TW202101789A - 光半導體裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種適於抑制翹曲等應變且實現較高之光利用效率之光半導體裝置。本發明之光半導體裝置X具備光半導體元件E1、E2、具有開口部10A之樹脂成形體10、及引線20、30。樹脂成形體10之開口部10A具有包含由其內壁面11限定之寬幅區域R1、R2、窄幅區域R3、及寬度漸變區域R4、R5且沿該等之排列方向延伸之開口形狀。引線20、30分別包含於寬幅區域R1內面向開口部10A之區域及於寬幅區域R2內面向開口部10A之區域，且沿開口部10A之延伸方向延伸。光半導體元件E1於開口部10A之寬幅區域R1內搭載於引線20上，且經由接合線W連接於引線30。光半導體元件E2於開口部10A之寬幅區域R2內搭載於引線20上，且經由接合線W連接於引線30。
Description
本發明係關於一種具備發光二極體等光半導體元件之光半導體裝置。本申請案主張2018年12月5日於日本提出申請之特願2018-227880號之優先權，並將其內容引用至此。
具備發光二極體等光半導體元件之光半導體裝置與電燈泡或螢光燈、氖管、鹵素燈等其他光源相比，具有壽命長、運作穩定、響應速度快等優勢。此種光半導體裝置正於各種用途中推進實用化。例如，於照明用途（家庭、辦公室之一般室內照明或路燈等）、顯示用途（交通號誌等）、光源用途（液晶電視之背光燈等）、及通訊用途（紅外線遙控器等）中。關於此種光半導體裝置，例如於下述專利文獻1～3中有所記載。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-140207號公報
[專利文獻2]日本特開2008-252135號公報
[專利文獻3]日本特開2017-76701號公報
[發明所欲解決之問題]
圖11至圖13表示作為習知型之光半導體裝置之一例的光半導體裝置Y。光半導體裝置Y係以所謂模封陣列封裝（MAP）之形態形成者，其具備樹脂成形體110、一組引線120、130、作為發光二極體之LED元件140、及透明樹脂部150。
樹脂成形體110係藉由伴隨引線120、130之所謂***成形而被成形為保持引線120、130之形態之樹脂體，具有藉由傾斜面111限定開口形狀之開口部112。藉由特定之態樣對樹脂成形體110中之至少傾斜面111賦予光反射性。引線120具有面向開口部112之露出面121，且於與開口部112相反之側具有露出至裝置外之露出面122。引線130具有面向開口部112之露出面131，且於與開口部112相反之側具有露出至裝置外之露出面132。引線120、130之露出面121、131形成光半導體裝置Y中之外部連接用之一對端子。LED元件140於該圖12中之上表面側與下表面側分別具有電極部（未圖示），且搭載於開口部112內之露出面121上而電性且機械地連接於引線120。並且，LED元件140經由接合線W而電性連接於引線130之露出面131。透明樹脂部150係填充於樹脂成形體110之開口部112中且硬化之透明樹脂體，將開口部112內之LED元件140等密封。
此種構成之光半導體裝置Y中，於自LED元件140發出光之情形時，該光於開口部112內被反射或不經反射而通過透明樹脂部150並向開口部112外射出。
於具備由樹脂成形體（光半導體裝置Y中為樹脂成形體110）與引線構件（光半導體裝置Y中為引線120、130）一體成形而成之部位之光半導體裝置中，於樹脂成形體與引線構件之間存在顯著之熱膨脹率差。因此，先前於光半導體裝置之製造過程或安裝過程中，存在上述熱膨脹率差導致光半導體裝置內之各處產生內部應力，由此導致產生該裝置之翹曲等應變之情況。光半導體裝置中之翹曲等應變可能會引起引線構件自樹脂成形體部分脫離等構造劣化、甚至特性劣化。
另一方面，於光半導體裝置中，先前存在無法獲得與用途相應之充分之明亮程度之情形。
本發明係基於以上情況而想出者，其目的在於提供一種適於抑制翹曲等應變且實現較高之光利用效率之光半導體裝置。
[解決問題之手段]
根據本發明，提供一種光半導體裝置。該光半導體裝置具備第1光半導體元件、第2光半導體元件、互相分隔之第1引線及第2引線、以及與該等引線一體化之樹脂成形體。
樹脂成形體係例如藉由***成形將第1及第2引線部分地收入至內部而成形之樹脂體。並且，樹脂成形體具有作為反射器開口部之開口部，該開口部具有限定開口形狀之光反射用之內壁面、及光反射用之部分底面（部分底面形成開口部之底面之一部分，包含位於分隔之兩引線間之區域）。該開口部或其開口形狀包含由其內壁面限定之第1寬幅區域、第2寬幅區域、該第1及第2寬幅區域之間之窄幅區域、第1寬幅區域及窄幅區域之間之第1寬度漸變區域、以及第2寬幅區域及窄幅區域之間之第2寬度漸變區域，且沿該等之排列方向延伸。此種反射器開口部之內壁面較佳為以開口形狀自開口部中之底面至開口端擴大之方式傾斜。
第1引線包含於上述第1寬幅區域內面向開口部之區域及於上述第2寬幅區域內面向開口部之區域，沿樹脂成形體之開口部之延伸方向延伸。又，第1引線較佳為具有自樹脂成形體向外部延伸之電極部。藉由此種態樣，第1引線被樹脂成形體部分地被覆且保持。
第2引線包含於上述第1寬幅區域內面向開口部之區域及於上述第2寬幅區域內面向開口部之區域，沿樹脂成形體之開口部之延伸方向延伸，且與第1引線分隔。又，第2引線較佳為具有自樹脂成形體向外部延伸之電極部。藉由此種態樣，第2引線被樹脂成形體部分地被覆且保持。
第1光半導體元件於樹脂成形體之開口部之第1寬幅區域內搭載於第1引線上且經由接合線連接於第2引線。
第2光半導體元件於樹脂成形體之開口部之第2寬幅區域內搭載於第1引線上且經由接合線連接於第2引線。
於本發明之光半導體裝置中，樹脂成形體所具有之開口部（反射器開口部）如上所述，具有沿其所包含之上述各區域之排列方向延伸之開口形狀。於以上述方式延伸之開口形狀之反射器開口部之第1寬幅區域內配置第1光半導體元件且於第2寬幅區域內配置第2光半導體元件之上述構成，就於本光半導體裝置之發光驅動時在反射器開口部之延伸方向上使明亮程度均一化之方面而言較佳。並且，該反射器開口部中於搭載兩光半導體元件之兩引線間介置光反射用之部分底面（樹脂成形體之一部分）之上述構成，就確保開口部內之反射面而謀求增大向反射器開口部外之反射光量之方面而言較佳。進而，此種多光半導體元件搭載型之本光半導體裝置採用價格未達昂貴之高亮度元件一半之廉價之光半導體元件代替昂貴之高亮度元件作為發光元件，就抑制製造成本且確保發光驅動時之特定之明亮程度之方面而言較佳。
於本發明之光半導體裝置中，樹脂成形體所具有之反射器開口部如上所述，具有包含由其內壁面限定之第1及第2寬幅區域、第1及第2寬幅區域之間之窄幅區域、第1寬幅區域及窄幅區域之間之第1寬度漸變區域、以及第2寬幅區域及窄幅區域之間之第2寬度漸變區域且沿該等之排列方向延伸之開口形狀。此外，於該開口部中之第1寬幅區域內配置有第1光半導體元件，且於第2寬幅區域內配置有第2光半導體元件。此種構成適於多光半導體元件搭載型之本光半導體裝置中抑制翹曲等應變且實現較高之光利用效率。其理由如下所述。
於具備將樹脂成形體與引線構件一體成形而成之部位之光半導體裝置中，於樹脂成形體與引線構件之間存在顯著之熱膨脹率差。因此，實際上，有｢引線構件於樹脂成形體與引線構件之一體物中所占之比例於特定範圍內越大，經由光半導體裝置之製造過程或安裝過程而該光半導體裝置所產生之內部應力越大｣之傾向。該內部應力於所製造之光半導體裝置中可能會導致翹曲等應變。本發明之光半導體裝置中之樹脂成形體開口部（反射器開口部）具有第1及第2寬幅區域之間之窄幅區域的上述構成適於在包圍該開口部之樹脂成形體之壁構造體中於與開口部之窄幅區域相對應之處設置厚壁部。適於在樹脂成形體之壁構造體設置此種厚壁部之構成適於確保樹脂成形體與第1及第2引線之密接面積，因此，適於抑制該裝置之翹曲等應變。即，本光半導體裝置之樹脂成形體中之該厚壁部（於樹脂成形體之壁構造體中為具有向開口部內突出之凸部之部分）於以上述方式延伸之開口形狀之反射器開口部之中央附近可主要發揮抑制本裝置之翹曲之功能。
又，於本發明之光半導體裝置中，樹脂成形體之反射器開口部於第1寬幅區域（配置有第1光半導體元件）與窄幅區域之間具有第1寬度漸變區域且於第2寬幅區域（配置有第2光半導體元件）與窄幅區域之間具有第2寬度漸變區域之上述構成於實現較高之光利用效率之方面較佳。開口部內壁面限定第1寬度漸變區域之區域（第1邊界區域）可具有與第1寬幅區域內之第1光半導體元件相對向之配向、形狀。內壁面之此種第1邊界區域於本光半導體裝置之發光驅動時容易接收自第1光半導體元件發出之光之一部分且容易反射，因此，有助於增大朝向開口部外之反射光量。又，開口部內壁面限定第2寬度漸變區域之區域（第2邊界區域）具有與第2寬幅區域內之第2光半導體元件相對向之配向。內壁面之此種第2邊界區域於本光半導體裝置之發光驅動時容易接收自第2光半導體元件發出之光之一部分且容易反射，因此，有助於增大朝向開口部外之反射光量。此種光半導體裝置適於實現較高之光利用效率。
如以上所述，本發明之光半導體裝置適於抑制翹曲等應變且實現較高之光利用效率。於光半導體裝置中，其翹曲等應變之抑制有助於確保較高之發光可靠性。於光半導體裝置中，較高之光利用效率之實現有助於確保較高之能量效率。因此，本光半導體裝置適於設計為發光可靠性較高且能量效率良好之發光設備。
於本光半導體裝置中，較佳為於樹脂成形體之開口部之第1寬度漸變區域中內壁面具有內側彎曲面，且於樹脂成形體之開口部之第2寬度漸變區域中內壁面具有內側彎曲面。即，於本光半導體元件中，較佳為開口部內壁面之上述第1邊界區域具有內側彎曲面，且開口部內壁面之上述第2邊界區域具有內側彎曲面。此種構成有助於實現較高之光利用效率。
本光半導體裝置中之第1引線較佳為具有第1露出面及第2露出面，該第1露出面包含面向樹脂成形體之開口部中之第1寬幅區域之區域，該第2露出面包含面向第2寬幅區域之區域且與第1露出面分隔。並且，第2引線較佳為具有第3露出面及第4露出面，該第3露出面包含面向樹脂成形體之開口部中之第1寬幅區域之區域，該第4露出面包含面向第2寬幅區域之區域且與第3露出面分隔。此種構成於細分溫度變化引起之引線構件之膨脹收縮而減小本光半導體裝置產生之內部應力之方面較佳，因此，於抑制該裝置之翹曲等應變之方面較佳。
於本光半導體裝置中，第1及第2引線分別具有自樹脂成形體向外部延伸之例如四個以上之複數個外部連接用之電極部。此種多端子構成對於可搭載光半導體元件之安裝基板之電路設計或電路構成而言於確保較高之自由度之方面較佳。
圖1至圖7表示本發明之一實施形態之光半導體裝置X。圖1係光半導體裝置X之俯視圖，圖2至圖6係沿圖1之線II-II、線III-III、線IV-IV、線V-V、及線VI-VI之光半導體裝置X之剖視圖。又，圖7係光半導體裝置X之後視圖。
光半導體裝置X具備光半導體元件E1、E2、樹脂成形體10、互相分隔之引線20、30、及透明樹脂部40。光半導體裝置X於本實施形態中係以所謂模封陣列封裝（MAP）之形態形成者。
光半導體元件E1、E2分別為具有發光功能之元件，於本實施形態中具體而言為發光二極體（LED）元件。作為用以構成LED元件之半導體材料，例如可列舉：GaAlAs、AlInGaP、InGaN、GaP、GaAs、及GaAsP。又，於本實施形態中，光半導體元件E1、E2於圖2、圖4及圖5中之上表面側及下表面側分別具有電極部（未圖示）。
樹脂成形體10係例如藉由***成形將引線20、30部分地收入至內部並成形之樹脂體。並且，樹脂成形體10具有伴隨光反射用之內壁面11與光反射用之部分底面12之作為反射器開口部之開口部10A（部分底面12形成開口部10A之底面之一部分）。開口部10A之內壁面11限定開口部10A之開口形狀。又，可於樹脂成形體10中之開口部10A側之特定處（例如圖1所示之俯視下為相較於引線20更靠近引線30處）形成作為所謂陰極標誌之切缺（未圖示）。此種樹脂成形體10例如由含有白色顏料之熱固性樹脂組成物構成。作為該熱固性樹脂，例如可列舉環氧樹脂。作為於熱固性樹脂中摻和之白色顏料，例如可列舉：氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鎂、氧化銻、及氧化鋯。作為樹脂成形體10形成用之樹脂材料之市售品，例如可列舉Daicel股份有限公司製造之「AEW-700」。
樹脂成形體10之開口部10A或其開口形狀包含由開口部10A之內壁面11限定之寬幅區域R1、寬幅區域R2、該區域間之窄幅區域R3、及寬度漸變區域R4、R5且沿該等之排列方向延伸。寬度漸變區域R4位於寬幅區域R1與窄幅區域R3之間。寬度漸變區域R5位於寬幅區域R2與窄幅區域R3之間。此種開口部10A之內壁面11於本實施形態中，以開口形狀自開口部10A中之底面至開口端擴大之方式傾斜。
包圍此種開口部10A之樹脂成形體10之壁構造體於與開口部10A之寬幅區域R1、R2相對應之處具有薄壁部10a，且於與窄幅區域R3相對應之處具有厚壁部10b。關於薄壁部10a，例如圖4及圖5所示之厚度T1
例如為0.1～0.4 mm。關於厚壁部10b，例如圖6所示之厚度T2
例如為0.2～0.8 mm，較佳為1.1T1
～5T1
。
樹脂成形體10或其開口部10A之延伸方向D1
上之樹脂成形體10之長度L1
例如為2.5～3.5 mm。與長度L1
正交之方向D2
（寬度方向）上之樹脂成形體10之長度（寬度）例如為1.2～2 mm。又，樹脂成形體10中之上述厚壁部10b之例如圖1所示之長度L2
例如為0.5～1 mm，較佳為0.1L1
～0.3L1
。
引線20具有沿樹脂成形體10或其開口部10A之延伸方向D1
延伸之整體形狀，同時具有面向樹脂成形體10之開口部10A而形成開口部10A之底面之一部分之露出面21、22，且具有於與開口部10A相反之側露出之露出面23、24。露出面21於寬幅區域R1內包含面向開口部10A之區域。上述光半導體元件E1經由焊接材料或導電性接著劑等導電性接合材料搭載於引線20之露出面21，而電性且機械地連接於引線20。引線20之露出面22於寬幅區域R2內包含面向開口部10A之區域。上述光半導體元件E2經由焊接材料或導電性接著劑等導電性接合材料搭載於引線20之露出面22，而電性且機械地連接於引線20。該等露出面21、22於開口部10A內互相分隔。於光半導體裝置X之發光驅動時自光半導體元件E1、E2發出之熱之一部分可經由引線20之露出面21、22、23、24釋放至裝置外。引線20亦承擔此種放熱功能。又，引線20具有自樹脂成形體10向外部延伸之電極部20a。電極部20a自樹脂成形體10之延出長度例如為0.1～2 mm。藉由此種態樣，引線20由樹脂成形體10部分地被覆且保持。
引線30具有沿樹脂成形體10或其開口部10A之延伸方向D1
延伸之整體形狀，同時具有面向樹脂成形體10之開口部10A而形成開口部10A之底面之一部分之露出面31、32，且具有於與開口部10A相反之側露出之露出面33、34。露出面31於寬幅區域R1內包含面向開口部10A之區域。引線20之露出面21上之光半導體元件E1經由接合線W而電性連接於該露出面31。引線30之露出面32於寬幅區域R2內包含面向開口部10A之區域。引線20之露出面22上之光半導體元件E2經由接合線W而電性連接於該露出面32。該等露出面31、32於開口部10A內互相分隔。又，引線30具有自樹脂成形體10向外部延伸之電極部30a。電極部30a自樹脂成形體10之延出長度例如為0.1～2 mm。藉由此種態樣，引線30由樹脂成形體10部分地被覆且保持。
引線20、30分別由具有導電性之金屬材料構成。作為引線用之金屬材料，例如可列舉Cu、Cu合金、及42%Ni-Fe合金。又，引線20、30之厚度例如分別為0.1～0.3 mm。此種引線20、30例如可經過對金屬板之蝕刻加工或衝壓加工而形成。引線20、30之表面亦可實施鍍Ag處理等特定之鍍敷處理。
透明樹脂部40係填充至樹脂成形體10之開口部10A中並硬化之透明樹脂體，由具有透明性之半導體用密封材料構成。作為此種密封材料，例如可列舉環氧系密封材及矽酮系密封材。作為環氧系密封材之市售品，例如可列舉Daicel股份有限公司製造之「CELVENUS W0973」及「CELVENUS W0925」。作為矽酮系密封材之市售品，例如可列舉Daicel股份有限公司製造之「CELVENUS A2045」及「CELVENUS A0246」。
此種光半導體元件X例如係藉由如下之所謂線模方式製造。首先，準備特定之引線框架。該引線框架具有俯視矩形之框體、及於該框體內排成一行之光半導體裝置形成區域各自之具有特定之圖案形狀之圖案部。圖案部包含形成上述引線20、30之引線部、連結引線部與框體之連結部、及連結引線部間之連結部。此種引線框架例如可藉由蝕刻加工而製作。繼而，於引線框架之各光半導體裝置形成區域形成上述樹脂成形體10。具體而言，對於具有用以橫跨引線框架中之複數個光半導體裝置形成區域而一次成形複數個樹脂成形體10之成形面之一組模具，介置上述引線框架並鎖模後，於特定之溫度條件及壓力條件下，將樹脂成形體10形成用之上述含有白色顏料之熱固性樹脂組成物供給至模具內進行成形（***成形）。藉此，於各光半導體裝置形成區域中形成伴隨上述開口部10A之樹脂成形體10。作為成形法，例如採用轉注成形或注塑成形。該成形步驟之後，於各光半導體裝置形成區域之開口部10A中，藉由對引線20之上述露出面21、22之經由導電性接合材料的光半導體元件E1、E2之裝配、該光半導體元件E1、E2與上述引線30之相對應之露出面31、32之打線、及上述透明樹脂部40之例如灌封而形成。繼而，對於各光半導體裝置形成區域，切斷引線框架中之圖案部之上述連結部，進行引線20、30之分離，而將光半導體裝置X單離。例如以上述方式可製造光半導體裝置X。
於光半導體裝置X之驅動時，經由引線20、30向光半導體元件E1、E2供給特定之電力，藉此光半導體元件E1、E2發光。來自光半導體元件E1、E2之出射光之一部分經由樹脂成形體10之開口部10A內之反射，來自光半導體元件E1、E2之出射光之另一部分不經由開口部10A內之反射，通過透明樹脂部40而向開口部10A外射出。
於如以上之光半導體裝置X中，樹脂成形體10所具有之開口部10A（反射器開口部）如上所述，具有沿其所包含之上述各區域之排列方向延伸之開口形狀。於以上述方式延伸之開口形狀之開口部10A之寬幅區域R1內配置光半導體元件E1且於寬幅區域R2內配置光半導體元件E2之上述構成，就於光半導體裝置X之發光驅動時在開口部10A（反射器開口部）之延伸方向上使明亮程度均一化之方面而言較佳。並且，該反射器開口部中於搭載光半導體元件E1、E2之引線20、30間介置光反射用之部分底面12（樹脂成形體10之一部分）之上述構成，就確保開口部10A內之反射面而謀求增大向開口部10A外之反射光量之方面而言較佳。進而，此種多光半導體元件搭載型之光半導體裝置X採用價格未達昂貴之高亮度元件一半之廉價之光半導體元件（光半導體元件E1、E2）代替昂貴之高亮度元件作為發光元件，就抑制製造成本且確保發光驅動時之特定之明亮程度之方面而言較佳。
於光半導體裝置X中，樹脂成形體10所具有之作為反射器開口部之開口部10A如上所述，具有包含由其內壁面11限定之寬幅區域R1、R2、窄幅區域R3、及寬度漸變區域R4、R5且沿該等之排列方向延伸之開口形狀。於此種開口部10A中之寬幅區域R1內配置有光半導體元件E1，且於寬幅區域R2內配置有光半導體元件E2。此種構成適於多光半導體元件搭載型之光半導體裝置X中抑制翹曲等應變且實現較高之光利用效率。其理由如下所述。
於具備將樹脂成形體與引線構件一體成形而成之部位之光半導體裝置中，於樹脂成形體與引線構件之間存在顯著之熱膨脹率差。因此，實際上，有｢引線構件於樹脂成形體與引線構件之一體物中所占之比例於特定範圍內越大，經由光半導體裝置之製造過程或安裝過程而該光半導體裝置所產生之內部應力越大｣之傾向。該內部應力於所製造之光半導體裝置中可能會導致翹曲等應變。上述光半導體裝置X中之樹脂成形體10之開口部10A（反射器開口部）於寬幅區域R1、R2間具有窄幅區域R3之上述構成適於在包圍開口部10A之樹脂成形體10之壁構造體中於與開口部10A之窄幅區域R3相對應之處設置厚壁部10b。適於在樹脂成形體10之壁構造體設置此種厚壁部10b之構成適於確保樹脂成形體10與引線20、30之密接面積，因此，適於抑制光半導體裝置X之翹曲等應變。即，光半導體裝置X之樹脂成形體10中之此種厚壁部10b（於樹脂成形體10之壁構造體中為具有向開口部10A內突出之凸部之部分）於以上述方式延伸之開口形狀之開口部10A（反射器開口部）之中央附近可主要發揮抑制本裝置之翹曲之功能。
又，於光半導體裝置X中，如上所述，樹脂成形體10之開口部10A（反射器開口部）於寬幅區域R1（配置有光半導體元件E1）與窄幅區域R3之間具有寬度漸變區域R4，並且於寬幅區域R2（配置有光半導體元件E2）與窄幅區域R3之間具有寬度漸變區域R5。開口部10A之內壁面11中限定寬度漸變區域R4之區域（第1邊界區域）具有與寬幅區域R1內之光半導體元件E1相對向之配向、形狀。此種第1邊界區域於光半導體裝置X之發光驅動時容易接收自光半導體元件E1發出之光之一部分且容易反射，因此，有助於增大向開口部10A外之反射光量。並且，開口部10A內壁面11中限定寬度漸變區域R5之區域（第2邊界區域）具有與寬幅區域R2內之光半導體元件E2相對向之配向、形狀。內壁面11之此種第2邊界區域於光半導體裝置X之發光驅動時容易接收自光半導體元件E2發出之光之一部分且容易反射，因此，有助於增大向開口部10A外之反射光量。此種光半導體裝置X適於實現較高之光利用效率。
如以上所述，本實施形態之光半導體裝置X適於抑制翹曲等應變且實現較高之光利用效率。於光半導體裝置X中，其翹曲等應變之抑制有助於確保較高之發光可靠性。於光半導體裝置X中，較高之光利用效率之實現有助於確保較高之能量效率。因此，光半導體裝置X適於設計為發光可靠性較高且能量效率良好之發光設備。
於上述光半導體裝置X中，例如如圖8所示，於樹脂成形體10之開口部10A之寬度漸變區域R4、R5中，內壁面11可具有內側彎曲面11a。此種構成於實現較高之光利用效率之方面較佳。其原因在於：於光半導體裝置X之發光驅動時自光半導體元件E1、E2發出之光之一部分被各內側彎曲面11a有效地反射至開口部10A外，各內側彎曲面11a有助於增大向開口部10A外之反射光量。
光半導體裝置X中之引線20如上所述，具有露出面21及露出面22，該露出面21包含面向樹脂成形體10之開口部10A中之寬幅區域R1之區域，該露出面22包含面向寬幅區域R2之區域且與露出面21分隔。並且，引線30如上所述，具有露出面31及露出面32，該露出面31包含面向樹脂成形體10之開口部10A中之寬幅區域R1之區域，該露出面32包含面向寬幅區域R2之區域且與露出面31分隔。此種構成於細分溫度變化引起之引線20、30之膨脹收縮而減小光半導體裝置X所產生之內部應力之方面較佳，因此，於抑制本裝置之翹曲等應變之方面較佳。
於光半導體裝置X中，引線20、30之電極部20a、30a中關於其一部分，例如如圖9所示，可於與樹脂成形體10之開口部10A相反之側具有彎折之彎曲形狀。藉由此種構成，於搭載光半導體裝置X之安裝基板上，根據該安裝基板所具有之配線圖案（包含電極焊墊部）之構成，有容易利用例如焊接將光半導體裝置X與電極焊墊部電性連接之情形。
於光半導體裝置X中，作為光半導體元件E1及/或光半導體元件E2，可採用一面上具有兩個電極部之LED元件。作為用以構成此種LED元件之半導體材料，例如可列舉InGaN。於具備此種光半導體元件E1、E2之光半導體裝置X中，例如如圖10所示，光半導體元件E1經由接合線W電性連接於引線20之露出面21，同時經由其他接合線W電性連接於引線30之露出面31。並且，光半導體元件E2經由接合線W電性連接於引線20之露出面22，同時經由其他接合線W電性連接於引線30之露出面32。
於光半導體裝置X中，引線20於4處具有電極部20a，且引線30於4處具有電極部30a。即，光半導體裝置X具備具有外部連接用之8個端子之構成。此種構成對於可搭載光半導體元件之安裝基板之電路設計或電路構成而言可確保較高之自由度而較佳。
彙總以上內容，將本發明之構成及其變化記於以下。
[1]
一種光半導體裝置，其具備
第1光半導體元件及第2光半導體元件、
第1引線及第2引線、以及
與上述第1及第2引線一體化之樹脂成形體，
上述樹脂成形體具有開口部，該開口部係具有限定開口形狀之光反射用之內壁面與光反射用之部分底面者，其包含由上述內壁面限定之第1寬幅區域、第2寬幅區域、該第1及第2寬幅區域之間之窄幅區域、上述第1寬幅區域及上述窄幅區域之間之第1寬度漸變區域、以及上述第2寬幅區域及上述窄幅區域之間之第2寬度漸變區域，且沿該等之排列方向延伸，
上述第1引線包含於上述第1寬幅區域內面向上述開口部之區域及於上述第2寬幅區域內面向上述開口部之區域，沿上述開口部之延伸方向延伸，
上述第2引線包含於上述第1寬幅區域內面向上述開口部之區域及於上述第2寬幅區域內面向上述開口部之區域，沿上述開口部之延伸方向延伸，且與上述第1引線分隔，
上述第1光半導體元件於上述樹脂成形體之上述開口部之上述第1寬幅區域內，搭載於上述第1引線上，且經由接合線連接於上述第2引線，
上述第2光半導體元件於上述樹脂成形體之上述開口部之上述第2寬幅區域內，搭載於上述第1引線上，且經由接合線連接於上述第2引線。
[2]
如[1]所記載之光半導體裝置，其中，上述樹脂成形體係藉由***成形將第1及第2引線部分地收入至內部而成形之樹脂體。
[3]
如[1]或[2]所記載之光半導體裝置，其中，上述開口部之上述內壁面以開口形狀自開口部中之底面至開口端擴大之方式傾斜。
[4]
如[1]至[3]中任一項所記載之光半導體裝置，其中，上述第1引線具有自樹脂成形體向外部延伸之電極部。
[5]
如[1]至[4]中任一項所記載之光半導體裝置，其中，上述第2引線具有自樹脂成形體向外部延伸之電極部。
[6]
如[1]至[5]中任一項所記載之光半導體裝置，其中，於上述樹脂成形體之上述開口部之上述第1寬度漸變區域中，上述內壁面具有內側彎曲面，且於上述樹脂成形體之上述開口部之上述第2寬度漸變區域中，上述內壁面具有內側彎曲面。
[7]
如[1]至[6]中任一項所記載之光半導體裝置，其中，上述第1引線具有第1露出面及第2露出面，該第1露出面包含面向上述樹脂成形體之上述開口部中之上述第1寬幅區域之區域，該第2露出面包含面向上述第2寬幅區域之區域且與上述第1露出面分隔，
上述第2引線具有第3露出面及第4露出面，該第3露出面包含面向上述樹脂成形體之上述開口部中之上述第1寬幅區域之區域，該第4露出面包含面向上述第2寬幅區域之區域且與上述第3露出面分隔。
[8]
如[1]至[7]中任一項所記載之光半導體裝置，其中，上述第1及第2引線分別具有自上述樹脂成形體向外部延伸之四個以上之複數個外部連接用之電極部。
[9]
如[1]至[8]中任一項所記載之光半導體裝置，其中，上述樹脂成形體含有白色顏料。
[10]
如[9]所記載之光半導體裝置，其中，上述白色顏料為選自由氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鎂、氧化銻、及氧化鋯所組成之群中之至少一種。
[11]
如[1]至[10]中任一項所記載之光半導體裝置，其含有環氧樹脂作為上述熱固性樹脂。
[產業上之可利用性]
本發明之光半導體裝置由於具有上述構成，故而適於抑制翹曲等應變且實現較高之光利用效率。
X:光半導體裝置
E1,E2:光半導體元件
10:樹脂成形體
10A:開口部
10a:薄壁部
10b:厚壁部
11:內壁面
11a:內側彎曲面
12:部分底面
R1:寬幅區域（第1寬幅區域）
R2:寬幅區域（第2寬幅區域）
R3:窄幅區域
R4:寬度漸變區域（第1寬度漸變區域）
R5:寬度漸變區域（第2寬度漸變區域）
20:引線（第1引線）
30:引線（第2引線）
21:露出面（第1露出面）
22:露出面（第2露出面）
31:露出面（第3露出面）
32:露出面（第4露出面）
20a,30a:電極部
40:透明樹脂部
W:接合線
[圖1]係本發明之一實施形態之光半導體裝置之俯視圖。
[圖2]係沿圖1所示之光半導體裝置中之線II-II的剖視圖。
[圖3]係沿圖1所示之光半導體裝置中之線III-III的剖視圖。
[圖4]係沿圖1所示之光半導體裝置中之線IV-IV的剖視圖。
[圖5]係沿圖1所示之光半導體裝置中之線V-V的剖視圖。
[圖6]係沿圖1所示之光半導體裝置中之線VI-VI的剖視圖。
[圖7]係圖1所示之光半導體裝置之後視圖。
[圖8]係圖1所示之光半導體裝置之變形例的俯視圖。
[圖9]係圖1所示之光半導體裝置之變形例的一剖視圖。
[圖10]係圖1所示之光半導體裝置之變形例的俯視圖。
[圖11]係習知型之一光半導體裝置之俯視圖。
[圖12]係沿圖11所示之光半導體裝置中之線XII-XII的剖視圖。
[圖13]係圖11所示之光半導體裝置之後視圖。
10:樹脂成形體
10A:開口部
10a:薄壁部
10b:厚壁部
11:內壁面
12:部分底面
20:引線(第1引線)
20a,30a:電極部
21:露出面(第1露出面)
22:露出面(第2露出面)
30:引線(第2引線)
31:露出面(第3露出面)
32:露出面(第4露出面)
40:透明樹脂部
E1,E2:光半導體元件
R1:寬幅區域(第1寬幅區域)
R2:寬幅區域(第2寬幅區域)
R3:窄幅區域
R4:寬度漸變區域(第1寬度漸變區域)
R5:寬度漸變區域(第2寬度漸變區域)
W:接合線
X:光半導體裝置
Claims (3)
- 一種光半導體裝置，其具備 第1光半導體元件及第2光半導體元件、 第1引線及第2引線、以及 與上述第1及第2引線一體化之樹脂成形體， 上述樹脂成形體具有開口部，該開口部係具有限定開口形狀之光反射用之內壁面與光反射用之部分底面者，該開口部包含由上述內壁面限定之第1寬幅區域、第2寬幅區域、該第1及第2寬幅區域之間之窄幅區域、上述第1寬幅區域及上述窄幅區域之間之第1寬度漸變區域、以及上述第2寬幅區域及上述窄幅區域之間之第2寬度漸變區域，且沿該等之排列方向延伸， 上述第1引線包含於上述第1寬幅區域內面向上述開口部之區域及於上述第2寬幅區域內面向上述開口部之區域，沿上述開口部之延伸方向延伸， 上述第2引線包含於上述第1寬幅區域內面向上述開口部之區域及於上述第2寬幅區域內面向上述開口部之區域，沿上述開口部之延伸方向延伸，且與上述第1引線分隔， 上述第1光半導體元件於上述樹脂成形體之上述開口部之上述第1寬幅區域內，搭載於上述第1引線上，且經由接合線連接於上述第2引線， 上述第2光半導體元件於上述樹脂成形體之上述開口部之上述第2寬幅區域內，搭載於上述第1引線上，且經由接合線連接於上述第2引線。
- 如請求項1所述之光半導體裝置，其中， 於上述樹脂成形體之上述開口部之上述第1寬度漸變區域中，上述內壁面具有內側彎曲面，且於上述樹脂成形體之上述開口部之上述第2寬度漸變區域中，上述內壁面具有內側彎曲面。
- 如請求項1或2所述之光半導體裝置，其中， 上述第1引線具有第1露出面及第2露出面，該第1露出面包含面向上述樹脂成形體之上述開口部中之上述第1寬幅區域之區域，該第2露出面包含面向上述第2寬幅區域之區域且與上述第1露出面分隔， 上述第2引線具有第3露出面及第4露出面，該第3露出面包含面向上述樹脂成形體之上述開口部中之上述第1寬幅區域之區域，該第4露出面包含面向上述第2寬幅區域之區域且與上述第3露出面分隔。
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