TW201417162A - 半導體裝置之製造方法及接著片 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種半導體裝置之製造方法，其係於在形成於基座上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自基座分離而製造半導體裝置時，可簡便地製造該半導體裝置。本發明之半導體裝置之製造方法包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於第1接著劑層之第2層者，且至少周邊部由第1接著劑層形成；以下表面作為貼合面而將接著片貼合於基座上之步驟；於貼合於基座上之後的接著片上形成配線之步驟；於配線上安裝工件之步驟；以及安裝後將附有配線之工件自基座分離之步驟。

Description

半導體裝置之製造方法及接著片
本發明係關於一種半導體裝置之製造方法及接著片。
先前，於半導體裝置之製造步驟中，存在進行如下步驟之情況：將裝置暫時固定於基座上之後，對裝置進行特定處理，其後將基座分離(例如參照專利文獻1、專利文獻2)。
專利文獻1中揭示有如下方法，該方法係經由不形成較強接著結合之填充層將作為第1基板之裝置晶圓與作為第2基板之載體基板進行壓接，並且對填充層之周緣填充接合素材並進行硬化，藉此形成邊緣接合而使第1基板與第2基板接著。專利文獻1中揭示：於第1基板與第2基板接著之狀態下進行所需之處理步驟，其後將第1基板與第2基板分離。分離係首先使邊緣接合溶解於溶劑中或進行雷射切割，此後施加低機械力，藉此將第1基板與第2基板分離。
又，專利文獻2中提供如下積層體，其係經由包含選自由醯亞胺、醯胺醯亞胺及醯胺醯亞胺-矽氧烷之聚合物及低聚物所構成之群中、選自由低聚物及聚合物所構成之群中之化合物的接合用組合物層將第1基板與第2基板接合而成者，且揭示如下之晶圓接合方法，其包括將上述積層體暴露於足以使上述接合層軟化之溫度下而將上述第1基板與上述第2基板分離。
另一方面，先前，作為將晶片連接(安裝)於外部之配線之方法，使用使配線之特定部分對應於該晶片之電極位置而將兩者連接之方法 (例如倒裝晶片接合)。所謂外部之配線，係於與晶片一起密封之封裝用電路基板、或安裝有多個其他元件之一般電路基板等上所形成的配線等，與晶片分開形成。又，晶片與封裝用電路基板連接時，亦存在使稱為中介層之附有接點之軟性配線電路基板介於其間之情況。
如上所述之中介層等軟性配線電路基板係由於其軟性之性質，故而於晶片安裝等製造步驟中之操作性欠佳。因此，先前使用如下方法：首先，於金屬支持基板上形成軟性配線電路基板作為具有適當剛性之該配線電路基板，於改善步驟中之操作性之狀態下進行晶片安裝，並於安裝剛體即晶片後去除金屬支持基板。
先前，如上述所說明般進行在金屬支持基板上形成軟性配線電路基板並於晶片安裝後去除金屬支持基板的加工。此處，金屬支持基板與配線電路基板形成為一體不可分之積層體，於晶片安裝後去除該金屬支持基板時，利用蝕刻。然而，存在利用蝕刻去除金屬支持基板之步驟，故而亦存在如下問題：賦予及去除抗蝕劑等而製造步驟變得複雜，製造成本變高。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2011-510518號公報
[專利文獻2]日本專利特表2010-531385號公報
因此，考慮如下方法：利用如專利文獻1中所揭示之填充層及邊緣接合將金屬支持基板與配線電路基板接著，晶片安裝後進行剝離之方法。又，亦考慮如下方法：經由如專利文獻2中所揭示之接合用組合物層將金屬支持基板與配線電路基板接著，晶片安裝後進行剝離之方法。
專利文獻1中所記載之填充層或專利文獻2中所記載之接合用組合物層係利用旋轉塗佈等將溶液狀材料塗佈於一側之基板上而形成。然而，若利用塗佈形成接著所需要之厚度100μm左右之層，則存在如下問題：通常塗佈面變得粗糙，有時無法獲得所需之接著力。又，尤其是於利用旋轉塗佈進行塗佈之情形時，材料之大部分飛散至基板外，故而存在材料浪費之問題。又，材料為接著用之黏度較高者，故而於去除由飛散之材料所產生的旋轉塗佈機之污垢時，存在耗費勞力之問題。
本案發明者等人發現，藉由採用下述構成，可解決上述問題，從而達成本發明。
即，第1本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：其係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且至少上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
根據上述構成，將接著片貼合於基座上，於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線。其後，於上述配線上安裝工件，上述安裝後，將附有配線之工件自上述基座分離。上述接著片為片狀，故而可於僅貼合於基座上之情況下簡便地使用。又，由於使用片狀接著片，故而如旋轉塗佈般浪費材料之情況較少。又，接著片係另行準備，故而可準備片材面均勻者。如此，根據上述構成，於形成於基座 上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自上述基座分離而製造半導體裝置時，使用片狀接著片，故而可於不浪費材料之情況下簡便地製造該半導體裝置。
又，根據上述構成，作為接著片而使用如下接著片，其係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且至少上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成。接著力高於第2層之第1接著劑層存在於周邊部，故而可將該部分牢固地貼合於基座及配線上。又，不僅具有第1接著劑層，而且具有接著力低於第1接著劑層之第2層，故而只要於分離之步驟中降低第1接著劑層之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。作為降低第1接著劑層之接著力之方法，可列舉：利用溶劑溶解第1接著劑層而降低接著力之方法；利用切割機或雷射等於第1接著劑層物理性地切出切口而降低接著力之方法；預先使用接著力會隨著加熱而降低之材料形成第1接著劑層，利用加熱降低接著力之方法等。上述構成中，於接著片之周邊部形成有第1接著劑層，故而於分離之步驟中，容易利用溶劑溶解第1接著劑層、或利用切割機或雷射等物理性地切出切口而降低第1接著劑層之接著力。再者，第1本發明中，所謂貼附於基座上之後的第1接著劑層之接著力及第2層之接著力，係指溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力。例如，於藉由貼附於基座上之後進行醯亞胺化或熱硬化等而使第1接著劑層或第2層之接著力於貼附於基座上之前後發生變化之情形時，係指貼附於基座上之後的狀態(例如醯亞胺化後或熱硬化後)之第1接著劑層或第2層對於矽晶圓之90°撕除剝離力。又，第1本發明中，所謂工件，包括未形成有電路之晶圓、形成有電路之晶圓、未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片(形成有電路之經單片化之晶圓)。其中，第1本發明之工件較佳為未形成有電路之經單片化之晶 圓、或半導體晶片。再者，未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片亦稱為晶片狀工件。
上述構成中，上述接著片係藉由上述第1接著劑層與上述第2層之積層而形成較上述周邊部更內側之中央部，貼合於上述基座上之步驟較佳為以上述第2層露出之側的面作為貼合面而將上述接著片貼合於基座上之步驟。根據上述構成，可利用僅第1接著劑層露出之面更牢固地固定形成於接著片上之配線。又，藉由上述第1接著劑層與上述第2層之積層而形成上述中央部。因此，與僅由第1接著劑層所形成之周邊部相比，藉由上述第1接著劑層與上述第2層之積層而形成之中央部的接著力相對較低。因此，若至少降低周邊部之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。又，上述第2層亦與基座接觸，故而分離之步驟後，容易將該接著片自基座剝離。因此，容易回收基座。
上述構成中，上述接著片亦較佳為藉由上述第2層而形成較上述周邊部更內側之中央部。根據上述構成，藉由上述第2層而形成中央部，故而於分離之步驟中，若降低第1接著劑層之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。又，藉由上述第2層而形成中央部，第2層亦與基座接觸，故而分離之步驟後，容易將該接著片自基座剝離。因此，容易回收基座。
上述構成中，上述接著片係藉由上述第1接著劑層與上述第2層之積層而形成較上述周邊部更內側之中央部，貼合於上述基座上之步驟較佳為以僅上述第1接著劑層露出之側的面作為貼合面而將上述接著片貼合於基座上之步驟。根據上述構成，可將僅第1接著劑層露出之面更牢固地固定於基座上。藉由上述第1接著劑層與上述第2層之積層而形成上述中央部。因此，與僅由第1接著劑層所形成之周邊部相比，藉由上述第1接著劑層與上述第2層之積層而形成之中央部之接著 力相對較低。因此，若至少降低周邊部之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。
又，為了解決上述問題，第1本發明之接著片之特徵在於，用於上述中所記載的半導體裝置之製造方法。
又，第2-1本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：其係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部由上述第2層形成；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後，自上述工件側切出切口直至到達上述接著片之上述中央部為止，藉此將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
根據上述構成，將接著片貼合於基座上，於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線。其後，於上述配線上安裝工件，上述安裝後，將附有配線之工件自上述基座分離。上述接著片為片狀，故而可於僅貼合於基座上之情況下簡便地使用。又，由於使用片狀接著片，故而如旋轉塗佈般浪費材料之情況較少。又，接著片係另行準備，故而可準備片材面均勻者。如此，根據上述構成，於形成於基座上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自上述基座分離而製造半導體裝置時，使用片狀接著片，故而可於不浪費材料之情況下簡便地製造該半導體裝置。
又，上述接著片之周邊部由第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部由第2層形成，故而若於配線上安裝工件後，自上述工 件側切出切口直至到達上述接著片之上述中央部為止，則基座與附有配線之工件僅經由第2層而對向。其結果，於分離之步驟中，可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。再者，第2本發明中，所謂貼附於基座上之後的第1接著劑層之接著力及第2層之接著力，係指溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力。例如，於藉由貼附於基座上之後進行醯亞胺化或熱硬化等而使第1接著劑層或第2層之接著力於貼附於基座上之前後發生變化之情形時，係指貼附於基座上之後的狀態(例如醯亞胺化後或熱硬化後)之第1接著劑層或第2層對於矽晶圓之90°撕除剝離力。又，第2本發明中，所謂工件，包括未形成有電路之晶圓、形成有電路之晶圓、未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片(形成有電路之經單片化之晶圓)。其中，第2本發明之工件較佳為未形成有電路之經單片化之晶圓、或半導體晶片。再者，未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片亦稱為晶片狀工件。
又，第2-2本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：其係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成；以僅上述第1接著劑層露出之側的面作為貼合面而將上述接著片貼合於基座上之步驟；於上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後，對於上述接著片自上述工件側切出切口直至達到上述中央部之上述第1接著劑層為止，藉此將附有配線之工件自上述 基座分離之步驟。
根據上述構成，將接著片貼合於基座上，於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線。其後，於上述配線上安裝工件，上述安裝後，將附有配線之工件自上述基座分離。上述接著片為片狀，故而可於僅貼合於基座上之情況下簡便地使用。又，由於使用片狀接著片，故而如旋轉塗佈般浪費材料之情況較少。又，接著片係另行準備，故而可準備片材面均勻者。如此，根據上述構成，於形成於基座上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自上述基座分離而製造半導體裝置時，使用片狀接著片，故而可於不浪費材料之情況下簡便地製造該半導體裝置。
又，上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成，故而若於配線上安裝工件後，對於上述接著片自上述工件側切出切口直至到達上述中央部之上述第1接著劑層為止，則基座與附有配線之工件僅經由上述第1接著層與上述第2層之積層部分而相對向。此時，使上述第1接著劑層貼合於基座上，第2層與附有配線之工件接觸。其結果，於分離之步驟中，可藉由外力而於上述第2層與上述配線之界面容易地剝離。因此，可將基座與附有配線之工件容易地上下分離。
又，第2-3本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：其係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成；以僅上述第1接著劑層露出之側之面的相反側之面作為貼合面而將上述接著片貼合於基座上之步驟； 於上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後，對於上述接著片自上述工件側切出切口直至到達上述第2層為止，藉此將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
根據上述構成，將接著片貼合於基座上，於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線。其後，於上述配線上安裝工件，上述安裝後，將附有配線之工件自上述基座分離。上述接著片為片狀，故而可於僅貼合於基座上之情況下簡便地使用。又，由於使用片狀接著片，故而如旋轉塗佈般浪費材料之情況較少。又，接著片係另行準備，故而可準備片材面均勻者。如此，根據上述構成，於形成於基座上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自上述基座分離而製造半導體裝置時，使用片狀接著片，故而可於不浪費材料之情況下簡便地製造該半導體裝置。
又，上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成，故而若於配線上安裝工件後，對於上述接著片自上述工件側切出切口直至到達上述第2層為止，則基座與附有配線之工件僅經由上述第1接著層與上述第2層之積層部分而相對向。因此，於分離之步驟中，可藉由外力而於上述第1接著劑層與上述第2層之界面、或上述第2層與上述基座之界面容易地剝離。其後，將第1接著劑層自配線剝離。藉此，可將基座與附有配線之工件容易地上下分離。
又，為了解決上述問題，第2本發明之接著片之特徵在於，用於上述中所記載之半導體裝置之製造方法。
又，第3本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：其係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且包括： 準備接著片之步驟，該接著片係積層有第1接著劑層及貼附於基 座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
根據上述構成，將接著片貼合於基座上，於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線。其後，於上述配線上安裝工件，上述安裝後，將附有配線之工件自上述基座分離。上述接著片為片狀，故而可於僅貼合於基座上之情況下簡便地使用。又，由於使用片狀接著片，故而如旋轉塗佈般浪費材料之情況較少。又，接著片係另行準備，故而可準備片材面均勻者。如此，根據上述構成，於形成於基座上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自上述基座分離而製造半導體裝置時，使用片狀接著片，故而可於不浪費材料之情況下簡便地製造該半導體裝置。
又，根據上述構成，使用積層有第1接著劑層及接著力低於上述第1接著劑層之第2層之接著片。由於存在第1接著劑層，故而於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等固定於基座上。又，不僅具有第1接著劑層，而且具有接著力低於第1接著劑層之第2層，故而於分離之步驟中，可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。再者，於分離之步驟中，亦可於降低第1接著劑層之接著力後進行分離。作為降低第1接著劑層之接著力之方法，可列舉：利用溶劑溶解第1接著劑層而降低接著力之方法；利用切割機或雷射等於第1接著劑層物理性地切出切口而降低接著力之方法；預先使用接著力會隨著加熱而降低之材料形成第1接著劑層，利用加熱降低接著力之方法等。再者，第3本發明中，所謂貼附於基座上之後的第1接著劑層之接著力及第2層之接著力，係指溫度23±2℃、剝離速度 300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力。例如，於藉由貼附於基座上之後進行醯亞胺化或熱硬化等而使第1接著劑層或第2層之接著力於貼附於基座上之前後發生變化之情形時，係指貼附於基座上之後的狀態(例如醯亞胺化後或熱硬化後)之第1接著劑層或第2層對於矽晶圓之90°撕除剝離力。又，第3本發明中，所謂工件，包括未形成有電路之晶圓、形成有電路之晶圓、未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片(形成有電路之經單片化之晶圓)。其中，第3本發明之工件較佳為未形成有電路之經單片化之晶圓、或半導體晶片。再者，未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片亦稱為晶片狀工件。
上述構成中，上述貼合之步驟較佳為以上述接著片之上述第2層作為貼合面而貼合於基座上之步驟。若上述貼合之步驟為以上述接著片之上述第2層作為貼合面而貼合於基座上之步驟，則於第1接著劑層上形成有配線。因此，於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等更牢固地固定於基座上。
上述構成中，上述貼合之步驟亦較佳為以上述接著片之上述第1接著劑層作為貼合面而貼合於基座上之步驟。若上述貼合之步驟為以上述接著片之上述第1接著劑層作為貼合面而貼合於基座上之步驟，則第1接著劑層牢固地貼附於基座上。因此，於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等更牢固地固定於基座上。
又，為了解決上述問題，第3本發明之接著片之特徵在於，用於上述中所記載之半導體裝置之製造方法。
又，第4本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：其係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且包括：將暫時固定用片材配置於基座上，並且於上述暫時固定用片材與基座端部之傾斜部分之間形成接著力高於上述暫時固定片材之接著 劑層，而將上述暫時固定用片材固定於基座上之步驟；於固定於上述基座上之上述暫時固定用片材上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後，將上述接著劑層自上述暫時固定用片材分離，藉此將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
根據上述構成，將暫時固定用片材固定於基座上，於固定於上述基座上之後的上述暫時固定用片材上形成配線。其後，於上述配線上安裝工件，上述安裝後，將附有配線之工件自上述基座分離。上述暫時固定用片材為片狀，故而可於僅固定於基座上之情況下簡便地使用。又，由於為片狀暫時固定用片材，故而如旋轉塗佈般浪費材料之情況較少。又，暫時固定用片材係另行準備，故而可準備片材面均勻者。如此，根據上述構成，於形成於基座上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自上述基座分離而製造半導體裝置時，使用片狀暫時固定用片材，故而可於不浪費材料之情況下簡便地製造該半導體裝置。
又，根據上述構成，將暫時固定用片材配置於基座上，並且於上述暫時固定用片材與基座端部之傾斜部分之間形成接著力高於上述暫時固定片材之接著劑層，而將上述暫時固定用片材固定於基座上。暫時固定用片材對於基座之固定係主要藉由形成於基座端部之傾斜部分的接著劑層而進行，故而於分離之步驟中，若將上述接著劑層自上述暫時固定用片材分離，則可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。作為將接著劑層自暫時固定用片材分離之方法，可列舉：利用溶劑溶解上述接著劑層而將接著劑層自暫時固定用片材分離之方法；利用切割機或雷射等於上述暫時固定用片材上物理性地切出切口而將接著劑層自暫時固定用片材分離之方法；預先使用接著力會 隨著加熱而降低之材料形成上述接著劑層，利用加熱降低接著力而將上述接著劑層自暫時固定用片材分離之方法等。上述構成中，使上述接著劑層形成於基座端部之傾斜部分，故而於分離之步驟中，容易利用溶劑溶解上述接著劑層、或利用切割機或雷射等於上述暫時固定用片材上物理性地切出切口而降低上述接著劑層之接著力。再者，第4本發明中，所謂接著劑層之接著力及暫時固定用片材之接著力，係指溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力。例如，於藉由貼附於基座上之後進行醯亞胺化或熱硬化等而使暫時固定用片材或接著劑層之接著力於貼附於基座上之前後發生變化之情形時，係指貼附於基座上之後的狀態(例如醯亞胺化後或熱硬化後)之暫時固定用片材或接著劑層對於矽晶圓之90°撕除剝離力。又，第4本發明中，所謂工件，包括未形成有電路之晶圓、形成有電路之晶圓、未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片(形成有電路之經單片化之晶圓)。其中，第4本發明之工件較佳為未形成有電路之經單片化之晶圓、或半導體晶片。再者，未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片亦稱為晶片狀工件。
上述構成中，上述分離之步驟較佳為藉由上述安裝後以上述接著劑層自上述暫時固定用片材分離之方式切出切口而將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。其原因在於，由於只要於上述暫時固定用片材上切出切口即可，故而可將附有配線之工件簡便地自基座分離。
上述構成中，上述分離之步驟較佳為藉由上述安裝後於上述配線上未切出切口之態樣下切出上述切口而將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。若於上述配線上未切出切口之態樣下切出上述切口，則可以俯視時與基座之面積大致相同的面積獲得裝置(附有配線之工件)。
又，第5本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：其係具有 於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且包括：準備接著片，該接著片具有第1接著劑層、及以具有多個貫通孔之構造體及/或不織布狀構造體作為骨架之第2層，且貼附於基座上之後的上述第2層之接著力低於上述第1接著劑層之接著力；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
根據上述構成，將接著片貼合於基座上，於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線。其後，於上述配線上安裝工件，上述安裝後，將附有配線之工件自上述基座分離。上述接著片為片狀，故而可於僅貼合於基座上之情況下簡便地使用。又，由於使用片狀接著片，故而如旋轉塗佈般浪費材料之情況較少。又，接著片係另行準備，故而可準備片材面均勻者。如此，根據上述構成，於形成於基座上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自上述基座分離而製造半導體裝置時，使用片狀接著片，故而可於不浪費材料之情況下簡便地製造該半導體裝置。
又，根據上述構成，第2層係以具有多個貫通孔之構造體及/或不織布狀構造體作為骨架之層，例如可藉由金網等篩網、不織布等而形成。因此，於製造接著片時，只要準備第1接著劑層之接著劑組合物作為接著材料即可，無需如專利文獻1般準備填充層及邊緣接合之2種接著劑。
又，根據上述構成，使用具有第1接著劑層及接著力低於上述第1接著劑層之第2層之接著片。由於存在第1接著劑層，故而於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等固定於基座上。又，不僅具有第1接著劑層，而且具有接著力低於第1接著劑層之第2 層，故而於分離之步驟中，可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。再者，於分離之步驟中，亦可於降低第1接著劑層之接著力後進行分離。作為降低第1接著劑層之接著力之方法，可列舉：利用溶劑溶解第1接著劑層而降低接著力之方法；利用切割機或雷射等於第1接著劑層物理性地切出切口而降低接著力之方法；預先使用接著力會隨著加熱而降低之材料形成第1接著劑層，利用加熱降低接著力之方法等。再者，第5本發明中，所謂貼附於基座上之後的第1接著劑層之接著力及第2層之接著力，係指溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力。例如，於藉由貼附於基座上之後進行醯亞胺化或熱硬化等而使第1接著劑層或第2層之接著力於貼附於基座上之前後發生變化之情形時，係指貼附於基座上之後的狀態(例如醯亞胺化後或熱硬化後)之第1接著劑層或第2層對於矽晶圓之90°撕除剝離力。又，第5本發明中，所謂工件，包括未形成有電路之晶圓、形成有電路之晶圓、未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片(形成有電路之經單片化之晶圓)。其中，第5本發明之工件較佳為未形成有電路之經單片化之晶圓、或半導體晶片。再者，未形成有電路之經單片化之晶圓及半導體晶片亦稱為晶片狀工件。
上述構成中，較佳為藉由接著劑組合物而填充上述貫通孔及上述不織布狀構造體之多個孔。於該情形時，可根據具有貫通孔之構造體之開口率或不織布狀構造體之密度等而控制接著劑組合物與配線或基座接觸之面積，可容易地形成低接著力之第2層。
上述構成中，上述接著片較佳為至少周邊部由上述第1接著劑層形成。由於上述接著片之周邊部由第1接著劑層形成，故而可對該部分進行良好地固定。
上述構成中，上述接著片較佳為較上述周邊部更內側之中央部 由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成。根據上述構成，可於僅包含第1接著劑層之面牢固地固定配線或基座。可於具有第1接著劑層及第2層之面良好地固定配線或基座。又，上述接著片由於在周邊部形成有第1接著劑層，故而容易切割第1接著劑層、或降低第1接著劑層之接著力，可容易地進行分離。
上述構成中，上述接著片亦較佳為較上述周邊部更內側之中央部由上述第2層形成。根據上述構成，可於具有第1接著劑層及第2層之面良好地固定配線或基座。又，上述接著片由於在周邊部形成有第1接著劑層，故而容易切割第1接著劑層、或降低第1接著劑層之接著力，可容易地進行分離。
又，為了解決上述問題，第5本發明之接著片之特徵在於，用於上述中所記載之半導體裝置之製造方法。
根據本發明，可於形成於基座上之配線上安裝工件後，將附有配線之工件自基座分離而製造半導體裝置時，簡便地製造該半導體裝置。
1‧‧‧基座
2‧‧‧配線層
3‧‧‧半導體晶片
5‧‧‧接著片
6‧‧‧接著片
7‧‧‧接著片
11‧‧‧傾斜部分
14‧‧‧切口
20a‧‧‧基礎絕緣層
20b‧‧‧接著劑層
21‧‧‧連接用導體部
22‧‧‧外部連接用導體部
23‧‧‧導體層
23a‧‧‧種膜(金屬薄膜)
24‧‧‧導通路
25‧‧‧導通路
26‧‧‧配線
31‧‧‧電極
32‧‧‧樹脂
50‧‧‧第1接著劑層
51‧‧‧第2層
53‧‧‧中央部
54‧‧‧周邊部
55‧‧‧切口
56‧‧‧貫通孔
57‧‧‧構造體
60‧‧‧第1接著劑層
61‧‧‧第2層
63‧‧‧中央部
64‧‧‧周邊部
65‧‧‧切口
66‧‧‧貫通孔
70‧‧‧第1接著劑層
71‧‧‧第2層
73‧‧‧中央部
74‧‧‧周邊部
75‧‧‧切口
105‧‧‧接著片
105a‧‧‧凹部
150‧‧‧第1接著劑層
151‧‧‧第2層
165‧‧‧切口
205‧‧‧接著片
250‧‧‧第1接著劑層
251‧‧‧第2層
211‧‧‧金屬膜
h1‧‧‧開口
r1‧‧‧阻敷劑
r2‧‧‧阻敷劑
D1‧‧‧基座1之端部與暫時固定用片材5之端部於橫向方向(暫時固定用片材之面的水平方向)之距離
D2‧‧‧基座1之圓形半徑
圖1係表示第1本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖2係表示第1本發明之另一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖3係表示第1本發明之另一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖4係用以對第1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖5係用以對第1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖6係用以對第1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖7係用以對第1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖8係用以對第1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖9係用以對第1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖10係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
圖11係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
圖12係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
圖13係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
圖14係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
圖15係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
圖16係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
圖17係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
圖18係表示第2-1本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖19係用以對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖20係用以對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方 法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖21係用以對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖22係用以對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖23係用以對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖24係用以對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖25係用以對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖26係表示第2-2本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖27係用以對第2-2本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖28係表示第2-3本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖29係用以對第2-3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖30係表示第3本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖31係表示第3本發明之另一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖32係用以對第3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖33係用以對第3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖34係用以對第3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖35係用以對第3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法 的概略進行說明之剖面模式圖。
圖36係用以對第3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖37係用以對第3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖38係表示於另一實施形態之接著片上形成有配線層且安裝有半導體晶片之情況之剖面模式圖。
圖39係表示於另一實施形態之接著片上形成有配線層且安裝有半導體晶片之情況之剖面模式圖。
圖40之(a)及(b)係用以對第4本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖41係用以對第4本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖42係用以對第4本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖43係用以對第4本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖44係用以對第4本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖45係用以對第4本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖46係用以對第4本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖47係用以對另一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖48係表示第5本發明之第1實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖49係圖48所示之接著片之俯視圖。
圖50係表示具有多個貫通孔之構造體之一例之俯視圖。
圖51係表示第5本發明之第2實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖52係圖51所示之接著片之俯視圖。
圖53係表示第5本發明之第3實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖54係用以對第5本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖55係用以對第5本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖56係用以對第5本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖57係用以對第5本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖58係用以對第5本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
圖59係用以對第5本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
<第1本發明>
第1本發明之半導體裝置之製造方法係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，其至少包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且至少上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
以下，一面參照圖式一面對第1本發明之一實施形態之各步驟進行說明。再者，第1本發明中所使用之「上表面」、「下表面」等表示上下之語句係僅用以說明層之位置關係者，對於接著片或半導體裝置之實際上下姿勢並無限定。再者，以下之實施形態中，對第1本發明之工件為半導體晶片之情形進行說明，但並不限定於該例，可為未形成有電路之晶圓，可為形成有電路之晶圓，亦可為未形成有電路之單片化晶圓。
[準備接著片之步驟]
首先，準備接著片，該接著片係具有第1接著劑層及接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且至少上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成。
此處，對本實施形態之接著片進行說明。圖1係表示第1本發明之一實施形態之接著片的剖面模式圖。如圖1所示，接著片5係周邊部54由第1接著劑層50形成，且較周邊部54更內側之中央部53由第1接著劑層50與第2層51之積層形成。即，接著片5具有第2層51、及以覆蓋第2層51之上表面及側面之態樣積層於第2層51上的第1接著劑層50。第2層51之接著力低於第1接著劑層50之接著力。再者，接著片5於貼合於基座上之步驟中係以第2層51露出之側之面作為貼合面而貼合於基座上。
接著片5係由於接著力高於第2層51之第1接著劑層50存在於周邊部，故而可將該部分牢固地貼合於基座及配線上。又，不僅具有第1接著劑層50，而且具有接著力低於第1接著劑層之第2層，故而於後述之分離之步驟中，若降低第1接著劑層50之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。
又，接著片5可利用僅第1接著劑層50露出之面更牢固地固定形成於接著片50上之配線。又，中央部53係藉由第1接著劑層50與第2層 51之積層而形成。因此，藉由第1接著劑層50與第2層51之積層而形成之中央部53與僅由第1接著劑層50所形成之周邊部54相比，接著力相對較低。因此，若至少降低周邊部54之接著力，則可藉由外力將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。又，第2層51亦與基座接觸，故而分離之步驟後，容易將該接著片5自基座剝離。因此，容易回收基座。又，使第1接著劑層50形成於接著片5之周邊部54，故而於後述之分離之步驟中，利用溶劑溶解第1接著劑層50、或利用切割機或雷射等物理性地切出切口，容易降低第1接著劑層50之接著力。
本實施形態中，貼附於基座上之後的第2層51之接著力只要低於貼附於基座上之後的第1接著劑層50之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以下，更佳為0.20N/20mm以下。又，第2層51之接著力之下限值並無特別限定，例如為0N/20mm以上，亦可為0.001N/20mm以上。若第2層51之上述接著力為0.30N/20mm以下，則可將第2層51自基座容易地剝離。另一方面，第2層51之上述接著力越低，越容易進行自基座之剝離。
又，貼附於基座上之後的第1接著劑層50之接著力只要高於貼附於基座上之後的第2層51之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。又，第1接著劑層50之接著力之上限值並無特別限定，越大越好，例如可列舉30N/20mm以下、20N/20mm以下等。若第1接著劑層50之上述接著力為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片5更牢固地固定。
接著片5之厚度較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~25μm。若接著片5之厚度為0.1μm以上，則可容易地形成多層構造。另一方面，若接著片5之厚度為100μm以下，則可抑制或防止接著片5之厚度不均或 加熱時之收縮‧膨脹，於形成配線之步驟中較為有利。
第1接著劑層50之中央部53之厚度較佳為0.01~99μm，更佳為0.05~10μm。
第2層51之厚度(中央部53之厚度)較佳為0.09~99.9μm，更佳為0.05~15μm。
第1接著劑層係彈性模數通常低於第2層，故而於形成該層時容易於表面產生起伏。就上述觀點而言，較佳為使第1接著劑層較薄並使第2層較厚。另一方面，第1接著劑層係玻璃轉移溫度通常高於第2層，故而於形成該層時收縮較大。就上述觀點而言，較佳為使第1接著劑層較厚並使第2層較薄。因此，第1本發明中，考慮層形成時之表面起伏及層形成時之收縮量之兩者，第1接著劑層之厚度及第2層之厚度較佳為於上述數值範圍內選擇。
第1本發明之接著片並不限定於如圖1所示之接著片5，亦可為如圖2、圖3所示之接著片。圖2係表示第1本發明之另一實施形態之接著片之剖面模式圖。如圖2所示，接著片6係周邊部64由第1接著劑層60形成，且較周邊部64更內側之中央部63由第2層61形成。第2層61之接著力低於第1接著劑層60之接著力。
接著片6係中央部63由第2層61形成，故而於後述之分離之步驟中，若降低存在於周邊部64之第1接著劑層60之接著力，則可藉由外力將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。
又，中央部63由第2層61形成，第2層61亦與基座接觸，故而分離之步驟後，容易將該接著片6自基座剝離。因此，容易回收基座。又，使第1接著劑層60形成於接著片6之周邊部64，故而於後述之分離之步驟中，利用溶劑溶解第1接著劑層60、或利用切割機或雷射等物理性地切出切口，容易降低第1接著劑層60之接著力。
貼附於基座上之後的第2層61之接著力只要低於貼附於基座上之 後的第1接著劑層60之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以下，更佳為0.20N/20mm以下。又，第2層61之接著力之下限值並無特別限定，例如為0N/20mm以上，亦可為0.001N/20mm以上。若第2層61之上述接著力為0.30N/20mm以下，則可將第2層61自基座容易地剝離。另一方面，第2層61之上述接著力越低，越容易進行自基座之剝離。
又，貼附於基座上之後的第1接著劑層60之接著力只要高於貼附於基座上之後的第2層61之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。又，第1接著劑層60之接著力之上限值並無特別限定，越大越好，例如可列舉30N/20mm以下、20N/20mm以下等。若第1接著劑層60之上述接著力為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片6更牢固地固定。
接著片6之厚度較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~25μm。若接著片6之厚度為0.1μm以上，則可容易地形成該接著片6。另一方面，若接著片6之厚度為100μm以下，則可抑制或防止接著片6之厚度不均或加熱時之收縮‧膨脹，於形成配線之步驟中較為有利。
圖3係表示第1本發明之另一實施形態之接著片之剖面模式圖。如圖3所示，接著片7係周邊部74由第1接著劑層70形成，且較周邊部74更內側之中央部73由第1接著劑層70與第2層71之積層形成。即，接著片7具有第2層71、及以覆蓋第2層71之上表面(圖3中為下表面)及側面之態樣積層於第2層71上之第1接著劑層70。第2層71之接著力低於第1接著劑層70之接著力。再者，接著片7係於貼合於基座上之步驟中以第2層71露出之側的面作為貼合面而貼合於基座上。
接著片7可利用僅第1接著劑層70露出之面更牢固地固定於基座 上。又，中央部73由第1接著劑層70與第2層71之積層形成。因此，由第1接著劑層70與第2層71之積層而形成之中央部73與僅由第1接著劑層70所形成之周邊部74相比，接著力相對較低。因此，若至少降低周邊部74之接著力，則可藉由外力將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。又，使第1接著劑層70形成於接著片7之周邊部74，故而於後述之分離之步驟中，利用溶劑溶解第1接著劑層70、或利用切割機或雷射等物理性地切出切口，容易降低第1接著劑層70之接著力。
貼附於基座上之後的第2層71之接著力只要低於貼附於基座上之後的第1接著劑層70之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以下，更佳為0.20N/20mm以下。又，第2層71之接著力之下限值並無特別限定，例如為0N/20mm以上，亦可為0.001N/20mm以上。若第2層71之上述接著力為0.30N/20mm以下，則於分離之步驟中，可將附有配線之半導體晶片自第2層容易地剝離。
又，貼附於基座上之後的第1接著劑層70之接著力只要高於貼附於基座上之後的第2層71之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。又，第1接著劑層70之接著力之上限值並無特別限定，越大越好，例如可列舉30N/20mm以下、20N/20mm以下等。若第1接著劑層70之上述接著力為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片7更牢固地固定。
接著片7之厚度較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~25μm。若接著片7之厚度為0.1μm以上，則可容易地形成多層構造。另一方面，若接著片7之厚度為100μm以下，則可抑制或防止接著片7之厚度不均或加熱時之收縮‧膨脹，於形成配線之步驟中較為有利。
第1接著劑層70之中央部73之厚度較佳為0.01~99μm，更佳為0.05~10μm。
第2層71之厚度(中央部73之厚度)較佳為0.09~99.9μm，更佳為0.05~15μm。
[貼合於基座上之步驟]
以下之說明中，對使用圖1所示之接著片5之情形進行說明。圖4~圖8係用以對第1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。於準備接著片5之步驟後，以接著片5之下表面作為貼合面而將準備之接著片5貼合於基座1上(參照圖4)。貼合方法並無特別限定，較佳為利用壓接之方法。壓接通常係一面利用壓接輥等擠壓機構進行擠壓一面進行。作為壓接條件，較佳為20℃~150℃、0.01MPa~10MPa、1mm/sec~100mm/sec。如上所述，接著片5係接著力高於第2層51之第1接著劑層50於下表面露出，故而可牢固地貼合於基座1上。
[形成配線之步驟]
繼而，於接著片5上，以連接用導體部21於配線層2之上表面露出之方式形成具有可與半導體晶片3之電極31連接之連接用導體部21及配線26的配線層2(參照圖5)。配線層2係於接著片5側具有用以進行與外部之電性連接之外部連接用導體部22。再者，圖5中表示連接用導體部21於配線層2之上表面以凸狀露出之情形，但第1本發明中連接用導體部只要於配線層之上表面露出即可，連接用導體部之上表面亦可與配線層之上表面為同一平面。接著片5係僅第1接著劑層50於上表面露出，故而可將形成於接著片50上之配線層更牢固地固定。
[安裝半導體晶片之步驟]
繼而，如圖6所示，將配線層2之連接用導體部21與半導體晶片3之電極31連接，而於配線層2(配線26)上安裝半導體晶片3。圖6係將 安裝後之連接用導體部21、電極31各自之突起省略而表示。再者，圖6中表示於配線層2上安裝複數個半導體晶片3之情形，但安裝於配線層上之半導體晶片之數並無特別限定，亦可為1。
繼而，如圖7所示，視需要以覆蓋半導體晶片3之方式利用樹脂32進行樹脂密封。用於樹脂密封之樹脂32可適當使用先前公知者等，樹脂密封方法亦可採用先前公知之方法。
[自基座分離之步驟]
繼而，如圖8所示，將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。具體而言，以接著片5之與基座1相反側之面作為界面，將基座1與接著片5一起剝離。再者，於未進行樹脂密封之情形時，將未經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。如上所述，接著片5不僅具有第1接著劑層50，而且具有接著力低於第1接著劑層50之第2層51，故而若降低第1接著劑層50之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線層之半導體晶片容易地上下分離。
又，中央部53係由第1接著劑層50與第2層51之積層形成。因此，由第1接著劑層50與第2層51之積層而形成之中央部53與僅由第1接著劑層50所形成之周邊部54相比，接著力相對較低。因此，若至少降低周邊部54之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線層之半導體晶片容易地上下分離。又，使第1接著劑層50形成於接著片5之周邊部54，故而於後述之分離之步驟中，利用溶劑溶解第1接著劑層50、或利用切割機或雷射等物理性地切出切口，容易降低第1接著劑層50之接著力。作為降低第1接著劑層50之接著力之方法，可列舉：利用溶劑溶解第1接著劑層50而降低接著力之方法；利用切割機或雷射等於第1接著劑層50上物理性地切出切口而降低接著力之方法；預先使用接著力會因加熱而降低之材料形成第1接著劑層50，而利用加熱降低接著力之方法等。
其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖9)。再者，對於將基座1剝離後之配線層2，亦可實施賦予焊錫球之加工。
以上，對本實施形態之半導體裝置之製造方法之概略進行了說明。以下，一面參照圖10~圖17一面對本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例進行詳細說明。圖10~圖17係用以對圖9所示之半導體裝置之製造方法的一例進行詳細說明之剖面模式圖。
[具有接著片之基座之準備]
首先，準備基座1(參照圖10)。基座1較佳為具有一定以上之強度。
作為基座1，並無特別限定，可列舉：矽晶圓、SiC晶圓、GaAs晶圓等化合物晶圓；玻璃晶圓、SUS、6-4合金；Ni箔、Al箔等金屬箔等。於採用俯視時為圓形之形狀之情形時，較佳為矽晶圓或玻璃晶圓。又，於俯視時為矩形之情形時，較佳為SUS板或玻璃板。
又，作為基座1，例如可使用：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、紙等。
基座1可單獨使用，亦可組合2種以上使用。基座之厚度並無特別限定，例如通常為10μm~20mm左右。
繼而，於基座1上貼合接著片5。接著片5係如已說明般具有第2層51、及以覆蓋第2層51之上表面及側面之態樣積層於第2層51上之第1接著劑層50。
作為構成第1接著劑層50之接著劑組合物，只要以第1接著劑層50之接著力高於第2層51之接著力之方式進行選擇，則並無特別限定。作為此種構成第1接著劑層50之接著劑組合物，可列舉併用具有醯亞胺基且具有來自至少一部分具有醚結構之二胺之構成單元的聚醯亞胺樹脂、作為上述聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸、聚矽氧樹脂、熱塑性樹脂及熱固性樹脂者等。
上述聚醯亞胺樹脂通常可藉由對作為其前驅物之聚醯胺酸進行醯亞胺化(脫水縮合)而獲得。作為對聚醯胺酸進行醯亞胺化之方法，例如可採用先前公知之加熱醯亞胺化法、共沸脫水法、化學醯亞胺化法等。其中，較佳為加熱醯亞胺化法。於採用加熱醯亞胺化法之情形時，為了防止由聚醯亞胺樹脂之氧化所導致之劣化，較佳為於氮氣環境下或真空中等惰性環境下進行加熱處理。
上述聚醯胺酸可於適當選擇之溶劑中以實質上成為等莫耳比之方式添加酸酐及二胺(包括具有醚結構之二胺及不具有醚結構之二胺兩者)並進行反應而獲得。
上述聚醯亞胺樹脂較佳為含有來自具有醚結構之二胺之構成單元。上述具有醚結構之二胺只要為具有醚結構且具有至少2個具有胺結構之端末的化合物，則並無特別限定。上述具有醚結構之二胺中，較佳為具有二醇骨架之二胺。於上述聚醯亞胺樹脂含有來自具有醚結構之二胺之構成單元、尤其是具有來自具有二醇骨架之二胺之構成單元的情形時，若加熱第1接著劑層50，則可降低接著力。針對該現象，第1本發明者等人推測，藉由經加熱而上述醚結構自構成第1接著劑層50之樹脂脫離，接著力因該脫離而降低。
再者，關於上述醚結構或上述二醇骨架自構成第1接著劑層50之樹脂脫離的情形，例如可藉由如下方式進行確認：將於300℃下加熱30分鐘前後之傅立葉轉換紅外光譜(FT-IR，fourier transform infrared spectroscopy)進行比較，2800~3000cm-1之光譜於加熱前後減少。
作為上述具有二醇骨架之二胺，例如可列舉：具有聚丙二醇結構且於兩末端各具有1個胺基之二胺、具有聚乙二醇結構且於兩末端各具有1個胺基之二胺、具有聚醚雙醇結構且於兩末端各具有1個胺基之二胺等具有伸烷基二醇之二胺。又，亦可列舉具有複數個該等二醇結構且於兩末端各具有1個胺基之二胺。
上述具有醚結構之二胺之分子量較佳為於100~5000之範圍內，更佳為150~4800。若上述具有醚結構之二胺之分子量於100~5000之範圍內，則容易獲得低溫下之接著力較高且於高溫下發揮剝離性之第1接著劑層50。
於上述聚醯亞胺樹脂之形成中，除具有醚結構之二胺以外，亦可併用不具有醚結構之二胺。作為不具有醚結構之二胺，可列舉脂肪族二胺或芳香族二胺。藉由併用不具有醚結構之二胺，可控制與被接著體之密接力。具有醚結構之二胺與不具有醚結構之二胺的調配比例以莫耳比計較佳為於100：0~10：90之範圍內，更佳為100：0~20：80，進而較佳為99：1~30：70。若上述具有醚結構之二胺與上述不具有醚結構之二胺的調配比例以莫耳比計於100：0~10：90之範圍內，則高溫下之熱剝離性更優異。
作為上述脂肪族二胺，例如可列舉：乙二胺、六亞甲基二胺、1,8-二胺基辛烷、1,10-二胺基癸烷、1,12-二胺基十二烷、4,9-二氧雜-1,12-二胺基十二烷、1,3-雙(3-胺基丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(α、ω-雙胺基丙基四甲基二矽氧烷)等。上述脂肪族二胺之分子量通常為50~1,000,000，較佳為100~30,000。
作為芳香族二胺，例如可列舉：4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、3,3'-二胺基二苯醚、間苯二胺、對苯二胺、4,4'-二胺基二苯基丙烷、3,3'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基硫醚、3,3'-二胺基二苯基硫醚、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷、4,4'-二胺基二苯甲酮等。上述芳香族二胺之分子量通常為50~1000，較佳為100~500。上述脂肪族二胺之分子量及上述芳香族二胺之分子量係指利用GPC(Gel Permeation Chromatography，凝膠滲透層析法)進行測定並根據聚苯乙烯換算而算出之值(重量平均分子量)。
作為上述酸酐，例如可列舉：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4'-氧二鄰苯二甲酸二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)碸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、均苯四甲酸二酐、乙二醇雙偏苯三甲酸二酐等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為使上述酸酐與上述二胺反應時之溶劑，可列舉：N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺、環戊酮等。該等可單獨使用，亦可混合複數種而使用。又，為了調整原材料或樹脂之溶解性，亦可適當混合甲苯或二甲苯等非極性溶劑而使用。
作為上述聚矽氧樹脂，例如可列舉過氧化物交聯型聚矽氧系黏著劑、加成反應型聚矽氧系黏著劑、脫氫反應型聚矽氧系黏著劑、濕氣硬化型聚矽氧系黏著劑等。上述聚矽氧樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。若使用上述聚矽氧樹脂，則耐熱性變高，高溫下之儲存模數或黏著力可成為適當之值。於上述聚矽氧樹脂中，就雜質較少 方面而言，亦較佳為加成反應型聚矽氧系黏著劑。
於第1接著劑層50中使用上述聚矽氧樹脂之情形時，第1接著劑層50中視需要亦可含有其他添加劑。作為此種其他添加劑，例如可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。作為阻燃劑，例如可列舉三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。作為矽烷偶合劑，例如可列舉β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。作為離子捕捉劑，例如可列舉水滑石類、氫氧化鉍等。此種其他添加劑可為僅1種，亦可為2種以上。
作為構成第2層51之組合物，只要以第2層51之接著力低於第1接著劑層50之接著力之方式進行選擇，則並無特別限定。作為構成此種第2層51之材料，可列舉Cu、Cr、Ni、Ti等無機材料。
又，作為構成第2層51之組合物，可使用已作為構成上述第1接著劑層50之接著劑組合物而說明之上述聚醯亞胺樹脂，可使用作為上述聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸，可使用上述聚矽氧樹脂，亦可使用併用上述熱塑性樹脂與上述熱固性樹脂者。
(接著片之製造)
接著片5例如係以如下方式製作。首先，製作包含用以形成第2層51之組合物之溶液。繼而，將上述溶液以成為特定厚度之方式塗佈於基材上而形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥等，而形成第2層51。作為上述基材，可使用：SUS304、6-4合金；鋁箔、銅箔、Ni箔等金屬箔；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；或利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗佈之塑膠膜或紙等。又，作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥式塗佈、網版塗佈、凹版塗佈、旋轉塗佈等。
繼而，自第2層51側利用沖裁加工等沖裁成特定形狀(例如圓形、 矩形等)，保留沖裁而成之部分(圓形狀、矩形狀等之第2層51)而將外側剝離除去。
另一方面，製作包含用以形成第1接著劑層50之組合物之溶液。
繼而，於積層有沖裁成特定形狀之第2層51之上述基材上，將包含用以形成上述第1接著劑層50之組合物之溶液以成為特定厚度之方式塗佈於第2層51之側而形成塗佈膜。其後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥等而形成第1接著劑層50。根據以上，獲得如圖1所示之接著片5。再者，如圖2所示之接著片6及如圖3所示之接著片7亦可藉由相同之方法而製作。
[貼合於基座上之步驟]
於準備接著片5之步驟後，以接著片5之下表面作為貼合面而將準備之接著片5貼合於基座1上(參照圖10)。
[配線層之形成]
繼而，於基座1之接著片5上形成配線層2。於具有接著片之基座上形成配線層之方法可使用半加成法或減成法等先前公知之電路基板或中介層之製造技術。於基座上形成配線層，藉此於製造步驟中，尺寸穩定性變得良好，又，較薄之配線層之操作性變得良好。以下，表示配線層之形成方法之一例。再者，圖11~圖17中，僅對與1之半導體晶片對應之部分進行了圖示，省略了其他部分，但與其他半導體晶片對應之部分亦同樣。
[基礎絕緣層之形成]
如圖11所示，於基座1之接著片5上形成基礎絕緣層20a。作為基礎絕緣層20a之材料，並無特別限定，例如可列舉：聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚碸樹脂、環氧樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等公知之合成樹脂；或者該等樹脂與合成繊維布、玻璃布、玻璃不織布及TiO2、 SiO2、ZrO2或礦物、黏土等微粒子之複合樹脂等。尤其是就將基座1剝離後成為更薄、具有更大之機械強度且具有更佳之電氣特性(絕緣特性等)的軟性絕緣層方面而言，作為較佳之材料，可列舉聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、玻璃布複合環氧樹脂。其中，較佳為具有感光性者。基礎絕緣層20a之厚度較佳為0.1~50μm。
繼而，於應該形成外部連接用導體部22之位置形成開口h1(參照圖12)。作為開口h1之形成方法，可採用先前公知之方法。例如，於使用具有感光性之樹脂形成基礎絕緣層20a之情形時，隔著形成有與開口h1對應之圖案之光罩而照射光後使其顯像，藉此可形成開口h1。開口形狀並無特別限定，較佳為圓形，直徑亦可適當設定，例如可設為1.0μm~500μm。
[接點用金屬膜之形成]
繼而，於開口h1上形成接點用金屬膜211。藉由形成金屬膜211，可更佳地進行電性連接，可提高耐蝕性。金屬膜211之形成方法並無特別限定，較佳為鍍敷，作為該金屬膜之材料，可列舉：銅、金、銀、鉑、鉛、錫、鎳、鈷、銦、銠、鉻、鎢、釕等單獨金屬；或包含該等之2種類以上之合金等。該等中，作為較佳之材料，可列舉金、錫、鎳等，作為較佳之金屬膜之態樣，可列舉將底層設為Ni並將表層設為Au之2層結構等。
[種膜、下側之導通路、導體層之形成]
繼而，視需要於應該形成導體層23及導通路25之部分的壁面形成用以使金屬材料良好地堆積之種膜(金屬薄膜)23a(參照圖14)。種膜23a例如可藉由濺鍍而形成。作為種膜之材料，例如可列舉：銅、金、銀、鉑、鉛、錫、鎳、鈷、銦、銠、鉻、鎢、釕等單獨金屬；或者包含該等之2種類以上之合金等。導體層23之厚度並無特別限定，只要於1~500nm之範圍內適當選擇即可。又，導通路25係圓柱狀為 較佳形狀，其直徑為1.0~500μm，較佳為3.0~300μm。其後，形成具有特定配線圖案之導體層23、導通路25。配線圖案例如可藉由電鍍而形成。其後，將無導體層23之部分之種膜去除。
繼而，如圖15所示，利用阻敷劑r1覆蓋導體層23之上方(除了應該形成導通路之部分)，且利用阻敷劑r2覆蓋基座1之整個下表面，藉由電鍍而形成導通路24。導體層23、導通路24及導通路25相當於電路26(參照圖5)。
[接著劑層之形成]
繼而，去除阻敷劑r1、r2，以掩埋露出之導體層23及導通路24之方式形成以環氧及聚醯亞胺作為主成分之接著劑層20b，以導通路24之上端面作為端子部於接著層上表面露出之方式利用鹼性溶液等對該接著層進行蝕刻(參照圖16)。
[金屬膜於連接用導體部之端面之形成]
繼而，如圖17所示，於導通路24之上端面，例如藉由電鍍而形成連接用導體部21。連接用導體部21例如可藉由鎳膜、金膜等而形成。
[安裝步驟、剝離步驟、切晶]
繼而，對上述中所獲得之配線層2(以可自基座1剝離之方式貼附者)安裝晶片(參照圖6)。其後，進行接著劑層20b之老化，進而，視需要對配線層2上之各晶片3實施樹脂密封(參照圖7)。再者，樹脂密封可使用片狀之密封用樹脂片材，亦可使用液狀之樹脂密封材料。其後，將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離(參照圖8)。再者，於未進行樹脂密封之情形時，將未進行樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3而成之半導體裝置4(參照圖9)。再者，於對配線層2安裝晶片(倒裝晶片連接)時，亦可於配線層2與晶片 之間使用底膠填充用樹脂。底膠填充用樹脂可為片狀者，亦可為液狀者。又，上述實施形態中，對安裝晶片後實施樹脂密封之情形進行了說明，但亦可使用於晶片上形成有先前公知之倒裝晶片型半導體背面用膜者代替樹脂密封。上述倒裝晶片型半導體背面用膜係用以形成於倒裝晶片連接於被接著體上之晶片(半導體元件)之背面的膜，詳細情況例如於日本專利特開2011-249739號公報等中進行了揭示，故而省略此處之說明。
以上，對第1本發明之實施形態進行了說明。
<第2本發明>
以下，關於第2本發明(第2-1本發明、第2-2本發明及第2-3本發明)，對與第1本發明不同之方面進行說明。尤其是作為本第2本發明之項中所說明之以外之特性、效果，第2本發明之半導體裝置之製造方法及接著片可發揮與第1本發明之半導體裝置之製造方法及接著片相同之特性、效果。
第2-1本發明之半導體裝置之製造方法係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且至少包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部係由上述第2層形成；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；以及上述安裝後，自上述工件側切出切口直至到達上述接著片之上述中央部為止，藉此將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
以下，一面參照圖式一面對第2-1本發明之一實施形態之各步驟進行說明。再者，第2-1本發明中所使用之「上表面」、「下表面」等表示上下之語句係僅用以說明層之位置關係者，對於接著片或半導體 裝置之實際之上下姿勢並無限定。再者，以下之實施形態中，對本發明之工件為半導體晶片之情形進行說明，但並不限定於該例，亦可為未形成有電路之晶圓，亦可為形成有電路之晶圓，亦可為未形成有電路之經單片化之晶圓。圖18係表示第2-1本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。圖19~圖25係用以對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
[準備接著片之步驟]
首先，準備接著片6，該接著片6係具有第1接著劑層60、及貼附於基座上之後的接著力低於第1接著劑層60之第2層61者，且接著片6之周邊部64由第1接著劑層60形成，較周邊部64更內側之中央部63由第2層61形成(參照圖18)。
接著片6由於在周邊部存在接著力高於第2層61之第1接著劑層60，故而可將該部分牢固地貼合於基座及配線上。接著片6由於藉由第2層61而形成中央部63，故而於後述之分離之步驟中，若降低存在於周邊部64上之第1接著劑層60之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。
又，藉由第2層61而形成中央部63，第2層61亦與基座接觸，故而分離之步驟後，容易將該接著片6自基座剝離。因此，容易回收基座。
又，接著片6之周邊部64由第1接著劑層60形成，較周邊部64更內側之中央部63由第2層61形成，故而若於配線上安裝半導體晶片後，自上述半導體晶片側切出切口直至到達接著片6之中央部63為止，則基座與附有配線之半導體晶片僅經由第2層61而相對向。其結果，於分離之步驟中，可藉由外力而將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。
本實施形態中，貼附於基座上之後的第2層61之接著力只要低於 貼附於基座上之後的第1接著劑層60之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以下，更佳為0.20N/20mm以下。又，第2層61之接著力之下限值並無特別限定，例如為0N/20mm以上，亦可為0.001N/20mm以上。若第2層61之上述接著力為0.30N/20mm以下，則可將第2層61自基座容易地剝離。另一方面，第2層61之上述接著力越低，則越容易進行自基座之剝離。
又，貼附於基座上之後的第1接著劑層60之接著力只要高於貼附於基座上之後的第2層61之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。又，第1接著劑層60之接著力之上限值並無特別限定，越大越好，例如可列舉30N/20mm以下、20N/20mm以下等。若第1接著劑層60之上述接著力為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片6更牢固地固定。
接著片6之厚度較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~25μm。若接著片6之厚度為0.1μm以上，則可容易地形成該接著片6。另一方面，若接著片6之厚度為100μm以下，則可抑制或防止接著片6之厚度不均或加熱時之收縮‧膨脹，於形成配線之步驟中較為有利。
[貼合於基座上之步驟]
於準備接著片6步驟後，將準備之接著片6貼合於基座1上(參照圖19)。貼合方法並無特別限定，較佳為利用壓接之方法。壓接通常係一面利用壓接輥等擠壓機構進行擠壓一面進行。作為壓接條件，較佳為20℃~150℃、0.01MPa~10MPa、1mm/sec~100mm/sec。如上所述，接著片6由於接著力高於第2層61之第1接著劑層60於下表面露出，故而可牢固地貼合於基座1上。
[形成配線層之步驟]
繼而，於接著片6上，以連接用導體部21於配線層2之上表面露出之方式形成具有可與半導體晶片3之電極31連接之連接用導體部21及配線26之配線層2(參照圖20)。配線層2係於接著片6側具有用以進行與外部之電性連接之外部連接用導體部22。再者，圖20係表示連接用導體部21以凸狀於配線層2之上表面露出之情形，但第2-1本發明中連接用導體部只要於配線層之上表面露出即可，連接用導體部之上表面亦可與配線層之上表面為同一平面。接著片6由於第1接著劑層60於上表面露出，故而牢固地固定形成於接著片6上之配線層2。
[安裝半導體晶片之步驟]
繼而，如圖21所示，將配線層2之連接用導體部21與半導體晶片3之電極31連接而於配線層2(配線26)上安裝半導體晶片3。圖21係省略安裝後之連接用導體部21、電極31各自之突起而表示。再者，圖21係表示於配線層2上安裝有複數個半導體晶片3之情形，但安裝於配線層上之半導體晶片之數並無特別限定，亦可為1。
繼而，如圖22所示，視需要以覆蓋半導體晶片3之方式利用樹脂32進行樹脂密封。用於樹脂密封之樹脂32可適當使用先前公知者等，樹脂密封方法亦可採用先前公知之方法。
[自基座分離之步驟]
繼而，如圖23所示，自半導體晶片3側切出切口65直至到達接著片6之中央部63為止。此時，於樹脂32及配線層2上亦同時切出切口。藉此，基座1與附有配線層2之半導體晶片3僅經由第2層61而相對向。其後，施加外力，藉此如圖24所示，將基座1與附有配線層2之半導體晶片3上下分離。此時，基座1與附有配線層2之半導體晶片3僅經由接著力相對較低之第2層61而相對向，故而可藉由外力而將基座1與附有配線層2之半導體晶片3容易地上下分離。作為切口之形成方法，可採用先前公知之方法等，可使用切割機等刀具或由雷射等所產生之高能 量線。
其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖25)。再者，對於將基座1剝離之配線層2，亦可實施賦予焊錫球之加工。
以上，對第2-1本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法之概略進行了說明。以下，對本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例進行詳細說明。
[具有接著片之基座之準備]
首先，準備基座1(參照圖19)。基座1可使用第1本發明之項中所說明者。
繼而，於基座1上貼合接著片6(參照圖19)。接著片6係如已說明般周邊部64由第1接著劑層60形成，較周邊部64更內側之中央部63由第2層61形成。
作為構成第1接著劑層60之接著劑組合物，只要以第1接著劑層60之接著力高於第2層61之接著力之方式選擇，則並無特別限定。作為構成上述第1接著劑層60之接著劑組合物，可列舉併用含有來自具有醯亞胺基且於至少一部分具有醚結構之二胺的構成單元之聚醯亞胺樹脂、作為上述聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸、聚矽氧樹脂、熱塑性樹脂及熱固性樹脂者等。
上述聚醯亞胺樹脂及上述聚矽氧樹脂可使用第1本發明之項中所說明者。
於第1接著劑層60中使用上述聚矽氧樹脂之情形時，於第1接著劑層60中，視需要亦可含有其他添加劑。作為此種其他添加劑，可使用第1本發明之項中所說明者。
作為構成第2層61之組合物，只要以第2層61之接著力低於第1接著劑層60之接著力之方式選擇，則並無特別限定。作為構成上述第2 層61之材料，可列舉Cu、Cr、Ni、Ti等無機材料。
又，作為構成第2層61之組合物，亦可使用作為構成上述第1接著劑層60之接著劑組合物而說明之上述聚醯亞胺樹脂，亦可使用作為上述聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸，亦可使用上述聚矽氧樹脂，亦可使用併用上述熱塑性樹脂與上述熱固性樹脂者。
(接著片之製造)
接著片6係例如以如下方式製作。首先，製作包含用以形成第2層61之組合物之溶液。繼而，將上述溶液以成為特定厚度之方式塗佈於基材上而形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥等而形成第2層61。作為上述基材，可使用：SUS304、6-4合金；鋁箔、銅箔、Ni箔等金屬箔；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；或利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜或紙等。又，作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥式塗佈、網版塗佈、凹版塗佈、旋轉塗佈等。
繼而，自第2層61側利用沖裁加工等沖裁成特定形狀(例如圓形、矩形等)，保留沖裁而成之部分(圓形狀、矩形狀等之第2層61)而將外側剝離、除去。
另一方面，製作包含用以形成第1接著劑層60之組合物之溶液。
繼而，於積層有沖裁成特定形狀之第2層61之上述基材上，將包含用以形成上述第1接著劑層60之組合物的溶液以成為特定厚度之方式塗佈於第2層61側而形成塗佈膜。其後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥等而形成第1接著劑層60。根據以上，獲得如圖18所示之接著片6。再者，如下述圖26所示之接著片7亦可藉由相同之方法而製作。
[配線層之形成]
繼而，於基座1之接著片6上形成配線層2(參照圖20)。於具有接著片之基座上形成配線層之方法可採用第1本發明之項中所說明之方 法。
[安裝步驟、剝離步驟、切晶]
繼而，對上述中所獲得之配線層2(以可自基座1剝離之方式貼附者)安裝晶片(參照圖21)。其後，進行配線層2之老化，進而，視需要對配線層2上之各晶片3實施樹脂密封(參照圖22)。再者，樹脂密封可使用片狀之密封用樹脂片材，亦可使用液狀之樹脂密封材料。其後，將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離(參照圖24)。再者，於未進行樹脂密封之情形時，將未進行樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖25)。再者，於對配線層2安裝晶片(倒裝晶片連接)時，亦可於配線層2與晶片之間使用底膠填充用樹脂。底膠填充用樹脂可為片狀者，亦可為液狀者。又，上述實施形態中，對安裝晶片後實施樹脂密封之情形進行了說明，但亦可代替樹脂密封而使用於晶片上形成有先前公知之倒裝晶片型半導體背面用膜者。上述倒裝晶片型半導體背面用膜係用以形成於倒裝晶片連接於被接著體上之晶片(半導體元件)的背面之膜，詳細情況例如於日本專利特開2011-249739號公報等中進行了揭示，故而省略此處之說明。
以上，對第2-1本發明之一實施形態進行了說明。繼而，對第2-2本發明進行說明。
第2-2本發明之半導體裝置之製造方法係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且至少包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成； 以僅上述第1接著劑層露出之側的面作為貼合面而將上述接著片貼合於基座上之步驟；於上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；以及上述安裝後，對於上述接著片自上述工件側切出切口直至達到上述中央部之上述第1接著劑層為止，藉此將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
以下，一面參照圖式一面對第2-2本發明之一實施形態之各步驟進行說明。但是，於以下所說明之第2-2本發明之實施形態中，除準備接著片之步驟、貼合於基座上之步驟及自基座分離之步驟以外，與上述第2-1本發明之實施形態相同，因此對準備接著片之步驟、貼合於基座上之步驟及自基座分離之步驟進行說明，省略除此以外之說明。圖26係表示第2-2本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。圖27係用以對第2-2本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
[準備接著片之步驟]
首先，準備接著片，該接著片係具有第1接著劑層70、及貼附於基座上之後的接著力低於第1接著劑層70之第2層71之接著片7，且接著片7之周邊部74由第1接著劑層70形成，較周邊部74更內側之中央部73由第1接著劑層70與第2層71之積層形成(參照圖26)。
貼附於基座上之後的第2層71之接著力只要低於貼附於基座上之後的第1接著劑層70之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以下，更佳為0.20N/20mm以下。又，第2層71之接著力之下限值並無特別限定，例如為0N/20mm以上，亦可為0.001N/20mm以上。若第2層71之上述接著力為0.30N/20mm以下，則於分離之步驟 中，可將附有配線之半導體晶片自第2層容易地剝離。
又，貼附於基座上之後的第1接著劑層70之接著力只要高於貼附於基座上之後的第2層71之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。又，第1接著劑層70之接著力之上限值並無特別限定，越大越好，例如可列舉30N/20mm以下、20N/20mm以下等。若第1接著劑層70之上述接著力為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片7更牢固地固定。
接著片7之厚度較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~25μm。若接著片7之厚度為0.1μm以上，則可容易地形成多層構造。另一方面，若接著片7之厚度為100μm以下，則可抑制或防止接著片7之厚度不均或加熱時之收縮‧膨脹，於形成配線之步驟中較為有利。
第1接著劑層70之中央部73之厚度較佳為0.01~99μm，更佳為0.05~10μm。
第2層71之厚度(中央部73之厚度)較佳為0.09~99.9μm，更佳為0.05~15μm。
第1接著劑層由於彈性模數通常低於第2層，故而於形成該層時容易於表面產生起伏。就上述觀點而言，較佳為使第1接著劑層變薄並使第2層變厚。另一方面，第1接著劑層由於玻璃轉移溫度通常高於第2層，故而於形成該層時收縮較大。就上述觀點而言，較佳為使第1接著劑層變厚並使第2層變薄。因此，本發明中，考慮層形成時之表面起伏及層形成時之收縮量之兩者，第1接著劑層之厚度及第2層之厚度較佳為於上述數值範圍內選擇。
[貼合於基座上之步驟]
準備接著片7之步驟後，以僅第1接著劑層70露出之側的面作為貼合面而將準備之接著片7貼合於基座1上(參照圖27)。
[自基座分離之步驟]
於自基座分離之步驟中，首先，於接著片7上自半導體晶片3側切出切口75直至到達中央部73之第1接著劑層70為止。此時，於樹脂32及配線層2上亦同時切出切口。藉此，基座1與附有配線層2之半導體晶片3僅經由第1接著層70與第2層71之積層部分而相對向。此時，使第1接著劑層70貼合於基座1上，第2層71與附有配線層2之半導體晶片3接觸。其結果，於分離之步驟中，可藉由外力而於第2層71與配線層2之界面容易地剝離。因此，可將附有配線層2之半導體晶片3容易地自基座1分離。
以上，對第2-2本發明之一實施形態進行了說明。繼而，對第2-3本發明進行說明。
第2-3本發明之半導體裝置之製造方法係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且至少包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成，較上述周邊部更內側之中央部由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成；以僅上述第1接著劑層露出之側之面的相反側之面作為貼合面而將上述接著片貼合於基座上之步驟；於上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；以及上述安裝後，對於上述接著片自上述工件側切出切口直至到達上述第2層為止，藉此將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
以下，一面參照圖式一面對第2-3本發明之一實施形態之各步驟進行說明。但是，以下所說明之第2-3本發明之實施形態中，除準備接著片之步驟、貼合於基座上之步驟及自基座分離之步驟以外，與上 述第2-1本發明之實施形態相同，因此對準備接著片之步驟、貼合於基座上之步驟及自基座分離之步驟進行說明，省略除此以外之說明。圖28係表示第2-3本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。圖29係用以對第2-3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。
[準備接著片之步驟]
首先，準備接著片，該接著片係具有第1接著劑層50、及貼附於基座上之後的接著力低於第1接著劑層50之第2層51的接著片5，且接著片5之周邊部54由第1接著劑層50形成，較周邊部54更內側之中央部53由第1接著劑層50與第2層51之積層形成(參照圖28)。
貼附於基座上之後的第2層51之接著力只要低於貼附於基座上之後的第1接著劑層50之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以下，更佳為0.20N/20mm以下。又，第2層51之接著力之下限值並無特別限定，例如為0N/20mm以上，亦可為0.001N/20mm以上。若第2層51之上述接著力為0.30N/20mm以下，則於分離之步驟中，可容易地自基座1或第1接著劑層50剝離。
又，貼附於基座上之後的第1接著劑層50之接著力只要高於貼附於基座上之後的第2層51之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。又，第1接著劑層50之接著力之上限值並無特別限定，越大越好，例如可列舉30N/20mm以下、20N/20mm以下等。若第1接著劑層50之上述接著力為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片5更牢固地固定於周邊部54上。
接著片5之厚度較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~25μm。若接著片5之厚度為0.1μm以上，則可容易地形成多層構造。另一方面，若 接著片5之厚度為100μm以下，則可抑制或防止接著片5之厚度不均或加熱時之收縮‧膨脹，於形成配線之步驟中較為有利。
第1接著劑層50之中央部53之厚度較佳為0.01~99μm，更佳為0.05~10μm。
第2層51之厚度(中央部53之厚度)較佳為0.09~99.9μm，更佳為0.05~15μm。
第1接著劑層由於彈性模數通常低於第2層，故而於形成該層時容易於表面產生起伏。就上述觀點而言，較佳為使第1接著劑層變薄並使第2層變厚。另一方面，第1接著劑層由於玻璃轉移溫度通常高於第2層，故而於形成該層時收縮較大。就上述觀點而言，較佳為使第1接著劑層變厚並使第2層變薄。因此，本發明中，考慮層形成時之表面起伏及層形成時之收縮量之兩者，第1接著劑層之厚度及第2層之厚度較佳為於上述數值範圍內選擇。
[貼合於基座上之步驟]
於準備接著片5步驟後，僅以與第1接著劑層50露出之側的面相反側之面作為貼合面而將準備之接著片5貼合於基座1上(參照圖29)。
[自基座分離之步驟]
於自基座分離之步驟中，首先，於接著片5上自半導體晶片3側切出切口55直至到達第2層51為止。此時，於樹脂32及配線層2上亦同時切出切口。藉此，基座1與附有配線層2之半導體晶片3僅經由第1接著層50與第2層51之積層部分而相對向。因此，於分離之步驟中，可藉由外力而於第1接著劑層70與第2層51之界面、或第2層51與基座1之界面容易地剝離。其後，將第1接著劑層50自配線層2剝離。藉此，可將基座與附有配線層2之半導體晶片3容易地上下分離。
以上，對第2本發明之實施形態進行了說明。
<第3本發明>
以下，關於第3本發明，對與第1本發明不同之方面進行說明。尤其是作為本第3本發明之項中所說明之以外之特性、效果，第3本發明之半導體裝置之製造方法及接著片可發揮與第1本發明之半導體裝置之製造方法及接著片相同之特性、效果。
第3本發明之半導體裝置之製造方法係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且至少包括：準備接著片之步驟，該接著片係積層有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；以及上述安裝後將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
以下，一面參照圖式一面對第3本發明之一實施形態之各步驟進行說明。再者，第3本發明中所使用之「上表面」、「下表面」等表示上下之語句係僅用以說明層之位置關係者，對於接著片或半導體裝置之實際之上下姿勢並無限定。再者，以下之實施形態中，對第3本發明之工件為半導體晶片之情形進行說明，但並不限定於該例，亦可為未形成有電路之晶圓，亦可為形成有電路之晶圓，亦可為未形成有電路之經單片化之晶圓。
[準備接著片之步驟]
首先，準備接著片，該接著片係積層有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層。
此處，對本實施形態之接著片進行說明。圖30係表示第3本發明之一實施形態之接著片之剖面模式圖。如圖30所示，接著片5具有於第2層51上積層有第1接著劑層50之構成。第2層51之接著力低於第1接著劑層50之接著力。再者，接著片5係於貼合於基座上之步驟中以第2層51作為貼合面而貼合於基座上。
接著片5由於存在第1接著劑層50，故而於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等固定於基座上。又，不僅具有第1接著劑層50，而且具有接著力低於第1接著劑層50之第2層51，故而於分離之步驟中，可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。又，接著片5由於以第2層51作為貼合面而貼合於基座上，故而於第1接著劑層50上形成有配線。因此，於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等更牢固地固定於基座上。
本實施形態中，貼附於基座上之後的第2層51之接著力只要低於貼附於基座上之後的第1接著劑層50之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.3N/20mm以下，更佳為0.20N/20mm以下。又，第2層51之接著力之下限值並無特別限定，例如為0N/20mm以上，亦可為0.001N/20mm以上。若第2層51之上述接著力為0.30N/20mm以下，則可將第2層51自基座容易地剝離。另一方面，第2層51之上述接著力越低，則越容易進行自基座之剝離。
又，貼附於基座上之後的第1接著劑層50之接著力只要高於貼附於基座上之後的第2層51之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。又，第1接著劑層50之接著力之上限值並無特別限定，越大越好，例如可列舉30N/20mm以下、20N/20mm以下等。若第1接著劑層50之上述接著力為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片5更牢固地固定。
第2層51與第1接著劑層50之間的接著力較佳為高於第2層51與基座1之間的接著力(將第2層51貼附於基座1上時之第2層51與基座1之間的接著力)。若第2層51與第1接著劑層50之間的接著力低於第2層51與基座1之間的接著力，則可於分離之步驟中，首先於第2層51與基座1 之間剝離，其後將第1接著劑層50與第2之51一起自配線26(配線層2)剝離。
第2層51與基座1之間的接著力以溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之180°撕除剝離力計較佳為0.3N/20mm以下，更佳為0.2N/20mm以下。又，就於配線形成步驟之期間不剝離之觀點而言，第2層51與基座1之間的上述接著力以溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之180°撕除剝離力計較佳為0.001N/20mm以上，更佳為0.01N/20mm以上。
第2層51與第1接著劑層50之間的接著力以溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之180°撕除剝離力計較佳為0.001N/20mm以上，更佳為10N/20mm以下。又，第2層51與第1接著劑層50之間的上述接著力以溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之180°撕除剝離力計，可設為1.0N/20mm以下、0.1N/20mm以下等。
接著片5之厚度較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~25μm。若接著片5之厚度為0.1μm以上，則可容易地形成多層構造。另一方面，若接著片5之厚度為100μm以下，則可抑制或防止接著片5之厚度不均或加熱時之收縮‧膨脹，於形成配線之步驟中較為有利。
第1接著劑層50之厚度較佳為0.01~99μm，更佳為0.05~10μm。
第2層51之厚度較佳為0.09~99.9μm，更佳為0.05~15μm。
第1接著劑層由於彈性模數通常低於第2層，故而於形成該層時容易於表面產生起伏。就上述觀點而言，較佳為使第1接著劑層變薄並使第2層變厚。另一方面，第1接著劑層由於玻璃轉移溫度通常高於第2層，故而於形成該層時收縮較大。就上述觀點而言，較佳為使第1接著劑層變厚並使第2層變薄。因此，第3本發明中，考慮層形成時之表面起伏及層形成時之收縮量之兩者，第1接著劑層之厚度及第2層之 厚度較佳為於上述數值範圍內選擇。
第3本發明之接著片並不限定於如圖30所示之接著片5，亦可為如圖31所示之接著片。圖31係表示第3本發明之另一實施形態之接著片之剖面模式圖。
圖31所示，接著片6具有於第1接著劑層60上積層有第2層61之構成。第2層61之接著力低於第1接著劑層60之接著力。再者，接著片6係於貼合於基座上之步驟中以第1接著劑層60作為貼合面而貼合於基座上。
接著片6由於存在第1接著劑層60，故而於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等固定於基座上。又，不僅具有第1接著劑層60，而且具有接著力低於第1接著劑層60之第2層61，故而於分離之步驟中，可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。又，接著片6由於以第1接著劑層60作為貼合面而貼合於基座上，故而於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等更牢固地固定於基座上。
貼附於基座上之後的第2層61之接著力只要低於貼附於基座上之後的第1接著劑層60之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以下，更佳為0.20N/20mm以下。又，第2層61之接著力之下限值並無特別限定，例如為0N/20mm以上，亦可為0.001N/20mm以上。若第2層61之上述接著力為0.30N/20mm以下，則可將第2層61自基座容易地剝離。另一方面，第2層61之上述接著力越低，則越容易進行自基座之剝離。
又，貼附於基座上之後的第1接著劑層60之接著力只要高於貼附於基座上之後的第2層61之接著力，則並無特別限定，溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為 0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。又，第1接著劑層60之接著力之上限值並無特別限定，越大越好，例如可列舉30N/20mm以下、20N/20mm以下等。若第1接著劑層60之上述接著力為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片6更牢固地固定。
第2層61與第1接著劑層60之間的接著力較佳為低於第1接著劑層60與基座1之間的接著力(將第1接著劑層60貼附於基座1上時之第1接著劑層60與基座1之間的接著力)。若第2層61與第1接著劑層60之間的接著力低於第1接著劑層60與基座1之間的接著力，則可於分離之步驟中，首先於第2層61與第1接著劑層60之間剝離，其後將第2層61自配線26(配線層2)剝離。
第2層61與第1接著劑層60之間的接著力以溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之180°撕除剝離力計較佳為0.3N/20mm以下，更佳為0.2N/20mm以下。又，就於配線形成步驟之期間不剝離之觀點而言，第2層61與第1接著劑層60之間的上述接著力以溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之180°撕除剝離力計較佳為0.001N/20mm以上，更佳為0.01N/20mm以上。
第1接著劑層60與基座1之間的上述接著力以溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之180°撕除剝離力計較佳為0.3N/20mm以上，更佳為0.4N/20mm以上。又，第1接著劑層60與基座1之間的上述接著力以溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之180°撕除剝離力計，可設為30N/20mm以下、20N/20mm以下等。
接著片6之厚度較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~25μm。若接著片6之厚度為0.1μm以上，則可容易地形成該接著片6。另一方面，若接著片6之厚度為100μm以下，則可抑制或防止接著片6之厚度不均或加熱時之收縮‧膨脹，於形成配線之步驟中較為有利。
第1接著劑層60之厚度較佳為0.01~99μm，更佳為0.05~10 μm。
第2層61之厚度較佳為0.09~99.9μm，更佳為0.05~15μm。
[貼合於基座上之步驟]
以下之說明中，對使用圖30所示之接著片5之情形進行說明。圖32~圖37係用以對第3本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。於準備接著片5步驟後，以接著片5之下表面作為貼合面而將準備之接著片5貼合於基座1上(參照圖32)。貼合方法並無特別限定，較佳為利用壓接之方法。壓接通常係一面利用壓接輥等擠壓機構進行擠壓一面進行。作為壓接條件，較佳為20℃~150℃、0.01MPa~10MPa、1mm/sec~100mm/sec。
[形成配線之步驟]
繼而，於接著片5上，以連接用導體部21於配線層2之上表面露出之方式形成具有可與半導體晶片3之電極31連接之連接用導體部21及配線26的配線層2(參照圖33)。配線層2係於接著片5側具有用以進行與外部之電性連接之外部連接用導體部22。再者，圖33係表示連接用導體部21以凸狀於配線層2之上表面露出之情形，但第3本發明中連接用導體部只要於配線層之上表面露出即可，連接用導體部之上表面亦可與配線層之上表面為同一平面。接著片5由於僅第1接著劑層50於上表面露出，故而可更牢固地固定形成於接著片50上之配線層。
[安裝半導體晶片之步驟]
繼而，如圖34所示，將配線層2之連接用導體部21與半導體晶片3之電極31連接而於配線層2(配線26)上安裝半導體晶片3。圖34係省略安裝後之連接用導體部21、電極31各自之突起而表示。再者，圖34係表示於配線層2上安裝有複數個半導體晶片3之情形，但安裝於配線層上之半導體晶片之數並無特別限定，亦可為1。
繼而，如圖35所示，視需要以覆蓋半導體晶片3之方式利用樹脂 32進行樹脂密封。用於樹脂密封之樹脂32可適當使用先前公知者等，樹脂密封方法亦可採用先前公知之方法。
[自基座分離之步驟]
繼而，如圖36所示，將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。具體而言，藉由施加外力而僅將基座1剝離，其後對接著片5進行90°剝離之方法。又，可列舉如下方法：藉由施加外力而將附有基座1之第2層51剝離，其後對第1接著劑層50進行90°剝離之方法。又，可列舉如下方法：降低第1接著劑層50之接著力後，將附有基座1之接著片5剝離之方法。再者，於未進行樹脂密封之情形時，將未進行樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。作為降低第1接著劑層50之接著力之方法，可列舉：利用溶劑溶解第1接著劑層50而降低接著力之方法；利用切割機或雷射等於第1接著劑層50上物理性地切出切口而降低接著力之方法；預先使用接著力會隨著加熱而降低之材料形成第1接著劑層50，利用加熱降低接著力之方法；利用超音波洗淨降低第1接著劑層50之接著力之方法等。再者，上述超音波洗淨中，視需要可加熱洗淨液，亦可使用含有界面活性劑等者作為洗淨液。
其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖37)。再者，對於將基座1剝離之配線層2，亦可實施賦予焊錫球之加工。
以上，對本實施形態之半導體裝置之製造方法之概略進行了說明。以下，對本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例進行詳細說明。
[具有接著片之基座之準備]
首先，準備基座1(參照圖32)。基座1可使用第1本發明之項中所說明者。
繼而，於基座1上貼合接著片5(參照圖32)。接著片5係如已說明般具有於第2層51上積層有第1接著劑層50之構成。
作為構成第1接著劑層50之接著劑組合物，只要以第1接著劑層50之接著力高於第2層51之接著力之方式選擇，則並無特別限定。作為此種構成第1接著劑層50之接著劑組合物，可列舉併用含有來自具有醯亞胺基且於至少一部分具有醚結構之二胺的構成單元之聚醯亞胺樹脂、作為上述聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸、聚矽氧樹脂、熱塑性樹脂及熱固性樹脂者等。
上述聚醯亞胺樹脂及上述聚矽氧樹脂可使用第1本發明之項中所說明者。
於第1接著劑層50中使用上述聚矽氧樹脂之情形時，於第1接著劑層50中，視需要亦可含有其他添加劑。作為此種其他添加劑，可使用第1本發明之項中所說明者。
作為構成第2層51之組合物，只要以第2層51之接著力低於第1接著劑層50之接著力之方式選擇，則並無特別限定。作為構成此種第2層51之材料，可列舉Cu、Cr、Ni、Ti等無機材料。
又，作為構成第2層51之組合物，可使用作為構成上述第1接著劑層50之接著劑組合物而說明之上述聚醯亞胺樹脂，亦可使用作為上述聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸，亦可使用上述聚矽氧樹脂，亦可使用併用上述熱塑性樹脂與上述熱固性樹脂者。
(接著片之製造)
接著片5係例如以如下方式製作。首先，製作包含用以形成第2層51之組合物之溶液。繼而，將上述溶液以成為特定厚度之方式塗佈於基材上而形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥等而形成第2層51。作為上述基材，可使用：SUS304、6-4合金；鋁箔、銅箔、Ni箔等金屬箔；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；或利 用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜或紙等。又，作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥式塗佈、網版塗佈、凹版塗佈、旋轉塗佈等。
另一方面，製作包含用以形成第1接著劑層50之組合物之溶液。
繼而，於積層有第2層51之上述基材上，將包含用以形成上述第1接著劑層50之組合物的溶液以成為特定厚度之方式塗佈於第2層51側而形成塗佈膜。其後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥等而形成第1接著劑層50。根據以上，獲得如圖30所示之接著片5。再者，如圖31所示之接著片6亦可藉由相同之方法而製作。
[配線層之形成]
繼而，於基座1之接著片5上形成配線層2(參照圖33)。於具有接著片之基座上形成配線層之方法可採用第1本發明之項中所說明之方法。
[安裝步驟、剝離步驟、切晶]
繼而，對上述中所獲得之配線層2(以可自基座1剝離之方式貼附者)安裝晶片(參照圖34)。其後，進行配線層2之老化，進而，視需要對配線層2上之各晶片3實施樹脂密封(參照圖35)。再者，樹脂密封可使用片狀之密封用樹脂片材，亦可使用液狀之樹脂密封材料。其後，將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離(參照圖36)。再者，於未進行樹脂密封之情形時，將未進行樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖37)。再者，於對配線層2安裝晶片(倒裝晶片連接)時，亦可於配線層2與晶片之間使用底膠填充用樹脂。底膠填充用樹脂可為片狀者，亦可為液狀者。又，上述實施形態中，對安裝晶片後實施樹脂密封之情形進行了說明，但亦可代替樹脂密封而使用於晶片上形成有先前公知之倒裝晶 片型半導體背面用膜者。上述倒裝晶片型半導體背面用膜係用以形成於倒裝晶片連接於被接著體上之晶片(半導體元件)的背面之膜，詳細情況例如於日本專利特開2011-249739號公報等中進行了揭示，故而省略此處之說明。
上述實施形態中，對第1接著劑層與第2層與基座為相同尺寸之情形進行了說明。然而，第3本發明中，第1接著劑層與第2層之積層態樣並不限定於該例。第3本發明之接著片例如亦可與基座接觸之側的層大於不與基座接觸之側的層。
圖38係表示於另一實施形態之接著片上形成有配線層且安裝有半導體晶片之情況之剖面模式圖。如圖38所示，接著片105具有積層有第1接著劑層150、及俯視時尺寸大於第1接著劑層150之第2層151之構成。接著片105係以第2層151與基座1接觸之態樣固定於基座1上。於接著片105之基座1之相反側，形成有配線層2。於配線層2上，安裝有半導體晶片3。配線層2係形成於第1接著劑層150上及第2層151露出之部分上。即便為此種形狀，於分離之步驟中，例如亦可於第1接著劑層150與第2層151之界面、或第2層151與基座1之界面剝離。
又，第3本發明中，例如亦可第1接著劑層與第2層之尺寸均大於基座之尺寸。圖39係表示於另一實施形態之接著片上形成有配線層且安裝有半導體晶片之情況之剖面模式圖。如圖39所示，接著片205具有第1接著劑層250與第2層251均為相同之尺寸且俯視時尺寸小於基座1之構成。接著片205係以第2層251與基座1接觸之態樣固定於基座1上。於接著片205之基座1之相反側，形成有配線層2。於配線層2上，安裝有半導體晶片3。配線層2係形成於第1接著劑層150上及基座1露出之部分上。即便為此種形狀，於分離之步驟中，例如亦可於第1接著劑層250與第2層251之界面、或第2層251與基座1之界面剝離。再者，圖39之例中，對第1接著劑層250與第2層251為相同尺寸之情形進 行了說明，第1接著劑層250之尺寸亦可小於第2層251之尺寸。於該情形時，亦可將配線層2形成於第1接著劑層250上、第2層251露出之部分上、及基座1露出之部分上。
圖39所示之例中，對於基座1露出之部分亦形成有配線層之情形進行了說明。然而，第3本發明中，貼附接著片後，即便於基座露出之情形時(即便於第1接著劑層與第2層之兩者之尺寸小於基座之尺寸之情形時)，亦可於基座露出之部分不形成配線層而僅於接著片上形成配線層。
以上，對第3本發明之實施形態進行了說明。
<第4本發明>
以下，關於第4本發明，對與第1本發明不同之方面進行說明。尤其是作為本第4本發明之項中所說明之以外之特性、效果，第4本發明之半導體裝置之製造方法可發揮與第1本發明之半導體裝置之製造方法相同之特性、效果。
第4本發明之半導體裝置之製造方法係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且至少包括：將暫時固定用片材配置於基座上，並且於上述暫時固定用片材與基座端部之傾斜部分之間形成接著力高於上述暫時固定片材之接著劑層，而將上述暫時固定用片材固定於基座上之步驟；於固定於上述基座上之上述暫時固定用片材上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；以及上述安裝後，將上述接著劑層自上述暫時固定用片材分離，藉此將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
以下，一面參照圖式一面對第4本發明之一實施形態之各步驟進行說明。再者，第4本發明中所使用之「上表面」、「下表面」等表示上下之語句係僅用以說明層之位置關係者，對於暫時固定用片材或半導體裝置之實際之上下姿勢並無限定。再者，以下之實施形態中，對 第4本發明之工件為半導體晶片之情形進行說明，但並不限定於該例，亦可為未形成有電路之晶圓，亦可為形成有電路之晶圓，亦可為未形成有電路之經單片化之晶圓。
[將暫時固定用片材固定於基座上之步驟]
圖40~圖46係用以對第4本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。圖40(a)係表示將暫時固定用片材固定於基座上之狀態之圖，圖40(b)係其部分放大圖。首先，如圖40(a)及圖40(b)所示，將暫時固定用片材5配置於基座1上，並且於暫時固定用片材5與基座端部之傾斜部分11之間形成接著力高於暫時固定片材5之接著劑層50而將暫時固定用片材5固定於基座1上。具體而言，例如可列舉如下方法：首先將暫時固定用片材5配置於基座1上，繼而於暫時固定用片材5與基座端部之傾斜部分11之間塗佈液狀接著劑組合物並進行乾燥等，藉此形成接著劑層50而將暫時固定用片材5固定於基座1上之方法。又，可列舉如下方法：於暫時固定用片材5之外周部分(與傾斜部分11對應之部分)預先設置作為片狀物之接著劑層50，於將暫時固定用片材5配置於基座1上時，將該接著劑層50貼附於基座1之傾斜部分11上，藉此將暫時固定用片材5固定於基座1上之方法。又，可列舉如下方法：於暫時固定用片材5之外周部分(與傾斜部分11對應之部分)，預先塗佈(例如噴塗)液狀接著劑層形成用溶液，於將暫時固定用片材5配置於基座1上時，對應於基座1之傾斜部分11而配置該塗佈之部分，其後使其硬化而形成接著劑層50，藉此將暫時固定用片材5固定於基座1上之方法。
本實施形態中，如圖40(b)所示，暫時固定用片材5之端部較佳為較基座1之端部更內側且較基座1之傾斜部分之傾斜起始位置更接近外側。具體而言，若將基座1之端部與暫時固定用片材5之端部於橫向方向(暫時固定用片材之面的水平方向)之距離設為D1(參照圖40(b))，則 D1較佳為大於基座1之圓形半徑D2(參照圖40(b))之十分之一、即(D2)/10。
又，D1較佳為小於D2之三分之二、即(D2)×(2/3)。若D1大於D2之十分之一，則可防止暫時固定用片材5與其他構件(例如用於搬送之卡匣)接觸並捲起。又，若D1小於D2之三分之二，則可於一定程度上確保由接著劑層50所產生之接著部分之面積，接著可靠性優異。再者，上述D2通常為0.1~0.4mm。藉由使D1大於(D2)/10，可抑制卡匣收納時等摩擦接著劑層而成為異物產生之原因之情形。
[形成配線之步驟]
繼而，於暫時固定用片材5上，以連接用導體部21於配線層2之上表面露出之方式形成具有可與半導體晶片3之電極31連接之連接用導體部21及配線26之配線層2(參照圖41)。配線層2係於暫時固定用片材5側具有用以進行與外部之電性連接之外部連接用導體部22。再者，圖41係表示連接用導體部21以凸狀於配線層2之上表面露出之情形，但第4本發明中連接用導體部只要於配線層之上表面露出即可，連接用導體部之上表面亦可與配線層之上表面為同一平面。
[安裝半導體晶片之步驟]
繼而，如圖42所示，將配線層2之連接用導體部21與半導體晶片3之電極31連接而於配線層2(配線26)上安裝半導體晶片3。圖42係省略安裝後之連接用導體部21、電極31各自之突起而表示。再者，圖42係表示於配線層2上安裝有複數個半導體晶片3之情形，但安裝於配線層上之半導體晶片之數並無特別限定，亦可為1。
繼而，如圖43所示，視需要以覆蓋半導體晶片3之方式利用樹脂32進行樹脂密封。用於樹脂密封之樹脂32可適當使用先前公知者等，樹脂密封方法亦可採用先前公知之方法。
[自基座分離之步驟]
繼而，藉由將接著劑層50自暫時固定用片材5分離而將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離(參照圖44)。暫時固定用片材5於基座1上之固定係主要藉由形成於基座端部之傾斜部分11之接著劑層50而進行，故而若將接著劑層50自暫時固定用片材5分離，則可藉由外力而將基座1與附有配線層2之半導體晶片3容易地上下分離。作為將接著劑層50自暫時固定用片材5分離之方法，可列舉：利用溶劑溶解接著劑層50而將接著劑層50自暫時固定用片材5分離之方法；於暫時固定用片材5上利用切割機或雷射等物理性地切出切口而將接著劑層50自暫時固定用片材5分離之方法，預先使用接著力會隨著加熱而降低之材料形成接著劑層50，利用加熱降低接著力而將接著劑層50自暫時固定用片材5分離之方法等。本實施形態中，由於使接著劑層50形成於基座端部之傾斜部分11上，故而容易利用溶劑溶解接著劑層50、或利用切割機或雷射等對暫時固定用片材5物理性地切出切口而降低接著劑層50之接著力。其中，較佳為藉由以接著劑層50自暫時固定用片材5分離之方式切出切口而將附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。其原因在於，由於只要於暫時固定用片材5上切出切口即可，故而可將附有配線層2之半導體晶片3簡便地自基座1分離可能。於接著劑層50上切出切口之情形時，亦可以於配線26(參照圖41)上未切出切口之程度於配線層2上切出切口，但較佳為如圖45所示，以於配線層2上未切出切口之方式於暫時固定用片材5上切出切口。其原因在於，若以於配線層2上未切出切口之方式於暫時固定用片材5上切出切口，則可以俯視時與基座1之面積大致相同之面積獲得裝置(附有配線層2之半導體晶片3)。作為以於配線層2上未切出切口之方式於暫時固定用片材5上切出切口之方法，可列舉如下方法：如圖45所示，自斜上方向僅於暫時固定用片材5上利用切割機等刀具或雷射形成切口14之方法。又，亦可列舉如下方法：自橫向方向於接著劑層50 與暫時固定用片材5之界面利用切割機等刀具或雷射形成切口之方法。
其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖46)。再者，對於將基座1剝離之配線層2，亦可實施賦予焊錫球之加工。
以上，對本實施形態之半導體裝置之製造方法之概略進行了說明。以下，對本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例進行詳細說明。
[將暫時固定用片材固定於基座上之步驟]
首先，準備基座1(參照圖40(a))。基座1可使用第1本發明之項中所說明者。
繼而，將暫時固定用片材5配置於基座1上，並且於暫時固定用片材5與基座端部之傾斜部分11之間形成接著力高於暫時固定片材5之接著劑層50而將暫時固定用片材5固定於基座1上(參照圖40(a)及圖40(b))。
作為構成接著劑層50之接著劑組合物，只要以接著劑層50之接著力高於暫時固定片材5之方式選擇，則並無特別限定。作為構成上述接著劑層50之接著劑組合物，可列舉併用含有來自具有醯亞胺基且於至少一部分具有醚結構之二胺的構成單元之聚醯亞胺樹脂、作為上述聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸、聚矽氧樹脂、熱塑性樹脂及熱固性樹脂者等。
上述聚醯亞胺樹脂及上述聚矽氧樹脂可使用第1本發明之項中所說明者。
於接著劑層50中使用上述聚矽氧樹脂之情形時，於接著劑層50中，視需要亦可含有其他添加劑。作為此種其他添加劑，可使用第1本發明之項中所說明者。
作為構成暫時固定用片材5之組合物，只要以暫時固定用片材5之接著力低於接著劑層50之接著力之方式選擇，則並無特別限定。作為構成上述暫時固定用片材5之材料，可列舉Cu、Cr、Ni、Ti等無機材料。
又，作為構成暫時固定用片材5之組合物，亦可使用作為構成上述接著劑層50之接著劑組合物而說明之上述聚醯亞胺樹脂，亦可使用作為上述聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸，亦可使用上述聚矽氧樹脂，亦可使用併用上述熱塑性樹脂與上述熱固性樹脂者。
(暫時固定用片材之製造)
暫時固定用片材5係例如以如下方式製作。首先，製作包含用以形成暫時固定用片材5之組合物之溶液。繼而，將上述溶液以成為特定厚度之方式塗佈於基材上而形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥。作為上述基材，可使用：SUS304、6-4合金；鋁箔、銅箔、Ni箔等金屬箔；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯；或利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜或紙等。又，作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥式塗佈、網版塗佈、凹版塗佈、旋轉塗佈等。藉此，獲得本實施形態之暫時固定用片材5。
[配線層之形成]
繼而，於基座1之暫時固定用片材5上形成配線層2(參照圖41)。於具有暫時固定用片材之基座上形成配線層之方法可採用第1本發明之項中所說明之方法。
[安裝步驟、剝離步驟、切晶]
繼而，對上述中所獲得之配線層2(以可自基座1剝離之方式貼附者)安裝晶片(參照圖42)。其後，進行配線層2之老化，進而，視需要對配線層2上之各晶片3實施樹脂密封(參照圖43)。再者，樹脂密封可 使用片狀之密封用樹脂片材，亦可使用液狀之樹脂密封材料。其後，將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離(參照圖44)。再者，於未進行樹脂密封之情形時，將未進行樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖46)。再者，於對配線層2安裝晶片(倒裝晶片連接)時，亦可於配線層2與晶片之間使用底膠填充用樹脂。底膠填充用樹脂可為片狀者，亦可為液狀者。又，上述實施形態中，對安裝晶片後實施樹脂密封之情形進行了說明，但亦可代替樹脂密封而使用於晶片上形成有先前公知之倒裝晶片型半導體背面用膜者。上述倒裝晶片型半導體背面用膜係用以形成於倒裝晶片連接於被接著體上之晶片(半導體元件)的背面之膜，詳細情況例如於日本專利特開2011-249739號公報等中進行了揭示，故而省略此處之說明。
上述實施形態中，對接著劑層僅形成於基座之傾斜部分之情形進行了說明。然而，第4本發明中，並不限定於該例，亦可自傾斜部分進而遍及內側(基座之中央側)而形成接著劑層。
圖47係用以對另一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。於使用圖47進行說明之其他實施形態中，除將暫時固定用片材固定於基座上之步驟及自基座分離之步驟以外，與上述實施形態大致相同，因此省略其說明，以下，對將暫時固定用片材固定於基座上之步驟及自基座分離之步驟進行說明。
[將暫時固定用片材固定於基座上之步驟]
如圖47所示，暫時固定用片材105係於外周部分(基座之傾斜部分及較上述傾斜部分更內側之部分)具有凹部105a。本實施形態中，首先，如圖47所示，將暫時固定用片材105配置於基座1上，並且於基座端部之傾斜部分11及凹部105a之部分形成接著力高於暫時固定片材 105之接著劑層150而將暫時固定用片材105固定於基座1上。具體而言，例如可列舉如下方法：首先將具有凹部105a之暫時固定用片材105配置於基座1上，繼而於傾斜部分11及凹部105a之部分塗佈液狀接著劑組合物並進行乾燥等，藉此形成接著劑層150而將暫時固定用片材105固定於基座1上之方法。又，可列舉如下方法：於具有凹部105a之暫時固定用片材105之與傾斜部分11對應之部分及凹部105a之部分預先設置作為片狀物之接著劑層150，於將暫時固定用片材105配置於基座1上時，以包含基座1之傾斜部分11之方式貼附該接著劑層150，藉此將暫時固定用片材105固定於基座1上之方法。又，可列舉如下方法：於暫時固定用片材105之與傾斜部分11對應之部分及凹部105a之部分預先塗佈(例如噴塗)液狀接著劑層形成用溶液，於將暫時固定用片材105配置於基座1上時，以包含基座1之傾斜部分11之方式配置該塗佈之部分，其後進行硬化而形成接著劑層150，藉此將暫時固定用片材105固定於基座1上之方法。本實施形態中，如圖47所示，暫時固定用片材105之端部與基座1之端部相一致。然而，第4本發明中，暫時固定用片材之端部並不限定於該例，於可利用接著劑層將暫時固定用片材固定於基座上之範圍內，亦可為自基座之端部特定距離(例如10mm)之內側。
[自基座分離之步驟]
於自該基座分離之步驟中，藉由將接著劑層150自暫時固定用片材105分離而將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。暫時固定用片材105於基座1上之固定主要藉由自基座端部之傾斜部分11及傾斜部分11進而遍及內側所形成之接著劑層150而進行，故而若將接著劑層150自暫時固定用片材105分離，則可藉由外力而將基座1與附有配線層2之半導體晶片3容易地上下分離。作為將接著劑層150自暫時固定用片材105分離之方法，可列舉：利用溶劑溶解接著劑 層150而將接著劑層150自暫時固定用片材105分離之方法；於暫時固定用片材105上利用切割機或雷射等物理性地切出切口而將接著劑層150自暫時固定用片材105分離之方法；預先使用接著力會隨著加熱而降低之材料形成接著劑層150，利用加熱降低接著力而將接著劑層150自暫時固定用片材105分離之方法等。本實施形態中，由於使接著劑層150自基座端部之傾斜部分11進而遍及內側而形成，故而較佳為如圖47所示，自半導體晶片3側切出切口165直至到達接著片105為止。此時，於樹脂32及配線層2上亦同時切出切口。又，與上述實施形態同樣，亦可以於配線層2上未切出切口之防止自斜上方向僅於暫時固定用片材105上切出切口。藉此，基座1與附有配線層2之半導體晶片3僅經由暫時固定用片材105而相對向。其後，施加外力，藉此將基座1與附有配線層2之半導體晶片3上下分離。此時，基座1與附有配線層2之半導體晶片3僅經由接著力相對較低之暫時固定用片材105而相對向，故而可藉由外力而將基座1與附有配線層2之半導體晶片3容易地上下分離。作為切口之形成方法，可採用先前公知之方法等，可使用切割機等刀具或由雷射等所產生之高能量線。
上述實施形態中，對如下情形進行了說明：使用於外周部分(較基座之傾斜部分及上述傾斜部分更內側之部分)具有凹部105a之暫時固定用片材105，如圖47所示，自半導體晶片3側切出切口165直至到達接著片105為止，藉此將接著劑層150自暫時固定用片材105分離之情形。然而，第4本發明並不限定於該例，亦可藉由使用於外周部分不具有凹部之暫時固定用片材(例如圖40(a)所示之暫時固定用片材5)自半導體晶片側切出切口直至到達接著片為止而將接著劑層自暫時固定用片材分離。
以上，對第4本發明之實施形態進行了說明。
<第5本發明>
以下，關於第5本發明，對與第1本發明不同之方面進行說明。尤其是作為本第5本發明之項中所說明之以外之特性、效果，第5本發明之半導體裝置之製造方法及接著片可發揮與第1本發明之半導體裝置之製造方法及接著片相同之特性、效果。
第5本發明之半導體裝置之製造方法係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且至少包括：準備接著片之步驟：該接著片具有第1接著劑層、及以具有多個貫通孔之構造體及/或不織布狀構造體作為骨架之第2層，貼附於基座上之後的上述第2層之接著力低於上述第1接著劑層之接著力；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；以及上述安裝後將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
以下，一面參照圖式一面對第5本發明之一實施形態之各步驟進行說明。再者，第5本發明中所使用之「上表面」、「下表面」等表示上下之語句係僅用以說明層之位置關係者，對於接著片或半導體裝置之實際之上下姿勢並無限定。再者，以下之實施形態中，對第5本發明之工件為半導體晶片之情形進行說明，但並不限定於該例，亦可為未形成有電路之晶圓，亦可為形成有電路之晶圓，亦可為未形成有電路之經單片化之晶圓。
[準備接著片之步驟]
首先，準備接著片，該接著片具有第1接著劑層、及以具有多個貫通孔之構造體及/或不織布狀構造體作為骨架之第2層，且貼附於基座上之後的上述第2層之接著力低於上述第1接著劑層之接著力。
此處，對本實施形態之接著片進行說明。
[第1實施形態]
圖48係表示第5本發明之第1實施形態之接著片之剖面模式圖。 如圖48所示，接著片5係周邊部54由第1接著劑層50形成，且較周邊部54更內側之中央部53由第1接著劑層50與以具有多個貫通孔之構造體及/或不織布狀構造體作為骨架之第2層51的積層形成。即，接著片5具有第2層51、及以覆蓋第2層51之上表面及側面之態樣積層於第2層51上之第1接著劑層50。第2層51之接著力低於第1接著劑層50之接著力。再者，接著片5係於貼合於基座上之步驟中以第2層51露出之側的面作為貼合面而貼合於基座上。
接著片5由於接著力高於第2層51之第1接著劑層50存在於周邊部，故而可將該部分牢固地貼合於基座及配線上。又，不僅具有第1接著劑層50，而且具有接著力低於第1接著劑層之第2層，故而於後述之分離之步驟中，若降低第1接著劑層50之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。
又，接著片5可利用僅第1接著劑層50露出之面更牢固地固定形成於接著片50上之配線。又，藉由第1接著劑層50與第2層51之積層而形成中央部53。因此，與僅由第1接著劑層50所形成之周邊部54相比，藉由第1接著劑層50與第2層51之積層而形成之中央部53的接著力相對較低。因此，若至少降低周邊部54之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。又，第2層51亦與基座接觸，故而分離之步驟後，容易將該接著片5自基座剝離。因此，容易回收基座。又，使第1接著劑層50形成於接著片5之周邊部54上，故而於後述之分離之步驟中，容易利用溶劑溶解第1接著劑層50、或利用切割機或雷射等物理性地切出切口而降低第1接著劑層50之接著力。
接著片5之厚度並無特別限定，例如為10μm以上，較佳為50μm以上。若為10μm以上，則可追隨於基座表面或配線表面之凹凸，可無間隙地填充接著片。又，接著片5之厚度例如為500μm以下，較佳 為300μm以下。若為500μm以下，則可抑制或防止厚度之不均或加熱時之收縮‧膨脹。
中央部53之第1接著劑層50之厚度可適當設定，較佳為0.1μm以上，更佳為0.5μm以上，進而較佳為1μm以上。又，該厚度較佳為300μm以下，更佳為200μm以下。又，中央部53之第2層51之厚度可適當設定。
圖49係圖48所示之接著片之俯視圖。如圖49所示，接著片5於俯視時之形狀為圓形。接著片5之直徑並無特別限定。例如，相對於基座之直徑，接著片5之直徑較佳為+1.0~-1.0mm。
又，於俯視接著片5時，第2層51之形狀為圓形。相對於俯視接著片5時之接著片5之面積，俯視接著片5時之第2層51之面積較佳為10%以上，更佳為20%以上，進而較佳為50%以上。若為10%以上，則容易切割形成於周邊部54上之第1接著劑層50、或者降低接著力，且容易將基座自附有配線之半導體晶片分離。又，第2層51之面積較佳為99.95%以下，更佳為99.9%以下。若為99.95%以下，則可將附有配線之半導體晶片牢固地固定於基座上。
關於第1接著劑層50之接著力，例如溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為0.30N/20mm以上，更佳為0.40N/20mm以上。若為0.30N/20mm以上，則可將基座與接著片5更牢固地固定。又，該90°撕除剝離力之上限並無特別限定，越大越好，例如為30N/20mm以下，較佳為20N/20mm以下。
作為構成第1接著劑層50之接著劑組合物，並無特別限定，可較佳地使用含有來自具有醯亞胺基且於至少一部分具有醚結構之二胺的構成單元之聚醯亞胺樹脂。又，亦可較佳地使用聚矽氧樹脂。其中，就耐熱性、抗藥性、糊劑殘留性之方面而言，較佳為上述聚醯亞胺樹脂。
上述聚醯亞胺樹脂及上述聚矽氧樹脂可使用第1本發明之項中所說明者。
構成第1接著劑層50之接著劑組合物亦可含有其他添加劑。作為此種其他添加劑，可使用第1本發明之項中所說明者。
第2層51係將具有多個貫通孔56之構造體57及/或不織布狀構造體作為骨架。圖50係表示具有多個貫通孔之構造體之一例之俯視圖。如圖50所示，貫通孔56於構造體57之厚度方向(亦可稱為接著片5之厚度方向)貫通。
藉由調整具有多個貫通孔56之構造體57之開孔率，可調整第2層51之接著力。具體而言，於利用下述接著劑組合物填充貫通孔56之情形時，可藉由增大開孔率而提高接著力，可藉由減小開口率而降低接著力。
構造體57之開孔率較佳為5%以上，更佳為8%以上，進而較佳為10%以上。若為5%以上，則填充於貫通孔56中之接著劑組合物到達至被接著體，可調整第2層51之接著力。
又，開孔率較佳為98%以下，更佳為95%以下，進而較佳為90%以下。若為98%以下，則即便於將與第1接著劑層50相同之接著劑組合物填充於貫通孔56中之情形時，亦可與第1接著劑層50相比降低第2層51之接著力。
構造體57中，貫通孔56之形狀(俯視接著片5時之貫通孔56之形狀)並無特別限定，例如可列舉圓形、楕圓形、多角形等。貫通孔56之形狀可全部相同，亦可不同。
俯視接著片5時，一個貫通孔56之大小(面積)較佳為70μm2以上，更佳為100μm2以上。又，較佳為20mm2以下，更佳為7mm2以下。再者，貫通孔56之大小可全部相同，亦可不同。
具有多個貫通孔56之構造體57及不織布狀構造體之材料並無特 別限定。例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、紙等。又，可列舉鐵、銅、鎳、鎢、鋁、金、銀、銅、黃銅、紅黃銅、磷青銅、鎳鉻合金、鎳銅合金、青銅、不鏽鋼(SUS)等金屬材料。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，於為具有多個貫通孔56之構造體57之情形時，就耐熱性之方面而言，較佳為金屬材料、上述聚醯亞胺樹脂、上述聚矽氧樹脂，更佳為SUS、鋁。於為不織布狀構造體之情形時，就耐熱性、污染性之方面而言，較佳為上述聚醯亞胺樹脂、上述聚矽氧樹脂、金屬材料。
具有多個貫通孔56之構造體57及不織布狀構造體之接著力越低越好。例如溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為未達0.30N/20mm，更佳為0.20N/20mm以下，進而較佳為0.10N/20mm以下。若未達0.30N/20mm，則可容易地剝離第2層51。該90°撕除剝離力之下限例如為0N/20mm以上，為0.001N/20mm以上。
再者，於具有多個貫通孔56之構造體57及不織布狀構造體為藉由進行醯亞胺化或熱硬化等而接著者之情形時，上述90°撕除剝離力係指固定於矽晶圓上之狀態(例如醯亞胺化後或熱硬化後)之90°撕除剝離力。具體而言，可利用實施例中所記載之方法進行測定。
貫通孔56及不織布狀構造體之多個孔可藉由接著劑組合物進行填充，亦可不填充。就藉由控制構造體57之開口率或不織布狀構造體之密度等而容易地形成低接著力之第2層之方面而言，較佳為進行填充。
作為填充貫通孔56或不織布之多個孔之接著劑組合物，並無特別限定，例如可列舉上述聚醯亞胺樹脂、上述聚矽氧樹脂等。
第2層51之接著力低於第1接著劑層50之接著力。關於第2層51之接著力，例如溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為未達0.30N/20mm，更佳為0.20N/20mm以下。若未達0.30N/20mm，則可容易地剝離第2層51。該90°撕除剝離力之下限越低越好，但較佳為0N/20mm以上，更佳為0.001N/20mm以上，進而較佳為0.01N/20mm以上，尤佳為0.10N/20mm以上。
第2層51之接著力可根據構造體57之開口率或不織布狀構造體之密度、填充於貫通孔56或不織布之多個孔中之接著劑組合物之種類、構造體57之材料等而加以調整。
接著片5之製造方法並無特別限定。例如可藉由如下方式製造：於具有多個貫通孔56之構造體57及其周圍(構造體57之周圍之區域)塗佈包含用以形成第1接著劑層50之組合物之溶液，利用上述溶液填充貫通孔56並且於構造體57上及構造體57之周圍形成塗佈層。該方法中，構造體57之周圍所形成之塗佈層成為周邊部54之第1接著劑層50。
再者，於第2層51以不織布狀構造體作為骨架之情形時，可藉由如下方式製造：於不織布狀構造體及其周圍塗佈包含用以形成第1接著劑層50之組合物之溶液，利用上述溶液填充不織布狀構造體之多個孔並且於構造體上及構造體之周圍形成塗佈層。該方法中，構造體之 周圍所形成之塗佈層成為周邊部54之第1接著劑層50。
塗佈之溶液之黏度可適當設定。塗佈量只要適當設定即可。
[第2實施形態]
第5本發明之接著片並不限定於接著片5之形狀。圖51係表示第5本發明之第2實施形態之接著片之剖面模式圖。圖52係圖51所示之接著片之俯視圖。如圖51、圖52所示，接著片6係周邊部64由第1接著劑層60形成，且較周邊部64更內側之中央部63由以具有多個貫通孔66之構造體作為骨架之第2層61形成。第2層61之接著力低於第1接著劑層60之接著力。
再者，第2層61亦可為以不織布狀構造體作為骨架者。
接著片6由於藉由第2層61而形成中央部63，故而於後述之分離之步驟中，若降低存在於周邊部64上之第1接著劑層60之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線之半導體晶片較容易地上下分離。
又，藉由第2層61而形成中央部63，第2層61亦與基座接觸，故而分離之步驟後，容易將該接著片6自基座剝離。因此，容易回收基座。又，使第1接著劑層60形成於接著片6之周邊部64上，故而於後述之分離之步驟中，容易利用溶劑溶解第1接著劑層60、或利用切割機或雷射等物理性地切出切口而降低第1接著劑層60之接著力。
接著片6之厚度並無特別限定，例如可列舉第1實施形態之接著片5中所例示者。
如圖52所示，接著片6於俯視時之形狀為圓形。接著片6之直徑並無特別限定，例如可列舉第1實施形態之接著片5中所例示者。又，俯視接著片6時之第2層61之面積並無特別限定，例如可列舉第1實施形態之接著片5中所例示者。
作為第1接著劑層60之接著力，可列舉第1接著劑層50中所例示者。第1接著劑層60之說明係與第1接著劑層50之內容相同。
作為第2層61之接著力，可列舉第2層51中所例示者。第2層61之說明係與第2層51之內容相同。
接著片6之製造方法並無特別限定。例如可藉由如下方式製造：於具有多個貫通孔66之構造體及其周圍(構造體之周圍之區域)塗佈包含用以形成第1接著劑層60之組合物之溶液，利用上述溶液填充貫通孔66並且於構造體之周圍形成塗佈層。該方法中，構造體之周圍所形成之塗佈層成為周邊部64之第1接著劑層60。
再者，於第2層61以不織布狀構造體作為骨架之情形時，可藉由如下方式而製造：於不織布狀構造體及其周圍塗佈包含用以形成第1接著劑層60之組合物之溶液，利用上述溶液填充不織布狀構造體之多個孔並且於構造體之周圍形成塗佈層。該方法中，構造體之周圍所形成之塗佈層成為周邊部64之第1接著劑層60。
塗佈之溶液之黏度可適當設定。塗佈量只要適當設定即可。
[第3實施形態]
第5本發明之接著片並不限定於接著片5、6之形狀。圖53係表示第5本發明之第3實施形態之接著片之剖面模式圖。如圖53所示，藉由第1接著劑層70與以具有多個貫通孔之構造體及/或不織布狀構造體作為骨架之第2層71的積層而形成接著片7。第2層71之接著力低於第1接著劑層70之接著力。
接著片7由於存在第1接著劑層70，故而於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等固定於基座上。又，不僅具有第1接著劑層70，而且具有接著力低於第1接著劑層70之第2層71，故而於分離之步驟中，可藉由外力而將基座與附有配線之工件容易地上下分離。又，接著片7由於以第2層71作為貼合面而貼合於基座上，故而於第1接著劑層70上形成有配線。因此，於形成配線之步驟或安裝工件之步驟等中，可預先將配線等更牢固地固定於基座上。
第1接著劑層70之厚度並無特別限定，例如為10μm以上，較佳為50μm以上。若為10μm以上，則可追隨基座表面或配線表面之凹凸，可無間隙地填充接著片7。又，第1接著劑層70之厚度例如為500μm以下，較佳為300μm以下。若為500μm以下，則可抑制或防止厚度之不均或加熱時之收縮‧膨脹。
第2層71之厚度並無特別限定，例如為1μm以上，較佳為5μm以上。若為1μm以上，則可追隨基座表面或配線表面之凹凸，可無間隙地填充接著片7。又，第2層71之厚度例如為500μm以下，較佳為300μm以下。若為500μm以下，則可抑制或防止厚度之不均或加熱時之收縮‧膨脹。
再者，俯視接著片7時之形狀並無特別限定，通常為圓形。
作為第1接著劑層70之接著力，可列舉第1接著劑層50中所例示者。第1接著劑層70之說明係與第1接著劑層50之內容相同。
關於第2層71之接著力，例如溫度23±2℃、剝離速度300mm/min之條件下之對於矽晶圓之90°撕除剝離力較佳為未達0.30N/20mm，更佳為0.20N/20mm以下。若未達0.30N/20mm，則可將基座自半導體晶圓容易地分離。另一方面，該90°撕除剝離力之下限較佳為0.001N/20mm以上，更佳為0.005N/20mm以上，進而較佳為0.010N/20mm以上。若為0.001N/20mm以上，則可將半導體晶圓良好地固定於基座上，可良好地進行背面研磨等。
第2層71之說明係與第2層51之內容相同。
接著片7之製造方法並無特別限定。例如可藉由如下方式製造：於具有多個貫通孔之構造體上塗佈包含用以形成第1接著劑層70之組合物之溶液，利用上述溶液填充貫通孔並且於構造體上形成塗佈層。
再者，於第2層71以不織布狀構造體作為骨架之情形時，可藉由如下方式製造：於不織布狀構造體上塗佈包含用以形成第1接著劑層 70之組合物之溶液，利用上述溶液填充不織布狀構造體之多個孔並且於構造體上形成塗佈層。
塗佈之溶液之黏度可適當設定。塗佈量只要適當設定即可。
以上之說明中，對俯視時之形狀為圓形之接著片5~7進行了說明。但是，該形狀並無特別限定，亦可為多角形、楕圓形等其他形狀。
又，對俯視時第2層51、61、71之形狀為圓形之接著片5~7進行了說明。但是，該形狀並無特別限定，亦可為多角形、楕圓形等其他形狀。
[貼合於基座上之步驟]
以下之說明中，對使用圖48所示之接著片5之情形進行說明。圖54~圖59係用以對第5本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的概略進行說明之剖面模式圖。於準備接著片5步驟後，以接著片5之下表面作為貼合面而將準備之接著片5貼合於基座1上(參照圖54)。貼合方法並無特別限定，較佳為利用壓接之方法。壓接通常係一面利用壓接輥等擠壓機構進行擠壓一面進行。作為壓接條件，較佳為20℃~150℃、0.01MPa~10MPa、1mm/sec~100mm/sec。如上所述，接著片5由於接著力高於第2層51之第1接著劑層50於下表面露出，故而可牢固地貼合於基座1上。
[形成配線之步驟]
繼而，於接著片5上，以連接用導體部21於配線層2之上表面露出之方式形成具有可與半導體晶片3之電極31連接之連接用導體部21及配線26的配線層2(參照圖55)。配線層2係於接著片5側具有用以進行與外部之電性連接之外部連接用導體部22。再者，圖55係表示連接用導體部21以凸狀於配線層2之上表面露出之情形，但第5本發明中連接用導體部只要於配線層之上表面露出即可，連接用導體部之上表面 亦可與配線層之上表面為同一平面。接著片5由於僅第1接著劑層50於上表面露出，故而可更牢固地固定形成於接著片50上之配線層。
[安裝半導體晶片之步驟]
繼而，如圖56所示，將配線層2之連接用導體部21與半導體晶片3之電極31連接而於配線層2(配線26)上安裝半導體晶片3。圖56係省略安裝後之連接用導體部21、電極31各自之突起而表示。再者，圖56係表示於配線層2上安裝有複數個半導體晶片3之情形，但安裝於配線層上之半導體晶片之數並無特別限定，亦可為1。
繼而，如圖57所示，視需要以覆蓋半導體晶片3之方式利用樹脂32進行樹脂密封。用於樹脂密封之樹脂32可適當使用先前公知者等，樹脂密封方法亦可採用先前公知之方法。
[自基座分離之步驟]
繼而，如圖58所示，將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。具體而言，以接著片5之與基座1相反側之面作為界面而將基座1與接著片5一起剝離。再者，於未進行樹脂密封之情形時，將未進行樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。如上所述，接著片5不僅具有第1接著劑層50，而且具有接著力低於第1接著劑層50之第2層51，故而若降低第1接著劑層50之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線層之半導體晶片容易地上下分離。
又，藉由第1接著劑層50與第2層51之積層而形成中央部53。因此，與僅由第1接著劑層50所形成之周邊部54相比，藉由第1接著劑層50與第2層51之積層而形成之中央部53的接著力相對較低。因此，若至少降低周邊部54之接著力，則可藉由外力而將基座與附有配線層之半導體晶片容易地上下分離。又，使第1接著劑層50形成於接著片5之周邊部54上，故而於後述之分離之步驟中，容易利用溶劑溶解第1接著劑層50、或利用切割機或雷射等物理性地切出切口而降低第1接著 劑層50之接著力。作為降低第1接著劑層50之接著力之方法，可列舉：利用溶劑溶解第1接著劑層50而降低接著力之方法；利用切割機或雷射等於第1接著劑層50上物理性地切出切口而降低接著力之方法；預先使用接著力會隨著加熱而降低之材料形成第1接著劑層50，利用加熱降低接著力之方法等。
其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖59)。再者，對於將基座1剝離之配線層2，亦可實施賦予焊錫球之加工。
以上，對本實施形態之半導體裝置之製造方法之概略進行了說明。以下，對本實施形態之半導體裝置之製造方法之一例進行詳細說明。
[具有接著片之基座之準備]
首先，準備基座1(參照圖54)。基座1可使用第1本發明之項中所說明者。
[貼合於基座上之步驟]
繼而，於基座1上貼合接著片5(參照圖54)。接著片5係如已說明般具有第2層51、及以覆蓋第2層51之上表面及側面之態樣積層於第2層51上之第1接著劑層50。該步驟中，以接著片5之下表面作為貼合面而將接著片5貼合於基座1上。
[配線層之形成]
繼而，於基座1之接著片5上形成配線層2(參照圖55)。於具有接著片之基座上形成配線層之方法可採用第1本發明之項中所說明之方法。
[安裝步驟、剝離步驟、切晶]
繼而，對上述中所獲得之配線層2(以可自基座1剝離之方式貼附者)安裝晶片(參照圖55)。其後，進行配線層2之老化，進而，視需要 對配線層2上之各晶片3實施樹脂密封(參照圖57)。再者，樹脂密封可使用片狀之密封用樹脂片材，亦可使用液狀之樹脂密封材料。其後，將經樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離(參照圖58)。再者，於未進行樹脂密封之情形時，將未進行樹脂密封之附有配線層2之半導體晶片3自基座1分離。其後，視需要進行剪裁，藉此獲得於配線層2上安裝有半導體晶片3之半導體裝置4(參照圖59)。再者，於對配線層2安裝晶片(倒裝晶片連接)時，亦可於配線層2與晶片之間使用底膠填充用樹脂。底膠填充用樹脂可為片狀者，亦可為液狀者。又，上述實施形態中，對安裝晶片後實施樹脂密封之情形進行了說明，但亦可代替樹脂密封而使用於晶片上形成有先前公知之倒裝晶片型半導體背面用膜者。上述倒裝晶片型半導體背面用膜係用以形成於倒裝晶片連接於被接著體上之晶片(半導體元件)的背面之膜，詳細情況例如於日本專利特開2011-249739號公報等中進行了揭示，故而省略此處之說明。
以上之說明中，作為使用接著片5形成配線之方法，對將接著片5之第1接著劑層50及第2層51露出之面貼附於基座1上並於僅接著片5之第1接著劑層50露出之面上形成配線之情形進行了說明。但是，使用接著片5形成配線之方法並無特別限定，亦可將僅接著片5之第1接著劑層50露出之面貼附於基座1上並於接著片5之第1接著劑層50及第2層51露出之面上形成配線。
又，上述說明中，對使用接著片5形成配線之方法進行了說明，但即便使用接著片6或接著片7，亦可與使用接著片5之情形同樣地形成配線。
以上，對第5本發明之實施形態進行了說明。
上述第1本發明~第5本發明之實施形態中，對將配線形成為配線層之情形進行了說明。然而，第1本發明~第5本發明中之配線並不 限定於該例。第1本發明~第5本發明之配線亦可不形成為配線層，例如亦可利用單體於接著片上形成配線。
第1本發明~第3本發明及第5本發明中之半導體裝置之製造方法包括：於具有接著片之基座(例如長條之基座)上形成配線，於上述配線上安裝複數個工件並進行樹脂密封，其後剪裁而獲得複數個半導體裝置之方法。根據該半導體裝置之製造方法，可於1個基座上形成用於複數個半導體裝置之配線。又，第1本發明~第3本發明及第5本發明中之半導體裝置之製造方法亦包括：於具有接著片之基座上形成配線，於上述配線上安裝1個工件並進行樹脂密封，藉此獲得1個半導體裝置之方法。
第4本發明中之半導體裝置之製造方法包括：於固定暫時固定用片材之基座(例如長條之基座)上形成配線，於上述配線上安裝複數個工件並進行樹脂密封，其後剪裁而獲得複數個半導體裝置之方法。根據該半導體裝置之製造方法，可於1個基座上形成用於複數個半導體裝置之配線。又，第4本發明中之半導體裝置之製造方法亦包括：於固定暫時固定用片材之基座上形成配線，於上述配線上安裝1個工件並進行樹脂密封，藉此獲得1個半導體裝置之方法。
以上，對第1本發明~第5本發明之半導體裝置之製造方法之一例進行了說明，但第1本發明~第5本發明中之半導體裝置之製造方法並不限定於上述例子，可於第1本發明~第5本發明之主旨之範圍內適當變更。
[實施例]
以下，使用實施例對本發明進行詳細說明，但只要不超過其主旨，則本發明並不限定於以下之實施例。
[第1本發明]
以下之各實施例等係與第1本發明相對應。
對實施例中所使用之成分進行說明。
PMDA：均苯四甲酸二酐(分子量：218.1)
DDE：4,4'-二胺基二苯醚(分子量：200.2)
D-4000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：4023.5)
DMAc：N,N-二甲基乙醯胺
NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮
D-2000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：1990.8)
BPDA：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐
PPD：對苯二胺
(實施例1) <第1接著劑層用溶液、第2層用溶液之製作>
在氮氣氣流下之環境中，於N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)1.041g中在70℃下混合聚醚二胺(D-4000)267.75g、4,4'-二胺基二苯醚(DDE)78.48g及均苯四甲酸二酐(PMDA)100g並進行反應而獲得第1接著劑層用溶液(聚醯胺酸溶液A)。進行冷卻直至所獲得之第1接著劑層用溶液成為室溫(23℃)。
除根據表1之組成之方面以外，利用與第1接著劑層用溶液相同之方法獲得第2層用溶液(聚醯胺酸溶液B)。進行冷卻直至所獲得之第2層用溶液成為室溫(23℃)。
<圓形片材之製作>
將第2層用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上並於90℃下乾燥3分鐘而獲得具有第2層之片材。
於所獲得之片材之第2層上積層長條聚酯膜(厚度25μm、寬度250mm)，利用湯普生模具半切成直徑198mm，保留沖裁而成之部分(經湯普生模具沖裁之內側)而去除外側，從而獲得圓形片材。再者，所 謂上述半切，係指完全地切割聚酯膜及第2層且不完全地切割隔片(切割至隔片之中途)之態樣之切割。
<接著片>
將圓形片材之隔片剝離，將第1接著劑層用溶液以成為直徑200mm以上之方式塗佈於圓形片材之第2層上並於90℃下乾燥3分鐘。於乾燥之第1接著劑層上積層長條聚酯膜(厚度25μm、寬度250mm)而獲得圖1所示之剖面形狀之接著片A。具體而言，接著片A整體之直徑為200mm，厚度為10μm。第2層之直徑為198mm，第2層之厚度為2μm。接著片A之中央部之第1接著劑層之厚度為8μm。
(實施例2) <第1接著劑層用溶液之製作>
除根據表1之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得第1接著劑層用溶液。
<接著片之製作>
於SUS箔(東洋製箔股份有限公司製造、SUS 304H-TA)上，以Cu膜厚成為0.5μm之方式進行利用硫酸銅鍍敷浴之鍍銅而獲得附有鍍銅之SUS箔。進行冷卻直至所獲得之附有鍍銅之SUS箔成為室溫(23℃)。
將第1接著劑層用溶液塗佈於附有鍍銅之SUS箔上並於90℃下乾燥2分鐘。繼而，將SUS箔剝離而獲得附有鍍銅之聚醯胺酸層。對所獲得之附有鍍銅之聚醯胺酸層進行Cu蝕刻。藉此，殘留圓形(195mmΦ(直徑195mm))之鍍銅部分而除去其他部分。根據以上，獲得具有圖1所示之剖面形狀之接著片B。具體而言，接著片B整體之直徑為200mm，厚度為10μm。第2層之直徑為195mm，第2層之厚度為0.5μm。接著片B之中央部之第1接著劑層之厚度為9.5μm。本實施例2中，於形成接著片時，雖成為於第1接著劑層上形成有第2層之形狀 (於第2層之側面側不存在第1接著劑層之形狀)，但第2層為0.5μm而較薄，另一方面，第1接著劑層為10μm而較厚，且第1接著劑層相對較軟(為低彈性模數)，故而於使用時，藉由壓力而將第2層嵌入至第1接著劑層。因此，實施例2之接著片B具有圖1所示之剖面形狀。
(實施例3)
除根據表1之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得接著片C。
(實施例4) <圓形片材之製作>
將由實施例1所製作之第2層用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上，於90℃下乾燥3分鐘而獲得具有第2層之片材。
於所獲得之片材之第2層上積層長條聚酯膜(厚度25μm、寬度250mm)，利用湯普生模具半切成直徑198mm，保留沖裁而成之部分(經湯普生模具沖裁之內側)而去除外側，從而獲得圓形片材(厚度：2.5μm)。
<接著片>
將由實施例1所製作之第1接著劑層用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上，於90℃下乾燥3分鐘而獲得具有第1接著劑層之片材。
於所獲得之片材之第1接著劑層上積層長條聚酯膜(厚度25μm、寬度250mm)，利用湯普生模具半切成直徑198mm，殘留外側而去除沖裁之部分(經湯普生模具沖裁之內側)，從而獲得中空之片材(厚度：2.5μm)。
將上述圓形片材及上述中空之片材之隔片剝離，以圓形片材之第2層嵌入之方式貼合於中空之片材的不存在第1接著劑層之部分，從 而獲得圖2所示之剖面形狀之接著片D。具體而言，接著片D整體之直徑為200mm，厚度為2.5μm。第2層之直徑為198mm，第2層之厚度為2.5μm。
(實施例5)
製作與實施例1相同之接著片並將其作為接著片E。接著片E係用作圖3所示之剖面形狀之接著片。
(比較例1)
獲得包含與實施例1相同之第1接著劑層之單層之接著片F。接著片F為圓形，直徑為200mm，厚度為10μm。
<剝離力之測定>
於包含單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜(厚度38μm、寬度250mm)之隔片上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式分別製作實施例1之組成之第1接著劑層、實施例2之組成之第1接著劑層、實施例3之組成之第1接著劑層、比較例1之組成之第1接著劑層。
將實施例1~3、比較例1之第1接著劑層貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之第1接著劑層。
於包含單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜(厚度38μm、寬度250mm)之隔片上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式分別製作實施例1之組成之第2層、實施例3之組成之第2層。又，於SUS箔上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式製作實施例2之組成之第2層。
將實施例1、實施例3及比較例1之第2層貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之第2層。實施例2之第2層係貼合於8吋矽晶圓上。
將各樣品(第1接著劑層或第2層)加工成20mm寬度、100mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行90°剝離評價。將結果示於表2。
<製程耐性評價>
將實施例1之接著片A於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。再者，層壓係以第1接著劑層與第2層之兩者露出之面作為貼合面而層壓於基座上。藉此，獲得附有基座之接著片A。繼而，利用半加成法於接著片A上形成配線。具體而言，利用上述實施形態中所說明之方法而形成。
將實施例2之接著片B於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片B。繼而，以與上述相同之方式於接著片B上形成配線。
將實施例3之接著片C於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片C。繼而，以與上述相同之方式於接著片C上形成配線。
將實施例4之接著片D於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片D。繼而，以與上述相同之方式於接著片D上形成配線。
將實施例5之接著片E於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。再者，層壓係以僅第1接著劑層露出之面作為貼合面而層壓於基座上。藉此，獲得附有基座之接著片E。繼 而，利用半加成法於接著片E上形成配線。
將比較例1之接著片F於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片F。繼而，以與上述相同之方式於接著片F上形成配線。
形成上述配線之結果，將接著片未自基座剝離且形成過程中之配線未自接著片剝離之情形評價為○，將接著片自基座剝離之情形、或形成過程中之配線自接著片剝離之情形評價為×。將結果示於表2。
<剝離性評價>
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例1之附有基座之接著片A。繼而，自基座之相反側以中心與接著片A相同且成為直徑196mm之圓之方式照射雷射(YAG雷射、輸出1.5W)而切割第1接著劑層及第2層直至基座面。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例2之附有基座之接著片B。繼而，自基座之相反側以中心與接著片B相同且成為直徑197mm之圓之方式利用切割機切割第1接著劑層及第2層直至基座面。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例3之附有基座之接著片C。繼而，自基座之相反側以中心與接著片C相同且成為直徑195mm之圓之方式利用湯普生刀切割第1接著劑層及第2層直至基座面。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例4之附有基座之接著片D。繼而，自基座之相反側以中心與接著片D相同且成為直徑196mm之圓之方式利用湯普生刀切割第1接著劑層及第2層直至基座面。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例5之附有基座之接著片E。繼而，自基座之相反側以中心與接著片E相同且成為直徑196mm之圓之方式利用湯普生刀切割第1接著劑層及第2層直至基座面。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得比較例1之附有基座之接 著片F。繼而，自基座之相反側以中心與接著片F相同且成為直徑197mm之圓之方式利用切割機切割第1接著劑層及第2層直至基座面。利用真空鑷子吸附上述切割後之接著片A~F之中央部並向上側提拉。將接著片或接著片之一部分自基座剝離之情形評價為○，將未剝離之情形評價為×。將結果示於表2。
[第2本發明]
以下之各實施例等係與第2本發明相對應。
對實施例中所使用之成分進行說明。
PMDA：均苯四甲酸二酐(分子量：218.1)
DDE：4,4'-二胺基二苯醚(分子量：200.2)
D-4000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：4023.5)
DMAc：N,N-二甲基乙醯胺
NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮
D-2000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：1990.8)
BPDA：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐
PPD：對苯二胺
(實施例1) <第1接著劑層用溶液、第2層用溶液之製作>
在氮氣氣流下之環境中，於N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)942.16g中在70℃下混合聚醚二胺(D-4000)332.04g、4,4'-二胺基二苯醚(DDE)75.28g及均苯四甲酸二酐(PMDA)100g並進行反應而獲得第1接著劑層用溶液(聚醯胺酸溶液A)。進行冷卻直至所獲得之第1接著劑層用溶液成為室溫(23℃)。
除根據表3之組成之方面以外，利用與第1接著劑層用溶液相同之方法獲得第2層用溶液(聚醯胺酸溶液B)。進行冷卻直至所獲得之第2層用溶液成為室溫(23℃)。
<圓形片材之製作>
將第2層用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上並於90℃下乾燥3分鐘而獲得具有第2層之片材(厚度100μm)。
於所獲得之片材之第2層上積層長條聚酯膜(厚度25μm、寬度250mm)，利用湯普生模具半切成直徑198mm，保留沖裁而成之部分(經湯普生模具沖裁之內側)而去除外側，從而獲得圓形片材。再者，所謂上述半切，係指完全地切割聚酯膜及第2層且不完全地切割隔片(切割至隔片之中途)之態樣之切割。
<接著片>
將圓形片材之隔片剝離，將第1接著劑層用溶液以成為直徑200 mm以上且厚度100μm之方式塗佈於圓形片材之第2層上並於90℃下乾燥3分鐘。於乾燥之第1接著劑層上積層長條聚酯膜(厚度25μm、寬度250mm)而獲得圖18所示之剖面形狀之接著片A。具體而言，接著片A整體之直徑為200mm，厚度為100μm。第2層之直徑為196mm，第2層之厚度為100μm。
(實施例2) <第1接著劑層用溶液之製作>
除根據表3之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得第1接著劑層用溶液。
<接著片之製作>
於SUS箔(東洋製箔股份有限公司製造、SUS 304H-TA)上，以Cu膜厚成為0.5μm之方式進行利用硫酸銅鍍敷浴之鍍銅而獲得附有鍍銅之SUS箔。
將第1接著劑層用溶液塗佈於附有鍍銅之SUS箔上並於90℃下乾燥2分鐘。繼而，將SUS箔剝離而獲得附有鍍銅之聚醯胺酸層。對所獲得之附有鍍銅之聚醯胺酸層進行Cu蝕刻。藉此，殘留圓形(直徑195mm)之鍍銅部分而除去其他部分。根據以上，獲得具有圖26所示之剖面形狀之接著片B。具體而言，接著片B整體之直徑為199mm，厚度為10μm。第2層之直徑為195mm，第2層之厚度為0.5μm。接著片B之中央部之第1接著劑層之厚度為9.5μm。本實施例2中，於形成接著片時，雖成為於第1接著劑層上形成有第2層之形狀(於第2層之側面側不存在第1接著劑層之形狀)，但第2層為0.5μm而較薄，另一方面，第1接著劑層為10μm而較厚，且第1接著劑層相對較軟(為低彈性模數)，故而於使用時，藉由壓力而將第2層嵌入至第1接著劑層。因此，實施例2之接著片B具有圖28所示之剖面形狀。
(實施例3) <第1接著劑層用溶液、第2層用溶液之製作>
除根據表3之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得第1接著劑層用溶液及第2層用溶液。
<圓形片材之製作>
將第2層用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上並於90℃下乾燥3分鐘而獲得具有第2層之片材。
於所獲得之片材之第2層上積層長條聚酯膜(厚度25μm、寬度250mm)，利用湯普生模具半切成直徑195mm，保留沖裁而成之部分(經湯普生模具沖裁之內側)而去除外側，從而獲得圓形片材。再者，所謂上述半切，係指完全地切割聚酯膜及第2層且不完全地切割隔片(切割至隔片之中途)之態樣之切割。
<接著片>
將圓形片材之隔片剝離，將第1接著劑層用溶液以成為直徑200mm以上之方式塗佈於圓形片材之第2層上並於90℃下乾燥3分鐘。於乾燥之第1接著劑層上積層長條聚酯膜(厚度25μm、寬度250mm)而獲得圖26所示之剖面形狀之接著片C。具體而言，接著片C整體之直徑為199mm，厚度為10μm。第2層之直徑為195mm，第2層之厚度為2μm。接著片C之中央部之第1接著劑層之厚度為8μm。實施例3之接著片C具有圖26所示之剖面形狀。
(比較例1)
獲得包含與實施例1相同之第1接著劑層之單層之接著片E。接著片E為圓形，直徑為200mm，厚度為100μm。
<剝離力之測定>
於包含單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜(厚度38μm、寬度250mm)之隔片上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方 式分別製作實施例1之組成之第1接著劑層、實施例2之組成之第1接著劑層、實施例3之組成之第1接著劑層、比較例1之組成之第1接著劑層。
將實施例1~3、比較例1之第1接著劑層貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之第1接著劑層。
於包含單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜(厚度38μm、寬度250mm)之隔片上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式分別製作實施例1之組成之第2層、實施例3之組成之第2層。又，於SUS箔上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式製作實施例2之組成之第2層。
將實施例1、實施例3及比較例1之第2層貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之第2層。實施例2之第2層係貼合於8吋矽晶圓上。
將各樣品(第1接著劑層或第2層)加工成20mm寬度、100mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行90°剝離評價。將結果示於表4。
<製程耐性評價>
將實施例1之接著片A於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片A。繼而，利用半加成法於接著片A上形成配線。具體而言，利用上述實施形態中所說明之方法而形成。
以與僅第1接著劑層露出之側的面相反側之面作為貼合面而將實施例2之接著片B於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓之基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件 下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片B。繼而，以與上述相同之方式於接著片B上形成配線。
以僅第1接著劑層露出之側的面作為貼合面而將實施例3之接著片C於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓之基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片C。繼而，以與上述相同之方式於接著片C上形成配線。
將比較例1之接著片E於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片E。繼而，以與上述相同之方式於接著片E上形成配線。
形成上述配線之結果，將接著片未自基座剝離且形成過程中之配線未自接著片剝離之情形評價為○，將接著片自基座剝離之情形、或形成過程中之配線自接著片剝離之情形評價為×。將結果示於表4。
<剝離性評價>
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例1之附有基座之接著片A。繼而，自基座之相反側以中心與接著片A相同且成為直徑196mm之圓之方式照射雷射(YAG雷射、輸出1.5W)而切割第1接著劑層及第2層直至基座面。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例2之附有基座之接著片B。繼而，自基座之相反側以中心與接著片B相同且成為直徑197mm之圓之方式利用切割機切割第1接著劑層及第2層直至基座面。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例3之附有基座之接著片C。繼而，自基座之相反側以中心與接著片C相同且成為直徑195mm之圓之方式利用湯普生刀切割第1接著劑層及第2層直至基座面。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得比較例1之附有基座之接 著片E。繼而，自基座之相反側以中心與接著片E相同且成為直徑197mm之圓之方式利用切割機切割第1接著劑層及第2層直至基座面。利用真空鑷子吸附上述切割後之接著片A~C、E之中央部並向上側提拉。將接著片或接著片之一部分自基座剝離之情形評價為○，將未剝離之情形評價為×。將結果示於表4。
[第3本發明]
以下之各實施例等係與第3本發明相對應。
對實施例中所使用之成分進行說明。
PMDA：均苯四甲酸二酐(分子量：218.1)
DDE：4,4'-二胺基二苯醚(分子量：200.2)
D-4000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：4023.5)
DMAc：N,N-二甲基乙醯胺
NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮
D-2000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：1990.8)
BPDA：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐
PPD：對苯二胺
(實施例1) <第1接著劑層用溶液、第2層用溶液之製作>
在氮氣氣流下之環境中，於N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)1018.81g中在70℃下混合聚醚二胺(D-4000)350.48g、4,4'-二胺基二苯醚(DDE)74.36g及均苯四甲酸二酐(PMDA)100g並進行反應而獲得第1接著劑層用溶液(聚醯胺酸溶液A)。進行冷卻直至所獲得之第1接著劑層用溶液成為室溫(23℃)。
除根據表5之組成之方面以外，利用與第1接著劑層用溶液相同之方法獲得第2層用溶液(聚醯胺酸溶液B)。進行冷卻直至所獲得之第2層用溶液成為室溫(23℃)。
<接著片之製作>
將第2層用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上並於90℃下乾燥3分鐘而獲得具有第2層之片材(厚度8μm)。
將第1接著劑層用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上並於90℃下乾燥3分鐘而獲得具有第1接著劑層之片材(厚度2μm)。
將上述具有第2層之片材與具有第1接著劑層之片材貼合(貼合條件：95℃、0.4MPa)而獲得積層有第1接著劑層及第2層之接著片A。
(實施例2)
除根據表5之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得 接著片B。
(實施例3)
除根據表5之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得接著片C。
(比較例1)
獲得包含與實施例1相同之第1接著劑層之單層之接著片E。
<對於矽晶圓之剝離力之測定>
於包含單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜(厚度38μm、寬度250mm)之隔片上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式分別製作實施例1之組成之第1接著劑層、實施例2之組成之第1接著劑層、實施例3之組成之第1接著劑層、比較例1之組成之第1接著劑層。
將實施例1~3、比較例1之第1接著劑層貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之第1接著劑層。
於包含單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜(厚度38μm、寬度250mm)之隔片上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式分別製作實施例1之組成之第2層、實施例2之組成之第2層、實施例3之組成之第2層。
將實施例1~實施例3及比較例1之第2層貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之第2層。
將各樣品(第1接著劑層或第2層)加工成20mm寬度、100mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行90°剝離評價。將結果示於表6。
<第1接著劑層及第2層之間的剝離力之測定>
將實施例及比較例之接著片加工成20mm寬度、100mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行180°剝離評價。將結果示於表6。
<製程耐性評價>
以第1接著劑層側作為貼合面而將實施例1之接著片A於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓之基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片A。繼而，利用半加成法於接著片A上形成配線。具體而言，利用上述實施形態中所說明之方法而形成。
以第2層側作為貼合面而將實施例2之接著片B於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓之基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片B。繼而，以與上述相同之方式於接著片B上形成配線。
以第1接著劑層側作為貼合面而將實施例3之接著片C於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓之基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片C。繼而，以與上述相同之方式於接著片C上形成配線。
將比較例1之接著片E於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓的基座上之後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片E。繼而，以與上述相同之方式於接著片E上形成配線。
形成上述配線之結果，將接著片未自基座剝離且形成過程中之配線未自接著片剝離之情形評價為○，將接著片自基座剝離之情形、或形成過程中之配線自接著片剝離之情形評價為×。將結果示於表6。
<剝離性評價>
以與上述製程耐性評價相同之方式製作實施例1之附有基座之接著片A，進而形成配線。其後，安裝裝置晶圓並進行樹脂密封。繼而，於250℃下加熱10分鐘。
以與上述製程耐性評價相同之方式製作實施例2之附有基座之接著片B，進而形成配線。其後，安裝裝置晶圓並進行樹脂密封。繼而，浸漬於SC-1洗淨液(氨水：過氧化氫水：水=1：1：5、70℃)中並施加24KHz之超音波10分鐘。
以與上述製程耐性評價相同之方式製作實施例3之附有基座之接著片C，進而形成配線。其後，安裝裝置晶圓並進行樹脂密封。繼而，利用切割機切開第1接著層與第2層之接觸面而形成間隙後，將尖角之金屬治具(12°)***至間隙而剝離。
以與上述製程耐性評價相同之方式製作比較例1之附有基座之接著片E，進而，形成配線。其後，安裝裝置晶圓並進行樹脂密封。繼而，於250℃下加熱10分鐘。
於上述加熱處理、利用SC-1洗淨液或切割機之剝離處理之後，使用垂直剝離裝置(日東精機製造、HSA840-WS)吸附基座與樹脂密封後之裝置晶圓之樹脂部分而垂直地剝離。接著片自基座剝離之情形評價為○，將未剝離之情形評價為×。將結果示於表6。
[第4本發明]
以下之各實施例等係與第4本發明相對應。
對實施例中所使用之成分進行說明。
PMDA：均苯四甲酸二酐(分子量：218.1)
DDE：4,4'-二胺基二苯醚(分子量：200.2)
D-4000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：4023.5)
DMAc：N,N-二甲基乙醯胺
BPDA：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐
PPD：對苯二胺
SD4587L PSA：東麗道製造、聚矽氧樹脂
SRX212：東麗道製造、硬化劑
(實施例1) <暫時固定用片材用溶液、接著劑層用溶液之製作>
在氮氣氣流下之環境中，於N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)2508g中在70℃下混合聚醚二胺(D-4000)27.67g、4,4'-二胺基二苯醚(DDE)90.43g及均苯四甲酸二酐(PMDA)100g並進行反應而獲得暫時固定用片材用溶液(聚醯胺酸溶液A)。進行冷卻直至所獲得之暫時固定用片材用溶液成為室溫(23℃)。
除根據表7之組成之方面以外，利用與暫時固定用片材用溶液相同之方法獲得接著劑層用溶液(聚醯胺酸溶液B)。進行冷卻直至所獲得之接著劑層用溶液成為室溫(23℃)。
<暫時固定用片材>
將暫時固定用片材用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上並於90℃下乾燥3分鐘而獲得暫時固定用片材A。
<附有接著劑層之暫時固定用片材>
使用2片所獲得之暫時固定用片材A，1片係沖裁成半徑較基座小0.5mm之圓形，另外1片係沖裁成半徑較基座小0.3mm之圓形，將該等貼合而形成凹部(參照圖47)。於該凹部之部分塗佈接著劑層溶液並於90℃下乾燥3分鐘。將其設為附有接著劑層之暫時固定用片材A。
(實施例2)
除根據表7之組成之方面以外，利用與實施例1之暫時固定用片材A相同之方法獲得暫時固定用片材B。又，除根據表7之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法製作接著劑層用溶液。
<附有接著劑層之暫時固定用片材>
將所獲得之暫時固定用片材B沖裁成半徑較基座小0.1mm之圓形。將沖裁後之暫時固定用片材B載置於基座上，並且於基座之傾斜 部塗佈接著劑層溶液，於90℃下乾燥3分鐘(參照圖40(b))。將其設為附有接著劑層之暫時固定用片材B。
(實施例3)
除根據表7之組成之方面以外，利用與實施例1之暫時固定用片材A相同之方法獲得暫時固定用片材C。又，除根據表7之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法製作接著劑層用溶液。
<附有接著劑層之暫時固定用片材>
使用2片所獲得之暫時固定用片材C，1片係沖裁成半徑較基座小2mm之圓形，另外1片係沖裁成半徑較基座小0.3mm之圓形，將該等貼合而形成凹部(參照圖47)。於該凹部之部分塗佈接著劑層溶液並於90℃下乾燥3分鐘。將其設為附有接著劑層之暫時固定用片材C。
(比較例1)
將與實施例1相同之接著劑層用溶液塗佈於隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜：厚度38μm、寬度250mm)上並於90℃下乾燥3分鐘而獲得包含接著劑層的單層之接著片F。
<剝離力之測定>
於包含單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜(厚度38μm、寬度250mm)之隔片上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式分別製作實施例1之組成之暫時固定用片材、實施例2之組成之暫時固定用片材、實施例3之組成之暫時固定用片材。
將實施例1~3之暫時固定用片材貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之暫時固定用片材。
於包含單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜(厚度38μm、寬度250mm)之隔片上，以於90℃下乾燥3分鐘後之厚度成為20μm之方式分別製作實施例1之組成之接著劑層、實施例2之組成之接著劑層、 實施例3之組成之接著劑層、比較例1之組成之接著劑層。
將實施例1~3、比較例1之接著劑層貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之接著劑層。
將各樣品(暫時固定用片材、或接著劑層)加工成20mm寬度、10(0mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行90°剝離評價。將結果示於表8。
<製程耐性評價>
將實施例1之附有接著劑層之暫時固定用片材A於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓之基座上。此時，以附有接著劑層之暫時固定用片材A之接著劑層位於基座之傾斜部分之方式進行貼附。藉此，獲得附有基座之暫時固定用片材A。繼而，利用半加成法於暫時固定用片材A上形成配線。具體而言，利用上述實施形態中所說明之方法而形成。
將實施例2之暫時固定用片材B於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓之基座上。繼而，於基座端部之傾斜部分塗佈實施例2之接著劑層用溶液並於溫度120℃下加熱10分鐘而使其硬化。藉此，獲得附有基座之暫時固定用片材B。繼而，利用半加成法於暫時固定用片材B上形成配線。具體而言，利用上述實施形態中所說明之方法而形成。
於包含直徑200mm之矽晶圓之基座的端部之傾斜部分塗佈實施例3之接著劑層用溶液。繼而，將實施例3之暫時固定用片材C於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於上述基座上。其後，於溫度150℃下加熱5分鐘而使接著劑層用溶液硬化。藉此，獲得附有基座之暫時固定用片材C。繼而，利用半加成法於暫時固定用片材C上形成配線。具體而言，利用上述實施形態中所說明之方法而形成。
將比較例1之接著片F於溫度90℃、壓力0.1MPa下輥式層壓於包含直徑200mm之矽晶圓之基座上。藉此，獲得附有基座之接著劑層F。繼而，利用半加成法於接著劑層F上形成配線。具體而言，利用上述實施形態中所說明之方法而形成。
<剝離性評價>
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例1之附有基座之暫時固定用片材A。繼而，自基座之相反側照射雷射(YAG雷射、輸出1.5W)而切割至基座面。此時，切割係設為較接著劑層更內側(參照圖47)。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例2之附有基座之暫時固定用片材B。繼而，利用切割機自斜上方向僅切割暫時固定用片材(參照圖45)。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得實施例3之附有基座之暫時固定用片材C。繼而，利用切割機自斜上方向僅切割暫時固定用片材(參照圖45)。
以與上述製程耐性評價相同之方式獲得比較例1之附有基座之接著劑層F。繼而，利用切割機自斜上方向僅切割接著劑層F。
利用真空鑷子吸附上述切割後之暫時固定用片材A~C之中央部及接著劑層F之中央部並向上側提拉。將暫時固定用片材或接著劑層自基座剝離之情形評價為○，將未剝離之情形評價為×。將結果示於表8。
[第5本發明]
以下之各實施例等係與第5本發明相對應。
對實施例中所使用之成分進行說明。
PMDA：均苯四甲酸二酐(分子量：218.1)
DDE：4,4'-二胺基二苯醚(分子量：200.2)
D-4000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：4023.5)
DMAc：N,N-二甲基乙醯胺
NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮
D-2000：Hatsuman製造之聚醚二胺(分子量：1990.8)
BPDA：3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐
PPD：對苯二胺
隔片(單面經聚矽氧系剝離劑處理之長條聚酯膜)
(實施例1)
在氮氣氣流下之環境中，於DMAc 1257g中在70℃下混合D-4000 365g、DDE 74g及PMDA 100g並進行反應後，進行冷卻直至成為室溫(23℃)而獲得第1接著劑溶液。
除根據表9之組成之方面以外，利用與第1接著劑溶液相同之方法獲得第2接著劑溶液。將第2接著劑溶液塗佈於隔片上，於90℃下乾燥3分鐘而製作具有第2接著劑溶液之塗佈層之片材後，形成多個片材厚度方向之貫通孔，而獲得空孔片材。俯視空孔片材時之貫通孔之形狀為圓形，俯視空孔片材時之各貫通孔之面積為78.5μm2。各貫通孔之直徑為10μm。開口率為50%。
於空孔片材及其周圍(空孔片材之周圍之區域)塗佈第1接著劑溶液，利用第1接著劑溶液填充貫通孔並且形成第1接著劑溶液之塗佈層。其後，於90℃下乾燥3分鐘而獲得圖48、圖49所示之實施形態1之形狀之接著片。
接著片整體之直徑為200mm，厚度為100μm。
第2層之直徑為196mm，第2層之厚度為1μm。
接著片之中央部之第1接著劑層之厚度為99μm。
(實施例2)
除根據表9之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得第1接著劑溶液。
除代替空孔片材而使用開孔率為80%之鋁篩網之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得圖48、圖49所示之實施形態1之形狀之接著片。
接著片整體之直徑為200mm，厚度為120.5μm。
第2層之直徑為198mm，第2層之厚度為0.5μm。
接著片之中央部之第1接著劑層之厚度為120μm。
(實施例3)
除根據表9之組成而獲得第1接著劑溶液及第2接著劑溶液之方面、俯視空孔片材時之貫通孔之形狀為三角形之方面、各貫通孔之面積為7.0mm2之方面、及開口率為10%之方面以外，利用與實施例1相 同之方法獲得圖48、圖49所示之實施形態1之形狀之接著片。
接著片整體之直徑為200mm，厚度為100μm。
第2層之直徑為197mm，第2層之厚度為1μm。
接著片之中央部之第1接著劑層之厚度為99μm。
(比較例1)
除根據表9之組成之方面以外，利用與實施例1相同之方法獲得第1接著劑溶液。
將第1接著劑溶液塗佈於隔片上，於90℃下乾燥3分鐘而獲得包含第1接著劑之單層之接著片。接著片為圓形，直徑為200mm，厚度為150μm。
[第1接著劑層之接著力之測定]
將接著片之僅包含第1接著劑層(第1接著劑溶液之塗佈層)之面貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之接著片。
將附有矽晶圓之接著片加工成20mm寬度、100mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行90°剝離評價。將結果示於表10。
[空孔片材及鋁篩網(具有多個貫通孔之構造體)之接著力之測定] (實施例1、實施例3)
將實施例1、實施例3之空孔片材貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之空孔片材。
將附有矽晶圓之空孔片材加工成20mm寬度、100mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行90°剝離評價。將結果示於表10。
(實施例2)
將鋁篩網貼合於8吋矽晶圓上而獲得附有矽晶圓之鋁篩網。將所獲得之附有矽晶圓之鋁篩網加工成20mm寬度、100mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行90°剝離評價。將結果示於表10。
[第2層之接著力之測定]
自接著片切出第2層(包含空孔片材或鋁篩網、及填充於該等貫通孔中之第1接著劑的第2層)，對切出之第2層貼合於8吋矽晶圓上並於300℃、1.5小時之條件下在氮氣環境中進行醯亞胺化而獲得附有矽晶圓之第2層。
將附有矽晶圓之第2層加工成20mm寬度、100mm長度，使用拉伸試驗機(島津製作所製造、Autograph AGS-H)於溫度23℃、300mm/分鐘之條件下進行90°剝離評價。將結果示於表10。
<製程耐性評價> (實施例1~3)
將實施例1~3之接著片之第1接著劑層及第2層露出之面貼附於基座(直徑200mm、厚度726μm之矽晶圓)上。貼附係藉由溫度90℃、壓力0.1MPa之輥式層壓而進行。其後，於300℃、1.5小時、氮氣環境下之條件下進行醯亞胺化。藉此，獲得附有基座之接著片。繼而，利用半加成法於接著片上形成配線。具體而言，利用上述實施形態中所說明之方法而形成。
(比較例1)
利用與實施例1~3相同之方法製作附有基座之接著片，繼而，利用半加成法於接著片上形成配線。
形成上述配線之結果，將接著片未自基座剝離且形成過程中之配線未自接著片剝離之情形評價為○，將接著片自基座剝離之情形、或形成過程中之配線自接著片剝離之情形評價為×。將結果示於表 10。
<剝離性評價>
利用與上述製程耐性評價相同之方法獲得附有基座之接著片。
使用湯普生刀自接著片層之側面向內側切出切口。切口係切割至第2層。切出切口後，利用真空鑷子吸附接著片之中央部並向上側提拉。將接著片或接著片之一部分自基座剝離之情形評價為○，將未剝離之情形評價為×。將結果示於表10。
5‧‧‧接著片
50‧‧‧第1接著劑層
51‧‧‧第2層
53‧‧‧中央部
54‧‧‧周邊部

Claims (5)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於：其係具有於配線上安裝有工件之構造之半導體裝置之製造方法，且包括：準備接著片之步驟，該接著片係具有第1接著劑層及貼附於基座上之後的接著力低於上述第1接著劑層之第2層者，且至少上述接著片之周邊部由上述第1接著劑層形成；將上述接著片貼合於基座上之步驟；於貼合於上述基座上之後的上述接著片上形成配線之步驟；於上述配線上安裝工件之步驟；及上述安裝後將附有配線之工件自上述基座分離之步驟。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述接著片於較上述周邊部更內側之中央部係由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成，且貼合於上述基座上之步驟係以上述第2層露出之側的面作為貼合面而將上述接著片貼合於基座上之步驟。
  3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述接著片於較上述周邊部更內側之中央部係由上述第2層形成。
  4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中上述接著片於較上述周邊部更內側之中央部係由上述第1接著劑層與上述第2層之積層形成，且貼合於上述基座上之步驟係以僅上述第1接著劑層露出之側的面作為貼合面而將上述接著片貼合於基座上之步驟。
  5. 一種接著片，其係用於如請求項1至4中任一項之半導體裝置之製造方法。
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