TW502448B - Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic equipment - Google Patents
Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic equipment Download PDFInfo
- Publication number
- TW502448B TW502448B TW089113779A TW89113779A TW502448B TW 502448 B TW502448 B TW 502448B TW 089113779 A TW089113779 A TW 089113779A TW 89113779 A TW89113779 A TW 89113779A TW 502448 B TW502448 B TW 502448B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- layer
- shielding layer
- substrate
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 134
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 183
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 94
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 85
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 62
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 214
- 239000010408 film Substances 0.000 description 204
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 32
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 6
- CDMADVZSLOHIFP-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane;decahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 CDMADVZSLOHIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical group [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N theophylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1NC=N2 ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000241257 Cucumis melo Species 0.000 description 1
- 235000015510 Cucumis melo subsp melo Nutrition 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229960000278 theophylline Drugs 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/13613—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit the semiconductor element being formed on a first substrate and thereafter transferred to the final cell substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
502448 A7 --------_ 五、發明說明(1 ) ,【發明之技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是有關使光透過性基板與單結晶矽層貼合之光 電裝置的製造方法,及光電裝置,以及電子機器。尤其是 有關在光透過性基板上形成遮光層之光電裝置的製造方法 ’及光電裝置,以及電子機器。 【習知之技術】 對於絕緣基板上形成矽薄膜,且於該矽薄膜上形成半 導體裝置的SO I技術而言,由於具有元件的高速化,低 消耗電力化,及高集成化等優點,因此適合於液晶裝置等 之光電裝置。 就光電裝置中適用SO I技術的情況而言,是在光透 過性基板上貼合單結晶基板,然後藉由硏磨等來形成薄膜 的單結晶矽層,並且例如使單結晶矽層形成液晶驅動用的 M0SFET等的電晶體元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,對於使用液晶裝置的投影機等之投射型顯示裝置 而言,由於光通常是從光透性基板的表面被照射,因此一 般爲了防止光射入至形成於基板上的MO S F E T的通道 領域後發生光洩漏,而於Μ 0 S F E T上設置遮光層。 但,即使在MO S F Ε Τ上部設置遮光層,也會因爲 支撐基板爲光透過性’而使得從表面射入後的光會在基板 背面側的界面反射,而成爲反射光射入至Μ〇S F Ε Τ的 通道部。雖然反射光在從表面被照射的光量中所佔的比例 僅些微,但在投影機等之使用非常強的光源的裝置中會充 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 502448 A7 _______B7 ___ 五、發明說明(2 ) 分地發生光漏電流。亦即,來自基板背面的反射光會影響 元件的開關特性,而導致裝置的特性劣化。在此,是以單 結晶矽層所形成的面作爲基板的表面,以相反側作爲背面 〇 日本特開平1 0 - 2 9 3 3 2 0號公報所提丨^的技術 ,是在對應於電晶體元件領域的基板表面形成遮光層。該 技術是在基板表面上對遮光層形成圖案,且於上面覆蓋絕 緣體層,然後藉由硏磨來使平坦化,而於平坦面上貼合單 結晶砍基板。 【發明所欲解決之課題】 但,由於此類的液晶裝置在基板上會存在電晶體元件 領域密集部份與不密集部份,因此遮光層也會對應於此而 同樣地分布於基板上,硏磨前的絕緣體層表面的凹凸也會 存在密集部份與不密集部份。如此一來,在使絕緣體層表 面平坦化的硏磨過程中,在凹凸密集部份與不密集部份會 產生硏磨不均,亦即凹凸密集部份的絕緣體層厚度較厚, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 凹凸不密集部份的絕緣體層厚度較薄’而導致硏磨後的絕 緣體層表面產生彎曲。 J · 若絕緣體層表面產生彎曲’則會有下列問題發生。第 1 ,使絕緣體層與單結晶矽層貼合的境界面產生空隙,而 導致形成於此空隙存在領域的M 0 s F E τ的特性劣化或 完全形成不良狀態。第2,絕緣體層與單結晶矽層的貼合 強度變弱,而導致在單結晶矽層形成後的Μ 0 s F Ε τ製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公爱) -5 - 502448 A7 —— ___B7 __ 五、發明說明(3 ) ,程中會因爲膜剝離等不良的因素而造成製品的良品率降低 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明正是用以解決此課題者,其目的在於提供一種 可使貼合單結晶矽層的絕緣體層表面平坦化之光電裝置的 製造方法,光電裝置及電子機器。 【用以解決課題之手段】 爲了解決該課題,本發明之光電裝置的製造方法,是 屬於一種具備: 在光透過性基板的一方面形成遮光層之工程;及 使上述遮光層形成圖案之工程;及 在上述被形成圖案的遮光層上形成絕緣體層之工程; 及 使上述絕緣體層形成平坦化之工程;及 在上述被平坦化的絕緣體層表面上貼合單結晶矽層之 工程;及 藉由上述單結晶矽層來形成電晶體元件之工程;等之 光電裝置的製造方法; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其特徵爲:上述被形成圖案的遮光層是被配置於對向 於上述電晶體元件的領域及上述電晶體元件的周邊領域。· 若利用本發明之製造方法,則形成於光透過性基板的 一方面的遮光層圖案並非只存在於電晶體元件的形成領域 中,其周邊領域中亦存在,因此遮光層之基板的凹凸分布 不均一情況會變少,例如藉由硏磨等來使遮光層上的絕緣 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6 - 502448 A7 B7 五、發明說明(4 ) (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 體層平坦化時,可更爲提高硏磨比例之基板面內均一性。 如此一來,在絕緣體層的平坦化工程中,不但不會使光透 過性基板的表面彎曲,而且還能夠處理得非常平坦。藉此 ,不會在使該絕緣體層與單結晶矽貼合的境界面中形成空 隙,且可使絕緣體層與單結晶矽層的貼合強度變強,甚至 電晶體元件的特性不會不均一且不會產生缺陷。 又,於本發明中,上述光透過性基板是藉由對向基板 與密封材貼合而成,上述周邊領域爲對向於上述密封材的 領域。 若利用該構成,則會因爲連在對向於密封材的領域也 具有遮光膜層,所以可均一地使周邊領域平坦化,進而能 夠良好地使單結晶矽層貼合。 因此,在本發明之光電裝置的製造方法中,在使上述 光透過性基板上的一方面平坦化的工程中,最好是利用化 學機械硏磨法來使絕緣體層平坦化。 又,本發明之光.電裝置,是屬於一種具備: 形成於光透過性基板的一方面,且被形成圖案之遮光 層;及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成於上述被形成圖案的遮光層上,且被實施平坦化 處理之絕緣體層;及 形成於上述被平坦化的絕緣體層上之開關元件;等之 光電裝置; 其特徵爲:上述被形成圖案的遮光層是被設置於對佝 於上述電晶體元件的領域及上述電晶體元件的周邊領域。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 502448 A7 __B7 _ 五、發明說明(5 ) (請先閱翁背面之注意事項再填寫本頁) 若利用本發明之構成,則會因爲絕緣體層的表面被平 坦化,所以可實現一種在使絕緣體層與單結晶矽層貼合的 境界面中不會產生空隙,且可使絕緣體層與單結晶矽層的 貼合強度變強,甚至電晶體元件的特性不會不均一且不會 產生缺陷之光電裝置。 又,於本發明中,被設置於未形成上述電晶體元件的 領域之遮光層圖案,是將形成於設有上述電晶體元件的領 域的圖案予以重複展開於2次方向而成者。 若利用本發明之構成,則會因爲電晶體元件非形成領 域的絕緣體層表面之平坦化處理前的凹凸狀態是形成非常 接近電晶體形成領域之凹凸狀態的形狀,因此可實現一種 不僅可以使硏磨比例等之均一性提升,而且還能夠減低與 單結晶矽層貼合時之境界面中所產生的空隙,及可使絕緣 體層與單結晶矽層的貼合強度變強,甚至電晶體元件的特 性不會不均一且不會產生缺陷之光電裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,於本發明之光電裝置中,上述光透性基板是由石 英所構成,上述遮光層是由高熔點金屬或高熔點金屬的矽 化物所構成。藉此,在遮光層上的電晶體形成工程中,由 於可使元件特性提升,因此可進行溫度超過1 0 0 0度的 高溫處理。 又,本發明之光電裝置的製造方法,是屬於一種在透 明基板上具有: 像素電極與連接於上述像素電極的電晶體爲形成矩禪 狀之顯示領域;及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8 - 502448 A7 ___J7___ 五、發明說明(6 ) (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 供以從配置於上述顯示領域的周邊領域的驅動電路及 外部電路來輸入信號之外部電路連接端子;等之光電裝置 的製造方法; 其特徵是具有: 在上述透明基板上形成遮光層之工程;及 使上述遮光層形成圖案之工程;及 在上述被形成圖案的遮光層上形成絕緣體層之工程; 及 使上述絕緣體層形成平坦化之工程;及 在上述被平坦化的絕緣體層表面上貼合單結晶矽層之 工程;及 藉由上述單結晶矽層來形成上述電晶體之工程; 又,上述被形成圖案的遮光層是被配置於上述電晶體 及上述周邊領域,上述周邊領域的遮光層是對向配置於上 述驅動電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若利用本發明之製造方法,則會因爲透明基板的遮光 層圖案並非只存在於電晶體元件的形成領域中,其周邊領 域中亦存在,所以遮光層之基板的凹凸分布不均一的情況 少,例如藉由硏磨等來使遮光層上的絕緣體層平坦化時, 可更爲提高硏磨比例之基板面內均一性。尤其是進行平坦 化時,由於周邊容易被硏磨,因此可藉由周邊形成遮光層 來減少基板之凹凸分布的不均一。藉此,將不會在使該絕 緣體層與單結晶矽貼合的境界面中形成空隙,且可使絕緣 體層與單結晶矽層的貼合強度變強,甚至電晶體元件的特 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - 502448 A7 _____ B7 五、發明說明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 性不會不均一且不會產生缺陷。又,可藉由對向於驅動電 路之領域中的配置來防止光侵入驅動電路,進而能夠防止 形成於驅動電路之電晶體的錯誤動作。 又,本發明之光電裝置的製造方法中,上述被形成圖 案的遮光層是被配置於對向於上述外部電路連接端子的領 域中。 若利用本發明之製造方法,則會因爲連對向於外部電 路連接端子的領域中也配置有遮光層,所以可防止絕緣體 層在平坦化時產生凹凸。 又,本發明之光電裝置的製造方法,是屬於一種在透 明基板上具有: 像素電極與連接於上述像素電極的電晶體爲形成矩陣 狀之顯示領域;及 供以從配置於上述顯示領域的周邊領域的驅動電路及 外部電路來輸入信號之外部電路連接端子;等之光電裝置 的製造方法; 其特徵是具有: 在上述透明基板上形成遮光層之工程;及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使上述遮光層形成圖案之工程;及 在上述被形成圖案的遮光層上形成絕緣體層之工程; 及 使上述絕緣體層形成平坦化之工程;及 在上述被平坦化的絕緣體層表面上貼合單結晶矽層之 工程;及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公€ ^10 - 502448 A7 B7 五、發明說明(8 ) 藉由上述單結晶矽層來形成上述電晶體之工程; <請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 又,上述被形成圖案的遮光層是被配置於上述電晶體 及上述周邊領域,上述周邊領域的遮光層是被配置於上述 驅動電路及上述外部電路連接端子的周邊,而未配置於對 向於上述驅動電路的領域中。 若利用本發明之製造方法,則會因爲遮光層是形成於 驅動電路與外部電路連接端子的周邊,所以可減少上面絕 緣體層的凹凸分布不均一情況。又,因爲對向於驅動電路 與外部電路連接端子的領域中並未配置,所以可抑止因遮 光層所造成之電氣性的影響。 又,本發明之光電裝置的製造方法中,使上述絕緣體 層形成平坦化的工程是使用化學機械硏磨法。 若利用本發明之製造方法,則會因爲遮光層是被形成 於表面領域及周邊領域中,且在上面形成有絕緣體層,所 以連周邊領域也能夠進行凹凸少之平坦化的硏磨。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,本發明之光電裝置的製造方法中,被配置於對向 於上述電晶體的領域之遮光層的形狀是與配置於上述顯示 領域的周邊之遮光層的形狀幾乎相同。 若利用本發明之製造方法,則會因爲對向於電晶體的 領域中所配置之遮光層的形狀與對向於上述驅動電路的領 域中所配置之遮光層的形狀大致相同,所以遮光層與遮光 層的間隔會大致形成均一,因此可使進行上面絕緣體層的 平坦化時之凹凸分布更爲減少。 - 此外,本發明之光電裝置的特徵更具備·· -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 502448 A7 ___B7____ 五、發明說明(9 ) 以能夠與形成有上述光透過性基板的單結晶矽層的面 呈對向的方式來予以配置之其他光透過性基板;及 被挾持於2片的光透性基板間,且藉由形成於上述電 晶體元件領域中的開關元件來予以驅動之液晶。 另外,本發明之電子機器的特徵是具備: 光源;及 從上述光源射出的光被射入後實施對應於像素資訊的 調變之申請專利範圍第1 2項所記載的光電裝置;及 投射藉由上述光電裝置而被調變的光之投射手段。 【發明之實施形態】 以下,根據圖面來說明本發明之實施形態。 (光電裝置的基本構造) 圖1是表示本發明之光電裝置的基本構造的剖面圖。 如圖1所示,在光電裝置2 0 1中,於光透過性基板 (透明基板)202上形成有遮光層204。又,於光透 過性基扳2 0 2上依次形成有絕緣體層2 0 5及單結晶矽 層206。又,於單結晶矽層206中,對應於遮光層 2 0 4的位置上形成有電晶體元件領域(圖示省略)。 (製程) 根據圖2〜圖4來說明上述光電裝置的製造過程。 首先,如圖2 ( a )所示,例如在透明的光透過性基 板202上的全面形成遮光層204。在此,光透過性基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ n n n -1 el^aJ> ϋ ϋ ϋ I I n LV · 502448 第89113779號專利申請案 中文說明書修正頁民國91年7月修正 A7
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 板2 0 2是例如使用厚度!· 2mm的石英。又,遮光層 2 0 4是例如藉由濺鍍法來堆積i 〇 〇〜2 5 〇 n❿程度 的鉬,最理想是堆積2 0 〇 n m的厚度。又,遮光層 2 0 4的材料並非只限定於本實施形態,只要是對製造裝 置的熱製程最高溫度而言爲安定的材料即可。例如,其他 亦可使用鎢,鉬等之高融點金屬或多結晶矽,或鎢矽化物 ’鉬砂化物等之砂化物材料,又,成形法除了濺鍍法以外 ’亦可使用C V D法,電子束加熱蒸鍍法等。 其次’如圖2 C b )所示,形成光阻劑圖案2 〇 7。 此光阻劑圖案2 0 7除了對應於電晶體元件形成領域 的位置以外’在電晶體元件的非形成領域(電晶體元件的 周邊領域)也同樣形成。在此,所謂的電晶體元件的非形 成領域,具體而言是指存在於電晶體元件形成領域的周邊 領域之塗怖供以貼合對向基板的密封材之密封領域,或形 成供以驅動資料線及掃描線的驅動電路的周邊部,及供以 連接輸出入信號線的連接端子之端子墊領域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,如圖3 ( a )所示,以光阻劑圖案2 0 7作爲 光罩來進行遮光層2 0 4的蝕刻,並且在光透過性基板 2 0 2上形成遮光層2 0 4的圖案。然後,剝離光阻劑圖 案 2 0 7。 其次,如圖3 ( b )所示,堆積由氧化矽膜所構成的 絕緣體層2 0 5。該氧化矽膜是例如藉由濺鍍法或使用 TESO(四乙基正矽酸鹽)的電漿CVD法來使堆積電 路基板1 0 0 0 n m程度。又,絕緣體層2 0 5的材料’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13 - 502448
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 除了上述氧化矽膜以外,例如還可使用N S G (非摻雜矽 酸鹽玻璃),P S G (磷矽酸鹽玻璃),B S G (硼砂酸 鹽玻璃),B P S G (硼磷矽酸鹽玻璃)等之高絕緣性玻 璃,或使用氮化矽膜等。 其次,如圖3 (c)所示,在遮光層204上,以殘 留預定膜厚的條件來對絕緣體層2 0 5的表面進行總括性 的硏磨,而形成平坦化。就利用硏磨的平坦化手法而言, 例如可使用C Μ P (化學機械硏磨)法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,如圖3 ( d )所示,進行光透過性基板2 〇 2 與單結晶砍基板2 0 6 a的貼合。又,使用於貼合的單結 晶石夕基板2 0 6 a的膜厚爲3 0 0 //m程度,且其表面事 先氧化0 · 05〜0 · 8/zm程度,而形成氧化膜層 2 0 6 b。這是爲了使貼合後所被形成的單結晶矽層 2 0 6與氧化膜層2 0 6 b的界面能夠在熱氧化下形成, 而來確保電氣特性良好的界面。又,貼合過程,例如可採 用3 0 0 °C,2小時的熱處理來直接貼合2片的基板之方 法。又,爲了更爲提高貼合強度,而必須將處理溫度提高 至4 5 0 °C程度,但因爲石英基板與單結晶矽基板的熱膨 脹係數差異大,所以若如此加熱,則會在單結晶矽層中產 生龜裂等缺陷,而造成基板品質惡化。在此,爲了抑止龜 裂等之缺陷的產生,而一度使3 0 0 °C下進行貼合熱處理 的單結晶矽基板,藉由濕蝕刻或C Μ P來弄薄至1 〇 〇〜 1 5 0 // m程度之後,再進行高溫熱處理。例如,使用 8 0 °C的K〇Η水溶液,以單結晶矽基板的厚度能夠形成 本紙張瓦度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇Χ297公釐) .14 - 502448 A7 B7 五、發明説明(12)
經 濟 部 智 慧 財 產 局 ip 消 合 作 社 印 製 1 5 〇 /Z m的方式來進行鈾刻,之後再以4 5 0 °C的溫度 來對貼合後的基板進行熱處理,而來提高貼合強度。 又,如圖4 ( a )所示,對該貼合基板進行硏磨,而 來形成3〜5 // m厚度的單結晶矽層2 0 6。 如此薄膜化的貼合基板,最後是藉由P A C E (Plasma A s s i s t e d C h e m i c a 1 E t c h i n g)法來將單結晶砂層2 0 6的膜厚 蝕刻加工至0 . 0 5〜0 . 8 // m程度。藉此P A C E處 理,單結晶矽層2 0 6將可取得均一性爲1 0 %以內的膜 厚(例如膜厚1 0 0 n m )。 此外,就用以取得薄膜化單結晶矽層的手法而言,除 了上述P A C E處理以外,其他亦可利用:在使植入氫離 子的單結晶矽基板貼合後,藉由熱處理來進行倂合之方法 ,或藉由多孔質矽層的選擇蝕刻來使形成於多孔質矽上的 外延成長矽層複寫於貼合基板上之EL TRAN ( Epitaxial
Layer Transfer)法。 如上述,若利用本實施形態的製程,則會於光透過性 基板2 0 2上形成遮光層2 0 4 ’且不僅會於形成電晶體 元件的領域設置遮光層圖案,甚至連其周邊領域也會設置 遮光層圖案,因此遮光層之基板的凹凸分布不均一情況會 變少,且藉由硏磨等來使遮光層上的絕緣體層平坦化時, 可更爲提高硏磨比例之基板面內均一性。 因此,在圖3 ( c )所示之硏磨過程中,絕緣體層 2 0 5的表面會被平坦化’並且在使該絕緣體層與單結晶 石夕貼合的境界面中不會形成空隙’而且可使絕緣體層 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15 - 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 502448 A7 B7 五、發明說明(13 ) 2 0 5與單結晶矽層2 0 6的貼合強度變強,甚至電晶體 元件的特性不會不均一且不會產生缺陷。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (使用本實施形態的製程之光電裝置的構成) 圖5是表示構成液晶裝置(光電裝置)的圖像形成領 域(像素部)之形成矩陣狀的複數個像素之各種元件,配 線等的等效電路圖。又,圖6是表示形成有資料線,掃描 線,像素電極,遮光膜等之T F T陣列基板的相鄰接之複 數個像素群的擴大平面圖。圖7〜圖9是表示在TFT陣 列基板中之像素部的周邊領域構造的平面圖。又,圖1 〇 是表示圖6之A — A ’剖面圖。並且,在圖1 〇中,爲了使 各層或各構件能夠在圖面上形成可識別程度的大小,而使 各層或各構件的縮小比例有所不同。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖5中,構成本實施形態之液晶裝置的圖像形成領域 (像素部)之形成矩陣狀的複數個像素是由複數形成矩陣 狀的像素電極9 a與供以控制像素電極9 a的TFT (電 晶體元件)3 0所構成,且供給像素信號的資料線6 a會 電氣性連接於該T F T 3 0的源極。又,寫入資料線6 a 的圖像信號S 1 ,S 2、、、S η,可依此順序來供給, 或針對彼此相鄰的複數條資料線6 a供給給每個群組。又 ,掃描線3 a會被電氣性地連接於T F T 3 0的閘極,以 預定的時間來依次地將掃描信號Gl ,G2,G3、、、 ,G m施加於掃描線3 a。又,像素電極9 a會被電氣性 地連接於T F T 3 0的汲極,而只在一定的期間關閉開關 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 _ B7 五、發明說明(14) 元件(T F T 3 0 ),藉此使能夠以預定的時間來寫入像 素信號S 1,S 2,S 3、、、,S η (自資料線6 a供 給)。又,經由像素電極9 a而被寫入液晶中之預定位準 的像素信號S 1 ,S 2,、、、、S η會一定期間保持於 形成於對向基板(後述)的對向電極(後述)之間。又, 液晶會根據被施加的電壓位準來變化分子集合的配向或秩 序,藉此來調變光,而使能夠進行灰度等級顯示。若爲正 常白色模式,則會配合所被施加的電壓來使入射光不會通 過該液晶部份,又,若爲正常黑色模式,則會配合所被施 加的電壓來使入射光通過該液晶部份,而使全體液晶裝置 能夠射出具有配合像素信號的對比度之光。在此,爲了防 止被保持的圖像信號洩漏,而與液晶電容並列附加一儲存 電容7 0 (該液晶電容是形成於像素電極9 a與對向電極 之間)。像素電極9 a的電壓會藉由儲存電容7 0而長時 間予以保持(例如,比電壓被施加於資料線的時間還要長 約3位數的時間)。藉此,使保持特性能夠更爲改善,而 實現對比度高的液晶裝置。就本實施形態而言,特別是爲 了設置儲存電容7 0,而與掃描線同層,利用導電性的遮 光膜來設置低阻抗化的容量線3 b。 其次,根據圖6來詳細說明T F T陣列基板像素部( 圖像顯示領域)的平面構造。如圖6所示,在液晶裝置的 T F T陣列基板上的像素部內設有矩陣狀複數個的透明像 素電極9 a (虛線部9 a ’所示輪廓者),並且沿著像素.電 極9 a的縱橫境界,而分別設有資料線6 a,掃描線3 a 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注音2事項再填寫本頁) --------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 B7_ 五、發明說明(15 ) 及電容線3 b。又,資料線6 a會經由接觸孔5在單結晶 矽層的半導體層1 a中電氣性連接於後述的源極領域,又 ,像素電極9 a會經由接觸孔8在半導體層1 a中電氣性 連接於後述的汲極領域。又,於半導體層1 a中,以能夠 對向於通道領域(圖中向右上方的斜線領域)之方式來配 置掃描線3 a ,並且掃描線3 a具有作爲閘極電極的功能 〇 此外,電容線3 b具有:沿著掃描線3 a而幾乎延伸 成直線狀的幹線部(亦即,由平面來看,沿著掃描線3 a 而形成之第1領域),及從與資料線6 a交叉的地方沿著 資料線6 a而突出於前段側(圖中向上)的突出部(亦即 ,由平面來看,沿著資料線6 a而延伸之第2領域)。 另外,在圖中向右上方的斜線領域中設有對應於圖1 所示之遮光層2 0 4的複數個第1遮光膜1 1 a。更具體 而言,第1遮光膜1 1 a會分別在像素部設置於覆蓋(由 T F T陣列基板側來看)包含半導體層1 a的通道領域之 T F T,並且還具有:對向於電容線3 b的幹線部而沿著 掃描線3 a延伸成直線狀的幹線部,及從與資料線6 a交 叉的地方沿著資料線6 a而突出於鄰接的段側(圖中向下 )的突出部。並且,第1遮光膜1 1 a之各段(像素行) 的向下突出部前端會在資料線6 a下與下段電容線3 b的 向上突出部前端重疊。而且,該重疊處設有相互電氣性連 接第1遮光膜1 1 a與電容線3 b的接觸孔1 3。亦即” 在本實施形態中,第1遮光膜1 1 a會電氣性連接於比接 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) · --線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 — B7 五、發明說明(16) 觸孔1 3還要靠前段或後段的電容線3 b。 在本實施形態中,雖像素電極9 a及T F T僅設置於 像素部內,但第1遮光膜1 1 a不僅會形成於像素部內, 而且在不須遮光的像素部之外側領域(像素部的周邊領域 ),亦即在塗怖用以貼合對向電極基板的密封材之密封領 域,或在形成有供以連接輸出入信號線的外部電路連接端 子之端子腳位(pad)領域等中,以2次元展開的形態來形成 同樣的圖案。藉此,在硏磨形成於第1遮光膜11a上的 絕緣體層而使平坦化時,由於像素部內與像素部的周邊領 域的凹凸狀態幾乎形成相同,因此可以均一地形成平坦化 ,而於良好的狀態下使單結晶矽層貼合。 其次,根據圖7〜圖9來詳細說明T F T陣列基板之 像素部的周邊領域的平面構造。圖7爲擴大後述圖1 7中 以符號3 0 0所示之領域的槪略平面圖,亦即表示後述之 密封材5 2的角落部的周邊部。又,圖8是表示僅取出圖 7之第1遮光膜1 1 a的槪略平面圖。亦即,可想像爲形 成半導體層或配線之前的基板狀態。又,圖9爲擴大後述 圖1 7中以符號4 0 0所示之領域的槪略平面圖,亦即表 示形成有後述之外部電路連接端子1 〇 2的端子腳位領域 〇 又,圖7〜圖9中,爲了使圖面簡略化,而使第1遮 光膜1 1 a形成格子狀,但實際上並非完全格子狀,而是 形成圖6中向右上方的斜線所示之圖案者。並且,在圖7 ,圖8中,符號10是表示TFT陣列基板。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱) -19 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ! ! 1 訂·! 1!1 · 502448 A7 B7 五、發明說明(17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖7所示,在位於後述之密封材5 2的內側像素部 中設有如圖所示之像素電極9 a,資料線6 a及掃描線 3 a等,且於各像素電極9 a的周圍設有如圖6中向右上 方的斜線所示之第1遮光膜1 1 a。 又,如圖7所示,設置於像素部內的資料線6 a的一 方端部是延伸形成於比像素部還要靠外側處(圖7的下側 ),並且電氣性連接構成後述之資料線驅動電路1 0 1的 取樣保持電路1 0 1 A與資料線側移位暫存器1 〇 1 B。 另一方面,設置於像素部內的掃描線3 a的一方端部是延 伸形成於比像素部還要靠外側處(圖7的左側),並且電 氣性連接於構成後述之掃描線驅動電路1 0 4的掃描線側 移位暫存器10 4B。 又,如圖7及圖8所示,在本實施形態中,第1遮光 膜1 1 a並非僅於像素部內,在像素部的周邊領域,亦即 在塗怖密封材5 2的密封領域及密封領域的外側領域中設 置與像素部內相同的圖案。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,如圖9所示,在TFT陣列基板10中,在形成 有外部電路連接端子1 〇 2的端子腳位領域中亦形成有與 像素部內相同圖案的第1遮光膜1 1 a。 但,最好如圖7〜圖9所示,資料線驅動電路1 〇 1 (取樣保持電路1 0 1 A,資料線側移位暫存器1 〇 1 B ),掃描線驅動電路1 〇 4 (掃描線側移位暫存器 1 0 4 B ),及外部電路連接端子102的正下方不設置 第1遮光膜1 1 a ,其理由如下。具有導電性的第1遮光 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 502448 A7 _________________________________________________B7_ 五、發明說明(18 ) >膜1 1 a爲形成於驅動電路1 〇 1 ,1 或外部電路連 接端子1 0 2的正下方時’即使使絕緣體層介在於第1遮 光膜1 1 a與驅動電路1 〇 1,1 〇 4或外部電路連接端 子102之間,驅動電路1〇1,1〇4或外部電路連接 端子1 0 2還是有可能會受到第1遮光膜1 1 ^的電氣性 影響。 又’資料線驅動電路1 〇 1 ,掃描線驅動電路1 〇 4 ’及外部電路連接端子1 〇 2的正下方不形成第1遮光膜 1 1 a時’與該領域形成第1遮光膜1 1 a時相較下,雖 形成於第1遮光膜1 1 a上的絕緣體層的凹凸分布會若干 變大,但由於資料線驅動電路1 〇 1,掃描線驅動電路 1 0 4,及外部電路連接端子1 〇 2所佔有的面積對 T F T陣列基板1 〇的全面積而言非常地小,因此不會有 問題。 但’若將第1遮光膜1 1 a形成於資料線驅動電路 10 1,掃描線驅動電路1 〇 4,及外部電路連接端子 1 0 2的正下方時,第1遮光膜1 1 a對驅動電路1 〇 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
響部,子成減 影外 a 端形爲 性及 1 接,更 氣 ,1 連下以 電 4 膜路較可 的 ο 光電相布 成 1 遮部時分 造, 1 外 CO 凸 所 1 第及 1 凹 2 ο 成, 1 的 ο 1 形 4 膜層 1 路也 ο 光體 子電方 1 遮緣 端動下 ,1 絕 接驅正 1 第的 連連的 ο 成上 路是 2 1 形 a 電好 ο 路不 1 部最 1 電方 1 外,子動下膜 或時端驅正光 4 微接與的遮 ο 極連況 2 1 1 度路情 ο 第 。 , 程電此 1 於少 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 502448 A7 — ___B7 _ 五、發明說明(19 ) 、 又,於本實施形態中,雖只顯示出像素部的周邊領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (圖17之符號3 0 0,400所示領域的擴大平面構造 ),但實際上其他領域則與圖7〜圖9所示的構造相同。 其次,根據圖1 0來說明液晶裝置的像素部內的剖面 構造。如圖1 0所示,液晶裝置具備:構成光透過性基板 的一例之T F T陣列基板1 0,及與T F T陣列基板1 0 呈對向配置之透明的對向基板2 0。又,丁 F T陣列基板 1 0是例如由石英基板所構成,對向基板2 0是例如由玻 璃基板或石英基板所構成。並且在TFT陣列基板1 〇上 設有像素電極9 a ,且於上側設有被施以硏磨處理等之預 定的配向處理的配向膜1 6。又,像素電極9 a是例如由 I T 0膜(銦•茶鹼•氧化膜)等之透明導電性薄膜所構 成。配向膜1 6是例如由聚醯亞胺等之有機薄膜所構成。 另一方面,在對向基板2 0的全面設有對向電極(共 通電極)2 1,並且在下側設有被施以硏磨處理等之預定 的配向處理的配向膜2 2。又’對向電極2 1是例如由 I T 0膜等之透明導電性薄膜所構成。配向膜2 2是例如 由聚醯亞胺等之有機薄膜所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,如圖1 0所示,在TFT陣列基板1 〇中,鄰接 於各像素電極9 a的位置上設有像素開關用TFT3 0 ( 供以對各像素電極9 a進行開關控制)。 又,如圖1 0所示,在對向基板2 0中,在各像素部 的開口領域以外的領域中設有第2遮光膜2 3。因此來自 對向基板2 0側的入射光不會侵入像素開關用T F T 3 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -22 - 502448 A7 B7 五、發明說明(2〇 ) 的半導體層1 a的通道領域1 a ’或L D D(Lightly Doped Dram)領域1 b及1 c。並且,第2遮光膜2 3具有提高對 比度及防止色材混色等的機能。 藉此,像素電極9 a與對向電極2 1呈對面配置之 T F T陣列基板1 〇與對向基板2 0間,在藉由密封材( 圖示省略)而圍繞的空間中會封入液晶,而形成液晶層 5 0。又,液晶層5 0是在未施加來自像素電極9 a的電 場之情況下根據配向膜1 6及2 2來取預定的配向狀態。 又,液晶層5 0是例如由混合一種或數種的絲狀液晶之後 的液晶所構成。又,密封材是例如由光硬化性樹脂或熱硬 化性樹脂所構成的接合劑,且混入玻璃纖維或玻璃珠(供 以使兩基板間的距離形成一定値),該密封材是用以貼合 於兩個基板10及2 0的周邊。 如圖1 0所示,分別在對向於像素開關用T F T 3 0 的位置上,對應於T F T陣列基板1 0表面的各像素開關 用TFT3 0的位置各設有第1遮光膜1 1 a。在此,第 1遮光膜1 1 a最好是由含不透明的高融點金屬(T i ’ Cr ,W,Ta ,Mo及Pb)之金屬單體,合金,或金 屬矽化物等所構成。 若由上述這類的材料來構成’則在T F T陣列基板 1 0上之第1遮光膜1 1 a的形成過程後’在像素開關用 TFT3 0的形成過程中進行高溫處理時’第1遮光膜 1 1 a不會被破壞或融熔。又’本實施形態中,由於在, TFT陣列基板1 〇上形成有第1遮光膜1 1 a ,因此可 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -l·., (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------I I 訂 i I ! ! - *^ · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 ____B7 _ 五、發明說明(21 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 防止來自T F T陣列基板1 〇側的反射光射入至像素開關 用TFT30的通道領域la’或LDD領域lb,lc, 不會因光電流的產生而造成電晶體元件(像素開關用 T F T 3 0 )的特性劣化。 又,在第1遮光膜11 a與複數個像素開關用 T F T 3 0之間設有第1層間絕緣膜1 2 (絕緣體層)。 第1層間絕緣膜1 2是爲了由第1遮光膜1 1 a來電氣性 絕緣構成像素開關用T F T 3 0的半導體層1 a而設置者 。又,第1層間絕緣膜Γ 2是形成於T F T陣列基板1 0 的全面,且爲了解除第1遮光膜1 1 a圖案的段差,而對 表面進行硏磨,施以平坦化處理。 又,第1層間絕緣膜1 2是例如由:N S G (非摻雜 矽酸鹽玻璃),PSG(磷矽酸鹽玻璃),BSG (硼矽 酸鹽玻璃),:B P S G (硼磷矽酸鹽玻璃)等之高絕緣性 玻璃,或氧化矽膜,氮化矽膜等所構成。藉由第1層間絕 緣膜1 2可防止第1遮光膜1 1 a污染到像素開關用 丁 F T 3 0 等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施形態中是從對向於掃描線3 a的位置來延伸設 置閘極絕緣膜2 (作爲介電質膜之用),並延伸設置半導 體膜1 a來作爲第1儲存電容電極1 f ,且以對向於閘極 絕緣膜2與第1儲存電容電極1 f的電容線3 b來作爲第 2儲存電容電極,而藉此來構成儲存電容7 0。 更具體而言,半導體層1 a的高濃度汲極領域1 e是 被延伸設置於資料線6 a及掃描線3 a下,然後經由絕緣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -24 - 502448 A7 B7 五、發明說明(22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜2來對向配置於沿著同資料線6 a及掃描線3 a而伸展 的電容線3 b部份,而形成第1儲存電容電極(半導體層 )1 f。特別是絕緣膜2 (作爲儲存電容70的介電質) 爲藉由高溫氧化而形成於單結晶矽層上之T F T 3 0的閘 極絕緣膜2,因此可形成薄且耐高溫的絕緣膜,且儲存電 容7 0可以較小的面積來構成大容量的儲存電容。 又,儲存電容70中,如圖6及圖1 0所示,第1遮.. 光膜1 1 a是在電容線3 b (作爲第2儲存電容電極)的 相反側中經由第1層間絕緣膜1 2來作爲第3儲存電容電 極而對向配置於第1儲存電容電極If (參照圖10右側 的儲存電容70),而藉此來賦予儲存電容。亦即,於本 實施形態中會被構築成挾持第1儲存電容電極1 f而於兩 側賦予儲存電容的雙儲存電容構造,增加更多的儲存電容 。藉此,將可使液晶裝置防止表面畫像的閃爍或燒結的機 能提升。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其結果,可有效利用資料線6 a下的領域及沿著掃描 線3 a而離開開口領域(產生液晶的差別之領域,亦即形 成有電容線3 b的領域)之間隔,而使能夠增加像素電極 9 a的儲存電容。 本實施形態中,尤其第1遮光膜1 1 a (及電氣性連 接於彼之電容線3 b )是電氣性連接於定電位源,而使第 1遮光膜1 1 a及電容線3 b形成定電位。因此,第1遮 光膜1 1 a的電位變動不會對對向配置於第1遮光膜 1 1 a的像素開關用TFT30產生影響。又,電容線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -25 - 502448 A7 _ B7 五、發明說明(23) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 b可取得良好的機能(作爲儲存電容7 〇的第2儲存電 容電極)。此情況,定電位源,例如有:供應給用以驅動 該液晶裝置的周邊電路(例如掃描線驅動電路,資料線驅 動電路等)之負電源,正電源等的定電位源,接地電源, 及供應給對向電極2 1的定電位源等。 若如此利用周邊電路等的電源,則可不必設置專用的 電位配線或外部輸入端子,而能夠使第1遮光膜1 1 a及·. 電容線3 b定電位。 又,如圖6及圖1 0所示,本實施形態除了在TFT 陣列基板1 0中增設第1遮光膜1 1 a以外,第1遮光膜 1 1 a會經由接觸孔1 3來電氣性連接於前段或後段的電 容線3 b。因此,各第1遮光膜1 1 a與電氣性連接於自 段的電容線的情況時相較下,沿著像素部的開口領域的邊 ,重疊於資料線6 a而形成有電容線3 b及第1遮光膜 1 1 a的領域對其他的領域而言,段差較少。藉此,可以 減低因段差而引起的液晶差別(配向不良),因而能夠擴 大像素部的開口領域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,第1遮光膜1 1 a會在突出部(從延伸成直線狀 的幹線部突出)開鑿一接觸孔1 3。在此,應力會在接觸 孔1 3的開孔處邊緣散發,而使得難以發生龜裂。因此’ 此情況可接近突出部前端來開鑿一接觸孔1 3 (最好是在 接近邊緣前端),藉此來緩和製程中施加於第1遮光膜 1 1 a的應力,而得以更有效地來防止龜裂,進而能夠提 升良品率。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -26 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 B7 ___ 五、發明說明(24 ) 、 又,電容線3 b與掃描線3 a是由同一多結晶砂膜所 構成。儲存電容7 0的介電質膜與TF T 3 0的閘極絕緣 膜2是由同一高溫氧化膜所構成。第1儲存電容電極1 f 與T F T 3 0的通道形成領域1 a及源極領域1 d,汲極 領域1 e是由同一半導體層1 a所構成。因此,可使形成 於T F T陣列基板1 〇上的層疊構造單純化,並且在後述 之液晶裝置的製造方法中,可以同一薄膜形成過程來同時· 形成電容線3 b及掃描線3 a ,而且還能夠同時形成儲存 電容7 0的介電質膜及閘極絕緣膜2。 又,如圖6所示,第1遮光膜1 1 a會沿著掃描線 3 a而分別延伸,且對沿著資料線6 a的方向而分斷成複 數的條紋狀。因此例如在與各像素部的開口部周圍配設一 體形成的格子狀遮光膜時相較下,在該液晶裝置的層疊構 造(由形成第1遮光膜1 1 a ,掃描線3 a及電容線3 b 的多晶矽膜,形成資料線6 a的金屬膜,及層間絕緣膜等 所構成)中,更可以緩和隨著製程中的加熱冷卻而產生的 應力(因各膜的物性不同而造成者)。藉此,可防止第1 遮光膜1 1 a等產生龜裂,以及提高良品率。 又,圖6中,第1遮光膜1 1 a的直線狀幹線部份是 幾乎重疊形成於電容線3 b的直線狀幹線部份,只要第1 遮光膜1 1 a是設置於覆蓋TFT3 0的通道領域的位置 ,且以能夠形成接觸孔1 3的方式來與電容線3 b重疊於 任何位置,便可對T F T發揮遮光機能,以及對電容線發 揮低阻抗化機能。因此,在沿著掃描線的長度狀間隙領域 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) · 27 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 502448 A7 — ___B7___ 五、發明說明(25) ,或與掃描線3 a若干重疊的位置亦可設置第1遮光膜 1 1 a ° 又,電容線3 b與第1遮光膜1 1 a可經由開孔於第 1層間絕緣膜1 2的接觸孔1 3來確實地且具高可靠度地 來電氣性連接兩者,但此類的接觸孔1 3亦可開孔於每個 像素,或開孔於每個像素群組(由複數個像素所構成)。 此外,將接觸孔1 3開孔於每個像素時,可藉第1遮< 光膜1 1 a來促進電容線3 b的低阻抗化’甚至可以提高 兩者間之冗長構造的程度。又’將接觸孔1 3開孔於由複 數個像素所構成的各像素群組(例如每2個像素或每3個 像素)時,一方面可勘查電容線3 b或第1遮光膜1 1 a 的薄膜阻抗,驅動頻率,及被要求的形態等,另一方面可 適當地平衡藉電容線3 b的低阻抗化及冗長構造所帶來的 好處與因開鑿多數的接觸孔1 3而導致製程的複雜化或該 液晶裝置的缺陷化等弊端,因此對於實際運用上有極大的 幫助。 另外,被設置於每個像素或像素群族的接觸孔1 3開 孔於資料線6 a下(由對向基板2 0側來看)。藉此,由 於接觸孔1 3會離開像素部的開口領域,且設置於未形成 TFT3 0或第1儲存電容電極1 f的第1層間絕緣膜 1 2的部份,因此一方面可謀求像素部的有效利用,另一 方面可防止因接觸孔1 3的形成而造成TFT3 0或其他 配線等的缺陷化。 再者,圖1 0中,像素開關用TFT3 0是具有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -28 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 參--------訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 ______B7__ 五、發明說明(26) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 L D D(Lightly Doped Drain)構造,具備:掃描線 3 a,根 據來自該掃描線3 a的電場而形成有通道之半導體層1 a 的通道領域1 a ’,用以絕緣掃描線3 a與半導體層1 a的 閘極絕緣膜2,資料線6 a ,半導體層1 a的低濃度源極 領域(源極側L D D領域)1 b及低濃度汲極領域(汲極 側L D D領域)1 c,半導體層1 a的高濃度源極領域 1 d及高濃度汲極領域χ e。又,在高濃度汲極領域} e · 中連接複數個像素電極9 a中所對應的1個。又,如後述 ,源極領域1 b及1 d,汲極領域1 c及1 e是對半導體 層1 a植入預定濃度的n型用或p型用的摻雜劑(依形成 η型或ρ型通道)來予以形成。η型通道的TFT具有動 作速度快的優點,大多是使用於像素開關元件(像素開關 用TFT30)。資料線6a是由A1等之金屬膜或金屬 矽化物等之合金膜的遮光性薄膜所構成。又,於掃描線 3 a ,閘極絕緣膜2及第1層間絕緣膜1 2上形成有第2 層間絕緣膜4,並且該第2層間絕緣膜4分別形成有:通 往高濃度源極領域1 d的接觸孔5及通往高濃度汲極領域 1 e的接觸孔8。又,資料線6 a是經由通往源極領域 1 b的接觸孔5來電氣性連接於高濃度源極領域1 d。又 ,於資料線6 a及第2層間絕緣膜4上形成有第3層間絕 緣膜7,並且該第3層間絕緣膜7形成有通往高濃度汲極 領域1 e的接觸孔8。又,像素電極9 a是經由通往高濃 度汲極領域1 e的接觸孔8來電氣性連接於高濃度汲極領 域1 e。又,上述像素電極9 a是設置於第3層間絕緣膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -29 - 502448 A7 五、發明說明(27) -丨!!f _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .7的上面。又,像素電極9 a與高濃度汲極領域ie亦可 經由與資料線6 a相同的A 1膜或與電容線3 b相同的多 晶矽膜來電氣性連接。 雖像素開關用T F T 3 0較理想是具有上述L D D構 造,但亦可爲不對低濃度源極領域1 b及低濃度閘極領域 1 c進行雜質離子的植入之偏置構造,或以閘極電極3 a 作爲光罩,植入高濃度的雜質離子,而能自我整合地形成 高濃度源極及汲極領域之自我對準型T F T。 --線- 又,雖爲單閘極構造(只將1個像素開關用 TFT3 0的閘極電極(掃描線3 a )配置於源極一汲極 領域1 b及1 e間),但亦可配置2個以上的閘極電極。 此刻是使施加於各閘極電極中的信號相同。藉此,若以雙 閘極或三閘極以上來構成T F T,則可防止通道與源極-汲極領域接合部產生漏電流,而能減低0 F F時的電流。 甚至若以1個閘極來構成L D D構造或偏置構造,則更可 減低0 F F電流,而能取得安定的開關元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此,一般,光射入半導體層1 a的通道領域1 a > ,低濃度源極領域1 b及低濃度汲極領域1 c等之單結晶 矽層時,會因矽所具有的光電變換特性而產生的光電流’ 而造成像素開關用T F T 3 0的電晶體特性劣化,但本實 施形態中,由於資料線6 a是以能夠從上側來覆蓋掃描線 3 a之方式,由A 1等之遮光性的金屬薄膜來形成,因此 至少可有效地防止入射光射入至半導體層1 a的通道領域 la /及LDD領域lb,lc。又,如上述,由於在像 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 30- 502448
素開關用TFT 3 0的下側設有第1遮光膜1 1 a ,因此 至少可有效地防止反射光射入至半導體層1 a的通道領域 1 a 一 及 L D D 領域 1 b,1 c。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,由於本實施例中會連接設置於相鄰接的前段或後 段的像素之電容線3 b與第1遮光膜1 1 a,因此必須要 有對最上段或最下段的像素供應定電位給第i遮光膜 1 1 a之電容線3 b。在此,只要對垂直像素數而言,多 設置1條的電容線3 b即可。 (使用本實施形態的製程之光電裝置的製造方法) 其次’參照圖1 1〜圖1 5來說明具有以上構成的液 晶裝置的製造過程。 圖1 1〜圖1 5是使各過程的T F T陣列基板側的各 層與圖1 0同樣地對應於圖6的A - A /剖面而表示之過 程圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖1 1的過程(a )所示,準備石英基板,硬玻璃 等之TFT陣列基板1 0。在此,最好是事先在1^2 (氮氣 )等之惰性氣體環境下進行約8 5 0〜1 3 0 0 °C (最理 想是1 0 0 0 °C )的高溫退火處理,而使之後實施的高溫 製程的T F T陣列基板1 0所產生的應變減少。亦即,配 合在製造過程的最高溫下所被高溫熱處理的溫度,事先以 同溫度或以上的溫度來對T F T陣列基板1 0進行熱處理 〇 此外,在如此被處理的T F T陣列基板1 0的全面上 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 502448 A7 ^^日!正
3?7 補无 I 五、發明説明(29) ,藉由濺鍍法來將Ti ,Cr ,W,Ta,Mo及Pd等 金屬或金屬砂化物等之金屬合金膜予以形成1 〇 〇〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 0 0 n m (較理想爲2 0 0 n m )程度的層膜之遮光膜 11。 其次,如過程(b )所示,藉由微影成像技術來形成 對應於第1遮光膜1 1 a的圖案(參照圖6 )之光阻劑光 罩2 0 7。此刻,如圖7〜9所示,第1遮光膜1 1 a的 圖案並非只形成於像素部的電晶體元件形成領域,密封領 域,端子墊領域,像素部的周邊領域也會形成。 其次,如過程(c )所示,經由該光阻劑光罩2 0 7 來對遮光層1 1進行蝕刻,而藉此來形成圖6 ,圖7〜圖 9所示圖案的第1遮光膜1 1 a。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,如過程(d )所示,在該第1遮光膜1 1 a上 ,例如藉由常壓或減壓CVD法等,使用TESO (四乙 基正矽酸鹽)氣體,TEB (四乙基硼酸鹽)氣體, TMOP (四甲氧基磷酸鹽)氣體等,而來形成由NSG ,P S G,B S G,B P S G等矽酸鹽玻璃膜,氮化矽膜 或氧化矽膜等所構成之第1層間絕緣膜1 2。該第1層間 絕緣膜1 2的層厚,例如約4 0 0〜電路基板 1 0 0 0 n m。最理想爲8 0 0 n m程度。 在本實施形態中,第1遮光膜1 1 a並非只會形成於 電晶體元件形成領域中,所謂密封領域及端子墊領域之電 晶體元件的非形成領域中也會形成,因此形成第1層間絕 緣膜1 2後的基板表面(第1層間絕緣膜1 2的表面)的 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 502448 A7 B7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(30) 凹凸狀態會於基板全面幾乎形成相同。 其次’如過程(e )所示,對層間絕緣膜1 2的表面 全體進行硏磨,而形成平坦化。就利用硏磨來形成平坦化 的手法而言,例如可使用C Μ P (化學機械硏磨)法。在 此過程中’由於第1層間絕緣膜i 2的表面凹凸狀態在基 板全面幾乎形成相同,因此可提高硏磨比例的面內均一性 ,進而能夠取得平坦性佳的表面。 其次’如過程(f )所示,進行基板1 〇與單結晶矽 基板2 0 6 a的貼合。使用於貼合之單結晶矽基板 2 0 6 a的厚度爲6 〇 〇/zm,並且事先對其表面施以 0 · 0 5〜〇 · 8 // m程度的氧化,而形成氧化膜層 206b,而且以加速電壓i〇〇keV,摻雜量 1 0 e 1 6 / c m 2的條件來植入氫離子(Η + )。又,貼 合過程,例如可採用藉由3 0 0 °C,2小時的熱處理來直 接貼合2片的基板之方法。 其次,如過程(g )所示,是在使貼合後的單結晶矽 基板2 0 6 a的貼合面側的氧化膜2 0 6 b與單結晶矽基 板2 0 6 a殘留的狀態下,進行供以從基板τ F T陣列基 板1 0來剝離單結晶砂基板2 0 6 a.的熱處理。該基板的 剝離現象是利用被導入單結晶矽基板中的氫離子,單結晶 矽基板的表面近旁某層的矽結合被分斷而產生的。例如, 可對貼合的2片基板加溫至6 0 0 t (每分鐘2 0 °C的升 溫速度),而藉此熱處理來使貼合的單結晶矽基板 2 0 6 a與基板1 0分離,且基板1 〇的表面會被形成約 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 f 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -33 -
五、發明説明(31) 502448 2 0 0 n m ± 5程度的單結晶矽層2 0 6。又,貼合於基 板1 0上的單結晶矽層2 0 6可藉由對上述單結晶矽基板 2 0 6 a所進行之氫離子植入的加速電壓的改變來形成 5 0 n m〜3 0 0 n m的任意膜厚。 其次,如過程(h )所示,根據微影成像過程及蝕刻 過程來形成圖6所示之預定圖案的半導體層1 a。亦即, 特別是在資料線6 a下形成有電容線3 b的領域及沿著掃 描線3 a而形成有電容線3 b的領域中,會形成由半導體 層la (構成像素開關用TFT3 0)而延伸設置之第1 儲存電容電極1 f。 其次,如過程(i )所示,同時對構成像素開關用 TFT3 0的半導體層1 a與第1儲存電容電極1 f進行 約8 5 0〜1 3 0 0 °C的熱氧化處理(最理想是約 、 1 0 0 0 °C,7 2分鐘程度的熱氧化),而來形成約 6 0 n m之厚度較薄的熱氧化矽膜,且與像素開關用 T F T 3 0的閘極絕緣膜2 —起形成電容形成用的閘極絕 緣膜2。其結果,半導體層1 a及第1儲存電容電極1 f 的厚度會形成約3 0〜1 7 0 n m,閘極絕緣膜2的厚度 會形成約6 0 n m。 其次,如圖1 2之過程(a )所示,在對應於N通道 之半導體層1 a的位置上形成光阻膜3 0 1,並且在P通 道之半導體層1 a中,以低濃度(例如,7 〇 k e V的加 速電壓,2 e 1 1 / c m 2的摻雜量之p離子)來植入p等 之V族元素的摻雜劑(dapant)3 0 2。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) _ 34 - 丨—----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448
五、發明説明(32) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次,如過程(b )所示,在對應於圖示省略的p通 道之半導體層1 a的位置上形成光阻膜3 〇 1 ,並且在N 通道之半導體層1 a中,以低濃度(例如,3 5 k e v的 加速電壓,1 e 1 1/c m 2的摻雜量之b離子)來植入B 等之m族元素的摻雜劑3 0 3。 其次,如過程(c )所示,除了各半導體層1 a之通 道領域1 a /的端部以外,在每個p通道及n通道中形成 光阻膜3 0 5,並且在端部3 0 4中對P通道摻雜過程( a )之約1〜1 〇倍的摻雜量的p等之v族元素的摻雜劑 3 0 6 ’以及對N通道慘雑過程(b)之約1〜1 Q倍的 摻雜量的B等之瓜族元素的摻雜劑3 0 6。 之m族元素的摻雜劑3 0 3。 f 其次,如過程(d )所示,爲了使延設半導體層1 a 而成的第1儲存電容電極1 f形成低阻抗化,而在對應於 基板1 0的表面的掃描線3 a (閘極電極)的部份形成光 阻膜3 0 7 (比掃描線3 a的寬度來得寬),並以此作爲 光罩,以低濃度(例如,7 0 k e V的加速電壓, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 e 1 4/cm2的摻雜量之P離子)來從上面植入p等之 V族元素的摻雜劑3 0 8。 其次,如圖1 3之過程(a )所示,在第1層間絕緣 膜1 2中藉由反應性鈾刻及反應性離子束蝕刻等之乾蝕刻 或溼蝕刻來形成接觸孔1 3 (至第1遮光膜1 1 a爲止) 。在此,藉由反應性蝕刻及反應性離子束蝕刻之類的向異 性蝕刻來開鑿接觸孔‘1 3時,具有較能夠使開孔形狀與光 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS〉A4規格(210X297公釐) -35 - 502448 A7 B7 月 修正柄充 五、發明説明(33) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 罩形狀形成相同之優點。又,若組合乾鈾刻或溼蝕刻來進 行開孔,則可使這些接觸孔1 3形成錐形狀,因此具有可 防止配線連接時發生斷線之優點。 其次,如過程(b )所示,藉由減壓CVD法等來堆 積厚度約3 5 0 n m程度的多晶矽層3,然後進行磷(P )的熱擴散,使多晶矽層3導電化。或,亦可使用在多晶 矽層3成膜的同時導入磷(P )離子之摻雜矽膜。藉此來 提高多晶矽層3的導電性。 其次,如過程(c )所示,藉由光學微影成像過程及 蝕刻過程等(使用光阻劑膜)來形成圖6所示之預定圖案 的掃描線3 a與電容線3 b。然後,藉由蝕刻來去除殘留 於基板1 0背面的多晶矽(以光阻劑膜來覆蓋基板1 〇 ) 〇 ^ f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,如過程(d )所示,爲了在半導體層1 a中形 成P通道的L D D領域,而以光阻劑膜3 0 9來覆蓋對應 於N通道的半導體層1 a的位置(圖是表示N通道的半導 體層1 a ),並以掃描線3 a (閘極電極)作爲擴散光罩 ,首先以低濃度來摻雜B等之Π族元素的摻雜劑3 1 〇 ( 例如,9 0 k e V的加速電壓,3 e 1 3 / c m 2的摻雜量 之B F 2離子),而形成P通道之低濃度源極領域1 b及 低濃度汲極領域1 c。 接著,如過程(e )所不’爲了在半導體層1 a中形 成P通道之高濃度源極領域1 d及高濃度汲極領域1 e, 而在以光阻劑膜3 0 9來覆蓋對應於N通道的半導體層 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) 502448
五、發明説明(34) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 a的位置的狀態下,且在以比掃描線3 a的寬度還要寬 的光罩來將光阻劑層形成於對應於P通道的掃描線3 a上 的狀態下(未圖示),以高濃度來摻雜B等之ΠΙ族元素的 摻雜劑3 1 1 (例如,9 0 k e V的加速電壓,2 e 1 5 / c m 2的摻雜量之B F 2離子)。 其次,如圖1 4之過程(a )所示,爲了在半導體層 1 a中形成N通道的L D D領域,而以光阻劑膜(圖中未 示)來覆蓋對應於P通道的半導體層1 a的位置,並以掃 描線3 a (閘極電極)作爲擴散光罩,以低濃度來摻雜P 等之V族元素的摻雜劑6 0 (例如,7 0 k e V的加速電 壓,6 e 1 2/cm2的摻雜量之P離子),而形成N通道 之低濃度源極領域1 b及低濃度汲極領域1 c。 接著,如過程(b )所示,爲了在半導體層1 a中形 成N通道之高濃度源極領域1 d及高濃度汲極領域1 e, 而以比掃描線3 a的寬度還要寬的光罩來將光阻劑層 6 2形成於對應於N通道的掃描線3 a上之後,同樣的以 高濃度來摻雜P等之V族元素的摻雜劑6 1 (例如,7 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 keV的加速電壓,4el5/cm2的摻雜量之p離子) 〇 其次’如過程(c )所示,以能夠覆蓋電容線3 b及 掃描線3 a (.同時覆蓋像素開關用τ F T 3 0的掃描線 3 a )之方式,例如利用常壓或減壓CVD法或TE〇S 氣體等來形成由NSG, PSG, BSG, BPSG等之 矽酸鹽玻璃膜,氮化矽膜或氧化矽膜等所構成的第2餍間 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502448 A7 B7 C] Μ 月曰 五、發明説明(35) 絕緣膜4。在此,第2層間絕緣膜4的層厚最好約爲 5 0 0 〜1 5 0 0 11 m,更理想爲 8 0 0 n m。 之後,爲了使高濃度源極領域1 ci及高濃度汲極領域 1 e活化,而進行約8 5 0 °C的退火處理(2 0分鐘左右 )° 其次,如過程(d )所示,藉由反應性蝕刻及反應性 離子束鈾刻等之乾蝕刻或溼蝕刻來形成資料線3 1之接觸 孔5。又,供以使掃描線3 a或電容線3 B和配線(未圖 示)連接的接觸孔,亦可藉由與接觸孔5相同的過程來形 成於第2層間絕緣膜4。 其次,如圖1 5之過程(a )所示,在第2層間絕緣 膜4上,藉由濺鍍處理等來堆積遮光性的A 1等之低阻抗 金屬或金屬矽化物(作爲金屬膜6 其膜厚約爲1 0 0 〜7 0 0 n m,最理想約爲3 5 0 n m,並且如過程(b )所示,藉由光學成像過程及蝕刻過程等來形成資料線 6 a 〇 其次,如過程(c )所示,以能夠覆蓋資料線6 a之 方式,例如利用常壓或減壓C V D法或T E〇S氣體等來 形成由NSG, PSG, BSG, BPSG等之矽酸鹽玻 璃膜,氮化矽膜或氧化矽膜等所構成的第3層間絕緣膜7 。在此,第3.層間絕緣膜7的層厚最好約爲5 0 0〜 1 5 0 0 n m,更理想爲 8 0 0 n m。 其次,如圖1 6之過程(a )所示,在像素開關用 T F T 3 0中,藉由反應性蝕刻及反應性離子束蝕刻等之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ 38 . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、tT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448
五、發明説明(36) 乾蝕刻來形成用以電氣性連接像素電極9 a與高濃度汲極 領域1 e之接觸孔8。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次’如過程(b )所示,在第3層間絕緣膜7上, 利用濺鍍處理等來堆積膜厚約5 0〜2 0 0 n m的I T〇 膜等之透明導電性薄膜9,又,如過程(c )所示,藉由 光學成像過程及蝕刻過程等來形成像素電極9 a。並且, 在將該液晶裝置利用於反射型液晶裝置時,亦可形成由 A 1等之反射率較高的透明材料所構成的像素電極9 3。 接著,在像素電極9 a上塗怖聚醯亞胺系之配向膜的 塗怖液後’在具有預定角度及預定方向的狀態下,藉由硏 磨處理來形成配向膜1 6 (參照圖1 〇 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面,有關圖1 0所示之對向基板2 〇,是事先 準備好玻璃基板等’在第2遮光膜2 3及後述用以遮蓋周 邊的第2遮光膜被濺鍍金屬(例如鉻)後,經由光學成像 過程及蝕刻過程等來形成。又,這些第2遮光膜,除了 C r ’ N i ’ A 1等之金屬材料以外,亦可由樹脂碳黑( 將碳及T i分散於光阻劑中)等之材料所形成。 然後,在對向基板2 0的全面,利用濺鍍處理等來堆 積膜厚約5 0〜2 0 0 n m的I T〇等之透明導電性薄膜 ,而藉此來形成對向電極2 1。又,在對向電極2 1的全 面上塗怖聚醯亞胺系之配向膜的塗怖液後,在具有預定角 度及預定方向的狀態下’藉由硏磨處理來形成配向膜2 2 (參照圖1 0 )。 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502448 A7 _ B7 五、發明說明(37) (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 最後,如上述形成各層的TF T陣列基板1 〇與對向 基板2 0是以配向膜1 6及2 2能夠呈對面狀態之方式, 藉由密封材5 2來貼合,並利用真空吸引等來吸引混合於 兩基板間的空間之複數種類的絲狀(nematic)液晶,而形成 預定層厚的液晶層5 0。 (液晶裝置的全體構成) 參照圖1 7及圖1 8來說明以上構成之本實施形態的 液晶裝置的全體構成。圖1 7是表示由對向基板2 0側所 見之TFT陣列基板1 0及其上面所形成的各構成要素的 平面圖。圖1 8是含對向基板2 0所示之圖1 7的Η — Η /剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 7中,在TFT陣列基板1 0上,密封材5 2會 沿著緣部而設置,並且與內側並行而設有與前述第2遮光 膜5 3同材料或不同材料的所構成的第2遮光膜5 3 (用 以遮蔽周邊)。此外,在密封材5 2的外側領域中,資料 線驅動電路1 0 1及外部電路連接端子1 〇 2會沿著 T F T陣列基板1 〇的一邊而設置,掃描線驅動電路 1 0 4會沿著鄰接於該一邊的兩邊而設置。若供應給掃描 線3 a的掃描信號延遲不成問題,則掃描線驅動電路 1 〇 4只要單側即可。另外,亦可使資料線驅動電路 1 0 1沿著畫面顯示領域的邊而配置於兩側。例如’奇數 列的資料線6 a可從沿著畫面顯示領域的一方的邊而配置 的資料線驅動電路來供給圖像信號,偶數列的資料線可從 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 B7____ 五、發明說明(38 ) 沿著上述畫面顯示領域的相反側的邊而配置的資料線驅動 電路來供給圖像信號。若使資料線6 a驅動成梳齒狀,則 可擴張資料線驅動電路的佔有面積,因此而能夠構成複雜 的電路。又,T F T陣列基板1 0的剩下一邊設有供以連 接設置於畫面顯示領域的兩側之掃描線驅動電路1 0 4間 的複數條配線1 0 5,且亦可隱藏於第2遮光膜5 3的下 面而設置預充電電路。並且,在對向基板2 0的角部的至 少一處設有供以電氣性導通T F T陣列基板1 〇與對向基 板20間的導通材106。又,如圖18所示,具有與圖 1 7所示之密封材5 2幾乎相同輪廓的對向基板2 0會利 用該密封材2 0來固著於TFT陣列基板1 0。 此外,在以上之液晶裝置的T F T陣列基板1 〇上, 亦可形成供以檢查製造途中或出貨時之該液晶裝置的品質 或缺陷者之檢查電路等。又,例如亦可在安裝於ΤΑ B (Tape Automated Bonding)基板上的驅動用L S I中經由設 置於T F T陣列基板1 〇的周邊領域的向異性導電膜來進 行電氣性或機械性連接,而取代在T F T陣列基板1 〇上 設置資料線驅動電路1 〇 1及掃描線驅動電路1 0 4。並 且,對向基板2 0的投射光在射入側及T F T陣列基板 1 0的射出光在射出側,例如分別按照T N (twistor nematic)模式,S T N (super TN)模式,D - S T N (dual scan-STN)模式等之動作模式,或正常白色模式/正常黑色 模式,在預定方向上配置偏光薄膜,相位差薄膜,偏光手 .段等。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -41 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------丨—訂-------—-線-^^丨 502448 A7 B7___ 五、發明說明(39) . 以上說明之液晶裝置,例如適用於彩色液晶投影機( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 投射型顯示裝置)時,3個液晶裝置會分別被作爲R G B 用的光閥來使用,在各面板中分別經由RGB顏色分解用 的分色鏡而被分解的各色光會作爲投射光而被分別射入。 因此,此情況如上述實施形態所述,對向基板2 0不設置 濾色器。但,在對向於未形成第2遮光膜2 3的像素電極 9 a的預定領域中亦可與其保護膜一起將R G B的濾色器 形成於對向基板2 0上。如此一來,可將上述實施形態的 液晶裝置適用於液晶投影機以外的直視型或反射型的彩色 液晶電視等之彩色液晶裝置中。並且,在對向基板2 0上 亦可形成微透鏡(以1像素對應1個的方式)。如此一來 ,可藉由提高入射光的集中效率來實現明亮的液晶裝置。 而且,在對向基板2 0上亦可堆積幾層折射率不同的干擾 層,而利用光的干擾來形成做出R G B色的濾色器。若利 用附有此濾色器的對向基板,則可實現更爲明亮的彩色液 晶裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在以上所述的實施形態之液晶裝置中,雖然與習知同 樣的是從對向基板2 0側來射入入射光,但由於在T F T 陣列基板1 0中設有第1遮光膜1 1 a,因此亦可從 T F T陣列基板1 〇側來射入入射光,從對向基板2 0側 來予以射出。亦即,如此將液晶裝置安裝於液晶投影機時 ,在半導體1 a的通道領域1 a ’及LDD領域1 b,1 c 中可以防止光射入,進而能夠顯示出高畫質的圖像。在此 ,以往爲了防止在T F T陣列基板1 〇的背面側產生反射 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -42 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 _ B7__ 五、發明說明(4〇) 、,而必須另外設置反射防止用的A R ( Anti-reflection )被 膜的偏光手段,或貼附A R薄膜。相對的在上述實施形態 中,由於在TFT陣列基板1 〇的表面與半導體層1 a之 至少通道領域1 a ’及L D D領域1 b,1 c之間形成有第 1遮光膜1 1 a,因此不必使用AR被膜的偏光手段或 A R薄膜,或使用對T F T陣列基板1 〇本身施以A R處 理過的基板。藉此,若利用本實施形態,則可削減材料成 本,且於偏光手段貼附時不會因塵埃或損傷等而造成良品 率下降。又,由於耐光性佳,因此即使使用明亮的光源或 藉由偏光束分離器來進行偏光變換,而使光利用效率提高 ,照樣不會因光而導致發生交調失真等之畫質劣化。 (電子機器) 參照圖1 9來說明使用上述實施形態的液晶裝置的電 子機器之一例的投射型顯示裝置的構成。圖1 9中,投射 型顯示裝置1 1 0 0是準備3個上述液晶裝置,分別作爲 RGB用的液晶裝置962R,962G及96 2 B之投 射型液晶裝置的光學系的槪略構成圖。在本例之投射型顯 示裝置的光學系中是採用上述光源裝置9 2 0及均一照明 光學系9 2 3。 又,投射型顯示裝置是具備: 作爲顏色分離手段(將自該均一照明光學系9 2 3所 射出的光束W予以分離成紅(R ),綠(G )及藍(B ) )之顏色分離光學系924;及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -43 - 丨^— If丨丨丨丨__ i丨丨丨丨—訂·丨丨丨丨線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502448 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(41) 作爲調變各色光束R,G,B的調變手段之3個光閥 925R,925G,925B;及 作爲再合成被調變後顏色光束的顏色合成手段之顏色 合成稜鏡9 10;及 作爲投射手段(將被合成的光束予以擴大投射至投射 面1 0 0的表面)之投射透鏡單元9 0 6。 並且還具備:將藍色光束B導入所對應的光閥 925B之導光系927。 又,均一照明光學系923具備2個透鏡板921 , 922與反射鏡931,2個透鏡板921,922將挾 持反射鏡9 3 1而配置成垂直狀態。又,均一照明光學系 923的2個透鏡板921 ,922是分別具備配置成矩 陣狀的複數個矩形透鏡。自光源裝置9 2 0所射出的光束 會藉由第1透鏡板9 2 1的矩形透鏡來分割成複數的部份 光束。又,這些部份光束會藉由第2透鏡板9 2 2的矩形 透鏡來重疊於3個光閥925R,925G,925B附 近。因此’藉由均一照明光學系9 2 3的使用,即使光源 裝置9 2 0在射出光束的剖面內具有不均一的照度分布時 ,還是能夠使3個光閥925R,925G,925B以 均一的照明光來進行照明。 各顏色分離光學系9 2 4是由藍綠反射分色鏡9 4 1 ,及綠反射分色鏡9 4 2,及反射鏡9 4 3所構成。首先 ,在藍綠反射分色鏡9 4 1中,含於光束w中的藍色光'束 B及綠色光束G會被反射於直角,朝向綠反射分色鏡 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -44 - ----f I--II---------------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 502448 A7 B7 五、發明說明(42 ) 942。紅色光束R會通過該藍綠反射分色鏡941,而 於後方的反射鏡9 4 3被反射成直角,然後由紅色光束R 的射出部9 4 4被射出至稜鏡單元9 1 〇側。 其次,在綠反射分色鏡942中,於藍綠反射分色鏡 9 4 1中被反射的藍色,綠色光束B,G中只有綠色光束 G被反射成直角,而由綠色光束G的射出部9 4 5被射出 至顏色合成光學系側。又,通過綠反射分色鏡9 4 2的藍 色光束B會自藍色光束B的射出部9 4 6射出至顏色分離 光學系9 2 4。就本例而言,自均一照明光學元件的光束 W的射出部到顏色分離光學系9 2 4的各色光束的射出部 944,945,946爲止的距離大致設定成相等。 此外,在顏色分離光學系9 2 4的紅色,綠色光束R ,G的射出部9 4 4,9 4 5的射出側中分別配置有集光 透鏡9 5 1 ,9 5 2。因此,自各射出部所射出後的紅色 ,綠色光束R,G會射入集光透鏡9 5 1 ,9 5 2而平行 化。
如此被平行化的紅色,綠色光束R,G會射入光閥 9 2 5R,9 2 5 G而被調變,附加對應於各色光的圖像 資訊。亦即,這些液晶裝置會藉由驅動裝置未圖示)來依 圖像資訊而被進行開關控制,藉此來進行通過此處之各色 光的調變。另一方面,藍色光束B會經由導光系9 2 7來 導入對應的光閥9 2 5 B中,在此同樣依圖像資訊來施以 調變。又,本例之光閥925R,925G,925B是 分別由··射入側偏光機構9 6 0 R ’ 9 6 0 G,9 6 0 B 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -45 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 502448 A7 ____B7___ __ 五、發明說明(43 ) ,及射出側偏光機構9 6 1 R,9 6 1 G,9 6 1 B,及 配置於其間的液晶裝置9 6 2 R,9 6 2 G,9 6 2 B等 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所構成之液晶光閥。 又,導光系9 2 7是由:配置於藍色光束B的射出部 9 4 6的射出側的集光透鏡9 5 4,及射入側反射鏡 9 7 1 ,及射出側反射鏡9 7 2,及配置於這些反射鏡間 的中間透鏡9 7 3,及配置於光閥9 2 5 B的前側的集光. 透鏡9 5 3等所構成。並且,從集光透鏡9 5 4所被射出 的藍色光束B會經由導光系9 2 7來引導至液晶裝置 9 6 2 B而調變。各色光束的光路長,亦即自光束W的射 出部到各液晶裝置962R,962G,962B爲止的 距離是以藍色光束B最長,因此藍色光束的光量損失最多 。但,藉由導光系9 2 7的介在,將可抑止光量損失。 又,通過各光閥925R,925G,9 25B而被 調變的各色光束R,G,B會被射入顏色合成稜鏡9 1 0 ,而於此被合成。又,藉由顏色合成稜鏡9 1 0所被合成 的光會經由投射透鏡單元9 0 6來擴大投射於預定位置的 投射面1 0 0的表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 就本例而言,由於在液晶裝置9 6 2 R,9 6 2 G, 9 6 2 B中TF T的下側設有遮光層,因此根據來自該液 晶裝置962R,962G,962B的投射光之液晶投 影機內的投射光學系的反射光,及來自投射光通過時的 T F T基板表面的反射光,以及自其他液晶裝置射出後穿 過投射光學系而來投射光的一部份,即使成爲反射光而從 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -46 · 502448 A7 ____ B7 ___ 五、發明說明(44 ) 丁 F T陣列基板側射入,照樣能夠充分地對像素電極的開 關用T F T的通道進行遮光。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此,即使在投射光學系中使用適合於小型化的稜鏡 單元,在各液晶裝置9 6 2R,9 6 2G,9 6 2B與稜 鏡單元之間,依然不需要另外設置反射光防止用的薄膜, 或對偏光機構施以反射光防止處理,藉此對於使構成形成 小型化及簡易化非常有幫助。 又,由於本實施形態中可抑止反射光對T F T的通道 領域產生影響,因此不需要直接對液晶裝置安裝經反射光 防止處理過的偏光機構96 1R,96 1G,96 1B。 在此,如圖1 9所示,可離開液晶裝置來形成偏光機構, 更具體而言,一方的偏光機構96 1R,9 6 1G, 9 6 1 B可貼附於稜鏡單元9 1 0,另一方的偏光機構 960R,960G,960B可貼附於集光透鏡953 ,945,944。藉此,由於偏光機構的熱會被稜鏡單 元或集光透鏡所吸收,因此可以防止液晶裝置的溫度上升 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,雖圖示省略,但實際上可使液晶裝置與偏光機構 離間形成,藉此液晶裝置與偏光機構之間會形成空氣層, 而藉由冷卻機構的設置來把冷風等送進液晶裝置與偏光機 構之間,如此一來,更能夠防止液晶裝置的溫度上升’進 而可以防止因液晶裝置的溫度上升而造成的錯誤動作。 【圖面之簡單的說明】 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱1 502448 A7 B7 4ί 五、發明説明(45) 第1圖是表示本發明之光電裝置的基本構成。 第2 ( a ) , ( b )圖是依順序表示第1圖所示之光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電裝置的製造過程圖(其一)。 第3 ( a )〜(d )圖是依順序表示第1圖所示之光 電裝置的製造過程圖(其二)。 第4 ( a )圖是依順序表示第1圖所示之光電裝置的 製造過程圖(其三)。 第5圖是表示設置於構成液晶裝置之一實施形態的圖 像形成領域之矩陣狀的複數個像素中的各種元件,配線等 之等效電路圖。 第6圖是表示形成有液晶裝置之一實施形態的資料線 ,掃描線,像素電極,遮光膜等之T F T陣列基板的相鄰 接之複數個像素群的平面圖。: 第7圖是表示在液晶裝置之一實施形態的T F T陣列 基板中之像素部的周邊領域構造的平面圖。 第8圖是表示在液晶裝置之一實施形態的丁?丁陣列 基板中之像素部的周邊領域構造的平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9圖是表示在液晶裝置之一實施形態的T F T陣列 基板中之像素部的周邊領域構造的平面圖。 第10圖是表示第6圖之A—A’剖面圖。 第1 1 ( a )〜(i )圖是依順序表示液晶裝置之一 實施形態的製造過程圖(其一)。 第1 2 ( a )〜(d )圖是依順序表示液晶裝置之一 實施形態的製造過程圖(其二)。 48- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502448
五、發明説明(46) 第1 3 ( a )〜(e )圖是依順序表示液晶裝置之一 實施形態的製造過程圖(其三)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 桌1 4 ( a )〜(d )圖疋依順序表示液晶裝置之一 實施形態的製造過程圖(其四)。 第1 5 ( a )〜(c )圖是依順序表示液晶裝置之一 實施形態的製造過程圖(其五)。 第1 6 ( a )〜(c )圖是依順序表示液晶裝置之一 實施形態的製造過程圖(其六)。 第1 7圖是表示由對向基板側所見之液晶裝置之一實 施形態的T F T基板及其上面所形成的各構成要素的平面 圖。 第1 8圖是表示第1 7圖之Η — Η ’剖面圖。 第1 9圖是表示使用:液晶裝置的電子機器之一例的投 射型顯示裝置的構成圖。 【圖號之說明】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 a :半導體層 1 a / :通道領域 1 b :低濃度源極領域(源極側L D D領域) 1 c :低濃度汲極領域(汲極側L D D領域) 1 d :高濃度源極領域 1 e :高濃度汲極領域 1 0 : T F T陣列基板 1 1 a :第1遮光膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -49 - 502448 A7B7 五 47 ycx 明說 明發 膜板 緣基 層 絕性 層矽 間過層體晶 層透光緣結 1 光遮絕單 第 ........ : 2 4 5 6 2 0 0 0 0 1 2 2 2 2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) -50 -
Claims (1)
- 502448 A8 B8 C8 D8 修正補充 六、申請專利範圍 第89 1 1 3779號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年7月修正 1、 一種光電裝置的製造方法,是屬於一種具備: 在光透過性基板的一方面形成遮光層之工程;及 使上述遮光層形成圖案之工程;及 在上述被形成圖案的遮光層上形成絕緣體層之工程; 及 使上述絕緣體層形成平坦化之工程;及 在上述被平坦化的絕緣體層表面上貼合單結晶矽層之 工程;及 藉由上述單結晶矽層來形成電晶體元件之工程;等之 光電裝置的製造方法; 其特徵爲:上述被形成圖案的遮光層是被配置於對向 於上述電晶體元件的領域及上述電晶體元件的周邊領域。 2、 如申請專利範圍第1項之光電裝置的製造方法, 其中上述光透過性基板是藉由對向基板與密封材貼合而成 ,上述周邊領域爲對向於上述封材的領域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3、 如申請專利範圍第1或2項之光電裝置的製造方 法,其中在使形成於上述光透過性基板上的絕緣體層形成 平坦化之工程中,是使用化學機械硏磨法。 .4、一種光電裝置,是屬於一種具備: 形成於光透過性基板的一方面,且被形成圖案之遮光 層;及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X:297公釐) ^ ' 502448 A8 B8 C8 D8 7T、申請專利範圍 形成於上述被形成圖案的遮光層上,且被實施平坦化 處理之絕緣體層;及.. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成於上述被平坦化的絕緣體層上之開關元件;等之 光電裝置; 其特徵爲:上述被形成圖案的遮光層是被設置於對向 於上述電晶體元件的領域及上述電晶體元件的周邊領域。 5、 如申請專利範圍第4項之光電裝置,其中被設置 於未形成上述電晶體元件的領域之遮光層圖案,是將形成 於設有上述電晶體元件的領域的圖案予以重複展開於2次 方向而成者。 6、 如申請專利範圍第4或5項之光電裝置,其中上 述光透性基板是由石英所構成,上述遮光層是由高熔點金 屬或高熔點金屬的矽化物所構成。 : 7、 一種光電裝置的製造方法,是屬於一種在透明基 板上具有: 像素電極與連接於上述像素電極的電晶體爲形成矩陣 狀之顯示領域;及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 供以從配置於上述顯示領域的周邊領域的驅動電路及 外部電路來輸入信號之外部電路連接端子;等之光電裝置 的製造方法; 其特徵是具有: 在上述透明基板上形成遮光層之工程;及 使上述遮光層形成圖案之工程;及 · 在上述被形成圖案的遮光層上形成絕緣體層之工程; 本紙張从適用中關家標準(CNS ) Α4· ( 21GX297公釐)ΓΤ: "" 502448 8888 ABCD 六、申請專利範圍 及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使上述絕緣體層形成平坦化之工程;及 在上述被平坦化的絕緣體層表面上貼合單結晶矽層之 工程;及 藉由上述單結晶矽層來形成上述電晶體之工程; 又,上述被形成圖案的遮光層是被配置於上述電晶體 及上述周邊領域,上述周邊領域的遮光層是對向配置於上 述驅動電路。. 8、 如申請·專利範圍第7項之光電裝置的製造方法, 其中上述被形成圖案的遮光層是被配置於對向於上述外部 電路連接端子的領域中。 9、 一種光電裝置的製造方法,是屬於一種在透明基 板上具有: 像素電極與連接於上述像素電極的電晶體爲形成矩陣 狀之顯示領域;及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 供以從配置於上述顯示領域的周邊領域的驅動電路及 外部電路來輸入信號之外部電路連接端子;等之光電裝置 的製造方法; 其特徵是具有: 在上述透明基板上形成遮光層之工程;及 使上述遮光層形成圖案之工程;及 在上述被形成圖案的遮光層上形成絕緣體層之工程; 及 · 使上述絕緣體層形成平坦化之工程;及 本張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董) -3: " 502448 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 在上述被平坦化的絕緣體層表面上貼合單結晶矽層之 工程;及 藉由上述單結晶矽層來形成上述電晶體之工程; 又,上述被形成圖案的遮光層是被配置於上述電晶體 及上述周邊領域,上述周邊領域的遮光層是被配置於上述 驅動電路及上述外部電路連接端子的周邊,而未配置於對 向於上述驅動電路的領域中。 1 〇、如申請專利範圍第7,8或9項之光電裝置的 製造方法,其中使上述絕緣體層形成平坦化的工程是使用 化學機械硏磨法。 1 1、如申請專利範圍第7項之光電裝置的製造方法 ,其中被配置於對向於上述電晶體的領域之遮光層的形狀 是與配置於上述顯示領域的周邊之遮光層的形狀幾乎相同 〇 1 2、如申請專利範圍第4或5項之光電裝置,其中 更具備: 以能夠與形成有上述光透過性基板的單結晶矽層的面 呈對向的方式來予以配置之其他光透過性基板;及 被挾持於2片的光透性基板間,且藉由形成於上述電 晶體元件領域中的開關元件來予以驅動之液晶。 1 3、一種電子機器,其特徵是具備·· .光源;及 從上述光源射出的光被射入後實施對應於像素資訊的 調變之申請專利範圍第1 2項所記載的光電裝置;及 :--------- -· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適冑巾目g家標準(CNS )八顿洛(210X297公釐) -4 - 502448 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍投射藉由上述光電裝置而被調變的光之投射手段。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20363699 | 1999-07-16 | ||
JP2000207079A JP3575402B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-07-07 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW502448B true TW502448B (en) | 2002-09-11 |
Family
ID=26514037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089113779A TW502448B (en) | 1999-07-16 | 2000-07-11 | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic equipment |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6358759B1 (zh) |
JP (1) | JP3575402B2 (zh) |
CN (1) | CN100359673C (zh) |
TW (1) | TW502448B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8917228B2 (en) | 2010-12-31 | 2014-12-23 | Hung-Ta LIU | Liquid crystal display apparatus |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100367845B1 (ko) * | 2000-06-07 | 2003-01-10 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치의 조명 방법, 이를 구현시키기 위한액정표시장치의 백라이트 어셈블리 및 이를 채용한액정표시장치 |
US6509616B2 (en) * | 2000-09-29 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
KR100766493B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 |
JP4653374B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP3909583B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2007-04-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
US7232714B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7102367B2 (en) * | 2002-07-23 | 2006-09-05 | Fujitsu Limited | Probe card and testing method of semiconductor chip, capacitor and manufacturing method thereof |
ES2666643T3 (es) * | 2003-11-05 | 2018-05-07 | E Ink Corporation | Medio electroforético para pantallas electro-ópticas |
JP4603310B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-12-22 | オプトレックス株式会社 | 液晶表示素子 |
CN100388490C (zh) * | 2004-10-22 | 2008-05-14 | 中华映管股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
JP4486043B2 (ja) * | 2004-12-30 | 2010-06-23 | 東部エレクトロニクス株式会社 | Cmosイメージセンサー及びその製造方法 |
CN101022085B (zh) * | 2007-03-12 | 2010-10-27 | 友达光电股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
US8633051B2 (en) * | 2009-08-24 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
GB2517489A (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-25 | Plastic Logic Ltd | Planarisation Layers |
KR102049793B1 (ko) * | 2013-11-15 | 2020-01-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
CN103995395B (zh) * | 2014-05-16 | 2018-03-09 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 一种液晶显示屏及制造方法 |
CN104035218B (zh) * | 2014-05-21 | 2017-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及数据线断线的修复方法 |
CN105510999B (zh) * | 2016-01-28 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 减反射结构及其制造方法、显示器及其制造方法 |
KR102464900B1 (ko) * | 2016-05-11 | 2022-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN107507853B (zh) * | 2017-08-31 | 2021-10-26 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
US10374034B1 (en) | 2018-05-21 | 2019-08-06 | International Business Machines Corporation | Undercut control in isotropic wet etch processes |
US11036069B2 (en) * | 2019-03-18 | 2021-06-15 | Cisco Technology, Inc. | Optical modulator using monocrystalline and polycrystalline silicon |
CN112786618B (zh) * | 2019-11-06 | 2023-06-13 | 群创光电股份有限公司 | 半导体装置 |
US11488985B2 (en) * | 2019-11-06 | 2022-11-01 | Innolux Corporation | Semiconductor device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0824193B2 (ja) * | 1990-10-16 | 1996-03-06 | 工業技術院長 | 平板型光弁駆動用半導体装置の製造方法 |
TW214603B (en) * | 1992-05-13 | 1993-10-11 | Seiko Electron Co Ltd | Semiconductor device |
JP3716580B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2005-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 |
JP3531415B2 (ja) | 1997-04-22 | 2004-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | Soi基板とその製造方法及びこれを用いた半導体装置及び液晶パネル |
DE69836216T2 (de) * | 1997-12-09 | 2007-08-30 | Seiko Epson Corp. | Herstellungsverfahren einer elektrooptischen Vorrichtung |
US6066860A (en) * | 1997-12-25 | 2000-05-23 | Seiko Epson Corporation | Substrate for electro-optical apparatus, electro-optical apparatus, method for driving electro-optical apparatus, electronic device and projection display device |
-
2000
- 2000-07-06 US US09/610,879 patent/US6358759B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-07 JP JP2000207079A patent/JP3575402B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-11 TW TW089113779A patent/TW502448B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-07-15 CN CNB001318942A patent/CN100359673C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8917228B2 (en) | 2010-12-31 | 2014-12-23 | Hung-Ta LIU | Liquid crystal display apparatus |
US9202441B2 (en) | 2010-12-31 | 2015-12-01 | Hung-Ta LIU | Electronic apparatus system for dynamically adjusting display mode and drive method of display panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6358759B1 (en) | 2002-03-19 |
CN1295343A (zh) | 2001-05-16 |
CN100359673C (zh) | 2008-01-02 |
JP2001092372A (ja) | 2001-04-06 |
JP3575402B2 (ja) | 2004-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW502448B (en) | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic equipment | |
JP3684578B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
EP0862077B1 (en) | Liquid crystal device, manufacturing method thereof and projection type display device | |
KR100505804B1 (ko) | 반도체 기판의 제조 방법, 반도체 기판, 전기 광학 장치및 전자 기기 | |
TWI243948B (en) | Electrooptical device, manufacturing method thereof, and projection display device and electronic device | |
JP3731447B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法 | |
TW499764B (en) | Electro-optical device, manufacturing method for manufacturing electro-optical device, and electronic equipment | |
JP3744227B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
TWI251704B (en) | Liquid crystal device, projection type display device and method of producing liquid crystal device | |
KR100454515B1 (ko) | 전기 광학 장치용 기판의 제조 방법, 전기 광학 장치용기판, 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
JP4126912B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP4221827B2 (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 | |
JP3757658B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 | |
JP4206595B2 (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 | |
JP3837951B2 (ja) | 電気光学パネル及び電子機器 | |
JP3570410B2 (ja) | 液晶装置用基板、液晶装置及び投写型表示装置 | |
JP3642326B2 (ja) | 液晶パネル、電子機器、及びtftアレイ基板 | |
JP3680848B2 (ja) | 薄膜トランジスタを用いた基板、液晶装置、及び電子機器 | |
JP4701487B2 (ja) | 電気光学装置用基板の製造方法 | |
JP4843840B2 (ja) | 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 | |
JP4792694B2 (ja) | 電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 | |
JP4522666B2 (ja) | Tftアレイ基板、液晶パネル及び液晶プロジェクタ | |
JP2002353466A (ja) | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置 | |
JP4214702B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに投写型表示装置、電子機器 | |
JP2004126554A (ja) | 電気光学パネル及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |