TW387019B - Film forming apparatus and method - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 89
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 claims 2
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 6
- 229910010342 TiF4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010165 TiCu Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPAYJEUHKVESSD-UHFFFAOYSA-N trifluoroiodomethane Chemical compound FC(F)(F)I VPAYJEUHKVESSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Description
A7 B7 發明説明（1 ) 本發明偽大致有關於一種薄膜形成裝置及用以在一室 内形成一薄膜，如一薄T i膜的方法，並且特別是，有關於· •-種薄膜形成裝置與方法，其中在薄膜形成之後，一清潔 氣體被供應到該室.中以清潔該室之内邰。 在半導體裝置中，以金屬為基底之薄膜被用來做為， 如，一金屬佈線層、一埋入層，該埋入層被埋在做為一下 方裝置層與一上方佈線層之間之一連接部份之一接頭孔中 ，或者在做為在上與下佈線層之間的一穿孔中。該埋入層 . 霄氣連接該等上與下佈線層，並且形成有一兩層式障壁層 以防止在形成該埋入層之前雜質^擴散並且形成一 T i (鈦 )膜與一 T i N (氮化鈦）膜。 這種金屬為基底之薄膜通常是使用物理蒸氣沈積（PVD) 形成，近年來，特別地需要微圖案之裝置及高結合度，並 且持別是設計的規則變得愈來愈嚴格。因此，線寬度與該 孔之開口直徑變得更小，此外，當長寬比增加時，構成該 障壁層之Ti膜變得難以在該孔底部藉PVD膜可靠地形成。 因此，構成該障壁層之該ΤI膜與該T i N膜偽藉由可形 成一較高品質之薄膜的化學蒸氣沈積（CVD)來形成’通常 ，為了藉由CVD形成該Ti膜，TiClt氣體及Ha氣體被用來 做為一反應氣體使用。為了形成該TiH膜，TiCU氣體、 及關3 (氨）氣體或MMH (單甲基聯氨）氣體被用來做為 一反應氣體使用。 ‘ 當類似上述者之一薄膜藉由CVD形成時’一膜沈積在 做為受到膜成形處理之一基材的一半導體晶圓上，並且沈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------® I^--- .(請先聞讀背面之注意寧項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 積物也附著在一室之内壁上。所以，在下一次膜成形之前 ，該室之内部必須加以清潔。最近，在這清潔步驟中，該 室壁與一基座被加熱而C1F3氣體被導入該室中以分解該等 沈積物，並且該分.解産品並使巧具有一真空泵之真空条統 排出。 如果使用C1F3氣體，TiF*在該室内産生成為一副産物 ，並且該副産物附箸於該真空条統·中，因此，在習知方法 中，如在曰本專利申請案第8-176829號中所掲露者，延伸 , 到一真空管之捕集器之該真空的一部份被加熱到一預定溫 度以防止TiF4附著於該真空条統内部。 一高真空泵，如一拖曳泵被設置在該前段處，上達到 該真空管的捕集器，在加熱該真空管時，該高真空泵也被 加熱。如果該泵被加熱到可防止TiF4附#的一高溫時，該 高真空泵之轉子會潛變破裂。 為解決這問題，該捕集器可以設置在該高真空泵之前 段以避免加熱該高真空泉。但是，藉這方法，該高真空泉; 必須具有大容量，並且由該捕集器所産生的蒸氣會影響該 室。 本發明之一目的為提供一薄膜形成裝置與方法，其中 在清潔排氣時不會在加工清潔副産物時發生問題。 嵌據本發明之一恃擻傺提供一薄膜形成裝置，包含： 一室，其具有一真‘空口以容裝一加工基材， ， 用以將一薄膜形成氣體供應到該室以便對該加工基材 進行薄膜形成加工的薄膜形成構件， -6 - 本紙張^度適用中國國家標準（€阳）八4規格（210'乂297公釐） ---,>---0—^II .(請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 訂 .參 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. A7 ___ _B7_ 五、發明説明（3 ) 用以將一清潔氣體供應到該室以清潔該室之内部的清 潔構件，以及 用以將氣體由該室排出的真空構件， 該真空構件具.有連接於該等之真空口的一主真空管線 、設置在該主真空管線之一上游側上的一高真空泵、設置 在該主真空管線之一下游側的一粗控制真空泵、連接於該 主真空管線以分流該高真空泵並且‘具有連接於該真空口與 該高真空泵之間之一第一連接部份及連接在該高真金泵與 , 該粗控制真空泵之間之一第二連接部份的一分流管線、設 置在該分流管線上的一捕集器、fe置在該第一連接部份及 該捕集器之間用以加熱由該第一連接部份流到該捕集器之 氣體的一加熱裝置、以及用以選擇性地開啓/關閉該主真 空管線及該分流管線以便讓在該室中之氣體流經其中一管 線的裝置。 在具有這種結構之薄膜形成裝置中，在薄膜形成加工 時，詼室之内部可以經由該主真空管線被該高真空泵排空 。在清潔加工時，當分流該高真空泵之該分流管線被加熱 到一預定溫度時，該室之内部可以經由該分流管線被該粗 控制真空泵排空。因此，該清潔副産物可以被加工而且不 會影響該主真空管線，並且由於處理該清潔副産物所産生 之問題得以避免。 當一含鈦氣體被用‘來當做薄膜形成氣體時，該室之内 部可以藉由使用一含氟氣體做為一清潔氣體而得以令人滿 意地被清潔。此時，氟化鈦在該室中産生成為一副産物， —^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 1'-------#丨裝------訂------'..i (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ___ —__B7_ 五、發明説明（4 ) 但是•如上所述地，該室之内部可以在薄膜形成加工時經 由該主真空管線被排空，並旦當該分流管線被加熱到一預 定溫度時，在清潔加工時經由該分流管線被排空。因此， 氣化鈦可以被加熱並且處理而且不會影響該主真空管線， 並且由於處理該清潔副産物所産生之問題得以避免。 該高真空泵係以設置在環繞該室之一外壁内側，即， 在該裝置主體内為佳，該粗控制真·空泵與該捕集器則必須 設置在該外壁外側，即，在該裝置主體外側。以此結構， 在維修時，如替換該捕集器時，只有該裝置主體之外側的 部份被移除，並且可得到良好的k修效果，為了在此時只 移除在該裝置主體之出口側上之真空条統的一部份，該主 真空管線之部份及該分流管線之部份必須共用。 本發明之另一特歡像提供一薄膜形成裝置，包含 一室，其具有一真空口以容納一加工基材， 用以將一薄膜形成氣體供應到該室以便對該加工基材 進行薄膜形成加工的薄膜形成構件， 用以將一清潔氣體供應到該室以清潔該室之内部的清 潔構件，以及 用以將氣體由該室排出的真空構件， 該真空構件具有連接於該室之真空口的一主真空管線 、設置在該主真空管線上的一真空泵構件、分流該主真空 管線之一部份的一分流‘管線、用以選擇性地開啓/關閉該 主真空管線及該分流管線以便讓在該室中之氣體流經其中 一管線的裝置、用以捕捉由_清潔氣體所産生之一産物並 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^I裝-- .(請先閲讀背面之注t事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製. A7 B7 五、發明説明（5 ) 且流經該分流管線的一捕集器、用以可分離地連接該捕集 器與該分流管線的連接構件、用以讓該真空泵構件排空該 捕集器之内部的構件、用以在該被排空之捕集器中瑱充該 一氮氣或一惰性氣體的填充構件、以及用以在該捕集器與 該分流管線分離時，防止槙充在該捕集器中之該氮氣或惰 性氣體逸出的密封構件。 依據具有這種結構之裝置，即使該捕集器與該分流管 線分離以清潔該捕集器，該主真空管線還可以操作，即使 該裝置體積不大，清潔該捕集器及薄膜形成製程可以同時
I 進行以增加産量。此外，在移除k捕集器時，在内部反應 産物中未發生化學反應。 本發明之其他目的及優點將在以下說明中提出，並且 一部份可以由該説明輕易得知，或者可以藉由實施本發明 而得知。本發明之目的及優點可以藉由在此之前特別指出 之設備與組合而：f解及得到。 在此加人並且構成本發明之一部份的附圖潁示本發明 之較佳實施例，並且與在以上所提出之一般性說明及以下 所述之該等較佳實施例的詳細説明一起用來解釋本發明之 原則。 第1画是一截面圖，顯示本發明之一實施例的一薄膜 形成裝置； 第2圖是顯示在第‘1圖中之薄膜形成裝置之真空条統 的一梘圖；以及 第3圖是顯示該真空条钸之另一實施例的一視圖。 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製· I n n I fn-ln 11 n n I - -I n I n l^i I 1 I I - I - n n l·— IT -- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. A7 _B7__ 五、發明説明（6 ) 本發明之一實施例將配合附圖詳細說明如下。 第1圖是一截面圖*顯示本發明之一實施例之一 CVD-Ti簿膜形成裝置，這薄膜形成裝置包含具有一幾近於圖柱 形的一氣密室1 在該室1中，用以水平地支持做為一加 工物艟之一半導體晶圓W的一基座2偽被具有多數孔之一 圓柱形支持構件3所支持。用以引導該半導體晶圓W的一 導環4傜設置在該基座2之外周緣·部份處，一加熱器5被 埋設在該基座2中並且接收來自一電源6的一電力以加熱 做為一加工物體的該半導體晶圓W到一預定溫度。該電源
I 6連接到一控制器7上，該控制k 7依據來自一溫度感應 器（圖未示）之一信號控制來自該加熱器5的一輸出。 該室1之一頂壁la是由一導電材料，如鋁所製成，一 噴灑頭10設置在該頂壁la上以面對受該基座2以一預定間 距所支持的該半導體晶圓W 。許多氣體噴灑孔10a傜形成 在面對該晶圖W之該噴灑頭10的下壁中，一空間11係形成 在該噴灑頭10内，並且具有許多孔形成於其中的一擴散板 12偽水平地設置在該空間11中。用以將氣體導入在該噴灑 頭10内部之空間11的一氣體入口 13像形成在該室11之頂壁 la之中央，一氣體供應管15建接該氣體入口 13。 一 Ha源 16、一 Ar源 17、一 TiCl* 源 18、及一 C1F3源 19 偽經由多數支管15a分別連接該氣體供應管15，所需要之 氣體由這些氣源經由g氣體供應管15與該噴漏頭10被送入 該室1中，在形成一薄膜時，H2氣體、Ar氣體、及TiCU 氣體分別由該Hs源16、該Ar皞17、該TiCl4源18供應以便 -10 - 本紙張Μ適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） II II I— 裝 —訂 ,Μ, ‘(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ___ Β7·__ 五、發明説明（7 ) 在該半導體晶圓w上形成一T i膜。在清潔該室1之内部時 ，C1F3氣體由該C1F3源19供應到該室1中。一閥20與一質 量流控制器21係設置在由一對應氣源延伸出之各支管15a 上。 一 RF電源23經由一配合電路22連接該室1之頂壁la， 並且一 RF電力可以由該RF電源供應到該頂壁la，藉由這RF 電力，一薄膜形成氣體電漿形成在該室1中，該室1之頂 壁la及該室1之側壁傜藉由一絶緣構件14電氣絶緣，該室 偽接地的。 一真空口 8偽形成在該室1 h—底壁lb中，用以排空 該室1之内部的一真空条統9與該真空口 8連接以便位於 該室1之外侧。 如第2圖中所示，該真空条統9包含一主真空管線31 ，該主真空管線31之上游側連接該室1之真空口8 ，一高 真空泵33如一拖曳泵或渦輪分子泵設置在該主真空管線31 之前段上，而一粗控制真空泵34如一乾式泵或旋轉泵設置 在後段上。該室1之内部偽被該乾式泵34所排空並且再被 該抱曳泵33排空到一高度真空狀態。 一分流管線32由該主真空管線31之該拖曳泵33之一上 游侧部份（分支點或第一連接部份A )分支出來，該分流 管線32分流該拖曳泵33並且連接該主真空管線31之乾式泵 34，即，在這些泵33與‘34之間的一部份（第三連接部份） 。該分流管線32具有位在容納該室1之該裝置主體内側的 一前段部份32a ，以及位在該裝置主體外側之一後段部份 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（210X297公釐） -(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製· A7 ^~______ B7_ 五、發明説明（8 ) 32b 。用以捕捉在氣體中之反應産物的一捕集器35傜設置 在該後段部份32b處，一加熱裝置36 (在第2圖中，只由 波浪線表示且其細部結構將因簡化而省略）像設置在向上 到達該捕集器35之該分流管線之一部份及相對該主真空 管線31之該分支點A之一上游部份之間。該加熱裝置可以 是環繞該分流管線32的一電氣加熱器、與該分流管線同軸 地設置且在其外側並且一熱媒流過'其中的一導管、或者用 以加熱流經該分流管線到該捕集器35的另一適當裝置。在 , 這實施例中，該加熱裝置36係設置到達該捕集器35，但是 ，因為該分流管線在該一移除部fee之邊界處被分開以移 開該捕集器35，如稍後所述者，該加熱裝置36可以在該移 除部份C處分開或者只設置到達該移除部份C 。 靠近在該裝置主體之一外壁41中之一出口，該分流管 線32之前段部份32a具有一匯入部份32c ，在該處該分流 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 管線32藉由該第三連接部份匯入該主真空管線31以形成一 共通管路。該後段部份32b在該裝置主體之外壁外側的一 部份（分支點或第四連接部份& )處由該主真空管線32分 支出來，延伸穿過該捕集器35、並且再於靠近該乾式泵34 之入口處，即在該第二連接部份處與該主真空管線31連接 。該真空条統9中，具有該拖曳泵33之一前段真空糸統9a 僳設置在該裝置主體之内側，並且具有該乾式泵34及該捕 集器35之一後段真空条統9b偽設置在該裝置主體之外側。 在該裝置主體内側之該主真空管線31的部份及在該裝置主 體之外側的部份可分離地連接,在該裝置主體之外壁41上， -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐> A7 B7 i、發明説明（9 ) 為了達成此連接，可使用一習知裝置’如用以連接管路的 一接頭連接器。因此’例如’當該捕集器要由該真空条統 中取出以便維修勗，並且為了要再安裝於其上，該捕集器 可以在該外壁41上之主真空管線31之一部份處分離。 開啓/關閉閥37與38傜分別設置在該主真空管線31與 該分流管線32之上游側靠近分支點A處，開啓/關閉閥39 與40偽分別設置在下游側靠近分支點B處，藉由選擇開啓 /關閉這些閥，該真空通道可以在該主真空管線31側與該 分流管線32側之間切換，在該室1中進行對該半導體晶圓
I W的薄膜形成加工時，該等閥37k3q被開啓，並且該等閥 38與40被關閉以藉由該乾式泵34與該拖曳泵33經該主真空 管線31排空該室1之内部到一預定真空度。在進行清潔加 工時，該等閥37與39被關閉，並且該等閥38與40被開啓以 便在該分流管線32被該加熱裝置36加熱時，僅藉由該乾式 泵34經該分流管線32排空該室1之内部。這些閥被一控制 器（圔未示）手動地或自動地開關。 經濟部中夬標準局員工消費合作社印装 --------®I裝— .(請先閲讀背面之注意寧項再填寫本頁) iv.w 開啓/關閉閥42與43僳分別地設置在該上游與下游側 靠近該捕集器35處，如果這些閥42與43在該捕集器35被該 乾式泵排空之後被關閉，該捕集器35可以保持真空。 該移除部份C與一移除部份D傺分別形成在該上游與 下游側靠近該等閥42與43處，該捕集器35可以藉由這些移 除部份而與該真空条統_9分離。該等移除部份C與D沒有 特別的限制，只要它們可以可分離地、氣密地連接具有該 捕集器35及該等閥42與43之一管之兩端與在該上游與下游 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 側上之管的相對應端即可。例如，接合連接器可以供該等 移除部份C與D使用。一開啓/關閉閥44傜設置在該分流 管線之後段部份32b處以便位於該乾式泵34與該移除部份 D之間。 該真空条統9包含一端連接在該閥40與該移除部份C 之間，並且另一端連接在該閥44與該移除部份D之間的一 氣體供應管線45，該氣體供應管線‘45具有一開啓/關閉閥 48並且經由一開啓/關閎閥46連接一 N 2不鏽鋼氣瓶或氣源 47，該不鏽鋼氣瓶47與可以選擇性地供應N 2氣體到該管線 45中。除了N2不鏽鋼氣瓶之外，fe可以使用一惰性氣源如 Ar氣源。雖然未顯示，一壓力監測感應器被安裝在各閥之 間的一管部處，該壓力變得不正常時，該感應器可以偵測 到它。 在具有這種結構的裝置中，該半導體晶圖W先被置入 該室1中，當該晶圓W被該加熱器5加熱到如450到60(TC 之溫度時*該真空条統9之閥37與39被開啓，並且該等閥 38、40與46被關閉以改變到該主真空管線31側的真空通道 。在此狀態下，該室1之内部被該乾式泵34及該拖曳泵33 排空並且保持在一高度真空狀態。該室1之内部條保持在 ，如，0.1到1托耳，並且Ar氣體、Hs氣體、及TiCl4氣體 被分別地以一預定流速預先流動大約5到20秒。這些氣體 在相同的條件下流動以便在該半導體晶圓上於一預定時間 内形成一 Ti膜，在薄膜形成之後，將該半導體晶圓W由該 室1中取出。 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ^------©—^.-- .(请先閎讀背面之注^^項再填寫本頁) 訂 ^s^ ―4*-暴· ζ/ιίν 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. A7 ~___：_Β7__ 五、發明説明（11 ) 在這薄膜形成過程中，Ti也被沈積在該室1之内表面 上及該基座2之外表面上，因此；在薄膜形成之後，該室 1之内部要被清潔，在清潔時，薄膜形成時供應之Tici4 氣體及H2氣體被停止，並且CIF3氣體被供應到該室1中。 此時，該基座2與該室壁分別被該基座2之加熱器5及設 置在該室之壁部份上之一加熱器（圖未示）加熱到，如， 大約300 °C。因為C1F3具有高反應性，藉由此加熱，它産 生與Ti反應並且在一預定溫度或更高之溫度下氣化的四氟 , 化鈦（T i F 4 )，這産物可以被該真空糸統排出該室。卽，使 用C1F3做為清潔氧體可以以較少k锻進行清潔，並且此清 潔可以輕易地進行。 在此情形中，該主真空管線31之閥37與39及該氣體供 應管線45之阔48是關閉的，並且該分流管線32的閥38、40 、42、43、及44是開啓的以便將該真空通道切換到該分流 管線32側。在這狀態時，在到達該捕集器35之該分流管線 之部份及相對該主真空管線31之分支點A之上游部份之間 的一部份被該加熱裝置36加熱到一 TiF4氣化溫度或更高之 溫度以防止TiF4附箸。词時，該室1之内部僅藉由該拖曳 泵34經該分流管線32被排空。因此，在被該分流管線32所 引導之排出氣體中的TiF*被該捕集器35捕捉。 為了保養該捕集器35，當閥37、38、40、及42鼷閉， 並且閥43與44開啓時，’操作該乾式泵34以排空該捕集器35 之内部並且使它保持在一低壓狀態。接替，閥43與44關閉 以真空密封該捕集器35。然後，該氣體供應管線45之閥46 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ；---^---_| 裝------訂------C ‘(請先閲讀背面之注意事項-S-填寫本頁) 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製. A7 £7_ 五、發明説明（12 ) 、48被開啓以便將來自該I氣源之《2氣體供應到在閥40與 42之間的管部及在閥43與44之間的管部，並且將這些部份 改變成大氣壓。在大氣壓力下，該捕集器35在該等移除部 份C與D處與關閉之閥42與43—起被移除，因為以此方式被 移除的該捕集器35被真空密封，在該内反應産物中未發生 化學反應，在這狀態中之捕集器35被安全地傳送到一維修 位置，沖入N 2、清洗、並且再安裝·到該真空条統9上。 為了再形成一薄膜，當閥43與44被_閉以真空密封該 , 捕集器35時，該主真空管線31之閥37與39可以開啓以藉由 該主真空管線31進行一真空操作\。因此，薄膜形成加工可 以在維修該捕集器35的時候同時進行，這在薄膜形成過程 中是非常有效率的。 如上所述，因為在清潔時排氣是由該分流管線32來進 行，做為清潔副産物氣體的TiF4可以在不影響該主真空管 線31的情形下處理，所以可避免在加熱該拖曳泵時該轉子 之徐變破裂、抱曳泵之容量之增加、及由該捕集器所産生 之蒸氣對該室之影響。 在該真空条統9中，該拖曳罙33傺被設置在該裝置主 體之内部，並且該乾式泵34與該捕集器35被設置在該裝置 主體之外部。在維修，如替換該捕集器35時，只有該裝置 主體之外側部份被移除，並旦可以得到良好的維修。 在該裝置主體之夕P壁41中之出口處，該分流管線32具 有該分流管線32匯入該主真空管線31以形成一共同管部份 的該匯入部份32c ，該分流管線32在該裝置主體外側之該 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐) " --------裝------訂------J: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（13 ) 部份（分支點B )處再由該主真空管線31分支出來，該裝 置主體外側之真空条統9之該部份可以在該匯入部份32c 處移除，在維修，如替換該捕集器35時，該捕集器35僅在 該裝置主體之出口之一部份處被移除，並且可以得到較佳 的雒修效果。 請注意本發明不受限於上述實施例並且可以做不同之 變化，例如，上述實施例是該Ti膜藉由CVD形成，並且使 用C1F3來進行清潔的例子，但是，薄膜形成的種類與清潔 , 氣體之種類不限於它們。雖然附箸物對於該真空条統不會 在薄膜形成上構成問題，但是本fe B月在清潔時産生附著於 該真空条統之清潔副産物時持別地有效。 在上述實施例中，該分流管線32與該主真空管線31在 該裝置主體之出口没互相匯合以形成一管，本發明不限於 此，如第3圖中所示，該分流管線32可以是一管，並且該 真空通道可以僅藉由閥37與38來轉換。在這實施例中，剩 餘的結構與在第2圖中者大致相同，並且其說明將省略。 該加工基材不限於該半導體晶圓並且可是一LCD基材等， 此外，可以在該基材上形成另一層。 其他的優點與變化對於熟習此項技藝者將是可輕易了 解的，因此•以較廣的特徽而言，本發明不限於在此所示 與所述之細節與代表性實施例，所以，在不偏離以下申請 專利範圍及其等效物所'界定之一般性發明觀念之精神與範 疇的情形下可進行各種修改。 1 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐> ---；-------- ·(请先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製> 五 發明説明（Η ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 .....氣密室 la ....頂壁 lb----底壁 2 .....基座 3 .....支持構件 4 .....導璟 5 .....加熱器 6 .....電源 7 .....控制器 8 .....真空口 9 .....真空糸統 9a....前段真空糸統 9b....後段真空条統 10 ----噴灑頭 l〇a...氣髏噴灑孔 11.. ..空間 12.. ..擴散板 13.. ..氣體入口孔 14----絶緣構件 15.. ..氣體供應管 15a...支管 16.. .. Η 2 源 17····Ar源 元件標號對照 18. …Ticw源 19 ____Clf3 源 20 ____閥 21.. ..質量流控制 22.. ..配合電路 '23____RF電源 31 ----主真空管線 32 ----分流管線 32a...前段部份 32b,..後段部份 32c...匯入部份 33 ----高真空泵 34——粗控制真空泵 35 ----捕集器 36 ----加熱裝置 37— —開啓/關閉醃 38— —開啓/關閉閥 39— —開啓/關閉閥 40 ....開啓/關閉閥 41 ____外壁 42.. ..開啓/闘閉閥 43 ....開啓/關閉閥 44.. ..閲啓/關閉閥 -18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2.97公釐） .(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^丨裝· 訂 A7 Β7· 五、發明説明（15 ) 45----氣體供應管線 46.. ..開啓/關閉閥 47.. ..氣源 48.. ..開啓/關閉閥 A.....第一連接部份 B.....第四連接部份 C.....移除部份 D.....移除部份 W.....半導體晶圓 ----------- ,(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
Claims (1)
- 六、申請專利範圍 I一種薄膜形成裝置，包含： 一室，其具有一真空口这容裝一加工基材； 用以將一薄膜形成氣體供應到該室以便對該加工 基材進行薄膜形成加工的薄膜形成構件； 用以將一清潔氣體供應到該室以清潔該室之内部 的清潔構件；以及 用以將氣體由該室排出的真空構件， 該真空構件具有連接於該室之真空口的一主真空 管線、設置在該主真空管練之一上游侧上的一高真空 I 泵、設置在該主、真空管線之i下游側的一粗控制真空 泵、連接於該主真空管線以分流該高真空泵並且具有 連接於該真空口與該高真空泵之間之一第一連接部份 及連接在該高真空泵與該粗控制真空泵之間之一第二 連接部份的一分流管線、設置在該分流管線上的一捕 集器、設置在該第一連接部份及該捕集器之間用以加 熱由該第一連接部份流到該捕集器之氣體的一加熱裝 置、以及用以選擇性地開啓/關閉該主真空管線及該 分流管線以便讓在該室中之氣體流經其中一管線的裝 置。 2 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該薄膜形成構件 包含用以供應一含鈦氣體到該室中的一薄膜形成氣體 供應条統，並且該清潔構件包含用以供應二含氟氣體 到該室中的一清潔氣體供應糸統。 3.如申請專利範圍笫1項之，裝置，其中該高真空泵包含 -20 - 本紙張X度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X 297公趁） -------#I裝-- ,(諳先閱#背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. 經濟—中央標準局員工消費合作社印製. A8 B8 C8. D8 六、申請專利範圍 一抱曳泵與一渦輪分子泵其中之一，並且該粗控制真 空泵包含一乾式泵與一旋轉泵其中之一。 4.如申請專利範圍第1項之裝置，還包含環繞該室之一 外壁，並且 其中該高真空泵傺設置在該外壁内側，並且該粗 控制真空泵與該捕集器傺設置在該外壁外側。 5 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該分流管線包含 連接在該高真空泵與該主(真空管線之該第二連接部份 之間的一第三連接部份以及連接在該主真空管線之第 二與第三連接部扮之間的一四連接部份，並且該等 第三與第四連接部份偽被位於該第三與第四連接部份 之間之該主真空管線之一部份所連接。 6. 如申請專利範圍第.5項之裝置，其中位於該等第三與 第四之間之該主真空管線之該部份具有位於該外壁的 一第一部份及位在該外壁之外側且可與該第一部份分 離的一第二部份。 7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該加熱構件大致 延伸穿過該分流管線且在該第一連接部份與該捕集器 之間。 8. 如申請專利範圍第1項之裝置，還包含： 用以將氮氣或憶性氣體填充到該捕集器中的裝置 ，、. ;以及 ’ . 可以分離填充有氮氣.或惰性氣體之該捕集器及該 分流管線但可防止該氮寫或僚氣逸出該捕集器的裝置 _ 21 - ^紙張尺度適财_家標準（CNS > _( 2丨G_x 297公趁.厂 -------~— ------卜_1 裝------訂---— —J..U 一 r ϊ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝· A8 B8 C8. D8 六、申請專利範圍 〇 9.一種薄膜形成裝置，包含：' 一室，其具有一真空口以容納一加工基材； 用以將一薄膜形成氣體供應到該室以便對該加工 基材進行薄膜形成加工的薄膜形成構件； 用以將一清潔氣體供應到該室以清潔該室之内部 的清潔構件；以及 用以將氣體由該室排出的真空構件， 該真空.構件具有連接於該室之真空口的一主真空 * 管線、設置在該主真空管線~上的一真空泵構件、分流 該主真空管線之一部份的一分流管線、用以選擇性地 開啓/關閉該主真空.管線及該分流管線以便讓在該室 中之氣體流經其中一管線的裝置、用以捕捉由該清潔 氣體所産生之一産物並且流經該分流管線的一捕集器 、用以可分離地連接該捕集器與該分流管線的連接構 件、用以讓該真空泵構件排空該捕集器之内部的構件 、用以在該被排空之捕集器中填充該一氮氣或一惰性 氣體的填充構件、以及用以在該捕集器與該分流管線 分離時，防止填充在該捕集器中之該氮氣或惰性氣體 逸出的密封構件。 10 ,如申請專利範圍第9項之裝置，其中該填充構件包含 一氤氣或惰性氣纒源、用以連接該氮氣或惰性氣體源 及該分流管線的一氣體供應管線、以及設置在該氣體 供應管線上的一氣體供_開啓/關閉閥。 -22 - 本紙張Ut用中國國家標準（CNS ) 格（210 X 297公釐） ---------— —------.訂----.1 ,(請先聞讀背面之注意事項再填寫本貰) A8 38^019 ?88 D8. __ 六、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第10項之裝置，其中該氣體供應管線 具有在該捕集器之一上游側上連接該分流管線的一第 一連接部份以及在該捕集器之一下游側上連接該分流 管線的一第二連接部份，該密封構件包含設置在該分 流管線上位於該第一連接部份及該捕集器之間的一第 一開啓/豳閉閥以及設置在該分流管線上位於該第二 連接部份及該捕集器之間的一第二開啓/關閉閥，該 氮氣偽由該氮氣源藉由當該氣體供應閥開啓時，開啓 該第一閥且關閉該第二閥來供應，並且該捕集器與該 I 分流管線分離時，該等第一__二開啓/關閉閥被關 閉。 12. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中該連接構件包含 設置在該分流管緯上且位於該第一連接部份及該第一 開啓/關閉閥之間的一第一連接器以及設置在該分流 管線上且位於該第二連接部份及該第二開啓/關閉閥 之間的一第二連接器。 13. —種形成一薄膜的方法，包含之步驟為： 藉由將薄膜形成氣體供應到一室中對一加工基材 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 — I;---11#丨裝------訂 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 進行薄膜形成加工； 在該薄膜形成加工之後，藉由將一清潔氣體供應 到該室中來進行清潔加工； 在該薄膜形成'步驟時+，藉由一真空泵經·由一主真 空管線排空該室之内部； 在該清潔步驟時，辑由分流該真空泵且具有一捕 -23 - 本紙張X度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210X297公釐） ABCD S87019 申請專利範園 集器之一分流管線排空該室之内部；以及 在該清潔步驟時加熱該，分流^線的氣體。 14 .如申請專利範圍第13項之包 m 驟為： 在該清潔_驟之後，將氮氣瑱充到該捕集器中； 以及 使瑱充有該氮氣之捕集器與該分流管線分離並且 清潔該捕集器。 ^ -------ο—裝— ,(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、βτ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製. 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210Χ 297公釐）
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14704997A JP3626833B2 (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 成膜装置および成膜方法 |
| JP16487997A JP3563565B2 (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 排気装置および排気方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW387019B true TW387019B (en) | 2000-04-11 |
Family
ID=26477715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW087107812A TW387019B (en) | 1997-05-22 | 1998-05-20 | Film forming apparatus and method |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6149729A (zh) |
| KR (1) | KR100365842B1 (zh) |
| TW (1) | TW387019B (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413436B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| US6423642B1 (en) * | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
| US20050217707A1 (en) * | 1998-03-13 | 2005-10-06 | Aegerter Brian K | Selective processing of microelectronic workpiece surfaces |
| US6806194B2 (en) * | 1999-01-22 | 2004-10-19 | Semitool. Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
| US6548411B2 (en) * | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
| JP4092821B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2008-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置の排気システム |
| US6773687B1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-08-10 | Tokyo Electron Limited | Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas |
| JP4009100B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2007-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
| US7563328B2 (en) * | 2001-01-19 | 2009-07-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for gas injection system with minimum particulate contamination |
| US20050061676A1 (en) * | 2001-03-12 | 2005-03-24 | Wilson Gregory J. | System for electrochemically processing a workpiece |
| GB0212757D0 (en) * | 2002-05-31 | 2002-07-10 | Boc Group Plc | A vacuum pumping system and method of controlling the same |
| US7500445B2 (en) * | 2003-01-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
| JP5133013B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法 |
| KR101132605B1 (ko) * | 2009-03-13 | 2012-04-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 트랩 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 트랩 장치의 제어 방법 |
| JP5501807B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP6007715B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ機構、排気系及び成膜装置 |
| US9982340B2 (en) | 2012-04-04 | 2018-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Shower head apparatus and method for controlling plasma or gas distribution |
| JP6749287B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-09-02 | 株式会社東芝 | 処理システム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906257A (en) * | 1987-09-25 | 1990-03-06 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Method of and apparatus for treating waste gas from semiconductor manufacturing process |
| JPH08176829A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Nec Kansai Ltd | 薄膜成長方法及び減圧ｃｖｄ装置 |
-
1998
- 1998-05-19 US US09/080,718 patent/US6149729A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-20 TW TW087107812A patent/TW387019B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-21 KR KR10-1998-0018335A patent/KR100365842B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980087255A (ko) | 1998-12-05 |
| US6149729A (en) | 2000-11-21 |
| KR100365842B1 (ko) | 2003-02-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |