TW202030878A - 微發光二極體顯示器及其形成方法 - Google Patents

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一種形成微發光二極體顯示器的方法，包含提供基板，其上設有複數微發光二極體與至少一積體電路；及形成平坦層以覆蓋微發光二極體與積體電路。平坦層作為遮光層及防腐蝕層。

Description

微發光二極體顯示器及其形成方法
本發明係有關一種微發光二極體，特別是關於一種形成微發光二極體顯示器的方法。
微發光二極體（microLED、mLED或μLED）顯示面板為平板顯示器（flat panel display）的一種，其係由尺寸等級為1~10微米之個別精微（microscopic）發光二極體所組成。相較於傳統液晶顯示面板，微發光二極體顯示面板具較大對比度及較快反應時間，且消耗較少功率。微發光二極體與有機發光二極體（OLED）雖然同樣具有低功耗的特性，但是，微發光二極體因為使用三-五族二極體技術（例如氮化鎵），因此相較於有機發光二極體具有較高的亮度（brightness）、較高的發光效能（luminous efficacy）及較長的壽命。
第一圖顯示傳統微發光二極體顯示器100的剖面圖，於玻璃基板11上設有微發光二極體12與積體電路13。第一保護層14形成於積體電路13上，且第二保護層15全面形成於微發光二極體12與積體電路13上。由於積體電路13的高度(例如150微米)通常高於微發光二極體12的高度(例如小於10微米)，因此微發光二極體顯示器100的上表面具有尖銳對比輪廓。當翻轉微發光二極體顯示器100，對其背面進行後續製程時，此尖銳對比輪廓會造成不均勻的壓力。因此，玻璃基板11易破裂或/且積體電路13會因壓力受到損害。
因此亟需提出一種新穎的方法以形成微發光二極體顯示器，以克服傳統微發光二極體顯示器的缺失。
鑑於上述，本發明實施例的目的之一在於提出一種形成微發光二極體顯示器的方法，其具有簡化製程或/且具平坦上表面。
根據本發明實施例，形成微發光二極體顯示器的方法包含以下步驟。提供基板，其上設有複數微發光二極體與至少一積體電路。形成平坦層以覆蓋微發光二極體與積體電路。平坦層作為遮光層及防腐蝕層。
第二A圖至第四B圖之剖面圖與俯視圖顯示本發明實施例之形成微發光二極體顯示器200的方法。
如第二A圖之剖面圖與第二B圖之俯視圖所示，提供基板21，其上設有微發光二極體22與至少一積體電路23。基板21可包含玻璃或其他適於支持微發光二極體22與積體電路23的材質。積體電路23可為驅動器，可使用玻璃晶片接合(chip-on-glass, COG)技術設於基板21上。雖然圖式僅顯示數個微發光二極體22，然而基板21上通常會設有非常多的微發光二極體22。在本實施例中，積體電路23的高度(例如150微米)遠大於微發光二極體21的高度(例如小於10微米)。
導光層221可覆蓋微發光二極體22，以利傳送微發光二極體22所產生的光線。反射層222(例如金屬)可覆蓋導光層221，以反射微發光二極體22所產生的光線。
如第三A圖之剖面圖與第三B圖之俯視圖所示，可形成框膠(seal frame或sealant)24於基板21上，以圍住基板21上的至少一部分微發光二極體22與積體電路23。在本實施例中，框膠24為矩形，可設於基板21的周圍，且框膠24包含第一膠材(例如有機聚合物(polymer))。本實施例之框膠24可為封閉且連續無間斷。根據本實施例的特徵之一，框膠24的高度大於積體電路23的高度。
如第四A圖之剖面圖與第四B圖之俯視圖所示，框膠24所定義的內部空間可填充第二膠材(例如環氧樹脂(epoxy)或矽氧樹脂基(silicone-based)膠材)，以形成平坦層25(其具有平坦上表面)，其覆蓋微發光二極體22與積體電路23。平坦層25的高度大於積體電路23的高度，但小於框膠24的高度。在本實施例中，平坦層25的第二膠材可異於框膠24的第一膠材。平坦層25(或填充的第二膠材)的黏度(viscosity)小於框膠24(或填充的第一膠材)的黏度。根據本實施例的另一特徵，平坦層25(或填充的第二膠材)的(液態至固態之)縮合性(degree of condensation)足夠小，以免膠材於乾燥過程內縮，導致基板21(例如玻璃基板)變形或破裂。
值得注意的是，如果平坦層25夠黏稠(viscous)，足以自限於預設空間(不會向外流動)，以覆蓋微發光二極體22與積體電路23，則可以省略框膠24。
根據本實施例的又一特徵，平坦層25摻雜暗色或黑色染料，使其形成暗色或黑色，作為遮光(light blocking)層以防止光線照射積體電路23。平坦層25還可作為防水(waterproof)層，以防止積體電路23受到水氣的影響。在本實施例中，平坦層25(或所填充的第二膠材)可包含模壓(molding compound)材質(例如矽氧樹脂(silicone))。
根據本實施例的再一特徵，平坦層25(或所填充的第二膠材)可作為防腐蝕(corrosion-resistant)層，以防止反射層222受到水氣或/且氧化的腐蝕。在本實施例中，平坦層25可包含室溫硫化(room-temperature-vulcanizing, RTV)材質，例如室溫硫化矽氧樹脂(RTV silicone)。
根據上述實施例，形成微發光二極體顯示器200的方法較第一圖所示傳統方法來得簡化。在本實施例中，使用單一製程步驟形成單一層(亦即平坦層25)，以覆蓋微發光二極體22與積體電路23。反觀第一圖，其使用二製程步驟以形成二層(亦即第一保護層14與第二保護層15)。此外，如第四A圖所示，本實施例所形成的微發光二極體顯示器200具有平坦上表面，然而第一圖的上表面具有尖銳的對比輪廓，因此會造成不均勻壓力。藉此，本實施例之基板21(例如玻璃基板)不易破裂或/且積體電路23不會因壓力受到損害。
以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。
100:微發光二極體顯示器 11:玻璃基板 12:微發光二極體 13:積體電路 14:第一保護層 15:第二保護層 200:微發光二極體顯示器 21:基板 22:微發光二極體 221:導光層 222:反射層 23:積體電路 24:框膠 25:平坦層
第一圖顯示傳統微發光二極體顯示器的剖面圖，於玻璃基板上設有微發光二極體與積體電路。 第二A圖至第四B圖之剖面圖與俯視圖顯示本發明實施例之形成微發光二極體顯示器的方法。
200:微發光二極體顯示器
21:基板
22:微發光二極體
221:導光層
222:反射層
23:積體電路
24:框膠
25:平坦層

Claims (20)

  1. 一種形成微發光二極體顯示器的方法，包含： 提供一基板，其上設有複數微發光二極體與至少一積體電路；及 形成一平坦層以覆蓋該些微發光二極體與該至少一積體電路； 其中該平坦層作為遮光層及防腐蝕層。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述形成微發光二極體顯示器的方法，其中該基板包含玻璃。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述形成微發光二極體顯示器的方法，其中該平坦層包含暗色或黑色染料。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述形成微發光二極體顯示器的方法，其中該平坦層包含室溫硫化材質。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述形成微發光二極體顯示器的方法，其中該平坦層包含環氧樹脂或矽氧樹脂基膠材。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述形成微發光二極體顯示器的方法，其中該平坦層包含模壓材質。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述形成微發光二極體顯示器的方法，更包含： 於形成該平坦層之前，形成一框膠以圍住該基板上的該些微發光二極體與該至少一積體電路，該框膠的高度大於該平坦層與該積體電路的高度。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述形成微發光二極體顯示器的方法，其中該平坦層的黏度小於該框膠的黏度。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述形成微發光二極體顯示器的方法，更包含： 於形成該平坦層之前，形成一導光層以覆蓋該些微發光二極體；及 形成一反射層於該導光層上。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述形成微發光二極體顯示器的方法，其中該平坦層的縮合性足夠小，於該平坦層的乾燥過程，該基板不會變形或破裂。
  11. 一種微發光二極體顯示器，包含： 一基板； 複數微發光二極體與至少一積體電路，設於該基板上；及 一平坦層，覆蓋該些微發光二極體與該至少一積體電路； 其中該平坦層作為遮光層及防腐蝕層。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述之微發光二極體顯示器，其中該基板包含玻璃。
  13. 根據申請專利範圍第11項所述之微發光二極體顯示器，其中該平坦層包含暗色或黑色染料。
  14. 根據申請專利範圍第11項所述之微發光二極體顯示器，其中該平坦層包含室溫硫化材質。
  15. 根據申請專利範圍第11項所述之微發光二極體顯示器，其中該平坦層包含環氧樹脂或矽氧樹脂基膠材。
  16. 根據申請專利範圍第11項所述之微發光二極體顯示器，其中該平坦層包含模壓材質。
  17. 根據申請專利範圍第11項所述之微發光二極體顯示器，更包含： 一框膠，設於該基板上以圍住該些微發光二極體、該至少一積體電路與該平坦層，該框膠的高度大於該平坦層與該積體電路的高度。
  18. 根據申請專利範圍第17項所述之微發光二極體顯示器，其中該平坦層的黏度小於該框膠的黏度。
  19. 根據申請專利範圍第11項所述之微發光二極體顯示器，更包含： 一導光層，形成於該些微發光二極體上，但位於該平坦層下；及 一反射層，形成於該導光層與該平坦層之間。
  20. 根據申請專利範圍第11項所述之微發光二極體顯示器，其中該平坦層的縮合性足夠小，於該平坦層的乾燥過程，該基板不會變形或破裂。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4252297B2 (ja) * 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
US9711689B2 (en) * 2012-11-05 2017-07-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Optical unit and electronic apparatus
TW201904091A (zh) * 2012-12-18 2019-01-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
TWI705586B (zh) * 2014-09-26 2020-09-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP6409818B2 (ja) * 2016-04-26 2018-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
TW201828505A (zh) * 2017-01-20 2018-08-01 聯京光電股份有限公司 光電封裝體及其製造方法
KR102399464B1 (ko) * 2017-06-27 2022-05-19 주식회사 루멘스 엘이디 패널
TWI646377B (zh) * 2017-11-03 2019-01-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN109285935A (zh) * 2018-11-07 2019-01-29 东莞市亿晶源光电科技有限公司 一种通体发光led灯珠及灯串

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