係圖則表示在圖5 4,而在液晶之介電常數異方性= 1 4 . 5下之保護膜p s v 2的膜厚、畫素電極P X和基 準電極C T的間隔、v ^ a X的關係圖則表示在圖5 5。 由此可知’如圖5 3所示,藉由使用液晶之介電常數 異方性商的液晶材料,可以減低V m a X。此外, V m a X會隨著保護膜p S v 2的膜厚的增加而增加,且 V m a X會隨著晝素電極p X和基準電極C T的間隔的增 加而增加。其關係則表示在圖5 4、以及圖5 5。 因此’由上述的圖可以導出下式(4 )的關係成立。 Vmax=l . 9d + 0 . 4146W-0 . 2328 Δ ε + 2 . 8218.·····( 4 ) 在此,d爲由有機材料所構成之保護膜P s V 2的膜 厚(// m ) 、W爲畫素電極P X與基準電極C 丁的間隔( // m ) 、△ ε液晶之介電常數異方性。 由此可知,首先,具有高的△ ε的液晶的材料,則如 圖5 5的化學結構式所示,最好是使用氰二氟液晶,又, 在實現如△ ε爲1 4 _ 5以上的高領域時,則如圖5 7的 化學結構式所示,最好是使用三氟二噁烷液晶。 不管是何者,藉由使用包含上述各液晶中之至少一者 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -58- 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 __五、發明説明(56) 在內的液晶,可以減低上述V m a X。 (實施例6 9 ) 在正常黑模式的構成下,當畫素電極P X與基準電極 C T,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位在不 同的層時,則由將在作白顯示時之汲極驅動器的輸出電壓 的振幅設在單側7 . 5 V以下,可以進行液晶顯示。 (實施例7 0 ) 又,在正常黑模式的構成下,當畫素電極P X與基準 電極C T,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位 於不同的層時,則設定d、W、△ ε以使上述式(4 )較 1 5 V爲小,更者,則進行所謂的共用(common )反轉, 藉由將在作白顯示時之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成 單側7 . 5 V以下,可以進行液晶顯示。 而此是因爲根據共用反轉驅動,則可將得到相同之液 晶驅動電壓之必要之驅動器的輸出電壓大約減半。 (實施例7 1 ) 又,在正常黑模式的構成下,當畫素電極P X與基準 電極C T,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位 於不同的層時,則設定d · w · △ ε以及使上述式(4 ) 較7 · 5 V爲小。更者,藉由則將在作白顯示時之汲極驅 動器之輸出電壓的振幅設成單側7 . 5 V以下,可以進行 液晶顯示。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇 '〆297公釐Ί - -59 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1297097 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _______ B7 _______ 五、發明説明(57) (實施例7 2 ) 又,在正常黑模式的構成中,當畫素電極P X與基板 電極C T,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位 於不同的層時,藉由將影像信號的電壓最大振幅設定在對 將上述液晶層之相對透過率設成9 0 %爲必要之電壓以下 ,當上述式(4 )較9 . 3 7 5 V爲小時,則將在作白顯 示時之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側7 · 5 V以 下,可以進行液晶顯示。 在正常黑模式下,由於在Vma X附近,B—V的曲 線會變得和緩,相對於得到透過率1 0 0 %所需要的電壓 ,則要得到透過率9 0 %所需要的電壓,則只需要其8 0 %即可。 (實施例7 3 ) 又,在正常黑模式的構成下,當畫素電極P X與基準 電極C T,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位 於不同的層時,則進所謂的共用反轉,藉由將影像信號的 電壓最大振幅設定在對將上述液晶層之相對透過率設成 90%所需要的電壓以下,當上述式(4)較18 . 75 V爲小時,則將在作白顯示時之汲極驅動器的輸出電壓的 振幅設在7 . 5 V以下,可以進彳了液晶顯不。 (實施例7 4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210'〆297公釐) -60- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1297097 A7 ___ B7_^_五、發明説明(58) 在正常黑模式的構成下,當畫素電極P X與基準電極 c T,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位於不 同的層時,藉著將在作白顯示時之驅動器之輸出電壓的振 幅設成單側5 V以下,可以解決汲極驅動器的發熱問題。 (實施例7 5 ) 又,在正常黑模式的構成下,當畫素電極P X與基準 電極C. T,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位 於不同的層時,則進行所謂的共用反轉,藉由將在作白顯 示時之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側5 V以下’ 且設定d、W、△ ε以使上述式(4 )較1 0 V爲小’而 能夠解決驅動器發熱的問題。 (實施例7 6 ) 又,在正常黑模式的構成中,當畫素電極Ρ X與基準 電極C Τ,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位 於不同的層時,藉由將影像信號的電壓最大振幅設定在對 將上述液晶層之相對透過率設成9 0 %所需要的電壓以下 ,當上述式(4 )較6 · 2 5爲小時,則將在作白顯示時 之汲極驅動器之輸出電壓的振幅設成單側5 V以下,而能 夠解決驅動器發熱的問題。 (實施例7 7 ) 又,在正常黑模式的構成下,當畫素電極ρ χ與基準 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -61 - 1297097 A7 B7 五、發明説明(59) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電極c T,經由由有機材料所構成的保護膜P S V 2而位 於不同的層時,進行所謂的共用反轉,藉由將影像信號的 電壓最大振幅設定在對將上述液晶層之相對透過率設成 90%所需要的電壓以下,當上述式(4)較12 · 5爲 小時,則將在作白顯示時之汲極驅動器之輸出電壓的振幅 設成單側5 V以下,而能夠解決驅動器發熱的問題。 由以上說明書中可知,根據本發明之液晶顯示裝置’ 可以得到能夠抑制在驅動器附近之液晶之局部溫度上昇程 度之液晶顯示裝置。 又,可以得到能抑制應力傳達到驅動器之基板的液晶 顯示裝置。 又,可以得到在驅動器附近之顯示面能夠抑制對位偏 移情形的液晶顯示裝置。 又,可以得到能夠提高數値孔徑的液晶顯示裝置。 更者,可以得到能夠縮小所謂之額緣的液晶顯示裝置 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖面之簡單說明 圖1爲表示實施例之液晶顯示裝置之一實施例的說明 ® ’係表示在正常黑模式下之液晶驅動電壓與相對輝度之 關係的說明圖。 圖2爲表示本發明之液晶顯示裝置之一實施例的整體 構成圖。 圖3爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之一實施例的平 尺度適用中關家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -62- 1297097· A7 B7 五、發明説明(60) 面 圖4爲圖3之I V — I V線的斷面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5爲圖3之V — V線的斷面圖。 圖6爲表示正常白模式下之液晶驅動電壓與相對輝度 之關係的說明圖。 圖7爲以與時間的關係來表示在共通(common)反轉 中之晝素電極與基準電極之之電壓値的說明圖。 圖8爲以與時間的關係來表示在共通電壓爲一定下之 晝素電極與基準電極之之電壓値的說明圖。 圖9爲表示在傳遞到信號線時發生信號失真情形的說 明圖。 圖1 0爲表示被連接到信號線之驅動器(閘極驅動 I C、汲極驅動I C )以及其附近之構成的側面圖。 圖1 1爲表示在液晶顯示裝置的顯示領域中,在接近 於驅動器的部分發生變色情形的說明圖。 圖1 2爲被配置在液晶顯示裝置之經由液晶而被對向 配置之各基板之間之支柱的一實施例的構成圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 圖1 4爲表示被形成在本發明之液晶顯示裝置之基準 電極之一實施例的平面圖。 圖1 5爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖1 6爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -63- 1297097 A7 B7 ---------一—·一 _______ 五、發明説明(61 ) 施例的構成圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 7爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖1 8爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖1 9爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖2 0爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖2 1爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖2 2爲表不本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖2 3爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之一實施例的斷面圖。 圖2 4爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2 5爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 圖2 6爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之其他實施例之斷面圖。 圖2 7爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 成之貫通孔之配置的實施例的斷面圖。 圖2 8爲表示在本發明之液晶顯示裝置之畫素內所形 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) '' -64 - 1297097 A7 B7 _ 五、發明説明(62) 成之貫通孔之配置的實施例的斷面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2 9爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖3 0爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖3 1爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖3 2爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖3 3爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖3 4爲表示本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實 施例的構成圖。 圖3 5爲圖3 4之3 5 — 3 5線的斷面圖。 圖3 6爲本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的圖, 是一對應於圖3 5的圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3 7是本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的圖, 是一對應於圖3 5的圖。 圖3 8爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 圖3 9爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 圖4 0爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -65- 1297097 A 7 B7 _.__ 五、發明説明(63) 圖4 1爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖4 2爲本發明之液晶顯示裝置之畫素之其他實施例 的構成圖。 圖4 3爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的 構成圖,爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的平面圖。 圖4 4爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的 構成圖,爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 圖4 5爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的 構成圖,爲一表不各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 圖4 6爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的 構成圖,爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 圖4 7爲表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的 構成圖,爲一表示各基準電壓信號線之拉出部的斷面圖。 圖4 8係表本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構 成圖,爲一表示驅動器之安裝部之附近的平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖4 9係表本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的構 成圖,爲一表示驅動器之安裝部之附近的平面圖。 圖5 0係表示液晶內之離子性殘像的現象以及離子性 殘像強度的說明圖。 圖5 1係表示本發明之液晶顯示裝置之其他實施例的 構成圖。 圖5 2係表示在圖5 1的構成中,表示針對電極之絕 緣膜之埋入程度與在該電極附近之漏光程度之關係的說明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ:297公釐) ~ -66 - 1297097 A7 B7 五、發明説明(64) 圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5 3係表示液晶的介電率異方性晝素電極與基準電 極的間隔、與電極間電壓V m a X之關係的說明圖。 圖5 4係表示由液晶之介電率異方性=1 〇的有機材 料所構成之保護膜的膜厚、畫素電極與基準電極的間隔、 與V m a X之關係的說明圖。 圖5 5係表π由液晶之介電率異方性=1 4 · 5的有 機材料所構成之保護膜的膜厚、畫素電極與基準電極的間 隔、與V m a X之關係的說明圖。 圖5 6爲表示在本發明之液晶顯示裝置中所使用之液 晶中所含之液晶之一實施例的化學構造式。 圖5 7爲表示在本發明之液晶顯示裝置中所使用之液 晶中所含之液晶之一實施例的化學構造式。 圖5 8係表示本發明之液晶顯示裝置之驅動器之安裝 領域之附近的平面圖。 主要元件對照表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
畫素 閘極驅動電路 汲極驅動電路 印刷基板 電源電路 控制電路 閘極電路基板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -67- 1297097 A7 B7 五、發明説明(65) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 A 汲極 電 路 基 板 1 6 B 汲極 電 路 基 板 1 8 連接 部 1 9 A 、1 9 B 連 接 部 2 2 影像 信 號 源 2 3 電纜 3 5 金屬 層 4 5 延伸 部 4 6 延伸 部 4 8 連接 部 A S 半導 體 層 P X 畫素 電 極 S D 2 源極 B Μ 黑色 矩 陣 F I L 瀘色 器 〇 C 平坦 膜 P s V 1 保護 膜 T H 貫通 孔 P S V 2 保護 膜 C a d d 電容 元 件 P N L 液晶 顯 示 面 板 S U B 1 透明 基 板 S U B 2 透明 基 板 G L 閘極 信 號 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -68- 1297097 A7 B7 五、發明説明(66) G I 絕緣膜 D L 汲極信號線 C T 基準電極 C s t g 保持電容 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -69-

Claims (1)

1297097· A8 B8 C8 D8 年 J: j Η修(〔)正本 國LM年11角22曰修ΪΕ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第90 12 1 03 5號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民 1 · 一種液晶顯示裝置,其特徵在於= 在經由液晶層被對向配置之各基板中,其中於各畫素 領域內一個基板的液晶側的面備有:根據來自閘極信號線 之掃描信號而作動的開關元件,經由該開關元件,而被供 給有來自汲極信號線之影像信號的畫素電極、以及在與該 畫素電極之間產生電場的基準電極, 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片所形成, 當在畫素電極與基準電極之間未施加電壓時,則構成 使上述液晶層之透光率成爲最低,且將上述影像信號的電 壓最大振幅設定在當要將上述液晶層的相對透過率設成 9 0 %時所需要的電壓以下。 2 · —種液晶顯示裝置,其特徵在於: 在經由液晶層被對向配置之各基板中,其中於各畫素 領域內一個基板的液晶側的面備有:根據來自閘極信號線 之掃描信號而作動的開關元件,經由該開關元件而被供給 有來自汲極信號線之影像信號的畫素電極、以及被供給有 相對於上述影像信號成爲基準信號的基準電極’ 而被供給到上述各畫素領域之基準信號是依據圖框單 位被反轉。 3 · —種液晶顯示裝置,其特徵在於: 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲脅背面之注意事項再填寫本頁)
1297097 A8 B8 C8 D8 ___ 六、申請專利範圍 在經由液晶層被對向配置之各基板中,其中於各畫素 領域內一個基板的液晶側的面備有:根據來自閘極信號線 之掃描信號而作動的開關元件,經由該開關元件而被供給 有來自汲極信號線之影像信號的畫素電極、以及被供給有 相對於上述影像信號成爲基準信號的基準電極, 來自上述汲極信號線的影像信號是由被安裝在上述其 中一個基板上的驅動晶片所形成, 在上述汲極信號線與基準信號線中,被供給有每個圖 框之平均電壓振幅大之信號的信號線,則被構成爲較另一 個信號線的低電阻。 4 ·如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置,基準信 號的電壓,在各圖框中爲一定,但汲極信號線之電阻常數 則較基準信號線爲小。 5 ·如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置,基準信 號的電壓是依據圖框單位被反轉,而基準信號線的電阻常 數則較汲極信號線爲小。 (請先聞脅背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2-
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JP2003075869A (ja) * 2001-09-05 2003-03-12 Toshiba Corp 平面表示素子
JP4199501B2 (ja) * 2002-09-13 2008-12-17 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR101157223B1 (ko) 2003-10-29 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4108589B2 (ja) * 2003-11-05 2008-06-25 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
TWI382264B (zh) * 2004-07-27 2013-01-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜電晶體陣列面板及包括此面板之顯示器裝置
KR101134932B1 (ko) * 2005-06-14 2012-04-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4946135B2 (ja) * 2006-01-31 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
WO2007088644A1 (en) 2006-01-31 2007-08-09 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus using an electric field substantially parallel to the substrate surfaces
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
JP2007316670A (ja) * 2007-08-17 2007-12-06 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
JP4712016B2 (ja) * 2007-11-01 2011-06-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板および表示装置
KR101286542B1 (ko) * 2008-05-21 2013-07-17 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 구동 방법
JP4709258B2 (ja) * 2008-08-25 2011-06-22 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2010054871A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP4702424B2 (ja) 2008-10-08 2011-06-15 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
CN102576169B (zh) * 2009-09-30 2014-12-03 夏普株式会社 电子装置、显示面板
US8018399B2 (en) * 2009-11-18 2011-09-13 Century Display(ShenZhen) Co., Ltd. Pixel array
US8804081B2 (en) 2009-12-18 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device with electrode having opening over thin film transistor
JP5223904B2 (ja) * 2010-10-27 2013-06-26 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
US8912547B2 (en) * 2012-01-20 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and semiconductor device
KR101732939B1 (ko) * 2012-10-26 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI486928B (zh) * 2012-11-16 2015-06-01 Au Optronics Corp 顯示面板及其檢測方法
JP6072522B2 (ja) * 2012-11-29 2017-02-01 三菱電機株式会社 液晶表示パネルおよびその製造方法
TWI649606B (zh) * 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102222999B1 (ko) * 2013-12-26 2021-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2017061169A1 (ja) * 2015-10-07 2017-04-13 ソニー株式会社 調光駆動装置、撮像装置、調光駆動方法
TWI574394B (zh) * 2016-02-05 2017-03-11 友達光電股份有限公司 自發光型顯示器及其修補方法
TWI625847B (zh) * 2016-09-09 2018-06-01 友達光電股份有限公司 畫素結構及其製作方法
CN106684036B (zh) * 2017-01-04 2019-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
JP2019174805A (ja) * 2018-03-29 2019-10-10 シャープ株式会社 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
JP7118722B2 (ja) * 2018-04-25 2022-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP7262348B2 (ja) * 2019-09-10 2023-04-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173687A (en) 1988-06-22 1992-12-22 Seikosha Co., Ltd. Method for improving the gradational display of an active type liquid crystal display unit
US5191452A (en) * 1989-09-20 1993-03-02 Honeywell Inc. Active matrix liquid crystal display fabrication for grayscale
US5245450A (en) * 1990-07-23 1993-09-14 Hosiden Corporation Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale
JPH04162652A (ja) * 1990-10-25 1992-06-08 Nec Corp 半導体装置
JP3230010B2 (ja) * 1992-02-28 2001-11-19 キヤノン株式会社 液晶カラー表示装置
JPH05323365A (ja) 1992-05-19 1993-12-07 Casio Comput Co Ltd アクティブマトリックス液晶表示装置
US5668650A (en) 1993-09-06 1997-09-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor panel having an extended source electrode
JPH07239480A (ja) * 1994-03-01 1995-09-12 Hitachi Ltd 液晶表示基板
US5774099A (en) * 1995-04-25 1998-06-30 Hitachi, Ltd. Liquid crystal device with wide viewing angle characteristics
US6049369A (en) * 1995-09-11 2000-04-11 Hitachi, Ltd. Parallel-field TFT LCD having reference electrodes and a conductive layer
JPH10228035A (ja) 1996-12-10 1998-08-25 Fujitsu Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP3814365B2 (ja) * 1997-03-12 2006-08-30 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100697903B1 (ko) * 1997-04-11 2007-03-20 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
JP3481074B2 (ja) * 1997-04-25 2003-12-22 松下電器産業株式会社 液晶表示素子
JP3282542B2 (ja) * 1997-05-27 2002-05-13 株式会社日立製作所 アクティブマトリックス型液晶表示装置
JP3107000B2 (ja) 1997-06-30 2000-11-06 日本電気株式会社 液晶表示装置
KR100251512B1 (ko) * 1997-07-12 2000-04-15 구본준 횡전계방식 액정표시장치
JP3019053B2 (ja) * 1997-12-25 2000-03-13 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3646650B2 (ja) * 1998-01-09 2005-05-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH11271813A (ja) * 1998-03-25 1999-10-08 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置並びにこのアレイ基板の製造方法
CN1267781C (zh) * 1998-03-19 2006-08-02 精工爱普生株式会社 采用开关元件的衬底、液晶和投影型显示装置及电子仪器
JP2000047256A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子
JP3125872B2 (ja) * 1998-09-14 2001-01-22 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2000132135A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Sharp Corp 表示装置並びに表示装置の駆動方法及び製造方法
KR100322969B1 (ko) * 1999-12-22 2002-02-01 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 인-플레인 스위칭 모드 액정표시장치 및 그의 제조방법

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