TWI253877B - Dual panel type organic electroluminescent device and method for fabricating the same - Google Patents

Description

1253877 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種有機電致發光裝置及其製造方法，尤指一種雙 平面式有機電致發光裝置及其製造方法，其包括具有在不同的基板上 形成的薄膜電晶體及有機電致發光二極體元件之一種陣列裝置。 【先前技術】 一般來說’有機電致發光裝置（organic electroluminescent device，0ELD)係為平面顯示器（flat panel display)的其中之一種 樣示。其發光的方式，係將來自陰極(cathode)之電子(electrons)及 來自陽極(anode)之電洞（holes)分別注入至發光層（emission layer) 内’使電子與電洞結合，產生激子(excit〇n)，且激子會從激態（excited state)落至基態（grounci state)並以光的形式釋出。不同於液晶顯示 器（liquid crystal display，LCD)裝置，對有機電致發光裝置而言， 不需要額外光源才能發光。所以根據前述所言，該有機電致發光裝置 有著輕便、輕薄的外形、體積小、寬廣的視角以及高影像對比的優點。 此外’有機電致發光裝置能工作在直流低電壓（DC l〇w v〇ltage)，因 此有著低功率消耗’反應速度快（fast response time)的優點。故， 有機電致發光裝置為一種積體裝置（integrated device)且對外力衝擊 有較佳的耐久性以及較為廣泛的應用。其次，因製造有機電致發光裝 置的程序相對較簡單，所以，有機電致發光裝置的製造成本很低。 第1圖示係為根據習知技術，描述有機電致發光裝置中一個像素 區（pixel area)之示意圖。在第1圖示中，掃描線乃沿著第一方向而 形成。一彳§s虎線及一電源線沿者與第一方向垂直的第二方向而形成， 且兩線橫越(crossing)過掃描線，如此而界定出像素區。而在圖示中， 交換式薄膜電晶體（switching transistor)Ts可充當為位址元件 (address element)，且形成在該掃描線及該信號線之一橫越點 (crossing p〇int)，以及與儲存電容CsT連接。該交換式薄膜電晶體化 用來控制電壓，而儲存電谷Cst乃儲存電流源(currenf s〇urce)。

Claims (1)

1253877 h、申請專利範圍： ι· ^~種雙平面式有機電致發光裝置，包括： 於第基:域具區域與-第二區域，其中該第二區域位於相對 ，數個_電晶體，乃形成在該第-區域； 個塾部件(_ Parts)，乃形成在該第二區域； 二及空間附祕該第—基板，且該第二基板與該第 > 2重且及曝路出邊弟一基板的第二區域； 體第-電性連接圖案(pattern)，乃連結於具有第二電極的該薄膜電晶 二電性連接_，乃連結於具有該第_電極的該墊部件之一； 圖案’乃設置在該第一及第二基板的邊緣上；以及 二;==_y spacer) ’乃設置在該第-瞻該密封圖案 編贿，其_ 31==1==^^=電致發光裝置，其_ 的材料。U 連接圖案以及該第-備用間隔體皆包括相同 圍第1項所述之雙平面式有機電致發光裝置，复中μ 及苐4性連接随皆由同—鋪輯形成。 、中· =第申H朗第1項所述之雙平面式有機電致發絲置，复中今第 軸隔細同，程^ -_相：=雙平第其中該* 接闇棄料笛 域之間的—第二副分區，且該第-雷 接圖案及轉—備闕隔體形成在該第二副分區。 《―電性連 22 1253877 域，該墊形成在一第二區域； 在該，-基板上形成與該_電晶體連接的—第—電性連接圖案； 在该第一區域形成複數個備用間隔體； 在第二基板上形成一有機電致發光二極體元件；以及 基板及該第二基板，此乃在第-基板之備用間隔體及第-電 2接圖案面對該第二基板之該有機電致發光二極體元件之方向進行， 二中，该有機電致發光二極體元件係連接該第 由該備用間隔體以維持於該第—基板與該第二基板之間的二$ (uniform cell gap) 〇 ί/ΙϊΓ範圍第14項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 第ί美板η該第一基板及第二基板的步驟，進-步包括:在該 圖亲t i^的基板的蚊位置a—)上形成一密封 (boundiy) /鱗讀置4姉胁縛—基第二基板之間邊界 14 讀造雙平面式有機電致發光裝置之 π如申社2成與該些墊之—相連接的-第二電性連接圖案。 方法6項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 Φ 成該第一電性連接圖案、形成該備用間隔體以及形成該第 二電性連接圖案之步驟皆由同一種製程所形成。1祕狀成該弟 1 方8法如雙平*式有機電致發光裝置之 —hrJ ί 括相對應於一影像顯示區之一第 宰分區，财該第—副分區形成的該第—電性連接圖 案及在該第二副分區形成的該第二電性 s 區形成的該備闕隔體。 扣案以及在該苐-如 1上如=範圍第14項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 區ί之Η Γ ί 間隔體以維持該間隙下，該備用間隔體維持一 已或之間隙，此乃不同於該第二電性連接圖案。 =所述之製造雙;面式有機電致發光裝置之 方法其中附加第-及弟二基板的步驟，包括：對齊第一及第二基板， 24 1253877 使得該第二基板重疊於該第一基板之該第一區域及曝露出該第一基板的 第二區域。 . 21·如申請專利範圍第14項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 方法，其中該第一基板之該第一區域，包括：相對應於一影像顯示區之 一第一副分區及一第二副分區，及在相對應於該第一副分區之該第二基 板的區域形成該有機電致發光二極體元件，以及在該第二副分區形成該 ， 備用間隔體。 22·如申明專利範圍第14項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 方法，其中形成該有機電致發光二極體元件的步驟，包括〔在該第二基 板依序形成的一第一電極、一有機電致發光層、以及一第二電極。 23. 如申請專利範圍第22項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 鲁 方法，其中附加該第一基板及第二基板的步驟，包括：藉由該第二電極 連接該第一電性連接圖案。 24. 如申請專利範圍第22項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 方法，進一步包括：在該第一基板之該第一區域内形成一第二電性連接 圖案，其中，附加該第一基板及第二基板的步驟，包括：藉由該第一電 極連接該第二電性連接圖案。 25. 如申請專利範圍第22項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 方法，其中形成墊之步驟，包括：形成延伸至該第一區域之該些墊中之 —^ 〇 26·如申請專利範圍第25項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 方法，進一步包括：在與墊（延伸至該第一區域者)連接的該第一區域形 成的一第二電性連接圖案，其中，附加該第一與第二基板之步驟，包括： 連接第一電極，其中經由該第二電性連接圖案使第一電極與延伸至該第 · 一區域的塾相連接。 27·如申請專利範圍第14項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 方法，進一步包括： 沿著一第一方向而在該第一基板形成一閘極線； 沿著橫越(crossing)該閘極線的一第二方向在該第一基板上形成一資料 25 1253877 線及一電源線，而該第二方向大體上垂直於該第一方向，其中，形成該 薄膜電晶體之步驟，包括：在制極線與鮮料_橫越_成的一交 換式薄膜電晶體，以及在關極線與該資料線的橫越點臟_驅動式 膜電晶體。 28·如申請專利範圍第27項所述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 方法，其形成該閘極線之步驟及形成該些墊之步驟包括同一種製程所製 成。 29· —種雙平面式有機電致發光裝置，其包括： 一第一基板與一第二基板，乃以一預定空間而彼此面對； 一影像顯示區，乃包括矩陣狀的複數個像素區，且各像素區含有在該第 一基板之一内部表面所形成之一薄膜電晶體以及該第二基板之一内部表 面所形成之一有機電致發光二極體元件； 第-電性連接®案’乃設置在該影像顯示區之各像素區内，且連接於 具有機電致發光二極體元件之薄膜電晶體； 一密封圖案，乃形成在該第一基板與第二基板之邊緣； 複數個第-備用間隔體，乃形成在該影像顯示區與該密封圖案之間的區 域；以及 複數個第二備用間隔體，乃形成在該密封圖案内。 加·如申响專利範圍帛29項所述之雙平面式有機電致發光裝置，其中所 形成的該第一及該第二備用間隔體具有不同的密度。 31·如申请專利範圍第3〇項所述之雙平面式有機電致發光裝置，其中形 成該第二備賴隔體之密度大於形成該第-備關隔_。 乂 2·如申明專利範圍第29項所述之雙平面式有機電致發光裝置，其中所 =成該第-電性連接圖案之密度大於該第_及第二備用間隔體/、 如申請專利範圍帛29項所述之雙平®式有機電致發光裝置，其中由 —密封材料所構成的該密封圖案不包含玻璃纖維(glass fiber)。、 34. —種製造雙平面式有機電致發光裝置之方法，包括 在第-基板上且在各複數個副像素區内，形成具有一交換元件之 列裝置； 26 1253877 形成一電性連接圖案而與該交換元件連接； 在一第二基板上形成一透明導電材料之一第一電極； 依序形成一有機電致 在相對應於該副像素區的區域且在該第一電極上， 發光層及一第二電極； 在該第-及該第二基板之—的邊緣上形成—密封圖案； ί該及該第二基板的相互重疊及在一影像顯示區之周邊的區域 上’形成该弟一備用間隔體； 在該密封圖案内形成該第二備用間隔體；以及 附加該第一基板與該第二基板。 =如申請專纖圍第34賴述之製造雙平面式有機電致發光裝置之 方法，其巾賴形成第-及該第二侧間隨具有不 36.如申請專利範圍第35項所述之製造雙平面式有機電致ς光裝置之 方法，其中該所形成第二備賴隱之密度大於該第體。 3方ν°Ιϊί_圍第34項魏之製造雙平面式錢紐發光裝置之 方法，其中由一密封材料所構成的該密封圖案不包含破璃纖維。

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