TWI280543B - Transistor circuit, pixel circuit, display device, and drive method thereof - Google Patents
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1280543 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於積體形成於基板上之薄膜電晶體所構成之 電晶體電路。又,關於電晶體電路之一型態之像素電路。 另外,關於將此像素電路排列成矩陣狀之顯示裝置。此主 動矩陣型顯示裝置例如包含液晶顯示器及有機EL_示器等 平面顯示面板。 【先前技術】 場效型電晶體之一種之薄膜電晶體係以成膜於玻璃等之 絕緣性基板上之非晶質^❹晶賴作為元件區域者。近 年來,此薄膜電晶體之開發作為主動輯型顯示裝置之像 素開關之風氣極為盛行。薄膜電晶體具㈣極、源極及没 極’依照施加至閘極之電壓’將電流通至源極/汲極間。薄 膜電晶體在飽和區域執行動作時,㈣電流ids可由以下之 電晶體特性式算出: 丄 aS = (1/2)wW/L)c〇x(VgsVth)2 在此,Vgs係表示以源極為基準之閘極電·,v_表 臨限值電壓,C〇X表示閑極電容,w表示通道寬,如: 道長1係表示半導體薄膜之移動度。由此電晶體特性 °士去’'"冑膜電晶體之閘極電壓Vgs超過臨限值電壓v 扦,會變成流通汲極電流Ids之構造。 將幾個薄膜電晶體連接時,可 φ 冓成赉揮特疋功能之電, 體电路。一般,電晶體電路 曰 伸由形成於基板之複數薄膜' 連接於各m閘極、源極或汲極以執行特定j 96535.doc 1280543 作之配線所構成。作為此種電晶體電路之典型例,可列舉 像素電路。像素電路係分別形成於列狀之掃描線與行狀之 信號線交叉之部分,整體上構成主動矩陣型顯示裝置。像 素電路係在被掃描線選擇時執行動作,由信號線抽樣影像 信號,驅動有機EL發光元件等負載元件。以此種薄膜電晶 體作為主動元件之主動矩陣型有機E L顯示裝置曾揭示於例 如專利文獻1。 [專利文獻]曰本特開平8_234683號公報 【發明内容】. 由上述電晶體特性式可以明悉:在飽和區域中,薄膜電 晶體在閘極電壓超過臨限值電壓時會成為"開,,而使汲極電 流流動,另一方面,閘極電壓低於臨限值電壓時電流會被 截止。但,薄膜電晶體之臨限值電壓vth未必一定,而會隨 著時間變動。此臨限值電壓之變動會使截止動作發I混 亂,而有造成電晶體電路之誤動作之問題。又,由上述電 晶體特性式可以明悉:即使閘極電壓一定,臨限值電壓一 變動,汲極電流也會發生變動。在電流驅動發光元件之像 素電路之情形,臨限值電壓之變動會導致汲極電流之變 動’進而有出現發光元件之亮度之劣化之問題。 有鑒於上述先前技術之問題,本發明之目的在於提供自 備有修正薄膜電晶體之臨限值電壓之變動之功能之電晶體 電路、像素電路、顯示裝置及其等之驅動方法。為達成此 目的,採取以下之手段。即,本發明之電晶體電路之特徵 在於:其係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、連接於各 96535.doc 1280543 電薄膜晶體之閘極、源極或汲極以執行特定動作之配線 者;且含有薄膜電晶體,其係在動作中,至少經由i個配線 反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者;並含 有反向偏壓施加手段,其係在不造成該動作之妨礙之時 間,,反向偏《施加至該薄膜電晶體之閘極與源極間以抑 制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 一最好電晶體電路係包含並聯連接於該薄膜電晶體之追加 薄膜電晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加薄膜電晶 體,以創造上述不造成動作之妨礙之時間之補足手段;前 述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間,將反向偏壓施 加至該薄膜電晶體者。例如,該薄膜電晶體係⑽道型或p 通道3L,兩述追加薄膜電晶體亦係同樣之^^通道型或p通道 型,前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈 衝,、有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘 極。或者,該薄膜電晶體係N通道型或P通道型,前述追加 薄膜電晶體係相反之p通道型_通道型,冑述補足手段係 將與施加至該薄膜冑晶體之間極之脈衝具有同相之關係之 脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。 又,本發明之像素電路之特徵在於其係配置於列狀之掃 描線與行狀之掃描線之各交又部,被該掃描線選擇時,由 该信號線抽樣信號,且依照所抽樣之信號驅動負載元件 者;包含薄膜電晶體,其係由形成於基板之複數薄膜電晶 體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線所構 成,負载70件冬驅動中至少經由丨個配線反覆地或持續地將 96535.doc 1280543 f向偏壓施加至閘極與源極間者;且包含反向偏壓施加手 段,其係在不造成負載元件之驅動之妨礙之時間,將反向 偏堡施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間,以抑制該薄 膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 兩最好像素電路係包含並聯連接該薄膜電晶體之追加薄膜 电晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加薄臈電晶體, 以創造上述不造成上述負載元件之驅動之妨礙之時間之補 足手段;前述反向偏屋施加手段係利用該創造之時間,將 反向偏Μ施加至該薄膜電晶體。例如,該薄膜電晶體係n 通道型或Ρ通道^,前述追加薄膜電晶體亦係同樣之Ν通道 型或Ρ通道型’前述補;^手段係將與施加至該薄膜電晶體之 ^極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 晶體之閘極。或者,該薄膜電晶體係Ν通道型或 包 前述追加薄膜《晶體係相反之Ρ通道型或Ν通道型^述補 足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閉極之脈衝具有同相 之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之問極。 最好前述複數薄膜電晶體係包含被該掃描器選擇時導 通’由該信號線抽樣信號而將其保料保持電容之抽樣用 薄膜電晶體、依照保持於該保持電容之信號電位控制對該 負載元件之通電量之驅動用薄膜電晶體、及執行對該負^ 元件之通電之開/關控制之開關用薄膜電晶體;前述反向偏 壓施加手段係將反向偏壓施加至前述驅動㈣膜電晶體及 該開關用薄膜電晶體之至少一方。又,包含臨限值電壓消 除手段,其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之 96535.doc 1280543 變動方 乃式調整施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電 之位準者。另外,包含自舉手段,其係以吸收該負載元 牛之特性變動方式自動控制施加至該驅動用薄膜電晶體之 閘極之信號電位之位準者。 又本發明之顯示裝置之特徵在於其係包含列狀之掃描 線、行狀之掃描線、及配置於此等交又之部分之像素電路 2 4像素電路係在被該掃描、㈣擇冑,由該信號線抽樣 影像信號,且依照所抽樣之影像信號驅動發光元件丨該像 2路係包含薄膜電晶體,其係由形成於基板之複數薄膜 電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線 =構成;且發光元件之驅動中至少經由丨個轉反覆地或持 續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者;i包含反向偏壓 把加手段,其係在不造成發光元件之驅動之妨礙之時間, 將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間,以抑 制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 最好顯示.裝置係包含並聯連接該薄膜電晶體之追加薄膜 電晶體、對該薄膜電晶體補足地驅動該追加 ' :料不造成該發光元件之驅動之妨礙之時間之=手 段;前述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間,將反向 偏昼施加至該薄膜電晶體。例如,該薄膜電晶體係N通道型 或P通道型,前述追加薄膜電晶體亦係同樣之^通道型或p 通道型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極 之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體 之閘極。或者’該薄臈電晶體❹通道型或?通道型,前述 96535.doc -10- 1280543 追加薄膜電晶體係相反之P通道型或1^通道型,前述補足手 段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之脈衝具有同相之關 係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體之閘極。 最好前述複數薄膜電晶體係包含被該掃描器選擇時導 通,由該信號線抽樣影像信號而將其保持於保持電容之抽 樣用薄膜電晶體、依照保持於該保持電容之信號電位控制 :該發光元件之通電量之驅動用薄膜電晶體、及執行對該 發光兀件之通電之開/關控制之開關㈣膜電晶體;前述反 向偏£麵加手段係將反向偏壓施加至該驅動用薄膜電晶體 =開關用薄膜電晶體之至少一方。再者,包含臨限值電 二手&其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電 屋之變動方式調整施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信 號電位之位準者。另外,包含自舉手&,其係以吸收該負 載凡件之特性變動方式自動控制施加至該驅動用薄膜電晶 體之閘極之信號電位之位準者。 入又’、本發日月之電晶體電路之驅動方法之特徵在於其係包 成於基板之複數薄臈電晶體、與連接各薄膜電晶體之 閘極、源極或汲極以執行特定動作之配線之電晶體電路之 ^動方^且執行:順向偏壓施加程序:其係在動作中至 〔對1個缚膜電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓 i力至閘極與源極間者;及反向偏壓施加程序,其係在不 作之妨礙之時間,將反向偏壓施加至該薄膜電晶 -甲亟與源極之間,以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓 夕,包含補足程序,其係對該薄膜電晶體補 96535.doc 1280543 足地驅動並聯連接於該薄膜電晶體之該追加薄膜電晶體, 以創造上述不造成動作之妨礙之時間者;前述反向偏壓施 加程序係在該創造之時間,將反向偏壓施加至該薄膜電晶 體0 又’本發明之像素電路之驅動方法之特徵在於其係為驅 =配置於列狀之掃描線與行狀之掃描線之各交又部,被該 帚描線迖擇%’由该信號線抽樣信號,且依照所抽樣之信 “區動負載元件’巾包含形成於基板之複數薄膜電晶體、 與連接各薄膜電晶體之㈣、源極或祕之配線之像素電 路之驅動方法;且執行:順向偏壓施加程序:其係在負載 ^件之驅動中至少對i個薄膜電晶體經由配線反覆地或持 績地將順向偏壓施加至間極與源極間者;及反向偏壓施加 程序,其係在不造成貞載元件之㈣之妨礙之時間,將反 :偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之間,以抑制該 薄膜電晶體之臨限值電屢之變動者。另外,包含補足程序, 其係對該薄‘臈電晶體補;^地驅動並聯連接於該薄膜電晶體 之追加薄臈電晶體,以創造不造成上述負載it件之驅動之 妨礙之時間者;前述反向㈣施加程序係在該創造之時 間’將反向偏壓施加至該薄膜電晶體。 又,本發明之顯示裝置之驅動方法之特徵在於其係包含 列狀之掃描線、行狀之掃描線、及配置於此等交又之部分 之像素電路;該像素電路係、在被該掃描線選擇時,由該信 號線抽樣影像信號,且依照所抽樣之影像信號驅動發光: 件,·該像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、盘 96535.doc 1280543 連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極之配線顯示裝置之 驅動方法,·且執行:順向㈣施加㈣:其係發光元件之 驅動中至少對1個薄膜電晶體經由配線反覆地或持續地將 順向偏Μ施加至閘極與源極間者;及順向偏壓施加程序: 其係在不造成發光元件之驅動之妨礙之時間,將反向偏壓 施加至該薄膜電晶體之閉極與源極之間,以抑制該薄膜電 晶體,臨限值電壓之變動者。另夕卜,包含補足程序,其係 對該薄膜電晶體補足地驅動並聯連接於該薄膜電晶體之追 加薄膜電晶體,以創造不造成負載元件之驅動之妨礙之時 間者;前述反向偏壓施加程序係在該創造之時間,將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體。 【發明之效果】 薄膜電晶體係在反覆地或持續地施加正閘極電壓(順向 偏壓)時,具有臨限值電齡向正方向移位之傾向。反之, 在反覆地或持續地施加負閘極電a(反向偏壓)時,具有臨限 值電壓會向.負方向變動之傾向。由於電晶體電路之機能及 動作條件之關係’有時含有需要經由電路配線反覆地或持 績地將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體。該薄 膜電晶體會因此種順向偏壓而使臨限值電壓會隨時間之經 :而移位。此現象放置不管時,有可能因該薄膜電晶體之 截止動作之混亂而有導致錯誤動作之虞。因此,在本發明 F地:於t◎體电路之動作上或機能上不可避免需要反 復也或持續地施加順向偏壓之薄膜雷 寻胰包曰曰體,在不造成動作 之妨礙之時間施加反向偏壓可使因順向偏壓而移 96535.doc 1280543 位之臨限值電壓回到負方向,結果可抑制臨限值電壓之變 動。 有時,在幾乎持續地執行順向偏壓之施加般之薄膜電晶 體中,會有為施加反向偏壓無法取得充分之時間之情形。 對於此種薄膜電晶體,可利用並聯連接追加薄臈電晶體, 對”亥薄膜電晶體補足地驅動該追加薄膜電晶體,以強制地 創造施加反向㈣之時間。因此,即使在因順向偏壓之持 續性的施加而無法避免向臨限值電壓之上方移位之薄膜電 曰曰體之情形,也可利用並聯連接補足用之追加薄膜電晶 體’強制地將臨限值電壓向下方修正。 【實施方式】 以下,苓照圖式詳細說明本發明之實施型態。圖1係表示 本發明之電晶體電路之第_實施型態,(A)表示構成之電路 圖,(B)表示動作之時間圖,(c)表示原理之曲線圖。如(A) 所示,本電晶體電路係由形成於基板之2個薄膜電晶體 Trl、Tr2、_接於各薄膜電晶體ΤΗ、Μ之閘極、源極或汲 極以執行反相器動作之配、線所構成。#,本電晶體電路係 =用2個Ν通道型薄膜電晶體ΤΗ、μ構成反相器。ν通道型 缚電晶體可以非晶質碎膜廉價地製成,故在成本上較為 有利又,反相裔僅係例示而已,本發明之電晶體電路只 要以薄膜電晶體構成即可,不問其機能及動作。 在具體的電路構成上,特定之閘極電壓乂丨被施加至m 之間極’ &極被供應電源電壓Vee,源極則供應輸出Vout。 在圖不之例中’輸出端子連接負載電容π。負載電容a之 96535.doc 1280543 一端被施加輸出Vout ’他端被接地於Vss。閘極電壓V1被設 定於大於Trl之臨限值電壓與Vcc之和,故Trl常處於通電狀 態。輸入信號Vin被施加至Tr2之閘極,源極被接地於Vss, 汲極連接於Trl之源極而構成輸出節點。 如(B)所示,本電晶體電路執行反相器動作,可反轉輸入 信號Vin而獲得輸出信號Vout。即,Vin為低位準(L)時,Vout 變成高位準(Η),Vin為Η時,Vout變成L。著眼於Tr2時,Vin 為低位準時成為斷電狀態,輸出節點由接地電位Vss被切 離。此時,Trl常處於通電狀態,故輸出節點被拉起至Vcc。 此結果,Vout變成高位準(Vcc)。反之,Vin為高位準時,Tr2 通電,輸出節點向Vss被拉下。由負載電容CL被放電之電流 與Trl供應之電流之和與流過Tr2之電流平衡時,確定Vout 之低位準。通常,Vout之低位準會略高於Vss。 由以上之說明可以知悉:Vin之低位準只要低於Tr2之臨 限值電壓即可,通常設定於Vss。另一方面,Vin之高位準 只要充分高於Tr2之臨限值電壓即可。但,在此通常之設定 中,高位準之順向偏壓會反覆被施加至Tr2之閘極,故會導 致Tr2之臨限值電壓之上方變動。此現象放置不管時,有可 能因Vin之高位準向上方變動而有低於臨限值電壓之虞,成 為錯誤動作之原因。因此,在本發明中,定期地將所謂反 向偏壓施加至Tr2,以作為使Vin之低位準低於Vss之負電位 。利用此反向偏壓將向上方移位之臨限值電壓向下方修正 ,結果可抑制ΊΪ2之臨限值電壓之變動。即,在第一實施型 態中,輸入信號Vin之供應源本身構成反向偏壓施加手段, 96535.doc -15- 1280543 可在不造成反相器動作之妨礙之時間(在圖示之例中,為低 位準之時間)施加反向偏壓至薄膜電晶體Tr2之閘極與源極 之間以抑制薄膜電晶體1Y2之臨限值電壓之變動。 (C)係表示薄膜電晶體Tr2之臨限值電壓之變化之曲線圖 。檢軸取以源極電位為基準之閘極電壓Vgs,縱軸取臨限值 電壓Vth。反覆地或持續地不斷施加正閘極電壓(順向偏壓) 時,Vth會向上方變動,極端時,無法執行正常之開/關動 作。反之,持續地施加負閘極電壓(反向偏壓)時,Vth會向 下方變動。本發明即係利用此現象,在不造成電路動作之 妨礙之時間,利用反向偏壓之施加,將順向偏壓持續之施 加引起之臨限值電壓之上方移位向下方修正,以抑臨限值 電壓之變動。 圖2係圖1所示之電晶體電路之輸入信號Vin與輸出信號 V〇ut之另一實施例之時間圖。在本實施例中,輸入脈衝 之"ί占二係數偏離5 〇 %,低位準期間較短,高位準期間較長。 反轉此輸入膦衝Vin之輸出脈衝%加則相反地,高位準期間 較短,低位準期間較長。因裝入反相器之電路區塊之需要, 也可能有使用此種輸入信號Vin之狀況。 在本實施例中,係趁著施加順向偏壓至薄膜電晶體τα之 閘極之空檔,施加反向偏壓(低位準)。但,有時因施加反向 偏壓時間短而無法獲得充分之臨限值電壓變動抑制效果。 即,由於順向偏壓(高位準)之持續之變化引起之臨限值電壓 麦動#又激烈,有時無法達成施加反向偏壓之下方修正改 果。但,與不施加反向偏壓之情形相比,顯然可獲得特 >定 96535.doc -16- 1280543 之臨限值電壓變動抑制效果。 圖3係表示本發明之電晶體電路之第二實施型態之模式 圖(A)表示構成之電路圖,(B)表示動作之時間圖。為容 易理解起見,在對應於圖丨所示之第一實施型態之部分附以 對應之參照號碼。本實施型態係圖丨之實施型態之改良型 態,如參照圖2所述,其目的在於應付無法確保充分之反向 偏壓施加時間之情形。 如(A)所示,在作為對象之電晶體Tr2(該電晶體)並聯連接 追加薄膜電晶體Tr3。輸入信號vin 1被施加至該電晶體Tr2 之閘極。如前所述,輸入信號Vinl之信號源同時構成反向 偏壓施加手段。另一方面,另一輸入信號Vin2被施加至該 電晶體Tr3之閘極。此輸入信號Vin2之信號源構成本實施型 態之特徵要素之補足手段。即,此補足手段對該電晶體Tr2 補足地驅動該追加薄膜電晶體。3,以強制地創造不妨礙有 關Tr2動作之時間。反向偏壓施加手段利用此強制地創造之 時間’將反内偏壓施加至該薄膜電晶體Tr2,以抑制丁^之 臨限值電壓之變動。 在本實施型態中,該電晶體Tr2係N通道型,追加薄膜電 晶體Tr3亦係同樣之N通道型。此時,補足手段係將與施加 至該電晶體Tr2之閘極之脈衝Vin 1具有反相之關係之信號 脈衝Vin2施加至追加薄膜電晶體Tr3之閘極。Tr2與Tr3為p 通道型時,Vinl與Vin2處於互相反相之關係。另一方面, Tr2與Tr3之一方為N通道型,他方為P通道型時,Vinl與vin2 處於同相關係。 96535.doc -17- 1280543 接著,參照(B),說明(A)所示之電晶體電路之動作。在 時間Tl,Vinl為低位準,Vin2也為低位準。此時,互相並 行連接之電晶體Tr2、Tr3雙方均為斷電狀態,故輸出節點 被Trl拉高至Vcc側。此結果,輸出信號Vout成為高位準。 在其次之時間T2,Vinl切換為高位準,另一方面,Vin2維 持低位準。互相並行連接之電晶體Tr2、Tr3中之一方Tr2通 電,故輸出節點被拉下至Vss側。此結果,Vout被切換成為 低位準。在其次之時間T3,相反地,Vinl轉移至低位準, 另一方面,Vin2轉移至高位準。因此,互相並行連接之電 晶體Tr2、Tr3中之一方Tr3為通電狀態,故輸出節點被繼續 拉下至Vss側。因此,Vout維持低位準。藉此,完成輸入信 號之一週期,轉移至次一週期。 比較Vinl與Vin2時可以知悉:時間T2、T3兩者具有互相 反相關係。尤其著眼於時間T3時,Τι*2斷電而被置於非動作 狀態,另一方面,為補足此現象,使Tr3通電而使其處於動 作狀態。Tp取代Tr2而處於通電狀態時,輸出節點即可被 繼續拉下至Vss側,而獲得目的之輸出信號Vout。利用Tr3 之補足機能,以創造不妨礙Tr2動作之時間T3。Vinl之信號 源之反向偏壓施加手段可在此創造之時間T3將反向偏壓施 加至該電晶體Tr2。由時間圖可以知悉:施加順向偏壓之期 間T2與施加反向偏壓之期間T1與T3大致可取得平衡,可在 無過或不足之情況下,將臨限值電壓之上方變動向下方修 正° 圖4係表示電晶體電路之第三實施型態,係圖3所示之第 96535.doc -18- 1280543 一實施型態之改良例。(A)係表示本實施型態之構成之電路 圖,(B)係表示動作之時間圖。 反相為電路由雙方均為1^通道型之電晶體^、Tr2所構成 時,Trl常置於動作狀態。換言之,常處於被施加順向 偏壓之狀態,臨限值電壓會隨時間之經過而向上移位。此 向上移位極端地進行時,有時會妨礙正常之動作。因此, 在本實施型態中,也在Trl並聯連接著補足用之電晶體Tr4。 如(Β)所示,在時間Τ1及Τ2中,對Trl之閘極電壓V1處於 鬲位準,另一方面,對Tr4之閘極電壓v2處於低位準。反之, 在時間T3及丁4中,V1切換於低位準,另一方面,V2成為高 位準。因此,電晶體Trl及Tr4執行互相補足的動作,Tri與
Tr4之組構成之開關整體上常維持於通電狀態。其時,一方 之問極笔壓VI在時間T3、T4處於低位準,可施加臨限值電 壓修正用之反向偏壓。另一方面,V2在時間T1&T2處於低 位準,同樣可對電晶體Tr4可施加臨限值電壓修正用之反向 偏壓。 圖5係表示本發明之電晶體電路之應用例之主動矩陣顯 示裝置及其所含之像素電路之概略之區塊圖。如圖所示, 主動矩陣顯示裝置係由作為主要部之像素陣列1與周邊之 電路群所構成。周邊之電路群包含水平選擇器2、驅動掃描 裔3、光掃描器4等。 像素陣列1係由列狀之掃描線線WS、行狀之信號線DL及 在兩者交又部分排列成矩陣狀之像素電路5所構成。信號線 DL係被水平選擇器2驅動。掃描線ws係被光掃描器4所掃 96535.doc -19- 1280543 描。又,也配置有與掃描線ws平行之另一掃描線ds,此係 =驅動掃描器3所掃描。各像素電路5係在被掃描線Μ選擇 γ ’由信號線DL抽樣信號。另外’被掃描線Ds選擇時,依 Ί亥被抽樣之信號驅動負載元件等。此負載元件係形成於 各像素電路5之電流驅動型之發光元件等。 圖6係表示圖5所示之像素電路5之基本的構成之參考 圖。本像素電路5係由抽樣用薄膜電晶體(抽樣電晶體τη)、 驅動用薄膜電晶體(驅動電晶體卿開關用薄膜電晶體(開 關電晶體ΤΓ3)、保持電容以、貞載元件(有機扯發光元们 等所構成。 抽樣電晶體Trl係在被掃描線ws選擇時導通,由信號線 DL抽樣影像信號,而保持於保持電容ci。驅動電晶體丁^ 依照保持於保持電容C1之信號電位,控制對發光元件EL2 通電量。開關電晶體Tr3係被掃描線DS所控制,以控制對發 光兀件EL之通電之開/關。即,驅動電晶體Tr2依照通電量 控制發光元件EL之發光亮度(明亮度)。另一方面,開關電 晶體Tr3係控制發光元件El之發光時間。利用此等之控制, 各像素電路5所含之發光元件]el呈現對應於影像信號之亮 度’使希望之顯示映現於像素陣列i。 圖7係說明圖6所示之像素陣列丨及像素電路5之動作之時 間圖。在1幀期間(If)之前頭,在!水平期間(1H)之間,選擇 脈衝ws[l]經由掃描線WS被施加至第1列之像素電路5,以導 通抽樣電晶體Trl。因此,影像信號由信號線DL被抽樣,而 被寫入保持電容C1。保持電容c 1之一端連接於驅動電晶體 96535.doc -20- 1280543
Tr2之閘極。因此,當影像信號被寫入保持電容ci,驅動電 晶體Tr2之閘極電位會依照被寫入之信號電位而上升。此 時,選擇脈衝dS[l]經由另一掃描線DS被施加至開關電晶體 Tr3。在此期間,發光元件EL持續發光。在丨幀期間lf之後 半,dS[i]變成低位準,故發光元件EL呈非發光狀態。利用 調整脈衝dS[1]之佔空係數時,可調整發光期間與非發光期 間之比例,獲得希望之畫面亮度。當轉移至其次之水平期 間時,掃描用之信號脈衝ws[2]、ds[2]由各掃描線ws、加 分別被施加至第2列之像素電路。 在此,回到圖6,說明作為參考例所示之像素電路5之問 題點。參考例之像素電路5之Trl〜Tr3全部係通道型薄膜 電晶體所構成,具有可使用成本上有利之非晶f石夕膜作為 活性層之優點。但,卻有驅動電晶體Tr2之汲極連接於電源 電壓VCC,另一方面,源極經由開關電晶體Tr3連接於發光 元件EL之陽極而成為所謂之源極輪出器之問題。保持於保 持電容ci之信號電壓被施加至驅動電晶體丁r2之閘極,基本 上、、隹持於定。但,源極電位會隨著發光元件EL之電流/ 電麼特性之經過時間之變化而變動。一般,陽極電位會隨 發光元件EL之經過時間之劣化而上升,其結果,源極電位 也會上升。驅動電晶體Tr2在飽和區域執行動作,如前述之 電晶體特性式所示,汲極電流Ids係依存於以源極電位為基 準之閘極電位Vgs。儘管閘極電壓本身保持一定,但丁。會 執行作為源極輸出H之動作,故源極電位會隨著發光元^ EL之特性劣化而變動,使Vgs也對應地發生變化。因此, 96535.doc • 21 - 1280543 會有汲極電流Ids發生變動,導致菸氺 問題。 他先-视之受度劣化之 另外,驅動電晶體Tr2有其本身之臨限值電壓vth之經過 w間之變動性。由前述之電晶體特性式可知,在飽和區域 執行動作時’縱使Vgs保持一定,當臨限值電屋佩發生變 動時’沒極電流此也會發生變動,同時,發光元件el之亮 度也會發生變動。尤其,以非晶詩薄膜作為活性層(通道 區域)之薄膜電晶體之臨限值電麼之經過時間之變動較為 明顯,故未處ί里日夺,即無法正確控制發光元件之亮度。 圖8係表示改良圖6所示之像素電路之另一參考例之像素 電路,(Α)表示構成之電路圖,(Β)表示動作之時間圖。 如(Α)所示,此改良例係呈現在圖6所示之像素電路加上 自舉電路6與臨限值電壓消除電路7之構成。自舉電路6係以 吸收發光元件EL之特性變動方式自動控制施加至驅動電晶 體Tr2之閘極⑹之信號電位之位準,含有開關電晶體Μ。 在此開關電晶體Ί>4之閘極連接掃描線ws,源極連接於接 地電位Vss,汲極連接於保持電容C1之一端,並連接於驅動 電晶體Tr2之源極(S)。選擇脈衝施加至掃描線〜8時,抽樣 電晶體Trl通電,開關電晶體Tr4亦通電。因此,經由耦合 電容C2,將影像信號Vsig寫入保持電容C1。其後,由掃描 線ws解除選擇脈衝時,開關電晶體Tr4斷電,故保持電容 C1由接地電位VSS被切離,並耦合於驅動電晶體Tr2之源極 (S)。此後’選擇脈衝施加至掃描線ds時,開關電晶體Tr3 通電’經由驅動電晶體Tr2將驅動電流供應至發光元件el。 96535.doc -22- 1280543 發光元件EL開始發光,依照其電流/電壓特性,使陽極電位 上升,導致驅動電晶體Tr2之源極電位之上升。此時,因保 持電容C1由接地電位Vss被切離,故在源極電位之上升之同 時,被保持之信號電位亦上升(自舉),導致導致驅動電晶體 Tr2之閘極(G)之電位上升。即,即使發光元件EL有電位變 動,驅動電晶體Tr2之閘極電壓Vgs亦可與常保持於保持電 容C1之純信號電位一致。利用此種自舉動作,即使發光元 件EL有電位變動,驅動電晶體Tr2之汲極電流也可常被保持 於保持電容C1之信號電位保持於一定,使發光元件EL之發 光亮度不生變化。追加此種自舉電路6時,驅動電晶體Tr2 對發光元件EL可發揮作為正確之定電流源之機能。 臨限值電壓消除電路7係以消除驅動電晶體Tr2之臨限值 電壓之變動方式調整施加至驅動電晶體Tr2之閘極(G)之信 號電位之位準,含有開關電晶體Tr5、Tr6。開關電晶體Tr5 之閘極連接於另一掃描線AZ,汲極/源極連接於驅動電晶體 Tr2之閘極與汲極之間。開關電晶體Τι·6之閘極同樣連接於 掃描線ΑΖ,源極連接於特定之補償電壓Vofs,汲極連接於 耦合電容C2之一方電極。又,在圖示之例中,補償電壓 Vofs、接地電位Vss、陰極電壓(GND)雖可分別取不同之電 位,但有時也可全部與共通之電位(例如GND) —致。 控制脈衝施加至掃描線AZ時,開關電晶體Tr5導通,電流 由Vcc流向驅動電晶體Tr2之閘極,故閘極(G)電位上升。因 此,汲極電流流出至驅動電晶體Tr2,使源極(S)電位上升。 正好在閘極電.位(G)與源極電位(S)之電位差Vgs與驅動電 96535.doc -23- 1280543 晶體Tr2之臨限值電壓Vth—致之處,依照前述電晶體特性 式,汲極電流不再流動。此時之源極/閘極間電壓Vgs會被 寫入保持電容C1作為驅動電晶體Tr2之臨限值電壓Vth。此 被寫入保持電容C1之Vth會上載於信號電位Vsig而被施加 至驅動電晶體Tr2之閘極,故可消除臨限值電壓Vth之效 果。因此,即使驅動電晶體Tr2之臨限值電壓Vth隨時間之 經過而變動,臨限值電壓消除電路7也可消除此變動。 (B)係表示施加至各掃描線WS、DS、AZ之掃描脈衝波形 與驅動電晶體Tr2之閘極(G)及源極(S)之電位波形之時間 圖。如圖所示,進入Vth消除期間時,脈衝被施加至掃描線 AZ,開關電晶體Tr5導通,Tr2之閘極電位上升。其後,掃 描線DS之脈衝下降,故來自電源Vcc側之電流供應被切 斷。因此,在閘極電位與源極電位之差縮小,正好在到達 Vth處時,電流成為0。此結果,Vth被寫入連接於Tr2之閘 極/源極間之保持電容C1。其次,當選擇脈衝被施加至掃描 線WS時,抽樣電晶體Τι*1通電,經由耦合電容C2,影像信 號Vsig被寫入保持電容C1。因此,輸入至驅動電晶體Τι*2之 閘極之信號Vin成為先被寫入之Vth與特定之增益所保持之 Vsig之和。脈衝再被施加至掃描線DS,使開關電晶體Tr3 通電。因此,驅動電晶體Tr2依照輸入閘極信號Vin,將汲 極電流供應至發光元件EL,使其開始發光。因此,發光元 件EL之陽極電位上升△ V,但因自舉效應,此△ V被上載至 對驅動電晶體Tr2之輸入信號Vin。利用以上之臨限值電壓 消除機能及自舉機能,即使有驅動電晶體Tr2之臨限值電壓 96535.doc -24- 1280543 變動及發光元件EL之特性變動,亦可將此等消除,而將發 光梵度保持於一定。 而高於源極之電壓在1幀期間1 f中被施加至在驅動電晶 體Tr2之閘極’使其長處於施加順向偏壓之狀態。由於對閘 極之順向偏壓支持績施加’驅動電晶體Tr 2之臨限值電壓 vth會向上方變動。此變動雖可利用臨限值電壓消除電路7 加以消除,但變動超過程度時,難以充分發揮臨限值電壓 消除機能,而有導致發光元件EL之亮度變化之虞。又,開 關電晶體Tr3在發光期間中處於通電狀態,持續施加順向偏 壓。因此,開關電晶體Tr3之臨限值電壓會向上方變動,最 嚴重時,開關電晶體Tr3有可能常陷於截止狀態。 圖9係表示本發明之像素電路之一實施型態,為處理圖8 之像素電路之問題點,分別在驅動電晶體Tr2及開關電晶體 Tr3附設臨限值電壓變動抑制用之反向偏壓施加手段。 對驅動電晶體Tr2之反向偏壓施加手段係由開關電晶體 Τι·7所構成。·在Tr7之閘極連接追加之掃描線ws2,源極連 接於負電源Vmb,汲極連接於驅動電晶體Tr2之閘極(g)。此 掃4田線WS2異於連接於抽樣電晶體Tfi或開關電晶體Μ之 知搖線wsi,故將其個別分開成為wsi與ws2。在此,負電 源Vmb之電位係設定於低於接地電位。因此,在不影 ,像素電路之動作之時間,將選擇脈衝施加至掃描線㈣ 丁 Tr7if包’可將反向偏壓施加至驅動電晶體加之 間極⑹。因此,可將因順向偏壓持續之施加而向上方移位 之電晶體Tr2之臨限值電壓Vth向下方修正。 96535.doc -25- 1280543 對開關電晶體Tr3之反向偏塵施加手段係裝入於連接於 掃描線DS 1之驅動掃描器3(參照圖5)。在發光期間,順向偏 * 壓經由掃描線DS1被施加至開關電晶體Tr3之閘極,汲極電 ‘ 流由Vcc流向GND。進入非發光期間時,掃描線DS1之電位 · 變成GND以下,將反向偏壓施加至開關電晶體Tr3。因此, 可將Tr3之臨限值電壓之上方變動向下方修正。 圖10係供說明圖9所示之像素電路之動作之時間圖。被施 加至掃描線WS1之脈衝以wsl表示,被施加至掃描線WS2之 脈衝以ws2表示·,被施加至掃描線Az之脈衝以犯表示,被❿ 施加至掃描線DS 1之脈衝以ds 1表示。另外,將驅動電晶體 Tr2之閘極電位(G)、汲極電位(D)及源極電位(s)重疊於脈衝 dsl之位準變化加以表示。又,驅動電晶體Tr2之汲極電位(d) 同時為開關電晶體Tr3之源極電位。 在Vth消除期間中,脈衝犯被施加至電晶體Tr5&Tr6,以 檢知驅動電晶體Tr2之臨限值電壓Vth。此被檢知之vth被保 持於保持電容C1作為Tr2之閘極電位(G)與源極電位(S)間 _ 之差。其次,脈衝wsl被施加至抽樣電晶體Trl及開關電晶 體Tr4a^,影像信號Vsig被抽樣,經由耦合電容〔2被寫入保 持電容ci。被寫入保持電容C1ivth及Vsig之和以Tr2之閘 極電位(G)與源極電位(S)間之差顯示於時間塗上。另外,進 “ 入發光期間’脈衝ds 1被施加至開關電晶體Tr3時,汲極電 、 流通過驅動電晶體Tr2流至發光元件EL。因此,源極電位(S) 上升’但因自舉機能,與閘極電位(G)之電位差保持於一 疋。敁著源極電位(s)之上升,汲極電位(D)亦上升。此汲極 96535.doc -26- 1280543 私位⑼雖為開關電晶體Tr3之源極電位,但因脈衝如之振 幅被設定於比此汲極電位(D)充分高之值,故可施加電晶體 加之通電動作所需之順向偏壓Va。其後,進入非發光期 間,脈衝如丨被切換為低位準,以截止開關電晶體Tr3。藉 汲極電流之切斷,使驅動電晶體Tr2之汲極電位(d)由να側 下降至GND。此時’因脈衝dsl之低位準被設定於比〇肋充 分低之值,故可施加反向偏壓vb至開關電晶體Tr3之閘極。 又,在非發光期間,脈衝wa2被施加至電晶體Tr7之閘極。 因此,Tr7導通.,反向偏壓Vmb被施加至驅動電晶體之 閘極(G)。 由以上說明可知··驅動電晶體Tr2及開關電晶體Tr3分別 可在適切之時間被施加反向偏壓,故可抑制各其臨限值電 壓之變動。但,開關電晶體Tr3之部分仍有若干可改善之餘 地,故茲就此點加以說明之。考慮開關電晶體Tr3之動作點 %,如上所述,只要考慮脈衝dsl之電壓位準與至驅動電晶 體之汲極電摩(D)即可。在發光期間中,開關電晶體Tr3通 電,故脈衝dsl之Η電位比汲極電位(D)高出Tr3之vth以上, 故被施加Va電壓。也就是說,在發光期間中,開關電晶體 Tr 3之閘極/源極間被施加順向偏壓。此後,在非發光期間 中,脈衝dsl之L位準在GND以上,故被施加反向偏壓。在 此反向偏壓之期間,汲極電位(D)會因漏電等之原因而變得 降低至陰極電位(GND)或其附近。在此期間,電晶體Tr3斷 電,其結果,僅反向偏壓Vb被施加至電晶體Tr3之閘極/源 極間。故,由於順向偏壓及反向偏壓兩者都施加至電晶體 96535.doc -27- 1280543
Tr3,故可某種程度地防止Tr3之Vth之變動。但,延長丨場 期間(If)所佔之發光時間時,非發光時間會受壓迫而縮短, 故反向偏壓施加時間也會變短,相對地有必要更有效地執 打臨限值電壓之下方修正,有必要設定較大之Vb之絕對 值。但,Vb之絕對值設定太大時,脈衝dsl之振幅會增加, 導致成本之增加,且會影響電晶體Tr3之耐壓,不僅影響成 本,也會影響良率。 圖11係表示圖9所示之像素電路進一步改良之實施型 悲,為谷易暸解起見,在對應於圖9之像素電路之部分附上 對應之筝照號碼。改良點在於與成問題之電晶體Tr3並連地 連接追加之電晶體Tr8,並在其閘極經由掃描線DS2而連接 補足手段。此補足手段係對開關電晶體Tr3補足地驅動追加 電晶體Tr8,以創造不妨礙Tr3之動作之時間。經由掃描線 DS1而連接於開關電晶體Tr3之反向偏壓施加手段可利用此 創造之時間施加反向偏壓至電晶體Tr3。 圖12係供說明圖π所示之像素電路之時間圖。為容易暸 解起見,在對應於圖1〇之前面實施型態之時間圖之部分使 用對應之參照號碼。特徵點在於施加至開關電晶體Tr3之閘 極之脈衝dsl與施加至追加電晶體Tr8之閘極之脈衝處 於互相反相之關係。在發光期間中,順向偏壓%被施加至 開關電晶體Tr3之閘極。此舆圖9之實施型態相同。其次, 進入非發光期間時,脈衝dsl低於GND而成為低位準,開關 電晶體Tr3斷電。此時,電晶體Tr8補足地執行動作而成為 通電狀態’故·電流持續由電源Vcc側被供應至驅動電晶體 96535.doc -28- 1280543
Tr2。因此,驅動電晶體Tr2之汲極電位(D)不會降至陰極電 位(GND),而可取得電源電位Vcc或其附近之電位。因此, 在包含於非發光期間之反向偏壓期間中,開關電晶體Tr3之 閘極/源極間電壓之絕對值為Vcc+Vb,可施加非常大的反向 偏壓。因此,即使不將大振幅之脈衝dsl施加至開關電晶體 Tr3,也可將臨限值電壓之上方變動有效地向下方修正。如 此,即使非晶質矽薄膜電晶體或多晶矽薄膜電晶體之臨限 值電壓發生變動,也可利用像素電路加以修正,故可防止 發光元件EL之亮度劣化,提供高品質之主動矩陣型顯示 器。尤其,無需增大施加至執行發光之開關控制之電晶體 之閘極之脈衝之振幅,故可實現驅動器之低成本化。而, 可一面修正驅動電晶體之Vth變動,一面也可容易修正開關 電晶體之Vth變動。 【圖式簡單說明】 圖1(A)、(B)、(C)係表示本發明之電晶體電路之第一實施 型態之模式圖。 圖2係圖1所不之電晶體電路之動作說明用之時間圖。 圖3 (A)、(B)係表示本發明之電晶體電路之第二實施型態 之模式圖。 圖4(A)、(B)係表示本發明之電晶體電路之第三實施型態 之模式圖。 圖5係表示本發明之主動矩陣顯示裝置及其所含之像素 電路之概略之區塊圖。 圖6係表示像素電路之參考例之區塊圖。 96535.doc -29- 1280543 圖7係自兄明圖6所示之俊去 像素電路之動作之時間圖。 圖8(A)、(B)係表示像素電 电路之另一參考例之模式 圖9係表示本發明之俊去 β ° 不毛月之像素電路之第一實施型態之電路圖。 圖10係供說明圖9所示之俊去φ办 ^ 像素電路之動作之時間圖。 圖11係表示本發明之像夸 圖 课素電路之第二實施型態之電路 圖12係供說明圖η所示 【主要元件符號說明】 像素陣列 之像素電路之動作之時間圖 96535.doc 水平選擇器 驅動掃描器 光掃描器 像素電路 -30 -
Claims (1)
1280543 十、申請專利範圍·· h —種電晶體電路,其係包含形成於基板之複數薄膜電晶 體連接於各薄膜電晶體之閘極、源極或汲極以執行特 定動作之配線者; ^ 含有至少1個薄膜電晶體,其係在動作中,經由配線反 覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源極間者; 並含有反向偏壓施加手段,其係在不造成妨礙該動作 之時間,將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極 間以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 2·如明求項1之電晶體電路,其中包含並聯連接於該薄膜電 晶體之追加薄膜電晶體、相對該薄膜電晶體補足地驅動 忒追加薄膜電晶體以創造上述不造成妨礙動作之時間之 補足手段; 前述反向偏壓施加手段係利用該創造出之時間,將反 向偏壓施加至該薄膜電晶體者。 3·如請求項2之電晶體電路,其中該薄膜電晶體係N通道型 或P通道型,前述追加薄膜電晶體亦係同樣之N通道型或p 通道型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘 極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 晶體之閘極者。 4·如請求項2之電晶體電路,其中該薄膜電晶體係N通道型 或P通道型,前述追加薄膜電晶體係相反之P通道型 通道型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘 極之脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 96535.doc 1280543 晶體者。 5· 一種像素電路,其係配置於列狀之掃描線與行狀之掃描 線之各交叉部,被該掃描線選擇時,由該信號線抽樣信 號’且依照所抽樣之信號驅動負載元件者,· 其包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接各薄膜 笔晶體之閘極、源極或汲極之配線; 負載元件之驅動中至少1個經由配線反覆地或持續地 將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體; 且包含反向偏壓施加手段,其係在不造成妨礙負載元 件驅動之時間,將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極 與源極之間,以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動 者。 6.如請求項5之像素電路,其中包含並聯連接該薄膜電晶體 之追加薄膜電晶體及相對該薄膜電晶體補足地使該追加 薄膜電晶體動作,創造上述不造成妨礙上述負載元件驅 動之時間冬補足手段; 前述反向偏壓施加手段係利用該創造出之時間,將反 向偏壓施加至該薄膜電晶體者。 7·如请求項6之像素電路,其中該薄膜電晶體係^^通道型或ρ 通道型,前述追加薄膜電晶體亦係同樣之Ν通道型或1>通 道型,Θ述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極 之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶 體之閘極者。 8·如請求項6之_像素電路,其中該薄膜電晶體係^^通道型或ρ 96535.doc 1280543 通道型’前述追加薄膜電晶體係相反之P通道型或N通道 31則述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之閘極之 脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體 者。 、月求項5之像素電路,其中前述複數薄膜電晶體係包含 被口亥知描器選擇時導通,由該信號線抽樣信號而保持於 保持電谷之抽樣用薄臈電晶體、依照保持於該保持電容 ^信號電位控制對該負載元件之通電量之驅動用薄膜電 =T ·及控制對該負載元件之通電之開/關之,關用薄膜 i曰曰,’剛述反向偏壓施加手段係施加反向偏壓至該驅 動用薄膜電晶體及該開關用薄膜電晶體之至少一方者。 i明求項9之像素電路,其中包含臨限值電壓消除手段, 其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之變動地 凋正轭加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位之位 準者。 11·;如請求項k像素電路,其中包含自舉手段,其係以吸收 兩、載元件之特性變動地自動控制施加至該驅動用薄膜 電晶體之閘極之信號電位之位準者。 12· 一種顯Μ置,其係包含㈣之掃描線、行狀之掃描線、 及配置於此等交又之部分之像素電路者; 旦/亥像素電路係在被該掃描線選擇時,由該信號線抽樣 影像信號,且依照所抽樣之影像信號驅動發光元件; 、該像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與 連接各薄m電晶體之閘極、源極或汲極之配線; 96535.doc 1280543 發光元件之驅動中至少丨個經由配線反覆地或持續地 將順向偏壓施加至閘極與源極間之薄膜電晶體; 並包含反向偏壓施加手段,其係在不造成妨礙發光元 件驅動之時間,將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極 與源極之間,以抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動 者。 13. 14. 15. 16. 如請求項12之顯示裝置,其中包含並聯連接該薄膜電晶 體之追加薄膜笔B曰體、對該薄膜電晶體補足地使該追加 薄膜電晶體動作,創造不造成妨礙該發光元件驅動之時 間之補足手段; 前述反向偏壓施加手段係利用該創造之時間,將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體者。 如請求項13之顯示裝置,其中該薄膜電晶體係]^通道型或 P通道型,前述追加薄膜電晶體亦係同樣之N通道型或p 通道型,前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之問 極之脈衝具有反相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電 晶體之閘極者。 如請求項13之顯示裝置,其中該薄膜電晶體係汎通道型或 P通道型,前述追加薄膜電晶體係相反之p通道型或^通道 型’前述補足手段係將與施加至該薄膜電晶體之間極之 脈衝具有同相之關係之脈衝施加至前述追加薄膜電晶體 者。 、 一 如請求項12之顯示裝置,其中前述複數薄膜電晶體係包 含被該掃描線選擇時導通,由該信號線抽樣影像信號而 96535.doc 1280543 保持於保持電容之抽樣用薄膜電晶體、依照保持於該保 持電容之信號電位控制對該發光元件之通電量之驅動用 薄膜電晶體、及控制對該發光元件之通電之開/關之開關 用薄膜電晶體;前述反向偏壓施加手段係將反向偏壓施 加至該驅動用薄膜電晶體及該開關用薄膜電晶體之至少 一方者。 17.如請求項16之顯示裝置,其中包含臨限值電壓消除手 段’其係以消除該驅動用薄膜電晶體之臨限值電壓之變 動地調整施加至該驅動用薄膜電晶體之閘極之信號電位 之位準者。 18·如請求項16之顯示裝置,其中包含自舉手段,其係以吸 收該負載元件之特性變動地自動控制施加至該驅動用薄 膜電晶體之閘極之信號電位之位準者。 19. 一種電晶體電路之驅動方法,其係包含形成於基板之複 數薄膜電晶體、與連接各薄膜電晶體之閘極、源極或汲 極以執行特定動作之配線之電晶體電路之驅動方法;且 執行 順向偏壓施加程序:其係在動作中至少對丨個薄膜電晶 體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加至閘極與源 極間者;及 反向偏壓施加程序,其係在不造成妨礙該動作之時 間,將反向偏壓施加至該薄膜電晶體之閘極與源極之 間,抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 20.如請求項19之電晶體電路之驅動方法,其中包含補足程 96535.doc 1280543 序,其係相對該薄膜電晶體補足地驅動並聯連接於該薄 膜電晶體之追加薄膜電晶體,以創造上述不造成妨礙動 作之時間者; 前述反向偏壓施加程序係在該創造出之時間,將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體。 21. 22. 23. 一種像素電路之驅動方法,該像素電路係配置於列狀之 掃描線與行狀之掃描線之各交又部,被該掃描線選擇 時,由該信號線抽樣信號,且依照所抽樣之信號驅動負 載元件,而包含形成於基板之複數薄膜電晶體、與連接 各薄膜電晶體之問極、源極或;及極之配線;該驅動方法 執行 順向偏壓施加程序:其係在負載元件之驅動中至少對i 個薄膜電晶體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加 至閘極與源極間者;及 反向偏壓施加程序,其係在不造成妨礙負載元件驅動 之日守間’ W反向偏壓施加至該薄膜冑晶體之問極與源極 之間,抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 如明求項21之像素電路之驅動方法,其中包含補足程 序其係相對該薄膜電晶體補足使並聯連接於該薄膜電 晶體之追加薄膜電晶體動作,以創造不造成妨礙上述負 載元件驅動之之時間者; 月〕述反向偏壓施加程序係在該創造出之時間,將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體。 種顯不裝置之驅動方法,該顯示裝置係包含列狀之掃 96535.doc 1280543 •線4丁狀之掃描線、及配置於此等交叉之部分之像素 :路’ 4像素f料在被該掃㈣選擇時,ά該信號線 抽樣影德彳古$ ° ^ ’且依照所抽樣之影像信號驅動發光元 盘、像素電路係包含形成於基板之複數薄膜電晶體、 ^、、各薄膜包晶體之閘極、源極或汲極之配線;該驅 動方法執行 順=偏廢施加程序:其係在發光元件之驅動_至少對工 *專臈屯曰曰體經由配線反覆地或持續地將順向偏壓施加 至閘極與源極間者;及 24. 之^向偏壓軛加程序··其係在不造成妨礙發光元件驅動 之日守間’將反向偏廢施加至該薄膜電晶體之閘極與源極 ^抑制該薄膜電晶體之臨限值電壓之變動者。 如凊求項23之顯示裝置之驅動方法,丨中包含補足程 序,其係相對該薄膜電晶體補足地使並 電晶體之追加薄膜電晶體動作,以創造不造成妨^負 載元件|區動之時間者; 刖述反向偏壓施加程序係在該創造出之時間,將反向 偏壓施加至該薄膜電晶體者。 96535.doc
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