TW487950B - Substrate processing system and substrate processing method - Google Patents
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Description
五、發明說明(1 ) 本發明係有關一種基板之處理系統及基板之處理方 法。 諸如在半導體元件之製帛中之光刻程彳中進行有以下 之處理,即,用以於半導體晶圓(以下以晶圓稱之)表面形 成光阻膜之光阻塗佈處!里、用以對晶圓照射圖案且使之曝 光,曝光處理,及用以對曝光後之晶圓進行顯影之顯影處 理等。用以進行這些處理之各處理裝置係除了曝光處理裝 置外,其餘匯集成—個系統’而構成—塗佈顯影處理系統。 j此,為了適宜實施光刻程序,乃須使於圖案的曝光 處理前晶圓上所塗佈之光阻膜為—定膜厚。在此,於曝光 圖案前檢查晶®之光„之料,在超過騎容許值時, 則根據前述檢查,調整諸如塗佈處理裝置之晶圓旋轉數。 /習知’光阻膜之膜厚檢查,係、由作業員自塗佈顯影處 理系、先取出曝光處理前之晶圓’使用與塗佈顯影處理系統 獨立設置之檢查用膜厚測定裝置以進行者。 但疋,如這般必須將晶圓從塗佈顯影處理系統搬至用 以檢查該膜厚之裝置,費時也費工。且晶圓在搬運過程中 〜有迖又/亏染之虞。加上因作業員的失誤,有晶圓掉落的 疑懼。 本發明係有鑑於相關問題點而所構建成者’其目的係 於可利用塗佈顯影處理系統内既存機構之周邊曝光裝置上 設置-膜厚測定機構,以於同—系統内檢查晶圓之光阻膜 之膜厚者。 一種用以處理基板之處理系統 本發明之第1觀點係 487950 A7 B7 五、發明說明(2 ) (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) 其係包含有一用以將處理液塗佈於基板上之塗佈裝置, 及,·-具有一旋轉自如且可至少往一方向自由移動之载置 台,且用以針對前述載置台上之基板周邊部由照射部照射 光,以使前述基板上之塗佈膜曝光之周邊曝光裝置,且前 述周邊曝光裝置係具有一膜厚測定機構,該膜厚測定機構 係具有一用以測定前述塗佈膜之膜厚之感應構件。 本毛明之第2觀點係一種採用一基板處理系統以對基 板進行處理之方法,前述基板處理系統係具有一周邊曝光 裝置,係用以朝基板周邊部照射光以使業已塗佈於前述基 板之塗佈料光,及_用以敎前述㈣膜之膜厚之^ 置;而,前述方法係具有一步驟,係於測定前述基板之余 佈膜之膜厚後,再將光照射於前述基板之周邊部,以使前
Si::膜:亡者。^時也可追加一步驟,係將前述塗佈膜 曝先後,再次測定前述塗佈膜之膜厚者。 本發明之第3觀點係一種製程,係採用 :=板進行處理者’該基板處理系統係包含有-周: '先裝置:-用以測定前述塗佈膜膜厚之裝置,及一用以 於A基板塗佈塗佈膜之塗佈裝置,·該製程 驟,即:用以測定前述膜厚之美拓往你 、有下歹!/ 卞<|板係使用測試用之基板, 測定前述膜厚後,其測定值係 心Α谷迕摩巳圍内時,即對峰 ΐ用基板以前述塗佈裝置實施預定之塗佈處理,反之’測 疋值超出容許範圍外時,則針 正後,I… 述塗佈裝置施行必要的修 ,"用二測定另一以該塗佈裝置實施有塗佈處理之 須J ti式用基板之膜厚者。
本紙張尺細 (c^Tm: (210 x 29Ti^T A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(3 ) 依本發明,前述周邊曝光裝置乃具有一自由旋轉、且 可至少往一方向自由移動之載置台。因此利用如此之機 構可適宜貫施諸如在基板上預定部位上之膜厚之測定, 又無須於前述基板處理系統另外設置一具有前述膜厚測 定機構之裝置。 、在本發明之基板處理方法中,乃使用同一基板處理系 、先進行膜厚測定及周邊曝光,無須以另外^置之另一裝置 進仃膜厚測定。又,測定前述基板之塗佈膜膜厚後,再進 一步地將前述基板周邊部之塗佈膜曝光,因此可測定周邊 曝光處理前之塗佈膜膜厚,且可做為用以判斷迄至目前為 止之處理是否適當進行之判斷材料。 在本發明之基板處理方法中,係用以將測試專用之基 板,、諸如生產用基板分別,也就是與做為實施預定處理後 作為產品出貨之基板分別收納於切中,在於生產用基板 上實施塗佈處理及其以後之處理前,先用測試用基板測定 膜厚’、、、:後其測定值係處於容許範m内時,再對生產用基 板以前述塗佈裝置實施預定之塗佈處理。反之,其測定值 超出容許範圍外時,則針對前述塗佈裝置進行必要之修正 後,再從前述卡E中取出另一測試用基板,以前述塗佈裝 置,行塗佈處理,並測定其膜厚。其結果係於膜厚處於容 許範圍内時則就生產用基板進行處理,若超出容許範圍外 時,則再次針對塗佈裝置進行修正,再進而針對另一測試 用基板測定膜厚。藉此,可圖謀生產用基板之良品率的提 昇。藉如此測試用基板之膜厚測定,係可定期於生產用基
(請先閱讀背面之注音)事項再填寫 裝 Ή · •線· 487950 i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(4 ) 板批量之空檔、處理所訂定片數之生產用基板後實施 圖式之簡單說明 苐1圖係用以顯示本實施形態之塗佈顯影處理系統外 觀之平面圖。 第2圖係第1圖之塗佈顯影處理系統之正面圖。 第3圖係第1圖之塗佈顯影處理系統之背面圖。 第4圖係本實施形態之塗佈顯影處理系統内之周邊曝 光裝置内部之立體圖。 第5圖係用以說明顯示本實施形態之塗佈顯影處理系 統内之周邊曝光裝置構成之縱截面之說明圖。 第6圖係用以顯示第5圖之周邊曝光裝置構成之橫戴 面之說明圖。 第7(a)-(e)圖係用以時序系列顯示以第1實施形態之 周邊曝光裝置進行晶圓上膜厚測定路線之說明圖。 第8(a)-(f)圖係用以時序系列顯示以第2實施形態之 周邊曝光裝置進行晶圓上膜厚測定路線之說明圖。 第9(a)-(e)圖係用以時序系列顯示以第3實施形態之 周邊曝光裝置進行晶圓上膜厚測定路線之說明圖。 · 第10圖係本實施形態之周邊曝光裝置内膜厚感應器 上裝設膜厚感應器之罩蓋時之說明圖。 第Π圖係用以顯示於載置台上裝設反射物之立體圖。 -------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A: ~~----L___ 五、發明說明(5 ) 本發明之實施形態 以下邊參考附加圖式,說明本發明之最佳實施形態。 ^第1圖係本實施形態之基板處理系統之塗佈顯影處理 :統1之平面圖,第2圖為塗佈顯影處理系統i之正面圖, 第3圖為塗佈顯影處理系統1之背面圖。 塗佈顯影處理系統1之構成係,如第}圖所示,具有 將卡E站2、處理站3、及界面部4_體接續之構造,其中 該卡匣站2係用以將諸如25牧晶圓w為一卡匣單位而由 外部相對於塗佈顯影處理系統1進行搬入及搬出,且相對 於卡E C將晶圓w搬出及搬入;前述處理站3係多段配置 有於塗佈顯影處理步驟中以一張一張的方式實施預定處理 之各種處理裝置;而前述界面部4係用以於與鄰接於此處 理站3設置之曝光裝置52間進行收授晶圓w者。 在卡匣站2上,於成為載置部之卡匣載置台5上之所 疋位置上沿X方向(第!圖中之上下方向)自由載置多數卡 匣c成一列狀態。然後設置有一可沿搬運路8自由移動之 曰曰圓搬送體7,該晶圓搬送體7係相對於該卡匣之配列方 向(X方向)及已收容於卡匣C内之晶圓…之晶圓配列方向 (z方向;垂直方向)呈可移動及搬送之狀態,並構成相對 於各卡E C進行選擇性地取用。 晶圓搬送體7係也可構造成··相對於如後述般隸屬於 處理站3側之第3處理裝置群G3之調整裝置32及延長裝 置33進行存取者。 在處理站3上,於其中心部設有一主搬運裝置13,而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先M讀背面之注意事項再填寫) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -裝I------、訂i:-------線--------- 487950
五、發明說明(6) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 在主搬運裝置13之周邊 一處理壯* 夕#又配置各種處理裝置,而構成 理茫置群Γ1。 處理系統i中配置有4個處 里裝置_61、62、63、〇4,並中第 及第2之處理裝置 G2係配置在顯影處理车 不、、先1之正面側,第3處理 衣置群G3係鄰接於卡匣站2阶罢 置’而第4處理裝置群G4 貝J係鄰接於界面部4配置去。 罝者又,在附加設備上,也可於 背面侧另外配置-以虛線表示之第5處理裝置群G5。、 # 第2圖所示,在第1處理裝置群CH上由下方依順 序地將2種類之旋轉型處理裝置配置成:段,其等旋轉型 處理裝置係諸如用以對晶圓w施行塗佈處理光阻塗佈裝 置15 ’與用以供給顯影液至晶圓w之顯影處理裝置μ等 等。第2處理裝置群G2也同樣,從下方依序2段重疊光 阻塗佈裝置1 7及顯影處理裝置1 8。 如第3圖所示,在第3處理裝置群G3上從下方依序 重®諸如有8段之形態,例如有:用以對晶圓w施以冷卻 _ 處理之冷卻裝置30、用以提升光阻液與晶圓W之固著性 丨» 之黏著裝置3卜用以進行晶圓對位之調整裝置32、用以使 晶圓W待機之延伸裝置33、用以進行曝光處理前之加熱 處理之預烘烤裝置3心35及用以施行顯影處理後之加熱處 理之後烘烤裝置36、37。 在第4處理裝置群G4上從下方依序重疊有諸如有8 段之形態,即例如有:冷卻裝置4〇、用以使所載置之晶圓 自然冷卻之延伸冷卻裝置4卜延伸裝置42、冷卻裝置43、 用以將曝光處理後之晶圓W進行加熱處理之後顯影烘烤 · I I I----— — — — — — — · (請先¾¾背面之注意事項再填寫本頁) -9- 五、發明說明(7) 裝置44、45、後烘烤裝置46、47。 於界面部4^3·署女 r〇 • °夏百一周邊曝光裝置5 1,係用以將光照 射於後述晶圓W的闲$ , 的周邊。卩,將形成於晶圓w上之光阻膜 曝光’在必要時測宏本 】疋先阻膜之膜厚者。又設置於界面部4 中央部之晶圓搬送俨在 k 50係構成為可相對於屬第*處理裝置 群G4之L伸冷部裝置41、延伸裝置42、周邊曝光裝置51 及以虛線所表示之曝光裝置52存取者。 接著根據第4、5圖說明具有膜厚測定機構之周邊曝光 裝置5 1之構造。 於周邊曝|置5 1之封裝箱6G内設有_用以吸附且保 持晶圓之載置台61。此載置台61係可藉諸如内藏馬達之 驅動機構62而自由旋轉。進而,載置台6ι係因驅動機構 62可在沿長向(第5圖中之左右方向)延伸之軌道〇上自由 移動之故’而可於長向(第5圖中之左右方向)移動。於晶 圓W上方設有用以作為藉由雷射光感測為塗佈膜之光阻 膜之膜厚之感應構件之膜厚感應器64及―用以照射曝光 用之光之照射部65。 於封裝箱60之一側設有吸氣用之風扇 、叫66,而於另一 側則設置有一排氣口 72,依照上述裝置,從 ^ <风扇66向著 排氣口 72形成一氣流,置換周邊曝光裝置 、 5 1之環境。膜 厚感應器64係配置於在此氣流中高於照射 町°卩65之上游 側。又膜厚感應器64係藉臂67懸吊著,而此辟 〜潯67係安裝 成,如第6圖所示者,以裝設在封裝箱6〇辟 璧邊之旋轉軸 67a為中心作自由旋轉者。因此,臂67係鋅车向 稽未圖示之驅動 · · K (請先閲讀背面之注意事項再填寫 1 •訂.· / .線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 五、發明說明(8) -經濟部智慧 能。》疋轉’使膜厚感應器64呈可由晶圓W上退避之狀 進而Μ厚感應器64係接續於設置於封裝箱60外之 、曰▲感應控制裝置68 ’該膜厚感應控制裝置⑼係用以將 次2厚感應态64檢測出之光轉換成資料並儲存之,根據此 貝;担進仃光阻膜膜厚之測定。又,照射部Μ係固定設置於 =箱6〇。此照射部65係將由未圖示之光源部之光,經 _ $導光路69照射於晶圓上,將晶圓W周邊部之光阻膜曝 先1又,為檢測出晶圓之正確位置,在晶圓w上下設有一 ^ ^射光之雷射光源7G及_用以檢測該光之C⑶感應 裔71 ’成夾帶晶圓w狀態。 接著一同說明在如上述所構成之周邊曝光裝置51 之測試晶圓W之過程和一連串之塗佈顯影處理之過程。 首先,晶圓搬送體7從卡E c取出】枚未經處理之商 圓W,搬入屬第3處理裝置群〇之調整裝置μ。接著在 -周玉裝置32對照位置完畢之晶圓w係藉主搬送裝置1 3, 經過黏著裝置31、冷卻裝置3〇,搬送至光阻塗佈裂置 或17。在此將光阻液塗抹至晶圓w上面而形成光阻膜 之後,晶圓W順著預烘烤裝置33或34,延伸冷卻裝置 依序搬送,實施預定的處理。 ^ 接著,藉晶圓搬送體50由延伸冷卻裝置4】取 曰 W後,搬運至周邊曝光裝置5〗。 θθ 此時,在周邊曝光裝置51上,風扇66運轉著,由 扇66吹往排氣口 72形成氣流,即使發生有機物等之不 中 15 41 圓 風 純 -------------^--------^---------Μ (請先閱讀背面之;χ意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -II - 487950 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(9 ) 物也可由=裝箱60内排除出。並且,因膜厚感應器“係 裝置於此氣流之上游位置,可藉氣流的形成而防止污染。 搬運至周邊曝光裝置51之晶圓…係載置於載置台Μ 亚加以附著固持。保持在載置台61之晶圓w係藉著雷射 光源7〇及CCD感應器7;[辨識外周位置之座標,確認晶圓 W是否已放置在規定的位置。 接著使用第5、6、7圖說明光阻膜之_測定。首先, 於第6圖如虛線所示’從晶圓w上退避之膜厚感應器Q 稭臂67移動至晶圓^中心處。接著,藉驅動機構6卜 邊將晶圓W往X軸方向(第5圖之右方向)移動,且從膜卢 感應器“照射雷射光’再以膜厚感應器64檢測在光阻: 反射之光。 、 以膜厚感應器64檢測出之資料係隨時送至膜厚感麻 控制裝置,並記憶之。很快的在膜厚感應器“位於晶圓: 之周邊部上方時晶圓W停止移動,也停止膜厚之測定。以 2步驟進行晶圓W半徑之膜厚測定(第7⑷圖,又箭頭 =料感應器64之測定軌跡,圓圈括號之數字係表示 (;:…序)。接著晶圓W係藉驅動機構62往Θ方向 =針方峨轉9G度(第7圖之⑽。這次將晶圓 定二向中左方向)移動,同樣的藉膜厚感應器64測 圓=:厚_64移動至晶圓之中'"次使晶 移動停止,也停止膜厚測定(第7圖之(叫。將 二定=9°度進行之’最後如第7圖之⑷所示:將垂直 相父之直徑上膜厚全部測定,在晶㈣移動—周時結束膜 用“冢標準(CNS)A4規格^ X 297公釐) f請先閱讀背面之;1意事項再填寫
訂· -·線- •12- 487950 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(10 ) 厚測定(第7圖之(e))。 接著’晶圓W係依驅動機構6 2移動至照射部6 5之下 方,在規定的位置停止。此時,懸吊膜厚感應器64之臂 67係藉未圖示之驅動機構旋轉,使膜厚感應器64從晶圓 w上方退避。之後遵循規定之程式旋轉晶圓w,晶圓% 周邊部之光阻塗佈膜則藉由照射部65之雷射光曝光所指 定寬度。 9 • 結束周邊曝光處理後之晶圓W再以上述之製程測定 膜厚。此時晶圓W上之施有周邊曝光處理之部份也被測 定,將此資料記憶在膜厚感應控制裝置68,由測定之膜厚 才双查曝光部份是否有於規定的位置進行者。 第2次膜厚測定結束後之晶圓w係藉搬送體5〇搬出 曝光裝置5 1外,結束測試晶圓w之檢查。 如上述般,本實施形態之塗佈顯影處理系統】乃於周 邊曝光裝置5 1設有膜厚檢測機構,因此在每一次檢查光阻 膜之膜厚時’無須將晶圓從塗佈顯影系統i取出,可以於 一連串處理當中檢查。因此可以降低晶圓搬送所需之多餘 手續或時間。又,於周邊曝光裝置51上具有一原本膜厚測 定時所需且可自由旋轉至少可往一方向自由移動之載置台 61 ’可利用既有之機構’ $置膜厚測定機構,目此可以在 晶圓、W丨之任一點上進行膜厚測定,$可課求成本的降 低並且在周邊曝光處理前後進行膜厚測定,不只可判斷 光阻膜是否正確的形成,也可判斷周邊曝光是否有適當的 進仃處理。再加上針對進行曝光之照射部Μ,測定膜厚之 E紙張巧適用(CNS)A4規格⑵〇 X 297公釐) --------------裝--------訂---------線 {請先閱讀背面之d意事項再填寫本頁) -13- 487950 A7
五、發明說明(11 ) 膜厚感應器64係因設於氣流之上流處之緣故,可以防止膜 厚感應器64的污染及測定能力的降低。且,將膜厚感應器 64之臂67設為自由旋轉,於周邊曝光中可使膜厚感應器 64從晶圓W上退避,從這點也可防止膜厚感應器μ受到 污染。 在此,說明如上述第7圖所示之膜厚測定製程之另一 貝施形悲。做為第2實施形態,首先將膜厚測定之開始位
置定為晶圓W之規定周邊部,使膜厚感應器64和第】實 施形態同樣動作,在晶圓〜之周邊部上待機。之後如第8 圖所示,藉驅動機構62將晶圓…往χ軸負方向(第5圖中 訂 之左方向)移動,同時藉固定在晶圓w上方之膜厚感應器 64進行膜厚測定。 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後’在膜厚感應器64移至晶圓w之中心位置時, 先停止晶圓W之移動,也停止膜厚測定(第8圖之(a))。接 著晶圓w係藉驅動機構62往0方向(逆時針方向)旋轉18〇 度(第8圖之(b))。再將晶圓W移往X方向(第5圖中之右 方向)移動,同樣的由膜厚感應器64測定膜厚。之後膜厚 感應器64移至晶圓w之周邊部上方位置時,再度停止晶 圓W也停止膜厚測定(第8圖之(c))。藉以上的步鄉進行 晶圓w在直徑上之膜厚測定。並且,藉著驅動機構62向 Θ方向旋轉90度,與上述步驟(第8圖之(a)〜(c))同樣的進 行直彳i上之膜厚測定(第8圖之(d)、(e))。結果,如第8圖 之(e)所示’測定直角相交之直徑上膜厚,在最後將晶圓w 返置於膜厚測定之開始位置時即結束膜厚測定圖之
發明說明(l2 ) (f))。以以上步驟進行膜厚測定,也可得到與第1實施形態 同樣的效果。 、再說明第3實施形態。如第9圖所示者,首先將膜厚 感應器64移動至晶圓w中心,使其待機。由膜厚感應器 Μ測定晶圓W巾心之膜厚(第9圖⑷)。然後將晶圓〜往 X方向(第5圖中之右方向)僅移動規定的距離並停止之(第 9圖(b))。在此,一邊藉著驅動機構62往0方向(逆時針方 向―)旋轉,測定膜厚,在360度旋轉時停止膜厚測定及旋轉 (第9圖(c))。之後再將晶圓冒往χ方向(第5圖中之右方 向)僅移動規定的距離並停止,同樣的旋轉晶圓w,測定同 -圓周上之膜厚(第9圖⑷)。反覆以上的步驟,朝晶圓W 外側以同心圓狀測定膜厚,測定至晶圓w晶圓w周邊部 之膜厚時即結束膜厚的測定(第9圖(e))。 在此第3實施形態係設定從晶圓w中心向外側以同心 圓狀測定膜厚,但也可從外側向晶圓w中心測定膜厚。又 前述膜厚測定係由膜厚感應器64照射雷射光,並以膜厚感 應器64檢測反射至光阻膜之光,但可於晶圓…移動時進 行,也可於測定時將晶圓W暫停而進行之。以第3實施形 態,也可得到與第I實施形態相同的效果。 可於膜厚感應器64裝設如第】〇圖般做為保護構件之 外蓋75。此外蓋75係構成為在膜厚測疋中為開放,除該 狀態外時係處於關閉狀態。外蓋75之開與關係由未圖示之 驅動機構操作,且藉膜厚感應控制裝置68控制者。裝設該 外蓋75,更進一步確實防止膜厚感應器64之污 A: 五、發明說明(I3 ) 在上述之實施形態係於周邊曝光處理之前後進行膜厚 測定,但也可只於周邊曝光處理前,或僅於周邊曝光處理 後再進行。 從膜厚感應器64傳出之信號係送至膜厚感應控制裝 置68處理後再輸出膜厚值,但依變更膜厚感應控制裝置 68之程式,也可求出形成於晶圓w上之圖案之線寬。 填 訂 針對該原理進行說明,首先對於線寬將從膜厚感應器 64傳出之信號(諸如反射光之強弱等)連結其間之關連並記 憶之,且先對應某數值之線寬保存該信號之資料。以事先 儲存相W資料,可將膜厚感應$ 64傳出之信號與前述已記 憶之資料進行對照,可求得晶圓…上之線寬。又在實際上 求取線寬寬幅時,先將單純之測試用圖案形成在測試用晶 圓表面,再針對該測試用晶圓上求取線寬之方法比起具有 一般複雜圖案之生產晶圓之精準度要高。 線 而於膜厚感應器64上所使用之光源係將隨著時間之 經過而劣化’所照射光之強度也無可避免地逐漸低弱。若 來自膜厚感應器64之光強度低弱時,則難以測定正確之膜 厚。在此如第11圖所示,於用以載置晶圓w之載置台6ι 上設置反射物61a。反射物61a在不礙於晶圓…之載置下, 宜埋設於載置台6 1。 然後在定期無載置晶圓W之狀態下,將膜厚感應器 64往載置台61上移動,將測定用之光對著前述反射物6卜 照射。如此一來則可測定從反射物6 I a反射出光之強产。 光源一劣化時,則前述反射光之強度也隨之低弱,因此藉 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) • 16 - 487950 A7 B7 五、發明說明(14 ) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 測定反射光之強度,可了解光源之劣化程度。如此在膜厚 感厚器64設置反射物61a,可預先了解膜厚感應器之 光源劣化紅度、使用之恰當與否,及替換之必要性等。 又於前述之膜厚測定之過程中,實際上於膜厚測定時 所使用之晶圓W係使用測試用晶圓為佳。此測試用之晶圓 預先將數枚收容在專用之卡E Μ,與生產用之晶圓从,做 區別。然後,於塗佈顯影處理系統i投入測試用晶圓之^ 入時機係可於生產用晶圓W之生產批量空樓,或也可料 規定張數之生產mu w進行塗佈顯影後再進行之。 /諸如於針對某批量之生產用晶圓w進行塗佈顯影處 理後,且在對下-批之生產用晶圓w實施塗佈顯影處理 前’將測試用之晶圓投入塗佈顯影處理***!,以光阻冷 佈裝置15《17塗佈光阻,供乾後再測定其膜厚。測定I ^膜厚係在於所設定之容許職㈣,即開始將生產: 日日圓W投入塗佈顯影處理系統1 〇 反之,膜厚超出容許範圍外時,針對實際實施塗佈卢 理之Γ塗佈裝置15或17進行必要的修正,諸如光2 之溫度、轉動速度、氣流溫度等之修正。 另一測試用晶圓w,在光阻塗佈裝置15 ,對 塗佈處理後再測定其膜厚。 、 ^ 實施光阻 :後測定之結果,膜厚在於容許範 厂生產用晶圓w投入塗佈顯影處理系統〗。測定之:π 厚超出容許範圍外時,則再次針對實際實施塗佈處 H 阻樹脂塗佈裝置15或17進行必要 处之光 要的修正,再以測試用晶 訂 線 本紙.適用中國國家 -17- 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明(l5) 圓實施膜厚測定,直到膜厚處於容許範圍内為止。 如這般藉事先以測試用晶圓檢查光阻塗佈裝置! I之裝置狀態,可始終保持對生產用晶圓W實砲適 光阻塗佈處理。 田〜 又,測定測試用晶圓之膜厚結果在於容許範圍内時, 、自動的開始投入生產用晶圓w,控制塗佈顯影處理 1之程式’若超出於容許範圍外時,則會有諸如在系統: 顯不裝置或控制面板顯示出NG信號,發出適當的抵報 而將停止生產用晶圓W對處理站3之投入,因此可事先防 止生產用晶圓W之缺陷發生,又作業員可對光阻塗佈裝置 1 5、1 7實施必要的修正。 如上述之說明,依本發明之種種具體例,即可在基板 =理站内進行塗佈膜之膜厚測定,不必另行裝設膜厚二定 裝置。為此檢查基板之塗佈膜膜厚時’可以減少基板從基 板處理系統搬送至膜厚測定裝置所花f之時間。並可以2 用1知之周邊曝光裝置等機構,增加膜厚測定部份之自由 度’又可降低成本。 曝光時,可防止由基板上之塗佈膜所發生之有機物等 之不純物污染感應器部份。若使用具有單一波長之雷射光 的話’更可進行高精準度之膜厚測定。感應構件之光源使 用發光兩極管時,所消耗的電力少,也可降低成本。又可 以在寬廣的區域測定。也可測定圖案之線寬。又可預先得 知膜厚測定機構能力之低弱。因於周邊曝光處理之前後進 行前述膜厚測定之故,膜厚測定值就可做為判斷前述周邊
(請先紀讀背$意事項再填寫) 裝 »訂. -•線- 18- 487950 A7 五、發明說明(I6 ) 曝光處理是否有適當處理與 用晶圓之良品率。 之材枓。可以提升生產 上述所坭明之實施形態係有關於半導體晶圓元件製程 y姓刻V驟中之晶圓處理***,但也可以應用於半導體晶 圓以外之基板諸如LCD基板之處理系統。 又上述說明之實施形態,終究係基於將本發明之技術 内容明白的表示其意圖,本發明並不是局限及解釋特定具 體例’而是可在本發明之精神及發明所述之範圍,做種種 的變化。 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19- ‘紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 487950 AS BS CS DS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 l 一種基板之處理系統,係用以處理基板者,包么有· 一塗佈裝置,係用以於基板上塗佈處理液者;及 一周邊曝光裝置,係具有一旋轉自如且可至少朝一 方向自由移動之載置台,且用以由照射部朝前述載置台 上之基板周邊部照射光,以使前述基板上之塗佈膜曝 者; 、士 —且該周邊曝光裝置具有一膜厚測定機構,該膜厚測 疋機構係具有一用以測定前述塗佈獏之膜厚之感應構 如申請專利範圍第1項之基板之處理系統,並具有一 用以於前述曝光裝置内形成氣流之裝置; 、而,前述感應構件係位於至少由前述氣流中高於前 述知'射部之上游測。 如申請專利範圍第1項之基板之處理系統,其中該膜 厚測定機構係具備有一可求出業已形成於基板上之圖 案線寬之機能。 ”請專利範圍第!項之基板之處理系統,其係具有 一用以包覆前述感應構件之保護構件。 如申請專利範圍第"員之基板之處理系統,其中該感 應構件係可由前述基板上自由退避者。 申請專利範圍第!項之基板之處理系統,其中該感 應構件之光源為雷射光。 如申請專利範圍第i項之基板之處理系統’其中該感 應構件之光源為發光二極管。 2. 3. 4· 5. 6. ‘紙張尺度刺 297公釐) ;!J---------^ j 24先閱讀背面之注4事項再填寫泰 -20- 487950 申請專利範圍 8.如申請專利範圍第6 Ji ♦曾L 上 、基板之處理系統,其係於前 Q #_L具有—用以將雷射光反射之反射部。 y·如申請專利範圍第7頊夕| 4 ^ ^ 項之基板之處理糸統,其係於前 述載置台上具有一闲丨a 用U將來自發光二極管之光反射之 反射部。 ι〇·:種基板之處理方法’係採用—基板處理系統以對基 ^行處理者’該基板處理系統係具有—用以朝基板 I· 7邊部照射光以使業已塗佈於前述基板上之塗佈膜曝 訂 “之周邊曝光裝置及一用以測定前述塗佈膜之膜厚之 裝置;而’前述基板之處理方法係具有_步驟,俜於 測定前述基板塗佈膜之膜厚後,進一步再朝前述基板 之周邊部照射光’以使前述塗佈膜曝光者。 η·如申請專利範圍第10項之基板之處理方法,並具有一 步驟’於使前述塗佈膜曝光後,再測定前述塗佈膜之 膜厚者。 線 α如申請專利範圍帛10項之基板之處理方法,其中該基 1 處理系統更具有-用以於基板上塗佈-塗佈膜之塗 佈裝置;而,該處理方法並具有以下步驟,即: 一&用以測定前述膜厚之基板係使用測試用基板,在測 定前述膜厚後,其測定值係於容許範圍内時,即以前述 k佈衣置對生產用基板實施預定之塗佈處理:反之,在 其測定值超出容許範圍外時,則對前述塗佈裝置施行必 要的修正後,再進一步測定另一以該塗佈裝置實施有塗 佈處理之測試用基板之膜厚者。 本紙張尺度適用中國國家標準(〇;;S)A4規格⑵Q χ 297公髮 21 - 13· t申請專利範圍第12項之基板之處理方法,並具有一 .^驟係於測定值超出容許範圍時,將該狀態對外部 進行通知者。 14·—種基板之處理方法’係採用—基板處理系統以對基 板進仃處理者’該基板處理系統係具有一用以朝基板 周邊部照射光以使業已塗佈於前述基板上之塗佈膜曝 光之周邊曝光裝置及一用以測定前述塗佈膜之膜厚之 j置;而,前述基板之處理方法係具有—步驟,係: 月述基板之周邊部照射光,使前述塗佈棋曝光後,再 測定前述塗佈膜之膜厚者。 15·如申請專利範圍第14項之基板之處理方法,其中該基 板處理系統更具有一用以於基板塗佈塗佈膜之塗佈裝 置,而,該處理方法並具有以下步驟,即: 用以測疋削述膜厚之基板係使用測試用基板,在測 定前述膜厚後’其測定值係處於容許範圍内時,即以前 述塗佈裝置對生產用基板實施預定之塗佈處理;反之, 在其測定值超出容許範圍外時,則對前述塗佈裝置,行 必要的修正後,再進-步測定另-以該塗Μ置實I有 塗佈處理之測試用基板之膜厚者。 ’並具有一 該狀態對外 1 6·如申請專利範圍第丨5項之基板之處理方法 步驟,係於測定值超出容許範圍外時,將 部進行通知者。
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