TW387019B - Film forming apparatus and method - Google Patents
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Description
A7 B7 發明説明(1 ) 本發明偽大致有關於一種薄膜形成裝置及用以在一室 内形成一薄膜,如一薄T i膜的方法,並且特別是,有關於· •-種薄膜形成裝置與方法,其中在薄膜形成之後,一清潔 氣體被供應到該室.中以清潔該室之内邰。 在半導體裝置中,以金屬為基底之薄膜被用來做為, 如,一金屬佈線層、一埋入層,該埋入層被埋在做為一下 方裝置層與一上方佈線層之間之一連接部份之一接頭孔中 ,或者在做為在上與下佈線層之間的一穿孔中。該埋入層 . 霄氣連接該等上與下佈線層,並且形成有一兩層式障壁層 以防止在形成該埋入層之前雜質^擴散並且形成一 T i (鈦 )膜與一 T i N (氮化鈦)膜。 這種金屬為基底之薄膜通常是使用物理蒸氣沈積(PVD) 形成,近年來,特別地需要微圖案之裝置及高結合度,並 且持別是設計的規則變得愈來愈嚴格。因此,線寬度與該 孔之開口直徑變得更小,此外,當長寬比增加時,構成該 障壁層之Ti膜變得難以在該孔底部藉PVD膜可靠地形成。 因此,構成該障壁層之該ΤI膜與該T i N膜偽藉由可形 成一較高品質之薄膜的化學蒸氣沈積(CVD)來形成’通常 ,為了藉由CVD形成該Ti膜,TiClt氣體及Ha氣體被用來 做為一反應氣體使用。為了形成該TiH膜,TiCU氣體、 及關3 (氨)氣體或MMH (單甲基聯氨)氣體被用來做為 一反應氣體使用。 ‘ 當類似上述者之一薄膜藉由CVD形成時’一膜沈積在 做為受到膜成形處理之一基材的一半導體晶圓上,並且沈 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------® I^--- .(請先聞讀背面之注意寧項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 積物也附著在一室之内壁上。所以,在下一次膜成形之前 ,該室之内部必須加以清潔。最近,在這清潔步驟中,該 室壁與一基座被加熱而C1F3氣體被導入該室中以分解該等 沈積物,並且該分.解産品並使巧具有一真空泵之真空条統 排出。 如果使用C1F3氣體,TiF*在該室内産生成為一副産物 ,並且該副産物附箸於該真空条統·中,因此,在習知方法 中,如在曰本專利申請案第8-176829號中所掲露者,延伸 , 到一真空管之捕集器之該真空的一部份被加熱到一預定溫 度以防止TiF4附著於該真空条統内部。 一高真空泵,如一拖曳泵被設置在該前段處,上達到 該真空管的捕集器,在加熱該真空管時,該高真空泵也被 加熱。如果該泵被加熱到可防止TiF4附#的一高溫時,該 高真空泵之轉子會潛變破裂。 為解決這問題,該捕集器可以設置在該高真空泵之前 段以避免加熱該高真空泉。但是,藉這方法,該高真空泉; 必須具有大容量,並且由該捕集器所産生的蒸氣會影響該 室。 本發明之一目的為提供一薄膜形成裝置與方法,其中 在清潔排氣時不會在加工清潔副産物時發生問題。 嵌據本發明之一恃擻傺提供一薄膜形成裝置,包含: 一室,其具有一真‘空口以容裝一加工基材, , 用以將一薄膜形成氣體供應到該室以便對該加工基材 進行薄膜形成加工的薄膜形成構件, -6 - 本紙張^度適用中國國家標準(€阳)八4規格(210'乂297公釐) ---,>---0—^II .(請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 訂 .參 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. A7 ___ _B7_ 五、發明説明(3 ) 用以將一清潔氣體供應到該室以清潔該室之内部的清 潔構件,以及 用以將氣體由該室排出的真空構件, 該真空構件具.有連接於該等之真空口的一主真空管線 、設置在該主真空管線之一上游側上的一高真空泵、設置 在該主真空管線之一下游側的一粗控制真空泵、連接於該 主真空管線以分流該高真空泵並且‘具有連接於該真空口與 該高真空泵之間之一第一連接部份及連接在該高真金泵與 , 該粗控制真空泵之間之一第二連接部份的一分流管線、設 置在該分流管線上的一捕集器、fe置在該第一連接部份及 該捕集器之間用以加熱由該第一連接部份流到該捕集器之 氣體的一加熱裝置、以及用以選擇性地開啓/關閉該主真 空管線及該分流管線以便讓在該室中之氣體流經其中一管 線的裝置。 在具有這種結構之薄膜形成裝置中,在薄膜形成加工 時,詼室之内部可以經由該主真空管線被該高真空泵排空 。在清潔加工時,當分流該高真空泵之該分流管線被加熱 到一預定溫度時,該室之内部可以經由該分流管線被該粗 控制真空泵排空。因此,該清潔副産物可以被加工而且不 會影響該主真空管線,並且由於處理該清潔副産物所産生 之問題得以避免。 當一含鈦氣體被用‘來當做薄膜形成氣體時,該室之内 部可以藉由使用一含氟氣體做為一清潔氣體而得以令人滿 意地被清潔。此時,氟化鈦在該室中産生成為一副産物, —^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 1'-------#丨裝------訂------'..i (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ___ —__B7_ 五、發明説明(4 ) 但是•如上所述地,該室之内部可以在薄膜形成加工時經 由該主真空管線被排空,並旦當該分流管線被加熱到一預 定溫度時,在清潔加工時經由該分流管線被排空。因此, 氣化鈦可以被加熱並且處理而且不會影響該主真空管線, 並且由於處理該清潔副産物所産生之問題得以避免。 該高真空泵係以設置在環繞該室之一外壁内側,即, 在該裝置主體内為佳,該粗控制真·空泵與該捕集器則必須 設置在該外壁外側,即,在該裝置主體外側。以此結構, 在維修時,如替換該捕集器時,只有該裝置主體之外側的 部份被移除,並且可得到良好的k修效果,為了在此時只 移除在該裝置主體之出口側上之真空条統的一部份,該主 真空管線之部份及該分流管線之部份必須共用。 本發明之另一特歡像提供一薄膜形成裝置,包含 一室,其具有一真空口以容納一加工基材, 用以將一薄膜形成氣體供應到該室以便對該加工基材 進行薄膜形成加工的薄膜形成構件, 用以將一清潔氣體供應到該室以清潔該室之内部的清 潔構件,以及 用以將氣體由該室排出的真空構件, 該真空構件具有連接於該室之真空口的一主真空管線 、設置在該主真空管線上的一真空泵構件、分流該主真空 管線之一部份的一分流‘管線、用以選擇性地開啓/關閉該 主真空管線及該分流管線以便讓在該室中之氣體流經其中 一管線的裝置、用以捕捉由_清潔氣體所産生之一産物並 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------^I裝-- .(請先閲讀背面之注t事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製. A7 B7 五、發明説明(5 ) 且流經該分流管線的一捕集器、用以可分離地連接該捕集 器與該分流管線的連接構件、用以讓該真空泵構件排空該 捕集器之内部的構件、用以在該被排空之捕集器中瑱充該 一氮氣或一惰性氣體的填充構件、以及用以在該捕集器與 該分流管線分離時,防止槙充在該捕集器中之該氮氣或惰 性氣體逸出的密封構件。 依據具有這種結構之裝置,即使該捕集器與該分流管 線分離以清潔該捕集器,該主真空管線還可以操作,即使 該裝置體積不大,清潔該捕集器及薄膜形成製程可以同時
