TW201836176A - 覆晶式ｌｅｄ導熱構造 - Google Patents

Abstract

本發明為一種覆晶式LED的快速導熱構造，包括一導熱用的金屬基板以及一覆晶式LED(Flip-Chip LED)，其中該金屬基板上貼合有一層絕緣膜，該絕緣膜上設有銅箔線路以及一窗口，且該金屬基板上延伸有至少一共晶焊接部裸露於該窗口，以供覆晶式LED相對應的導熱焊盤或利用負極焊盤共晶焊接於該至少一共晶焊接部上以兼具共晶結合導熱路徑，使覆晶式LED運作時的廢熱可以在極小的空間裡，通過上述共晶焊接所形成的導熱路徑，快速地將廢熱導出到外部散熱；此外，銅箔線路以不造成短路為原則盡量擴大面積，進而補償銅箔線路與金屬基板之間絕緣膜熱傳導界面阻礙(Boundary Barrier)的問題。

Description

覆晶式LED導熱構造

本發明為一種覆晶式LED的快速導熱構造，技術領域涉及一導熱用的金屬基板以及一共晶焊接於金屬基板上的覆晶式LED(Flip-Chip LED)；共晶焊接後二者之間形成一共晶結合的導熱路徑，能夠將該覆晶式LED運作時產生的廢熱，在極小的空間裡無界面阻礙(Boundary Barrier)地快速導出到外部散熱，進而可以在相同面積下提高覆晶式LED的輸出功率及使用壽命。

眾所週知，LED雖然具有省電、使用壽命長、體積小等各種優點，但是LED運作發光時會產生廢熱，該廢熱如果無法有效地快速傳導到外部散熱，其高熱將會對LED上的螢光粉、矽膠造成光衰或其他損害，此特性將直接或間接影響到LED的使用壽命以及品質，而且使LED的輸出功率受到限制，所以，如何提昇LED的散熱效率一直是相關業者努力的目標。

其次，近年來覆晶(Flip-Chip)封裝技術的發展對於二極體元件而言是一個非常重要的里程碑。所謂“覆晶”，是將晶片的電極連接點在製程中長出凸塊(bump)，然後將晶片翻轉過來使凸塊與基板直接焊接而得其名。由於製程中，不需要如同傳統晶粒封裝時，必須將晶粒的兩個電極分別與電極接腳利用焊接或打線方式電連接，所以讓二極體元件成品的體積可以大幅縮小到接近晶粒核心尺寸，因此稱為晶粒尺寸封裝(CSP)。

上述覆晶封裝技術固然能夠應用在LED上，製作出覆晶式LED使而其體積大幅縮小，然而覆晶式LED底部的空間極小，若無法將運作時產生的廢熱快速導出散熱，則應用在例如 多數個覆晶式LED陣列所組成的照明燈具時，只能將各覆晶式LED之間的間距加寬、分散排置，以避免各覆晶式LED產生的廢熱集中。但如此一來，即便每一個覆晶式LED的體積再小，還是無法讓應用端(例如前述燈具)的體積縮小。

此外，關於熱的傳導技術中，當熱由甲介質到乙介質時，因二者两相接觸面的接觸狀況不一，例如表面乾淨度、粗糙度、硬軟度、接觸壓力等等，造成電子雲層因温度差異，在游動時由一方介質的表面再到另一方質的表面熱傳導時會產生熱傳導界面阻礙(Boundary Barrier)。而熱傳導界面阻礙，或可通過導熱膏、錫漿、銀漿、礸石膏等導熱性較佳的介質來盡量降低阻礙，但導熱效果仍不如共晶焊接來得有效率。

目前已知的相關技術中，CN101030613A將一覆晶式LED焊接在一導熱基板上，其散熱方式是將覆晶式LED的負極焊接在該導熱基板上的焊層上，以期能快速導熱。然而，該CN101030613A在導熱基板上先設置一層絕緣膜再設置焊層，使LED負極必須透過絕緣膜才能將廢熱傳導到導熱基板，除了絕緣膜的材質具有較高的熱阻以外，絕緣膜與LED之間、以及絕緣膜與導熱基板之間，還形成了兩個熱傳導界面阻礙(Boundary Barrier)，顯然無法達到快速導熱的功效。

M500997在覆晶式LED的正極與負極之間設置了一個固晶膠，並且在散熱基板的絕緣膜上相對應設置一缺口，然後使覆晶式LED底部的固晶膠通過缺口與散熱基板連接來導熱。這種方式雖然在覆晶式LED與散熱基板之間少了一層絕緣膜，然而利用固晶膠的導熱效果並不甚佳，該固晶膠與LED之間以及固晶膠與與導熱基板之間，仍然多出了兩個熱傳導界面阻礙，其導熱效率仍然不理想。

CN103066193A在一般的SMD型LED底面一體設置了一正、負極焊盤以及一散熱焊盤，並且在PCB銅箔線路的正負極接點之間另外設置一H形銅嵌塊，利用銅嵌塊與LED的散熱焊 盤焊接來導熱。這種結構設計中，由於SMD型LED的散熱焊盤並非直接由LED晶體引出，而是間接由LED安裝的PCB或支架上接出，因此這種結構設計仍然存在兩組熱傳導界面阻礙。此外，雖在正、負極銅箔線路之間，再額外設置一H形銅嵌塊，但也只是增加後段傳熱的面積，無法改善熱傳導效果。

有鑑於上述已知技術的各種缺失，本發明人以累積多年相關領域研究設計的實務經驗，發明出一種能快速導熱的覆晶式LED導熱構造，其目的在於：通過金屬基板與覆晶式LED之間共晶結合的導熱路徑，讓覆晶式LED運作時的廢熱可以在極小的空間裡無界面阻礙(Boundary Barrier)地快速導出到外部散熱，不但可以在相同面積下提高覆晶式LED的輸出功率及使用壽命，而且大幅簡化製程。

為達成上述目的，本發明覆晶式LED導熱構造，包括一導熱用的金屬基板以及一共晶焊接在該金屬基板上的覆晶式LED，其中：該覆晶式LED底部一體延伸有二凸塊，該二凸塊彼此間隔排列而分別作為一正極焊盤、以及一負極焊盤；該金屬基板上貼合有一層絕緣膜，該絕緣膜表面相對於覆晶式LED的底部設有一與正極焊盤共晶焊接的正極銅箔線路、一相對於負極焊盤的窗口、以及一與負極焊盤共晶焊接的負極銅箔線路，且該金屬基板在窗口位置延伸有一共晶焊接部，該共晶焊接部頂部裸露於該窗口；以及該正極焊盤與正極銅箔線路之間、以及負極焊盤與該共晶焊接部及負極銅箔線路之間共晶焊接，進而分別在各共晶焊接位置形成共晶結合層，使覆晶式LED與金屬基板之間通過各共晶結合層而形成共晶結合的導熱路徑。

實施時，所述正極銅箔線路與共晶焊接部上方分別 設置有一層焊層，其中該共晶焊接部上方的焊層側向延伸至負極銅箔線路上方，且各焊層經共晶焊接後分別形成所述的共晶接合層。

實施時，所述共晶焊接部與正極銅箔線路之間設有絕緣體。

本發明另提供一種覆晶式LED導熱構造，包括一導熱用的金屬基板以及一共晶焊接在該金屬基板上的覆晶式LED，其中：該覆晶式LED底部一體延伸有至少三個凸塊，該至少三個凸塊彼此間隔排列而分別作為一正極焊盤、一負極焊盤、以及至少一導熱焊盤；該金屬基板上貼合有一層絕緣膜，該絕緣膜表面相對於覆晶式LED的底部設有：一與正極焊盤共晶焊接的正極銅箔線路、一與負極焊盤共晶焊接的負極銅箔線路、以及一相對於導熱焊盤的窗口，且該金屬基板在窗口位置延伸有一共晶焊接部；該共晶焊接部頂部裸露於該窗口，以供所述的導熱焊盤共晶焊接於該共晶焊接部上，進而使覆晶式LED底部與金屬基板之間在各共晶焊接位置分別形成一共晶結合層，其中覆晶式LED的至少一導熱焊盤與金屬基板的共晶焊接部之間通過該相對應的共晶結合層而形成一共晶結合的導熱路徑。

藉由上述構造，當覆晶式LED發光時，由於該負極焊盤或導熱焊盤是由覆晶式LED底部一體延伸、該共晶焊接部是由金屬基板延伸，因此負極焊盤或導熱焊盤與該共晶焊接部之間經共晶焊接所形成的共晶結合層，即可在覆晶式LED與金屬基板之間形成一共晶結合的導熱路徑，進而讓覆晶式LED發光時產生的廢熱，在覆晶式LED底部極小的空間裡無界面阻礙地快速傳導到金屬基板上以供散熱；此外，所述覆晶式LED與銅箔線路之間的共晶焊接結構，使銅箔線路可以在不造成短路漏電為原則下儘量擴大線路寬度，以增加散熱面積的方式來補償、改善銅箔線路 與金屬基板之間絕緣膜的高熱阻問題，而且能夠在相同面積下提高覆晶式LED的輸出功率及使用壽命。

實施時，所述覆晶式LED底部的正極焊盤與負極焊盤設置在覆晶式LED底部的兩側，該至少一導熱焊盤設置在該正極焊盤與負極焊盤之間。

實施時，所述共晶焊接部、正極銅箔線路以及負極銅箔線路上方，分別設置有至少一層共晶焊接用的焊層，各焊層經共晶焊接後，分別形成所述的共晶結合層，且所述共晶焊接部與正極銅箔線路及負極銅箔線路之間分別設有白漆等絕緣體。

實施時，該導熱焊盤為多數個彼此間隔設置在正極焊盤與負極焊盤之間，且該共晶焊接部上的共晶結合層之間以及多個導熱焊盤之間的位置填充有錫漿或導熱膏。

實施時，所述共晶焊接部是在該絕緣膜貼合於金屬基板表面後，於該絕緣膜的窗口內填充金屬材料，並且以共晶焊接方式使該窗口內的金屬材料與金屬基板表面共晶焊接所構成。

實施時，所述共晶焊接部是以腐蝕方式將金屬基板表面相對於窗口位置以外的區域去除一固定厚度所形成，使該共晶焊接部頂面突出於金屬基板表面，並且在絕緣膜貼合於金屬基板表面後穿過該窗口而裸露。

實施時，所述共晶焊接部是在金屬基板相對於窗口的位置向上沖壓彎折所形成，使該共晶焊接部頂面突出於金屬基板表面，並且穿過該窗口而裸露。

相較於先前技術，本發明在覆晶式LED與金屬基板之間形成共晶結合的導熱路徑，不但可以讓覆晶式LED發光時產生的廢熱，在覆晶式LED底部極小的空間裡無界面阻礙地快速傳導到金屬基板上以供散熱，而且覆晶式LED與銅箔線路之間的共晶焊接結構，使銅箔線路時可以在不造成短路漏電為原則下儘量擴大線路寬度，以增加散熱面積的方式來補償、改善銅箔線路與金屬基板之間絕緣膜的高熱阻問題，進而提高覆晶式LED的輸出 功率及使用壽命，而且在實施時只需將覆晶式LED與金屬基板以共晶焊接技術即可結合，具有加工容易、節省成本的優點。

以下依據本發明之技術手段，列舉出適於本發明之實施方式，並配合圖式說明如後：

10‧‧‧金屬基板

11‧‧‧絕緣膜

11a‧‧‧正極銅箔線路

11b‧‧‧負極銅箔線路

12‧‧‧窗口

13‧‧‧共晶焊接部

13a‧‧‧金屬材料

13b‧‧‧平台

13c‧‧‧彎折段

14‧‧‧絕緣體

20‧‧‧覆晶式LED

21‧‧‧凸塊

21a‧‧‧正極焊盤

21b‧‧‧負極焊盤

21c‧‧‧導熱焊盤

22‧‧‧焊層

22a‧‧‧共晶結合層

22b‧‧‧錫漿或導熱膏

第一圖：本發明第一實施方式的分解圖。

第二圖：本發明第一實施方式的組合示意圖。

第三圖：本發明第二實施方式的分解圖。

第四圖：本發明第二實施方式的組合示意圖。

第五圖：本發明第三實施方式的分解圖。

第六圖：本發明第三實施方式的組合示意圖。

第七圖：本發明第四實施方式的分解圖。

第八圖：本發明第四實施方式的組合示意圖。

第九圖：本發明第五實施方式的分解圖。

第十圖：本發明第五實施方式的組合示意圖。

第十一圖：本發明第六實施方式的分解圖。

第十二圖：本發明第六實施方式的組合示意圖。

第十三圖：本發明中覆晶LED實施方式的前視圖。

第十四圖：本發明中覆晶LED實施方式的仰視圖。

第十五圖：本發明第七實施方式的分解圖。

第十六圖：本發明第七實施方式的組合示意圖。

第十七圖：本發明第八實施方式的分解圖。

第十八圖：本發明第八實施方式的組合示意圖。

第十九圖：本發明第九實施方式的組合示意圖(1)。

第二十圖：本發明第九實施方式的組合示意圖(2)。

如第一圖到第六圖所示，本發明能快速導熱的覆晶 式LED導熱構造的第一到第三實施方式，包括一導熱用的金屬基板10以及一共晶焊接在該金屬基板10上的覆晶式LED20，該金屬基板10及覆晶式LED20的詳細結構如下：該覆晶式LED20的底部一體延伸有兩個凸塊21，該兩個凸塊21彼此間隔排列而分別作為一正極焊盤21a、以及一負極焊盤21b。實施時，所述覆晶式LED20底部的兩個凸塊21在製作上可以配合覆晶式LED20的製造過程一體完成，例如利用蝕刻開溝、黃光、離子布植或擴散等方式，即可以讓覆晶式LED20底部一體延伸出兩個凸塊21。

該金屬基板10的表面貼合有一層絕緣膜11，該絕緣膜11的表面相對於覆晶式LED20的底部設有：一與正極焊盤21a共晶焊接的正極銅箔線路11a、一與負極焊盤21b相對應的窗口12、以及一設置在窗口12側邊與負極焊盤21b共晶焊接的負極銅箔線路11b。

該絕緣膜11設置的目的是讓金屬基板10與正極銅箔線路11a及負極銅箔線路11b之間絕緣。實施時，該絕緣膜11是由絕緣材料所構成的薄膜，並且在製作過程中以印刷電路板製作方式設置正極銅箔線路11a及負極銅箔線路11b並且切割出窗口12後，將該絕緣膜11薄膜貼合於金屬基板10上即可完成。

前述金屬基板10的表面除了設有一層絕緣膜11以外，在相對於窗口12的位置延伸有一共晶焊接部13；該共晶焊接部13頂部裸露於該窗口12，使前述覆晶式LED20底部的負極焊盤21b除了負極銅箔線路11b以外，同時共晶焊接於該共晶焊接部13上。

共晶焊接部13的製作方式有三種，其中一種如第一圖所示，是在該絕緣膜11貼合於金屬基板10表面後，於該絕緣膜的窗口12內填充金屬材料13a，使該窗口12內的金屬材料13a與金屬基板10表面共晶焊接後形成裸露於窗口12的共晶焊接部13。此外，所述共晶焊接部13與正極銅箔線路11a之間設有例如 白漆等絕緣體14，以防止短路。

第二種共晶焊接部13的製作方式如第三圖所示，是預先將金屬基板10表面上相對於窗口12的位置遮蔽，然後以腐蝕方式將被遮蔽位置以外的區域去除一固定厚度，使被遮蔽位置形成一平台13b，該平台13b突出於金屬基板10表面而形成共晶焊接部13；當絕緣膜11貼合於金屬基板10表面後，該共晶焊接部13頂面即可穿過窗口12而裸露；同樣地，共晶焊接部13與正極銅箔線路11a之間設置有防止短路的絕緣體14。

第三種共晶焊接部13的製作方式如第五圖所示，是在金屬基板10相對於窗口12的位置向上沖壓，使金屬基板10在被沖壓部位形成一向上彎折的彎折段13c，該彎折段13c略具向上的彈性，以形成由金屬基板10一體延伸的共晶焊接部13，且其頂面突出於金屬基板10表面，在絕緣膜11貼合於金屬基板10表面後穿過該窗口12而裸露；此實施例方式同樣在共晶焊接部13與正極銅箔線路11a之間設置有防止短路的絕緣體14。

如第一到第六圖所示，為了方便將覆晶式LED20的正極焊盤21a共晶焊接於正極銅箔線路11a、負極焊盤21b共晶焊接於金屬基板10的負極銅箔線路11b及共晶焊接部13上，在正極銅箔線路11a、負極銅箔線路11b、以及共晶焊接部13上，分別設有至少一焊層22；其中，共晶焊接部13上的焊層22側向延伸覆蓋到負極銅箔線路11b上，之後將覆晶式LED20與金屬基板10進行共晶焊接工序，即可讓各焊層22分別形成共晶結合層22a。

共晶焊接完成後，覆晶式LED20的正極焊盤21a與正極銅箔線路11a電連接，負極焊盤21b與金屬基板10上的共晶焊接部13及負極銅箔線路11b共晶焊接，使各部位的焊層22形成共晶結合層22a，則正極銅箔線路11a與負極銅箔線路11b分別連接正、負電源後，即可讓覆晶式LED20發光，並且通過各共晶結合層22a快速導熱。

需說明的是，正極銅箔線路11a與負極銅箔線路11b 分別連接正、負電源時，若為多顆覆晶式LED20電路並聯，可以將每一個負極銅箔線路11b都分別連接負極電源，若多顆覆晶式LED20電路串聯，則只須最末端的負極銅箔線路11b連接負極電源，即可完成電路設計，讓覆晶式LED20發光；此外，為改善串聯的缺失，可以在不造成短路漏電為原則下儘量擴大正極銅箔線路11a與負極銅箔線路11b的線路寬度，以增加散熱面積的方式來補償、改善正極銅箔線路11a及負極銅箔線路11b與金屬基板10之間絕緣膜11的高熱阻問題。

當覆晶式LED20發光時，由於正極焊盤21a與負極焊盤21b是由覆晶式LED20底部一體延伸，而該共晶焊接部13是由金屬基板10上延伸，因此可以通過前述各共晶結合層22a快速導熱，尤其是負極焊盤21b與共晶焊接部13之間的共晶結合層22a，可以在覆晶式LED20與金屬基板10之間形成一共晶結合的導熱路徑，讓覆晶式LED20發光時所產生的廢熱，能夠在覆晶式LED20底部極小的空間裡，無界面阻礙地快速傳導到金屬基板10上以供散熱。

第七到第十二圖為本發明的第四到第六實施方式示意圖，與前述實施方式不同的是，該覆晶式LED20的底部一體延伸有三個凸塊21，該三個凸塊21可以配合覆晶式LED20的製造過程一體完成，且彼此間隔排列而分別作為一正極焊盤21a、一負極焊盤21b、以及一導熱焊盤21c；圖示中，該三個凸塊21中作為正極焊盤21a與負極焊盤21b的凸塊設置在覆晶式LED20底部的兩側，而作為導熱焊盤21c的凸塊則設置在該正極焊盤21a與負極焊盤21b之間。

其次，金屬基板10上貼合有一層絕緣膜11，該絕緣膜11的表面相對於覆晶式LED20的底部設有：一與正極焊盤21a共晶焊接的正極銅箔線路11a、一與負極焊盤21b共晶焊接的負極銅箔線路11b、以及一相對於導熱焊盤21c的窗口12。

同樣的，該絕緣膜11是讓金屬基板10與正極銅箔 線路11a及負極銅箔線路11b之間絕緣，實施時，該絕緣膜11是由絕緣材料所構成的薄膜，並且在製作過程中製作正極銅箔線路11a、負極銅箔線路11b以及切割出窗口12，然後將絕緣膜11貼合於金屬基板10上即可完成。而金屬基板10在相對於窗口12的位置延伸有一共晶焊接部13裸露於窗口12，使前述覆晶式LED20底部的導熱焊盤21c能夠共晶焊接於該共晶焊接部13上。

第七到第十二圖所示的第四到第六實施方式中，共晶焊接部13的製作方式如前所述有三種，其中第一種如第七圖所示，是在絕緣膜11的窗口12內填充金屬材料13a與金屬基板10共晶焊接而形成共晶焊接部13；第二種如第九圖所示，以腐蝕方式在金屬基板10表面形成一向上凸起的平台13b，該平台13b突出於表面而形成共晶焊接部13；第三種則如第十一圖所示，在金屬基板10沖壓一向上彎折的彎折段13c，該彎折段13c即形成由金屬基板10一體延伸的共晶焊接部13。此實施例中，該共晶焊接部13與正極銅箔線路11a及負極銅箔線路11b之間分別設有例如白漆等絕緣體14，以防止短路。

如前所述，正極銅箔線路11a、負極銅箔線路11b、以及共晶焊接部13上方分別設有至少一焊層22，以方便將覆晶式LED20共晶焊接於金屬基板10的共晶焊接部13上。共晶焊接後，各焊層22分別形成共晶結合層22a，其中正極銅箔線路11a、負極銅箔線路11b分別與覆晶式LED20的正極焊盤21a、負極焊盤21b電連接，當覆晶式LED20導通電源發光時，產生的廢熱即可通過各共晶結合層22a所形成的共晶結合導熱路徑，在覆晶式LED底部極小的空間裡快速傳導到金屬基板10上以供散熱，尤其是導熱焊盤21c與共晶焊接部13之間的共晶結合層22a，讓導熱焊盤21c與共晶焊接部13之間能夠無界面阻礙地快速導熱。

第十三圖及第十四圖揭示本發明中，覆晶式LED20的另一種實施方式，其與前述覆晶式LED20的底部一體延伸一個導熱焊盤21c的實施方式不同處在於，所述的導熱焊盤21c為兩 個或者更多個間隔設置在正極焊盤21a與負極焊盤21b之間，例如圖中所示的導熱焊盤21c為兩個，間隔設置在正極焊盤21a與負極焊盤21b之間。

第十五到第二十圖為本發明的第七到第九實施方式示意圖，旨在揭示金屬基板10搭配覆晶式LED20具有如第十三圖及第十四圖所示的兩個或者更多個導熱焊盤21c時的實施方式；其中，金屬基板10的共晶焊接部13製作方式如前所述有三種，其中第一種如第十五圖及第十六圖所示，是在絕緣膜11的窗口12內填充金屬材料13a與金屬基板10共晶焊接而形成共晶焊接部13；第二種如第十七圖及第十八圖所示，以腐蝕方式在金屬基板10表面形成一向上凸起的平台13b，該平台13b突出於表面而形成共晶焊接部13；第三種則如第十九圖及第二十圖所示，在金屬基板10沖壓一向上彎折的彎折段13c，該彎折段13c即形成由金屬基板10一體延伸的共晶焊接部13。至於設置白漆等絕緣體14防止短路等結構，皆與前述實施例相同，在此不另贅述。

值得一提的是，請參閱第二十圖所示，由於第七到第九實施方式中，覆晶式LED20的導熱焊盤21c為兩個或者更多個間隔設置在正極焊盤21a與負極焊盤21b之間，使該等多個導熱焊盤21c彼此之間具有間隙，因此實施時，可以在共晶焊接部13頂部的共晶結合層22a之間、以及多個導熱焊盤21c之間的間隙位置，填充、塗佈錫漿或導熱膏22b，讓共晶焊接部13與每一個導熱焊盤21c之間除了共晶結合層22a快速導熱以外，還可以通過錫漿或導熱膏22b增加彼此之間的導熱面積。

以上實施例說明及圖式，僅係舉例說明本發明之較佳實施例，並非以此侷限本發明之範圍；舉凡與本發明之目的、構造、裝置、特徵等近似或相雷同者，均應屬本發明之專利範圍。

Claims (10)

1. 一種覆晶式LED導熱構造，包括一導熱用的金屬基板以及一共晶焊接在該金屬基板上的覆晶式LED，其中：該覆晶式LED底部一體延伸有二凸塊，該二凸塊彼此間隔排列而分別作為一正極焊盤、以及一負極焊盤；該金屬基板上貼合有一層絕緣膜，該絕緣膜表面相對於覆晶式LED的底部設有一與正極焊盤共晶焊接的正極銅箔線路、一相對於負極焊盤的窗口、以及一與負極焊盤共晶焊接的負極銅箔線路，且該金屬基板在窗口位置延伸有一共晶焊接部，該共晶焊接部頂部裸露於該窗口；以及該正極焊盤與正極銅箔線路之間、以及負極焊盤與該共晶焊接部及負極銅箔線路之間共晶焊接，進而分別在各共晶焊接位置形成共晶結合層，使覆晶式LED與金屬基板之間通過各共晶結合層而形成共晶結合的導熱路徑。
2. 如請求項1所述覆晶式LED導熱構造，其中，所述正極銅箔線路與共晶焊接部上方分別設置有一層焊層，該共晶焊接部上方的焊層側向延伸至負極銅箔線路上方，且各焊層經共晶焊接後分別形成所述的共晶接合層。
3. 如請求項1所述覆晶式LED導熱構造，其中，該共晶焊接部與正極銅箔線路之間設有絕緣體。
4. 一種覆晶式LED導熱構造，包括一導熱用的金屬基板以及一共晶焊接在該金屬基板上的覆晶式LED，其中：該覆晶式LED底部一體延伸有至少三個凸塊，該至少三個凸塊彼此間隔排列而分別作為一正極焊盤、一負極焊盤、以及至少一導熱焊盤；該金屬基板上貼合有一層絕緣膜，該絕緣膜表面相對於覆晶式LED的底部設有：一與正極焊盤共晶焊接的正極銅箔線路、一 與負極焊盤共晶焊接的負極銅箔線路、以及一相對於導熱焊盤的窗口，且該金屬基板在窗口位置延伸有一共晶焊接部；該共晶焊接部頂部裸露於該窗口，以供所述的導熱焊盤共晶焊接於該共晶焊接部上，進而使覆晶式LED底部與金屬基板之間在各共晶焊接位置分別形成一共晶結合層，其中覆晶式LED的至少一導熱焊盤與金屬基板的共晶焊接部之間通過該相對應的共晶結合層而形成一共晶結合的導熱路徑。
5. 如請求項4所述覆晶式LED導熱構造，其中，該正極焊盤與負極焊盤設置在覆晶式LED底部的兩側，該導熱焊盤設置在該正極焊盤與負極焊盤之間。
6. 如請求項5所述覆晶式LED導熱構造，其中，所述共晶焊接部、正極銅箔線路、以及負極銅箔線路上方分別設置有至少一層共晶焊接用的焊層，各焊層經共晶焊接後，分別形成所述的共晶結合層，且所述共晶焊接部與正極銅箔線路及負極銅箔線路之間分別設有絕緣體。
7. 如請求項6所述覆晶式LED導熱構造，其中，該導熱焊盤為多數個彼此間隔設置在正極焊盤與負極焊盤之間，且該共晶焊接部上的共晶結合層之間以及多個導熱焊盤之間的位置填充有錫漿或導熱膏。
8. 如請求項1至7項中任一項所述覆晶式LED導熱構造，其中，所述共晶焊接部是在該絕緣膜貼合於金屬基板表面後，於該絕緣膜的窗口內填充金屬材料，並且以共晶焊接方式使該窗口內的金屬材料與金屬基板表面共晶焊接所構成。
9. 如請求項1至7項中任一項所述覆晶式LED導熱構造，其中，所述共晶焊接部是以腐蝕方式將金屬基板表面相對於窗口位置以外的區域去除一固定厚度所形成，使該共晶焊接部頂面突出於金屬基板表面，並且在絕緣膜貼合於金屬基板表面後穿過該 窗口而裸露。
10. 如請求項1至7項中任一項所述覆晶式LED導熱構造，其中，所述共晶焊接部是在金屬基板相對於窗口的位置向上沖壓彎折所形成，使該共晶焊接部頂面突出於金屬基板表面，並且穿過該窗口而裸露。