TWI286348B

TWI286348B - Film formation apparatus and film formation method and cleaning method

Info

Publication number: TWI286348B
Application number: TW091136004A
Authority: TW
Inventors: Shunpei Yamazaki; Masakazu Murakami
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2001-12-12
Filing date: 2002-12-12
Publication date: 2007-09-01
Also published as: JP2012162806A; JP5111287B2; EP1319732B1; US20050106322A1; CN1319116C; CN1428817A; TW200303574A; EP1319732A1; US7763320B2; CN101054657A; US20030124764A1; KR20030048348A; CN101054657B; SG149680A1; US6776847B2; JP5288660B2; JP2008308766A; SG114589A1; US7316983B2; KR100955595B1

Description

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五、發明説明（發明所屬之技術領域 i請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 本發明係關於膜形成裝置和藉由沉積可形成膜材料（下文稱做沉積材料）形成膜所使用的膜形成方法。此外，本發明係關於去除藉由沉積黏附到內壁等上的沉積材料的淸潔方法。特別是，本發明爲有機材料使用當成沉積材料時的有效技術。先前技術近年來，熱衷進行包括EL元件作爲自發光型元件的發光裝置的硏究，特別是，使用有機材料作爲EL材料的發光裝置引人注目。這種發光裝置稱爲有機EL顯示器（OELD )或有機發光二極體（OLED)。 EL元件包括含有藉由施加電場能夠電致發光的有機化合物的層（下文稱做EL層）、陽極和陰極。有機化合物中的發光包括從單重態返回到常態時的光發射（熒光）和從三重態返回到常態時的光發射（磷光）。本發明的膜形成裝置和膜形成方法製造的光發射裝置適用於熒光和磷光兩種情況。經濟部智慧財產局S工消費合作社印製發光裝置由於是自發光型而不是液晶顯示裝置，因此具有在可見光角度中沒有問題的特性。即，作爲戶外使用的的顯示器，該裝置比液晶顯示器更合適，並且現已提出了各種方式的應用。 EL元件具有EL層夾在一對電極之間，並且EL層通常具有層狀結構。代表性的例子是Tang，Eastman Kodak Co 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（2 ) ，提出的電洞傳送層/發光層/電子傳送層的層狀結構。該結構具有顯著的高發光效率，目前已硏究和開發的幾乎所有的發光裝置都使用這種結構。此外，可以使用在陽極上連續地形成的電洞注入層/ 電洞傳送層/發光層/電子傳送層的結構，以及電洞注入層/電洞傳送層/發光層/電子傳送層/電子注入層的結構。在發光層中可以摻雜熒光材料等。此外，可以使用都具有低分子量的材料或都具有高分子量的材料形成這些層〇順便提及，在本說明書中，要在陰極和陽極中形成的所有層一般稱做EL層。因此，上述電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電子傳送層、電子注入層都包括在EL層中。此外，在說明書中，由陰極、EL層以及陽極組成的發光元件稱做EL元件，有兩種類型的EL元件：一種是簡單矩陣型，其中EL層形成在相互垂直形成的兩種條形電極之間，另一種是主動矩陣型，其中EL層形成在連接到TFT 並排列在矩陣中的圖素電極和相反電極之間。實際應用中EL兀件的最重要問題是兀件的壽命不夠長。由下面的方式，元件出現退化：即隨著長時間發光，非發光區（黑斑）變寬所引起，且因爲此退化，EL層退化變成問題。形成EL層的EL材料由於如氧、水等雜質退化。此外，有可能EL層的退化受具有其他雜質的EL材料污染影響 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) -裝. 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 1286348 A7 B7 五、發明説明（3 ) 此外，EL材料廣義上分爲低分子量（單體型）材料和高分子量（聚合物型）材料，其中，低分子量材料主要藉由沉積形成膜。藉由習知的沉積方法形成膜時，使用沉積材料形成膜，但假設用於沉積的沉積材料被雜質污染。即，爲EL元件退化的原因之一的氧、水和其他雜質有可能混在其中。此外，雖然藉由預先提純沉積材料可以增加純度，但有可能進行蒸發時混入雜質。 EL材料非常易於退化，存在氧或水時容易氧化和退化。爲此，膜形成之後不能進行光微影技術，爲了形成圖形，形成膜的同時使用具有開口的掩模（下文稱做沉積掩模 )分離膜。因此，幾乎所有昇華的有機EL材料都黏附到膜形成室中的沉積掩模或防沉積遮護板（用於防止沉積材料黏附到膜形成室內壁的保護板）。爲了除去黏附到沉積掩模或防沉積遮護板的有機EL材料，需要打開膜形成室同時暴露到空氣，將沉積掩模或防沉積遮護板取出，接下來淸洗後放回到膜形成室內。然而 ’使用有機EL材料形成膜時，暴露到空氣的沉積掩模或防沉積遮護板吸收的水或氧有可能分離出並被膜吸收，由此可以明白吸收的水或氧爲促進有機EL材料退化的因素。鑒於上述問題完成本發明，本發明的目的在於提供一種能夠高生産量、高密度和高純度地形成EL層的膜形成裝置。本發明的另一目的是提供一種使用本發明的膜形成裝置的膜形成方法。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 裝 -訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286348 A7 _B7_ 五、發明説明（6 ) 底上。此外，藉由將防沉積遮護板加熱到一定的溫度（有機化合物的昇華溫度）或以上，藉由蒸發黏附的有機化合物可以淸潔膜形成室。在本發明中，膜形成時的基底溫度（ΤΊ)設置成低於防沉積遮護板的溫度（τ2)，防沉積遮護板的溫度（τ2) 設置成低於沉積源的溫度（τ3)。此外，使用本發明的膜形成裝置，可以得到串連式膜形成裝置，本發明的這種膜形成裝置是包括彼此串聯連接的裝載室、傳送室、以及膜形成室的膜形成裝置；其中膜形成室具有使掩模和基底的定位一致的功能，膜形成室與將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室相通，膜形成室包括防止在內壁中形成膜的防止黏附裝置、加熱防止黏附裝置的加熱裝置、沉積源、加熱沉積源的裝置以及加熱基底或掩模（沉積掩模）的加熱裝置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，使用本發明的膜形成裝置，可以得到多室型膜形成裝置，本發明的這種膜形成裝置包括彼此串聯連接的裝載室、傳送室、以及膜形成室；其中傳送室具有使掩模和基底的定位一致的功能，膜形成室與將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室相通，膜形成室包括防止在內壁中形成膜的防止黏附裝置、加熱防止黏附裝置的加熱裝置、沉積源、加熱沉積源的裝置以及加熱基底或掩模（沉積掩模）的加熱裝置。在上述各個膜形成裝置中，多個沉積源設置在一個膜形成室中，且在單個膜形成室中，可以形成多個功能區， -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） 1286348 A7 _B7_ 五、發明説明（7 ) 由此可以形成具有混合區的發光元件。因此’包括多個功能區的有機化合物形成在發光元件的陽極和陰極之間時，與存在淸晰介面的習知層狀結構不同，可以形成其中包括第一功能區的材料和包括第二功能區的材料的混合區形成在第一功能區和第二功能區之間的結構。根據本發明，膜形成之前或膜形成期間，進行真空退火，以便混合區中的分子可以相互更好地配合。形成混合區緩和了功能區之間的能量屏障。因此，可以降低驅動電壓，並可防止亮度退第一有機化合物和第二有機化合物具有的特性選自以下組成的組：從陽極接收電洞的電洞注入特性、電洞遷移率高於電子遷移率的電洞傳送特性、電子遷移率高於電洞遷移率的電子傳送特性、從陰極接收電子的電子注入特性、抑制電洞或電子傳送的阻擋特性以及呈現發光的發光特性，分別具有不同的特性。對於具有高電洞注入特性的有機化合物，較佳的，酞菁型化合物，對於具有高電洞傳送特性的有機化合物，較佳的，芳香族二胺，對於具有高電子傳送特性的有機化合物，較佳的，含嗤啉基幹（skeleton )的金屬複合物、含苯並喹琳基幹的金屬複合物、螺二嗤（oxadiazole)衍生物、 ***衍生物、或菲咯啉衍生物。此外，對於表現發光的有機化合物，較佳的，能夠穩定發光的含喹啉基幹的金屬複合物、含苯並惡唑基幹的金屬複合物、或含苯並噻唑基幹的金屬複合物。 (請先閲讀背面之注意事項 —襄-- 寫本頁) 訂經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -11 - A/

1286348 五、發明説明（8 ) 此外，較佳的，發光區由主體材料和發光#料（摻雜劑）組成，其中發光材料的激發能低於主體材料激發能，設計摻雜劑的激發能低於電洞傳送區的激發能和電子傳g 層的激發能。由此，苛以防止摻雜劑的受激分子分散，慘雜劑可以有效地發光。此外，摻雜劑爲載子俘獲型材料時，載子的再結合效率提高。此外，本發明包括能夠將三重激發能轉換發光的材料作爲摻雜劑添加到混合區的情況。在形成混合區時，混合區可具有濃度梯度。本發明的膜形成裝置不僅可以用於形成如EL材料的有機化合物的膜，也可以用於沉積如金屬材料等的其他材料此外，藉由在膜形成室的內壁中照射雷射和损描雷射光束，進行淸潔，由此根據本發明的膜形成裝置包括藉由從安裝在基底對面的沉積源沉積有機化合物材基底上形成膜的膜形成裝置；其中基底安放其內的膜形成搴包括沉積源、加熱沉積源的裝置、以及加熱基底的加熱裝置，膜形成室與將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室以及將雷射光束照射到處理室內壁的淸潔準備室相通。在上述構造中，藉由電流鏡或多角鏡掃描上述雷射光束以蒸發黏附到膜形成室、防沉積遮護板或沉積掩模上的沉積物質並進行淸潔。採用上述構造，維護時不必將膜形成室暴露到空氣，也可以進行淸潔。上述的雷射光束可以包括例如連續振蕩或脈衝振蕩固本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項本頁} .裝- -*11 線經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 12- 1286348 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（9 ) 體雷射器、連續振蕩或脈衝振蕩受激準分子雷射器、Ar雷射器、Kr雷射器等的雷射器發出的雷射光束。上述固體雷射器包括選自以下的一種或多種類型的雷射器：YAG雷射器、YV04雷射器、Yi；F雷射器、YA103雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、紫翠玉雷射器、Ti :藍寶石雷射器。此外，具有膜形成裝置內的電漿産生裝置並配備有沉積源的膜形成裝置也屬於本發明，有關本發明的膜形成裝置的另一構成是藉由從安裝在基底對面的沉積源沉積有機化合物材料在基底上形成膜的膜形成裝置；其中所述基底安放其內的膜形成室包括沉積源、加熱沉積源的裝置、以及加熱基底、掩模（沉積掩模）以及與掩模相對的電極的加熱裝置，膜形成室與將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室相通，電漿在膜形成室中産生。 ^ 在上述構造中，掩模由導電材料製成，掩模或電極與高頻電源連接（13MHz到40MHz的頻率和20W到200W的高頻電源）。可以將掩模和電極的間隔調整到lcm到5cm 。此外，在上述構造中，膜形成室提供有將選自 Ar、Η、F 、NF3和Ο的一種或多種氣體引入到膜形成室內的氣體引入裝置，以及放電蒸發沉積物質的裝置。此外，在上述構造中，較佳的，爲用於産生電漿的一個電極的沉積掩模由具有導電性的材料和高熔點金屬（例如，如鎢、鉅、鉻、鎳、鉬等的高熔點金屬以及含這些金屬的合金）、不銹鋼、鉻鎳鐵合金、哈司特鎳合金等製成，這些材料加熱幾乎不變形（具有低熱膨脹係數）並且能 (請先閲讀背面之注 •裝訂線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） •13· 1286348 A7 __B7_ 五、發明説明（10 ) 承受電漿。此外，爲了冷卻加熱的沉積掩模，可以在沉積掩模中安裝迴圈冷卻介質（冷卻水、冷卻氣體）的機構。藉由上，述電漿産生裝置，電漿在膜形成室中産生，黏附到膜形成室內壁、防沉積遮護板或沉積掩模的沉積物質被蒸發並從膜形成室排出以進行淸潔。採用上述構造，維護時可進行淸潔同時膜形成室不暴露到空氣。採用上述構造的膜形成裝置的淸潔方法也包括在本發明中，淸潔方法藉由在膜形成室中産生電漿去除黏附到提供有沉積源的膜形成室的有機化合物，並淸禮內壁，防止膜形成在內壁上的防黏附裝置或掩模。在上述淸潔方法中，電漿在掩模和電極之間産生，電極安裝在掩模和沉積源之間。在上述淸潔方法中，藉由激發選自 Ar、H、F、NF3和〇的一種或多種氣體産生電漿。實施方式下面說明本發明的各實施例。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例1 下面參考圖1說明本發明的膜形成裝置的結構。圖1 爲本發明膜形成裝置的剖面圖的一個例子。藉由沉積法形成膜時，較佳的，面朝下法（有時稱做朝上沉積法），以其上要形成膜的面朝下的方式設置基底 10。面朝下法是形成膜的同時基底形成膜的表面朝下的方 -14- (請先閲讀背面之注意事項\€^寫本頁) < —^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 A7 B7 五、發明説明（11 ) 法，在這種方法中，可以抑制灰塵等的黏附。如圖1所示，加熱裝置，此時爲加熱器11，靠近基底 10設置。藉由加熱裝置，基底的溫度（Ti)可以加熱到50 到200°C，較佳的，65到150°C。此外，固定在支架12b中的金屬掩模12a安裝在基底10下面，能夠分別加熱到不同溫度的沉積源支架16a到16c進一步安裝在掩模下面。沉積源安裝在基底對面。此時，固定在支架12b中的基底爲示例性的，它也可以使用永久磁鐵藉由金屬掩模固定。在圖1中，由於金屬掩模12a (有時也稱做沉積掩模）靠近基底10安裝，當加熱基底時，金屬掩模同時被加熱。藉由用於基底和金屬掩模的加熱裝置，基底的整體被加熱。因此，金屬掩模（沉積掩模）較佳的，由加熱幾乎不變形並且能承受基底溫度（T!)的金屬材料製成。此外，沉積掩模不限於金屬材料，也可以使用能承受基底溫度（h )的另一材料製成的掩模（表面上有光遮罩膜的玻璃或石英）。順便提及，此時，靠近基底10安裝的金屬掩模12a 爲示例性的，本發明不限於此例，基底和金屬掩模可以相互分開。此外，加熱裝置（加熱器和電加熱線）可以靠近金屬掩模安裝，或者加熱裝置（加熱器和電加熱線）可以安裝在金屬掩模自身中以加熱金屬掩模，由此可以加熱靠近金屬掩模的基底。藉由加熱金屬掩模，可以加熱進行膜形成一側的基底表面。此時，沉積源由沉積源支架16a到16c、形成有機化合 (請先閲讀背面之注意事項 • I批衣— I 本頁) 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -15- 1286348 A7 B7 五、發明説明（12 ) 物膜的有機化合物17(1 7a到17c)、含有有機化合物的材料室18 ( 18a到18c)、以及快門19 ( 19a到19c)組成。此外，較佳的，藉由附加到膜形成室的專閘門的材料交換室（未示出）引入有_化合物，以避免膜形成室打開最終暴露到空氣。打開膜形成室暴露到空氣使水和各種氣體被內壁吸收，並藉由對室抽真空再次釋放。需要幾十或上百小時減少吸收氣體的釋放並將真空度穩定到平衡値。因此，進行膜形成室壁的烘焙處理以縮短時間。然而，重覆打開暴露到空氣不是有效的方法，較佳的，安裝專閘門的材料交換室。在本發明的膜形成室中，沉積源或要進行沉積的基底最好製成可移動（或可旋轉）。圖1顯示其上要沉積膜的基底製成可旋轉，且金屬掩模12a和支架12b製成可旋轉的一個例子。此外，雖然固定了基底，但沉積支架可以相對於基底在X方向或y方向中移動以進行沉積。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製材料室18 (18a到18c)爲導電金屬材料製成的沉積源支架16a到16c的空間，當藉由安裝在沉積源支架中的加熱裝置[施加電壓時産生電阻（電阻加熱）]將材料室內的有機化合物17 ( 17a到17c)加熱到各自的昇華溫度（τ3， Τ3’，Τ3”）時，它們被蒸發和沉積在基底1〇的表面上。加熱裝置基本上爲電阻加熱型，然而也可以使用努森（ Knudsen)電池。順便提及，在本說明書中，基底10的表面包括形成在基底上的薄膜，此時，陽極或陰極形成在基底上。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7^_五、發明説明（13 ) 快門19 ( 1 9a到1 9c )控制蒸發的有機化合物1 7 ( 17a 到1 7c )的沉積。即，當打開快門時，可以沉積藉由加熱蒸發的有機化合物17 (17a到17c)。此外，可以在基底1〇和快門1 9之間安裝一個或多個其他快門（例如，覆蓋沉積源直到沉積源的昇華穩定的快門）。由於可以縮短膜形成時間，因此較佳的，沉積之前藉由加熱蒸發有機化合物17 ( 17a到17c)，以便沉積時一打開快門1 9 ( 1 9a到1 9c )就進行沉積。此外，在本發明的膜形成裝置中，在一個膜形成室中可以形成具有多個功能區的有機化合物膜，基於此形成多個沉積源。在各沉積源中蒸發的有機化合物藉由金屬掩模 12a中形成的開口（未示出）沉積在基底10上。順便提及 ’金屬掩模的開口可以是矩形、橢圓形、或線形，它們可以排列成類矩陣形或三角形佈局。此外’根據沉積材料的沉積溫度差，將比高純度EL材料（中間溫度材料）高的溫度沉積的雜質（高溫材料）或低溫沉積的雜質（低溫材料）分開，僅進行高純度EL材料的膜形成。此外，在本說明書中，昇華溫度高於高純度EL 材料的昇華溫度的物質（雜質）命名爲高溫材料，具有較低昇華溫度的物質（雜質）命名爲低溫材料。此外，在高溫和低溫之間的中間溫度昇華的高純度EL材料命名爲中間溫度材料。順便提及，藉由質譜分析法（（}(：一 MS)預先分析在各溫度沉積的材料以硏究純EL材料的昇華溫度。可以在沉積之前對沉積材料進行昇華提純。要提純沉

請先閲讀背面之注意事項寫本頁) .裝· 訂線 17- 1286348 A7 B7 五、發明説明（14 ) 積材料，可以使用區域提純法。安裝用於在沉積時防止有機化合物黏附到內壁的防沉積遮護板15。安裝防沉積遮護板15可使沉積不能沉積在基底上的有機化合物成崑可能。在防沉積遮護板15的周圍，相互接近地設置電加熱線14，藉由電加熱線14，可以加熱防沉積遮護板15的整體。形成膜時，較佳的，防沉積遮護板15的溫度（T2)比基底的溫度（Td高至少1〇。(：。此外，膜形成室13連接到將膜形成室抽真空的真空放電處理室。真空放電處理室配備有磁浮型渦輪分子泵、乾泵、低溫抽氣泵等。因此，可以獲得10·5到1〇·6 Pa真空度的膜形成室，可以控制雜質從泵一側和氣體放電系統反向擴散。此外，膜形成室13連接到氣體引入系統，以恢復膜形成室中的正常壓力。爲了防止雜質引入到裝置內，對於要引入的氣體，可以使用氮氣、稀有氣體等的惰性氣體。在引入到裝置內之前，藉由氣體提純裝置高度提純要引入裝置內的這些氣體。因此，需要安裝氣體提純裝置以便在提純之後將高純度的氣體引入到裝置內。由此，可以預先去除含在氣體中的氧、水和其他雜質，由此可以防止這些雜質引入到裝置內。對於在膜形成室內使用的材料，可以使用藉由電解抛光的鏡面抛光的鋁和不銹鋼（SUS )用於內壁面，此乃由於藉由減小表面積可以減少如對氧和水等雜質的吸收能力。因此，膜形成室內的真空度保持在10·5到1(T6 Pa。此外，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項\1||寫本頁) -裝. 訂經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 18 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（15) 可以使用如陶瓷等已進行了處理以顯著減少孔的材料作爲內部構件。較佳的，這些材料具有中心線之間等於3nm或以下的平均粗糙度的表面光潔度。在圖1的膜形成屬置中，由於使用同一膜形成室中的多個材料室進行膜形成，安裝在膜形成時移動含用於膜形成的有機材料的材料室到基底下較佳的位置或移動基底到材料室上較佳位置的功能，以便提高膜形成效率。使用圖1所示的膜形成裝置可以在膜形成之前在真空中進行退火，膜形成期間進行退火，或膜形成之後進行真空中退火，以提高産量。此外，能夠抽真空的退火室連接到膜形成室，並且基底在真空中傳送，由此可以在膜形成之前在連接到膜形成室的退火室中進行真空退火，或者在膜形成之後在真空中進行退火。以下，使用圖1的膜形成裝置，參考圖2說明包括陽極、與陽極相鄰的有機化合物層、與有機化合物層相鄰的陰極的發光裝置的製造過程。圖2爲傳送到膜形成室之後的流程圖。首先，形成陽極的基底傳送到傳送室（未示出）。對於形成陽極的材料，使用透明導電材料，也可以使用銦-錫化合物、氧化鋅等。接下來，它被傳送到連接到傳送室 (未示出）的膜形成預處理室（未示出）。在膜形成預處理室中，可進行陽極表面的淸潔、氧化處理或熱處理。對於陽極表面的淸潔，藉由真空中UV射線照射淸潔陽極表面。此外，對於氧化處理，在含氧氣氛中照射UV射線，同時請先閲讀背面之注意事項HI寫本頁) •裝- 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 1286348 A7 _____B7_ 五、發明説明（16 ) 進行100到120°c的加熱，陽極爲如ITO的氧化物時，該處理很有效。此外，對於熱處理，在真空中進行加熱，加熱溫度爲50°C或以上，較佳的，65到150°C，基底能夠經受去除黏附到基底的如氧、水等雜質，以及去除存在於形成在基底上的膜中如氧、水等雜質。特別是，由於EL材料易於由於如氧、水等雜質退化，沉積之前真空中加熱很有效。接下來，進行了上述預處理的基底傳送到膜形成室13 ，同時不暴露到空氣。在膜形成室13中，設置基底10，同時其上形成膜的表面朝下。順便提及，較佳的，在傳送基底之前，膜形成室抽真空。經濟部智慧財4局員工消費合作社印製安裝抽真空裝置同時連接到膜形成室，藉由無油乾泵抽真空，從大氣壓到約IPa，進一步藉由磁浮型渦輪分子泵或複合分子泵抽真空到低壓。可以安裝低溫抽氣泵與膜形成室組合以便去除水。以此方式，可以防止來自放電裝置主要爲油的有機物質的污染。藉由電解抛光鏡面處理內壁表面以減少表面積並防止放出氣體。爲了減少內壁放出氣體的目的，加熱器，較佳的，安裝在膜形成室外部以進行烘焙處理。藉由烘焙處理可以顯著抑制放出氣體。此外，爲了防止由於放出氣體導致的雜質污染，較佳的，沉積時使用冷卻介質進行冷卻。以此方式，可以獲得達到 1 X 10_6 Pa的真空度。膜形成室抽真空時，也可以同時去除黏附到膜形成室內壁、金屬掩模以及防沉積遮護板上吸收的水和吸收的氧 -20 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（18 ) 真空中在膜形成期間進行熱處理。由於沉積時沉積材料有可能被如氧、水等雜質污染，因此沉積期間在真空中進行熱處理可以有效地排出含在膜中的氣體。以此方式’在真空中加熱基底的同時Y進行沉積以形成具有需要的膜厚度的膜，因此，可以形成具有高密度和高純度的有機化合物層。此時有機化合物包括具有如從陽極接收電洞的電洞注入特性、具有比電子遷移率高的電洞遷移率的電洞傳送特性、電子遷移率比電洞遷移率高的電子傳送特性、從陰極接收電子的電子注入特性、抑制電洞或電子傳送的阻擋特性以及呈現發光的發光特性的有機化合物。以此方式，完成有機化合物17a的沉積，在陽極上形成有機化合物17a的薄膜。此外，爲了在得到的有機化合物層中減少如氧、水等雜質，在1 X l(T4Pa或以下的壓力下進行加熱以散發出沉積時夾帶的水等。由於沉積時沉積材料可能被如氧、水等雜質污染，沉積之後真空加熱可以有效地散發含在膜中的氣體。當沉積之後進行退火時，較佳的，將基底傳送到另一處理室而不是膜形成室，同時不將基底暴露到空氣，然後在真空中進行退火。在圖1所示的裝置中，由於安裝了加熱基底的加熱裝置，因此在膜形成室中形成膜之後，可以在真空中進行熱處理。較佳的，使真空度比沉積時增加，沉積之後在100 到200 °C進行退火。膜形成之後藉由退火（去氣），可以進一步去除形成在基底上有機化合物層中如氧、水等雜質， (請先閲讀背面之注意事_ 項本 ) .裝. 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -22- 1286348 A7 ____B7_ 五、發明説明（19 ) 形成高密度和高純度的有機化合物層。到目前爲止說明的步驟用於形成有機化合物17a的單層，並對應於圖2A所示的流程。此後，重覆上述車層形成步驟製成需要的有機化合物層’並最終疊置陰極。順便提及，層疊不同沉積材料（有機化合物和陰極材料）時，可在不同的膜形成室或完全在單個的膜形成室中進行層疊步驟。對於陰極的材料，可以使用含鎂（Mg )、鋰（Li )或鈣（Ca )具有小功函數的材料。較佳的’可以使用由MgAg (含Mg: Ag=10: 1混合的Mg和Ag的材料）製成的電極。此外，可以爲鏡（Yb ) 、MgAgAl電極、LiAl電極以及LiFAl電極。因此可以製備包括陽極、與陽極相鄰的有機化合物層以及與有機化合物層相鄰的陰極的發光裝置。此外，在膜形成室中進行形成膜之前的退火，此時提高了生産量。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製下面參考圖2B和圖1所示的流程說明在提供有三個沉積源的單個膜形成室中形成三層疊層結構的一個例子。根據以上說明的單層形成步驟，藉由關閉快門19a完成有機化合物17a的有機化合物層的沉積（第一沉積）時，藉由安裝在沉積支架中的加熱裝置將沉積支架內的有機化合物 17b預先加熱到昇華溫度（T3’），打開快門19b開始沉積 (第二沉積），在有機化合物17a的有機化合物層上形成有機化合物17b的有機化合物層。接著，以相同的方式，藉由關閉快門19b完成有機化合物17b的有機化合物層的沉積（第二次沉積）時，藉由安裝在沉積支架中的加熱裝 -23· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7五、發明説明（20 ) 置將沉積支架內的有機化合物17c預先加熱到昇華溫度（丁3”），打開快門19c開始沉積（第三沉積），在有機化合物17b的有機化合物層上形成有機化合物17c的有機化合物層。 … 第一沉積、第二沉積以及第三沉積時，基底溫度（Tl )設置得低於防沉積遮護板的溫度（T2 )，防沉積遮護板的溫度（Τ2)設置得低於沉積源的溫度（τ3 ，τ3’ ，T3” )。順便提及，根據使用的沉積材料各沉積源的溫度不同，由此根據各沉積源的溫度可以適當地改變基底溫度（Tj )和防沉積遮護板的溫度（T2 )。此外，第一沉積、第二沉積以及第三沉積時也可以適當地改變真空度。此外，可以同時打開多個沉積源的快門以進行同時沉積。同時沉積意味著在膜形成步驟中藉由加熱同時蒸發不同的沉積源和不同的物質混合的沉積方法。第一沉積、第二沉積以及第三沉積時，由於進行蒸發的同時在真空中加熱基底以進行膜形成直到獲得需要的膜厚度，因此可以得到高密度和高品質的有機化合物層。此外，沒有暴露到空氣，基底在真空中加熱的同時沉積可進行多次，由此各層的中間層中的分子可以相互更好地配合〇因此，完成了多個不同有機化合物的沉積，由有機化合物層17a、有機化合物層17b、以及有機化合物層17c組成的疊層形成在陽極上。接下來，以形成單層的相同方式，爲了減少得到的有 (請先閲讀背面之注意事項 -裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 1286348 A7 _B7_ 五、發明説明（21 ) 機化合物層中如氧、水等雜質，在1 X l(T4Pa或以下的壓力下進行加熱散發出沉積時夾帶的水等。沉積之後進行退火時，可以在膜形成室中進行退火，或者將基底傳送到另一處理室而不是膜形成室，同時不將基底暴露到空氣，在真空中進行退火。到目前爲止說明的步驟用於形成多層有機化合物，並對應於圖2B所示的流程。根據上述步驟完成了層疊需要的有機化合物層時，最後疊置陰極。以此方式，可以製備包括陽極、與陽極相鄰的有機化合物層以及與有機化合物層相鄰的陰極的發光裝置。當如以上說明各層在單個膜形成室中形成時，可以省略傳送基底，此外膜形成室抽真空、加熱基底以及逐步冷卻基底所需要的時間可以進一步縮短，由此顯著提高了生産量。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，進行一次或多次上述形成有機化合物的單層或疊層之後，較佳的，進行淸潔。藉由再昇華和氣體放電進行淸潔。要進行再昇華，加熱膜形成裝置的內壁以及安裝在0莫形成裝置內部的夾具，藉由加熱器加熱、紅外線加熱 '或UV加熱的任意一種以及藉由組合這些加熱方式實施加熱方法。此外，較佳的，使用真空泵馬上排出再昇華的沉積材料。此外，藉由氣體引入系統注入含鹵族元素的氣體進行再昇華，同時排出氟化物形式的沉積材料。此外，在沒有設置基底的條件下進行淸潔，在圖1的膜形成裝置中，藉由加熱基底的加熱裝置加熱支架和金屬 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 A7 _B7_ 五、發明説明（22 ) 掩模以蒸發黏附到它們的有機化合物。藉由電加熱線1 4加熱防沉積遮護板可以蒸發黏附到防沉積遮護板的有機化合物。如果進行淸潔，較佳的，基底的加熱裝置和防沉積遮護板的加熱裝置能夠控制到有機化合物的蒸發溫度。淸潔時，藉由氣體放電系統（真空泵）等回收蒸發的有機化合物，以使它們可重覆使用。實施例2 於此，在圖3中顯示不同於實施例1的膜形成裝置。如圖3所示，說明安裝加熱爐31和淸潔準備室22同時連接到膜形成室33的一個例子。藉由在外部安裝加熱器，加熱基底的加熱爐31能夠進行退火處理。藉由加熱爐31，基底的溫度（T:)控制到50 到200 °C，較佳的，65到150 °C。此外，圖3中虛線表示的閘門或快門安裝在加熱爐31和膜形成室33之間。雖然沒有示出，但抽真空裝置可以附加地安裝在加熱爐31中。在本實施例中，沉積之前藉由加熱爐31在真空中進行退火，藉由打開閘門進行沉積。此外，雷射23和光學系統24安裝在淸潔準備室22中，藉由掃描機構20，來自雷射器的雷射光束21可以照射到膜形成室33的內部。由雷射光束21可以穿透的材料（石英等）製成的窗口形成在隔開淸潔準備室22和膜形成室33 的壁中。對於掃描機構20,可以使用電流鏡或多角鏡掃描以蒸發黏附到膜形成室內壁和防沉積遮護板的沉積物質並本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）請先閲讀背面之注意事項 η 訂經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 -26- 1286348 A7 __ B7_ 五、發明説明（23 ) 進行淸潔。在沒有放置基底的條件下進行淸潔時，在圖3的膜形成裝置中，藉由雷射光束輻照加熱膜形成裝置的內壁和安裝在膜形成裝置內部时夾具以進行再昇華。雷射光束21包括例如連續振蕩或脈衝振蕩固體雷射器、連續振蕩或脈衝振蕩受激準分子雷射器、Ar雷射器、Kr雷射器等的雷射光束源發出的雷射光束。上述固體雷射器包括選自以下的一種或多種類型的雷射器：YAG雷射器、YV04雷射器、YLF 雷射器、yaio3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、紫翠玉雷射器、Ti :藍寶石雷射器。其中，較佳的，能夠藉由光學系統24在照射面中放大照射表面積的脈衝振蕩受激準分子雷射器和Ar雷射器。此外，提供在靠近安裝基底的部分（圖3中虛線所示部分）的支架中固定的金屬掩模32a，能夠以單獨的溫度加熱的沉積源支架36安裝在金屬掩模32a下面。沉積源安裝在基底的對面。材料室38爲導電金屬材料製成的沉積源支架36的空間，當藉由安裝在沉積源支架中的加熱裝置[施加電壓時産生電阻（電阻加熱）]將材料室內的有機化合物37加熱到昇華溫度（T3)時，它被蒸發和沉積在基底的表面上。第一快門39控制蒸發的有機化合物37的沉積。第二快門25安裝在加熱爐3 1和第一快門39之間。第二快門25 爲覆蓋沉積源直到沉積源的昇華速度穩定的快門。此外，安裝沉積時防止有機化合物黏附到膜形成室內本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） __ (請先閲讀背面之注意事項寫· 本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286348 A7 _B7_ 五、發明説明（24 ) 請先聞讀背面之注意事項壁的防沉積遮護板35。此外’在防沉積遮護板35的周圔’ 設置電加熱線34，藉由電加熱線34’可以加熱防沉積遮護板35的整體。沉積時，基底溫度（Ti)設置得低於防沉積遮護板的溫度（T2 ) 7防沉積遮護板的溫度（T2 )設置得低於沉積源的溫度（Τ3)。將防沉積遮護板的溫度（τ2) 設置比基底溫度（ΊΊ)高至少l〇°C，以便不能沉積在基底上的有機化合物可以黏到基底上。此外，膜形成室33連接到將膜形成室抽真空的真空放電處理室。膜形成室33也連接到氣體引入系統，以恢復膜形成室中的正常壓力。此外，同樣在圖3的裝置中，藉由加熱爐3 1進行膜形成期間的真空熱處理。由於沉積時沉積材料有可能被如氧、水等雜質污染，因此沉積期間在真空中進行熱處理可以有效地排出含在膜中的氣體。以此方式，在真空中加熱基底的同時，進行沉積以形成具有需要膜厚度的膜，因此，可以形成具有高密度和高純度的有機化合物層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製藉由使用圖3中所示的膜形成裝置，可以在膜形成之前進行真空退火、在膜形成期間進行真空退火、以及膜形成之後進行真空退火，以提高生産量。對每個膜形成技術可進行藉由雷射光束進行的上述淸潔，也可以在進行多個膜形成技術之後進行淸潔。本實施例可選擇的與實施例1結合。實施例本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -28- 1286348 A7 ________B7___ 五、發明説明（25 ) 下面參考圖13說明本發明的另一膜形成裝置的結構。圖13顯示本發明的另一膜形成裝置的剖面圖的實例。如圖13所示，說明在藉由電容器i3〇〇b連接到高頻電源1 300a的沉積掩模' 1 302a和電極1302b之間産生電漿 1 3 0 1的一個例子。靠近安裝基底的部分（圖中虛線所示部分）安裝支架中固定的沉積掩模1 302a，能夠以相應的溫度加熱的沉積源支架13 06安裝在其下。沉積源與基底相對安裝。此外，材料室1308爲導電金屬材料製成的沉積源支架 13 06的空間，當藉由安裝在沉積支架中的加熱裝置（電阻加熱方法）將材料室內的有機化合物1307加熱到昇華溫度 (T3 )時，它被蒸發和沉積在基底的表面上。順便提及，沉積時，電極1 302b移動到不會影響沉積的位置。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製安裝在沉積時防止有機化合物沉積到膜形成室內壁的防沉積遮護板1 305。此外，在鄰近防沉積遮護板35的周圔設置電加熱線1 304，藉由電加熱線1 304，可以加熱防沉積遮護板1 305的整體。沉積時，基底溫度（Td設置得低於防沉積遮護板的溫度（T2 )，防沉積遮護板的溫度（T2 ) 設置得低於沉積源的溫度（Τ3 )。將防沉積遮護板的溫度 (Τ2)設置比基底溫度（Td高至少10t，以便不能沉積在基底上的有機化合物可以黏到基底上。圖14A顯示沉積掩模1 302a的剖面放大圖。由於沉積掩模爲金屬掩模，藉由蝕刻技術處理時，剖面不是垂直的而是錐形。圖14B顯示沉積掩模的不同剖面結構的一個例本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公羡) :29 _ 1286348 A7 ___B7 _ 五、發明説明（26 ) 子。在兩種剖面結構中，開口的周邊部分很尖。因此，電费容易在開口的周邊部分中産生，由此，黏附物質的部分最需要淸理的部分，即被黏附物質黏附時掩模精度下降的開口周邊部分需要淸瑝。對於製備金屬掩模而不是蝕刻技術的方法，可使用電成型技術，此時，剖面形狀變成剖面具有R的懸臂形。完成沉積時，取出基底，然後進行淸潔以去除黏附到安裝在膜形成裝置內部的夾具以及膜形成裝置內壁的沉積材料，而不暴露到空氣。淸潔時，將電極1302b移動到與沉積掩模1302a相對的位置。此外，氣體引入到膜形成室 1 3 03內。要引入到膜形成室1 303內的氣體可以是選自Ar 、H、F、NF3和〇的一種或多種氣體。接下來，高頻電場從高頻電源1 300a施加到沉積掩模1 302a，以激發氣體（Ar 、Η、F、NF3和Ο)並産生電漿1301。以此方式，在膜形成室13 03中産生電漿1301，蒸發黏附到膜形成室內壁、防沉積遮護板1 305、以及沉積掩模1302a的沉積物質，並排出膜形成室。藉由圖13所示的膜形成裝置，維護時可以進行淸潔，而不必打開膜形成室接觸空氣。此時，雖然顯示在沉積掩模1302a和安裝在掩模和沉積源支架1 306之間的電極1302b之間産生電漿的一個例子，但本發明不限於此，而是包括只要包括電漿産生裝置的任何裝置。此外，高頻電源可以連接到電極13 02b，電極 13 02b可以形成爲網狀電極，或可以引入氣體的類似於淋浴噴頭的電極。請先閲讀背 ir 之注項寫本頁經濟部智慈財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（27) 此外，可以對每個膜形成技術進行上述電獎淸潔，也可以在多個膜形成技術之後進行淸潔。本實施例可任選地與實施例1組合。下面參考例子進一步詳細說明以上結構的本發明。實例例1 在本例中，舉例說明藉由減小有機化合物膜中存在的能量屏障可以提高載子的遷移率，以及同時提供多種類型材料的功能並且層疊結構的功能分開的元件的製造。對於減小層疊結構中的能量屏障，現已發現***載子注入層的技術非常有效。即，在具有高能屏障的層疊結構的介面，***減少能量屏障的材料，由此能量屏障可以設計成步階形式。因此，來自電極的載子注入能力增加，當然驅動電壓可以一定程度上減小。然而，可能存在層的數量增加導致有機介面數量增加的問題。此乃假設具有單層結構的裝置具有驅動電壓和功率效率的最高資料的原因。換句話說，如果解決了該問題，雖然層疊結構的優點（多種材料可以組合使用，不需要複雜的分子設計）很有效，亦可以獲得單結構具有的驅動電壓和功率效率。在本例中，當由多種功能區組成的有機化合物膜形成在發光元件的陽極和陰極之間時，與具有淸晰介面的習知層狀結構不同，形成了在第一功能區和第二功能區之間具請先閲讀背面之注意Ϋ項寫本頁 •裝- 訂 k 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •31 - 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（28) 有包含形成第一功能區的材料和形成第二功能區的材料的混合區的結構。藉由形成這種結構，與習知的結構相比，存在於功能區之間的能量屏障降低，由此可以認爲載子注入能力提高。即，藉由形成混合區，可以減少功能區之間的能量屏障。因此，可以降低驅動電壓，並可抑制亮度退化。如上所述，在本例中，對於製造至少包括其中第一有機化合物能夠執行功能的區域（第一功能區）和其中與形成第一功能區的第一有機化合物不同的第二有機化合物能夠執行功能的區域（第二功能區）的發光元件，以及包括該元件的發光裝置，藉由使用圖1所示的膜形成裝置製造，在第一功能區和第二功能區之間形成含有形成第一功能區的有機化合物和形成第二功能區的有機化合物的混合區〇在圖1所示的膜形成裝置中，在單個膜形成室中形成具有多個功能區的有機化合物膜，與此對應，安裝多個沉積源。傳送並放置其內形成有陽極的基底。藉由加熱裝置加熱基底，基底的溫度（T1)調節到50到200°c，較佳的，65到150°C。此外，形成膜時，基底溫度（T!)設置得低於防沉積遮護板的溫度（T2 )，防沉積遮護板的溫度（ Τ2)設置得低於沉積源的溫度（Τ3)。首先，沉積存放在第一材料室18a中的第一有機化合物17a。順便提及，用電阻加熱預先蒸發第一有機化合物 17a，沉積時打開快門19a，第一有機化合物朝基底擴散。 (請先閲讀背面之注意事項寫· 本頁) •裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（29 ) 因此，形成圖4A所示的第一功能區210« 沉積第一有機化合物17a的同時，可以打開快門19b 沉積儲存在第二材料室18b中的第二有機化合物17b。用電阻加熱預先蒸發第二有機化合物17b，打開快門19b，第二有機化合物朝基底擴散。這裏，形成由第一有機化合物17a 和第二有機化合物17b組成的第一混合區211。而後，僅關閉快門19a，沉積第二有機化合物17b。因此，可以形成第二功能區212。在本例中，雖然說明了藉由同時沉積兩種類型的有機化合物形成混合區的方法，但是藉由沉積第一有機化合物然後在第一有機化合物的沉積氣氛下沉積第二有機化合物可以在第一功能區和第二功能區之間形成混合區。接下來，沉積第二有機化合物1 7b的同時，打開快門 19c沉積儲存在第三材料室18c中的第三有機化合物17c。用電阻加熱預先蒸發第三有機化合物17c，打開快門19c，第三有機化合物朝基底擴散。這裏，可以形成由第二有機化合物17b和第三有機化合物17c組成的第二混合區213。而後，僅關閉快門19b，沉積第三有機化合物17c。因此，可以形成第三功能區214。最後，藉由本發明的膜形成裝置形成陰極以完成發光元件。此外，對於另一有機化合物膜，如圖4B所示，使用第一有機化合物17a形成第一功能區220之後，形成由第一有機化合物17a和第二有機化合物17b組成的第一混合區 (請先閲讀背面之注意事項本買) 裝·

、^T 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -33- 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（3G) 221，然後使用第二有機化合物17b形成第二功能區222。接著，在第二功能區222形成期間，藉由暫時性地打開快門19c同時沉積第三有機化合物17c，形成第二混合區223 〇而後，關閉快門19c，再次形成第二功能區222。最後形成陰極以完成發光元件。由於能夠形成上述有機化合物膜的圖1的膜形成裝置可以在單個膜形成室中形成具有多個功能區的有機化合物膜，因此功能區的介面沒有被雜質污染，此外混合區可以形成在功能區的介面。在上述方式中，可以形成沒有明顯的層狀結構（即，沒有淸晰的有機介面）並且提供有多種功能的發光元件。此外，圖1的膜形成裝置能夠在膜形成之前、膜形成期間、膜形成之後進行真空退火，藉由膜形成期間進行真空退火，混合區中的分子可以很好地配合。因此，可降低驅動電壓，且可以進一步抑制亮度退化。藉由膜形成之後退火（除氣），可以進一步去除形成在基底上的有機化合物層中如氧、水等雜質，形成高密度和高純度的有機化合物層。本實施例可任選地與實施例1、實施例2或實施例3組合。例2 下面參考圖5說明本例的膜形成裝置的結構。圖5A是 (請先閲讀背面之注意· _事項»寫本頁) ’裝. 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •34- 1286348 A7 B7 五、發明説明（31 ) 膜形成裝置的俯視圖，圖5B爲剖面圖。相同的符號表示相同的構件。在本例中，舉例說明在包括三個膜形成室的串聯型膜形成裝置的三個膜形成室中形成三種類型有機化合物膜（紅、綠和藍）噴便提及，第一膜形成室305、第二膜形成室3 08以及第三膜形成室310對應於圖1所示膜形成室13。在圖5A中，數字300表示裝載室，裝載室抽真空減少壓力之後，設置在裝載室中的基底被傳送到第一傳送室301 。在第一傳送室3〇1中，預先固定在支架3 02中的金屬掩模303與各支架對準，沉積之前基底304安裝在金屬掩模 3 03上，完成了對準。隨後，基底3 04和金屬掩模3 03結合在一起並傳送到第一膜形成室305。此外，在本例中，真空放電裝置和基底加熱裝置安裝在第一傳送室301中，以在沉積之前進行真空退火，並去除基底中含有的水。此外，用於基底的換向機構可安裝在第一傳送室301中。支架302包括掩模支架、軸、基底支架、控制機構、輔助銷等。固定金屬掩模3 03，同時與掩模支架上的突起匹配，基底304安裝在金屬掩模303上。金屬掩模303上的基底304由輔助銷固定。完成金屬掩模3 03對準之後，軸被移動到z軸方向，使金屬掩模3 03再次移動，金屬掩模303和基底304由輔助銷固定，由此可完成金屬掩模3 03的對準，以及金屬掩模3 03和基底304的定位一致。順便提及，雖然這裏說明了藉由銷對準方法實現的定位一致，但可以使用CCD照相本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項mmr本頁裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 1286348 A7 B7 五、發明説明（32) 機藉由CCD對準法進行定位一致。此外，將基底從第一傳送室301傳送到第一膜形成室 305時，較佳的，保持基底不接觸空氣並保持真空度。因此 ’傳送基底之前，藉由真空放電裝置使第一膜形成室305 的真空程度與第一傳送室301的相同。在圖5中，第一膜形成室3 05提供有多個沉積源3 06。每個沉積源3 06由儲存有機化合物的材料室（未示出）以及藉由打開和關閉控制材料室中蒸發的有機化合物擴散到材料室外部的快門（未示出）組成。此外，第一膜形成室 3〇5提供有基底加熱裝置。此外，雖然沒有示出，但也安裝了對準基底、加熱裝置以及金屬掩模303 (包括基底）的機構。安裝在第一膜形成室3 05中的多個沉積源306含有具有各種不同功能並組成發光元件有機化合物膜的有機化合物。在第一膜形成室3 05中，儲存在這些沉積源中的有機化合物藉由實施例1或例1中說明的方法連續地沉積形成第一有機化合物膜（在此情況下爲紅色）。沉積時，爲了提高基底表面中得到薄膜的均勻度，進行膜形成，同時旋轉基底304。接下來，將基底304傳送到第二傳送室307。將基底從第一膜形成室305傳送到第二傳送室307時，較佳的，保持基底不接觸空氣並保持真空度。使用具有相同開口圖形的金屬掩模時，在第二傳送室307中，基底304和金屬掩本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) •裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36 - 1286348 A7 B7 五、發明説明（33) 模3 03同時相互分開，然後移動進行用於第二有機化合物膜的膜形成的適當定位，金屬掩模303再次對準。完成對準之後，基底3 04和金屬掩模3 03再次重疊並固定。使用具有不同圖形的金屬掩模時，新掩模已預先製成，在第二傳送室或第二膜形成室中進行與基底的對準。然後，將基底304傳送到第二膜形成室3 08。將基底從第二傳送室3 07傳送到第二膜形成室308時，較佳的，保持基底不接觸空氣並保持真空度。第二膜形成室也提供有多個沉積源和基底加熱裝置，與在第一膜形成室305中相同的方式，連續地使用多個有機化合物並沉積形成具有多個功能區的第二有機化合物膜（在此情況下爲綠色）。此外，基底304傳送到第三傳送室309。將基底從第二膜形成室3 08傳送到第三傳送室309時，較佳的，保持基底不接觸空氣並保持真空度。使用具有相同開口圖形的金屬掩模時，在第三傳送室309中，基底304和金屬掩模303 同時相互分開，然後移動進行用於第三有機化合物膜的膜形成的適當定位，金屬掩模3 03再次對準。完成對準之後，基底3 (Μ和金屬掩模3 03再次重疊並固定。使用具有不同圖形的金屬掩模時，新掩模已預先製成，可在第三傳送室或第三膜形成室中進行與基底的對準。然後，將基底304傳送到第三膜形成室310。將基底從第三傳送室309傳送到第三膜形成室309時，較佳的，保持基底不接觸空氣並保持真空度。第三膜形成室也提供有多個沉積源和基底加熱裝置，與在其他膜形成室中相同的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項寫· 本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -37 - 1286348 A7 ____B7_ _ 五、發明説明（34 ) 方式，連續地使用多個有機化合物並沉積形成具有多個功能區的第三有機化合物膜（在此情況下爲藍色）。然後，基底3 04傳送到退火室312。將基底從第三膜形成室310傳送到退火窒312時，較佳的，保持基底不接觸空氣並保持真空度。將基底傳送到退火室312之後，進行真空退火。沉積之後，真空度比沉積時的真空度高，較佳的，在100到200°C進行退火。藉由退火（除氣），可以進一步去除形成在基底上有機化合物層中如氧、水等雜質，形成高密度和高純度的有機化合物層。此外，基底的換向機構可以提供在退火室312中。最後，基底304傳送到卸載室311，引入惰性氣體恢復正常壓力之後，從膜形成裝置中取出基底。惰性氣體引入退火室3 1 2以恢復正常壓力之後，可進行退火。在退火室312中進行真空退火之後，惰性氣體可被引入退火室312以恢復正常壓力。以此方式，在各傳送室（或膜形成室）中形成不同的有機化合物膜之後每次進行金屬掩模303的對準，可以在單個裝置中形成多個有機化合物膜，同時保持真空度。如上所述，由於可以在單個膜形成室中形成一個有機化合物的功能區，因此可以避免功能區之間雜質污染。此外，由於該膜形成裝置能夠在相鄰的功能區之間形成混合區，因此可以製備具有多種功能而沒有淸晰的層結構的發光元件雖然在本例中說明了形成有機化合物膜的裝置，但本本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）請先閲讀背之注意事項 P 本經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -38- 1286348 A7 ____B7_ 五、發明説明（35 ) 發明的膜形成裝置不限於具有這種結構的裝置，而是包括包含在有機化合物膜上形成陰極的膜形成室和能夠密封發光元件的處理室的裝置。具有發紅、綠和藍光的有機化合物膜的形成順序可以不連續。此外，可以安裝淸潔在本例中所示的傳送室和膜形成室的裝置。也可以安裝圖3所示的淸潔準備室22。此外，可以在各傳送室和各膜形成室中安裝掩模準備室，以儲存已使用的沉積掩模和未使用的沉積掩模^ 本實施例可任選地與實施例1、實施例2、實施例3或例1組合。例3 在例2中，說明了形成有機化合物膜的裝置的一個例子。在本例中，參考圖6說明本發明之密封爲串聯方式的裝置。在圖6中，參考數字501表示裝載室，基底從該室傳送。注意在本例中所謂的基底應理解爲其上形成有當成發光元件的一個電極的陽極或陰極（在本例中使用的陽極）的構件。此外，裝載室5 01與排氣系統5 00a相連，其中該排氣系統500a包括第一閥51、渦輪分子泵52、第二閥53 、第三閥54以及乾泵55。此外，在本例中，對於例如閘門阻擋裝載室、對準室、沉積室、密封室以及卸載室等各處理室內使用的材料，可使用藉由電抛光處理具有鏡面的材料例如鋁或不銹鋼（ (請先閱讀背面之注意事項本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -39- 1286348 A7 ____B7_ 五、發明説明（36 ) (請先閲讀背面之注意事項^?^寫本頁) sus)在各室的內壁面上，由於這種材料使內壁的表面積減小，因此能夠減少對如氧和水等雜質的吸收。此外，使用如陶瓷等材料製成的內部構件作爲被處理使孔變得極少的內部材料。注意這些材料具有中心平均粗糙度小於或等於 30A的表面光滑度。雖然第一閥51爲具有閘式閥的主要閥門，但也可以使用當成導電閥的蝶形閥。第二閥53和第三閥54爲前置閥。首先，第二閥53打開，藉由乾泵55大體上減小裝載室 501的壓力，接下來，第一閥51和第三閥54打開，藉由渦輪分子泵52將裝載室501的壓力減小到高真空度。注意渦輪分子泵可以用機械升壓泵代替；或者，藉由機械升壓泵增加真空度之後，可以使用渦輪分子泵。接下來，數字5 02表示對準室。於此，進行金屬掩模的對準和金屬掩模上基底的定位，以用於基底將傳送到的沉積室中的沉積。對準室502可以配備有基底的換向機構。此外，於此的對準方法中可以使用圖5中說明的方法。此外，對準室Α502包括排氣系統500b，藉由未示出的閘門關閉對準室502，並與裝載室501隔開。經濟部智慈財產局員工消費合作社印製此外，對準室A502提供有預淸潔室513a，由此能在對準室A5 02進行淸潔。注意預先在對準室A5 02中提供金屬掩模可以淸潔使用的金屬掩模。接下來，數字503表示藉由真空蒸發法製造第一有機化合物層的沉積室，以下稱做沉積室A503。沉積室A503 包括排氣系統500c。此外，藉由未示出的閘門關閉沉積室 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 A7 B7 五、發明説明（37) A5 03，並與對準室A5 02隔開。以與對準室A502類似的方法，沉積室A503提供有預淸潔室513b。 (請先閲讀背面之注意事項9寫本頁) 在本例中’具有fi 1所示結構的沉積室作爲製造發紅光的第一有機化合物層的沉積室A503。此外，作爲蒸發源的是提供具有電洞注入能力的有機化合物的第一蒸發源、提供具有電洞傳送能力的有機化合物第二蒸發源、提供具有電洞傳送能力的有機化合物用做具有發光能力的有機化合物基質的第三蒸發源、提供具有發光能力的有機化合物的第四蒸發源、提供具有阻擋能力的有機化合物的第五蒸發源、以及提供具有電子傳送能力的有機化合物的第六蒸發源。還應該注意在本例中，銅酞菁（下文簡寫爲“ Cu-Pc” )用做提供在第一蒸發源中具有電洞注入能力的有機化合物；4,4’ 一二[N -（1 一萘基）一 N-苯基一氨基]一聯苯（以下簡寫爲“ α - NPD ” ）用做提供在第二蒸發源中具有經濟部智慧財產局員工消費合作社印製電洞傳送能力的有機化合物；4,4’ -雙嘮唑-聯苯（“ CBP ”）用做提供在第三蒸發源中成爲基質的有機化合物； 2,3,7,8, 12,13, 17, 18 -八乙基一 21 Η，23Η -卟啉—鉑（“ PtOEP” ）用做提供在第三蒸發源中具有發光能力的有機化合物；浴銅靈（bathocuproin “BCP” ）用做提供在第五蒸發源中具有阻擋能力的有機化合物；以及，三（8-羥基喹啉）鋁（“ Alq3 ” ）用做提供在第六蒸發源中具有電子傳送能力的有機化合物。 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 A7 B7___ 五、發明説明（38 ) (請先閲讀背面之注意事項3寫本頁> 應該注意，藉由真空蒸發依次沉積這些有機化合物，在陽極上形成包括具有電洞注入能力、電洞傳送能力、發光能力以及電子傳送能力功能的各區的有機化合物層。還應該注意，在本例中，藉由同時真空蒸發組成兩個功能區的有機化合物，在不同功能區之間的介面上形成混合區。簡而言之，混合區分別形成在電洞注入區和電洞傳送區之間的介面上，電洞傳送區和包括發光區的電子傳送區之間的介面上。經濟部智慈財產局員工消費合作社印製實際上，藉由沉積15nm厚度的Cu - Pc形成第一功能區之後，同時藉由真空蒸發沉積Cu - Pc和α — NPD，由此形成膜厚度5到l〇nm的第一混合區。然後’製造厚度 4 0nm的α - NPD膜，由此形成第二功能區，接著藉由同時真空蒸發α-NPD和CBP形成厚度5到lOnm的第二混合區。此後，製造厚度25到40nm的CBP膜，由此形成第三功能區。在形成第三功能區的步驟，同時沉積CBP和PtOEP ，由此在第三功能區的整個或部分處形成第三混合區。這裏注意，第三混合區具有發光能力。此外，藉由同時真空蒸發沉積5到l〇nm膜厚度CBP和BCP，由此形成第四混合區。此外，製備8nm厚度的BCP膜，由此形成第四功能區。此外，藉由同時真空蒸發沉積5到lOnm膜厚度BCP 和Alq3，由此形成第五混合區。最後，形成25nm厚度的 Alq3膜，由此形成第五功能區。採用以上技術步驟，由此形成第一有機化合物層。應該注意在以上有關第一有機化合物層的說明中，功本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42· 1286348 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製 A7 _B7五、發明説明（39 ) 能各不相同的六種有機化合物分別提供在六種蒸發源中，然後藉由真空蒸發這些有機化合物形成有機化合物層。該例不僅限於以上內容，可以使用多種有機化合物。此外，提供在一個蒸發源中的有機化合物不總是限於一種，可以爲多種。例如，除了提供在一個蒸發源中的單種材料作爲具有發光能力的有機化合物之外，也可以一起提供作爲摻雜劑的另一種有機化合物。注意第一有機化合物層具有多種功能，已知材料可以用做包括發紅光的有機化合物層的這些有機化合物。應該注意，可以設計蒸發源以便使用微型電腦控制它的沉積速度。此外，採用這種設置，較佳的，在同時製備多個有機化合物層時控制混合物的比例。而後，數字506表示對準室。於此，進行金屬掩模的對準和金屬掩模上基底的定位，以用於在基底將傳送到的沉積室中的沉積。對準可以在沉積室507中進行。此外，對準室B 506包括排氣系統500d，藉由未示出的閘門關閉對準室B5 06，並與沉積室A5 03隔開。它還包括預淸潔室 5 13c，以類似於對準室A502的方式，藉由未示出的閘門關閉預淸潔室513c，並與對準室B5 06隔開。而後，數字507表示藉由真空沉積製造第二有機化合物層的沉積室，稱做沉積室B507。該沉積室B507提供有排氣系統500e。此外’該室與對準室B506藉由未示出的閘門關閉並隔開。此外，它包括預淸潔室5 1 3 d，以與沉積室 A5 03類似的方式，藉由未示出的閘門關閉預淸潔室513d 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡1 ^43- (請先閲讀背面之注意. -事項I·寫本ί -裝· 訂 1286348 A7 ___B7 五、發明説明（40 ) 並與沉積室B507隔開。 (請先閲讀背面之注意事項3寫本頁) 在本例中，提供具有圖1結構的沉積室作爲製造發出綠光的第二有機化合物層的沉積室B507。此外，作爲蒸發源的是提供具有電洞注入能力的有機化合物的第一蒸發源、分別提供具有電洞傳送能力的有機化合物的第二蒸發源和第三蒸發源、提供具有電洞傳送能力的基質材料的第四蒸發源、提供具有發光能力的有機化合物的第五蒸發源、提供具有阻擋能力的有機化合物的第六蒸發源、以及提供具有電子傳送能力的有機化合物的第七蒸發源。還應該注意，在本例中，Cu - Pc用做提供在第一蒸發源中具有電洞注入能力的有機化合物；MTDATA用做提供在第二蒸發源中具有電洞傳送能力的有機化合物；α - NPD 用做提供在第三蒸發源中具有電洞傳送能力的有機化合物 ;CBP用做提供在第四蒸發源中具有電洞傳送能力的基質材料；三（2 -苯基吡啶）銥（Ir ( ppy ) 3 )用做提供在第五蒸發源中具有發光能力的有機化合物；BCP用做提供在第六蒸發源中具有阻擋能力的有機化合物；以及，Alq3用做提供在第七蒸發源中具有電子傳送能力的有機化合物。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製應該注意，藉由依次真空蒸發這些有機化合物，在陽極上形成包括具有電洞傳送能力、發光能力、阻擋能力以及電子傳送能力功能的各區的第二有機化合物層。還應該注意，在本例中，藉由同時真空蒸發形成兩個功能區的有機化合物，在不同功能區之間的介面上形成混合區。具體地，混合區分別形成在電洞傳送區和阻擋區之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44- 1286348 A7 B7 五、發明説明（41 ) 間的介面上以及阻擋區和電子傳送區之間的介面上。 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 實際上，藉由沉積10nm厚度的Cu - Pc形成第一功能區之後，同時藉由真空蒸發沉積Cu - Pc和MTD ΑΤΑ，由此形成膜厚度5到lOnm的第一混合區。然後，製造厚度 20nm的MTDATA膜，由此形成第二功能區，接著藉由同時真空蒸發MTDATA和α - NPD形成厚度5到lOnm的第二混合區。此後，製造厚度l〇nm的α — NPD膜，由此形成第三功能區。然後，藉由同時真空蒸發α - NPD和CBP ，形成5到lOnm的第三混合區。隨後，製造厚度20到 40nm的CBP膜，由此形成第四功能區。在形成第四功能區的步驟，藉由在第四功能區的整個或部分同時真空蒸發沉積（Ir ( ppy ) 3 )，由此形成第四混合區；然後，藉由真空蒸發同時沉積CBP和BCP形成厚度5到lOnm的第五混合區；接下來，沉積lOnm厚的BCP膜由此形成第五功能區 ;然後，藉由真空蒸發同時沉積BCP和Alq3，由此形成5 到l〇nm厚度的第六混合區；最後，形成40nm厚度的Alq3 膜，形成第六功能區，由此形成第二有機化合物層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製應該注意在以上的說明中，從提供功能各不相同的有機化合物分別的七種蒸發源中，真空蒸發這些有機化合物形成第二有機化合物層。該例不僅限於以上內容，可以使用多種蒸發源。此外，已知材料可以用做具有形成發綠光的有機化合物層的多種功能的有機化合物。接下來，數字508表示對準室。於此，進行金屬掩模的對準和金屬掩模上基底的定位，以用於在基底將傳送到 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 A7 B7 五、發明説明（42 ) 的沉積室中的沉積。對準可以在沉積室509中進行。此外，對準室C5 08包括排氣系統500f，藉由未示出的閘門關閉對準室C5 08，並與沉積室B507隔開。它還包括預淸潔室 5 13e，以類似於對準室A502的方式，藉由未示出的閘門關閉預淸潔室5 13e，並與對準室C5 08隔開。而後，數字509表示藉由真空蒸發製造第三有機化合物層的沉積室，稱做沉積室C509。該沉積室C509提供有排氣系統500g。此外，該室藉由未示出的閘門關閉並與對準室C5 08隔開。此外，它包括預淸潔室513f，以與沉積室 A503類似的方式，藉由未示出的閘門關閉並與沉積室C509 隔開。在本例中，提供具有圖1結構的沉積室作爲製造發出藍光的第三有機化合物層的沉積室C509。此外，作爲蒸發源的是提供具有電洞注入能力的有機化合物的第一蒸發源、提供具有發光能力的有機化合物的第二蒸發源、提供具有阻擋能力的有機化合物的第三蒸發源、以及提供具有電子傳送能力的有機化合物的第四蒸發源。還應該注意在本例中，Cu - Pc用做提供在第一蒸發源中具有電洞注入能力的有機化合物；α - NPD用做提供在第二蒸發源中具有電洞傳送能力的有機化合物；BCP用做提供在第三蒸發源中具有阻擋能力的有機化合物；以及， Alq3用做提供在第四蒸發源中具有電子傳送能力的有機化合物。應該注意，藉由依次真空蒸發這些有機化合物，在陽 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46 - 1286348 A7 ____B7_ 五、發明説明（43 ) 極上形成包括具有電洞注入能力、發光能力、阻擋能力以及電子傳送能力功能的各區的第三有機化合物層。 (請先閲讀背面之注意事項\2^寫本頁} 還應該注意，在本例中，藉由同時真空蒸發形成兩個功能區的有機化合物，在不同功能區之間的介面上形成混合區。具體地，混合區分別形成在電洞注入區和發光區之間的介面上、發光區和阻擋區之間的介面上，以及阻擋區和電子傳送區之間的介面上。實際上，藉由沉積20nm厚度的Cu - Pc形成第一功能區之後，同時藉由真空蒸發沉積Cu - Pc和a — NPD，由此形成膜厚度5到1 Onm的第一混合區。然後，製造厚度 40nm的α — NPD膜，由此形成第二功能區，接著藉由同時真空蒸發α - NPD和BCP形成厚度5到lOnm的第二混合區。此後，製造厚度l〇nm的BCP膜，由此形成第三功能區。然後，藉由同時真空蒸發BCP和Alq3，由此形成5到 lOnm膜厚度的第三混合區。最後，形成40nm厚度的Alq3 膜，由此形成第三有機化合物層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製應該注意，在以上依次真空蒸發四種蒸發源形成有機化合物層的說明中，功能各不相同的四種有機化合物分別提供在四種蒸發源中，然後藉由分別真空蒸發這些有機化合物形成第三有機化合物層。本發明不僅限於以上內容，可以使用多種蒸發源。此外，提供在單個蒸發源中的有機化合物不總是限於一種，可以爲多種。例如，除了提供在蒸發源中的一種材料作爲具有發光能力的有機化合物之外，也可以一起提供作爲摻雜劑的另一種有機化合物。已知本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47- 1286348 A7 ___B7 五、發明説明（44 ) 材料可以用做具有多種功能的有機化合物，形成發藍光的有機化合物層。此外，在本例中，說明了在第一沉積室Α5 03中形成發紅光的有機化合物層，同時在第二沉積室Β507中形成發綠光的有機化合物層以及在第三沉積室C509中形成發藍光的有機化合物層的具體情況。然而，這些層的形成順序不限於以上的順序。可以在沉積室Α503、沉積室Β507和沉積室C 509的一個內分別形成發紅光、綠光以及藍光的有機化合物層中的一個。或者，可以提供附加的沉積室，形成其中發白光的有機化合物層。提供退火爐以在沉積有機化合物之後真空退火有機化合物。藉由沉積之後退火，進一步去除形成在基底上的有機化合物層中的氧和水，由此形成高密度和高純度的有機化合物層。而後，數字510表示藉由真空蒸發形成將成爲發光元件的陽極或陰極的導電膜（本例中用作陰極的金屬膜）的沉積室，稱做沉積室D5 10。此外，沉積室D5 10包括排氣系統500h。此外，藉由未示出的閘門關閉該室並與沉積室 C509隔開。此外，它包括預淸潔室513g，以與沉積室 A503類似的方式，藉由未示出的閘門關閉並與沉積室D5 10 隔開。在本例中，提供具有圖1所示結構的沉積室作爲沉積室D5 10。因此，對於沉積室D5 10的詳細操作可參考圖1 的說明。本&張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐) .48 - 一 (請先閲讀背面之注意事項β寫本頁) III* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1286348 A/ B7 五、發明説明（45 ) 在本例中，在沉積室D5 10中，沉積Al— Li合金膜（由銘和鋰的合金製成的膜）作爲用作發光元件陰極的導電膜。此外，也可以使用共同真空蒸發鋁和屬於元素周期表ί 族或II族的元素。或者，這裏提供CVD室形成絕緣膜，例如氮化矽膜、氧化矽膜以及DLC膜等或作爲發光元件保護膜（鈍化膜）。注意提供這種CVD室時，較佳的，提供氣體淨化器用於預先增加CVD室中使用的材料氣體的純度。而後，數字511表示密封室，包括排氣系統5 00i。此外，藉由未示出的閘門關閉並與沉積室D510隔開。在密封室511中，進行處理用於最終將發光元件密封在密封的空間中。該處理是防止形成的發光元件暴露到氧和水的處理，使用裝置藉由覆蓋材料機械地密封它或者藉由熱固化樹脂或可紫外線固化樹脂材料密封它。雖然覆蓋材料可以使用玻璃、陶瓷、塑膠或金屬，但當光發射到覆蓋材料一側時，覆蓋材料必須具有透光性。此外，使用如熱固化樹脂或紫外線固化樹脂等的密封材料 ’將覆蓋材料和以上說明的發光元件形成其上的基底黏結在一起，由此藉由熱處理或紫外線照射處理使樹脂固化形成不漏氣的密封空間。在該密封空間中提供吸濕材料也很有效，吸濕材料的典型例子爲氧化鋇。也可以用熱固化樹脂或紫外線固化樹脂塡充覆蓋材料和發光元件形成其上的基底之間的空間。此時，將通常如氧化鋇等的吸濕材料添加到熱固化樹脂或紫外線固化樹脂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）請先閲背之注 2 頁經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 -49· 1286348 A7 _B7 五、發明説明（46 ) 內。 (請先閲讀背面之注意事項\^寫本頁) 在圖6所示的沉積裝置內，提供將紫外線照射到密封室5 1 1內部的機構（以下稱做“紫外線照射機構”），設置該機構由此使用該紫外線照射機構發出的紫外線固化紫外線固化樹脂。最後，數字512爲卸載室，包括排氣系統5 00j。從其中取出發光元件形成其上的基底。如上所述，藉由使用圖6或圖1中所示的沉積裝置，可以避免發光元件暴露到外部空氣，直到發光元件完全密封在密封的空間中。由此，可以製造具有高可靠性的發光元件。本例可與實施例1到3、例1或例2自由組合。例4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製下面參考圖7說明本發明的另一膜形成裝置。在圖7 中，數字70 1表示傳送室，傳送室701提供有傳送機構（A )702並傳送基底703。傳送室701控制爲減壓氣氛並藉由各閘門連接到各處理室。當閘門打開時，藉由傳送機構（A )702進行將基底傳送到各室以及從各室接收基底。此外，爲了減少傳送室70 1中的壓力，可以使用排氣泵，例如乾泵、機械升壓泵、（磁浮型）渦輪分子泵或低溫抽氣泵，爲了産生高純度的高度真空狀態，較佳的，使用磁浮型渦輪分子栗。下面說明各處理室。順便提及，由於傳送室701處於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -50- 1286348 A7 B7 五、發明説明（47 ) (請先閲讀背面之注意事項ί寫本頁) 減壓氣氛，直接連接到傳送室701的處理室都配備有氣體放電泵（未示出）。對於排氣泵，可以使用上述乾泵、機械升壓泵、（磁浮型）渦輪分子泵或低溫抽氣泵，此時同樣較佳的，使用磁浮型渦輪分子泵。首先，數字704表示設置（放置）基底的裝載室。裝載室704藉由閘門700a連接到傳送室701，其上安放有基底703的載架（未示出）安裝在裝載室704中。裝載室704 也作爲將受到元件形成技術的基底傳送到密封室的傳送室。裝載室704包括用於送入基底和送出基底的不同空間。此外，裝載室704提供有上述氣體放電泵以及引入高純度氮氣或稀有氣體的淨化管線。氣體放電泵較佳的，使用渦輪分子泵，此外，淨化管線配備有氣體提純裝置，以預先從要引入裝置內的氣體中去除雜質（氧和水）。在本例中，對於基底703,使用其上的透明導電膜將成爲發光元件陽極的基底。在本例中，基底703放置在載架上，同時其上將形成膜的表面朝下。經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製而後，數字705表示對準室，進行金屬掩模的對準，並使受到形成發光元件的陽極或陰極（此時爲陽極）的基底與金屬掩模一致定位，對準室705藉由閘門700b連接到傳送室70 1。順便提及，每次形成不同的有機化合物膜時，在對準室中進行金屬掩模的對準以及基底與金屬掩模的一致定位。此外，在對準室705中’安裝稱爲影像感測器的 CCD (電荷耦合裝置），由此使用金屬掩模形成膜時，可以高精度地一致定位基底與金屬掩模。 -51 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（49 ) .功能特性區域的有機化合物膜：電洞注入特性、電洞傳送特性、發光特性、以及電子傳送特性β 膜形成室（A) 706藉由閘門700g連接到材料更換室 7 14。在材料更換室7Ϊ4中，安裝加熱更換的有機化合物的加熱器。藉由加熱有機化合物預先去除如水等的雜質。加熱時的溫度，較佳的，200 °C或以下。此外，由於材料更換室714提供有能夠保持內部壓力減小的氣體放電泵，有機化合物額外地由外部提供或交換然後加熱之後，內部保持在壓力減小狀態。當壓力減小到與膜形成室相同水平時，閘門700g打開將有機化合物提供到膜形成室內的沉積源。由此藉由傳送機構將有機化合物儲存在膜形成室中的沉積源中。對於膜形成室（A) 706中的膜形成技術，參考實施例 1和例1中對圖1的說明。順便提及，類似於對準室705，淸潔準備室722b藉由閘門（未示出）也連接到膜形成室（A) 7〇6。實際的結構與預淸潔準備室722a的相同，可以去除黏附到膜形成室（ A ) 706內部的有機化合物等。而後，數字70 8表示藉由沉積法形成第二有機化合物膜的膜形成室，稱做膜形成室（B )。膜形成室（B ) 708 藉由閘門700d連接到傳送室701。在本例中，形成具有圖 1所示結構的膜形成室作爲膜形成室（B ) 708。在本例中，在膜形成室（B) 70S中的膜形成部分709中，形成發綠光的有機化合物膜。 (請先閱讀背面之注意事項本育) •裝·

•-IT 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -53- 1286348 A7 B7 五、發明説明（5C)) 藉由連續地沉積有機化合物，可以形成包括具有以下功能特性區域的有機化合物膜：電洞傳送特性、發光特性、阻擋特性以及電子傳送特性。膜形成室（B) 70¾藉由閘門700h連接到材料更換室 715。在材料更換室715中，安裝加熱更換的有機化合物的加熱器。藉由加熱有機化合物預先去除如水等的雜質。加熱時的溫度，較佳的，200°C或以下。此外，由於材料更換室715提供有能夠保持內部壓力減小的氣體放電泵，有機化合物由外部引入之後，內部保持在壓力減小狀態。當壓力減小到與膜形成室相同水平時，閘門700h打開將有機化合物提供到膜形成室內的沉積源。由此藉由傳送機構等將有機化合物儲存在膜形成室中的沉積源中。對於膜形成室（B) 708中的膜形成技術，參考實施例 1和例1中對圖1的說明。順便提及，類似於對準室705，淸潔準備室722c藉由閘門（未示出）也連接到膜形成室（ B ) 708 〇而後，數字710表示藉由沉積法形成第三有機化合物膜的膜形成室，稱做膜形成室（C)。膜形成室（C)710 藉由閘門700e連接到傳送室70 1。在本例中，形成具有圖 1所示結構的膜形成室作爲膜形成室（C ) 7 1 0。在本例中，在膜形成室（C) 710中的膜形成部分711中，形成發藍光的有機化合物膜。藉由連續地沉積有機化合物，可以形成包括具有以下功能特性區域的有機化合物膜：電洞注入特性、發光特性 (請先閲讀背面之注意事項寫· 本頁) 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -54- 1286348 A7 B7 五、發明説明（51 ) 、阻擋特性以及電子傳送特性。膜形成室（C) 710藉由閘門700i連接到材料更換室 716 〇對於膜形成室（匕）710中的膜形成技術，參考實施例 1和例1中對圖1的說明。順便提及，類似於對準室7〇5，淸潔準備室722d藉由閘門（未示出）也連接到膜形成室（ C ) 710 〇而後，數字712表示藉由沉積法形成成爲發光元件的陽極或陰極（在本例中，金屬膜成爲陰極）的導電膜的膜形成室，稱做膜形成室（D)。膜形成室（D) 712藉由閘門7 00 f連接到傳送室701。在本例中，在膜形成室（D) 712的膜形成部分713中，形成成爲發光元件陰極的導電膜的A1 - Li合金膜（由鋁和鋰的合金膜）。順便提及，屬於元素周期表中I族或II族的元素可以和鋁共同沉積。膜形成室（D) 712藉由閘門700j連接到材料更換室 717。在材料更換室717中，安裝加熱更換的導電材料的加熱器。順便提及，類似於對準室705，淸潔準備室722e藉由閘門（未示出）也連接到膜形成室（D) 712。此外，加熱各膜形成室的加熱機構安裝在膜形成室（A )706、膜形成室（B) 708、膜形成室（C) 710以及膜形成室（D) 712的每一個中。由此可以去除各室中的一些雜質。此外，藉由氣體放電泵，膜形成室（A) 706、膜形成室（B) 708、膜形成室（C) 710以及膜形成室（D) 712 請先閲讀背面之注意事項寫本頁) •裝. 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ：297公釐） -55- 1286348 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明（58 ) 使用阻擋層作爲蝕刻終止層，選擇性地除去吸雜點’ 即，含氬非晶矽膜。然後，藉由稀釋的氟酸選擇性地去除阻擋層。吸雜期間鎳易於朝具有高濃度氧的區域移動，因此吸雜之後需要除去爲氧化膜的阻擋層。而後，使用臭氧水在得到的含晶體結構的矽膜（也稱做多晶矽膜）表面上形成薄氧化膜。然後形成抗蝕劑掩模，鈾刻矽膜形成相互隔開並具有需要形狀的島狀半導體層。形成半導體層之後，去除抗蝕劑掩模。藉由含有氟酸的蝕刻劑除去氧化膜，同時，淸洗矽膜的表面。然後，形成主要含矽的絕緣膜作爲閘極絕緣膜803 。這裏的閘極絕緣膜爲藉由電漿CVD形成的氮氧化矽膜（組分比：Si= 32%，0 = 59%，N = 7%，H = 2% )，厚度爲 1 1 5nm 〇而後，厚度爲20至lOOnm的第一導電膜和厚度爲100 至400nm的第二導電膜的疊層形成在閘極絕緣膜上。在本例中，厚度爲50nm的氮化鉅膜形成在閘極絕緣膜803上，然後厚度爲3 70nm的鎢膜設置其上。藉由以下的處理構圖導電膜以形成閘極電極和接線。第一導電膜和第二導電膜的導電材料爲選自由Ta、W 、Ti、Mo、A1和Cu組中的元素或主要含有以上元素的合金或化合物。第一導電膜和第二導電膜可以爲摻有磷或其他雜質元素的半導體膜，通常爲多晶矽膜，或者可以是 Ag- Pd - Cu合金膜。本發明不限於兩層結構導電膜。例如，可以使用依次疊置的50nm厚的鎢膜、500nm厚的鋁-矽 (請先閲讀背面之注意事項再本頁 .裝

、1T 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -62- 1286348 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（64) 幾次蝕刻處理。此外，在本例中，使用第二中間層絕緣膜作爲蝕刻終止層，以蝕刻第三中間層絕緣膜，然後第一中間層絕緣膜用做蝕刻終止層以蝕刻第二中間層絕緣膜，然後蝕刻第一中間層絕緣~膜。此後，由Al、Ti、Mo或W形成電極83 5到841，具體爲源線、電源線、引出電極、連接電極等。這裏，藉由構圖Ti膜（厚度lOOnm)、含矽的A1膜（厚度3 50nm)、以及另一 Ti膜（厚度50nm)的疊層得到電極和接線。根據需要形成源電極、源線、連接電極、引出電極、電源線等。接觸覆蓋有中間層絕緣膜的閘極接線的引出電極提供在閘極接線的端部，其他接線的端部也具有連接到外部電路和外部電源的多個電極的輸入/輸出端部。提供連接電極 841以接觸並與圖素電極834重疊，已形成的圖素電極834 接觸電流控制TFT904的汲區。以上面說明的方式形成驅動電路902,驅動電路902具有η通道TFT905和p通道TFT906互補地組合的CMOS電路以及分別具有η通道TFT903或p通道TFT904的多個圖素的圖素部分901 ^ 而後，稱做築堤的絕緣體842a和843b形成在圖素電極834的每一端以覆蓋圖素電極834的每一端。築堤842a 和843b由含矽或樹脂膜的絕緣膜形成。在本例中，藉由構圖由有機樹脂膜製成的絕緣膜形成築堤842a，藉由濺射形成氮化矽膜，藉由構圖形成築堤842b。接著，在其端部由築堤覆蓋的圖素電極834上形成請先閲讀背面之注意事項再本 •裝· 頁) 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -68- 1286348 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明（65 ) OLED的EL層843和陰極844。在本例中，藉由實施例！中所示的沉積裝置蒸發OLED的EL層843和陰極844。蒸發方法根據實施例1或例1。藉由在真空中進行蒸發同時加熱基底形成高密度和高'純度的EL層。 EL層843 (用於光發射和移動載子以産生光發射的層 )具有發光層以及電荷傳送層與電荷注入層的自由組合。例如，使用低分子量有機EL材料或高分子量有機EL材料用於形成EL層。EL層可以是由藉由單重態激發（熒光）發光的發光材料（單態化合物）形成的薄膜或由藉由三重態激發（磷光）發光的發光材料（三重態化合物）形成的薄膜。可以使用如碳化矽等的無機材料作爲電荷傳送層和電荷注入層。可以使用已知的有機EL材料和無機材料。陰極844的材料，較佳的，爲具有小功函數的金屬（通常，屬於元素周期表中1或2族的金屬元素）或這些金屬的合金隨著功函數變小，發光效率提高。因此，特別較佳的，含爲一種鹼金屬的Li (鋰）的合金材料作爲陰極材料。陰極也作爲所有圖素共同線，並且具有穿過連接線的輸入端部分中的端電極。到目前爲止的步驟完成的狀態顯示在圖8中。雖然用於OLED (電流控制TFT )的開關TFT903和電流提供TFT 顯示在圖8中，但不用說不限於此，由多個TFT形成的各種電路可以提供在TFT的閘極電極端部。而後，較佳的，由有機樹脂、保護膜、密封基底、或密封容器密封至少具有陰極、有機化合物層以及陽極的 (請先聞讀背面之注意事項再本頁) 裝. 訂線本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -69- 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（66) OLED，以使OLED完全與外部隔離，並防止如濕氣和氧等外部物質滲透，由於EL層氧化而加速退化。此外，不需要在以後將連接FPC的輸入/輸出端部分中提供保護膜等。使用各向異性導鼋材料將FPC (柔性印刷電路）附著到輸入/輸出端部分的電極。各向異性導電材料由樹脂以及表面覆有Au等且直徑爲幾十到幾百//m的導電顆粒組成。導電顆粒將輸入/輸出端部分的電極與FPC中形成的接線電連接。如果需要，可以提供如極化板組成的圓形極化板和相差板等的光學薄膜，並且可以安裝1C晶片。藉由以上步驟，完成了將連接FPC的模組型發光裝置〇本例可以與實施例1和2以及例1到4自由組合。例6 於此顯示例5所得到的模組型發光裝置（也稱做EL模組）的俯視圖和剖面圖。圖9A爲EL模組的俯視圖，圖9B爲沿圖9A的線A-A’截取的剖面圖。圖9A顯示底絕緣膜401形成在結合構件 4〇〇 (例如第二結合構件等）上，圖素部分402、源極側驅動電路404、以及閘極側驅動電路403形成其上。可以根據上述例5得到這些圖素部分和驅動電路。參考數字418爲有機樹脂，419爲保護膜。圖素部分和驅動電路部分由有機樹脂418覆蓋，有機樹脂418由保護請先閲讀背面之注意事項再β本頁) -裝· 、1Τ 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -70- 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（67) 膜419覆蓋。此外，有機樹脂可以使用結合構件由覆蓋材料密封。在進行剝離之前，可以黏附覆蓋材料作爲支撐介質。此外，參考數字、表示傳送將被輸入到源極側驅動電路404以及閘極側驅動電路403的訊號的接線，它接收將來自變爲外部輸入端的FPC (柔性印刷電路）409的視頻訊號和時鐘訊號。這裏圖中僅顯示FPC，但印刷接線板（ PWB )可以附加到該FPC。假設本說明書中的發光裝置不僅包含發光裝置自身，也包含附有FPC或PWB的狀態。下面說明圖9Β所示的剖面結構。底絕緣膜401形成在結合構件400上。形成與絕緣膜401接觸的圖素部分402 和閘極驅動電路403。圖素部分402由電流控制TFT411和包括電連接到電流控制TFT4 11汲極的圖素電極412的多個圖素組成。此外，藉由使用與η通道TFT413和ρ通道 TFT414結合的CMOS電路形成閘極驅動電路403。根據例5的η通道TFT和例5的ρ通道TFT可以製造 TFT (包括411、413以及414)。雖然在圖9中僅顯示用於OLED的電流源TFT (電流控制TFT411)，但不用說不限於此，由多個TFT形成的各種電路可以提供在TFT閘極電極的端部。圖素部分402、源極側驅動電路404、以及閘極側驅動電路403形成在根據例5的同一基底上。圖素電極412作爲發光元件（OLED )的陰極。築堤 415形成在圖素電極412的兩個端部。發光元件的有機化合 (請先閲讀背面之注意事項再jpl本貫) •裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -71 - 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（68) 物層416和陽極417形成在圖素電極412上。對於有機化合物層416，應該理解可以藉由自由地結合發光層、電荷傳送層或電荷注入層形成有機化合物層（用於進行光發射以及由此載子移動的層）。陽極417作爲所有圖素的共同線，並藉由連接線408 電連接到FPC409。此外，包含在圖素部分402和閘極側驅動電路403中的元件都由陽極417、有機樹脂418以及保護膜4 1 9覆蓋。此外，對於有機樹脂418，較佳的，使用盡可能透過可見光的透明或半透明材料。此外，較佳的，有機樹脂418 爲盡可能不透過如濕氣和氧等雜質的材料。此外，較佳的，發光元件完全由有機樹脂418覆蓋之後，保護膜419至少形成在有機樹脂418的表面（露出表面）上，如圖7A和7B所示。保護膜形成在包括基底背面的整個表面上。此時，需要仔細形成保護膜，以便在提供外部輸入端（FPC )的位置處不形成保護膜部分。使用掩模以防止在該位置形成保護膜。外部輸入端部分可以由如 Teflon (注冊商標）製成的帶覆蓋，該帶可用做CVD裝置中防止形成保護膜的掩蔽帶。氮化矽膜、DLC膜或AINxOy 膜可以用做保護膜4 1 9。按以上構成的發光元件用保護膜419封閉，以將發光元件與外部完全隔離，由此防止藉由氧化加速有機化合物退化的如水和氧等材料從外部進入。由此，提高了發光裝置的可靠性。藉由使用圖5到7所示的裝置可以進行從沉 (請先閲讀背面之注意事項再本百) 裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -72- 1286348 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製五、發明説明（的）積到密封EL層的步驟。圖素電極用做陽極並且有機化合物層和陰極製成疊層以在與圖9中所示相反方向中發光的另一佈局也是可行的。圖10顯示這種佈茼的一個例子。它的俯視圖與圖9中所示的俯視圖相同，因此省略了說明。下面說明圖7的剖面圖中的結構。絕緣膜610形成在基底600上，圖素部分602和閘極側驅動電路603形成在絕緣膜6 1 0上。由包括電流控制TFT6 1 1和電連接到電流控制TFT611汲極的圖素電極的多個圖素形成圖素部分602。藉由使用具有η通道TFT613和p通道TFT614結合的 CMOS電路形成閘極驅動電路603。與例5的η通道TFT和例5的p通道TFT相同的方式可製造這些TFT (611、613、614等）。雖然在圖1〇中僅顯示用於OLED的電流源TFT (電流控制TFT41 1 )，但不用說不限於此，由多個TFT形成的各種電路可以提供在 TFT閘極電極的端部。圖素電極612當成發光元件（OLED )的陽極。築堤 615形成在圖素電極612的相對的端部，發光元件的有機化合物層616和陽極617形成在圖素電極612上。陽極617也用作連接到所有圖素的共同線元件，並藉由連接接線608電連接到FPC609。此外，包含在圖素部分 602和閘極側驅動電路603中所有的元件都由陽極617、有機樹脂618以及保護膜619覆蓋。藉由黏結劑將覆蓋構件 62〇黏結到元件層。在覆蓋構件中形成凹槽，乾燥劑621設 (請先閲讀背面之注意事項再本頁 .裝訂線本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格< 210X297公釐） -73- 1286348 A7 B7 五、發明説明（7(3 ) 置其中。在圖10所示的佈局中，圖素電極當成陰極，同時有機化合物層和陽極疊置形成，由此沿圖10所示的箭頭方向發光。 … 雖然藉由例子說明頂閘型TFT，但只要是TFT結構都可以適用本發明。例如，本發明可以適用於底閘型（倒置交錯結構）TFT和交錯結構的TFT。本例可以與實施例1、實施例2、例1到5自由組合。例7 藉由實施本發明，可以實現EL模組（主動矩陣液晶模組、主動矩陣EL模組和主動矩陣EC模組）。即，藉由實施本發明，實現了建構在所有電子設備中的各種模組。以下說明這種電子設備：視頻相機、數位相機、頭戴顯示器（護目鏡型顯示器）、汽車導航系統、汽車身歷聲系統、個人電腦、攜帶型資訊終端（移動電腦、行動電話或電子書等）等。在圖11和12中顯示這些例子。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖11A是個人電腦，包括：主體2001、影像輸入部分 2002、顯示部分2003和鍵盤2004等。圖11B是視頻相機，包括：主體2101、顯示部分2102 、聲音輸入部分2103、操作開關2104、電池2105和影像接收部分2106等。圖11C是移動電腦，包括：主體2201、相機部分2202 、影像接收部分2203、操作開關2204和顯示部分2205等本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -74- 1286348 A7 B7 緩濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（71) 〇圖11D是護目鏡型顯示器，包括：主體23 01、顯示部分2302和鏡臂部分2303等。圖11E是採用記錄媒體記錄節目（以下稱作記錄媒體 )的播放器，包括：主體2401、顯示部分2402、揚聲器部分2403、記錄媒體2404和操作開關2405等。該裝置採用 DVD (數位通用光碟）、CD等作爲記錄媒體，並能進行音樂欣賞、電影欣賞、遊戲和用於上網。圖11F是數位相機，包括：主體250 1、顯示部分25 02 、取景器25 03、操作開關2504和影像接收部分（未在圖中示出）等。圖12A是行動電話，包括主體2901、聲音輸出部分 2902、聲音輸入部分2903、顯示部分2904、操作開關2905 、天線2906和影像輸入部分（CCD、影像感測器等）2907 圖12B是攜帶書（電子書），包括：主體300 1、顯示部分3002和3003、記錄媒體30 04、操作開關3005和天線 3006 等。圖12C是顯不器，包括：主體3101、支撐部分3102 和顯示部分3103等。此外，在圖12C中的顯示器具有小的、中等尺寸或大尺寸的螢幕，例如5到20英寸。另外，爲了製造這種尺寸的顯示構件，較佳的，採用一側爲一米的基底藉由成套印刷來大量生産。如上所述，本發明的適用範圍極其廣泛，並且本發明 (請先閲讀背面之注意事項再 —裝-- 本ί

-、tT 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -75- 1286348 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（72 ) 可用於各種領域的電子設備。注意，本例中的這些電子設備可藉由利用實施例1到3中的構造以及例1到6的任何組合來實現。例8 在本例中說明了一種新穎的膜製造方法。對於物理膜形成方法的一個典型例子，現已知在真空下由真空源蒸發材料形成膜的真空蒸發。此外，對於化學膜形成方法的典型例子，現已知在基底表面或汽相中藉由化學反應形成膜的C VD (化學汽相沉積）。本例提供了新穎的膜形成方法。即，當在膜形成室中由蒸發源蒸發有機化合物材料時，流動包括小於有機化合物材料顆粒的材料作爲組分的少量的材料氣體，以將小原子半徑材料包含在有機化合物膜中^ 對於小原子半徑材料氣體，可以使用選自以下一種或多種：矽烷族氣體（甲矽烷、乙矽烷以及丙矽烷）、SiF4、 GeH4、GeF4、SnH4以及碳氫化合物族氣體（CH4、C2H2、 C2H4以及C6H6 )。將氣體引入到裝置內之前，藉由氣體淨化器高度提純氣體。因此，需要提供氣體淨化器以便高度提純氣體之後，氣體引入到蒸發裝置內。由此，可以預先去除含在氣體中的氧、水和其他雜質。因此，可以防止這些雜質引入到裝置內。例如’當甲矽烷氣體以幾sccm引入到其內藉由蒸發沉積有機材料的膜形成室內時，在膜形成室內漂浮的SiH4進 (請先閲讀背面之注意事項再H本頁) -裝·

*1T 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -76- 1286348 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（73 ) 入藉由沉積由蒸發源蒸發的有機材料在基底上形成的薄膜內。然後，小原子半徑SiH4以原樣或5丨1^嵌入在要含在膜中的較大顆粒半徑有機材料分子之間。蒸發期間，蒸發源加熱到l〇〇°C。由於申矽烷具有約55(TC的分解溫度，因此它不會分解。根據要蒸發的有機材料，它與SiH4或51仏反應形成化合物。此外，由於少量殘留在膜形成室中的氧（或濕氣）被捕獲形成SiOx，因此可以減少膜形成室以及膜中爲退化有機材料的一個因素的氧（或濕氣）。由此，可以提高發光元件的可靠性。當膜中的有機材料分子之間存在間隔時，氧容易進入間隔引起退化。由於該間隔被掩蓋，因此藉由使用SiF4、 GeH4、GeF4、SnH4以及碳氫化合物族氣體（CH4、C2H2、 C2H4以及C6H6)可以提高發光元件的可靠性。對於以上的有機材料，可以列舉：α-NPD ( 4,4’ 一二[N 一（1 一萘基）一 N-苯基一氨基]一聯苯）、：BCP (浴銅靈 )、MTDATA (4,4’4” 一三（N — 3- 甲苯基一 N—苯基一氨基）三苯胺、Alq3 (三（8 -羥基哇啉）鋁（tris-8-quinolinorathoalumium)衍生物）〇當藉由共同蒸發形成圖4所示的混合區域時，或當沉積功能區（具有電子傳送功能）時，本例很有效。由此，可以提高發光元件的可靠性。膜形成室的真空度爲1(Γ8到lf^Pa，較佳的，1〇-7到 l(T2Pa。提供乾泵、低溫抽氣泵或磁浮型渦輪分子泵用做與膜形成室相連的真空蒸發處理室。此外，當膜形成室的內 (請先閲讀背面之注意事項再 -裝-1^本頁) 訂線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -77- 1286348 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明（76 ) 1 504 〇此外，只要電漿不對含有機化合物的膜産生損傷，那麽可産生電漿。可以在藉由電容器15 00b與高頻電源15 00a 相連的蒸發掩模1 502a_與電極1 502b之間産生電漿。此外，除了甲矽烷還可以引入磷化氫氣體。此外，代替甲矽烷，可以使用AsH3、B2H2、BF4、H2Te、 Cd ( CH3 ) 2、Zn ( CH3 ) 2、（ CH3 ) 3In、H2Se、BeH2、三甲基鎵或三乙基鎵。本例可以與實施例1到3以及例1到7任何之一自由組合。根據本發明，在真空中加熱基底的同時進行沉積和形成具有所希望厚度的膜，從而可形成高密度和高純度的有機化合物層。此外，根據本發明，在真空中加熱基底的同時進行多次沉積，從而在各相鄰層之間的分子配合得更好。特別的，在形成混合區的情況下，在混合區中的分子配合得更好。因此，可以進一步降低驅動電壓並可抑制亮度退化。此外，根據本發明，在單個膜形成室中，可以在膜形成之前在真空中進行退火，在膜形成期間在真空中退火，在膜形成之後在真空中退火，從而提高生産能力。此外，根據本發明，黏附在膜形成裝置中安裝的夾具上和膜形成裝置內壁上的沉積材料可以被去掉而不將它們暴露在大氣中。 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) •裝· 訂線- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -80- 1286348 A7 B7 五、發明説明（77) 圖式簡單說明圖1顯示本發明的膜形成裝置（實施例1)。圖2A和2B顯示本發明的流程圖（實施例1)。圖3顯示本發明的‘膜形成裝置（實施例2)。圖4A和4B顯示由本發明的膜形成裝置製備的元件結構圖（例1 )。圖5A和5B顯示本發明的膜形成裝置圖（例2)。圖6顯示說明本發明的膜形成裝置圖（例3)。圖7顯示說明本發明的膜形成裝置圖（例4)。圖8顯示說明本發明的發光裝置圖。圖9A和9B顯示本發明的發光裝置圖。圖10顯示本發明的發光裝置圖。圖11A到11F顯示電子裝置的一個例子的圖。圖12A到12C顯示電子裝置的一個例子的圖。圖13顯示本發明的膜形成裝置（實施例3)。圖14A和14B顯示沉積掩模的放大剖面圖。圖1 5顯示本發明中膜形成裝置的剖面圖的一個例子。 ί請先閲讀背面之注意經濟部智慧財產局8工消費合作社印製主要元件對照表 10 基底 11 加熱器 12a 金屬掩模 12b 支架 13 膜形成室本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 A7 B7 五、發明説明（78 ) 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 14 電加熱線 15 防沉積遮護板 16a- 16c 沉積源支架 17 有機化合物 18 材料室 19 快門 20 掃描機構 22 淸潔準備室 23 雷射 24 光學系統 25 第二快門 3 1 加熱部 32a 金屬掩模 33 膜形成室 34 電加熱線 35 防沉積遮護板 36 沉積源支架 37 有機化合物 38 材料室 39 第一快門 5 1 第一閥 52 渦輪分子泵 53 第二閥 54 第三閥 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) —裝· 太線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •82- 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（79 55 210 21 1 212 213 214 220 221 222 223 300 301 302 303 304 305 306 307 308 309 3 10 3 11 3 11 3 12 乾燥第一功能區第一混合區第土功能區第二混合區第三功能區第一功能區第一混合區第二功能區第二混合區裝載室第一傳送室支架金屬掩模基底第一膜形成室沉積源第二傳送室第二膜形成室第三傳送室第三膜形成室卸載室 η型導電區退火室 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) -裝·

-、1T -線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -83- 1286348 A7 B7 五、發明説明（80) 3 12 400 401 402 403 404 408 409 41 1 412 413 414 415 416 417 418 418 419 419 500 501 第二雜質區結合構件底絕緣膜圖秦部份閘極側驅動電路源極側驅動電路接線 FPC 電流控制TFT 圖素電極 η通道TFT P通道TFT 築堤有機化合物層陽極有機樹脂有機樹脂保護膜保護膜排氣系統裝載室 (請先閲讀背面之注意事項再本頁) .裝. 訂線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502 對準室 503 沉積室 506 對準室本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -84- 1286348 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（81) 507 508 509 510 5 11 5 12 513 600 602 603 608 609 610 61 1 612 613 614 615 616 617 618 619 620 621 沉積室對準室沉積室沉積室密封室卸載室預淸潔室基底圖素部份閘極側驅動電路連接接線 FPC 絕緣膜電流控制TFT 圖素電極 η通道TFT p通道TFT 築堤有機化合物層陽極有機樹脂保護膜覆蓋構件乾燥劑請先閲讀背面之注意事項再本 -裝. 頁) 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -85- 1286348 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 A7 B7 、發明説明（82) 700a，70 0g，700h，700d，700e，700f，70 0j，711k，70 0i 701 傳送室 702 傳送機構（A ) 703 基E 704 裝載室 705 對準室 706 膜形成室（A) 707 膜形成部份 708 膜形成室（B) 709 膜形成部份 710 膜形成室（C ) 71 1 膜形成部份 712 膜形成室（D ) 713 膜形成部份 714 材料更換室 715 材料更換室 716 材料更換室 717 材料更換室 718 密封室 719 LV照射機構 720 傳遞室 721 傳送機構（B ) 722a，722b，722c，722d，722e 預淸潔室 800 基底閘門 (請先閲讀背面之注意事項再1¾本頁) .裝- ,ιτ 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -86- 1286348 A7 B7 五、發明説明（83 ) 801 802 803 804a 804b 805,807 808 809 809a 809b 8 1 6,8 1 7,830,83 1 8 1 8,8 1 9,832,83 3 834 835-841 842a，843b 843 844 901 902 903 904 905 906 1 300a 下層上層閘極絕緣膜第_一導電層第二導電層接線第一中間層絕緣膜第二中間層絕緣膜丙烯酸樹脂膜氮化矽膜第五雜質區第四雜質區圖素電極電極築堤 EL層陰極圖素部份驅動電路開關TFT 電流控制TFT η通道TFT P通道TFT 高頻電源請先閲讀背面之注意事項再本頁 -裝訂線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -87- 1286348 A7 B7 五、發明説明（84) 經濟部智慈財產局Μ工消費合作社印製 1 300b 電容器 1301 電漿 1 302a 沉積掩模 1 302b 電極 1303 膜形成室 1304 電加熱線 1305 防沉積遮護板 1306 沉積源支架 1307 有機化合物 1308 材料室 1 500a 高頻電源 1 500b 電容器 1501 基底 1 502a 蒸發掩模 1 502b 電極 1503 膜形成室 1505 防黏附遮罩板 1506 蒸發源支架 1507 有機化合物 1508 材料室 1509 第一快門 1519 第二快門 200 1 主體 2002 影像輸入部份 (請先閲讀背面之注意事項再 —裝-- 本 ί 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -88- 1286348 A7 B7 五、發明説明（85) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2003 顯示部份 2004 鍵盤 2101 主體 2102 顯芜部份 2103 聲音輸入部份 2104 操作開關 2105 電池 2106 影像接收部份 2201 主體 2202 相機部份 2203 影像接收部份 2204 操作開關 2205 顯示部份 2301 主體 2302 顯示部份 2303 鏡臂部份 2401 主體 2402 顯示部份 2403 揚聲器部份 2404 記錄媒體 2405 操作開關 2501 主體 2502 顯示部份 2503 取景器 (請先閲讀背面之注意事' 項再»本頁裝- 、11 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -89- 1286348 A7 B7 五、發明説明（86 2504 2901 2902 2903 2904 2905 2906 2907 300 1 3 004 3005 3006 3 101 3 102 3 103 3002,3003 操作開關主體聲音輸出部份聲备輸入部份顯示部份操作開關天線影像輸入部份主體記錄媒體操作開關天線主體支撐部份顯示部份顯示部份 ---------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再本頁) 訂線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -90-

Claims

六、申請專利範圍第9 1 1 36004號專利申請案中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國96年5月31日修正 1 . 一種膜形成裝置，用於藉由從提供在基底對面的沉積源沉積有機化合物材料在基底上形成膜，該膜形成裝置包含：將該基底安放其內的膜形成室；在該膜形成室中提供的沉積源；在該膜形成室中提供用於加熱沉積源的裝置；在該膜形成室中提供用於加熱掩模的加熱裝置；以及用於將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室，其中膜形成室與真空氣體放電處理室相連接。 2. 如申請專利範圍第1項之膜形成裝置，其中該膜形成室保持1 xl〇_3Toi*r或更低壓力的真空度。 3. 如申請專利範圍第1項之膜形成裝置，其中提供多個沉積源，並包含分別具有不同功能的有機化合物，並且同時沉積至少兩種類型的有機化合物。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 .如申請專利範圍第1項之膜形成裝置’其中控制δ亥基底的溫度Ti低於該沉積源的溫度τ3。 5 .如申請專利範圍第1項之膜形成裝置，其中該基底的溫度T i控制在5 0到2 0 0 °C的範圍內。 6. —種膜形成裝置，用於藉由從提供在基底對面的沉積源沉積有機化合物材料在基底上形成膜，該膜形成裝置包含：本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1286348 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍將該基底安放其內的膜形成室； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 在該膜形成室中提供的防止黏附裝置，以防止在內壁上形成膜；在該膜形成室中提供用於加熱防止黏附裝置的加熱裝置；在該膜形成室中提供的沉積源；在該膜形成室中提供用於加熱沉積源的裝置；在該膜形成室中提供用於加熱掩模的加熱裝置；以及用於將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室，其中膜形成室與該真空氣體放電處理室相連接。 7. 如申請專利範圍第6項之膜形成裝置，其中該膜形成室保持1 χ1(Τ3Τ〇ι*ι·或更低壓力的真空度。 8. 如申請專利範圍第6項之膜形成裝置，其中提供多個沉積源，並包含分別具有不同功能的有機化合物，並且同時沉積至少兩種類型的有機化合物。 9. 如申請專利範圍第6項之膜形成裝置’其中控制該基底的溫度低於該沉積源的溫度Τ3。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10. 如申請專利範圍第6項之膜形成裝置，其中該基底的溫度h控制在50到200°C的範圍內。 11. 如申請專利範圍第6項之膜形成裝置，其中控制該基底的溫度低於該防止黏附裝置的溫度T2至少i〇°C ，並且控制該防止黏附裝置的溫度Τ2低於該沉積源的溫度 Τ3 〇 12. —種膜形成裝置，包含：本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） -2- 1286348 Α8 Β8 C8 D8 #、申請專利範圍裝載室；傳送室；以及 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 相互串聯連接的膜形成室，其中該膜形成室具有使掩模和基底的定位一致的功能 ’該膜形成室與用於將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室相連接，並包括用於防止在內壁中形成膜的防止黏附裝置、加熱防止黏附裝置的加熱裝置、沉積源、加熱沉積源的裝置以及加熱掩模的加熱裝置。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中該膜形成室保持1 xl(T3T〇rr或更低壓力的真空度。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中提供多個沉積源，並包含分別具有不同功能的有機化合物，並且同時沉積至少兩種類型的有機化合物。 1 5 ·如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中控制該基底的溫度h低於該沉積源的溫度T3。 I6,如申請專利範圍第I2項之膜形成裝置，其中該基底的溫度h控制在50到200 °C的範圍內。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 .如申請專利範圍第1 2項之膜形成裝置，其中控制該基底的溫度h低於該防止黏附裝置的溫度T2至少1(TC ，並且控制該防止黏附裝置的溫度T2低於該沉積源的溫度 τ3。 18. —種膜形成裝置，包含：裝載室；與該裝載室相連接的傳送室；以及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -3- 1286348 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍與該傳送室相連接的膜形成室， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該傳送室具有使掩模和基底的定位一致的功能，並且該膜形成室與用於將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室相連接，且該的膜形成室包括防止在內壁中形成膜的防止黏附裝置、加熱防止黏附裝置的加熱裝置、沉積源、加熱沉積源的裝置以及加熱掩模的加熱裝置。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之膜形成裝置，其中該膜形成室保持1 xl (Γ3Torr或更低壓力的真空度。 20·如申請專利範圍第18項之膜形成裝置，其中提烘多個沉積源，並包含分別具有不同功能的有機化合物，並且同時沉積至少兩種類型的有機化合物。 2 1 .如申請專利範圍第1 8項之膜形成裝置，其中控制該基底的溫度h低於該沉積源的溫度T3。 22.如申請專利範圍第18項之膜形成裝置，其中該基底的溫度h控制在50到200 °C的範圍內。 23 ·如申請專利範圍第1 8項之膜形成裝置，其中控制該基底的溫度ΤΠ低於該防止黏附裝置的溫度T2至少10。(：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製，並且控制該防止黏附裝置的溫度Τ 2低於該沉積源的溫度 Τ” 24. —種膜形成裝置，用於藉由從提供在基底對面的沉積源沉積有機化合物材料在基底上形成膜，該膜形成裝置包含：將該基底安放其內的膜形成室，在該膜形成室中提供的沉積源；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -4- 1286348 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍在該膜形成室中提供用於加熱沉積源的裝置；在該膜形成室中提供用於加熱基底的加熱裝置； (請先閱·«背面之注意事項再填寫本頁) 在該膜形成室中提供的掩模；在該膜形成室中提供的電極，並與掩模相對；以及用於將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室，其中膜形成室與該真空氣體放電處理室相連接，並在膜形成室中産生電漿。 25. 如申請專利範圍第24項之膜形成裝置，其中該掩模由導電材料製成，並且該掩模和該電極中的任一個與高頻功率源相連。 26. —種膜形成裝置，用於藉由從提供在基底對面的沉積源沉積有機化合物材料在基底上形成膜，該膜形成裝置包含：將該基底安放其內的膜形成室；在該膜形成室中提供的沉積源；在該膜形成室中提供用於加熱沉積源的裝置；經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在該膜形成室中提供用於加熱基底的加熱裝置；以及用於將膜形成室抽真空的真空氣體放電處理室，其中膜形成室與真空氣體放電處理室以及將雷射照射到該處理室內壁的清潔準備室相連接。 27. 如申請專利範圍第26項之膜形成裝置，其中藉由使用電流鏡掃描該雷射光束。 28. —種膜形成方法，用於在提供在膜形成室中的基底上沉積有機化合物；其中該膜形成室保持5xlO_3T〇rr或本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 1286348 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍更低壓力的高真空度，並且在藉由放置在基底對面的沉積源在基底上沉積有機化合物材料以形成膜的情況下，同時加熱該基底以減少膜中的氣體。 2 9.如申請專利範圍第2 8項之膜形成方法，其中該基底的溫度T !控制在5 0到2 0 0 °C的範圍內。 30. —種膜形成方法，用於在提供在膜形成室中的基底上沉積有機化合物；其中該膜形成室保持5xl(T3Torr或更低壓力的高真空度，在藉由放置在基底對面的沉積源在基底上沉積有機化合物材料以形成膜之後，使真空度比膜形成期間更高’同時該基底與空氣隔離並加熱該基底以減少膜中的氣體。 3 1 .如申請專利範圍第3 〇項之膜形成方法，其中藉由保持真空度比膜形成期間更高來減少膜中的氣體並且加熱該基底的處理在與用於形成膜的室相同的膜形成室中進行〇 3 2 .如申請專利範圍第3 〇項之膜形成方法，其中藉由保持真空度比膜形成期間更高來減少膜中的氣體並且加熱該基底的處理在不同於形成膜的室的處理室中進行。 3 3 .如申請專利範圍第3 0項之膜形成方法，其中在膜形成期間’同時加熱該基底以減少膜中的氣體。 3 4. —種膜形成方法，用於在提供在膜形成室中的基底上沉積有機化合物；其中在基底上形成第一有機化合物層之後，該膜形成室保持5 xlO·3 Torr或更低壓力的高真空度’並且在藉由放置在基底對面的沉積源在基底上沉積有本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6 - 1286348 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍機化合物材料以在該第一有機化合物層上形成第二有機化合物層的膜形成之前，加熱該基底以減少在第一有機化合物層中的氣體。 3 5. —種清潔方法，用來去除黏附到提供有沉積源的膜形成室的有機化合物，該方法包含：藉由在膜形成室中産生電漿清潔掩模或內壁或者防止在內壁上形成膜的防黏附裝置。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之清潔方法，其中該電獎在該掩模和電極之間産生，電極設置在該掩模和該@胃@ 之間。 3 7 ·如申請專利範圍第3 5項之清潔方法，其中胃亥電n 藉由激發選自Ar、Η、F、NF3和0的一種或多種氣體産生 (請先閱·#背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -7-