I 進行以增加産量。此外,在移除k捕集器時,在内部反應 産物中未發生化學反應。 本發明之其他目的及優點將在以下說明中提出,並且 一部份可以由該説明輕易得知,或者可以藉由實施本發明 而得知。本發明之目的及優點可以藉由在此之前特別指出 之設備與組合而:f解及得到。 在此加人並且構成本發明之一部份的附圖潁示本發明 之較佳實施例,並且與在以上所提出之一般性說明及以下 所述之該等較佳實施例的詳細説明一起用來解釋本發明之 原則。 第1画是一截面圖,顯示本發明之一實施例的一薄膜 形成裝置; 第2圖是顯示在第‘1圖中之薄膜形成裝置之真空条統 的一梘圖;以及 第3圖是顯示該真空条钸之另一實施例的一視圖。 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製· I n n I fn-ln 11 n n I - -I n I n l^i I 1 I I - I - n n l·— IT -- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. A7 _B7__ 五、發明説明(6 ) 本發明之一實施例將配合附圖詳細說明如下。 第1圖是一截面圖*顯示本發明之一實施例之一 CVD-Ti簿膜形成裝置,這薄膜形成裝置包含具有一幾近於圖柱 形的一氣密室1 在該室1中,用以水平地支持做為一加 工物艟之一半導體晶圓W的一基座2偽被具有多數孔之一 圓柱形支持構件3所支持。用以引導該半導體晶圓W的一 導環4傜設置在該基座2之外周緣·部份處,一加熱器5被 埋設在該基座2中並且接收來自一電源6的一電力以加熱 做為一加工物體的該半導體晶圓W到一預定溫度。該電源
I 6連接到一控制器7上,該控制k 7依據來自一溫度感應 器(圖未示)之一信號控制來自該加熱器5的一輸出。 該室1之一頂壁la是由一導電材料,如鋁所製成,一 噴灑頭10設置在該頂壁la上以面對受該基座2以一預定間 距所支持的該半導體晶圓W 。許多氣體噴灑孔10a傜形成 在面對該晶圖W之該噴灑頭10的下壁中,一空間11係形成 在該噴灑頭10内,並且具有許多孔形成於其中的一擴散板 12偽水平地設置在該空間11中。用以將氣體導入在該噴灑 頭10内部之空間11的一氣體入口 13像形成在該室11之頂壁 la之中央,一氣體供應管15建接該氣體入口 13。 一 Ha源 16、一 Ar源 17、一 TiCl* 源 18、及一 C1F3源 19 偽經由多數支管15a分別連接該氣體供應管15,所需要之 氣體由這些氣源經由g氣體供應管15與該噴漏頭10被送入 該室1中,在形成一薄膜時,H2氣體、Ar氣體、及TiCU 氣體分別由該Hs源16、該Ar皞17、該TiCl4源18供應以便 -10 - 本紙張Μ適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) II II I— 裝 —訂 ,Μ, ‘(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ___ Β7·__ 五、發明説明(7 ) 在該半導體晶圓w上形成一T i膜。在清潔該室1之内部時 ,C1F3氣體由該C1F3源19供應到該室1中。一閥20與一質 量流控制器21係設置在由一對應氣源延伸出之各支管15a 上。 一 RF電源23經由一配合電路22連接該室1之頂壁la, 並且一 RF電力可以由該RF電源供應到該頂壁la,藉由這RF 電力,一薄膜形成氣體電漿形成在該室1中,該室1之頂 壁la及該室1之側壁傜藉由一絶緣構件14電氣絶緣,該室 偽接地的。 一真空口 8偽形成在該室1 h—底壁lb中,用以排空 該室1之内部的一真空条統9與該真空口 8連接以便位於 該室1之外侧。 如第2圖中所示,該真空条統9包含一主真空管線31 ,該主真空管線31之上游側連接該室1之真空口8 ,一高 真空泵33如一拖曳泵或渦輪分子泵設置在該主真空管線31 之前段上,而一粗控制真空泵34如一乾式泵或旋轉泵設置 在後段上。該室1之内部偽被該乾式泵34所排空並且再被 該抱曳泵33排空到一高度真空狀態。 一分流管線32由該主真空管線31之該拖曳泵33之一上 游侧部份(分支點或第一連接部份A )分支出來,該分流 管線32分流該拖曳泵33並且連接該主真空管線31之乾式泵 34,即,在這些泵33與‘34之間的一部份(第三連接部份) 。該分流管線32具有位在容納該室1之該裝置主體内側的 一前段部份32a ,以及位在該裝置主體外側之一後段部份 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS } A4規格(210X297公釐) -(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製· A7 ^~______ B7_ 五、發明説明(8 ) 32b 。用以捕捉在氣體中之反應産物的一捕集器35傜設置 在該後段部份32b處,一加熱裝置36 (在第2圖中,只由 波浪線表示且其細部結構將因簡化而省略)像設置在向上 到達該捕集器35之該分流管線之一部份及相對該主真空 管線31之該分支點A之一上游部份之間。該加熱裝置可以 是環繞該分流管線32的一電氣加熱器、與該分流管線同軸 地設置且在其外側並且一熱媒流過'其中的一導管、或者用 以加熱流經該分流管線到該捕集器35的另一適當裝置。在 , 這實施例中,該加熱裝置36係設置到達該捕集器35,但是 ,因為該分流管線在該一移除部fee之邊界處被分開以移 開該捕集器35,如稍後所述者,該加熱裝置36可以在該移 除部份C處分開或者只設置到達該移除部份C 。 靠近在該裝置主體之一外壁41中之一出口,該分流管 線32之前段部份32a具有一匯入部份32c ,在該處該分流 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 管線32藉由該第三連接部份匯入該主真空管線31以形成一 共通管路。該後段部份32b在該裝置主體之外壁外側的一 部份(分支點或第四連接部份& )處由該主真空管線32分 支出來,延伸穿過該捕集器35、並且再於靠近該乾式泵34 之入口處,即在該第二連接部份處與該主真空管線31連接 。該真空条統9中,具有該拖曳泵33之一前段真空糸統9a 僳設置在該裝置主體之内側,並且具有該乾式泵34及該捕 集器35之一後段真空条統9b偽設置在該裝置主體之外側。 在該裝置主體内側之該主真空管線31的部份及在該裝置主 體之外側的部份可分離地連接,在該裝置主體之外壁41上, -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐> A7 B7 i、發明説明(9 ) 為了達成此連接,可使用一習知裝置’如用以連接管路的 一接頭連接器。因此’例如’當該捕集器要由該真空条統 中取出以便維修勗,並且為了要再安裝於其上,該捕集器 可以在該外壁41上之主真空管線31之一部份處分離。 開啓/關閉閥37與38傜分別設置在該主真空管線31與 該分流管線32之上游側靠近分支點A處,開啓/關閉閥39 與40偽分別設置在下游側靠近分支點B處,藉由選擇開啓 /關閉這些閥,該真空通道可以在該主真空管線31側與該 分流管線32側之間切換,在該室1中進行對該半導體晶圓
I W的薄膜形成加工時,該等閥37k3q被開啓,並且該等閥 38與40被關閉以藉由該乾式泵34與該拖曳泵33經該主真空 管線31排空該室1之内部到一預定真空度。在進行清潔加 工時,該等閥37與39被關閉,並且該等閥38與40被開啓以 便在該分流管線32被該加熱裝置36加熱時,僅藉由該乾式 泵34經該分流管線32排空該室1之内部。這些閥被一控制 器(圔未示)手動地或自動地開關。 經濟部中夬標準局員工消費合作社印装 --------®I裝— .(請先閲讀背面之注意寧項再填寫本頁) iv.w 開啓/關閉閥42與43僳分別地設置在該上游與下游側 靠近該捕集器35處,如果這些閥42與43在該捕集器35被該 乾式泵排空之後被關閉,該捕集器35可以保持真空。 該移除部份C與一移除部份D傺分別形成在該上游與 下游側靠近該等閥42與43處,該捕集器35可以藉由這些移 除部份而與該真空条統_9分離。該等移除部份C與D沒有 特別的限制,只要它們可以可分離地、氣密地連接具有該 捕集器35及該等閥42與43之一管之兩端與在該上游與下游 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(10 ) 側上之管的相對應端即可。例如,接合連接器可以供該等 移除部份C與D使用。一開啓/關閉閥44傜設置在該分流 管線之後段部份32b處以便位於該乾式泵34與該移除部份 D之間。 該真空条統9包含一端連接在該閥40與該移除部份C 之間,並且另一端連接在該閥44與該移除部份D之間的一 氣體供應管線45,該氣體供應管線‘45具有一開啓/關閉閥 48並且經由一開啓/關閎閥46連接一 N 2不鏽鋼氣瓶或氣源 47,該不鏽鋼氣瓶47與可以選擇性地供應N 2氣體到該管線 45中。除了N2不鏽鋼氣瓶之外,fe可以使用一惰性氣源如 Ar氣源。雖然未顯示,一壓力監測感應器被安裝在各閥之 間的一管部處,該壓力變得不正常時,該感應器可以偵測 到它。 在具有這種結構的裝置中,該半導體晶圖W先被置入 該室1中,當該晶圓W被該加熱器5加熱到如450到60(TC 之溫度時*該真空条統9之閥37與39被開啓,並且該等閥 38、40與46被關閉以改變到該主真空管線31側的真空通道 。在此狀態下,該室1之内部被該乾式泵34及該拖曳泵33 排空並且保持在一高度真空狀態。該室1之内部條保持在 ,如,0.1到1托耳,並且Ar氣體、Hs氣體、及TiCl4氣體 被分別地以一預定流速預先流動大約5到20秒。這些氣體 在相同的條件下流動以便在該半導體晶圓上於一預定時間 内形成一 Ti膜,在薄膜形成之後,將該半導體晶圓W由該 室1中取出。 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) ^------©—^.-- .(请先閎讀背面之注^^項再填寫本頁) 訂 ^s^ ―4*-暴· ζ/ιίν 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. A7 ~___:_Β7__ 五、發明説明(11 ) 在這薄膜形成過程中,Ti也被沈積在該室1之内表面 上及該基座2之外表面上,因此;在薄膜形成之後,該室 1之内部要被清潔,在清潔時,薄膜形成時供應之Tici4 氣體及H2氣體被停止,並且CIF3氣體被供應到該室1中。 此時,該基座2與該室壁分別被該基座2之加熱器5及設 置在該室之壁部份上之一加熱器(圖未示)加熱到,如, 大約300 °C。因為C1F3具有高反應性,藉由此加熱,它産 生與Ti反應並且在一預定溫度或更高之溫度下氣化的四氟 , 化鈦(T i F 4 ),這産物可以被該真空糸統排出該室。卽,使 用C1F3做為清潔氧體可以以較少k锻進行清潔,並且此清 潔可以輕易地進行。 在此情形中,該主真空管線31之閥37與39及該氣體供 應管線45之阔48是關閉的,並且該分流管線32的閥38、40 、42、43、及44是開啓的以便將該真空通道切換到該分流 管線32側。在這狀態時,在到達該捕集器35之該分流管線 之部份及相對該主真空管線31之分支點A之上游部份之間 的一部份被該加熱裝置36加熱到一 TiF4氣化溫度或更高之 溫度以防止TiF4附箸。词時,該室1之内部僅藉由該拖曳 泵34經該分流管線32被排空。因此,在被該分流管線32所 引導之排出氣體中的TiF*被該捕集器35捕捉。 為了保養該捕集器35,當閥37、38、40、及42鼷閉, 並且閥43與44開啓時,’操作該乾式泵34以排空該捕集器35 之内部並且使它保持在一低壓狀態。接替,閥43與44關閉 以真空密封該捕集器35。然後,該氣體供應管線45之閥46 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ;---^---_| 裝------訂------C ‘(請先閲讀背面之注意事項-S-填寫本頁) 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製. A7 £7_ 五、發明説明(12 ) 、48被開啓以便將來自該I氣源之《2氣體供應到在閥40與 42之間的管部及在閥43與44之間的管部,並且將這些部份 改變成大氣壓。在大氣壓力下,該捕集器35在該等移除部 份C與D處與關閉之閥42與43—起被移除,因為以此方式被 移除的該捕集器35被真空密封,在該内反應産物中未發生 化學反應,在這狀態中之捕集器35被安全地傳送到一維修 位置,沖入N 2、清洗、並且再安裝·到該真空条統9上。 為了再形成一薄膜,當閥43與44被_閉以真空密封該 , 捕集器35時,該主真空管線31之閥37與39可以開啓以藉由 該主真空管線31進行一真空操作\。因此,薄膜形成加工可 以在維修該捕集器35的時候同時進行,這在薄膜形成過程 中是非常有效率的。 如上所述,因為在清潔時排氣是由該分流管線32來進 行,做為清潔副産物氣體的TiF4可以在不影響該主真空管 線31的情形下處理,所以可避免在加熱該拖曳泵時該轉子 之徐變破裂、抱曳泵之容量之增加、及由該捕集器所産生 之蒸氣對該室之影響。 在該真空条統9中,該拖曳罙33傺被設置在該裝置主 體之内部,並且該乾式泵34與該捕集器35被設置在該裝置 主體之外部。在維修,如替換該捕集器35時,只有該裝置 主體之外側部份被移除,並旦可以得到良好的維修。 在該裝置主體之夕P壁41中之出口處,該分流管線32具 有該分流管線32匯入該主真空管線31以形成一共同管部份 的該匯入部份32c ,該分流管線32在該裝置主體外側之該 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐) " --------裝------訂------J: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(13 ) 部份(分支點B )處再由該主真空管線31分支出來,該裝 置主體外側之真空条統9之該部份可以在該匯入部份32c 處移除,在維修,如替換該捕集器35時,該捕集器35僅在 該裝置主體之出口之一部份處被移除,並且可以得到較佳 的雒修效果。 請注意本發明不受限於上述實施例並且可以做不同之 變化,例如,上述實施例是該Ti膜藉由CVD形成,並且使 用C1F3來進行清潔的例子,但是,薄膜形成的種類與清潔 , 氣體之種類不限於它們。雖然附箸物對於該真空条統不會 在薄膜形成上構成問題,但是本fe B月在清潔時産生附著於 該真空条統之清潔副産物時持別地有效。 在上述實施例中,該分流管線32與該主真空管線31在 該裝置主體之出口没互相匯合以形成一管,本發明不限於 此,如第3圖中所示,該分流管線32可以是一管,並且該 真空通道可以僅藉由閥37與38來轉換。在這實施例中,剩 餘的結構與在第2圖中者大致相同,並且其說明將省略。 該加工基材不限於該半導體晶圓並且可是一LCD基材等, 此外,可以在該基材上形成另一層。 其他的優點與變化對於熟習此項技藝者將是可輕易了 解的,因此•以較廣的特徽而言,本發明不限於在此所示 與所述之細節與代表性實施例,所以,在不偏離以下申請 專利範圍及其等效物所'界定之一般性發明觀念之精神與範 疇的情形下可進行各種修改。 1 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐> ---;-------- ·(请先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製> 五 發明説明(Η ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 .....氣密室 la ....頂壁 lb----底壁 2 .....基座 3 .....支持構件 4 .....導璟 5 .....加熱器 6 .....電源 7 .....控制器 8 .....真空口 9 .....真空糸統 9a....前段真空糸統 9b....後段真空条統 10 ----噴灑頭 l〇a...氣髏噴灑孔 11.. ..空間 12.. ..擴散板 13.. ..氣體入口孔 14----絶緣構件 15.. ..氣體供應管 15a...支管 16.. .. Η 2 源 17····Ar源 元件標號對照 18. …Ticw源 19 ____Clf3 源 20 ____閥 21.. ..質量流控制 22.. ..配合電路 '23____RF電源 31 ----主真空管線 32 ----分流管線 32a...前段部份 32b,..後段部份 32c...匯入部份 33 ----高真空泵 34——粗控制真空泵 35 ----捕集器 36 ----加熱裝置 37— —開啓/關閉醃 38— —開啓/關閉閥 39— —開啓/關閉閥 40 ....開啓/關閉閥 41 ____外壁 42.. ..開啓/闘閉閥 43 ....開啓/關閉閥 44.. ..閲啓/關閉閥 -18 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X2.97公釐) .(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^丨裝· 訂 A7 Β7· 五、發明説明(15 ) 45----氣體供應管線 46.. ..開啓/關閉閥 47.. ..氣源 48.. ..開啓/關閉閥 A.....第一連接部份 B.....第四連接部份 C.....移除部份 D.....移除部份 W.....半導體晶圓 ----------- ,(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 I一種薄膜形成裝置,包含: 一室,其具有一真空口这容裝一加工基材; 用以將一薄膜形成氣體供應到該室以便對該加工 基材進行薄膜形成加工的薄膜形成構件; 用以將一清潔氣體供應到該室以清潔該室之内部 的清潔構件;以及 用以將氣體由該室排出的真空構件, 該真空構件具有連接於該室之真空口的一主真空 管線、設置在該主真空管練之一上游侧上的一高真空 I 泵、設置在該主、真空管線之i下游側的一粗控制真空 泵、連接於該主真空管線以分流該高真空泵並且具有 連接於該真空口與該高真空泵之間之一第一連接部份 及連接在該高真空泵與該粗控制真空泵之間之一第二 連接部份的一分流管線、設置在該分流管線上的一捕 集器、設置在該第一連接部份及該捕集器之間用以加 熱由該第一連接部份流到該捕集器之氣體的一加熱裝 置、以及用以選擇性地開啓/關閉該主真空管線及該 分流管線以便讓在該室中之氣體流經其中一管線的裝 置。 2 .如申請專利範圍第1項之裝置,其中該薄膜形成構件 包含用以供應一含鈦氣體到該室中的一薄膜形成氣體 供應条統,並且該清潔構件包含用以供應二含氟氣體 到該室中的一清潔氣體供應糸統。 3.如申請專利範圍笫1項之,裝置,其中該高真空泵包含 -20 - 本紙張X度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X 297公趁) -------#I裝-- ,(諳先閱#背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. 經濟—中央標準局員工消費合作社印製. A8 B8 C8. D8 六、申請專利範圍 一抱曳泵與一渦輪分子泵其中之一,並且該粗控制真 空泵包含一乾式泵與一旋轉泵其中之一。 4.如申請專利範圍第1項之裝置,還包含環繞該室之一 外壁,並且 其中該高真空泵傺設置在該外壁内側,並且該粗 控制真空泵與該捕集器傺設置在該外壁外側。 5 .如申請專利範圍第1項之裝置,其中該分流管線包含 連接在該高真空泵與該主(真空管線之該第二連接部份 之間的一第三連接部份以及連接在該主真空管線之第 二與第三連接部扮之間的一四連接部份,並且該等 第三與第四連接部份偽被位於該第三與第四連接部份 之間之該主真空管線之一部份所連接。 6. 如申請專利範圍第.5項之裝置,其中位於該等第三與 第四之間之該主真空管線之該部份具有位於該外壁的 一第一部份及位在該外壁之外側且可與該第一部份分 離的一第二部份。 7. 如申請專利範圍第1項之裝置,其中該加熱構件大致 延伸穿過該分流管線且在該第一連接部份與該捕集器 之間。 8. 如申請專利範圍第1項之裝置,還包含: 用以將氮氣或憶性氣體填充到該捕集器中的裝置 ,、. ;以及 ’ . 可以分離填充有氮氣.或惰性氣體之該捕集器及該 分流管線但可防止該氮寫或僚氣逸出該捕集器的裝置 _ 21 - ^紙張尺度適财_家標準(CNS > _( 2丨G_x 297公趁.厂 -------~— ------卜_1 裝------訂---— —J..U 一 r ϊ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝· A8 B8 C8. D8 六、申請專利範圍 〇 9.