TWI250220B - Vacuum-processing equipment for plane rectangular or quadratic substrate - Google Patents
Vacuum-processing equipment for plane rectangular or quadratic substrate Download PDFInfo
- Publication number
- TWI250220B TWI250220B TW093108293A TW93108293A TWI250220B TW I250220 B TWI250220 B TW I250220B TW 093108293 A TW093108293 A TW 093108293A TW 93108293 A TW93108293 A TW 93108293A TW I250220 B TWI250220 B TW I250220B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- substrate support
- vacuum
- processing apparatus
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 16
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/067—Sheet handling, means, e.g. manipulators, devices for turning or tilting sheet glass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
- B65G2249/02—Controlled or contamination-free environments or clean space conditions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical And Physical Treatments For Wood And The Like (AREA)
- Wrappers (AREA)
Description
1250220 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種平面式矩形或正方形基板用之真空處理 裝置,該基板是在至少一種垂直之狀態中進行處理。本裝 置包含:一真空室,其具有至少二個分佈在真空室之周圍 上之在該室側敞開之處理室;一入口閘室;一出口閘室和 〜可旋轉之由位於該真空室內部中之基板支件所構成之配 tt,其具有一種起動機構以使該基板支件對該處理室依序 旋轉且前進或後退。 連續操作之處理裝置或塗層設備可在真空中操作直至真 窆泵組之功率極限爲止且可在各別之處理站中在所謂基板 上進行不同之處理,該處理裝置或塗層設備通常包含以下 之模組: a) 至少一真空室, b) 至少一抽真空之系統或栗系統, c) 可由該真空室接近之處理站,其具有處理源, d) 情況需要時在各處理站之入口端之內閘室閥, e) 該處理源用之供應裝置(電流源及/或氣體源), f) 至少一閘室系統,其具有一種閘室閥,使基板進入 真空室中或使基板由真空室中出來, g) —輸送系統,用來對該基板進行二維-或多維之輸送, h) 基板支件或基板載體,可與該輸送系統一起作用, 1)情況需要時一已接通之機組,用來在該設備之閘室 之前製備-及/或送出該基板。 1250220 只要涉及一種具有可旋轉-且情況需要時具有徑向之輸送 路徑之設備,其處理站或處理室連接到至少一旋轉對稱之 主-真空室,則此種設備亦稱爲”Cluster-設備”。 在各種處理方法中,通常使用以下各種方法於很多之製 程參數中:基板之預熱(噴射氣體消毒)和冷卻,電漿處理(例 如,閃爍以進行淨化和促進黏合),PVD-方法,CVD-方法 和PC VD-方法。該裝置之各組件已爲人所知。此處” p”表 示”physical”,“C”表示”chemical”,,,V”表示,,vacuum,,且,,D,, 表示”deposit”。這些方法中之某一些方法(其符號已用在國 馨 際之語言慣用法中)能以反應性(在供應各種反應氣體或氣 體混合物時)或非反應性(目前是鈍性氣體)之方式來進行。 亦可使用該表面處理用之蝕刻方法,其包含特定之,,平面圖 樣”之產生和在基板上產生多條接觸線。該方法之整個步驟 和該裝置之組件(依據對該終端產品之需求)亦可用於本發 明之物件中。 【先前技術】 在歷史之發展中,連續式”Cluster-設備”首先用於較小之 φ 基板中,例如,用於碟片,晶片,資料記憶體和晶圓中。 但就較大基板(例如,視窗晶圓和顯示器)之進一步發展而 言則發生很大之問題,例如,該設備之尺寸,操控該基板(且 情況需要時該基板支件)所需之空間需求,例如,水平位置 中運行而至之基板對準至垂直之位置中,基板之彈性變 形,斷裂及/或機械上之受損等所造成之危險性及/或其各 種塗層和污染物,特別是由於塗層短暫地或持續地聚集而 1250220 存在於該設備中之各種成份和由於不同之製程參數而使這 些污染物剝落,特別是由於溫度變化或機械作用。 因此,依據以下仍將詳說明之EP 〇 1 3 6 562 B1,每一基 板在水平位置都供應至一種閘室系統,其中藉由一種起重 裝置而向上拉起且然後藉由一種擺動裝置而在垂直位置擺 動,基板固定在基板支件上。在第二閘室系統中取出時, 則上述一系列之步驟以相反順序進行。這在大面積之長方 形基板中會造成巨大之空間問題,大的閘室體積和室體積 以及長的抽真空時間及/或真空泵之大的吸取功率。 由EP 0 1 36 562 B1中所述之小的圓板形基板(例如,碟 片,半導體和晶圓)用之連續式陰極濺鍍設備中已知一種由 二個盆形之室所構成之真空室,即,由5角形之外室和一 與其同圓心之圓柱形之內室所構成,該二室藉由一種環形 之上蓋固定地且真空密封地相連。其底部之間具有一種小 的垂直距離。該外室在周圍以等距之方式設有一種閘室設 備和4個室形之處理站。這些設備通常亦稱爲”Cluster-設 備”。⑩ 外室和內室之間以可旋轉之方式配置另一多角形之盆, 其邊框上藉由片簧而配置5個基板支件。各片簧在操作狀 態時封閉該閘室設備且藉由密封件和閥功能來封閉各處理 室。該基板支件-盆亦具有一種底部,其配置在該外室和內 室之各底部之間。基板支件之徑向移動(其持續地保持在真 空室中)同步地藉由一種中央錐體和5個聯杆來產生,各聯 杆在該內室之邊框中受到導引且在大約一半高度處經由內 1250220 室之壁而不會一起旋轉。該起動器和其錐體亦是靜止的。 該基板支件-盆以步進方式藉由另一起動器而旋轉。爲了 使該基板支件-盆在真空室中可由一站旋轉至另一站,則上 述之聯杆必須由該基板支件-盆之圓形或圓柱形之移動軌道 周期性地拉回且又向前移。由於在該基板支件-盆由一站旋 轉至另一站時各處理站之開口保持開著的,則塗層材料在 外室和內室之間之空間中在一半高度處漏出且在該處已存 在之表面上凝結,即,亦在聯杆之末端上-,其導引區上-和該基板支件-盆上之片簧上凝結。此種冷凝液之由一處理 周期至另一處理周期而變大之層厚度以微粒之形式隨時剝 落而造成污染,且旋轉之基板之表面因此不可使用而成爲 較貴之次級品。聯杆之內部末端上之冷凝液之剝離過程特 別是有害的。 主要是:在製造-和操作時由於溫度改變而由已聚集之層 材料之由上方來之已剝落之微粒應防止其對基板造成污 染;但這對該真空室內部中在整個輸送路徑上處於絕對垂 直狀態之基板表面而言是適當的。但其先決條件是較小之 基板應固定在其支件上。 由EP 0 665 193 B1和DE 695 04 716 T2中已知在串集式 (Cluster)設備中可使調整面和室體積受到限制,大面積之 長方形或正方形顯示器(其尺寸是45 0 mmx 550 mm或更大) 用之由玻璃構成之基板在持續垂直之狀態中藉由基板支件 由周圍進入真空室之系統中且藉由相同之基板支件一起又 在周圍中運出。因此,在中央之緩衝室和各別之處理室之 1250220 間分別設有閥門。緩衝室中以同心方式且利用垂直軸而配 置一種旋轉桌,藉此使基板以其支件和其主面(即,幾乎成 徑向)而對準各別之處理室且由該位置而運行至處理室中且 又取回。但該旋轉桌未具有特定之基板支件。就基板支件 之輸送而言,每一處理室中和該旋轉桌上配置著互相隔開_ 且各別驅動之輸送裝置(其具有基板支件用之滾輪)。構造 上之耗費和所需之起動-和控制裝置是可觀的;特別是在旋 轉桌上亦可配置多個互相獨立之具備滾輪之輸送裝置。若 圍繞該旋轉桌之旋轉軸而劃一個圓(其亦包含徑向凸出之處 φ 理室),則對整個裝置所需之調整面會顯示一種較大之需 求,特別是另外由於基板以”立在其尖端上”之方式而固定 在大面積之基板支件上,則該基板之對角線範圍決定上述 之圓之直徑。在周圍和該設備內部之間重複輸送全部之基 板支件會由於該設備中溫度之改變而使所累積之層脫落, 此種問題因此仍不能解決。 由DE 200 2 2 5 64 U1中已知使載體和基板經由第一閘室 而進入真空設備中以進行塗層,連續地在一種圓形或部份 ® 圓形之軌道上運行且最後在塗層之後經由第二閘室又運 出。真空室內部中該載體針對各塗層站之徑向移動或以徑 向成份來移動(這與圓形軌道不同)未預先設定。空的載體 由該出口閘室送回至真空室外部之該入口閘室時應以儘可 能短之路徑來進行或儘可能快地進行,以便使真空室內部 中聚集在載體上之層由於溫度變動所造成之脫落可受到限 制。 1250220 由DE 102 05 167 Cl中已知在一種線上真空塗層設備中 藉由二個長度可變之線性輸送路徑使載體和基板用之二個 具有可旋轉之更換單元之緩衝室可互相連接,以使塗層站 之數目改變。各載體在垂直狀態或稍微傾斜之狀態中輸 送,其中一輸送路徑是作爲非連續之輸送用且在二端(其鄰 接於各緩衝室)分別具有一個閘室,各閘室都具有二個閥且 其前或其後具有一個載體用之負載-和去載站。另一輸送路 徑作爲連續之輸送用且在二端(各緩衝室經由一種閥而與該 二端相鄰接)分別具有該載體用之轉換(Transfer)區,其分 φ 別具有基板。該設備中該載體移動用之元件未設定其橫向 於該輸送方向而移動,亦不是在直線輸送路徑上移動,且 亦不是在緩衝室中或不是在該轉換區中移動。各緩衝室只 設有加熱和冷卻用之元件。 由US 2002/007 8 8 92 Α1中已知使LCD-顯示器用之大面積 之長方形基板(其尺寸是lmx 1.2 m或更大)以成對方式, 垂直地,互相平行地或在上方邊緣以銳角互相傾斜地在不 同之輸送路徑上由大氣經由真空設備(包含串集式設備)輸鲁 送至大氣。基板支件和水平板作爲該目的用,水平板在鏡 面對稱配置中之上側上配置二個向內敞開之框架以作爲基 板支件用且在其下側上沿著對稱面而配置一支撐板(其二側 具有齒條),藉此使基板支件可藉由一系列之小齒輪(其由 齒帶所驅動)而在不同之可隨時變換之方向中運行。 一種旋轉對稱之通道室或緩衝室(其具有旋轉桌)此處亦 可用作該輸送裝置之中央部份,該旋轉桌之下側上配置一 -12- 1250220 種小齒輪起動器,其具有6個小齒輪和一個馬達,以對該 基板支件進行導引,使移動方向改變或造成徑向移動。在 緩衝室之周圍上配置一種閘室系統和至少三個用於不同真 空過程之處理室,其係以截止閥相隔開。該基板支件在徑 向之縱向中運行至處理室中,各處理室因此須具有相對應 之徑向之尺寸,使整個設備周圍所設想之範圍都具有一種 大的直徑,這樣會造成一種相對應之大的調整面。縱向偏 移和處理室中相對應之驅動亦是需要的,此乃因此種處理 室亦可在徑向中互相成列。 φ 在US 2002/0078892 A1之先前技術中描述一種具有一轉 移-機器人和二個夾具之旋轉桌,各夾具經由偏向元件依據 一種剪切鉸鏈之方式在徑向中操作。但須明確地指出:各 基板在整個輸送路徑中以離心方式保持在水平位置中,且 這在顯示器(例如,壁式螢幕)用之基板之尺寸逐漸增大時 會造成空間-和體積上之問題以及較長之泵送時間,且在其 原來重量下會使只有0.7 mm厚之基板彎曲或折斷。基板之 水平尺寸變大會使直徑變成二倍,例如,會超過2 m。這 鲁 樣在加速或延遲時會使閘室閥額外變大而發生質量上之問 題且亦會有容許度之問題。 又,US 2002/007 8 892 A1中指出:該旋轉桌之支撐板藉 由磁起重機而由導引軌取下,以防止由於磨損而造成灰塵 散發。由於聚集在基板支件上之層材料之剝落而在由大氣 輸送至大氣時以及真空室內部加熱時形成灰麈,或由於小 齒輪起動時造成灰塵等如何防止這些灰塵之問題均未提 1250220 到。但該習知之配置之其它主要缺點是:室之內部之輸送 機構之數目隨著連接至中央室或緩衝室之處理室之數目之 增加而增加,這須與緩衝室中該旋轉桌之輸送機構相匹 配,因此,一種移交至處理室中或由處理室中交出之過程 是可能的。 先前之技術指出:由於基板尺寸持續變大且基板厚度隨 著持續之硏發而變小以及形式之不易彎曲性-和強度變小’ 則會產生新的問題,其已造成很複雜且昂貴之構造原理和 複雜之操作流程。在設備組件上解決該調整面之問題以及鲁 由於累積之層之微粒所造成之基板污染之問題等目前並未 達成。 【發明內容】 本發明之目的是提供一種構造原理和操作流程’其可使 該調整面,室體積和抽真空時間進一步減少且可在真空室 外部和內部中使基板之”操控”更簡化,特別是可使由於已 剝落之層封包之微粒所造成之基板之污染危險性大大地下 降。 · 上述目的在本發明中以申請專利範圍第1項之特徵來達 成,即,該基板支件在其下部區中經由導桿配置而與該起 動機構相連接,且至少該導桿配置之下部之擺動軸承配置 在該基板支件之承載面之高度之水平中央線之下方。 藉由上述解法,則全部之目的可在整個範圍中滿意地達 成,特別是給定構造原理和操作流程,其可使該調整面’ 室體積和抽真空時間進一步減少且可在真空室外部和內部 -14- 1250220 中使基板之”操控”更簡化,特別是可使由於已剝落之層封 包之微粒所造成之基板之污染危險性大大地下降。構造上 之耗費和次級品可減少且產品之品質可明顯地提高。 在本發明之一系列之形式中特別有利的是以下各別之情 況或其組合: *該導桿配置之全部之擺動軸承配置在該基板支件之承 載面之高度之水平中央線之下方, *每一基板支件用之起動機構具有成對配置之懸臂,其 上以懸掛方式分別配置一種平行四面體-導桿配置, *該平行四面體-導桿配置之下部之擺動軸承分別配置 在一種U形之護圈上,其向外對準之股邊是與一橫樑相連 接,該橫樑形成各基板支件之下方之終端, *該起動機構具有一旋轉盤,其上就每一基板支件而言 設定一組梯形-導桿配置, *該起動機構是一種具有同心軸之旋轉-和起重起動器, 藉由其垂直之移動可使該梯形-導桿配置被帶引至與基板支 件上之徑向移動相作用, * 該真空室 a) 具有一種盆形、旋轉對稱且靜止之內室部份,其 具有一垂直軸和一第一底部, b) 具有一以一距離圍繞該內室部份之外室部份,內、 外室部份之間配置一種環形之空間以使該基板支 件可旋轉,其中該外室部份設有多個以相等角距 而配置之開口和連接至各開口之處理室且具有另 •15- 1250220 一底部,其靜止地以某一距離而配置在第一底部 下方, C) 具有至少一導桿配置,以使基板支件相對於各處 理室之開口可作同步之徑向移動,該導桿配置是 配置在第一底部和第二底部之間而可繞該軸旋 轉, d) 具有閘室序列,其移交室用來使該設備連續地被 供應以無框架來導引之基板。 *直線對準之閘室序列配置在與真空室成切線之方向中 且包含:入口閘室,移交室和出口閘室(其具有連接於中間 之真空閥)。該閘室序列在真空處理之前和之後界定一種直 線式輸送路徑。 *可圍繞該垂直軸而旋轉之基板支件向上以一種介於1 和200之間之角度傾斜於該軸而配置著,特別是可圍繞該 垂直軸而旋轉之基板支件向上以一種介於3和1 之間之 角度傾斜於該軸而配置著, *靜止之基板支件位於閘室中以便對各基板進行無框架 式之導引,各基板支件對垂直線所成之角度是與該可旋轉 之基板支件(13)者相同, *各基板支件在其下端上具有滾輪以容納-且繼續發送 基板,且上方具有開口以發出氣體使形成氣墊,以便在基 板相對於各別之基板支件作相對移動時可使基板無摩擦地 被輸送, *各處理室之開口相對於其相面對之可旋轉基板支件而 -16- 1250220 言具有邊緣,各邊緣位於一與該基板支件之平面相平行之 平面中, *各處理室之開口設有一遮蔽件,以便在處理時對該基 板進行遮蔽, *該導桿配置只具有鉸鏈使該可旋轉之基板支件向前 推’藉此可使該基板支件移動而不會產生直線之滑動摩 擦, *該梯形·導桿配置之最短之位於上方之元件在其中央 處具有另一鉸鏈,且二個串聯之梯形-導桿配置須藉由間隔 φ 導桿而相連接時,則每個串聯之梯形-導桿配置分別佔有相 同之角位置, *在向著大氣之敞開之內室部份中配置該軸用之起動機 構, *梯形-導桿配置之上方之元件具有已安裝之固定之另 一導桿,其下端經由鉸鏈而與懸臂相連接,該基板支件固 定至懸臂之外端, *上方之元件和其導桿具有”T”之形式,特別是當 修 *在該軸上配置一承載凸緣,其經由該導桿而作用在角 桿上,該角桿定位在該旋轉盤上且其一個股邊是最內之梯 形-導桿配置之一部份以及藉此可造成各梯形-導桿配置之 擺動。 【實施方式】 本發明之二個實施例及其作用方式以下將依據第1至1 〇 圖來詳述。 1250220 第1,2圖中顯示一種中央起動機構1,其具有垂直軸和 一種共軸之安裝凸緣2以固定至真空室之此處未顯示之下 底部。該起動機構1在其上方區域中承載一可旋轉之室3(其 具有正方形之平面圖),其角隅上總共固定8個懸臂4,各 懸臂經由斜支柱5而支撐在該室3之圓柱形之基底6上, 且各別以成對方式經由4個徑向凸出之懸臂7而一起運行 (請參閱第2圖)。 總共8個平行四面體-導桿配置8向下經由上方之固定之 擺動軸承而懸掛至各懸臂4(其以成對方式互相平行延伸且 形成一種直角之十字形)。該平行四面體-導桿配置8之下 端可擺動地定位至水平之U形護圈9(其具有成對互相平行 之股邊9a),各股邊之向外對準之末端分別經由一橫樑10 而相連。每一橫樑承載至少二個凸出之滾輪1 1,其作爲此 處未顯示之基板用之接取區且情況需要時可被驅動及/或鎖 定。每一橫棟10向上承載一傾斜向上且向後之以一種介 於3和15^之間角度來對準各垂直線之框座12(其具有桁架 式之縱支柱和橫支柱),其經由垂直之支件1 2 a而支撐在各 別之護圈9上。 該横樑10-和框座12之外側位於一種共同之平面中,其 輪廓至少對應於各別基板之輪廓,這些部份因此分別形成 一種形式不易變更之基板支件13,其在其上述平面之方向 中具有一種高度”H”且在其中央(H/2)界定一種水平之中 線”M”,其下方配置全部之導桿配置和其擺動鉸鏈。 上述二種基板支件13在箭頭14之方向中作用相反且可 -18- 1250220 在徑向中互相移動。須注意:只顯示二個基板支件1 3。另 二個基板支件(其配置在該起動機構1之前和之後)爲了淸 楚之故此處未顯示。各基板支件同樣可在相反方向中作徑 向移動,且對該二個箭頭14成直角。 框座1 2在很多位置上設有鑽孔且連接至一未顯示之氣體 源,使該裝料位置中之基板可依據”氣墊車”之形式以無摩 擦之方式藉由滾輪11之引導而移動至各別之基板支件。 然後使氣體供應中斷,使不會影響各處理室中之氣體大 氣。 第3,4圖顯示第1,2圖之旋轉系統,其以垂直軸A-A 整合在真空室15中。真空室15由內室區,盆形之室區16(其 具有底部17)所構成,藉由凸緣18以真空密封之方式使該 起動機構1之上方之末端區***至該底部17中。垂直之 支撐作用藉由4個固定支柱19來達成,其有效長度可由 各設定元件20來改變。只顯示二個位於垂直切面(第6圖 中之E-E)之後之設定元件20,其懸掛在徑向之節點片21 上。 又,該真空室15具有一種外室區22,其形式是一種4 邊形之平截頭棱錐體,其具有底部23,該起動機構1之下 方之末端區24以真空密封方式經由該底部23。內室區和 外室區16或23經由外蓋25以真空密封方式互相連接。外 室區22之壁以等距之分佈方式而設有4個長方形之開□ 26,其中此處同樣只有二個位於對角線上之開口 26可看 見。在開口 26上設置各處理室27 ’ 28,其可設有未顯示 1250220 之用於不同真空過程之裝置。各處理室27,28之外壁27 a, 2 7 b設有肋條5 0以容納大氣壓力之力(第7圖)。 在水平之底部17,23之間存在著該起動機構1之主要之 可旋轉之部份,其將依據第5圖作更詳細之說明。在內室 區1 6和外室區2 2之間之環形之空間2 9中由下向上伸入一 可旋轉-且能以徑向成份來移動之基板支件1 3。經由該內 室區16之圓柱形之壁來進行之移動是不存在的。反之, 該基板支件13由第13圖之位置轉移至第4圖之位置時是 藉由上述之平行四面體-導桿配置8來達成,其中該擺動軸 承之空間位置已由定義”平行四面體·導桿配置,,所定出。只 須說明:下方之擺動軸承之最低點位於相同之導桿之相對 應之上方之擺動軸承之下方。因此,可圍繞一種中央位置 而達成對稱之擺動。在該擺動角度-或徑向之移動成份進行 預定之測量時藉由該導桿長度之充份之測量,則可使垂直 之移動成份成爲儘可能小。相對於移動-進行而言,上述之 擺動軸承實際上未產生磨損且亦未使層材料產生灰塵(其會 影響該基板上之層品質)。因此,基板支件1 3上之U形之 護圈9對其下邊緣造成侵蝕而不是像EP 0 136 562 B1那樣 發生在基板中央。上述之平行四面體-導桿配置8之下方之 擺動軸承只以儘可能小之距離而位於該護圈9之上側上且 位於該基板支件1 3之背面上,使可能之磨損亦會由於此 一原因而不會到達該基板之外側。 第5圖是該起動機構1在第4圖之位置時一已放大之區 段。使用目前之參考符號來繼續描述。在可旋轉之室3中 -20- 1250220 配置一種起動馬達,以步進方式來進行旋轉式移動且配置 水平之控制桿30以周期性地移動上述之平行四面體-導桿 配置8,其中各控制桿30(其在該室3之內部中導引且受驅 動)以其外端由該室3凸出且經由該擺動軸承而分別抓握在 內部之導桿上。 該起動機構1具有經由該底部17,23之共軸之軸32, 其藉由真空密封之第一旋轉件3 3而經由上方之底部1 7且 藉由真空密封之第二旋轉件34而經由下方之底部23和徑 向軸承35。一組終端支件36用來供應各處理媒體且需要 φ 時亦供應電流。 第6圖顯示圓周方向中和徑向中相疊加之移動流程之圖 解。外室區22亦可依據虛線之圓22a所示之截錐體形式來 形成,一種閘室序列37平行於真空室15上之切線(平行於 外室區2 2)而延伸,該閘室序列3 7由移交室3 9之入口閘 室38和出口閘室40所構成。該閘室序列37含有習知構造 形式之真空閥41。該線E-E代表第3,4圖之垂直之切面。 成傾斜或已受導引之無基板支件之基板以直線步進方式® 經由該閘室序列37時之輸送方向由一系列之箭頭42來表 示。該移交室39面對另一處理室43。環形空間29之內部 中藉由粗厚之箭頭來顯示該移動順序。步進式之旋轉式移 動由該移交室39開始以900沿著閉合之箭頭線44來進行。 在4個固定點上分別直接在該移交室39和各處理室27, 43,28之前藉由徑向之雙箭頭45來表示該基板之前推和 後退。基板之前推進行至直接位於已屏蔽之框架形式之遮 -21- 1250220 蔽件46之前爲止,該遮蔽件46配置在各處理室27,43, 2 8之開口區中。但基板和該遮蔽件46之間之密封作用是 不需要的,此乃因最外部之薄的基板對此並無貢獻。只要 該基板支件之向後移動已完成,則其在下一個處理室之前 旋轉9M,在處理結束時位於移交室39之前以便繼續輸送 至該出口聞室40中。 第7圖是整個設備之外部之透視圖,其具有第1至6圖 之元件和參考符號。該移交室39之二側以虛線來表示該 入口閘室38和該出口閘室40。該移交室39中顯示一種成 φ 傾斜之入口縫隙39a,亦顯示一種連接於其上之泵支件47 和截止活門48及低溫泵49。可淸楚看出的是該移交室39-和該處理室2 8之針對大氣壓力之肋條5 0。 特別是由第6,7圖可得到該設備之特別緊密之省空間和 省體積之形式,特別是:基板支件不必送出至大氣中。在 全部之情況下在閘室38和40中亦配置已打孔之基板支件, 其在整個基板面上具有壓力氣體供應器且在下端具有滾 輪,使基板能無摩擦地經由氣墊而在基板支件上移動且又 馨 可推開。爲了抽真空且在該基板靜止於其支件上時,該氣 體供應器應短暫地中止。這亦適用於以下之時段:該基板 於真空室1 5中存在於其基板支件上。這亦適用於以下之 實施例。 第8,9圖顯示第1至7圖之物件之另一種形式,其亦使 用目前之參考符號,不同之處是該基板支件13用之旋轉-和前進起動器。在具有底部17之盆形之內室區16中配置 -22- 1250220 種旋轉-和起重起動器51,其包含:第一馬達52,其具有 減速齒輪5 3以產生旋轉式移動;第二馬達5 4,其具有減 速齒輪55以對一種共同之軸56產生向上-和向下之移動。 4個雙重式梯形-導桿配置5 7配置在一旋轉盤5 8上,該旋 轉盤58可由該軸56以步進方式而在旋轉方向中偏移。各 基板支件1 3在第8圖中以連續之線顯示其在已拉入之位 置中之情況。 藉由拉高該軸56(其具有一種承載凸緣63),則經由其上 所懸掛之幾乎垂直之導桿64(第9圖)可使4個角桿59圍繞 · 其固定軸承60而向外擺動,因此可使梯形-導桿配置57在 其上端上向外擺動,如第9圖所示。梯形-導桿配置5 7之 位於最上方之最短之元件65以T形方式構成且在其中央 設有另一鉸鏈,其中二個串聯之梯形-導桿配置57藉由水 平之間隔導桿62而互相連接,使串聯之梯形-導桿配置57 分別佔有相同之至該旋轉盤5 8之角位置。該元件65之T 形之形式藉由與另一不能旋轉之導桿65a之連接來達成, 該導桿65a之下端經由一對未特別強調之擺動軸承而與楔鲁 形懸臂61之水平之下邊緣相連接,各懸臂61配置在基板 支件13之下端。由角桿59所促成之移動同步地跟隨其它 全部之梯形-導桿配置57。 懸臂61和其上傾斜地站立而固定之基板支件1 3 —起拉 行。因此,該梯形-導桿配置57之設計須適當,使徑向移 動之垂直成份儘可能小。在徑向移動結束時,該基板支件 1 3佔有第8圖中面對各處理室之虛點線所示之位置1 3 a。 -23- 1250220 同樣情況亦適用於面對另一處理室和該移交室之基板支件 13之位置,此處爲了簡化之故而省略。基板支件13之徑 向之外部終端位置在第9圖中以連續之線來表示。 依據第1 〇圖,第8,9圖中使用目前之參考符號來相比 較:該軸5 6藉由上方之旋轉軸承和真空導引件之組合66 而貫通’且藉由不可旋轉之圓板形承載板67經由內室區1 6 之底部17來達成。該軸56之下端在軸向中可移動地在下 方之旋轉軸承6 8中導引,其亦定位在另一旋轉板6 9中, 該旋轉板69向上承載一圓柱形之套件70,其具有中斷件7 1 φ 和徑向凸緣7 2,凸緣上以梯形-導桿配置5 7來設定該旋轉 盤58。向下密封是藉由位置固定之承載板73來達成,該 承載板73以真空密封方式***至該外室區22之底部23中 且在該軸56末端下方設有盆形之凸出件74以使該軸56下 降。 明顯可辨認的是:藉由該軸56在箭頭75之方向中之上 升,則整個梯形-導桿配置5 7和基板支件1 3可藉由角桿5 9 和間隔導桿6 2而在箭頭7 6之方向中同步地移動,此乃因 · 該懸臂61以鉸接方式定位在該與元件6 5固定相連之導桿 65a之下端上。 【圖式簡單說明】 第1圖 內部之起動機構之透視圖,其在徑向拉入之位置 中具有二個基板載體。 第2圖 類似於第1圖之內部之起動機構之透視圖,但其 在徑向駿出之位置中具有二個基板載體。 -24- 1250220 * 第3圖在第1圖之位置中具有一種起動機構之真空設備 之垂直、徑向之部份切面圖。 第4圖 在第2圖之位置中具有一種起動機構之真空設備 之垂直、徑向之部份切面圖。 第5圖 係第4圖之起動機構之已放大之區段。 第6圖 在圓周方向中和徑向中相疊加之移動流程之圖 解。 第7圖 具有第1至6圖之元件之完整設備之外部透視 圖。 第8圖 係第1至7圖之物件之另一種形式,其具有類似 於第3圖之已拉入之基板支件。 第9圖 係第8圖之物件’其具有類似於第4圖之已駿出 之基板支件。 第10圖係第8,9圖之一部份之比較圖。 主要元件之符號表: 1 起動機構 2 安裝凸緣 3 室 4,7 懸臂 5 斜支柱 6 基底 8 平行四面體-導桿配置 9 護圈 10 橫樑 -25- 1250220 11 滾輪 12 框座 12a 支件 13 基板支件 13a 位置 14 箭頭 15 真空室 16 室區 17 底部 18 凸緣 19 固定支柱 20 設定元件 21 節點片 22 室區 22a 圓 23 底部 24 末端區 25 外蓋 26 開口 27,28 處理室 27a, 28a 外壁 29 空間 30 控制桿 3 1 擺動軸承
-26- 軸 旋轉件 徑向軸承 終端支件 閘室序列 入口閘室 移交室 入口縫隙 出口閘室 · 真空閥 箭頭 處理室 箭頭線 雙箭頭 遮蔽件 泵支件 截止活門 # 低溫泵 肋條 旋轉-和起重起動器 馬達 減速齒輪 軸 梯形-導桿配置 -27- 1250220 58 旋轉盤 59 角桿 60 固定軸承 61 懸臂 62 間隔導桿 63 承載凸緣 64 導桿 65 元件 65a 導桿 66 組合 67 承載板 68 旋轉軸承 69 旋轉板 70 套件 7 1 中斷件 72 凸緣 73 承載板 74 凸出件 75,7 6 箭頭 A-A 軸 E-E 線/切面 H 高度 M 中線
-28-
Claims (1)
1250220 ^ : I ; …嘯......::、 一 - . : \ i 拾、申請專利範圍: 第9 3 1 0 8 2 9 3號「平面式矩形或正方形基板用之真空處理裝 置」專利案 (2005年1 1月修正) 1 · 一種平面式矩形或正方形基板用之真空處理裝置,該基 板是在至少一種垂直之狀態中進行處理,本裝置包含: 一真空室(15),其具有至少二個分佈在真空室(15)之周 圍上之在該室側敞開之處理室(27,28,43); —入口閘 室(38); —出口閘室(40)和一可旋轉之由位於該真空室(15) ® 內部中之基板支件(13)所構成之配置,其具有一種起動 機構(1 ’ 5 1)以使該基板支件(1 3)對該處理室(2 7,2 8,4 3 ) 依序旋轉且前進或後退,其特徵爲:該基板支件(13)在 ^ 其下方之區域中經由導桿配置(8,57)而與該起動機構 (1,5 1)相連,且該導桿配置(8,57)之至少位於下方之擺 動軸承配置在該基板支件(13)之承載面之高度(H)之水平 之中線(M)之下方。 2.如申請專利範圍第1項之真空處理裝置,其中該導桿配 ® 置(8,5 7)之全部之擺動軸承配置在該基板支件(Π)之承 載面之高度(Η)之水平之中線(Μ)之下方。 3 .如申請專利範圍第1項之真空處理裝置,其中該每一基 板支件(13)用之起動機構(1)具有成對配置之懸臂(4),其 上分別以懸掛方式配置一種平行四面體-導桿配置(8)。 4.如申請專利範圍第3項之真空處理裝置,其中該平行四 面體-導桿配置之下方之擺動軸承分別配置在U形之護 1250220 圈(9)上,其向外對準之股邊(9a)是與橫樑(10)相連,橫 樑形成各基板支件(1 3)之下方之終端。 5 .如申請專利範圍第1項之真空處理裝置,其中該起動機 構(5 1)具有一種旋轉盤(5 8 ),其上對每一基板支件(1 3 )設 定一組梯形-導桿配置(57)。 6.如申請專利範圍第5項之真空處理裝置,其中該起動機 構(5 1)是一種具有同心軸(56)之旋轉-和起重起動器,藉 由其垂直移動可使該梯形-導桿配置(57)被帶引至與基板 支件(13)上之徑向移動相作用。 7 .如申請專利範圍第1項之真空處理裝置,其中該真空室 (15) a) 具有一種盆形、旋轉對稱且靜止之內室區(16),其具 有一垂直軸(A-A)和一第一底部(17), b) 具有一以一距離圍繞該內室區(16)之外室區(22),內、 外室之間配置一種環形之空間(29)以使該基板支件(13) 可旋轉,其中該外室區(2 2)設有多個以相等角距而配 置之開口(26)和連接至各開口之處理室(27,28,43)且 具有另一底部(23),其靜止地以某一距離而配置在第 一底部(17)下方, c) 具有至少一導桿配置(8,57),以使基板支件(13)相對 於各處理室(27,28,43)之開口(26)可作同步之徑向移 動,該導桿配置是配置在第一底部(17)和第二底部(23) 之間而可繞該軸(A-A)旋轉, d) 具有閘室序列(37),其移交室(39)用來使該設備連續地 1250220 被供應以無框架來導引之基板。 8 ·如申請專利範圍第7項之真空處理裝置,其中該直線對 準之閘室序列(3 7)配置在該真空室(1 5)之切線方向中且包 含:一入口閘室(38),一移交室(3 9)和一出口閘室(40), 其具有連接於中間之真空閥(41),其中該閘室序列(37)在 真空處理之前和之後界定該基板之直線之輸送路徑。 9 ·如申請專利範圍第丨項之真空處理裝置,其中該可圍繞 垂直軸(A-A)而旋轉之基板支件(π)向上以一種介於1和 2 0°之間之角度傾斜於該軸(A-A)而配置著。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之真空處理裝置,其中該可圍繞 垂直軸(A-A)而旋轉之基板支件(13)向上以一種介於3和 1 50之間之角度傾斜於該軸(A-A)而配置著。 1 1 .如申請專利範圍第1或8項之真空處理裝置,其中該閘 室(3 8 ’ 40)中存在著靜止之基板支件以對各基板進行無 框架式之導引,各閘室對垂直線所形成之角度是與可旋 轉之基板支件(13)者相同。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之真空處理裝置,其中該基板支 件(1 3)在其下端具有滾輪(1 1)以容納-且繼續運送該基板 且上方具有開口使氣體排出以形成氣墊,以便在基板對 各別之基板支件(1 3)進行相對移動時對基板作無摩擦之 輸送。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之真空處理裝置,其中該處理室 (27,28,43)之開口(26)相對於可針對其直立而旋轉之基 板支件(1 3)而言具有邊緣,各邊緣位於一與基板支件(1 3) 1250220 之面相平行之面中。 i 4.如申請專利範圍第13項之真空處理裝置,其中該處理室 (27,28,43)之開口(26)設有遮蔽件(46),使基板在處理 期間可被遮蔽。 1 5 .如申請專利範圍第1項之真空處理裝置,其中該導桿配 置(8,57)只具有鉸鏈以使可旋轉之基板支件(13)向前推, 藉此可移動該基板支件(1 3)而不會產生線性之滑動摩 擦。 16.如申請專利範圍第5項之真空處理裝置,其中該梯形-導 桿配置(57)之最短之上方之元件(65)在其中央處具有另一 鉸鏈且二個串聯之梯形-導桿配置(57)藉由間隔導桿(62) 而互相連接,使串聯之梯形-導桿配置(57)分別佔有相同 之角位置。 1 7 ·如申請專利範圍第5至7項中任一項之真空處理裝置, 其中該軸(5 6)用之起動機構(51)配置在該向著大氣敞開之 內室區(16)中。 1 8 _如申請專利範圍第1 6項之真空處理裝置,其中該梯形-導桿配置(5 7)之上方之元件(6 5)具有另一已固定安裝之導 桿(65a),其下端經由鉸鏈而與懸臂(61)相連接,其外端 上固定著該基板支件(13)。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之真空處理裝置,其中該上方之 元件(65)和其導桿(65a)具有”T”形之形式。 20.如申請專利範圍第17項之真空處理裝置,其中在該軸(56) 上配置一承載凸緣(63),其經由導桿(64)作用在角桿(59) 上’角桿(5 9)定位在旋轉盤(5 8)上且其一股邊是最內之梯 1250220 形-導桿配置(5 7)之一部份,藉此可使梯形-導桿配置(57) 擺動。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10348281A DE10348281B4 (de) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | Vakuum-Behandlungsanlage für ebene rechteckige oder quadratische Substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200514864A TW200514864A (en) | 2005-05-01 |
TWI250220B true TWI250220B (en) | 2006-03-01 |
Family
ID=34353448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093108293A TWI250220B (en) | 2003-10-17 | 2004-03-26 | Vacuum-processing equipment for plane rectangular or quadratic substrate |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050081791A1 (zh) |
EP (1) | EP1524215B1 (zh) |
JP (1) | JP3997223B2 (zh) |
KR (1) | KR100689652B1 (zh) |
CN (1) | CN100381605C (zh) |
AT (1) | ATE334920T1 (zh) |
DE (2) | DE10348281B4 (zh) |
PL (1) | PL1524215T3 (zh) |
TW (1) | TWI250220B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007022431A1 (de) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Leybold Optics Gmbh | Behandlungssystem für flache Substrate |
ATE518970T1 (de) | 2008-02-01 | 2011-08-15 | Applied Materials Inc | Doppelbeschichtungsvorrichtung mit verbesserter trennplatte |
JP5171964B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-03-27 | 株式会社アルバック | 有機薄膜蒸着装置、有機el素子製造装置、及び有機薄膜蒸着方法 |
DE102008059794B3 (de) * | 2008-12-01 | 2010-04-01 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Umkehr der Beschickung von Sputter-Beschichtungsanlagen in Reinräumen, sowie Computerprogramm zur Durchführung des Verfahrens und maschinenlesbarer Träger mit dem Programmcode |
DE102010043883A1 (de) * | 2010-11-12 | 2012-05-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Beschichtungsverfahren und Beschichtungsanlage |
CN103147053B (zh) * | 2012-12-14 | 2015-04-22 | 广东志成冠军集团有限公司 | 多功能连续式磁控溅射镀膜装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE648039A (zh) * | ||||
FR2307770A1 (fr) * | 1975-04-17 | 1976-11-12 | Saint Gobain | Dispositif automatique pour servir des feuilles de verre sur une machine et simultanement evacuer les feuilles travaillees |
GB8501177D0 (en) * | 1985-01-17 | 1985-02-20 | Edwards A M | Plate glass handling machine |
JP2948842B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1999-09-13 | 日本真空技術株式会社 | インライン型cvd装置 |
KR100327716B1 (ko) * | 1994-01-11 | 2002-06-27 | 노만 에이취. 폰드 | 진공처리시스템및진공처리시스템내에서의기판조작방법 |
CH691376A5 (de) * | 1995-10-17 | 2001-07-13 | Unaxis Balzers Ag | Vakuumanlage zur Oberflächenbearbeitung von Werkstücken. |
JP2001253536A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-18 | Hirata Corp | 基板移載ロボット装置 |
JP4856308B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2012-01-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置及び経由チャンバー |
JP3794964B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2006-07-12 | 三菱重工業株式会社 | クラスタ型真空処理装置 |
PL1617456T3 (pl) * | 2004-05-28 | 2007-03-30 | Applied Mat Gmbh & Co Kg | Mechanizm napędowy dla instalacji do obróbki próżniowej |
-
2003
- 2003-10-17 DE DE10348281A patent/DE10348281B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-26 TW TW093108293A patent/TWI250220B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-08-14 AT AT04019331T patent/ATE334920T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-08-14 DE DE502004001084T patent/DE502004001084D1/de active Active
- 2004-08-14 PL PL04019331T patent/PL1524215T3/pl unknown
- 2004-08-14 EP EP04019331A patent/EP1524215B1/de active Active
- 2004-09-02 US US10/932,563 patent/US20050081791A1/en not_active Abandoned
- 2004-09-17 JP JP2004272073A patent/JP3997223B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-14 KR KR1020040082166A patent/KR100689652B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-10-15 CN CNB2004100856831A patent/CN100381605C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PL1524215T3 (pl) | 2006-11-30 |
EP1524215B1 (de) | 2006-08-02 |
JP2005120468A (ja) | 2005-05-12 |
ATE334920T1 (de) | 2006-08-15 |
US20050081791A1 (en) | 2005-04-21 |
DE10348281A1 (de) | 2005-05-19 |
DE10348281B4 (de) | 2007-06-06 |
CN1609269A (zh) | 2005-04-27 |
DE502004001084D1 (de) | 2006-09-14 |
EP1524215A1 (de) | 2005-04-20 |
KR20050037360A (ko) | 2005-04-21 |
TW200514864A (en) | 2005-05-01 |
KR100689652B1 (ko) | 2007-03-08 |
CN100381605C (zh) | 2008-04-16 |
JP3997223B2 (ja) | 2007-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3700793B2 (ja) | 真空処理装置、真空処理装置の中で基板を処理する方法、及び、真空処理装置用のロック | |
US9252037B2 (en) | Vacuum treatment apparatus and a method for manufacturing | |
KR100689651B1 (ko) | 진공 처리 장치용 드라이브 메커니즘 | |
KR101888828B1 (ko) | 연속적으로 회전되는 원자층 증착 캐러셀 및 사용 방법들 | |
JP3761905B2 (ja) | 真空チャンバ、真空チャンバ装置、工作物の移送方法及び移送装置、並びに工作物の処理方法 | |
US4756815A (en) | Wafer coating system | |
JP6205368B2 (ja) | 複合静的及びパスバイ処理用システム構成 | |
US4680061A (en) | Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment | |
JPH0345455B2 (zh) | ||
EP0665193B1 (en) | Substrate handling and processing system for flat panel displays | |
US9548223B2 (en) | Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles | |
KR20190104073A (ko) | 프로세스 챔버에서 기판을 회전 및 병진시키기 위한 시스템 및 방법 | |
TWI250220B (en) | Vacuum-processing equipment for plane rectangular or quadratic substrate | |
JP3734843B2 (ja) | 真空処理装置及びディスク状加工物の製造方法 | |
JPS60249329A (ja) | スパッタエッチング装置 | |
JP4286035B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
JP2002198412A (ja) | 搬送処理方法及び搬送処理装置 | |
CN115142031B (zh) | 成膜装置 | |
JP2024052559A (ja) | 成膜装置 | |
JP2024052560A (ja) | 成膜装置 | |
JPH08115966A (ja) | 真空処理装置およびその使用方法 | |
CN112789717A (zh) | 真空处理设备和真空处理衬底的方法 | |
TW202415786A (zh) | 成膜裝置 | |
KR20010067435A (ko) | 액정 표시 장치용 기판을 위한 플라즈마 처리 장치 | |
JP2001115256A (ja) | 成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |