TW201820403A - 基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理方法具備：溶劑供給步驟，其向基板之中央部供給溶劑，且使基板之旋轉速度增加。溶劑供給步驟至溶劑到達基板之周緣之時刻為止，連續對基板供給溶劑。根據此種基板處理方法，可有效地抑制顆粒之產生，且以溶劑覆蓋基板表面之全部。即，可有效地提高將溶劑供給至基板之處理品質。

Description

基板處理方法
本發明係關於一種處理基板之基板處理方法，尤其是關於向基板供給溶劑之技術。基板係半導體晶圓、光罩用之玻璃基板、液晶顯示用之玻璃基板、光碟用之基板等。
光微影製程將半導體器件之電路圖案轉印至基板上之抗蝕劑膜。光微影製程包含於基板形成抗蝕劑膜等塗膜之處理或使抗蝕劑膜顯影之處理等。 於該等處理中，將各種處理液供給至基板。處理液係例如藥液或溶劑。藥液係例如於基板形成抗蝕劑膜等塗膜之塗佈液、或使抗蝕劑膜顯影之顯影液。塗佈液係用以形成抗蝕劑膜之抗蝕劑膜材料等。溶劑係例如稀釋劑。 溶劑係使例如抗蝕劑膜材料之濡濕性提高。藉由提高抗蝕劑膜之濡濕性，可抑制抗蝕劑膜材料之消耗量(例如，參照專利文獻1、2)。或，藉由使抗蝕劑膜之濡濕性提高，可於基板上形成品質良好之抗蝕劑膜(例如，參照專利文獻3、4)。 於日本專利特開2002-134399號公報中，向靜止之基板上供給稀釋劑。於稀釋劑之供給結束後，一面將抗蝕劑膜材料供給至基板上一面立即將基板之旋轉速度增加至4000 rpm。藉此，可使溶劑及抗蝕劑膜材料於基板之表面上擴展，而於基板上形成抗蝕劑膜。 於日本專利特開2010-207788號公報中，向旋轉速度保持在0～50 rpm之基板上供給稀釋劑。於稀釋劑之供給結束後，一面供給抗蝕劑膜材料一面立即將基板之旋轉速度增加至2000～4000 rpm。藉此，使溶劑及抗蝕劑膜材料於基板之表面上擴展，而於基板上形成抗蝕劑膜。 於日本專利特開2002-175966號公報中，將稀釋劑滴落至靜止之基板上。於稀釋劑之滴落結束後，使基板旋轉而使稀釋劑於基板之表面上擴展，於基板之表面形成稀釋劑之膜。隨後，向基板上供給抗蝕劑膜材料。藉此，於基板上形成抗蝕劑膜。 於日本專利特開2012-589號公報中，向靜止之基板上供給溶劑。於溶劑之供給結束後，立即將基板之旋轉速度增加至500 rpm，使溶劑於基板之表面上擴展。隨後，將抗蝕劑膜材料供給至基板上。藉此，於基板上形成抗蝕劑膜。 溶劑之用途不限定於使抗蝕劑膜材料之濡濕性提高。作為溶劑之用途，有使抗蝕劑膜材料以外之藥液之濡濕性提高、將基板之表面設為藥液易於親和之狀態、或稀釋藥液等。又，作為溶劑之用途還有進行基板之表面改質、或提高基板之表面濡濕性等。
[發明所欲解決之問題] 近幾年來，隨著抗蝕劑圖案之細微化，以往不成為問題之微小顆粒有可能成為圖案缺陷。又，隨著檢查處理品質之精度提高，而檢測出先前忽視之顆粒。根據該等情況，於向基板供給處理液之處理中，微小顆粒之產生亦成為問題。 本發明係鑑於此種情況而完成者，目的在於提供一種可進一步提高處理品質之基板處理方法。 [解決問題之技術手段] 本發明人等認為顆粒產生之原因在於對基板供給藥液之方式。一般而言，藥液濡濕性較溶劑差(低)、或藥液與溶劑相比黏度較高。因此，與將溶劑適當地供給至基板相比，更難以將藥液適當地供給至基板。 本發明人等嘗試變更將藥液供給至基板之順序或條件。然而，無論如何變更將藥液供給至基板之順序或條件，皆無法有效地抑制顆粒之產生。 因此，發明人等在改變顆粒之產生狀況進行探討時，發現多數顆粒分佈於位於基板中央部之較小假想圓之圓周上。進而，發明人等注意到該假想圓與向基板供給溶劑時暫時形成之溶劑之積液間範圍類似。故本發明人等思考到顆粒產生之原因或許在於對基板供給溶劑之方式。 另，「溶劑之積液間」係溶劑聚集。於本說明書中，將「溶劑之積液間」適當稱為「溶劑核心」。 此外，本發明人等嘗試變更將溶劑供給至基板之順序或條件。 本發明係根據此種見解、探討及試行而獲得者，且設為如下之構成。即，本發明係一種處理基板之基板處理方法，其具備：溶劑供給步驟，其向基板之中央部供給溶劑，且使基板之旋轉速度增加，且上述溶劑供給步驟至溶劑到達基板之周緣時為止，連續對基板供給溶劑。 本發明之基板處理方法具備溶劑供給步驟。溶劑供給步驟藉由向基板之中央部供給溶劑而於基板之中央部形成溶劑的1個核心。溶劑供給步驟藉由使基板之旋轉速度增加而使溶劑核心擴展。溶劑供給步驟進而於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止之整個期間，持續向基板供給溶劑。藉此，至溶劑到達基板周緣時為止，可使溶劑核心順利地擴大。其結果，可有效地抑制顆粒之產生，且以溶劑覆蓋基板表面之全部。即，可有效地提高將溶劑供給至基板之處理品質。 另，「基板之中央部」係包含基板之旋轉中心之基板之表面部分。「基板之表面」指基板之上表面。於連續對基板供給溶劑之期間，溶劑之供給位置無須總是在基板之中央部。例如，於連續對基板供給溶劑之期間，可將溶劑之供給位置自基板之中央部移動至基板之中央部以外之部分。「使基板之旋轉速度增加」指使溶劑供給步驟結束時之基板之旋轉速度大於溶劑供給步驟開始時之基板之旋轉速度，且自溶劑供給步驟開始時至溶劑供給步驟結束時基板之旋轉速度並未減少。例如，於遍及溶劑供給步驟之整個期間連續加速基板之旋轉速度。或，溶劑供給步驟之期間可包含使基板之旋轉速度增加之期間、及將基板之旋轉速度保持固定之期間。 於上述之基板處理方法中，較佳為上述溶劑供給步驟包含：第1等速步驟，其將基板之旋轉速度保持為第1速度，且向基板供給溶劑；及第1加速步驟，其於上述第1等速步驟後，將基板之旋轉速度自上述第1速度加速為大於上述第1速度之第2速度，且連續對基板供給溶劑，且上述第1加速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。由於溶劑供給步驟包含第1等速步驟，故可於基板上良好地形成溶劑核心。由於溶劑供給步驟包含第1加速步驟，故可於溶劑到達基板之周緣前，積極地增大作用於溶劑之離心力。藉此，可順利地將溶劑核心擴大。 於上述之基板處理方法中，較佳為上述溶劑供給步驟包含：第2等速步驟，其於上述第1加速步驟後，將基板之旋轉速度保持為上述第2速度，且連續對基板供給溶劑；且上述第2等速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時為止，至少執行2次等速步驟(即第1等速步驟與第2等速步驟)。溶劑供給步驟於溶劑到達基板之周緣時為止，階段性增加基板之旋轉速度。藉此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 於上述之基板處理方法中，較佳為上述溶劑供給步驟包含：第2加速步驟，其於上述第2等速步驟後，將基板之旋轉速度自上述第2速度加速為大於上述第2速度之第3速度，且連續對基板供給溶劑，且上述第2加速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時為止，執行至少2次加速步驟(即第1加速步驟與第2加速步驟)。溶劑供給步驟至溶劑到達基板之周緣時為止，對溶劑作用2次以上之離心力而積極地增大。藉此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 上述之基板處理方法中，較佳為上述溶劑供給步驟包含：第3等速步驟，其於上述第2加速步驟後，將基板之旋轉速度保持為上述第3速度，且連續對基板供給溶劑；且上述第3等速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時為止，執行至少3次等速步驟(即第1等速步驟、第2等速步驟及第3等速步驟)。至溶劑到達基板之周緣時為止，溶劑供給步驟藉由3個以上之階段增加基板之旋轉速度。藉此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 於上述基板處理方法中，上述第1速度較佳為0 rpm以上且未達30 rpm。由於第1速度相對較小，故可進而良好地形成溶劑核心。 又，本發明係一種處理基板之基板處理方法，其具備：溶劑供給步驟，其向基板之中央部供給溶劑，且使基板之旋轉速度增加，且上述溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時為止，使基板之旋轉速度以3個以上之階段增加。 本發明之基板處理方法具備溶劑供給步驟。溶劑供給步驟藉由向基板之中央部供給溶劑，而於基板之中央部僅形成1個溶劑核心。溶劑供給步驟藉由使基板之旋轉速度增加，而使溶劑核心於基板上擴展。此處，溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時為止，通過至少3個階段增加基板之旋轉速度。藉此，至溶劑到達基板之周緣時為止，可順利地擴大溶劑核心。其結果，可有效地抑制顆粒之產生，且以溶劑覆蓋基板表面之全部。即，可有效地提高將溶劑供給至基板之處理品質。 另，「至少3個階段」係分別以互不相同之速度將基板之旋轉速度保持固定。 於上述基板處理方法中，較佳為上述溶劑供給步驟包含：第1等速步驟，其將基板之旋轉速度保持為第1速度，且向基板供給溶劑；第2等速步驟，其於上述第1等速步驟後，將基板之旋轉速度保持為大於上述第1速度之第2速度；及第3等速步驟，其於上述第2等速步驟後，將基板之旋轉速度保持為大於上述第2速度之第3速度；且上述第3等速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時之前，執行至少3次等速步驟(即第1等速步驟、第2等速步驟及第3等速步驟)。即，溶劑供給步驟至溶劑到達基板周緣時為止，藉由3個以上之階段增加基板之旋轉速度。藉此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 另，第1至第3等速步驟係上述基板處理方法所記載之「至少3個階段」之例。 於上述基板處理方法中，較佳第1速度為0 rpm以上且未達30 rpm。由於第1速度相對較小，故可於基板上進一步良好地形成溶劑核心。 又，本發明係處理基板之基板處理方法，且具備溶劑供給步驟，其向基板之中央部供給溶劑，且使基板之旋轉速度增加，且上述溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時之整個期間連續加速基板之旋轉速度。 本發明之基板處理方法具備溶劑供給步驟。溶劑供給步驟藉由向基板之中央部供給溶劑，而於基板之中央部暫時形成溶劑之1個核心。溶劑供給步驟藉由使基板之旋轉速度增加，而擴大溶劑核心。此處，溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時之整個期間，持續加速基板之旋轉速度。藉此，至溶劑到達基板之周緣時為止，可順利地擴大溶劑核心。其結果，可有效地抑制顆粒之產生，且以溶劑覆蓋基板表面之全部。即，可有效地提高將溶劑供給至基板之處理品質。 於上述基板處理方法中，較佳為上述溶劑供給步驟至溶劑到達基板周緣時為止，連續對基板供給溶劑。溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時之整個期間，連續對基板供給溶劑。藉此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 於上述基板處理方法中，較佳為溶劑到達基板周緣時之基板之旋轉速度未達1500 rpm。換言之，較佳為開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時為止，基板之旋轉速度限制在未達1500 rpm。據此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 於上述基板處理方法中，較佳為溶劑到達基板周緣時之基板之旋轉速度未達200 rpm。換言之，較佳為開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時為止，基板之旋轉速度限制在未達200 rpm。據此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 於上述基板處理方法中，較佳為上述溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板周緣時為止之期間之至少一部分，使基板之旋轉速度S字狀地加速。藉由使基板之旋轉速度S字狀地加速，可使基板之旋轉加速度緩慢變化。即，可使作用於基板上溶劑之離心力緩慢變化。藉此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 另，「使基板之旋轉速度S字狀地加速」係包含於開始加速基板之旋轉速度時，隨著時間之經過使基板之旋轉加速度增加。又，「使基板之旋轉速度S字狀地加速」係包含於結束基板之旋轉速度之加速時，隨著時間之經過使基板之旋轉加速度減少。 於上述基板處理方法中，較佳為具備藥液供給步驟，其於結束對基板供給溶劑後，向基板供給藥液。由於於將溶劑品質良好地供給至基板後執行藥液供給步驟，故亦可提高將藥液供給至基板之處理品質。 於上述基板處理方法中，較佳為具備單純旋轉步驟，其於結束對基板供給溶劑後，不向基板供給處理液，而使基板旋轉。據此，可良好地薄化形成於基板上之溶劑膜之厚度。 另，本說明書亦揭示如下之基板處理方法之發明。 (1)一種處理基板之基板處理方法， 藉由開始向基板之中央部供給溶劑，而於基板上之中央部產生溶劑核心，且 連續對基板供給溶劑，且使基板之旋轉速度緩慢增加，藉此以溶劑核心之邊緣與基板接觸之狀態擴大溶劑核心。 上述(1)所記載之基板處理方法係對基板連續供給溶劑。因此，於擴大溶劑核心時，可良好地保持溶劑核心之邊緣與基板之表面接觸之狀態。再者，上述(1)所記載之基板處理方法係使基板之旋轉速度緩慢增加。因此，於擴大溶劑核心時，可進一步良好地保持溶劑核心之邊緣與基板之表面接觸之狀態。藉此，溶劑核心可不夾帶氣泡地擴大。其結果，可有效地抑制顆粒之產生。即，可有效地提高將溶劑供給至基板之處理品質。 (2)於上述基板處理方法中，於開始向基板供給溶劑時，對基板供給溶劑之位置係基板之中央部。 根據上述(2)所記載之基板處理方法，可良好地於基板之中央部產生溶劑核心。 (3)於上述基板處理方法中，向基板供給溶劑之位置僅為基板之中央部。 根據上述(3)所記載之基板處理方法，於向基板供給溶劑時，對基板供給溶劑之位置限定於基板表面之中央部。藉此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 (4)於上述基板處理方法中，於上述第1等速步驟中開始向基板之中央部供給溶劑。 根據上述(4)所記載之基板處理方法，藉第1等速步驟，可較好地於基板上之中央部產生溶劑核心。 (5)於上述基板處理方法中，上述溶劑供給步驟包含：第3加速步驟，其係於上述第3等速步驟後，將基板之旋轉速度自上述第3速度開始加速，且連續對基板供給溶劑；且上述第3加速步驟係於溶劑到達基板之周緣前開始。 根據上述(5)所記載之基板處理方法，溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止，至少執行3次加速步驟(第1加速步驟、第2加速步驟及第3加速步驟)。溶劑供給步驟於溶劑到達基板之周緣時之前，對溶劑作用3次以上之離心力而積極地增大。藉此，可進一步順利地擴大溶劑核心。 (6)於上述基板處理方法中，上述溶劑供給步驟包含將基板之旋轉速度加速為第1速度之事前加速步驟。 根據上述(6)所記載之基板處理方法，由於溶劑供給步驟包含事前加速步驟，故可較好地準備第1等速步驟。 (7)於上述(6)所記載之基板處理方法中，第1速度係大於0 rpm且未達30 rpm。 根據上述(7)所記載之基板處理方法，由於第1速度相對較小，故可進一步良好地形成溶劑核心。 (8)於上述(6)或(7)所記載之基板處理方法中，事前加速步驟係向基板供給溶劑。 根據上述(8)所記載之基板處理方法，於事前加速步驟中可於基板上較好地形成溶劑核心。 (9)於上述(6)至上述(8)中任一項所記載之基板處理方法，其中於上述事前加速步驟中開始向基板之中央部供給溶劑。 根據上述(9)所記載之基板處理方法，事前加速步驟可於基板上之中央部較好地產生溶劑核心。 (10)於上述基板處理方法中，溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止之整個期間，連續加速基板之旋轉速度。 根據上述(10)所記載之基板處理方法，可順利地擴大溶劑核心。 (11)於上述基板處理方法中，於向基板供給溶劑時，基板之旋轉速度係0 rpm以上且未達30 rpm。 根據上述(11)所記載之基板處理方法，由於開始向基板供給溶劑時之基板之旋轉速度相對較小，故可進一步較好地於基板上產生溶劑核心。 (12)一種處理基板之基板處理方法，其具備：溶劑供給步驟，其向基板之中央部供給溶劑，且使基板之旋轉速度增加，且上述溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止，將基板之旋轉速度限制在未達200 rpm。 上述(12)所記載之基板處理方法具備溶劑供給步驟。溶劑供給步驟藉由向基板之中央部供給溶劑，而於基板之中央部暫時形成溶劑之1個核心。溶劑供給步驟藉由使基板之旋轉速度增加，而擴大溶劑核心。此處，溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止，將基板之旋轉速度限制在未達200 rpm。藉此，至溶劑到達基板之周緣時為止，可順利地擴大溶劑核心。其結果，可有效地抑制顆粒之產生，且以溶劑覆蓋基板表面之全部。即，可有效地提高將溶劑供給至基板之處理品質。 (13)於上述基板處理方法中，具備：單純旋轉步驟，其於上述溶劑供給步驟後，於不向基板供給處理液下使基板旋轉；及藥液供給步驟，其於上述單純旋轉步驟後，向基板供給藥液。 由於上述(13)所記載之基板處理方法具備單純旋轉步驟，故可較好地薄化形成於基板上之溶劑膜之厚度。又，由於基板處理方法具備藥液供給步驟，故不僅可提高將溶劑供給之基板之處理品質，亦可提高將藥液供給至基板之處理品質。 (14)於上述基板處理方法中，於結束對基板供給溶劑時，開始向基板供給藥液。 根據上述(14)所記載之基板處理方法，由於可於基板上之溶劑乾燥前向基板供給藥液，故藥液可於基板上進一步順利地擴展。因此，可較好地提高將藥液供給至基板之處理品質。
以下，參照圖式說明本發明之實施例。 圖1係顯示實施例之基板處理裝置之概略構成之圖。 基板處理裝置1向基板(例如半導體晶圓)W供給處理液。處理液係例如溶劑與藥液。藥液係例如於基板W上形成塗膜之塗佈液。塗佈液係例如抗蝕劑膜材料(以下，適當稱為「抗蝕劑」)。 基板處理裝置1具備可旋轉地保持基板W之旋轉保持部11。旋轉保持部11包含旋轉夾盤13與馬達15。旋轉夾盤13以大致水平姿勢保持基板W。更具體而言，旋轉夾盤13吸附基板W下表面之中央部。於旋轉夾盤13之下部連結有馬達15之輸出軸15a之前端。輸出軸15a朝大致鉛垂方向延伸。藉由馬達15旋轉驅動輸出軸15a，使旋轉夾盤13及基板W一體旋轉。輸出軸15a之軸心相當於基板W之旋轉中心Ra。基板W之旋轉中心Ra通過基板W上表面之中央部，且與基板W之上表面大致正交。於以下將基板W之上表面適當稱為「基板W之表面」。 基板處理裝置1具備設置於旋轉夾盤13周圍之防飛散杯17。防飛散杯17擋住並回收自基板W飛散之處理液(即，藥液或溶劑等)。 基板處理裝置1具備供給溶劑之溶劑供給部21。溶劑供給部21具備：溶劑供給源23、配管24、開閉閥25、噴嘴26、及移動機構27。溶劑供給源23貯留溶劑。溶劑供給源23與配管24之一端連通連接。開閉閥25設置於配管24上。開閉閥25開閉配管24內之溶劑流道。噴嘴26與配管24之另一端連通連接。噴嘴26噴出溶劑。移動機構27移動噴嘴26。具體而言，移動機構27於抵接於基板W之表面中央部上方之處理位置、與自基板W上方脫離之退避位置之間，移動噴嘴26。於圖1中，以實線顯示處於退避位置之噴嘴26，以虛線顯示處於處理位置之噴嘴26。 溶劑係例如親水性。溶劑與抗蝕劑相比濡濕性較高。溶劑與抗蝕劑相比黏度較低。溶劑係例如有機溶劑。溶劑係例如稀釋劑、PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate：丙二醇單甲醚乙酸酯)、乳化乙基、IPA(異丙醇)等。 基板處理裝置1具備供給抗蝕劑之抗蝕劑供給部31。抗蝕劑供給部31具備：抗蝕劑供給源33、配管34、開閉閥35、噴嘴36、及移動機構37。抗蝕劑供給源33貯留抗蝕劑。抗蝕劑供給源33與配管34之一端連通連接。開閉閥35設置於配管34上。開閉閥35開閉配管34內之抗蝕劑之流道。噴嘴36與配管34之另一端連通連接。噴嘴36噴出抗蝕劑。移動機構37移動噴嘴36。具體而言，移動機構37於抵接於基板W中央部上方之處理位置、與自基板W上方脫離之退避位置之間，移動噴嘴36。於圖1中，以實線顯示處於退避位置之噴嘴36，以虛線顯示處於處理位置之噴嘴36。 基板處理裝置1具備統括性操作上述各構成之控制部41。具體而言，控制部41控制馬達15而調整基板W之旋轉速度(旋轉數)。控制部41控制移動機構27、37而使噴嘴26、36移動。控制部41控制開閉閥25、35而切換溶劑及抗蝕劑之供給、停止。 控制部41具有預先設定用以處理基板W之處理條件之處理製程等。處理條件係例如關於基板W之旋轉速度與時間之關係、基板W之旋轉加速度與時間之關係、及處理液之供給與時間之關係的資訊等。控制部41藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU：Central Processing Unit)、或成為運算處理之作業區域之RAM(Random-Access Memory：隨機存取記憶體)、或記憶各種資訊之固定磁碟等記憶媒體等而加以實現。 接著，對藉由實施例之基板處理裝置1進行之複數個基板處理方法(處理例)進行說明。 [處理例1] 圖2係顯示處理例1之順序之流程圖。處理例1包含：溶劑供給步驟(步驟S1)、單純旋轉步驟(步驟S2)、及藥液供給步驟(步驟S3)。處理例1首先進行溶劑供給步驟。處理例1於溶劑供給步驟後進行單純旋轉步驟。處理例1於單純旋轉步驟後進行藥液供給步驟。溶劑供給步驟向基板W供給溶劑。溶劑供給步驟進而包含6個步驟(步驟S1a-S1f)。單純旋轉步驟不向基板W供給處理液而單純使基板W旋轉。藥液供給步驟向基板W供給抗蝕劑。溶劑供給步驟亦被稱為「預濕」。 圖3係顯示處理例1之順序之時序圖。參照圖3，詳細地說明上述各步驟。另，於以下之說明中，基板W大致水平地保持於旋轉保持部11。基板W之旋轉速度係零(0 rpm)，故基板W靜止。噴嘴26、36處於退避位置，開閉閥25、35關閉。 ＜步驟S1＞ 溶劑供給步驟依序進行6個步驟(步驟S1a-S1f)。以下，說明各步驟。 ＜步驟S1a＞事前加速步驟(時刻t1-t2) 控制部41控制馬達15，於時刻t1-t2之期間將基板W之旋轉速度自0 rpm增加至第1速度V1。 第1速度V1較佳為大於0 rpm且未達30 rpm。 第1速度V1係例如10 rpm。時刻t1-t2之期間係例如0.1 sec。時刻t1-t2期間之基板W之旋轉加速度係例如固定。時刻t1-t2期間之基板W之旋轉加速度係例如100 rpm/sec。換言之，事前加速步驟係以100 rpm/sec之旋轉加速度於0.1 sec之期間，加速基板W之旋轉速度。藉此，基板W之旋轉速度自0 rpm增加至10 rpm。 ＜步驟S1b＞第1等速步驟(時刻t2-t4) 控制部41驅動馬達15，於時刻t2至時刻t4，將基板W之旋轉速度保持為第1速度V1。控制部41驅動移動機構27，使噴嘴26自退避位置移動至處理位置。控制部41開放開閉閥25，使溶劑自噴嘴26噴出。藉此，於時刻t3開始向基板W之表面中央部供給溶劑。 時刻t2-t4之期間係例如2 sec。 圖4A係顯示第1等速步驟之基板W上之溶劑之俯視圖。更具體而言，圖4A係顯示剛向基板W供給溶劑後之基板W上之溶劑之俯視圖。如圖示般，於第1等速步驟中，於基板W之中央部產生溶劑A之1個液積存。此處，溶劑A之液積存係溶劑A之聚集。於以下，將溶劑A之液積存適當稱為「溶劑A之核心」。溶劑A之核心具有俯視時圓形狀。溶劑A之核心之大小小於基板W之表面。於第1等速步驟中，溶劑A尚未到達基板W之周緣E。 於第1等速步驟中由於基板W旋轉，故離心力F作用於溶劑A之核心。離心力F朝遠離旋轉中心Ra之方向作用。藉由離心力F，溶劑A之核心均等地擴大。更具體而言，溶劑A之核心之邊緣e朝基板W之周緣E之全部擴展。藉此，溶劑A之核心於俯視時保持圓形狀。 ＜步驟S1c＞第1加速步驟(時刻t4-t5) 第1加速步驟於時刻t4-t5之期間將基板W之旋轉速度自第1速度V1加速為大於第1速度V1之第2速度V2。再者，第1加速步驟持續向基板W之中央部供給溶劑A。 第2速度V2較佳為未達1500 rpm。第2速度V2更佳為未達200 rpm。 第2速度V2係例如30 rpm。時刻t4-t5之期間係例如0.5 sec。時刻t4-t5期間之基板W之旋轉加速度係例如固定。時刻t4-t5之期間之基板W之旋轉加速度係例如40 rpm/sec。 於第1加速步驟中，由於基板W之旋轉速度增加，故作用於溶劑A之核心之離心力F增大。溶劑A之核心因離心力F之增大而積極擴大。又，以離心力F之增大為契機，溶劑A之核心對於基板W之流動性提高，溶劑A之核心順利擴大。再者，於第1加速步驟中，由於連續對基板W供給溶劑A，故溶劑A之核心進一步順利擴大。於第1加速步驟中，溶劑A之核心亦均等擴大，且溶劑A之核心之形狀保持為圓形狀。 ＜步驟S1d＞第2等速步驟(t5-t6) 第2等速步驟於時刻t5至時刻t6整個期間，將基板W之旋轉速度保持為第2速度V2。第2等速步驟於時刻t5至時刻t6整個期間，連續對基板W供給溶劑A。 時刻t5-t6之期間係例如3 sec。 圖4B係顯示第2等速步驟之基板W上之溶劑A之俯視圖。溶劑A之核心於第2等速步驟中大於第1等速步驟中。如此，溶劑A之核心隨著時間之經過而變大。然而，於第2等速步驟中，溶劑A之核心尚未到達基板W之周緣E。第2速度V2大於第1速度V1。因此，於第2等速步驟中，大於第1等速步驟之離心力F作用於溶劑A之核心。於第2等速步驟中，溶劑A之核心均等擴大，且溶劑A之核心於俯視時保持為圓形狀。 ＜步驟S1e＞第2加速步驟(時刻t6-t7) 第2加速步驟於時刻t6-t7之期間將基板W之旋轉速度自第2速度V2加速為大於第2速度V2之第3速度V3。第2加速步驟持續向基板W之中央部供給溶劑A。 第3速度V3較佳為未達1500 rpm。第3速度V3更佳為未達200 rpm。 第3速度V3係例如100 rpm。時刻t6-t7之期間係例如1.0 sec。時刻t6-t7期間之基板W之旋轉加速度係例如固定。時刻t6-t7之期間之基板W之旋轉加速度係例如70 rpm/sec。 離心力F於第2加速步驟中較第2等速步驟增大。藉此，溶劑A之核心再次積極且順利地擴大。再者，於第2加速步驟中，連續對基板W供給溶劑A。藉此，溶劑A之核心進一步順利擴大。溶劑A之核心均等擴大。溶劑A之核心於俯視時保持為圓形狀。 ＜步驟S1f＞第3等速步驟(t7-t9) 第3等速步驟於時刻t7至時刻t9整個期間，將基板W之旋轉速度保持為第3速度V3。第3等速步驟於時刻t7至時刻t9整個期間，連續對基板W供給溶劑A。於第3等速步驟之執行中，溶劑A於時刻t8到達基板W之周緣E。具體而言，溶劑A之核心之邊緣e到達基板W之周緣E。 時刻t7-t9之期間係例如4 sec。 圖4C係顯示第3等速步驟之基板W上之溶劑A之俯視圖。更具體而言，圖4C係顯示溶劑A到達基板W之周緣E後之基板W上之溶劑A的俯視圖。如圖示般，溶劑A覆蓋基板W表面之全部。於基板W上形成溶劑A之膜。 於溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8以後，基板W上之溶劑A自基板W之周緣E被甩開，而飛散至基板W之周圍。飛散之溶劑A藉由防飛散杯17回收。 於時刻t9，停止對基板W供給溶劑A。隨後，控制部41驅動移動機構27，使噴嘴26自處理位置移動至退避位置。藉此，第3等速步驟結束。 藉由第3等速步驟之結束，溶劑供給步驟結束。 ＜步驟S2＞單純旋轉步驟(t9-t10) 單純旋轉步驟係不向基板W供給處理液而使基板W旋轉。更具體而言，單純旋轉步驟於時刻t9-t10整個期間，將基板W之旋轉速度保持為第3速度V3。基板W上之溶劑A之大部分被甩至基板W外。基板W上之溶劑A之膜變薄。 ＜步驟S3＞藥液供給步驟(t10-t15) 控制部41驅動移動機構37，使噴嘴36自退避位置移動至處理位置，並開放開閉閥35而使抗蝕劑自噴嘴36噴出。藉此，於時刻t10，開始向基板W供給抗蝕劑。連續對基板W供給抗蝕劑直至時刻t15。於向基板W供給抗蝕劑之時刻t10-t15之期間，控制部41使基板W之旋轉速度增減。 具體而言，於時刻t10-t11之期間，基板W之旋轉速度保持為第3速度V3。於時刻t11-t12之期間，將基板W之旋轉加速度自第3速度V3增加至大於第3速度V3之速度VR。於時刻t12-t13之期間，基板W之旋轉加速度保持為速度VR。於時刻t13-t14之期間，基板W之旋轉加速度自速度VR減少至零。於時刻t14-t15之期間，基板W之旋轉加速度保持為零。 於時刻t15結束對基板W供給抗蝕劑。藉由此種藥液供給步驟，於基板W之表面形成抗蝕劑膜。 關於處理例1之順序係如上所述。 接著，於例示比較例後，關於將溶劑A供給至基板W之處理品質，將處理例1與比較例進行比較。 圖5係顯示比較例之基板處理方法之順序之時序圖。比較例1於時刻ta-tc整個期間，將基板W之旋轉速度保持為特定之低速度VL。低速度VL係例如零。再者，自時刻ta開始將溶劑A供給至基板W。藉此，於基板W上產生溶劑A之核心。於時刻tb，結束對基板W供給溶劑A。 於時刻tc-td，將基板W之旋轉速度自低速度VL立即增加至高速度VH。高速度VH相對較高。高速度VH係例如數百～數千rpm。於時刻td以後，將基板W之旋轉速度保持為高速度VH。溶劑A於時刻tc以後到達基板W之周緣E。 圖6係對以處理例1之順序進行供給溶劑之處理的基板W測定顆粒的結果。具體而言，係對處理例1中之僅進行溶劑供給步驟與單純旋轉步驟，而未進行藥液供給步驟之基板W測定顆粒之結果。圖7係對以比較例之順序進行供給溶劑之處理之基板W測定顆粒的結果。圖6、圖7係顯示分別於基板W之俯視圖中檢測出顆粒之位置。 於處理例1中，檢測出35個顆粒B。相對於此，於比較例中，檢測出120個顆粒B。如此，於處理例1之將溶劑A供給至基板W之處理中，將顆粒B之數量抑制在比較例之3分之1以下。 關於顆粒B之產生，發明人等作出如下之推測。 圖8A-8E係分別模式性顯示比較例之基板W上之溶劑A之舉動的圖。圖8A-8E係基板W之局部垂直剖視圖。 於比較例中，首先，於基板W上產生溶劑A之核心(參照圖8A)。接著，將基板W之旋轉速度自低速度VL增加至高速度VH。於基板W之旋轉速度增加時，溶劑A之核心之擴大未能順利地進行。更具體而言，於基板W之旋轉速度增加時，溶劑A之核心之邊緣e之形狀混亂(參照圖8B、8C)。例如，溶劑A之核心之邊緣e自基板W之表面上浮。例如，溶劑A之核心之邊緣e變為鋸齒形狀。由於邊緣e以混亂之形狀延伸，故溶劑A之核心夾帶氣泡b(參照圖8D)。夾帶之氣泡b留存在基板W上。溶劑A向基板W之周緣E於基板W上流動，但夾帶之氣泡b不與溶劑A一起流動。於將溶劑A之膜薄膜化後、或溶劑A乾燥後，氣泡b之痕跡成為顆粒B(參照圖8E)。 邊緣e之形狀混亂之原因可認為有若干種。 第1原因在於將基板W之旋轉速度立即增加至高速度VH。於圖5所示之時刻tc後，離心力馬上急遽增大。溶劑A之核心突然受到相對較大之離心力。藉此，溶劑A之核心之邊緣e之形狀混亂。 第2原因在於於溶劑A之核心擴大時，不對基板W進行溶劑A之供給。未連續對基板W供給溶劑A。因此，隨著溶劑A之核心擴大，溶劑A之核心之厚度變薄。隨著溶劑A之核心擴大，溶劑A之核心之邊緣e於基板W上難以順利延伸。因此，溶劑A之核心之邊緣e之形狀混亂。 參照圖7。於比較例中，較多之顆粒B分佈於位於基板W中央部之假想圓C上。其係意指於基板W之旋轉速度剛開始增加後(即，緊接於時刻tc後)，溶劑A之核心之邊緣e之形狀混亂，且溶劑A之核心夾帶大量氣泡b。 圖9A-9D係分別模式性顯示處理例1之基板W上之溶劑A之舉動的圖。圖9A-9D係基板W之局部垂直剖視圖。 於處理例1中，首先，於基板W上形成溶劑A之核心(參照圖9A)。隨後，階段性增加基板W之旋轉速度。溶劑A之核心擴大。此時，溶劑A之核心之擴大順利地進行。更具體而言，溶劑A之核心之邊緣e之形狀不易變亂(參照圖9B)。換言之，邊緣e保持為如與基板W之表面接觸之形狀。因此，溶劑A之核心不夾帶氣泡而擴大。故而，即便於溶劑A覆蓋基板W之表面後，於基板W上亦幾乎不存在氣泡(參照圖9C)。其結果，於將溶劑A之膜薄膜化後、或溶劑A乾燥後，不易產生因氣泡所致之顆粒B(參照圖9D)。 另，於本說明書中，「溶劑A之核心順利擴大」與以溶劑A之核心之邊緣e與基板W接觸之狀態，溶劑A之核心之邊緣e沿著基板W延伸同義。 若滿足以下所示例示之3個條件之至少任一者，則可將溶劑A之核心順利地擴大。另，由於處理例1滿足所有3個條件，故可將溶劑A之核心極其順利地擴大。 第1條件係於溶劑A之核心擴大時，連續對基板W供給溶劑A。於處理例1中，於開始向基板W供給溶劑時至溶劑A到達基板W之周緣E時，連續對基板W供給溶劑A。因此，於溶劑A之核心擴大時，溶劑A之核心之邊緣e沿著基板W之表面順利延伸。即，溶劑A之核心順利擴大。 第2條件係於溶劑A之核心擴大時，基板W之旋轉速度緩慢增加。於處理例1中，基板W之旋轉速度階段性地自第1速度V1向第2速度V2，自第2速度V2向第3速度V3增加。由於基板W之旋轉速度逐漸增加，故離心力緩慢增大。因此，溶劑A之核心之邊緣e之形狀不易因離心力而混亂。 第3條件係於溶劑A之核心擴大時，基板W之旋轉速度相對較低。於處理例1中，於開始向基板W供給溶劑A時至溶劑A到達基板W之周緣E時為止，基板W之旋轉速度限制在第3速度V3(即100 rpm)以下。因此，可良好地控制溶劑A之核心之邊緣e之形狀因離心力而混亂。 溶劑A之核心之順利擴大與溶劑A之核心之均等擴大之間存在一定的關聯。換言之，溶劑A之核心之邊緣e之微觀形狀、與溶劑A之核心之宏觀形狀存在一定之相關關係。 例如，若溶劑A之核心之邊緣e之形狀不混亂，則可以說俯視時溶劑A之核心保持為圓形狀。例如，若俯視時溶劑A之核心保持為圓形狀，則可以說溶劑A之核心之邊緣e之形狀不混亂。例如，於溶劑A之核心具有朝基板W之周緣E之局部細長地延伸之部分(亦稱為「鬚」或「纖絲」)之情形時，可以說溶劑A之核心之邊緣e之形狀混亂。 因此，將俯視時溶劑A之核心保持為圓形狀成為溶劑供給步驟之目標或標準。 關於顆粒B產生之推測係如上所述。 ＜處理例1之效果＞ 根據處理例1可發揮以下效果。 溶劑供給步驟藉由向基板W之中央部供給溶劑A，而於基板W之中央部暫時形成溶劑A之1個核心。溶劑供給步驟藉由使基板W之旋轉速度增加，而將溶劑A之核心朝基板W之周緣E擴大。溶劑供給步驟進而於開始向基板W供給溶劑A之時刻t3至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8之整個期間，連續向基板W供給溶劑A。藉此，於溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8為止，溶劑A之核心順利擴大。其結果，可有效地抑制顆粒B之產生，且以溶劑A覆蓋基板W之表面之全部。即，可有效地提高將溶劑A供給至基板W之處理品質。 由於溶劑供給步驟包含第1等速步驟，故可較好地於基板W上形成溶劑A之核心。 第1等速步驟之第1速度V1係大於0 rpm且未達30 rpm，相對較小。因此，可進一步較好地形成溶劑A之核心。 於第1等速步驟中開始向基板W之中央部供給溶劑A。因此，溶劑A之核心可較好地形成於基板W上之中央部。 溶劑供給步驟係除了第1等速步驟以外，亦包含第2、第3等速步驟，且於開始向基板W供給溶劑A之時刻t3至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8之間，藉由3個階段增加基板W之旋轉速度。藉此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 由於溶劑供給步驟包含第1加速步驟，故於溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8之前，可積極地增大作用於溶劑A之離心力F。藉此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 溶劑供給步驟除了第1加速步驟以外亦包含第2加速步驟。因此，於溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8之前，可複數次(2次)積極地增大作用於溶劑A之離心力。藉此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8之基板W之旋轉速度係第3速度V3。第3速度V3未達1500 rm，相對較小。因此，可將溶劑A之核心順利擴大。再者，第3速度V3未達200 rpm，更小。因此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 於開始向基板W供給溶劑A之時刻t3至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8整個期間，基板W之旋轉速度限制在第3速度V3以下。由於第3速度V3相對較小，故溶劑A之核心可進一步順利擴大。 時間上先後進行之2個等速步驟間之基板W之旋轉速度之差係100 rpm以下。例如，第1速度V1與第2速度V2之差係20 rpm。例如，第2速度V2與第3速度V3之差係70 rpm。如此，基板W之旋轉速度緩慢增加。因此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 於開始向基板W供給溶劑A之時刻t3至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t8之間，對基板W供給溶劑A之位置始終為基板W之表面中央部。因此，溶劑A之核心進一步順利擴大。 由於溶劑供給步驟包含事前加速步驟，故可較好地準備第1等速步驟。 由於基板處理方法具備單純旋轉步驟，故可較好地將形成於基板W上之溶劑A之膜之厚度薄化。 由於基板處理方法具備藥液供給步驟，故亦可較好地提高將抗蝕劑供給至基板W之處理品質。 [處理例2] 接著，說明處理例2。圖10係顯示處理例2之順序之流程圖。另，關於與處理例1相同之步驟，標註相同符號而簡略地進行說明。 處理例2包含溶劑供給步驟(步驟S1)與藥液供給步驟(步驟S3)。處理例2首先進行溶劑供給步驟。處理例2於溶劑供給步驟後進行藥液供給步驟。處理例2不包含單純旋轉步驟。處理例2之溶劑供給步驟包含6個步驟(步驟S1a-S1f)。 圖11係顯示處理例2之順序之時序圖。參照圖11詳細地說明上述各步驟。 ＜步驟S1a＞事前加速步驟(時刻t21-t22) 事前加速步驟於時刻t21-t22之期間將基板W之旋轉速度自0 rpm增加至第1速度V1。 第1速度V1係例如20 rpm。時刻t21-t22之期間係例如0.1 sec。時刻t21-t22期間之基板W之旋轉加速度係例如200 rpm/sec。 ＜步驟S1b＞第1等速步驟(時刻t22-t24) 第1等速步驟於時刻t22至時刻t24，將基板W之旋轉速度保持為第1速度V1。第1等速步驟自時刻t23起開始向基板W供給溶劑A。 時刻t22-t24之期間係例如3 sec。 ＜步驟S1c＞第1加速步驟(時刻t24-t25) 第1加速步驟於時刻t24-t25之期間將基板W之旋轉速度自第1速度V1加速為第2速度V2。第1加速步驟連續對基板W供給溶劑A。 第2速度V2係例如50 rpm。時刻t24-t25之期間係例如0.5 sec。時刻t24-t25期間之基板W之旋轉加速度係例如60 rpm/sec。 ＜步驟S1d＞第2等速步驟(t25-t26) 第2等速步驟於時刻t25至時刻t26，將基板W之旋轉速度保持為第2速度V2。第2等速步驟於時刻t25至時刻t26，連續對基板W供給溶劑A。 時刻t25-t26之期間係例如3 sec。 ＜步驟S1e＞第2加速步驟(時刻t26-t27) 第2加速步驟於時刻t26-t27之期間將基板W之旋轉速度自第2速度V2加速為第3速度V3。第2加速步驟連續對基板W供給溶劑A。 第3速度V3係例如100 rpm。時刻t26-t27之期間係例如1.0 sec。時刻t26-t27期間之基板W之旋轉加速度係例如50 rpm/sec。 ＜步驟S1f＞第3等速步驟(t27-t29) 第3等速步驟於時刻t27至時刻t29，將基板W之旋轉速度保持為第3速度V3。第3等速步驟於時刻t27至時刻t29，連續對基板W供給溶劑A。於第3等速步驟之執行中，溶劑A於時刻t28到達基板W之周緣E。 時刻t27-t29之期間係例如3 sec。 於時刻t29，停止對基板W供給溶劑A。隨後，第3等速步驟結束，且溶劑供給步驟結束。 ＜步驟S3＞藥液供給步驟(t29以後) 藥液供給步驟自時刻29起開始將抗蝕劑供給至基板W。即，於停止對基板W供給溶劑A時，開始對基板W供給抗蝕劑。藥液供給步驟於時刻t29以後，一面改變基板W之旋轉速度一面向基板W供給抗蝕劑。 ＜處理例2之效果＞ 根據處理例2亦可發揮如與處理例1相同之效果。例如，根據處理例2，可有效地提高將溶劑A供給至基板W之處理品質。 再者，處理例2於結束溶劑供給步驟時開始藥液供給步驟。換言之，處理例2於結束對基板W供給溶劑A之時刻t29，開始向基板W供給抗蝕劑。由於於溶劑A乾燥之前將抗蝕劑供給至溶劑A上，故抗蝕劑於基板W上進一步順利擴展。藉此，可有效地提高將抗蝕劑供給至基板W之處理(即於基板W上形成抗蝕劑膜之處理)品質。 [處理例3] 接著，說明處理例3。圖12係顯示處理例3之順序之流程圖。另，關於與處理例1相同之步驟，標註相同符號而簡略地進行說明。 處理例3包含溶劑供給步驟(步驟S1)、單純旋轉步驟(步驟S2)、及藥液供給步驟(步驟S3)。處理例3之溶劑供給步驟(步驟S1)之內容與處理例1之溶劑供給步驟不同。處理例3之溶劑供給步驟包含7個步驟(步驟S1b-S1h)。 圖13係顯示處理例3之順序之時序圖。參照圖13詳細地說明溶劑供給步驟。另，單純旋轉步驟與藥液供給步驟由於與處理例1大致同樣，故省略其說明。 ＜步驟S1b＞第1等速步驟(時刻t30-t32) 第1等速步驟於時刻t30至時刻t32，將基板W之旋轉速度保持為第1速度V1。第1等速步驟自時刻t31起開始向基板W供給溶劑A。 第1速度V1係例如零。時刻t30-t32之期間係例如2 sec。 ＜步驟S1c＞第1加速步驟(時刻t32-t33) 第1加速步驟於時刻t32-t33之期間將基板W之旋轉速度自第1速度V1加速為第2速度V2。第1加速步驟連續對基板W供給溶劑A。 第2速度V2係例如10 rpm。時刻t32-t33之期間係例如0.1 sec。時刻t32-t33期間之基板W之旋轉加速度係例如100 rpm/sec。 ＜步驟S1d＞第2等速步驟(t33-t34) 第2等速步驟於時刻t33至時刻34，將基板W之旋轉速度保持為第2速度V2。第2等速步驟於時刻t33至時刻t34，連續對基板W供給溶劑A。 時刻t33-t34之期間係例如2 sec。 ＜步驟S1e＞第2加速步驟(時刻t34-t35) 第2加速步驟於時刻t34-t35之期間將基板W之旋轉速度自第2速度V2加速為第3速度V3。第2加速步驟連續對基板W供給溶劑A。 第3速度V3係例如30 rpm。時刻t35-t36之期間係例如0.5 sec。時刻t34-t35期間之基板W之旋轉加速度係例如40 rpm/sec。 ＜步驟S1f＞第3等速步驟(t35-t36) 第3等速步驟於時刻t35至時刻t36，將基板W之旋轉速度保持為第3速度V3。第3等速步驟於時刻t35至時刻36，連續對基板W供給溶劑A。 時刻t35-t36之期間係例如2 sec。 ＜步驟S1g＞第3加速步驟(t36-t37) 第3加速步驟於時刻t36-t37之期間，將基板W之旋轉速度自第3速度V3加速為第4速度V4。第3加速步驟連續對基板W供給溶劑A。 第4速度V4係例如100 rpm。時刻t36-t37之期間係例如1.0 sec。時刻t36-t37期間之基板W之旋轉加速度係例如70 rpm/sec。 ＜步驟S1h＞第4等速步驟(t37-t39) 第4等速步驟於時刻t37至時刻t39，將基板W之旋轉速度保持為第4速度V4，並連續對基板W供給溶劑A。於第4等速步驟之執行中，溶劑A於時刻t38到達基板W之周緣E。 時刻t37-t39之期間係例如4 sec。 於第4等速步驟結束時即時刻t39，停止對基板W供給溶劑A。藉此，第4等速步驟結束，且溶劑供給步驟結束。 ＜處理例3之效果＞ 根據處理例3亦可發揮如與處理例1相同之效果。例如，根據處理例3，可有效地提高將溶劑A供給至基板W之處理品質。 再者，根據處理例3，由於第1等速步驟之第1速度V1係零，故第1等速步驟開始向靜止之基板W供給溶劑A。藉此，可於基板W上較好地形成溶劑A之核心。 溶劑供給步驟於開始向基板W供給溶劑A之時刻t31至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t38，執行4個等速步驟(即，第1-第4等速步驟)。即，溶劑供給步驟藉由4個階段增加基板W之旋轉速度。因此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 [處理例4] 接著，說明處理例4。圖14係顯示處理例4之順序之流程圖。另，關於與處理例1相同之步驟，標註相同符號而簡略地進行說明。 如圖示般，處理例4包含溶劑供給步驟(步驟S1)與單純旋轉步驟(步驟S2)。處理例4不包含藥液供給步驟。處理例4之溶劑供給步驟之內容與處理例1之溶劑供給步驟不同。處理例4之溶劑供給步驟包含2個步驟(步驟S1b、S1c)。 圖15係顯示處理例4之順序之時序圖。參照圖15進一步詳細地說明溶劑供給步驟。另，單純旋轉步驟由於與處理例1大致同樣，故省略其說明。 ＜步驟S1b＞第1等速步驟(時刻t41-t43) 第1等速步驟於時刻t41至時刻t43，將基板W之旋轉速度保持為第1速度V1。第1等速步驟自時刻t42起開始向基板W供給溶劑A。 第1速度V1較佳為例如0 rpm以上且未達30 rpm。 ＜步驟S1c＞第1加速步驟(時刻t43-t46) 第1加速步驟於時刻t43-t46之期間將基板W之旋轉速度自第1速度V1加速。時刻t43-t46之基板W之旋轉加速度固定。第1加速步驟於時刻t44為止連續對基板W供給溶劑A。第1加速步驟於時刻t44結束溶劑A之供給。溶劑A於時刻t45到達基板W之周緣E。於結束溶劑A之供給後，溶劑A到達基板W之周緣E。 溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t45之基板W之旋轉速度VE較佳為未達1500 rpm。旋轉速度VE更佳為未達200 rpm。 ＜處理例4之效果＞ 根據處理例4可發揮以下效果。於開始向基板W供給溶劑A之時刻t42至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t45，基板W之旋轉速度緩慢增加。藉此，溶劑A之核心可順利擴大。因此，可有效地提高將溶劑A供給至基板W之處理品質。 溶劑A到達基板W之周緣E時之基板W之旋轉速度VE相對較低。即，於開始向基板W供給溶劑A之時刻t42至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t45，基板W之旋轉速度限制在相對較低之範圍。藉此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 第1加速步驟係於開始向基板W供給溶劑A後進行之最初之加速步驟。至該第1加速步驟開始時(更具體而言係第1加速步驟中開始加速基板W之旋轉速度時)為止，連續供給溶劑A。因此，至少於溶劑A之核心開始擴大之初期階段，溶劑A之核心可順利擴大。 [處理例5] 接著，說明處理例5。圖16係顯示處理例5之順序之流程圖。另，關於與處理例1相同之步驟，標註相同符號而簡略地進行說明。 如圖示般，處理例5包含溶劑供給步驟(步驟S1)。處理例5不包含單純旋轉步驟與藥液供給步驟。處理例5之溶劑供給步驟之內容與處理例1之溶劑供給步驟不同。處理例5之溶劑供給步驟包含1個步驟(步驟S1i)。 圖17係顯示處理例5之順序之時序圖。參照圖17進一步詳細地說明溶劑供給步驟。 ＜步驟S1i＞加速步驟(t51-t53) 加速步驟於時刻t51至時刻t53整個期間，將基板W之旋轉速度加速。加速步驟自時刻t51起開始向基板W供給溶劑A。加速步驟至時刻t53為止，連續對基板W供給溶劑A。加速步驟於時刻t53結束對基板W供給溶劑A。於加速步驟之執行中，溶劑A於時刻t52到達基板W之周緣E。 開始向基板W供給溶劑A之時刻t51之基板W之旋轉速度VS較佳為0 rpm以上且未達30 rpm。溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t52之基板W之旋轉速度VE較佳為未達1500 rpm。旋轉速度VE更佳為未達200 rpm。較佳為於時刻t51至時刻t53，基板W之旋轉加速度固定。 ＜處理例5之效果＞ 根據處理例5可發揮以下效果。 溶劑供給步驟於溶劑A之核心擴大時，基板W之旋轉速度緩慢增加。具體而言，於開始向基板W供給溶劑A之時刻t51至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t52，連續加速基板W之旋轉速度。藉此，溶劑A之核心可順利擴大。因此，可有效地提高將溶劑A供給至基板W之處理品質。 溶劑供給步驟於溶劑A之核心擴大時，連續對基板W供給溶劑A。具體而言，於開始向基板W供給溶劑之時刻t51至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t52為止，連續對基板W供給溶劑A。藉此，溶劑A之核心可順利擴大。 溶劑A到達基板W之周緣E時之基板W之旋轉速度VE相對較低。即，於開始向基板W供給溶劑A之時刻t51至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t52，基板W之旋轉速度限制在相對較低之範圍。藉此，溶劑A之核心可順利地進一步擴大。 於開始向基板W供給溶劑A之時刻t51至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t52，基板W之旋轉加速度固定。藉此，基板W之旋轉速度以一定之比例連續增加。因此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 [處理例6] 接著，說明處理例6。圖18係顯示處理例6之順序之流程圖。另，關於與處理例1相同之步驟，標註相同符號而簡略地進行說明。 如圖示般，處理例6包含溶劑供給步驟(步驟S1)。處理例6不包含單純旋轉步驟與藥液供給步驟。處理例6之溶劑供給步驟之內容與處理例1之溶劑供給步驟不同。處理例6之溶劑供給步驟包含1個步驟(步驟S1j)。 圖19係顯示處理例6之順序之時序圖。參照圖19進一步詳細地說明溶劑供給步驟。 ＜步驟S1j＞加速步驟(t61-t67) 加速步驟自時刻t61起開始加速基板W之旋轉速度。加速步驟於時刻t67結束基板W之旋轉速度之加速。 此處，於開始加速基板W之旋轉速度時，加速步驟以S字狀地加速基板W之旋轉速度。更具體而言，於時刻t61至時刻t63，加速步驟係隨著時間之經過而使每單位時間之基板W之旋轉加速度增加。藉此，於開始加速基板W之旋轉速度時，基板W之旋轉加速度緩慢增大。於以下，將隨著時間之經過而使每單位時間之基板W之旋轉加速度增加稱為「第1S字加速驅動」。 再者，於結束基板W之旋轉速度之加速時，加速步驟係S字狀地加速基板W之旋轉速度。更具體而言，於時刻t64至時刻t67，加速步驟係隨著時間之經過使每單位時間之基板W之旋轉加速度減少至零。藉此，於結束基板W之旋轉速度之加速時，基板W之旋轉加速度緩慢減小。於以下，將隨著時間之經過而使每單位時間之基板W之旋轉加速度減少稱為「第2S字加速驅動」。 於結束第1S字加速驅動後至開始第2S字加速驅動，加速步驟將基板W之旋轉加速度保持為固定。更具體而言，於時刻t63至時刻t64整個期間，加速步驟使基板W之旋轉速度以一定之加速度增加。於以下，將使基板W之旋轉速度以一定之加速度增加稱為「定加速驅動」。 定加速驅動之基板W之旋轉加速度較佳與第1S字加速驅動結束時之基板W之旋轉加速度相等。定加速驅動之基板W之旋轉加速度較佳與第2S字加速驅動開始時之基板W之旋轉加速度相等。 加速步驟於時刻t62至時刻t65整個期間，向基板W供給溶劑A。 加速步驟於時刻t62開始將溶劑A供給至基板W。即，於進行第1S字加速驅動時開始將溶劑A供給至基板W。 加速步驟於時刻t65停止對基板W供給溶劑A。即，加速步驟於進行第2S字加速驅動時停止對基板W供給溶劑A。 溶劑A於第2S字加速驅動進行之時刻t66到達基板W之周緣E。如此，加速步驟於溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t66為止，連續基板W之旋轉速度之加速。惟，溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t66係對基板W供給溶劑A結束之時刻t65之後。 於時刻t67，加速步驟結束，且溶劑供給步驟結束。 ＜處理例6之效果＞ 根據處理例6可發揮以下效果。 溶劑供給步驟於開始向基板W供給溶劑A之時刻t62至溶劑A到達基板W之周緣E之時刻t66之期間之至少一部分，使基板W之旋轉速度S字狀地加速。藉此，於溶劑A之核心擴大時，基板W之旋轉速度極其緩慢地增加。因此，溶劑A之核心可極其順利地擴大。 溶劑供給步驟於時刻t61至時刻t63之期間，進行第1S字加速驅動。藉此，可隨著時間之經過而使基板W之旋轉速度緩慢增加。再者，於進行第1S字加速驅動時，開始向基板W供給溶劑A。因此，可於基板W上進一步較佳地形成溶劑A之核心。 溶劑供給步驟於時刻t64至時刻t66之期間，進行第2S字加速驅動。藉此，可隨著時間之經過而使基板W之旋轉速度緩慢減小。 第1S字加速驅動結束時之基板W之旋轉加速度與定加速驅動之基板W之旋轉加速度相等。因此，於自第1S字加速驅動移行至定加速驅動之時刻t63，基板W之旋轉加速度不會急遽變化。因此，溶劑A之核心可進一步順利擴大。 同樣地，定加速驅動之基板W之旋轉加速度與第2S字加速驅動開始時之基板W之旋轉加速度相等。因此，於自定加速驅動移行至第2S字加速驅動之時刻t64，基板W之旋轉加速度不會急遽變化。因此，溶劑A之核心可朝基板W之周緣E進一步順利擴大。 本發明不限於上述實施形態，而可如下述般變化實施。 (1)於上述各處理例1-6中，溶劑A之供給位置始終為基板W之表面中央部，但並不限於此。即，溶劑A之供給位置亦可不總是為基板W之表面中央部。例如，可適當地變更溶劑A之供給位置。例如，可於開始向基板W供給溶劑A時，將溶劑A之供給位置設為基板W之中央部，隨後，將溶劑A之供給位置朝基板W之周緣E移動。 (2)於上述實施例中，溶劑A係使抗蝕劑之濡濕性提高者，但並不限於此。溶劑A亦可為使抗蝕劑以外之塗佈液之濡濕性提高者。此處，抗蝕劑以外之塗佈液係例如防反射膜材料、保護膜材料、SOG(Spin On Glass：旋塗玻璃)膜材料、SOD(Spin on Dielectric：旋塗介電質)膜材料等。或，溶劑A可為使塗佈液之以外之藥液之濡濕性提高者。塗佈液以外之藥液係例如顯影液。 溶劑A可為將基板W表面設為易於藥液親和之狀態者。例如，溶劑A可為將基板W之表面設為易於顯影液親和之狀態者。 溶劑A可為稀釋藥液者。 或，可將溶劑A使用於與藥液無關係之用途。例如，溶劑A可為進行基板W之表面改質者。例如，溶劑A可為提高基板W表面之濡濕性者。 (2)於上述實施例中，藥液為抗蝕劑，但並不限定於此。如上所述，藥液可為抗蝕劑以外之塗佈液(例如防反射膜材料、保護膜材料、SOG膜材料、SOD膜材料等)。或，藥液可為顯影液等。 (3)上述之處理例1、3、4之單純旋轉步驟可使溶劑A乾燥，亦可不使溶劑A乾燥。 (4)於上述之處理例1、2中，於第1等速步驟中開始將溶劑A供給至基板W，但並不限於此。例如，可於事前加速步驟中開始將溶劑A供給至基板W。 (5)於上述之處理例1、2中，於第3等速步驟中溶劑A到達基板W之周緣E，但並不限於此。例如，亦可於第2等速步驟中溶劑A到達基板W之周緣E。於該變化實施例中，可省略第2加速步驟及第3等速步驟之至少任一者。 或，於第1、第2加速步驟之任一者中溶劑A到達基板W之周緣E。於該變化實施例中，亦可省略溶劑A到達基板W之周緣E後之等速步驟及加速步驟之至少任一者。 (6)於上述之各處理例中，可適當變更溶劑供給步驟所具有之等速步驟數。例如，溶劑供給步驟所具有之等速步驟數可為1個。例如，溶劑供給步驟所具有之等速步驟數可為2個。例如，溶劑供給步驟所具有之等速步驟數可為3個以上。例如，溶劑供給步驟可不包含等速步驟。 (7)上述之處理例1-5之各加速步驟以一定之旋轉加速度增加基板W之旋轉速度，但並不限於此。即，至少任一加速步驟可一面使基板W之旋轉加速度變化，一面使基板W之旋轉速度增加。或，至少任一個之加速步驟可如處理例6中說明般S字狀地加速基板W之旋轉速度。 (8)於上述之實施例中，旋轉保持部11具備旋轉夾盤13，但並不限於此。例如，旋轉保持部11可具備具有保持基板W之周緣E之複數個銷的旋轉盤代替旋轉夾盤13。 (9)於上述之各處理例中，可適當地變更噴嘴26、36移動之時序。於處理例1中，噴嘴26於第1等速步驟中自退避位置移動至處理位置，但並不限於此。例如，可於第1等速步驟之前將噴嘴26移動至處理位置。 (10)關於上述之各實施例及上述(1)至(9)中說明之各變化實施例，可進而將各構成與其他變化實施例之構成加以置換或組合等而適當變更。 本發明可不脫離其思想或本質地以其他之具體形式實施，因此，作為顯示發明之範圍者，應參照附加之申請專利範圍而非以上之說明。
1‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧旋轉保持部
13‧‧‧旋轉夾盤
15‧‧‧馬達
15a‧‧‧輸出軸
17‧‧‧防飛散杯
21‧‧‧溶劑供給部
23‧‧‧溶劑供給源
24‧‧‧配管
25‧‧‧開閉閥
26‧‧‧溶劑之噴嘴
27‧‧‧移動機構
31‧‧‧抗蝕劑供給部
33‧‧‧抗蝕劑供給源
34‧‧‧配管
35‧‧‧開閉閥
36‧‧‧抗蝕劑之噴嘴
37‧‧‧移動機構
41‧‧‧控制部
A‧‧‧溶劑
B‧‧‧顆粒
b‧‧‧氣泡
C‧‧‧假想圓
E‧‧‧基板W之周緣
e‧‧‧溶劑A之核心之邊緣
F‧‧‧離心力
Ra‧‧‧旋轉中心
S1‧‧‧溶劑供給步驟
S1a‧‧‧事前加速步驟
S1b‧‧‧第1等速步驟
S1c‧‧‧第1加速步驟
S1d‧‧‧第2等速步驟
S1e‧‧‧第2加速步驟
S1f‧‧‧第3等速步驟
S1g‧‧‧第3加速步驟
S1h‧‧‧第4等速步驟
S1i‧‧‧加速步驟
S1j‧‧‧加速步驟
S2‧‧‧單純旋轉步驟
S3‧‧‧藥液供給步驟
t‧‧‧時刻
t1～t15‧‧‧時刻
t21～t29‧‧‧時刻
t30～t39‧‧‧時刻
t41～t46‧‧‧時刻
t51～t53‧‧‧時刻
t61～t67‧‧‧時刻
ta～td‧‧‧時刻
V1‧‧‧第1速度
V2‧‧‧第2速度
V3‧‧‧第3速度
V4‧‧‧第4速度
VE‧‧‧溶劑A到達基板W之周緣W時之基板W之旋轉速度
VH‧‧‧高速度
VL‧‧‧低速度
VS‧‧‧開始向基板W供給溶劑A時之基板W之旋轉速度
VR‧‧‧速度
W‧‧‧基板
為了說明發明而圖示當前認為較佳之若干形態，但應理解，本發明並非限定於圖示之構成及策略者。 圖1係顯示實施例之基板處理裝置之概略構成之圖。 圖2係顯示處理例1之順序之流程圖。 圖3係顯示處理例1之順序之時序圖。 圖4A-4C係分別顯示基板上之溶劑之俯視圖。 圖5係顯示比較例之基板處理方法之順序之時序圖。 圖6係對藉由處理例1進行處理之基板，顯示顆粒之測定結果之圖。 圖7係對藉由比較例進行處理之基板，顯示顆粒之測定結果之圖。 圖8A-8E係分別模式性顯示比較例之溶劑動作之圖。 圖9A-9D係分別模式性顯示處理1之溶劑動作之圖。 圖10係顯示處理例2之順序之流程圖。 圖11係顯示處理例2之順序之時序圖。 圖12係顯示處理例3之順序之流程圖。 圖13係顯示處理例3之順序之時序圖。 圖14係顯示處理例4之順序之流程圖。 圖15係顯示處理例4之順序之時序圖。 圖16係顯示處理例5之順序之流程圖。 圖17係顯示處理例5之順序之時序圖。 圖18係顯示處理例6之順序之流程圖。 圖19係顯示處理例6之順序之時序圖。

Claims (20)

  1. 一種處理基板之基板處理方法，其具備： 溶劑供給步驟，其向基板之中央部供給溶劑，且使基板之旋轉速度增加，且 上述溶劑供給步驟於溶劑到達基板之周緣時為止，連續對基板供給溶劑。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟包含： 第1等速步驟，其將基板之旋轉速度保持為第1速度，且向基板供給溶劑；及 第1加速步驟，其係於上述第1等速步驟後，將基板之旋轉速度自上述第1速度加速為大於上述第1速度之第2速度，且連續對基板供給溶劑；且 上述第1加速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。
  3. 如請求項2之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟包含： 第2等速步驟，其於上述第1加速步驟後，將基板之旋轉速度保持為上述第2速度，且連續對基板供給溶劑；且 上述第2等速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。
  4. 如請求項3之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟包含： 第2加速步驟，其於上述第2等速步驟後，將基板之旋轉速度自上述第2速度加速為大於上述第2速度之第3速度，且連續對基板供給溶劑；且 上述第2加速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。
  5. 如請求項4之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟包含： 第3等速步驟，其於上述第2加速步驟後，將基板之旋轉速度保持為第3速度，且連續對基板供給溶劑；且 上述第3等速步驟於溶劑到達基板之周緣前開始。
  6. 如請求項2之基板處理方法，其中 上述第1速度係0 rpm以上且未達30 rpm。
  7. 如請求項1之基板處理方法，其中 溶劑到達基板之周緣時之基板之旋轉速度未達1500 rpm。
  8. 如請求項1之基板處理方法，其中 溶劑到達基板之周緣時之基板之旋轉速度未達200 rpm。
  9. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止之期間之至少一部分，使基板之旋轉速度S字狀地加速。
  10. 如請求項1之基板處理方法，其中具備： 藥液供給步驟，其係於結束對基板供給溶劑後向基板供給藥液。
  11. 如請求項1之基板處理方法，其中具備： 單純旋轉步驟，其於結束對基板供給溶劑後，於不向基板供給處理液下使基板旋轉。
  12. 一種處理基板之基板處理方法，其具備： 溶劑供給步驟，其向基板之中央部供給溶劑，且使基板之旋轉速度增加；且 上述溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止，以3個以上之階段使基板之旋轉速度增加。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟包含： 第1等速步驟，其將基板之旋轉速度保持為第1速度，且向基板供給溶劑； 第2等速步驟，其於上述第1等速步驟後，將基板之旋轉速度保持為大於上述第1速度之第2速度；及 第3等速步驟，其於上述第2等速步驟後，將基板之旋轉速度保持為大於上述第2速度之第3速度；及 上述第3等速步驟係於溶劑到達基板之周緣前開始。
  14. 如請求項12之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟於溶劑到達基板之周緣時為止，連續對基板供給溶劑。
  15. 如請求項12之基板處理方法，其中 溶劑到達基板之周緣時之基板之旋轉速度未達1500 rpm。
  16. 如請求項12之基板處理方法，其中 溶劑到達基板之周緣時之基板之旋轉速度未達200 rpm。
  17. 如請求項12之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止之期間之至少一部分，使基板之旋轉速度S字狀地加速。
  18. 如請求項12之基板處理方法，其中具備： 藥液供給步驟，其於結束對基板供給溶劑後，向基板供給藥液。
  19. 一種處理基板之基板處理方法，其具備： 溶劑供給步驟，其向基板之中央部供給溶劑，且使基板之旋轉速度增加；且 上述溶劑供給步驟於開始向基板供給溶劑時至溶劑到達基板之周緣時為止之整個期間連續加速基板之旋轉速度。
  20. 如請求項19之基板處理方法，其中 上述溶劑供給步驟於溶劑到達基板之周緣時為止，連續對基板供給溶劑。
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