TW582121B - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
TW582121B
TW582121B TW091101804A TW91101804A TW582121B TW 582121 B TW582121 B TW 582121B TW 091101804 A TW091101804 A TW 091101804A TW 91101804 A TW91101804 A TW 91101804A TW 582121 B TW582121 B TW 582121B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
electron
region
transporting
hole
Prior art date
Application number
TW091101804A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Seo
Shunpei Yamazaki
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Application granted granted Critical
Publication of TW582121B publication Critical patent/TW582121B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/865Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

582121 A7 _ B7 __ 五、發明説明(’) 發明背景 1 .發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於採用有機發光元件的發光裝置,此有機 發光元件具有陽極、陰極、以及含有有機化合物的薄膜( 以下稱爲“有機化合物膜”),藉由施加電場,能夠在此 薄膜中發光。確切地說,本發明係關於使用驅動電壓比習 知驅動電壓低且壽命長的有機發光元件的發光裝置。注意 ,在本說明書中,發光裝置指的是採用有機發光元件作爲 發光元件的影像顯示器或發光裝置。而且,其中連接器, 例如各向異性導電膜(軟性印刷電路F P c ) 、T A B ( 帶自動鍵合)帶、或T C P (帶載體封裝件)被固定到有 機發光元件的模組、其中印刷電路板提供在T A B帶或 丁 C P的觸點上的模組、以及其中用C〇G (玻璃上晶片 )方法將I C (積體電路)直接安裝到有機發光元件的模 組,都包括在發光裝置的範疇中。 2 .相關技術說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機發光元件是藉由施加電場而發光的元件。發光的 機制是,藉由將電壓施加到把有機化合物膜夾在其中的二 個電極之間,從陰極注入的電子在有機化合物膜中與陽極 注入的電洞複合,形成激發態分子(以下稱爲“分子激子 ”)。當分子激子返回到基態時,能量被釋放,·從而發光 0 注意,分子激子有可能由有機化合物形成爲處於單重 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) "" ' -4- 582121 A7 __B7 五、發明説明(2 ) 激發態或處於三重激發態,且其中某種激發態可以對發光 有助益的二種情況都包括在本說明書中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對於這些類型的有機發光元件,有機化合物膜通常由 厚度小於1 μ m的薄膜形成。而且,有機發光元件是自發光 元件,其中由有機化合物膜本身發光,因而不需要習知液 晶顯示器中所用的後照光。因此,能夠製造極薄且輕的有 機發光元件是一個很大的優點。 而且,當考慮有機化合物膜的載子遷移率時,從載子 注入直至在厚度約爲1 〇 〇 — 2 0 0 n m的有機化合物膜 中複合所用的時間,約爲幾十毫微秒。且即使在包括從載 子複合直至發光的過程,也能夠在1微秒內達到發光。因 此,發光元件具有極快的回應速度是其一個特性。 此外,由於有機發光元件是載子注入型的發光元件, 故可以用直流電流驅動,因而不容易産生雜訊。關於驅動 電壓,已有之報告爲(參考文獻1 : Tang,C.W. and 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 V a n S1 y k e, S.A.,“ Organic Electroluminescent Diodes”,Applied Physics Letters, Vol.51,No.12,pp,9 1 3-9 1 5( 1 987)),藉由首 先採用均勻厚度約爲1 0 0 n m的極薄的有機化合物膜, 選擇使有機化合物膜的載子注入屏蔽小的電極材料,此外 引入異質結構(二層結構),在5 . 5 V下獲得了 1 〇 〇 c d /m 2的足夠亮度。 由於其尺寸薄、重量輕、回應速度高、以及直流低電 壓驅動,故有機發光元件作爲下一代平板顯示元件的顯示 元件,已經成爲大家注意的焦點。而且,有機發光元件是 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " ~ -5- 582121 A7 _____B7_ 五、發明説明(3 ) 自發光類型的,並具有寬廣的視場,因而其淸晰度比較好 ,且被認爲能夠作爲攜帶型裝置顯示幕所用的元件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在參考文獻1所示的有機發光元件中,低工作係數且 比較穩定的M g : A g合金被用於陰極,作爲使相.對於有 機化合物膜的載子注入屏蔽更小,從而提高電子注入性能 的一種方法。於是有可能將大量的載子注入到有機化合物 膜中。 此外,採用由芳香族胺化合物組成的電洞傳送層和三 (8 —羥基喹啉)鋁(以下稱爲“ A 1 Q 3 ” )組成的電子 傳送層被層疊成有機化合物膜的單異質結構,明顯地提高 了載子複合效率。其說明如下。 例如,若有機發光元件僅僅有一個單層A 1 Q 3,則由 於A 1 q 3具有電子傳送性質,從陰極注入的幾乎所有電子 將到達陽極而不與電洞複合,發光效率因而極差。亦即 ,爲了使單層有機發光元件的效率更好(即爲了在低電壓 下執行驅動),必須採用能夠平衡傳送電子和電洞二者的 材料(以下稱爲“雙極材料” )。A 1 Q 3不滿足此條件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而,倘若使用如參考文獻1那樣的單異質結構,則 從陰極注入的電子被電洞傳送層和電子傳送層之間的介面 與發光層阻擋,並被限止在電子傳送層和發光層中。載子 因而在電子傳送層和發光層中發生高效率複合,從而達到 效率良好的發光。 將這種類型的阻擋功能槪念加以擴展,就容易控制載 子複合區域。例如,已有之報告爲,藉由將能夠阻擋電洞 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) "~ -6 - 582121 A7 B7 五、發明説明(4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的層(電洞阻擋層)***在電洞傳送層與電子傳送層之間 ,把電洞限制在電洞傳送層中,已經成功地使電洞傳送層 發光。(參考文獻 2 : Kijima,Y.,Asai,N·,and Tamura, S.,“A Blue Organic Light Emitting Diode”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.38, pp.5274-5277(1999)) o 而且,參考文獻1的有機發光元件執行功能分離,其 中由電洞傳送層執行電洞傳送,而由電子傳送層和發光層 執行電子傳送和發光。功能分離的槪念被進一步擴展到雙 異質結構(三層結構)槪念,其中發光層被電洞傳送層和 電子傳送層夾在中間(參考文獻3 : Adachi, C., Tokoto,S., Tsutsui,T·,and Saito,S.,“ Electroluminescence in Organic Films with a Three-layered Structure”,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.27,No.2,pp.L269-L27 1 ( 1 988)) 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所謂的功能分離的一個優點是需要形成一種具有幾種 功能(諸如發光能力、載子傳送性質、從電極注入載子的 能力)的有機材料,因而功能分離在分子設計等方面提供 了很大的自由度(例如不再需要不合理地尋找雙極材料) 。換言之,藉由組合諸如分別具有好的發光性能與好的載 子傳送性能的材料,能夠容易地獲得高效率發光。 參考文獻1所討論的疊層結構由於這些優點(載子阻 擋功能和功能分離)而在目前得到了廣泛的應用。 然而,由於此結構由不同類型物質的接面形成,故在 如上所述的疊層結構的各個層之間産生介面邊界(以下稱 爲“有機介面”)。下面提出源於所形成有機介面的二個 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 582121 A7 B7 五、發明説明(5 ) 問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先的問題是阻礙了驅動電壓的進一步降低。對於有 機發光元件已經報導,實際上,使用共軛聚合物的單層結 構對於驅動電壓來說是優異的,並保持了目前最高的功率 效率(單位爲1 m/w )(與單重激發態的發光相比)( 參考文獻 4 : Tsutsui,T.,J. Applied Physics Society Organic Molecules-Bio-electronics Section, Vol.ll, No.l, p. 8(2000)) 。(然而,這是與單重激發態發光的比較,不包括三重激 發態發光)。 注意,參考文獻4所討論的共軛聚合物是雙極材料, 且能夠獲得與疊層結構相當的載子複合效率水準。實際上 ,倘若能夠使載子複合效率相當,無須使用疊層結構,藉 由例如使用雙極聚合物,.具有幾個有機介面的單層結構因 而也顯現出比較低的驅動電壓。此即意味著載子在有機介 面中的遷移受到了阻礙。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外,另一個導因於有機介面的問題是對有機發光元 件的元件壽命(元件損壞)的影響。亦即,亮度由於載子 遷移率下降和電荷積累而下降。 關於這一退化的機制,還沒有建立明確的理論,但已 有報導指出,藉由將電洞注入層***在陽極與電洞傳送層 之間,以及藉由以短波長執行交流驅動代替直流驅動,能 夠抑制亮度的下降(參考文獻5 : VanSlyke,S.A.,Chen, C.H., and Tang,C.W·,“Organic Electroluminescnent Devices with Improved Stability”,Applied Physics Letters,Vol.69, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X:297公釐) - 8 - 582121 A7 ___B7__ 五、發明説明(6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
No.15, pp.2 1 60-2 1 62( 1 966))。可以說這是藉由***電洞注 入層和藉由採用交流驅動消除電荷積累而能夠抑制亮度下 降的實驗證明。 從上面的討論可見,疊層結構具有能夠容易地提高載 子複合效率(載子阻擋功能)以及能夠提高材料選擇自由 度(功能分離)的優點。但由於形成有機介面,特別是阻 擋載子的介面而抑制了載子遷移率,這又影響了驅動電壓 和亮度的下降。 發明槪要 本發明的目的乃是藉由製造不同於習知使用的疊層槪 念的元件來消除存在於有機化合物膜中的有機介面,從而 提高載子遷移率,且同時表達相似於疊層結構的功能分離 的多個材料的功能(以下稱爲“功能表示”)。此外,本 發明的目的是採用功能表示提供驅動電壓比習知元件更低 而元件壽命更長的有機發光元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者,本發明的目的是提供一種發光裝置,藉由採用 此有機發光元件,發光裝置的驅動電壓比習知裝置更低而 壽命更長。此外,本發明的目的是提供電子裝置,藉由用 上述的發光裝置來製造此電子裝置,此電子裝置的電功耗 比習知電子設備更低而壽命更長。 本發明人認爲下面將要討論的二種機制是有機介面的 形成阻礙載子遷移的模型。 首先考慮從有機介面形貌産生的一種機制。有機發光 本紙張又度適用中國國家標準(CNS ) M規格(2]l()x297公羡) " -9 - 582121 A7 __ B7 五、發明説明(7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件中的有機化合物膜通常是一種非晶態膜,並由有機化 合物分子根據分子之間的力,主要是雙極相互作用發生聚 集而形成。但若用這種分子聚集形成異質結構,則異質結 構介面(亦即有機介面)中,分子尺寸和形狀的差別有可 能具有很大的影響。 特別是在用分子尺寸差別大的材料形成異質結構的情 況下,有機介面中的接面的共形性被認爲變得更差。其槪 念圖示於圖1 。在圖1中,由小分子1〇]_形成的第一層 1 1 1和由大分子1 〇 2形成的第二層1 1 2被疊層。在 此情況下,在有機介面1 1 3中産生共形性很差的區域 114。 存在著這樣的可能性,即圖1所示的共形性很差的區 域1 1 4會變成阻礙載子遷移的屏蔽(即能量屏蔽),而 這意味著阻礙驅動電壓受到進一步降低。而且,不能克服 此能量屏蔽的載子積累成爲電荷,從而如上所述有可能會 引起亮度下降。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由形成豐層結構(亦即形成有機介面)的過程引起的 另一種機制也被考慮過。如圖2所示,爲了在形成疊層結 構的各個層時避免污染,通常用多工作室方法(在線方法 )蒸發設備來製造有機發光元件。 在圖2的例子中,顯示用來形成由電洞傳送層、發光 層、和電子傳送層組成的三層結構(雙異質結構.)的蒸發 設備。首先,具有陽極(例如銦錫氧化物(以下稱爲“ 1 Τ〇”))的基底被送入到入口室中,並藉由在紫外線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210χ297公釐) -10- 582121 A7 _________B7_ 五、發明説明(8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 照照室中的真空中用紫外線照照來執行陽極表面淸洗。特 別是對於陽極是諸如I τ ◦的氧化物的情況,在此處理室 中執行氧化處理。此外,在蒸發室2 0 1中形成電洞傳送 層,在蒸發室202 - 204中形成各個發光層(三種顔 色:圖2中的紅、綠、藍),在蒸發室2 0 5中形成電子 傳送層,並在蒸發室2 0 6中形成陰極,以便形成疊層結 構的各個層。最後在密封室中進行密封,並從出口室取出 有機發光元件。 _ 這種在線方法蒸發設備的特點是,各個層的蒸發分別 在不同的蒸發室,亦即蒸發室2〇1_ 205中進行。換 言之,這是一種各個層的材料不相互混合的設備結構。 附帶而言,雖然蒸發設備內部的壓力通常被降低到約 爲1 0 - 4 - 1 0 — 5 P a的量級,但仍然有非常少量的氣體 成分(例如氧和水)。即使是這種非常少量的氣體成分, 在這種真空水準下也容易在幾秒鐘內形成約爲單分子層量 級的吸附層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此,當用圖2這樣的設備製造疊層結構的有機發光 元件時,在各個層的製作之間産生大的間隔。換言之,在 製作各個層的間隔中,恐怕會由於非常少量的氣體成分而 形成吸附層(以下稱爲“雜質層”),特別是經由第二傳 送室進行傳送時。 圖3顯示這種情況的槪念圖。圖3顯示在二個層疊層 的過程中,由非常少量的雜質3 0 3 (例如水或氧)組成 的雜質層3 1 3被形成在由第一有機化合物3 0 1組成的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 582121 A7 B7 五、發明説明(9) 第一層3 1 1與由第二有機化合物3 0 2組成的第二層 3 1 2之間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這樣形成在各個層之間(亦即有機介面)的雜質層, 成爲捕獲載子的雜質區,從而在完成有機發光元件之後阻 礙載子遷移,因而提高驅動電壓。此外,電荷會積累在捕 獲載子的雜質區(如果存在的話)中,因而有可能如上所 述導致亮度降低。 考慮到這種機制,爲了克服上述的有機介面中産生的 問題(有機介面的形貌變壞和雜質層的形成),元件結構 和製造方法二者都必須超越習知的疊層結構元件。例如, 製作在二個電極之間的具有電洞傳送材料與電子傳送材料 被混合的單層(以下稱爲“混合單層”)的有機發光元件 ,已有報導作爲完全消除有機介面的有機發光元件的例子 (參考文獻 6 : Naka,S·,Shinno,K.I,Okada,H·,Onnagawa, Η., and Miyashita,K.,“ Organic Electroluminescent Devices Using a Mixed Single Layer”,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.33, No.12B,pp.L1772-L1774(1994))。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在參考文獻6中,藉由按1 : 4的比率將分別具有電 洞傳送性質和電子傳送性質的4,4 ’ 一雙〔N -( 3 -甲基苯基)一 N -苯氨基〕一聯苯(以下稱爲“TPD” )與A 1 Q 3混合,來製作單層結構。但是,從發光效率的 觀點看,單層結構劣於疊層結構(亦即由T P D與A 1 Q 3 組成形成有機介面的異質結構)。雖然藉由對發光材料進 行摻雜能夠大幅度改善發光效率,但相較於以發光材料摻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 582121 A7 ________ B7 五、發明説明(1〇) 雜的疊層結構仍然有部份缺點。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其原因是,在被混合的單層的情況下,從陽極注入的 電洞與從陰極注入的電子傾向於通過相反電極而不複合。 但是,疊層結構由於具有載子阻擋功能,因而不産生這種 問題。 換言之,這是因爲在參考文獻6的混合單層中不執行 功能表示。亦即,若不形成能夠表示各個功能的各個區域 ,例如有機化合物膜中靠近陽極的區域表現電洞傳送功能 ,靠近陰極的區域表現電子傳送功能,且發光區(載子複 合區域)被形成在與二個電極分隔開的部分,則即使消除 了有機介面,也無法得到效率良好的發光。 考慮到這些情況,本發明人提出了一種用來得到不同 於參考文獻6而能夠表示功能並消除有機介面的有機發光 兀件的方法。圖4顯不其槪念圖。注意,雖然此處陽極 4 0 2形成在基底4 0 1上,但也可以採用陰極4 0 4形 成在基底4 0 1上的相反結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由電洞傳送材料4 3 0組成的電洞傳送區4 0 5、電 子傳送材料4 3 1組成的電子傳送區4 0 9、以及電洞傳 送材料和電子傳送材料以固定比率(以下稱爲X : y )被 k 口的混1合區4 0 7,被形成在圖4所示元件的含有電洞 傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜4 〇 3中。利用 加入發光的發光材料4 1 〇,在混合區4 〇 7中形成發光 區 4 3 2。 此外,分別在混合區4 〇 7與電洞傳送區4 0 5之間 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(训乂撕公釐) -13- 582121 A7 ____B7_ 五、發明説明(Ή) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以及混合區4 0 7與電子傳送區4 0 9之間形成第一濃度 變化區4 0 6和第二濃度變化區4 0 8。在各個濃度變化 區中形成濃度梯度,使濃度比率逐漸變得更靠近混合區的 比率X : y。圖5顯示濃度分佈的示意圖。 當形成這種元件時,電洞傳送材料能夠在陽極側接收 並傳送電洞,而另一方面,電子傳送材料能夠在陰極側接 收並傳送電子。而且,在濃度變化區4 〇 6和4 0 8中形 成緩慢的濃度梯度,以便避免突然的濃度變化(突然變化 的最極端的例子是習知的異質結構,其中的濃度變化爲〇 %到1 0 0 %或1 0 0 %到0 % ),從而能夠基本上消除 對載子的能量屏蔽。 輸入到有機化合物膜4 0 3的載子從而被平滑地傳送 到混合區4 0 7而不受大的能量屏蔽的阻礙。這是濃度變 化區4 0 6和4 0 8的一個非常重要的作用。此外,混合 區4 0 7具有雙極性,電洞和電子二者從而有可能在混合 區4 0 7中運動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處重要的是含有發光材料的發光區形成在混合區 4 0 7中。換言之,藉由將發光材料4 1 0加入到混合區 4 0 7中,能夠防止載子不複合就通過混合區,且同時保 持發光區與電極分隔,並能夠防止電極造成光的斷裂(以 下稱爲“猝滅”)。 於是,與參考文獻6的混合單層不 同,能夠表達各個功能(載子傳送和發光)的區域存在於 有機化合物膜4 0 3中。 此外習知疊層結構那樣的有機介面不存在於這種元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 582121 A7 B7 五、發明説明(12) 中,因此能解決前述産生有機介面的問題(有機介面的形 貌退化和雜質層的形成)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先,用圖6來解釋如何解決有機介面的形貌退化。 圖6是由小分子6 0 1組成的區域6 1 1 、大分子6 0 2 組成的區域6 1 2、以及含有小分子6 0 1和大分子 6 0 2二者的混合區域6 1 3構成的有機化合物膜的剖面 圖。注意,此處爲了方便而在圖中略去了濃度變化區。顯 而易知的,圖6不存在圖1有機介面113那樣的有機介 面,以及也不存在共形性很差的區域1 1 4。 再者,解決了雜質層的形成。當製造圖4那樣的有機 發光元件時,一開始用蒸發方法在陽極上形成電洞傳送材 料,然後,在蒸發電洞傳送材料的過程中,除了電洞傳送 材料外,電子傳送材料也被指定協同蒸發,從而形成混合 區,然後,停止蒸發電洞傳送材料而繼續蒸發電子傳送材 料。因而不存在用圖2那樣的蒸發設備製造有機發光元件 過程中出現的間斷。亦即不提供形成雜質層的機會。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於是在本發明的有機發光元件中不形成有機介面,載 子遷移因而平滑,且對驅動電壓或元件壽命沒有不利的影 響。此外,存在著相似於疊層結構那樣的功能分離,因而 不存在發光效率問題。 而且,本發明的結構具有混合接面,而不是具有習知 疊層結構的不同物質之間的異質結構,因此,本發明的發 光元件是基於一種新穎的槪念。 因此,利用本發明,發光裝置形成具有有機發光元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 582121 A7 B7 五、發明説明(13) ,此有機發光元件具有: 陽極; (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 陰極;和 含有電洞傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜; 其中: 有機化合物膜的結構中沿陽極到陰極的方向依次存在 著: 由電洞傳送材料構成的電洞傳送區; 第一濃度變化區,其中電子傳送材料的比例逐漸增加 ,直至電洞傳送材料與電子傳送材料之間的比率成爲χ : y (其中X和y是正常數); 混合區,它包含比率爲χ : y的電洞傳送材料和電子 傳送材料; 第二濃度變化區,其中電子傳送材料的比例從χ : y 逐漸進一步增加;和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由電子傳送材料構成的電子傳送區;和 其中加入了用來發光的發光材料的發光區,$彡_ & _ 合區中。
注意,發光材料的最高被佔據的分子軌道f u M U ^ ^ Η ο Μ Ο )與最低未被佔據的分子軌道(L U Μ〇)(h j k以下稱爲“ 激發能級”)之間的能量差最好比電洞傳送材Μ ^ 1」料與電子傳 送材料的更低。這是爲了防止發光材料的分子澈.7 刀卞傲子的能量 遷移。 而且,由用來增強電洞注入性能的材料(h > _^ 1 v以下稱爲“ 本紙張尺度中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐1 -------- -16- 582121 A7 _____B7 五、發明説明(14 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電洞注入材料”)組成的電洞注入區,也可以被***在圖 4中的陽極和有機化合物膜之間。而且,由用來增強電子 注入性能的材料(以下稱爲“電子注入材料”)組成的電 子注入區,也可以被***在陰極和有機化合物膜之間。電 洞注入區和電子注入區二者都可以被包括。 此情況下的電洞注入材料和電子注入材料是用來降低 從電極到有機化合物膜的載子注入屏蔽的材料,因而從電 極到有機化合物膜的載子遷移是平滑的。這些材料具有能 夠消除電荷積累的作用。但從避免形成如上所述那樣的雜 質層的觀點看,在製作各個注入材料和有機化合物膜之間 的各個膜的過程中,最好不出現間斷。 而且,載子複合部分幾乎取決於混合區中的混合比率 (越靠近中心,比率就變得越雙極)。發光材料因而可以 被加入到混合區內的整個區域(見圖7 A ),並可以被僅 僅加入到部分混合區(見圖7 B )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外,阻擋材料4 1 1可以被加入到混合區4 〇 7的 結構如圖8 A所示。注意,雖然此處陽極4 〇 2形成在基 底4 0 1上,但也可以使用陰極4 〇 4形成在基底上的相 反結構。而且,電洞注入區和電子注入區也可以形成在電 極和有機化合物膜之間。 注意,所謂阻擋材料表示包含在混合區4 〇 7中的各 個材料中激發能量最高的材料當成阻擋載子的作用。此外 ,它還刀成防止分子激子擴散的作用。若阻擋材料4 1工 被加入到混合區4 0 7中,則混合區4 0 7中的載子複合 本紙張尺度適W關家標準(CNS) A4規格(21Gxi97公潑) ---- -17- 582121 A7 B7 五、發明説明(15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 速率提高,而分子激子的擴散受到防止,從而能得到高的 發光效率。然而,阻擋材料常常僅僅對電洞或電子具有阻 擋功能,因此,若阻擋材料被加入到整個混合區,則可能 破壞混合區中的載子平衡。因此,僅僅將阻擋材料加入到 部分混合區更好。 而且,Η〇Μ ◦能級低的材料,亦即能夠阻擋電洞的 那些材料,通常可以用作阻擋材料。如圖8 Β所示,將阻 擋材料4 1 1加入到比其中加入發光材料4 1 0的區域更 靠近陰極側的地方的技術因而是有效的。 近年來,從發光效率的觀點看,在從三重激發態返回 基態時能夠轉換發射能量(以下稱爲“三重激發能量”) 的有機發光元件,由於其高的發光效率,已經成爲大家關 注的焦點(參考文獻 7 : O’Bden,D.F.,Baldo,Μ.Α., 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Thompson, M.E., and Forrest, S.R·, “Improved Energy Transfer in Electrophosphorescent Devices”,Applied Physics Letters,Vol.74,Νο·3,pp.442-444(1 999);以及參考文獻 8 : Tsutsui,T·,Yang, M.J·,Yahiro,Μ.,Nakamura, K.,Watanabe, T·,Tsuiji,T·,Fukuda,Y·,Wakimoto,T·,and Miyaguchi,S·, “High Quantum Efficiency in Organic Light-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Triplet Emissive Center”,Japanese Journal of Applied Physics, Vol.38, PP.L1502-L1504(1999)) o 鉑作爲中心金屬的金屬複合物以及銥作爲中心金屬的 金屬複合物,分別被用於參考文獻7和參考文獻8中。能 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18- 582121 A7 ____B7__ 五、發明説明(16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 夠將這些三重激發能量轉換成光發射的有機發光元件(以 下稱爲“三重態發光元件”),能夠達到比習知發光元件 更高的發光亮度和高.的發光效率。 然而,根據參考文獻8報導的例子,對於初始亮度被 設定爲5 0 0 c d /m 2的情況,亮度的半衰期約爲1 7 0 小時,這是一個元件壽命的問題。採用發光材料的適當母 體材料的發光層以及採用防止分子激子擴散的單一阻擋材 料的阻擋層,對於三重態發光元件是必須的,因而成爲疊 層結構,而産生大量有機介面被認爲是元件壽命短的原因 〇 將本發明應用於三重態發光元件,有可能得到具有極 高功能,即根據來自三重激發態的高亮度發光和高的發光 效率和長元件壽命的發光元件。注意,三重態分子激子的 擴散距離大於單重態分子激子的,因而最好在混合區中含 有阻擋材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 附帶而言,雙極性對混合區是必須的,因此,最好將 電洞傳送材料相對於電洞傳送材料和電子傳送材料總質量 的質量百分比設定爲大於或等於1 〇 %並小於或等於9〇 %。注意,這一比率被認爲根據材料的組合而明顯地變化 〇 而且,在本發明中,混合區包含發光區,亦即載子在 其中複合的區域,厚度因而必須使載子不至於通過。因此 ,混合區的厚度最好等於或大於1 〇 n m。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 582121 A7 _______B7 五、發明説明(17) 圖式簡單說明 圖1用來表示有機介面狀態圖; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2爲黑發設備之圖; 圖3爲雜質層的形成圖; 圖4爲有機發光元件的結構圖; 圖5爲濃度分佈圖; 圖6爲混合區狀態圖; 圖7 A和7 B爲有機發光元件的結構圖; 圖8 A和8 B爲有機發光元件的結構圖; 圖9A和9B爲蒸發設備之圖; 圖1 0爲有機發光元件的結構圖; 圖1 1 A和1 1 B爲發光裝置結構的剖面圖; 圖1 2爲發光裝置之結構剖面圖; 圖1 3 A和1 3 B分別爲發光裝置的上表面結構和剖 面結構圖; 圖1 4顯不發光裝置結構的剖面圖; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 5 A - 1 5 C分別爲發光裝置的上表面結構和剖 面結構圖; 圖1 6 A和1 6 B爲發光裝置的結構圖; 圖1 7 A和1 7 B爲發光裝置的結構圖; 圖1 8 A - 1 8 C爲發光裝置的結構圖; 圖1 9 A - 1 9 F顯示電子設備的特例; 圖2 Ο A和2 Ο B顯示電子設備的特例;和 圖2 1爲發光裝置的結構圖。 >紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2i〇X297公釐) -20- 582121 A7 B7 五、發明説明 18 主要元件對照表 1〇1 小分子 1 0 2 大分子 111 第一層 112 第二層 113 有機介面 114 劣共形性區 201 蒸發室 202-204 蒸發室 205 蒸發室 301 第一有機化合物 302 第二有機化合物 311 第一層 第二層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 4 〇 1 基 底 4 0 2 陽 極 4 0 3 有 機 化合 物 膜 4 〇 4 陰 極 4 〇 5 電 洞 傳 送 4 〇 6 第 一 濃 度 變 化 區 4 〇 7 混 合 1¾ 4 0 8 第 二 濃 度 變 化 區 4 〇 9 電 子 傳 送 區 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -21 - 582121 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 19 430 電洞傳送材料 431 電子傳送材料 432 發光區 601 小分子 602 大分子 6 11 區 6 12 區 613 混合區 411 阻擋材料 9 1 0 真空室 943 蒸發室 944 蒸發源 940 入口室 941 預處理室 945 傳送室 921 電洞傳送材料 922 電子傳送材料 923 發光材料 9 16 有機化合物蒸發源a 9 17 有機化合物蒸發源b 9 18 有機化合物蒸發源c 9 0 1 基底 9 0 2 陽極 9 11 固定板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) - 22- 582121 A7 B7 五、發明説明(2(}) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 1 2 容器 a 9 1 4 快門 a 9 1 3 容器 b 9 1 5 快門 b 9 0 3 電洞 傳 送 區 9 〇 4 第一 濃 度 變 化 區 9 〇 5 混合 區 4 1 〇 發光材料 1 0 0 1 第 一 濃 度 變 化 區 1 〇 〇 2 混 合 區 1 0 〇 3 第 二 濃 度 變 化 區 1 1 〇 1 基 底 1 1 1 1 圖 素 部 份 1 1 1 2 驅 動 電 路 1 1 0 2 電 流 控 制 T F T 1 1 0 3 圖 素 電 極 1 1 〇 4 有 機 化合 物 層 1 1 〇 5 陰 極 1 1 〇 6 保 護 膜 1 1 0 7 η 通 道 T F T 1 1 〇 9 接 線 1 1 1 0 、r ‘ 刖 向 漸 尖 築 堤 構造 1 2 1 〇 分 離 部 份 1 3 〇 1 圖 素 部 份 上---.-------Φ-丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -線i 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -23- 582121 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(21) 13 0 2 13 0 3 13 0 4 13 0 5 13 0 6 13 0 7 1 3 0 6 a 1 3 0 6 b, 13 0 8 13 0 9 14 0 1 14 0 2 14 0 3 14 12 14 0 4 14 0 5 14 0 6 14 0 7 14 0 8 14 0 9 14 14 14 13 15 0 1 閘極訊號側驅動電路 資料訊號側驅動電路 輸入接線 T A B帶 蓋構件 密封構件 塑膠構件 1306c 碳膜 密封構件 氣密空間 基底 電流控制T F T 第一電極 驅動電路 有機化合物膜 第二電極 保護膜 蓋構件 密封構件 氣密空間 T A B帶 輸入接線 基底 掃描線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -24- 82121 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(22) 15 0 3 15 0 4 15 0 5 15 0 6 15 0 7 15 0 8