一種薄膜形成裝置,包含:' 一室,其具有一真空口以容納一加工基材; 用以將一薄膜形成氣體供應到該室以便對該加工 基材進行薄膜形成加工的薄膜形成構件; 用以將一清潔氣體供應到該室以清潔該室之内部 的清潔構件;以及 用以將氣體由該室排出的真空構件, 該真空.構件具有連接於該室之真空口的一主真空 * 管線、設置在該主真空管線~上的一真空泵構件、分流 該主真空管線之一部份的一分流管線、用以選擇性地 開啓/關閉該主真空.管線及該分流管線以便讓在該室 中之氣體流經其中一管線的裝置、用以捕捉由該清潔 氣體所産生之一産物並且流經該分流管線的一捕集器 、用以可分離地連接該捕集器與該分流管線的連接構 件、用以讓該真空泵構件排空該捕集器之内部的構件 、用以在該被排空之捕集器中填充該一氮氣或一惰性 氣體的填充構件、以及用以在該捕集器與該分流管線 分離時,防止填充在該捕集器中之該氮氣或惰性氣體 逸出的密封構件。 10 ,如申請專利範圍第9項之裝置,其中該填充構件包含 一氤氣或惰性氣纒源、用以連接該氮氣或惰性氣體源 及該分流管線的一氣體供應管線、以及設置在該氣體 供應管線上的一氣體供_開啓/關閉閥。 -22 - 本紙張Ut用中國國家標準(CNS ) 格(210 X 297公釐) ---------— —------.訂----.1 ,(請先聞讀背面之注意事項再填寫本貰) A8 38^019 ?88 D8. __ 六、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第10項之裝置,其中該氣體供應管線 具有在該捕集器之一上游側上連接該分流管線的一第 一連接部份以及在該捕集器之一下游側上連接該分流 管線的一第二連接部份,該密封構件包含設置在該分 流管線上位於該第一連接部份及該捕集器之間的一第 一開啓/豳閉閥以及設置在該分流管線上位於該第二 連接部份及該捕集器之間的一第二開啓/關閉閥,該 氮氣偽由該氮氣源藉由當該氣體供應閥開啓時,開啓 該第一閥且關閉該第二閥來供應,並且該捕集器與該 I 分流管線分離時,該等第一__二開啓/關閉閥被關 閉。 12. 如申請專利範圍第11項之裝置,其中該連接構件包含 設置在該分流管緯上且位於該第一連接部份及該第一 開啓/關閉閥之間的一第一連接器以及設置在該分流 管線上且位於該第二連接部份及該第二開啓/關閉閥 之間的一第二連接器。 13. —種形成一薄膜的方法,包含之步驟為: 藉由將薄膜形成氣體供應到一室中對一加工基材 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 — I;---11#丨裝------訂 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 進行薄膜形成加工; 在該薄膜形成加工之後,藉由將一清潔氣體供應 到該室中來進行清潔加工; 在該薄膜形成'步驟時+,藉由一真空泵經·由一主真 空管線排空該室之内部; 在該清潔步驟時,辑由分流該真空泵且具有一捕 -23 - 本紙張X度適用中國國家標準(CNS > Λ4規格(210X297公釐) ABCD S87019 申請專利範園 集器之一分流管線排空該室之内部;以及 在該清潔步驟時加熱該,分流^線的氣體。 14 .如申請專利範圍第13項之包 m 驟為: 在該清潔_驟之後,將氮氣瑱充到該捕集器中; 以及 使瑱充有該氮氣之捕集器與該分流管線分離並且 清潔該捕集器。 ^ -------ο—裝— ,(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、βτ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. 24 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210Χ 297公釐)
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