16 0 6 16 0 7 16 0 8 16 0 9 17 0 1 17 0 2 17 0 3 資料線 築堤 交叉部份 連接接線 T A B帶 接線 接線 密封構件 蓋構件 有機化合物膜 圖素部份 密封構件 基底 圖素部份 1603b 接線 T A B帶 印刷接線板 I / ◦埠 資料訊號側驅動電路 閘極訊號側驅動電路 I / ◦埠 基底 圖素部份 資料訊號側驅動電路 IL-------·! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25- 582121 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(23) 17 0 4 1 7 0 3 a 1 7 0 4 a 17 0 5 17 0 6 1 7 0 7, 17 0 8 17 0 9 2 110 2 111 2 112 19 0 1a 1 9 0 2 a 1 9 0 3 a 19 0 1b 1 9 0 2 b 1 9 0 3 b 1 9 0 4 b 1 9 0 5 b 1 9 0 6 b 19 0 1c 1 9 0 2 c 1 9 0 3 c 1 9 0 4 c 閘極訊號側驅動電路 接線 接線 T A B帶 印刷接線板 17 10 I /〇埠 控制單元 記憶單元 圖素 有機發光元件 保持電容 殼 支持台 顯示部份 主體 顯示部份 聲音輸入部份 操作開關 電池 影像接收部份 主體 顯示部份 接目鏡部份 操作開關 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -26- 582121 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 24 > 1 9 0 1 d 1 9 〇 2 d 1 9 0 3 d 1 9 〇 4 d 1 9 〇 5 d 1 9 0 1 e 1 9 〇 2 e 1 9 0 3 e 1 9 0 4 e 1 9 0 5 e 1 9 0 1 f 1 9 0 2 f 主體 記錄媒體 操作開關 顯示部份(A ) 顯示部份(B ) 主體 顯示部份 影像接收部份 開關 記憶槽 主體 殼 1 9 〇 3 f 顯 示 部 份 1 9 〇 4 f 鍵 盤 2 〇 〇 1 a 主 體 2 〇 〇 2 a 聲 輸 出 部份 2 0 0 3 a 主 腎 音 輸 入 部份 2 〇 0 4 a 顯 示 部 份 2 〇 〇 5 a 操 作 開 關 2 〇 〇 6 a 天 線 2 〇 〇 1 b 主 體 2 〇 〇 2 b 顯 示 部 份 2 〇 〇 3 b 操 作 開 關 2 〇 〇 4 b 操 作 開 關 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -27- 582121 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(25) 較佳實施例之詳細說明 下面討論實施本發明的實施例。注意,爲了從有機發 光兀件獲取光,陽極和陰極中的至少一*個必須是透明的。 此處討論透明陽極形成在基底上且光從陽極取出的元件結 構。貫際上,也可以將本發明應用於光從陰極取出的結構 以及光從基底反面取出的結構。 在實施本發明時,爲了防止形成雜質層,製造有機發 光元件的生産過程變得非常重要。首先討論本發明所揭示 的製造有機發光元件的方法。 Η 9 A是黑發設備的上表面圖,一個真空室9 1 〇被 當成蒸發室9 4 3,並在真空室內構成多個蒸發源9 4 4 ,得到一種單室方法。工作係數不同的各個材料,例如電 洞注入材料、電洞傳送材料、電子傳送材料、電子注入材 料、阻擋材料、發光材料、以及構成陰極的材料,被分別 儲存在各個蒸發源中。 具有IW極(例如I T〇)的基底首先進入這種具有蒸 發室的蒸發設備的入口室9 4 0中,若陽極是諸如I 丁〇 的氧化物,則在預處理室9 4 1中進行氧化處理(注意, 雖然圖9 A中未示出,但也有可能建立紫外線照射室來淸 洗陽極表面)。此外,所有用來形成有機發光元件的材料 都在真空室9 1 〇中蒸發。但陰極可以在真空室9 i 〇中 形成,陰極也可以在分離的蒸發室中形成。重要的是,直 到形成陰極的期間,都可以在一個真空室9 1 〇中用蒸發 —------#! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁,一 -訂 f - 28 582121 A7 _ B7 五、發明説明(26) 方法進行。最後在密封室9 4 2中進行密封,從出口室取 出基底,從而得到有機發光元件。注意,9 4 5表示傳送 室。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用圖9 B (真空室9 i 〇的剖面圖)來說明用這種 單主力法來製造本發明的有機發光元件的方法。作爲最簡 單的例卞,圖9 B威不用具有3個蒸發源(一個有機化合 物黑發源9 1 6 a、一個有機化合物蒸發源9 b、以 及一個有機化合物蒸發源g 1 8 e )的真空室g 1 〇來製 作含有電洞傳送材料9 2 1、電子傳送材料9 2 2、和發 光材料9 2 3的有機化合物膜的方法。 首先,具有陽極9 0 2的基底9 0 1進入到真空室 9 1 0內部,並被固定到固定板9 1 1 (在蒸發過程中, 基底通常被旋轉)。接著,降低真空室9 1 〇內部的壓力 (最好降低到1 〇 - 4 p a或更低),然後對容器9 1 2進 行加熱,使電洞傳送材料9 2 1蒸發,當達到預定蒸發速 率(單{ai爲A / s )時,打開快門9 1 4 a。於是開始蒸 發。此時仍然關閉快門9 1 5 b,容器9 1 3 b也被加熱 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0 當達到電洞傳送區9 0 3的預定厚度時,逐漸打開快 門9 1 5 b,電子傳送材料9 2 2的蒸發速率被提高。快 門9 1 4 a可以保持原樣打開,也可以逐漸關閉,使電洞 傳送材料的蒸發速率降低。根據此時各個快門的打開和關 閉的速度,在第一濃度變化區9 〇 4中形成濃度梯度。 接著,當電洞傳送材料9 2 1對電子傳送材料9 2 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29- 582121 A7 B7 五、發明説明(27) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的比例達到預定比率X : y時,停止打開和關閉快門的操 作,從而以恒定的蒸發速率形成混合區9 〇 5。當形成混 合區9 0 5時,也可以加入非常少量的發光材料9 2 3 ( 圖9 B所示的狀態)。 當混合區9 0 5達到預定厚度時,逐漸關閉快門 9 1 4 a,電洞傳送材料9 2 1的蒸發速率從而降低。可 以保持快門9 1 5 b原樣不變,也可以逐漸打開它,從而 提高電子傳送材料9 2 2的蒸發速率。根據打開和關閉快 門的速度,在第二濃度變化區中形成濃度梯度。此外,爲 了形成電子傳送區,快門9 1 4 a被完全關閉,並停止加 熱容器9 1 2 a。 所有上述操作執行時不要出現任何間斷,雜質層因而 不會混入到任何區域中。 利用此方法,可以製造所述的所有有機發光元件,作 爲提供本發明的目的的方法。例如,對於阻擋材料被加入 到化合物9 0 5中,且阻擋材料可以在形成混合區過程中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 被蒸發的情況,可以在圖9 B中建立用來蒸發阻擋材料的 蒸發源。 而且,對於製作電洞注入區和電子注入區的情況,可 以在同一個真空室即真空室9 1 0內建立各個注入材料的 蒸發源。例如,若用蒸發方法在圖9 B中的陽極9 0 2與 電洞傳送區9 0 3之間形成電洞注入區,則藉由在陽極 9 0 2上蒸發電洞注入材料之後不間斷地立即蒸發電洞傳 送材料9 2 1,能夠防止形成雜質層。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -30- ^2121
接著’以下提供諸如電洞注入材料、電洞傳送材料、 電子傳送材料、電子注入材料、阻擋材料、以及發光材料 之類的材料的較佳材料的例子。注意,能夠用於本發明的 有機發光元件的材料不局限於下述的材料。 右抹用有機化合物,則卩卜啉化合物可用作電洞注入材 料,例如花菁(以下稱爲“ Η 2 P c,,)和菁銅(以 下稱爲c u P c ” )。還有對導電聚合物進行化學摻雜 的材料,以及諸如用聚苯乙烯磺酸(以下稱爲“ p S s,, )摻雜的聚一經基噻吩乙燃(以下稱爲“ P E D〇丁,,) 和聚苯胺之類的材料。而且,聚合物絕緣體也可以用於平 坦化,並常常使用聚醯亞胺(以下稱爲“ p I ” )。此外 ,α者如金或鉑的金屬薄膜以及氧化銘的超薄膜(以下稱爲 “氧化鋁”)之類的無機化合物也被採用。 芳香胺化合物(亦即在苯環與氮之間具有鍵的化合物 )被最廣泛地用作電洞傳送材料。除了上述的T p D之外 ’邊如星芒芳香胺化合物4,4 一雙〔Ν -( 1 —萘醯 )〜Ν -苯一氨基〕—聯苯(以下稱爲“^― npd” ) 、4,4, ,4 ” —三(Ν,Ν —二苯氨基)一三苯胺( 以下稱爲“ T D A T A,,)、以及4,4, ,4,,—三〔 N — (3 —甲基苯基)—ν -苯氨基〕一三苯胺(以下稱 爲“ Μ T D A T A ” )之類的T P D的衍生物,可以作爲 廣泛使用的材料。 金屬複合物常常被用作電子傳送材料,存在著諸如上 面討論的A 1 Q 3的具有喹啉分子構架或苯並分子構架的金 本紙張尺度適用中國國家標準(C叫M規格(21〇><297公董) —I------L#! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 缝濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 582121 A7 五、發明説明( 屬複合物、Η ( 4 —田| 、— . 甲8 -經基D奎啉)銘(以下稱爲 “ Α 1 m Q 3 ” 、丨、/ 弭雜 ’、 ; 以及雙(1 0 -羥基苯並〔h〕〜D奎嚇 )鈹(以下稱爲“ R p P 土 … e B Q 2 ” ),還有例如混合配體複A 物雙(2 —甲基—8 Ώ ^ 8 一羥基鸣啉)一(4 一羥一聯笨基) 一鋁(以下稱玛“ R λ ] 土 瑪 Β Α 1 Q ” )之類的材料。而且,還有 具有惡唑或噻唑gp髀約八 、— 土配體的金屬複合物,例如雙〔2〜(2 — 經苯基)一苯並亞 1心i〕鋅(以下稱爲“ Z n ( B〇X ) 2 ” ) 、錐「9 _ 又 〜 2 一羥苯基)一苯並噻唑〕鋅(以下稱爲 )2 ) °除了金屬複合物之外,惡二π坐衍 4 一聯苯基)一 5 — ( 4 -叔丁基苯基) 惡二唑(以下稱爲“ P B D,,)和1, 3 、5 (對叔丁基苯基)一1, 3,4一惡二唑—2 大1〕本(以下稱爲“〇X D - 7,,),也具有電子傳送 雙 性質。三卩坐衍 物例如 4 -叔丁基苯基)—4 苯 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基—5 — (4〜聯苯基2,4一三 T A Ζ )和3 — ( 4〜叔丁基)—4 — ( 4 —乙基苯 基)一 5 一( 4 一聯苯類基)一 1, 2,4 一***(以下 稱爲 “p — EtTAZ” 唑(以下稱爲 ,以及菲咯啉衍生物例如血管 非(以下稱爲“ B p h e η ” )和血管亞銅試劑(以下稱 爲 B C p ” ),也具有電子傳送性質。 上述電子傳送材料可以被用作電子注入材料。此外, &常常使用諸如氟化鋰的鹼金屬鹵化物和諸如氧化鋰的鹼 金屬氧化物組成的絕緣超薄膜。而且,也可以使用諸如乙 醯乙酸鋰(以下稱爲“ L 1 ( a c a c ) ” )和8 —羥基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -32- 582121 A7
L啉鋰(以下稱爲“ L i q ” )的鹼金屬複合物。 上述材料BA1 q、〇Xd — 7、TAZ、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) P 一 E 1 T A Z、B P h e n、B c P等,由於其高的激 發能級而可以用作阻擋材料。 除 了口者如上述 A1 q3、Almq3、BeBq2、 B A 1 Q、z n ( B 〇 X ) 2、和 ζ η ( β T Z ) 2 的金屬 複合物之外,各種螢光顔料也可以用作發光材料。而且, 還4以使用三重態發光材料作爲發光材料,且主要使用具 有鉑或銥作爲中心金屬的複合物。已知諸如三(2 一苯基 吡啶)銥(以下稱爲“ I r ( p p y ) 3,,)以及2,$, 7,8, 12, 13, 17, 18 —八乙基—2ιΗ, 2 3 Η -卟啉一鈾(以下稱爲“ p t〇E p,,)的材料是 三重態發光材料。 豬由組合上述具有不同功能的材料並將其應用於本發 明的有機發光元件,能夠製造具有比習知發光元件驅動電 壓更低且爵命更長的有機發光元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例 實施例1 在圖7 A的有機發光元件的這一實施例中,顯示一種 有機發光元件,其中由電洞注入材料組成的電洞注入區被 ***在陽極4 〇 2與有機化合物膜4 0 3之間。 首先,製備玻璃基底4 0 1,其上用濺射方法形成厚 度約爲1 0 〇 n m的I T ◦薄膜和陽極4 0 2。然後,將 本紙張尺度適用中國國家;CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ 一 -33- 582121 A7 B7 五、發明説明(31) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有陽極4 0 2的玻璃基底4 0 1傳送到圖9 A和9 B所 示那樣的真空室內部。在此實施例中,爲了蒸發5種材料 (4種材料是有機化合物,1種是成爲陰極的金屬),需 要5個蒸發源。 首先蒸發2 0 n m的電洞注入材料C u P c,當完成 2 Ο η m的C u P c蒸發時,在不出現間斷的情況下,以 3 A/ s的蒸發速率開始蒸發電洞傳送材料α 一 n P D。 不形成間斷的理由是如上所述爲了防止形成雜質層。 在形成厚度爲2 0 n m的僅僅由α - N P D組成的電 洞傳送區4 0 5之後,電子傳送材料A 1 q 3蒸發源的快門 被逐漸打開,而α - N P D的蒸發速率保持固定在3 Α/ s。於是形成厚度約爲1 〇 n m的具有濃度梯度的第一濃 度變化區4 0 6。當第一濃度變化區4 0 6的厚度達到 1 0 n m時,將A 1 q 3的蒸發速率調節到3 A/ s。 接著,將A1Q3的蒸發速率固定在3 A/s,使α— N P D與A 1 ci 3之間的蒸發速率比率成爲1 : 1,並利用 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 協同蒸發形成混合區4 0 7。同時將螢光顔料n,N,— 二甲基二氫喹吖啶二酮(以下稱爲“ M Q d,,)加入作爲 發光材料4 1 0。M Q d的蒸發速率被控制成使μ Q d的 比例約爲總重量的1 %重量比。 在混合區407的厚度達到30nm之後,停止蒸發 M Q d,並逐漸關閉α — N P D蒸發源的快門,而A 1 Q 3 的蒸發速率固定在3八/3。於是形成厚度約爲1〇11111 的具有濃度梯度的第二濃度變化區4 〇 8。當第二濃度變 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇'x297公董) -34- 582121 A7 B7 32 五、發明説明(
化區4 0 8的厚度達到1 〇 n m時,停止蒸發α 一 N P D 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外,藉由僅僅繼續蒸發A 1 Q 3,能夠形成電子傳送 區409 °其厚度設定爲40n m。最後,藉由蒸發厚度 約爲1 5 0 1Ί m的A 1 : L i合金作爲陰極,就得到發射 來自M Q d的綠色光的有機發光元件。 實施例2 在此實施例中,顯示圖8 B所示有機發光元件的特定 例子。 首先,製備玻璃基底4 0 1,其上用濺射方法形成厚 度約爲100nm的ITO薄膜並形成陽極402。然後 ,將具有陽極4 0 2的玻璃基底4 0 1傳送到圖9 A和 9 B所示那樣的真空室內部。在此實施例中,爲了蒸發5 種材料(4種材料是有機化合物,1種是成爲陰極的金屬 ),需要5個蒸發源。 在形成厚度爲3 0 n m的僅僅由電洞傳送材料 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
MTDAT A組成的電洞傳送區4 0 5 (蒸發速率爲3 A / s )之後,μ T D A T A蒸發源的快門被逐漸關閉,而 電子傳送材料P B D的蒸發源的快門逐漸打開。於是形成 厚度約爲1 〇 n m的具有濃度梯度的第一濃度變化區 4 0 6。一旦第一濃度變化區4 06的厚度達到1 〇 nm ,就將Μ T D A T A的蒸發速率調節到1 A/ s,並將 P B D的蒸發速率調節到4 A/ s。 用中( CNS ) A4規格(210X297公釐) ' '一~ -35- 582121 A7 B7 i、發明説明(33) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著,將MTDATA和PBD的蒸發速率分別固定 在1 A/ s和4 A/ s,使Μ 丁 D A. T A和P B D的蒸發速 率比率爲1 : 4,利用協同蒸發形成厚度爲3 0 n m的混 合區4 0 7。將作爲發光材料4 1 0的螢光顔料二萘嵌苯 加入到混合區4 0 7的中部1 〇 n m (亦即3 0 n m厚的 混合區的10 - 20nm之間)。加入二萘嵌苯使二萘嵌 苯對總重量的比率約爲5 %重量比。而且,將作爲阻擋材 料4 1 1的B C P加入到混合區4 ◦ 7的最後Ί 0 n m ( 亦即3 0 n m厚的混合區的2 0 - 3 0 n m之間)。加入 BCP使蒸發速率比率成爲MTDATA:PBD: BCP=1:4:5(換言之,以5 A/ s的速率蒸發 B C P )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在混合區4 0 7的厚度達到3 0 nm之後,停止蒸發 B C P,並逐漸關閉Μ T D A T A蒸發源的快門,而 P B D的蒸發速率固定在4 A/ s。於是形成厚度約爲 1 0 n m的具有濃度梯度的第二濃度變化區4 0 8。當第 二濃度變化區4 0 8的厚度達到1 0 n m時,調節 Μ 丁 D A T A的蒸發以便結束。 此外,藉由僅僅繼續蒸發P B D而形成電子傳送區 409。其厚度爲30n m。最後,藉由蒸發厚度約爲 1 5 0 n m的A 1 : L i合金作爲陰極,就得到發射來自 二萘嵌苯的藍色光的有機發光元件。 實施例3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 Οχ 297公釐) -36- 582121 A7 B7 五、發明説明(34) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此實施例中,討論了一個特例,其中,由電洞注入 材料組成的電洞注入區被***在陽極4 0 2與有機化合物 膜4 0 3之間,而由電子注入材料組成的電子注入區*** 入在陰極4 0 4與有機化合物膜4 0 3之間,且三重態發 光材料被應用於有機發光元件中。圖1 0顯示元件結構。 首先,製備玻璃基底1 0 0 0,其上用濺射方法形成 厚度約爲1 0 0 n m的I T〇薄膜並形成I T〇。然後, 將具有I T ◦的玻璃基底傳送到圖9 A和9 B所示那樣的 真空室內部。在此實施例中,爲了蒸發7種材料(5種材 料是有機化合物,2種是成爲陰極的無機化合物),需要 7個蒸發源。 首先蒸發2 0 nm的電洞注入材料c u P c,當完成 2 0 n m厚度的C u P c時,在不産生間斷的情況下,以 3 A / s的蒸發速率開始蒸發電洞傳送材料α 一 n P D。 如上所述,不形成間斷的理由是爲了防止形成雜質層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在形成厚度爲2 0 n m的僅僅由α - N P D組成的電 洞傳送區之後,電子傳送材料B A 1 q蒸發源的快門被逐 漸打開,而α - N P D的蒸發速率保持固定在3 A/ s。 於是形成厚度約爲1 0 n m的具有濃度梯度的第一濃度變 化區1 0 0 1。當第一濃度變化區的厚度達到1 〇 nm時 ,將B A 1 q的蒸發速率調節到3 A/ s。 接著,將BA 1 q的蒸發速率固定在3 a/s,藉由 協同蒸發α - NPD和BA1 q,使其蒸發速率比率爲1 :1,形成厚度爲20nm的混合區1〇〇2。將作爲發 I紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x"297公釐) ~~---- -37- 582121 Α7 __ Β7 五、發明説明(35) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光材料的三重態發光材料p t〇E P加入到混合區的中部 1〇n m (亦即2〇n m厚的混合區的5 — 1 5 n m之間 )°使P t〇E P的比例約爲總重量的6 %重量比。 在混合區的厚度達到2 0 n m之後,逐漸關閉 ^ - N P D蒸發源的快門,而B A 1 q的蒸發速率保持固 定在3 A/ s。於是形成厚度約爲1 〇 n m的具有濃度梯 度的第二濃度變化區1 〇 〇 3。當第二濃度變化區的厚度 達到1 0 n m時,調節α — N P D的蒸發以便停止。 此外,藉由僅僅繼續蒸發B A 1 q而形成電子傳送區 。其厚度被設定爲1 0 nm。與完成BA 1 q蒸發的同時 ,在不産生間斷的情況下,開始蒸發電子注入材料A 1 Q 3 ,蒸發的厚度約爲3 0 n m。如上所述,不形成間斷的理 由是爲了防止形成雜質層。 最後,藉由蒸發厚度約爲1 n m的L i F和厚度約爲 1 5 Ο n m的鋁而形成陰極,從而得到發射來自 P t〇E P的紅色光的有機發光元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例4 此實施例說明一種發光裝置,它包括根據本發明的有 機發光元件。圖1 1是採用本發明的有機發光元件的主動 矩陣發光裝置的剖面圖。 此處採用薄膜電晶體(以下稱爲T F T )作爲主動元 件,但主動元件也可以是Μ〇S電晶體。其一例之τ ρ T 是一種頂部閘極T F Τ (具體地說是平面T F Τ ),但也 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2⑴X297公釐) -38- 582121 A7 B7 五、發明説明(36) 可以使用底部閘極T F T (典型是倒置T F T )。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 在圖1.1A中,11 01表示基底。此處使用的基底 能夠透過可見光。具體地說,能夠使用玻璃基底、石英基 底、晶體玻璃基底、或塑膠基底(包括塑膠膜)。基底 1 1 0 1指的是基底加上形成在基底表面上的絕緣膜。 圖素部分1 1 1 1和驅動電路1 1 1 2被提供在基底 1 1〇1上。首先說明圖素部分1 1 1 1 。 圖素部分1 1 1 1是用來顯示影像的區域。多個圖素 被置於基底上,且每個圖素配備有用來控制有機發光元件 中流動的電流的T F T 1 1 0 2 (以下稱爲電流控制 T F T )、圖素電極(陽極)1 1 〇 3、有機化合物層 1 1〇4 、以及陰極1 1〇5 。雖然圖1 1A中僅僅顯示 電流控制T F T,但每個圖素還具有用來控制施加到電流 控制T F T的閘極電壓的T F T (以下稱爲開關T F 丁) 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處的電流控制T F T 1 1 0 2最好是P通道 TFT。雖然也可以採用n通道TFT,但若如圖11所 示,電流控制T F T被連接到有機發光元件的陽極,則p 通道T F T作爲電流控制T F T在降低電流消耗方面更爲 有利。注意,開關T F T可以由η通道T F T或p通道 T F Τ中的任何一種來形成。 電流控制T F Τ 1 1 〇 2的汲極被電連接到圖素電 極1 1 0 3。在此實施例中,工作係數爲4 · 5 — 5 . 5 e V的導電材料被當成圖素電極1 1 〇 3的材料,圖素電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -39- 582121 A7 ____B7 五、發明説明(37) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 極1 1 0 3因而當成有機發光元件的陽極。透光的材料, 典型是氧化銦、氧化錫、氧化鋅、或它們的化合物(例如 I 丁0),被用於圖素電極1 ]_ 〇 3。在圖素電極 1 1 0 3上形成有機化合物層1 1 〇 4。 陰極1 1 0 5被提供在有機化合物膜1 1 〇 4上。陰 極1 1 0 5的材料最好是工作係數爲2 · 5 - 3 · 5 e V 的導電材料。典型地說,陰極1 1 〇 5由含有鹼金屬元素 或鹼土金屬元素的導電膜,或含鋁的導電膜,或藉由在上 述一種導電膜上層疊鋁膜或銀膜而得到的疊層而組成。 用保護膜1 1 06覆蓋由圖素電極1 1 〇 3、有機化 合物膜1 1 0 4和陰極1 1 0 5組成的層。保護膜 1 1 0 6被提供來保護有機發光元件免受氧和濕氣的影響 。可用於保護膜1 1 0 6的材料包括氮化矽、氮氧化矽、 氧化鋁、氧化鉅、和碳(具體地說是類金剛石碳)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著說明驅動電路1 1 1 2。驅動電路1 1 1 2包括 用來控制欲送到圖素部分1 1 1 1的訊號(閘極訊號和資 料訊號)的時間的區域,並可以包括移位暫存器、緩衝器 、閂鎖器、以及類比開關(傳送閘)或位準移位器。在 1 1A中,這些電路的基本單元是由η通道TFT 1 107和P通道TFT 1 108組成的CMOS電路 〇 已知的電路結構能夠被用於移位暫存窃1、緩衝帘1、閃 鎖器、和類比開關(傳送閘)或位準移位器。雖然圖素部 分1 1 1 1和驅動電路1 1 1 2被提供在圖1 1 A中的同 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -40- 582121 A7 ___B7__ 五、發明説明(38) 一個基底上,但I C或L S I可以被電連接到基底而不是 被置於基底上的驅動電路1 1 1 2中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在圖11A中,圖素電極(陽極)11〇3被電連接 到電流控制T F T 1 1 0 2,但也可以將陰極連接到電 流控制T F T。在這種情況下,圖素電極由陰極1 1 〇 5 的材料形成,而陰極由圖素電極(陽極)1 1 〇 3的材料 形成。此時的電流控制T F T最好是η通道T F T。 圖11Α所示的發光裝置用下述之方法製造,其中圖 素電極1 1 0 3的形成先於接線1 1 〇 9的形成。然而, 此一方法會使圖素電極1 1 〇 3的表面變粗糙。由於有機 發光元件是電流驅動型元件,故圖素電極1 1 0 3的變粗 糙了的表面可能使其特性退化。 作爲圖1 1 A的一種修正,在形成接線1 i 〇 9之後 ,形成圖素電極1 1 〇 3,以便獲得圖1 1 B所示的發光 裝置。在這種情況下,比之圖1 1 A的結構,能夠改善從 圖素電極1 1 〇 3的電流注入。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖1 1 A和1 1 B中,前向漸尖形築堤結構 1 1 1 0將位於圖素部分1 1 1 1中的各個圖素彼此分隔 開。若這一築堤結構是反錐形的,則能夠避免築堤結構與 圖素電極之間發生接觸。圖1 2顯示其例子。 在圖1 2中,接線還當成分隔部分,形成接線和分離 部分1 2 1 〇。藉由層疊構成接線的金屬和鈾刻速率低於 此金屬的材料(例如金屬氮化物),然後蝕刻此疊層,得 到Γ圖1 2所示的接線與分離部分1 2 1 〇的形狀(亦即 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -41 - 582121 A7 B7 五、發明説明(39) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種具有屋檐的結構)。這一形狀能夠防止陰極1 2 0 5 與圖素電極1 2 0 3即接線之間的短路。與通常的主動矩 _發光裝置不同,圖素上的陰極1 2 0 5在圖12的裝置 中成條形(相似於被動矩陣裝置中的陰極)。 圖1 3 A和1 3 B顯示圖1 1 B所示主動矩陣發光裝 置的外部。圖1 3 A是其俯視圖,而圖1 3 B是沿圖 1 3 A的P - P ’線的剖面圖。圖1 1中的符號被用於圖 1 3中。 在圖13A中,1301表示圖素部分,13 0 2表 示閘極訊號側驅動電路,而1 3 0 3表示資料訊號側驅動 電路。欲送到閘極訊號側驅動電路1 3 0 2和資料訊號側 驅動電路1 3 0 3的訊號,經過輸入接線1 3 0 4,從 TAB (帶自動鍵合)帶1 3 0 5被輸入。雖然圖中未示 出,但可以用藉由提供具有I C (積體電路>)的T A B帶 而得到的T C P (帶載體封裝件)來取代T A B帶 1 3 0 5° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 3 0 6所示的是提供在圖1 1 B所示有機發光裝置 上部並與樹脂構成的密封構件1 3 0 7鍵合的覆蓋元件。 此蓋構件1 3 0 6可以是任何材料,只要不透氧和水即可 。在此實施例中,如圖1 3 B所示,蓋構件1 3 0 6由塑 膠構件1 3 0 6 a以及分別形成在塑膠構件1 3 0 6 a的 正面和反面上的碳膜(具體地說是類金剛石碳膜) 1 3〇6 b和1 3〇6 c組成。 如圖1 3 B所示,密封構件1 3 0 7被樹脂製成的密 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -42- 582121 A7 B7 五、發明説明(4〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 封構件1 3 0 8覆蓋,致使有機發光元件被完全密封在氣 密空間1 3 0 9中。此氣密空間1 3 〇 9被惰性氣體(典 型的是氮氣或稀有氣體)、樹脂、或惰性液體(例如液態 碳氟化合物,其典型例子是全氟烷)塡充。也可以將吸氣 劑或去氧劑放置到此空間中。 可以在此實施例所示的發光裝置的顯示面(其上顯示 觀看者欲觀察的影像的面)上提供偏振片。此偏振片具有 降低來自外部的入射光的反射的作用,從而防止顯示面顯 示出觀察者的反射影像。通常使用圓形偏振片。但偏振片 最好藉由調整折射率而具有內反射較小的結構,以便防止 有機化合物膜發射的光在偏振片處被反射並反向行進。 根據本發明的任何一種有機發光元件,都能夠被用作 包括在此實施例的發光裝置中的有機發光元件。 實施例5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此實施例顯示一種主動矩陣發光裝置作爲包括根據本 發明的有機發光元件的發光裝置的例子。與實施例4不同 ,在此實施例的發光裝置中,光從其上形成主動元件的基 底的反側取出(以下稱爲向上發射)。圖1 4是其剖面圖 〇 此處用薄膜電晶體(以下稱爲T F T )作爲主動元件 ,但主動元件也可以是Μ〇S電晶體。當成例子的丁 F T 是頂部閘極T F Τ (具體地說是平面T F Τ ),但也可以 採用底部閘極T F Τ (典型地說是倒置T F Τ )。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -43- 582121 A7 B7 五、發明説明(41 ) 此實施例的基底1 4 0 1 、形成在圖素部分中的電流 控制T F T 1 4 〇 2、以及驅動電路1 4 1 2,具有與 實施例4相同的結構。 連接到電流控制T F T 1 4 0 2的汲極的第一電極 1 4 0 3,被用作此實施例中的陽極,因而最好由工作係 數大的導電材料形成。此導電材料的典型例子包括諸如鎳 、鈀、鎢、金、和銀之類的金屬。在此實施例中,第一電 極1 4 0 3最好不透光。用反光強的材料來製作此電極更 好。 在第一電極1 4 0 3上形成有機化合物膜1 4 0 4。 提供在有機化合物膜1 4 0 4上的是作爲此實施例中的陰 極的第二電極1 4 0 5。因此,第二電極1 4 〇 5的材料 最好是工作係數爲2 · 5 - 3 · 5 e V的導電材料。典型 地說是使用含有鹼金屬元素或鹼土金屬元素的導電^,$ 含有銘的導電膜,或藉由在上述一種導電膜上層疊纟gg莫$ 銀膜而得到的疊層。但第二電極1 4 0 5的材料要胃f胃 必不可少的。因此,當用於第二電極時,最好將金屬製作 成厚度約爲2 0 n m的非常薄的膜。 用保護膜1 4 0 6覆蓋由第一電極1 4 〇 3、有機化^ 合物膜1 4 0 4和第二電極1 4 0 5組成的層。保f蒦膜 1 4 0 6被提供來保護有機發光元件免受氧和濕氣的影響 。在此實施例中,任何材料都可用於保護膜,只要透光即 可。 第-一電極(陽極)1 4 0 3被電連接到_ 1 4中的電 本&張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) '〜 - -44 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ^1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 582121 A7 B7 五、發明説明(42) 流控制T F T 1 4 0 2,但也可以將陰極連接到電流控 制T F T。此時,第一電極由陰極材料製作,而第二電極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由陽極材料製作。此時,電流控制T F 丁最好是n通道 TFT。 1 4 0 7所示的是與樹脂構成的密封構件1 4 0 8鍵 合的蓋構件。此蓋構件1 4 0 7可以是任何材料,只要透 光但不透氧和水即可。在此實施例中採用了玻璃。氣密空 間1 4 0 9被惰性氣體(典型的是氮氣或稀有氣體)、樹 脂、或惰性液體(例如液態碳氟化合物,其典型例子是全 氟烷)塡充。也可以將吸氣劑或去氧劑放置到此空間中。 欲送到閘極訊號側驅動電路和資料訊號側驅動電路的 訊號,經過輸入接線1 4 1 3,從T A B (帶自動鍵合) 帶1 4 1 4被輸入。雖然圖中未示出,但可以用藉由提供 具有Ϊ C (積體電路)的TAB帶而得到的丁 CP (帶載 體封裝件)來取代TAB帶1 4 1 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可以在此實施例所示的發光裝置的顯示面(其上顯示 觀看者欲觀察的影像的面)上提供偏振片。此偏振片具有 降低來自外部的入射光的反射的作用,從而防止顯示面顯 示出觀察者的反射影像。通常使用圓形偏振片。但偏振片 最好藉由調整折射率而具有內反射較小的結構,以便防止 有機化合物膜發射的光在偏振片處被反射並反向行進。 根據本發明的任何一種有機發光元件,都能夠被用作 包括在此實施例的發光裝置中的有機發光元件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -45- 582121 A7 __ B7 五、發明説明(43) 實施例6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此實施例顯示一種被動矩陣發光裝置,作爲包括本發 明所揭示的有機發光元件的發光裝置的例子。圖1 5 a胃 其俯視圖,而圖1 5 B是沿圖1 5 A中的P — p ’線的音fJ 面圖。 在圖1 5A中,1 5 0 1表不的是基底,此處由塑膠 材料組成。能夠使用的塑膠材料是聚醯亞胺、聚醯胺、丙 烯酸樹脂、環氧樹脂、P E S (聚乙烯硫屬)、p c (聚 碳酸酯)、P E 丁 (聚乙烯對苯二酸鹽)、或P E N (聚 乙烯苯二曱酸鹽)組成的片或膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 0 2表示由導電氧化物膜組成的掃描線(陽極) 。在此實施例中,此導電氧化物膜是藉由用氧化鎵對氧化 鋅進行摻雜而獲得的。1 5 0 3表示資料線(陰極),在 此實施例中由金屬膜 '鉍膜組成。1 5 0 4表示由丙燃酸 樹脂組成的築堤。這些築堤當成分隔壁,使各個資料線 1 5〇3彼此分隔開。掃描線1 5 0 2和資料線1 5 0 3 分別形成條形圖樣,且這些圖樣以直角彼此交叉。雖然圖 1 5 A中未示出,但有機化合物膜被夾在掃描線1 5 〇 2 與資料線1 5 0 3之間,交叉的部分1 5 0 5當成圖素。 掃描線1 5 0 2與資料線1 5 0 3經過T A B帶 1 5 0 7被連接到外部驅動電路。1 5 0 8表示由大量掃 描線1 5 0 2組成的一組接線。1 5 0 9表示由大量連接 到資料線1 5 0 3的連接接線組成的一組接線。雖然未示 出,但可以用藉由提供具有I C的T A P帶而得到的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -46- 582121 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7_五、發明説明(44) TCP來代替TAB帶1507。在圖15B中,1510表示密封構件,而丄511 表示用密封構件1 5 1 0鍵合到塑膠構件1 5 〇 1的蓋構 件。可光固化的樹脂能夠被用於密封構件1 5 1 〇。密封 構件的較佳材料是能夠少量漏氣和吸收少量濕氣的材料。 蓋構件最好由與基底1 5 0 1相同的材料製成,可以使用 玻璃(包括石英玻璃)或塑膠。此處用塑膠材料當成蓋構 件。 圖1 5 C是圖素區結構的放大圖。1 5 1 3表示有機 化合物膜。築堤1 5 0 4的下層比上層更窄,因此,築堤 能夠將各個資料線1 5 0 3實質的彼此分隔開。密封構件 1 5 1 0環繞的圖素部分1 5 1 4,被樹脂製成的密封構 件1 5 1 5隔絕於外界空氣。於是防止了有機化合物膜的 退化。 在根據本發明如上構成的發光裝置中,圖素部分 1 5 1 4由掃描線1 5 0 2、資料線1 5 0 3、築堤 1 5 0 4、以及有機化合物膜1 5 1 3組成。因此,能夠 用非常簡單的方法來製造發光裝置。 可以在此實施例所示的發光裝置的顯示面(其上顯示 觀看者欲觀察的影像的面)上提供偏振片。此偏振片具有 降低來自外部的入射光的反射的作用,從而防止顯示面顯 示出觀察者的反射影像。通常使用圓形偏振片。但偏振片 最好藉由調整折射率而具有內反射較小的結構,以便防止 有機化合物膜發射的光在偏振片處被反射並反向行進。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -47- 582121 A7 B7 五、發明説明(45) 根據本發明的任何一種有機發光元件,都能夠被用作 包括在此實施例的發光裝置中的有機發光元件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例7 此實施例顯示將印刷接線板固定到實施例6 .所示發光 裝置,以便將裝置做成模組的例子。 在圖1 6 A所示的模組中,T A B帶1 6 0 4被固定 到基底1 6 0 1 (此處包括圖素部分1 6 0 2以及接線 1 6 0 3 a和1 6 0 3 b ),而印刷接線板1 6 0 5經過 TAB帶1604被固定到基底。 圖1 6 B顯示印刷接線板1 6 0 5的功能方塊圖。當 成至少I / ◦埠(輸入或輸出部分)1 6 0 6和1 6 0 9 、資料訊號側驅動電路1 6 0 7、以及閘極訊號側驅動電 路1 6 0 8的I C,被提供在印刷接線板1 6 0 5中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本說明書中,藉由如上所述將T A B帶固定到其表 面上形成有圖素部分的基底以及藉由將用作驅動電路的印 刷接線板通過T A B帶固定到基底而構成的模組,被特別 稱爲具有外部驅動電路的模組。 本發明揭示的任何一種有機發光元件,都能夠被用作 包括在此實施例的發光裝置中的有機發光元件。 實施例8 此實施例顯示將印刷接線板固定到實施例4、5、或 6所示發光裝置以便將裝置做成模組的例子。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -48- 582121 A7 B7 五、發明説明(46) 在圖1 7 A所示的模組中,T A B帶1 7 0 5被固定 到基底1 7 〇 2 (此處包括圖素部分1 7 0 2、資料訊號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 側驅動電路1 7 0 3、聞極訊號側驅動電路1 7 0 4、以 及接線1 7 0 3 a和1 7 0 4 a ),而印刷接線板 1 706通過TAB帶1 70 5被固定到基底。圖1 7B 顯示印刷接線板1 7 〇 6的功能方塊圖。 如圖1 7B所示,當成至少1//〇埠1 7 0 7和 1 7 1 0以及控制單元1 7 0 8的I C,被提供在印刷接 線板1 7 0 6中。此處提供了記憶體單元1 7 0 9,但它 不總是必須的。控制單元1 7 〇 8是具有控制驅動電路和 影像資料修正功能的部分。 在本說明書中,藉由如上所述將用作控制器的印刷接 線板固定到其上形成有機發光兀件的基底而構成的検組, 被特別稱爲具有外部控制器的模組。 本發明所揭示的任何一種有機發光元件,都能夠被用 作包括在此實施例的發光裝置中的有機發光元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例9 此實施例顯示發光裝置的例子,其中的實施例3所示 的三重態有機發光元件根據數位時間灰度顯示而被驅動。 此實施例的發光裝置能夠利用三重激發態的發光,以數位 時間灰度顯示方式提供均勻的影像,因而非常有用。應該 指出的是,本發明的驅動方法不局限於此實施例,也可以 採用其他已知的方法。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -49- 582121 A7 B7 五、發明説明(47) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 8 A顯示採用有機發光元件的圖素的電路結構。 T r表不電晶體,而C s表不儲存電容器。在圖1 8 c的 電路結構中,源極線被連接到電晶體T r 1的源極,而聞 極線被連接到電晶體T r 1的閘極。同時,電源線被連接 到儲存電容器C s和電晶體T r 2的源極。由於本發明的 有機發光元件的陽極被連接到電晶體T r 2的汲極,故陰 極位於電晶體T ]: 2的反面,以有機發光元件夾在其間。 在此電路中,當閘極線被選擇時,電流從源極線流入到 丁 r 1中,而對應於訊號的電壓積累在c s中。然後,被 T r 2的閘極一源極電壓(V g s )控制的電流流入到 T r 2和有機發光元件中。 在T r 1被選擇之後,T r 1被關閉以保持C s的電 壓(V g s .)。因此,電流繼續流動,其電流量取決於V g s ο 圖1 8 Β顯示根據數位時間灰度顯示來驅動此電路的 示蒽圖。在資料時間灰度顯不中,一框被分成多個子框。 圖1 8 Β顯示6位灰度,其中一框被分成6個子框。( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S F 1 — S F 6 ) Τ Α是寫入時間。在此情況下,如圖所 示,各個子框的發光周期的比率爲32:16 :8:4: 2:1。 圖1 8 C示意地顯示此實施例中T F T基底的驅動電 路。在圖1 8 C的基底結構中,圖1 8 A所示的電源線和 陰極被連接到發光元件的圖素。移位暫存器也被連接到圖 素部分,其次序爲移位暫存器、閂鎖器1 、閂鎖器2、以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210'乂297公釐) -50- 582121 A7 B7 五、發明説明(48) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 及圖素部分。閂鎖器1被輸入數位訊號,且藉由輸入到問 鎖器2的閃鎖脈衝,能夠將影像訊號傳送到圖素部分。閘 極驅動器和源極驅動器被提供在同一個基底上,且圖素電 路和驅動器被設計成數位驅動。因此,T F T特性的起伏 不影響裝置,裝置從而能夠顯示均勻的影像。 實施例1〇* 在此實施例中,說明主動矩陣恒流驅動電路的例子, 藉由在本發明的有機發光元件中流過恒定的電流而驅動此 電路。圖2 1顯示其電路結構。 圖2 1所示的圖素2 1 1 0具有訊號線S i 、第一掃 描線G j 、第二掃描線P j 、以及電源線V i 。此外,圖 素 2110 具有 丁1'1、丁1'2、丁1'3、丁]:4、混合 接面型的有機發光元件2 1 1 1、以及保持電容器 2 112。 T I* 3和T r 4的閘極都被連接到第一掃描線G j 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至於T r 3的源極和汲極,一個被連接到訊號線S i,另 一個被連接到T r 2的源極。而且,T r 4的源極和汲極 ,一個被連接到T r 2的源極,另一個被連接到T r 1的 閘極。於是,T r 3的源極和汲極中的任何一個以及 T r 4的源極和汲極中的任何一個被彼此連接。 丁 r 1的源極被連接到電源線V i,汲極被連接到 T r 2的源極。T r 2的閘極被連接到第二掃描線P j 。 而且,T r 2的汲極被連接到有機發光元件2 1 1 1中的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -51 - 582121 A7 B7 五、發明説明(49) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖素電極。有機發光元件2 1 1 1具有圖素電極、相反電 極、以及提供在圖素電極與相反電極之間的有機發光層。 有機發光元件2 1 1 1的相反電極被提供在發光平板外部 的電源施加恒定的電壓。 T r 3和T r 4可以採用η通道TFT和p通道 T F T二者。但T r 3和T r 4的極性是相同的。而且 Tr 1可以採用η通道TFT和p通道TFT二者。 丁 r 2可以採用η通道T F T和p通道T F T二者。關於 極性,在發光電極的圖素電極和相反電極的情況下,一個 是陽極,另一個是陰極。在T r 2是ρ通道T F Τ的情況 下,最好用陽極作爲圖素電極,而陰極作爲相反電極。另 一方面,在T r 2是η通道T F T的情況下,最好用陰極 作爲圖素電極,而陽極作爲相反電極。 保持電容器2 1 1 2形成在T r 1的閘極與源極之間 。保持電容器2 1 1 2被用來更確定地保持T r 1的閘極 與源極之間的電壓(V c s )。但這不總是必須提供的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖2 1所示的圖素中,饋送到訊號線S i的電流在 訊號線驅動電路的電流源處被控制。 利用上述電路結構,能夠實現恒流驅動,藉此,藉由 使恒定的電流在有機發光元件中流動,能夠保持亮度。具 有本發明的混合區的有機發光元件,具有比現有技術有機 發光元件更長的壽命。由於藉由實現上述恒流驅動能夠實 現更長的壽命,故這種有機發光元件是有效的。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -52- 582121 A7 B7 五、發明説明(5〇) 實施例1 1 上述各個實施例中已經說明本發明的發光裝置具有0 耗低和壽命長的優點。因此,包含這些發光裝置作爲其顯 示部分的電器能夠以低於習知電器的功耗而工作,且更耐· 用。特別是對於諸如攜帶型設備的採用電池作爲電源的電 器,由於低功耗直接導致便利(電池的壽命更長),這些 優點是非常有用的。 此發光裝置是自發光的,故無需液晶顯示器中那樣的 後照光,並具有厚度小於1微米的有機化合物膜。因此, 發光裝置能夠做得薄而輕。包括此發光裝置作爲其顯示部 分的電益因而比習知電器更加薄而輕。這也直接導致便利 (在隨處攜帶它們時輕而精巧),特別對於攜帶型設備等 其他電器,是非常有用的。而且,對於所有的電器,就運 輸(能夠大批量運輸大量電器)和安裝(節省空間)而言 ,薄(不占體積)無疑是有用的。 由於發光裝置是自發光的,故發光裝置的特徵是具有 比液晶顯示器更好的淸晰度和寬廣的視角。因此,包括發 光裝置作爲其顯示部分的電器就觀看顯示容易而言也是有 利的。 總之,採用本發明的發光裝置的電器除了具有習知有 機發光元件的優點亦即薄而輕以及高的淸晰度之外,還具 有功耗低和壽命長的新特點,因而非常有用。 此實施例顯示包括本發明的發光裝置當成顯示部分的 電器的例子。圖1 9 A - 2 Ο B顯示其具體例子。本發明 本紙張尺度適用中關家標準(CNS ) A4規格(21〇χ297公翁) ~~~ -53- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、^τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 582121 A7 ______B7__ 五、發明説明(51 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .所揭示的任何元件能夠被用於包括在此實施例的電器中的 有機發光元件。包括在此實施例的電器中的發光裝置可以 具有圖1 1 - 1 8所述的任何結構。 圖1 9 A顯示一種採用有機發光元件的顯示設備,此 絲頁不益包含威1 9 0 1 a、支持台1 9 0 2 a 、和顯不部 分1 9 0 3 a。採用本發明的發光裝置作爲顯示部分 1 9 0 3 a,此顯示器可以薄而輕,而且耐用。因此,簡 化了運輸,節省了安裝空間,而且壽命長。 圖1 9 B顯示一種視頻相機,它包含主體1 9 0 1 b 、顯示部分1 9 0 2 b、聲音輸入部分1 9 0 3 b、操作 開關1 9 0 4 b、電池1 9 0 5 b、以及影像接收部分 1 9 0 6 b。利用本發明的發光裝置作爲顯示部分 1 9 0 2 b,此視頻相機能夠薄而輕,且消耗較少的功率 。因此,降低了電池消耗且攜帶視頻相機更方便。 圖1 9 C顯不一種數位相機,它包含主體1 9 0 1 c 、顯示部分1 9 0 2 c、接目鏡部分1 9 0 3 c、以及操 作開關1 9 0 4 c。利用本發明的發光裝置作爲顯示部分 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9 0 2 c,此數位相機能夠薄而輕,且消耗較少的功率 。因此,降低了電池消耗且攜帶數位相機更方便。 圖1 9 D顯示一種配備有記錄媒體的影像再生裝虞。 此裝置包含主體1 9 0 1 d、記錄媒體(諸如C. D、L D 、或D V D ) 1 9 0 2 d、操作開關1 9 0 3 d、顯示部 分(A ) 1 9 0 4 d、顯示部分(b ) 1 9〇5 d。顯示 部分(A ) 1 9 0 4 d主要顯示影像資訊,而顯示部分( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -54- 582121 Α7 Β7 五、發明説明(52 ) B ) 1 9 0 5 d主要顯示文字資訊。利用本發明的發光裝 置作爲顯示部分C A ) 1 9 0 4 d和顯示部分(B ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 9 0 5 d,此影像再生裝置消耗較少的功率,並能夠薄 而輕,且耐用。配備有記錄媒體的影像再生裝置還包括 C D機和遊戲機。 圖1 9 E顯示一種(攜帶型)移動電腦,它包含主體 1 9 0 1 e、顯示部分1 9 0 2 e、影像接收部分 1 9〇3 e 、開關1 9 0 4 e 、以及記憶槽1 9 0 5 e 。 利用本發明的發光裝置作爲顯示部分1 9 0 2 e,此攜帶 型電腦能夠薄而輕,且消耗較少的功率。因此,降低了電 池消耗且攜帶此電腦更方便。此攜帶型電腦能夠將資訊儲 存在快速記憶體中或藉由整合非揮發性記憶體而得到的記 錄媒體中,並能夠重現儲存的資訊。 圖1 9F是一種個人電腦,它包含主體1 90 1 f 、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 殻1902f、顯示部分1903f、以及鍵盤 1 9 〇 4 f。利用本發明的發光裝置作爲顯示部分 1 9 0 3 f,此個人電腦能夠薄而輕,且消耗較少的功率 。就電池消耗以及重量輕而言,此發光裝置是一個很大的 優點,特別對於隨處攜帶的筆記型個人電腦或其他個人電 腦更是如此。 运些電器E1前顯示著藉由諸如網際網路的電子通信和 s者如無線電波的無線電通信傳送的頻率越來越高的資訊, 特別是動晝資訊。由於有機發光元件具有非常快的回應速 度,故此發光裝置適合於動畫顯示。 本紙張尺度適用中國國家;^準(CNS ) Α4規格(21〇χ297公董) ' "" -55- 582121 A7 B7 五、發明説明(53) (请先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 圖2 0A顯示一種行動電話,它包含主體2 0 〇 1 a 、聲音輸出部分2002a、聲音輸入部分2003a、 顯示部分2 0 〇 4 a、操作開關2 0 0 5 a、以及天線 2 0 0 6 a。利用本發明的發光裝置作爲顯示部分 2 0 0 4 a,此行動電話能夠薄而輕,且消耗較少的功率 。因此,降低了電池消耗,攜帶此行動電話方便,且Ϊ體 精巧。 圖2 0 B顯示音響(具體地說是汽車音響),它包含 主體2 0 0 1 b、顯示部分2 0 0 2 b、操作開關 2003b和2004b。利用本發明的發光裝置作爲顯 示部分2 0 0 2 b,此音響能夠薄而輕,且消耗較少的功 率。雖然在此實施例中以汽車音響作爲例子,但此音響也 可以是家用音響。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由提供具有光感測器作爲探測周圍亮度的手段的電 器,賦予圖1 9 A - 2 0 B所示的電器根據該電器被使用 場所周圍的亮度而調製發射光的亮度的功能是有效的。若 發射光的亮度對周圍亮度的反差比爲1 0 0 - 1 5 0,則 用戶能夠識別影像或文字資訊而不遇到困難。利用這一功 能,當周圍明亮時,爲了更好觀看,可以提高影像的亮度 ,而當周圍黑暗時,可以降低影像的亮度以減少功耗。 採用本發明的發光裝置作爲光源的各種各樣的電器也 是薄而輕的,並能夠在消耗較少功率的情況下工作,使之 成爲非常有用的電器。諸如後照光或前照光的液晶顯示裝 置的光源,或照明裝置的光源,是本發明的發光裝置作爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — " ^ -56- 582121 A7 ______B7______ 五、發明説明(54) 光源的典型應用。 當液晶顯示器被用作根據此實施例的圖1 9 A 2 Ο B的電器的顯示部分時,若這些液晶顯示器採用本發 明的發光裝置作爲後照光或前照光,則此電器能夠薄而輕 ,且消耗較少的功率。 藉由實施本發明,能夠得到功耗低而壽命長的發光裝 置。此外,利用這種發光裝置作爲光源或作爲顯示部分, 能夠得到功耗低而壽命長的明亮的電子設備。 在本發明的較佳實施例中,濃度變化區被分別置於電 洞傳送區與混合區之間以及電子傳送區與混合區之間。但 本發明可以包括其中僅僅一個濃度變化區被置於混合區與 電洞傳送區和電子傳送區中所希望的一個之間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) -57-

Claims (1)

  1. 582121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍1 第91 101 804號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國92年5月15日修正 1·一種包含有機發光元件的發光裝置,該有機發光 元件具有: 陽極; 陰極; 含有電洞傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜; 其中有機化合物膜的結構沿陽極到陰極方向包含: 由電洞傳送材料構成的電洞傳送區; 第一濃度變化區,其中電子傳送材料的比例逐漸提高 ,直至電洞傳送材料與電子傳送材料之間的比率變成X : y (其中X和y是正的常數); 3有比率爲X . y的電洞傳送材料和電子傳送材料的 混合區 » 第二濃度變化區,其中電子傳送材料的比例從比率χ :y進一步提高;和 由電子傳送材料構成的電子傳送區;和 其中,添加有用來發光的發光材料的發光區形成在混 合區中。 .2 · —種包含有機發光元件的發光裝置,該有機發光 元件具有: . 陽極; G氏張適用中國國家標準(CNS ) ( 210X 297公釐)'' --— i ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 582121 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 陰極; 接觸陽極形成的電洞注入區; 含有電洞傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜; 其中有機化合物膜的結構沿陽極到陰極方向包含: 由電洞傳送材料構成的電洞傳送區; 第一濃度變化區,其中電子傳送材料的比例逐漸提高 ,直至電洞傳送材料與電子傳送材料之間的比率變成X : y (其中X和y是正常數); 含有比率爲X ·· y的電洞傳送材料和電子傳送材料的 混合區;· ' 第二濃度變化區,其中電子傳送材料的比例從比率χ :y進一步提局;和 由電子傳送材料構成的電子傳送區; 其中,添加有用來發光的發光材料的發光區形成在混 合區中。 3 . —種包含有機發光元件的發光裝置,該有機發光 元件具有:. . 陽極; 陰極; 接觸'陰極形成的電子注入區;和· . 含有電洞傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜; .其中的有機化合物膜的結構沿陽極到陰極方向包含: 由電洞傳送材料構成的電洞傳送區; , 第一濃度變化區,其中電子傳送材料的比例逐漸提高 請 先 閲 .讀 背 面 之 I 頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x:297公釐) ~ 2 - 582121 A8 B8 C8 D8 3 申請專利範圍 ,直至電㈣送材料與電子傳送材料之帛的比率變成x : y (其中X和y是正常數); ----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3有比午爲X · y的電洞傳送材料和電子傳送材料的 混合區; 第二濃度變化區,其中電子傳送材料的比例從比率X :y進一步提高;和 由電子傳送材料構成的電子傳送區;和 其中,添加有用來發光的發光材料的發光區形成在混 合區中。 4.一種包含有機發光元件的發光裝置,該有機發光 元件具有: 陽極; 陰極; 接觸陽極形成的電洞注入區; 接觸陰極形成的電子注入區;和 含有電洞傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜; 其中的有機化合物膜的結構沿陽極到陰極方向包含:. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由電洞傳送材料構成的電洞傳送區; 第一濃度變化區,其中電子傳送材料的比例逐漸提高 ,直至電洞傳送材料與電子傳送材料之間的比率變成X : y(其中X和y是正常數); /含有比率爲X : y的電洞傳送材料和電.子傳送材料的 混合區, 第二濃度變化區,其中電子傳送材料的比例從比率X 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) -3- 582121 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 :y進一步提高;和 由電子傳送材料構成的電子傳送區;和 其中,添加有用來發光的發光材料的發光區形成在混 合區中。 5 ·如申請專利範圍第1 一 4項中任一項之發光裝置 ,其中添加有發光材料的發光區是混合區中的一部分。 6 ·如申請專利範圍第1 一 4項中任一項之發光裝置 ,其中最商被佔據的分子軌道與其最低未被佔據的分子軌 道之間的能量差大於電洞傳送材料與電子傳送材料的上述 能量差的阻擋材料被加入混合區中的一部分。 7 ·如申請專利範圍第5項之發光裝置,其中: 最高被佔據的分子軌道與其最低未被佔據的分子軌道 之間的能量差大於電洞傳送材料與電子傳送材料的上述能 量差的阻擋材料,被加入混合區中的一部分;且 發光材料加入其中的發光區,被置於比其中加入了阻 擋材料的區域更靠近陽極。 8 ·如申請專利範圍第丄一 4項中任一項之發光裝置 ,其中的發光材料執行從三重激發態的發光。 9 ·如申w專利範圍第1 一 4項中任一項之發光裝置 ,其中相對於電洞傳送材料和電子傳送材料的總質量,混 合區內的電洞傳送材料的質量百分比大於或等於1 %, 而小於或等於9 0 %。 1 〇 .如申請專利範圍第i 一 4項中任〜項之發光裝 置,其中混合區的厚度大於或等於i 0 n m,而小於或等 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -1— —=*I --- -4- 582121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍5 於1〇〇n m 〇 1 Γ · 一種電子裝置,其特徵在於包含如申請專利範 圍第1 — 4項中任一項之發光裝置。 1 2 .如申請專利範圍第丨_ 4項中任一項之發光裝 置,其中的發光裝置是被動矩陣型。 1 3 ·如申請專利範圍第丨一 4項中任一項之發光裝 置,其中的發光裝置是主動矩陣型。 14·一種發光裝置,包含: 陽極; 陰極;和 3有電洞傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜, 此有機化合物膜包含: 鄰近陽極的包含電洞傳送材料的電洞傳送區; 鄰近陰極的包含電子傳送材料的電子傳送區; 排列在電洞傳送區與電子傳送區之間,且沿陽極和陰 極方向包含恒定比例的電洞傳送材料和電子傳送材料的混 合區,其中的混合區至少部分地用發光材料摻雜; 排列在電洞傳送區和混合區之間的第一濃度變化區 其中電子傳送材料相對於電洞傳送材料的比例,在第—濃 度變化區中沿電洞傳送區到混合區方.向單調增加;和 排列在混合區與電子傳送區之間的第二濃度變化區 其中電子傳送材料相對於電洞傳送材料的比例,在第二濃 度變化區中沿混合區到電子傳送區方向單調增加。· 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之發光裝置,其中§亥 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " ---- ί * ! - 8 I -I - I - I n (請先閱噃背面之注意事項存填寫本頁) 1r ί#. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 582121 A8 B8 C8 D8 t、申請專利範圍6 發光裝置是被動矩陣型。 1 6. ·如申請專利範圍第1 4項之發光裝置,其中該 發光裝置是主動矩陣型。 1 7 · —種電子設備,其特徵在於包含如申請專利範 圍第14項之發光裝置,其中該電子設備選自視頻相機、 數位相機、影像再生裝置.、移動電腦、個人電腦、行動電 話' 以及音響所組成之群之一。 1 8 · —種發光裝置,包含: 陽極; 陰極;和 含有電洞傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜 此有機化·合物膜包含: 、 鄰近陽極的包含電洞傳送材料的電洞傳送區; 鄰近陰極的包含電子傳送材料的電子傳送區; 排列在電洞傳送區與電子傳送區之間,且沿陽極和隆 極方向包含恒定比例的電洞傳送材料和電子傳送材料的混 合區,其中的混合區至少部分地用發光材料摻雜; 排列在電洞傳送區和混合區之間的濃度變化區其中 電子傳送材料相對於電洞傳送材料的比例在第〜 環度變 化區中沿電洞傳送區到混合區方向單·調增加。. 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之發光裝置,其中該 發光·裝置是被動矩陣型。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 8項之發光裝置,等中亨 發光裝置是主動矩陣型。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) a4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、*=0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 582121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍Ί ~ 2 1 · —種電子設備,其特徵在於包含如申請專利範 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 圍第18項之發光裝置,其中該電子設備選自視頻相機、 數位相機、影像再生裝置、移動電腦 '個人電腦、行動電 話、以及音響所組成之群之一。 2 2 · —種發光裝置,包含: 陽極, 陰極;和 含有電洞傳送材料和電子傳送材料的有機化合物膜 此有機化合物膜包含: 鄰近陽極的包含電洞傳送材料的電洞傳送區; 鄰近陰極的包含電子傳送材料的電子傳送區; 排列在電洞傳送區與電子傳送區之間,且沿陽極和陰 極方向包含恒定比例的電洞傳送材料和電子傳送材料的混 合區,其中的混合區至少部分地用發光材料摻雜;和 排列在混合區與電子傳送區之間的濃度變化區,其中 電子傳送材料相對於電洞傳送材料的比例,在第二濃度變 化區中沿混合區到電子傳送區方向單調增加。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之發光裝置,其中該 發光裝置是被動矩陣型。 2 4 ·如申請專利範圍第2 2項之發光裝置,其中該 發光裝置是主動矩陣型。 2 5' · —種電子設備,其特徵在於包含如申請專利範 圍第2 2項之發光裝置,其中該電子設備選自親頻相機、 數位相機、影像再生裝置、移動電腦、個人電腦、行動電 本#氏張尺度適用中國國家操準(CNS ) A4規格(210X297公釐)" : —- 582121 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍8 話、以及音響所組成之群之一 (請先閲,背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8- 582121 第91101804號專利申請案 中文圖式修正頁 民國92年5月15日修正
    1605
    第16圖A
    外部訊號 TAB帶 第16圖B 582121
    第17圖A 外部訊號
    TAB帶 第17圖B
TW091101804A 2001-02-08 2002-02-01 Light emitting device TW582121B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001032995 2001-02-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW582121B true TW582121B (en) 2004-04-01

Family

ID=18896825

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092118393A TWI225312B (en) 2001-02-08 2002-02-01 Light emitting device
TW091101804A TW582121B (en) 2001-02-08 2002-02-01 Light emitting device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092118393A TWI225312B (en) 2001-02-08 2002-02-01 Light emitting device

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7196360B2 (zh)
JP (2) JP3977095B2 (zh)
KR (1) KR100813817B1 (zh)
CN (1) CN1316642C (zh)
MY (1) MY134082A (zh)
SG (1) SG114527A1 (zh)
TW (2) TWI225312B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140070201A1 (en) * 2006-07-04 2014-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, and Electronic Device
US10522788B2 (en) 2012-05-31 2019-12-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG138466A1 (en) * 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
US20020139303A1 (en) 2001-02-01 2002-10-03 Shunpei Yamazaki Deposition apparatus and deposition method
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
JP2004529911A (ja) * 2001-02-02 2004-09-30 シェーリング コーポレイション Cxcケモカインレセプターアンタゴニストとしての3,4−二置換シクロブテン−1,2−ジオン
US20030010288A1 (en) * 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
TWI225312B (en) 2001-02-08 2004-12-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW550672B (en) 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
US7488986B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR20020025918A (ko) * 2002-02-15 2002-04-04 박병주 습식 공정으로 제작된 유기 반도체 디바이스 및 유기전계발광 소자
JP4027691B2 (ja) * 2002-03-18 2007-12-26 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6931132B2 (en) * 2002-05-10 2005-08-16 Harris Corporation Secure wireless local or metropolitan area network and related methods
TWI316827B (en) * 2003-02-27 2009-11-01 Toyota Jidoshokki Kk Organic electroluminescent device
DE10338406A1 (de) * 2003-08-18 2005-03-24 Novaled Gmbh Dotierte organische Halbleitermaterialien sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7544970B2 (en) * 2003-08-22 2009-06-09 The Kansai Electric Power Co., Inc. Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device
KR101246247B1 (ko) * 2003-08-29 2013-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치
WO2005029923A1 (en) 2003-09-24 2005-03-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electroluminescent device
US7179543B2 (en) * 2003-10-06 2007-02-20 The Trustees Of Princeton University Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability
US7898168B2 (en) * 2003-10-27 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device having light-emitting layer with guest dopant
JP4631386B2 (ja) * 2004-02-25 2011-02-16 株式会社デンソー 有機el素子
KR100981015B1 (ko) * 2004-03-25 2010-09-07 사천홍시현시기건유한공사 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
JP4823566B2 (ja) * 2004-05-21 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置及びテレビ受像器
JP4972730B2 (ja) * 2004-08-30 2012-07-11 国立大学法人京都大学 有機半導体発光装置およびそれを用いた表示装置
TWI648719B (zh) 2004-09-16 2019-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 具有圖素的顯示裝置和電子裝置
US7767316B2 (en) * 2004-09-20 2010-08-03 Global Oled Technology Llc Organic electroluminescent devices and composition
US7579090B2 (en) * 2004-09-20 2009-08-25 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
KR101436791B1 (ko) 2004-10-29 2014-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 재료, 발광 소자, 발광 장치 및 이의 제조방법
KR101267040B1 (ko) * 2004-12-06 2013-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합재료를 사용한 발광소자 및 발광장치, 및 발광소자의 제조방법
US8741442B2 (en) * 2005-04-15 2014-06-03 General Electric Company Modified electrodes using functional organic materials and electronic devices therefrom
US7781673B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-24 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US20080006324A1 (en) * 2005-07-14 2008-01-10 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US20070181179A1 (en) 2005-12-21 2007-08-09 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US8158881B2 (en) * 2005-07-14 2012-04-17 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
KR100695307B1 (ko) * 2005-07-29 2007-03-14 한양대학교 산학협력단 유기발광소자 및 그 제조방법
KR100646795B1 (ko) 2005-09-08 2006-11-23 한양대학교 산학협력단 불순물이 계단형 농도로 첨가되는 정공수송층을 포함하는유기발광소자 및 그 제조방법
US7839078B2 (en) * 2005-09-15 2010-11-23 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element having a luminescent layer and a buffer layer adjacent thereto
US20070128465A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 General Electric Company Transparent electrode for organic electronic devices
EP1976838B1 (en) 2005-12-28 2015-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative
JP2007200938A (ja) * 2006-01-23 2007-08-09 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2007258237A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Univ Nagoya 有機積層構造材料の構造安定化方法とその利用
US9112170B2 (en) * 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
KR101084100B1 (ko) * 2006-06-01 2011-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자
EP1876658A3 (en) * 2006-07-04 2014-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8008421B2 (en) * 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with silole-containing polymer
US8008424B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer
KR101426717B1 (ko) 2006-12-04 2014-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치 및 전자 기기
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US7923800B2 (en) * 2006-12-27 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR101374891B1 (ko) 2007-02-09 2014-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US20080238300A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Sang Tae Park Organic electroluminescence device and method for fabricating the same
JP5530608B2 (ja) 2007-09-13 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子および発光装置
US8384283B2 (en) * 2007-09-20 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
WO2009051248A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8040047B2 (en) * 2007-10-19 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
EP2075860A3 (en) * 2007-12-28 2013-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
JP5008584B2 (ja) * 2008-02-15 2012-08-22 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及び表示装置
EP2258007A2 (en) * 2008-02-21 2010-12-08 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US20090218933A1 (en) * 2008-03-03 2009-09-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd Organic electroluminescent device
WO2009116547A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
CN101978784B (zh) * 2008-03-18 2012-12-05 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置及电子装置
JP2009238910A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Canon Inc 有機発光素子
CN102027614B (zh) 2008-05-16 2013-05-29 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置和电子设备
US8455606B2 (en) 2008-08-07 2013-06-04 Merck Patent Gmbh Photoactive polymers
CN105679953A (zh) * 2008-09-05 2016-06-15 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
JP2012504847A (ja) * 2008-10-01 2012-02-23 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子およびその製造方法
US8581237B2 (en) * 2008-12-17 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
EP2200407B1 (en) * 2008-12-17 2017-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting element, light emitting device, and electronic device
TWI528862B (zh) * 2009-01-21 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件,發光裝置以及電子裝置
WO2010102116A2 (en) * 2009-03-05 2010-09-10 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell having multiple electron donors
JP5229026B2 (ja) * 2009-03-16 2013-07-03 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
US8729596B2 (en) * 2009-08-24 2014-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element, organic electroluminescent display device, organic electroluminescent illuminating device, and method for manufacturing organic electroluminescent element
JP5670223B2 (ja) * 2010-03-17 2015-02-18 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR20120010438A (ko) 2010-07-26 2012-02-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
DE112012001504B4 (de) * 2011-03-30 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element
TWI440240B (zh) * 2011-04-08 2014-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 有機發光二極體裝置
EP2736089B1 (en) * 2011-07-19 2018-09-12 Hitachi, Ltd. Organic light-emitting element, light source device and organic light-emitting element manufacturing method
JP2013054863A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Sony Corp 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法および電子機器
JP5779804B2 (ja) * 2011-10-12 2015-09-16 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN104797644A (zh) * 2012-12-03 2015-07-22 阿克伦大学 具有宽带响应和增加的光电响应度的有机聚合物光电装置
US9478763B2 (en) * 2014-04-04 2016-10-25 Seiko Epson Corporation Light emitting element, light emitting device, display apparatus, and electronic equipment having a light emitting layer with host and assist dopant materials with different electron and hole transportation properties
CN105304828B (zh) * 2015-11-02 2018-05-01 固安翌光科技有限公司 一种串联白色有机发光器件
US10720633B2 (en) * 2017-09-15 2020-07-21 Dyson Technology Limited Multilayer electrochemical device
CN113604925B (zh) * 2021-07-09 2022-11-04 东华大学 一种自驱动交互式光电传感纱线及其制备和应用

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH366598A (de) 1957-06-01 1963-01-15 Egyesuelt Izzolampa Verfahren zum Zünden von gleichstromgespeisten Leuchtröhren und Zündschalter zur Durchführung des Verfahrens
US3654525A (en) 1965-10-23 1972-04-04 Donald Leonard Maricle Electrochemiluminescent device including one of naphthacene, perylene and 5, 6, 11, 12-tetraphenyl-naphthacene in aprotic solvent
US4839555A (en) * 1986-05-13 1989-06-13 Mahoney Patrick J O Laminated lighting device
WO1990002215A1 (en) 1988-08-19 1990-03-08 Regents Of The University Of Minnesota Preparation of superconductive ceramic oxides using ozone
JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
US5017863A (en) 1989-10-20 1991-05-21 Digital Equipment Corporation Electro-emissive laser stimulated test
WO1991008412A1 (en) 1989-12-01 1991-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum valve and vacuum treatment device using said vacuum valve
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
US5271089A (en) 1990-11-02 1993-12-14 Nec Corporation Speech parameter encoding method capable of transmitting a spectrum parameter at a reduced number of bits
JP3016896B2 (ja) 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH04357694A (ja) * 1991-06-03 1992-12-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜el素子
JPH07278800A (ja) 1994-04-06 1995-10-24 Vacuum Metallurgical Co Ltd 被膜形成装置及びその被膜形成方法
US5513499A (en) 1994-04-08 1996-05-07 Ebara Technologies Incorporated Method and apparatus for cryopump regeneration using turbomolecular pump
DE69511755T2 (de) 1994-04-26 2000-01-13 Tdk Corp Phenylanthracenderivat und organisches EL-Element
US5486406A (en) 1994-11-07 1996-01-23 Motorola Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices
JP3505257B2 (ja) 1995-02-24 2004-03-08 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH08330073A (ja) * 1995-03-27 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
US5719467A (en) 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
WO1997040648A1 (en) 1996-04-25 1997-10-30 Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent device
JP3866293B2 (ja) 1996-08-19 2007-01-10 Tdk株式会社 有機el素子
DE19638770A1 (de) 1996-09-21 1998-03-26 Philips Patentverwaltung Organisches elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex
JPH10145476A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Casio Comput Co Ltd 表示部及び操作部付き電子機器
JPH10162955A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Seiko Precision Kk 有機el素子の製造方法
JPH10233288A (ja) 1996-12-20 1998-09-02 Tdk Corp 有機el素子
US5817431A (en) * 1996-12-23 1998-10-06 Motorola, Inc. Electron injecting materials for organic electroluminescent devices and devices using same
US5895932A (en) 1997-01-24 1999-04-20 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US5989737A (en) 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
US5925472A (en) 1997-03-31 1999-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US6121727A (en) 1997-04-04 2000-09-19 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
US5925980A (en) * 1997-05-01 1999-07-20 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with graded region
JPH10319910A (ja) 1997-05-15 1998-12-04 Tdk Corp 有機elディスプレイの駆動装置
US6130001A (en) * 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
JPH1185059A (ja) 1997-09-05 1999-03-30 Casio Comput Co Ltd 表示素子、表示素子の製造方法及び表示素子の駆動方法
US5853905A (en) 1997-09-08 1998-12-29 Motorola, Inc. Efficient single layer electroluminescent device
US6030715A (en) 1997-10-09 2000-02-29 The University Of Southern California Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED
US6413656B1 (en) 1998-09-14 2002-07-02 The University Of Southern California Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices
US6368730B1 (en) 1997-10-13 2002-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent device
US6284050B1 (en) 1998-05-18 2001-09-04 Novellus Systems, Inc. UV exposure for improving properties and adhesion of dielectric polymer films formed by chemical vapor deposition
US6275649B1 (en) 1998-06-01 2001-08-14 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Evaporation apparatus
US6558817B1 (en) 1998-09-09 2003-05-06 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Tdk株式会社 有機el表示装置の製造装置及び製造方法
JP4505067B2 (ja) 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6759144B2 (en) 1998-12-16 2004-07-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP3159259B2 (ja) 1999-01-13 2001-04-23 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000243571A (ja) 1998-12-22 2000-09-08 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6468676B1 (en) 1999-01-02 2002-10-22 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device
US6228228B1 (en) 1999-02-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Method of making a light-emitting fiber
US6541909B1 (en) 1999-03-02 2003-04-01 Nec Corporation Organic electroluminescent device with doped transport layer(s) and production method
JP3885412B2 (ja) 1999-05-25 2007-02-21 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JP2001052870A (ja) 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機el素子
KR100683050B1 (ko) 1999-06-28 2007-02-15 모토로라 인코포레이티드 유기 전계발광 장치
US6392339B1 (en) 1999-07-20 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices including mixed region
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
US6372154B1 (en) 1999-12-30 2002-04-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent ink for printing of organic luminescent devices
US6432255B1 (en) 2000-01-31 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing chamber cleaning
US6237529B1 (en) 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
KR20010104215A (ko) 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
US6528824B2 (en) 2000-06-29 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
KR100360308B1 (ko) 2000-07-03 2002-11-18 한국화학연구원 아세틸렌기를 포함하는 유기화합물, 그 화합물을 이용한증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막 및그 박막을 사용한 전기 발광소자
TW451601B (en) 2000-08-07 2001-08-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of full color organic electroluminescent device
TW463522B (en) 2000-11-07 2001-11-11 Helix Technology Inc Manufacturing method for organic light emitting diode
JP2002146516A (ja) 2000-11-07 2002-05-22 Sony Corp 有機薄膜の蒸着方法
US6803720B2 (en) 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
SG138466A1 (en) 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) * 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US20020139303A1 (en) 2001-02-01 2002-10-03 Shunpei Yamazaki Deposition apparatus and deposition method
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
TWI225312B (en) 2001-02-08 2004-12-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US20030010288A1 (en) 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
TW550672B (en) 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140070201A1 (en) * 2006-07-04 2014-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, and Electronic Device
US8786183B2 (en) * 2006-07-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
TWI484862B (zh) * 2006-07-04 2015-05-11 Semiconductor Energy Lab 發光元件,發光裝置,和電子裝置
US9041282B2 (en) 2006-07-04 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device including first and second light-emitting units
TWI548306B (zh) * 2006-07-04 2016-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件,發光裝置,和電子裝置
US10522788B2 (en) 2012-05-31 2019-12-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
US20060243970A1 (en) 2006-11-02
US20090206331A1 (en) 2009-08-20
JP2002313584A (ja) 2002-10-25
MY134082A (en) 2007-11-30
CN1370034A (zh) 2002-09-18
US20020105005A1 (en) 2002-08-08
TW200306763A (en) 2003-11-16
US7196360B2 (en) 2007-03-27
KR100813817B1 (ko) 2008-03-17
US7456425B2 (en) 2008-11-25
JP2007258745A (ja) 2007-10-04
JP3977095B2 (ja) 2007-09-19
KR20020066384A (ko) 2002-08-16
CN1316642C (zh) 2007-05-16
US8513648B2 (en) 2013-08-20
JP4459981B2 (ja) 2010-04-28
SG114527A1 (en) 2005-09-28
TWI225312B (en) 2004-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW582121B (en) Light emitting device
US9608224B2 (en) Organic light emitting element and display device using the element
US7663149B2 (en) Organic light emitting device and display device using the same
TW543342B (en) Luminescent device having an organic luminescent element
US7332857B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US8937429B2 (en) Display device and method for manufacturing thereof
TW518909B (en) Luminescent device and method of manufacturing same
TW545080B (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002305085A (ja) 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees