TW201328809A - 雷射加工方法及其所形成的加工件 - Google Patents

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Abstract

一種雷射加工方法，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域。施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束的複數雷射脈衝在該第一局部區域中具有一第一特定重疊率分佈以使該第一網點具有一特定深度分佈。

Description

雷射加工方法及其所形成的加工件
本案是關於一種雷射加工方法及其所形成的加工件，特別是以一基板為加工件的的雷射加工方法及其所形成的加工件，加工後的該基板特別適用於背光模組的導光板。
近來平面顯示器逐漸普及化，其中液晶顯示器的背光模組的尺寸大小也向大尺寸邁進，液晶顯示器的背光模組可分成直下式與側光式。採用直下式的方式鋪設背光模組的光源需要較多的發光元件而較耗電；採用側光式的方式鋪設背光模組的光源只從液晶顯示器的其中一側提供光線，因此，離光源較近與離光源較遠的亮度若沒有適當的處理，則液晶顯示器的亮度會不均勻，特別所述不均勻是大尺寸面板所面臨的挑戰。側光式背光模組的導光板的設計對於背光的輝度以及背光的均勻度有重要的影響，其中導光板上的網點之設計影響甚鉅，好的設計則能夠提供較佳的背光之輝度與均勻度。
請參閱第一圖(a)，其為習知液晶顯示器的示意圖。習知液晶顯示器10包含一背光模組11與一液晶面板12。該背光模組11包含一光源110、一光源反射板111、一導光板112、一底部反射板113、以及一稜鏡薄層114。在第一圖(a)中，光源110所發出的光線13,14在導光板112中以全反射來傳遞，直到分別碰到在導光板112上的網點1120以及1121時，藉由網點1120,1121的光學性質(例如凹透鏡的特性)將光線13,14折射，而可均勻散射到該稜鏡薄層114，該稜鏡薄層114會將散射後的光聚集，以加強背光的輝度。
在中華民國專利公告號I275878中，說明了蝕刻皺折網點的方法。請參閱第一圖(b)，其為習知皺折網點的示意圖。首先，提供一金屬或壓克力材質的基板21，然後提供一雷射光束至基板21上方，並重複照射基板21上之同一位置，以形成一皺折網點22，再藉由移動雷射光束或移動基板，並利用雷射光束重複照射基板21，以依序於基板21之不同位置上均形成皺折網點22，而雷射光束可採用脈衝式雷射，且雷射光束的波長選用依基板材質而定。例如：當採用鋼材基板時，則可選用Nd-YAG雷射。最後，將表面具有複數皺折網點22的基板21直接作為模仁20或再透過電鑄製程形成模仁，再利用注入透明材質成形導光板，成形的方式可為射出成形、熱壓、或鑄造。在此習知技術中，各該皺折網點22的深度一致，對於要達成背光的高均勻性的目的而言，則需另外依賴皺折網點22在基板21上的疏密程度，然而即使離光源較近的皺折網點22排列較稀疏，且離光源較遠的皺折網點22排列較密，其亮度均勻的程度與輝度仍有很大的改善空間。
在中華民國專利公開號201116902中，說明了習知的雷射加工系統30。如第一圖(c)所示，習知雷射加工系統30包括一雷射加工裝置31與一基板32。該雷射加工裝置31包括一平台單元33、一光束掃描單元34、一雷射模組35、以及一控制單元36。在第一圖(c)中，一加工單元37包括一雷射模組35與一定位單元38。該定位單元38包括一光束掃描單元34與一平台單元33。
雷射加工裝置31用以在基板32的至少兩位置點PS1、PS2分別形成至少兩網點321、322，該至少兩網點321、322可用以成型一導光板(未顯示)。該至少兩網點321、322分別具有至少兩深度DA1、DA2，為了使採用該導光板的一背光模組(未顯示)發出均勻的整面光線，該至少兩深度DA1、DA2可不相等。
控制單元36分別根據該至少兩位置點PS1、PS2而設置至少兩加工參數B11、B12，且分別根據該至少兩加工參數B11、B12而提供至少兩雷射光束LU1、LU2來形成該至少兩網點321、322。該至少兩加工參數B11、B12的每一(如B11)包括一預定深度(如D11)與一雷射能量參數(如U11)，且該至少兩網點321、322的每一(如321)具有一深度(如DA1)。該兩加工參數B11、B12的兩預定深度D11、D12被設置成不相等而使該兩加工參數B11、B12的兩雷射能量參數U11、U12被設置成不等效，且該兩加工參數B11、B12的該兩雷射能量參數U11、U12被利用來使該兩網點321、322的兩深度DA1、DA2分別匹配於該兩加工參數B11、B12的該兩預定深度D11、D12。
在第一圖(c)中的雷射能量參數U11包括一設計脈衝功率R11、一設計脈衝頻率f11與一設計加工時間Q11。雷射能量參數U12包括一設計脈衝功率R12、一設計脈衝頻率f12與一設計加工時間Q12。當預定深度D11與預定深度D12被設置成不相等時，設計脈衝功率R11、設計脈衝頻率f11與設計加工時間Q11被設置成不是完全分別等於設計脈衝功率R12、設計脈衝頻率f12與設計加工時間Q12(三對中至少一對不相等)，亦即雷射能量參數U11被設置成不等效於雷射能量參數U12。
加工單元37響應一控制訊號A1而提供該至少兩雷射光束LU1、LU2來分別形成該至少兩網點321、322。控制單元36分別根據該至少兩位置點PS1、PS2而設置該至少兩加工參數B11、B12，且根據該至少兩加工參數B11、B12而產生控制訊號A1。控制訊號A1包括一雷射能量控制訊號S1與一位置控制訊號S2。雷射能量控制訊號S1包括一位準訊號S11與一脈衝訊號S12。位置控制訊號S2與該至少兩座標P11、P12相關且包括一訊號S21與一訊號S22。
雷射模組31根據雷射能量控制訊號S1而產生至少兩雷射光束LA1、LA2。定位單元38響應位置控制訊號S2與該至少兩雷射光束LA1、LA2而提供該至少兩雷射光束LU1、LU2。光束掃描單元34響應訊號S21與該至少兩雷射光束LA1、LA2而提供該至少兩雷射光束LU1、LU2。平台單元33承載基板32，且響應訊號S22而帶動基板32。
然而，在第一圖(c)中的習知技術，兩網點321、322散射光線的方向仍呈現對稱性，而無法形成非對稱性的光線散射的方向。
有鑑於先前技術的網點所導出的光線方向無法形成非對稱性的方向，本案則提出一種雷射加工方法，可使加工後的網點可導出非對稱性的光線方向，以在設計網點時增加設計上的選擇性，並且更可加強背光的均勻度與輝度。
依據上述構想，一種雷射加工方法被提出，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域。施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束在該第一局部區域中具有一特定掃描速度分佈以使該第一網點具有一特定深度分佈。
依據上述構想，另一種雷射加工方法被提出，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域。施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束的複數雷射脈衝在該第一局部區域中具有一第一特定重疊率分佈以使該第一網點具有一特定深度分佈。
依據上述構想，另一種雷射加工方法被提出，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域。施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束在該第一局部區域中具有一第一特定能量以及一第一特定描速度分佈，以使該第一網點分別具有一第一孔徑以及一第一特定深度分佈。
依據上述構想，一種雷射加工方法被提出，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一區域以供形成一第一網點。提供一第一雷射光束，其具有一特定變化模式。使該第一雷射光束於該加工件上形成該第一網點，以使該區域具有一特定特性分佈。
依據上述構想，一種雷射加工件被提出，其包含一網點，該網點形成於該雷射加工件上並具有一區域、一第一表面、以及一第二表面。該第一表面形成於該區域上。該第二表面形成於該區域上，其中該第一表面的平均表面曲率大於該第二表面的平均表面曲率。
本案所提供的方法簡易且經濟，依據本案的雷射加工方法所形成的網點提供了網點在設計上的多元性與彈性，而更能強化背光的輝度與均勻度。
請參酌本發明的附圖來閱讀下面的詳細說明，其中本發明的附圖是以舉例說明的方式，來介紹本發明各種不同的實施例，並供瞭解如何實現本發明。本發明較佳實施例提供了充足的內容，以供本領域的技術人員來實施本發明所揭示的較佳實施例，或實施依本發明所揭示的內容所衍生的較佳實施例。須注意的是，該些實施例彼此間並不互斥，且部分實施例可與其他一個或多個實施例作適當結合，以形成新的較佳實施例，亦即本發明的實施並不局限於以下所揭示的較佳實施例。
請參閱第二圖(a)，其為本案第一較佳實施例的雷射加工系統40的示意圖。雷射加工系統40包括一雷射加工裝置41與一基板42。該雷射加工裝置41包括一平台單元43、一光束掃描單元44、一雷射模組45、以及一控制單元46。在第二圖(a)中，一加工單元47包括一雷射模組45與一定位單元48。該定位單元48包括一光束掃描單元44與一平台單元43。該基板42包含一第一局部區域RG1。例如，該基板42更包含至少一第二局部區域RG2。
雷射加工裝置41用以在該第一局部區域RG1中形成一第一網點421。例如，雷射加工裝置41更用以在至少一第二局部區域RG2中形成至少一第二網點422。該第一網點421與該至少一第二網點422可用以成型一導光板(未顯示)。例如，在該第一局部區域RG1中僅僅具有該第一網點421，且在該第二局部區域RG2中僅僅具有該第二網點422。第一網點421與第二網點422的形狀從縱剖面來看並非對稱性的，第一網點421與第二網點422分別具有一第一深度DA3與一第二深度DA4，而且為了使採用該導光板的一背光模組(未顯示)發出均勻的整面光線，第一深度DA3與第二深度DA4可不相等。第一局部區域RG1包含一第一位置PS31與一第二位置PS32，第二局部區域RG2包含一第三位置PS41與一第四位置PS42。
控制單元46根據各自的第一局部區域RG1以及第二局部區域RG2而設置第一加工參數B21與第二加工參數B22，且根據各自的第一加工參數B21、第二加工參數B22而提供第一雷射光束LU3、以及第二雷射光束LU4以形成各自的第一網點421以及第二網點422。第一加工參數B21包括一預定深度D31、一雷射能量參數U21、一預定第一位置P31、一預定第二位置P32、以及一預定掃描速度分佈SD3，預定掃描速度分佈SD3包括一預定低速掃描速度SD31以及一預定高速掃描速度SD32。第二加工參數B22包括一預定深度D41、一雷射能量參數U22、一預定第一位置P41、一預定第二位置P42、以及一預定掃描速度分佈SD4，預定掃描速度分佈SD4包括一預定低速掃描速度SD41以及一預定高速掃描速度SD32。且第一網點421具有一深度DA3，第二網點422具有一深度DA4。第一加工參數B21的預定深度D31與第二加工參數B22的預定深度D32被設置成相等而使第一加工參數B21的雷射能量參數U21以及第二加工參數B22的雷射能量參數U22被設置成等效，且第一加工參數B21的雷射能量參數U21與第二加工參數B22的雷射能量參數U22被利用來使第一網點421的深度DA3與第二網點422的深度DA4分別匹配於第一加工參數B21的預定深度D31以及第二加工參數B22的預定深度D41。在另一較佳實施例中，第一加工參數B21的預定深度D31與第二加工參數B22的預定深度D32可被設置成不相等。
在第二圖(a)中的雷射能量參數U21包括一設計脈衝功率R31、一設計脈衝頻率f31與一設計加工時間Q31。雷射能量參數U22包括一設計脈衝功率R41、一設計脈衝頻率f41與一設計加工時間Q41。在一較佳實施例中，當預定深度D31與預定深度D41被設置成相等時，設計脈衝功率R31、設計脈衝頻率f31與設計加工時間Q31被設置成完全分別等於設計脈衝功率R41、設計脈衝頻率f41與設計加工時間Q41。在一較佳實施例中，第一雷射光束LU3形成第一網點421後，然後第二雷射光束LU4形成第二網點422。在另一較佳實施例中，第一雷射光束LU3與第二雷射光束LU4可同時分別形成第一網點421與第二網點422。在一較佳實施例中，第一雷射光束與第二雷射光束的掃描速度可設定為先使用預定低速掃描速度SD31、SD41再使用預定高速掃描速度SD32、SD42，或先使用預定高速掃描速度SD32、SD42，再使用預定低速掃描速度SD31、SD41，其中預定低速掃描速度SD31與SD41可設定成相等或不相等，預定高速掃描速度SD32與SD42亦可設定成相等或不相等。
加工單元47響應一控制訊號A2而提供第一雷射光束LU3與第二雷射光束LU4來形成各自的第一網點421與第二網點422。控制單元46根據第一位置PS31、第二位置PS32而設置第一加工參數B11，根據第三位置PS41、第四位置PS42而設置第二加工參數B12，且根據第一加工參數B11與第二加工參數B12而產生控制訊號A2。控制訊號A2包括一雷射能量控制訊號S3與一移動控制訊號S4。雷射能量控制訊號S3包括一位準訊號S31與一脈衝訊號S32。移動控制訊號S4與預定第一位置P31、預定第二位置P32、預定第三位置P41、預定第四位置P42相關，且包括一位置控制訊號S41、一位置控制訊號S42、以及一速度控制訊號S43，速度控制訊號S43可控制第一雷射光束LU3或/及第二雷射光束LU4的掃描速度。
雷射模組45根據雷射能量控制訊號S3而產生第一雷射光束LA3與第二雷射光束LA4。定位單元48響應移動控制訊號S4與該第一雷射光束LA3、第二雷射光束LA4而提供分別與第一雷射光束LA3、第二雷射光束LA4對應的第一雷射光束LU3、第二雷射光束LU4。光束掃描單元44響應位置控制訊號S41、速度控制訊號S43、第一雷射光束LA3、以及第二雷射光束LA4而提供第一雷射光束LU3、第二雷射光束LU4。平台單元43承載基板42，且響應位置控制訊號S42而帶動基板42。
請參閱第二圖(b)，其為本案第一較佳實施例雷射加工方法的流程圖。在步驟S201中，提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域RG1。在步驟S202中，施加一第一雷射光束LU3至該第一局部區域RG1，以在該第一局部區域RG1中形成一第一網點421，其中該第一雷射光束LU3在該第一局部區域RG1中具有一特定掃描速度分佈以使該第一網點421具有一特定深度分佈。該加工件例如為基板42，或是為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一。例如，在該第一局部區域RG1中僅僅具有該第一網點421。在本案第一較佳實施例中，例如，第一雷射光束LU3或第二雷射光束LU4每秒所輸出的能量是固定的，且與該加工件的平面SF1垂直。例如，該第一雷射光束LU3在一第一時段中被施加至該第一局部區域RG1以形成該第一網點421；在一第一時段中，雷射能量控制訊號S3被保持且移動控制訊號S4使該特定掃描速度分佈被形成。
當第一雷射光束LU3與第二雷射光束LU4依序加工時，則雷射加工的步驟如下：施加該第一雷射光束LU3於該第一位置PS31。由慢到快移動該第一雷射光束LU3至該第二位置PS32。停止該第一雷射光束LU3，以形成該第一網點421。施加一第二雷射光束LU4於該第三位置PS41。由慢到快移動該第二雷射光束LU4至該第四位置PS42。停止該第二雷射光束LU4以形成該第二網點422。例如，在該第二局部區域RG2中僅僅具有該第二網點422。
請參閱第二圖(c)，其為本案第一網點421與第二網點422縱剖面的示意圖。在一較佳實施例中，從縱剖面來看第一網點421與第二網點422的形狀相同，並且對於每個網點，相對於有極值深度的位置，縱剖面的兩側是非對稱性的。該第一局部區域RG1包括一低速掃描區域RG11以及一高速掃描區域RG12，該第二局部區域RG2包括一低速掃描區域RG21以及一高速掃描區域RG22。例如，該特定掃描速度分佈包括一第一掃描速度和一第二掃描速度。該第一雷射光束LU3以該第一掃描速度在該低速掃描區域RG11中加工，且以該第二掃描速度在該高速掃描區域RG12中加工，其中該第二掃描速度大於該第一掃描速度。該第一雷射光束LU3在該低速掃描區域RG11的中造成該特定深度分佈具有一第一最大深度，且在該高速掃描區域RG12中造成該特定深度分佈具有一第三深度DA31，其中該第一最大深度大於該第三深度DA31。第一深度DA3等於該第一雷射光束LU3在該低速掃描區域RG11所造成的最大深度。該第二雷射光束LU4在該低速掃描區域RG21所造成的最大深度大於在該高速掃描區域RG22所造成的深度，其中第二深度DA4等於該第二雷射光束LU4在該低速掃描區域RG21所造成的最大深度。在另一較佳實施例中，從縱剖面來看第一網點421與第二網點422的形狀可不相同並且是非對稱性的，掃描速度分佈可以相同，也可以不同，依照網點設計的需求而定。
在另一較佳實施例中，利用第一較佳實施例的雷射加工方法，該加工件更被加工而具有至少一第三網點，且該至少一第三網點的縱剖面是對稱的。
請參閱第二圖(d)，其為本案導光板49俯視的示意圖。導光板49包含第一網點421、第二網點422、以及至少網點423、424、425，第一位置PS31與第二位置PS32的相對關係可被任意改變，第一位置PS41與第二位置PS42的相對關係亦可被任意改變，亦即第一位置PS31,PS41指向第二位置PS32,PS42的方向可被任意改變，第一位置PS31指向第二位置PS32的方向與第一位置PS41指向第二位置PS42的方向可為相同方向(例如第一網點421的指向DIR與第二網點422的指向DIR)或不同方向(例如網點423、424、425的指向DIR)，此可依照光學模擬的結果來設計，或可根據實際量測導光板49的光均勻度的結果來做適當的修正。
在本案第一較佳實施例中，具體的數據例如該第一局部區域RG1及該第二局部區域RG2的最大半徑為50微米。該第一局部區域RG1及該第二局部區域RG2的第一最大深度為5微米。該第一局部區域RG1與該第二局部區域RG2之間的距離不小於該第一局部區域RG1的最大半徑或該第二局部區域RG2的最大半徑，其中形成該第一網點421或該第二網點422的平均時間為1毫秒。
請參閱第三圖(a)，其為本案第二較佳實施例雷射加工系統50的示意圖。第二較佳實施例的雷射加工系統50與第一較佳實施例的雷射加工系統40相類似，不同的地方在於加工參數，另外，加工方法亦有差別。雷射加工系統50包括一雷射加工裝置51與一基板52。該雷射加工裝置51包括一平台單元53、一光束掃描單元54、一雷射模組55、以及一控制單元56。在第三圖(a)中，一加工單元57包括一雷射模組55與一定位單元58。該定位單元58包括一光束掃描單元54與一平台單元53。該基板52包含至少一第一局部區域RG3與一第二局部區域RG4。
雷射加工裝置51用以在各自的第一局部區域RG3以及至少一第二局部區域RG4形成一第一網點521以及至少一第二網點522，第一網點521以及該至少一第二網點522可用以成型一導光板(未顯示)。第一網點521與第二網點522的形狀從縱剖面來看並非對稱性的，第一網點521與第二網點522分別具有一第一深度DA5與一第二深度DA6，而且為了使採用該導光板的一背光模組(未顯示)發出均勻的整面光線，第一深度DA5與第二深度DA6可不相等。第一局部區域RG3包含一第一位置PS51與一第二位置PS52，第二局部區域RG4包含一第三位置PS61與一第四位置PS62。
控制單元56根據各自的第一局部區域RG3以及第二局部區域RG4而設置第一加工參數B31與第二加工參數B32，且根據各自的第一加工參數B31、第二加工參數B32而提供第一雷射光束LU5、以及第二雷射光束LU6以形成各自的第一網點521以及第二網點522。第一加工參數B31與第二加工參數B32的每一(如B31)包括一預定深度(如D51)、一雷射能量參數(如U31)、一預定第一位置(如P51)、一預定第二位置(如P52)、一預定掃描速度分佈(如SD5)、以及一預定重疊率分佈(如DT5)，且第一網點521與第二網點522的每一(如521)具有一深度(如DA5)。第一加工參數B31的預定深度D51與第二加工參數B32的預定深度D52被設置成相等而使第一加工參數B31的雷射能量參數U31以及第二加工參數B32的雷射能量參數U32被設置成等效，且第一加工參數B31的雷射能量參數U31與第二加工參數B32的雷射能量參數U32被利用來使第一網點521的深度DA5與第二網點522的深度DA6分別匹配於第一加工參數321的預定深度D51以及第二加工參數B32的預定深度D61。
在第三圖(a)中的雷射能量參數U31包括一設計脈衝功率R51、一設計脈衝頻率f51與一設計加工時間Q51。雷射能量參數U32包括一設計脈衝功率R61、一設計脈衝頻率f61與一設計加工時間Q61。在一較佳實施例中，當預定深度D51與預定深度D61被設置成相等時，設計脈衝功率R51、設計脈衝頻率f51與設計加工時間Q51被設置成完全分別等於設計脈衝功率R61、設計脈衝頻率f61與設計加工時間Q61。在一較佳實施例中，第一雷射光束LU5形成第一網點521後，然後第二雷射光束LU6形成第二網點522。在另一較佳實施例中，第一雷射光束LU5與第二雷射光束LU6可同時分別形成第一網點521與第二網點522。在一較佳實施例中，第一雷射光束LU5與第二雷射光束LU6的預定重疊率分佈DT5、DT6可設定為由緊密到稀疏，或為由稀疏到緊密，其中預定重疊率分佈DT5與DT6可設定成相等或不相等。
在一較佳實施例中，當第一雷射光束LU5或第二雷射光束LU6的掃描速率由慢到快時，雷射能量參數U31與U32可設定為相同。在另一較佳實施例中，當第一雷射光束LU5或第二雷射光束LU6的掃描速度固定時，雷射能量參數U31與U32中的設計脈衝頻率f51與f61可設定為相等或不相等。
加工單元57響應一控制訊號A3而提供第一雷射光束LU5與第二雷射光束LU6來形成各自的第一網點521與第二網點522。控制單元56根據第一位置PS51、第二位置PS52而設置第一加工參數B31，根據第三位置PS61、第四位置PS62而設置第二加工參數B32，且根據第一加工參數B31與第二加工參數B32而產生控制訊號A3。控制訊號A3包括一雷射能量控制訊號S5與一移動控制訊號S6。雷射能量控制訊號S5包括一位準訊號S51與一脈衝訊號S52。移動控制訊號S6與預定第一位置P51、預定第二位置P52、預定第三位置P61、預定第四位置P62相關，且包括一位置控制訊號S61與一位置控制訊號S62、以及一速度控制訊號S63，速度控制訊號S63可控制第一雷射光束LU5或/及第二雷射光束LU6的掃描速度。
雷射模組55根據雷射能量控制訊號S5而產生第一雷射光束LA5與第二雷射光束LA6。定位單元58響應移動控制訊號S6與該第一雷射光束LA5、第二雷射光束LA6而提供分別與第一雷射光束LA5、第二雷射光束LA6對應的第一雷射光束LU5、第二雷射光束LU6。光束掃描單元54響應位置控制訊號S61、速度控制訊號S63、第一雷射光束LA5、以及第二雷射光束LA6而提供第一雷射光束LU5、第二雷射光束LU6。平台單元53承載基板52，且響應訊號S52而帶動基板52。
請參閱第三圖(b)，其為本案第二較佳實施例雷射加工方法的流程圖。在步驟S301中，提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域。在步驟S302中，施加一第一雷射光束LU5至該第一局部區域RG3，以在該第一局部區域RG3中形成一第一網點521，其中該第一雷射光束LU5的複數雷射脈衝在該第一局部區域RG3中具有一第一特定重疊率分佈以使該第一網點521具有一特定深度分佈。該加工件例如為基板52，或是為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一。在本案第二較佳實施例中，例如，第一雷射光束LU5或第二雷射光束LU6每秒所輸出的能量是固定的，且與該加工件的平面SF2垂直。
該第二雷射光束LU6的複數雷射脈衝具有一第二特定重疊率分佈。當第一雷射光束LU5與第二雷射光束LU6依序加工時，則雷射加工的步驟如下：施加該第一雷射光束LU5於該第一位置PS51。移動該第一雷射光束LU5至該第二位置PS52，其中該第一雷射光束LU5施加到該第一局部區域RG3的該第一特定重疊率分佈係由緊密到稀疏。停止該第一雷射光束LU5，以形成該第一網點521。施加一第二雷射光束LU6於該第三位置PS61。移動該第二雷射光束LU6至該第四位置PS62，其中該第二雷射光束LU6施加到該第二局部區域RG4的該第二特定重疊率分佈係由緊密到稀疏。停止該第二雷射光束LU6，以形成一第二網點522。
請參閱第三圖(c)，其為本案第一網點521與第二網點522縱剖面的示意圖。在一較佳實施例中，從縱剖面來看第一網點521與第二網點522的形狀相同，並且對於每個網點，相對於有極值深度的位置，縱剖面的兩側是非對稱性的，該第一局部區域RG3包括一高重疊率分佈區域RG31以及一低重疊率分佈區域RG32，該第二局部區域RG4包括一高重疊率分佈區域RG41以及一低重疊率分佈區域RG42。例如，該第一特定重疊率分佈包括一第一脈衝重疊率LPD1、LPD3和一第二脈衝重疊率LPD2、LPD4。如第三圖(c)所示，該第一雷射光束LU5以該第一脈衝重疊率LPD1在該高重疊率分佈區域RG31中加工，且以該第二脈衝重疊率LPD2在該低重疊率分佈區域RG32中加工，其中該第一脈衝重疊率LPD1大於該第二脈衝重疊率LPD2。第一雷射光束LU5在高重疊率分佈區域RG31中所形成的雷射脈衝LP1的第一脈衝重疊率LPD1大於在低重疊率分佈區域RG32中所形成的雷射脈衝LP2的第二脈衝重疊率LPD2，第二雷射光束LU6在高重疊率分佈區域RG41中所形成的雷射脈衝LP3的第一脈衝重疊率LPD3大於在低重疊率分佈區域RG42中所形成的雷射脈衝LP4的第二脈衝重疊率LPD4。
該第一雷射光束LU5在高重疊率分佈區域RG31中造成該特定深度分佈具有一第二最大深度，且在該低重疊率分佈區域RG32中造成該特定深度分佈具有一第三深度DA51，其中該第二最大深度大於該第三深度DA51。第一深度DA5等於該第一雷射光束LU5在高重疊率分佈區域RG31所造成的第二最大深度。該第二雷射光束LU6在高重疊率分佈區域RG41所造成的最大深度大於該低重疊率分佈區域RG42所造成的深度，其中第二深度DA6等於該第二雷射光束LU6在高重疊率分佈區域RG41所造成的最大深度。在另一較佳實施例中，從縱剖面來看第一網點521與第二網點522的形狀可不相同並且是非對稱性的，依照網點設計的需求而定。
在另一較佳實施例中，利用第二較佳實施例的雷射加工方法，該加工件更被加工而具有至少一第三網點，且該至少一第三網點的縱剖面是對稱的。
請參閱第三圖(d)，其為本案導光板59俯視的示意圖。導光板59包含第一網點521、第二網點522、以及至少網點523、524、525。請同時參考第三圖(a)與第三圖(d)，第一位置PS51與第二位置PS52的相對關係可被任意改變，第一位置PS61與第二位置PS62的相對關係亦可被任意改變，亦即第一位置PS51,PS61指向第二位置PS52,PS62的方向可被任意改變，第一位置PS51指向第二位置PS52的方向與第一位置PS61指向第二位置PS62的方向可為相同方向(例如第一網點521與第二網點522的指向DIR)或不同方向(例如網點523、524、525的指向DIR)，此可依照光學模擬的結果來設計，或可根據實際量測導光板59的光均勻度的結果來做適當的修正。
在本案第二較佳實施例中，具體的數據例如該第一局部區域RG3及該第二局部區域RG4的最大半徑為50微米。該第一局部區域RG3及該第二局部區域RG4的第二最大深度為5微米。該第一局部區域RG3與該第二局部區域RG4之間的距離不小於該第一局部區域RG3的最大半徑或該第二局部區域RG4的最大半徑，其中形成該第一網點521或該第二網點522的平均時間為1毫秒。
請參閱第四圖(a)，其為本案第三較佳實施例雷射加工系統60的示意圖。不同的是當施加雷射光束在不同一網點上時，雷射的功率不相同。雷射加工系統60包括一雷射加工裝置61與一基板62。該雷射加工裝置61包括一平台單元63、一光束掃描單元64、一雷射模組65、以及一控制單元66。在第四圖(a)中，一加工單元67包括一雷射模組65與一定位單元68。該定位單元68包括一光束掃描單元64與一平台單元63。該基板62包含一第一局部區域RG5。例如，該基板62更包含至少一第二局部區域RG6。
雷射加工裝置61用以在該第一局部區域RG5中形成一第一網點621。例如，雷射加工裝置61更用以在至少一第二局部區域RG6形成至少一第二網點622。該第一網點621與該至少一第二網點422可用以成型一導光板(未顯示)。第一網點621的形狀從縱剖面來看並非對稱性的，第二網點622的形狀從縱剖面來看亦非對稱性。第一網點621與第二網點622分別具有一第一深度DA7與一第二深度DA8，而且為了使採用該導光板的一背光模組(未顯示)發出均勻的整面光線，第一深度DA7與第二深度DA8可不相等。第一局部區域RG5包含一第一位置PS71與一第二位置PS72，第二局部區域RG6包含一第三位置PS81與一第四位置PS82。
控制單元66根據各自的第一局部區域RG5以及第二局部區域RG6而設置第一加工參數B41與第二加工參數B42，且根據各自的第一加工參數B41、第二加工參數B42而提供第一雷射光束LU7、以及第二雷射光束LU8以形成各自的第一網點621以及第二網點622。第一加工參數B41B41包括一預定深度D71、一雷射能量參數U41、一預定掃描速度分佈SD7、一預定第一位置P71、以及一預定第二位置P72，預定掃描速度分佈SD7包括一預定低速掃描速度SD71以及一預定高速掃描速度SD72。第二加工參數B42包括一預定深度D81、一雷射能量參數U42、一預定掃描速度分佈SD8、一預定第一位置P81、以及一預定第二位置P82，預定掃描速度分佈SD8包括一預定低速掃描速度SD81以及一預定高速掃描速度SD82。第一網點621具有一深度DA7，第二網點622具有一深度DA8。第一加工參數B41的雷射能量參數U41以及第二加工參數B42的雷射能量參數U42被設置成不等效。雷射能量參數U41包括一設計功率R71、一設計脈衝頻率f71與一設計加工時間Q71。雷射能量參數U42包括一設計功率R81、一設計脈衝頻率f81與一設計加工時間Q81。
在一較佳實施例中，第一雷射光束LU7形成第一網點621後，然後第二雷射光束LU8形成第二網點622。在另一較佳實施例中，第一雷射光束LU7與第二雷射光束LU8可同時分別形成第一網點621與第二網點622。在一較佳實施例中，第一雷射光束LU7與第二雷射光束LU8的設計功率R71與R81設定成不相等。
加工單元67響應一控制訊號A4而提供第一雷射光束LU7與第二雷射光束LU8來形成各自的第一網點621與第二網點622。控制單元66根據第一位置PS71、第二位置PS72而設置第一加工參數B41，根據第三位置PS81、第四位置PS82而設置第二加工參數B42，且根據第一加工參數B41與第二加工參數B42而產生控制訊號A4。控制訊號A4包括一雷射能量控制訊號S7與一移動控制訊號S8。雷射能量控制訊號S7包括一位準訊號S71與一脈衝訊號S72。移動控制訊號S8與預定第一位置P71、預定第二位置P72、預定第三位置P81、預定第四位置P82相關，且包括一位置控制訊號S81與一位置控制訊號S82、以及一速度控制訊號S83，速度控制訊號S83可控制第一雷射光束LU7或/及第二雷射光束LU8的掃描速度。
雷射模組65根據雷射能量控制訊號S7而產生第一雷射光束LA7與第二雷射光束LA8。定位單元68響應移動控制訊號S8與該第一雷射光束LA7、第二雷射光束LA8而提供分別與第一雷射光束LA7、第二雷射光束LA8對應的第一雷射光束LU7、第二雷射光束LU8。光束掃描單元64響應位置控制訊號S81、速度控制訊號S83、第一雷射光束LA7、以及第二雷射光束LA8而分別提供第一雷射光束LU7、第二雷射光束LU8。平台單元63承載基板62，且響應訊號S62而帶動基板62。
請參閱第四圖(b)，其為本案第三較佳實施例雷射加工方法的流程圖。在步驟S401中，提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域RG5。在步驟S402中，施加一第一雷射光束LU7至該第一局部區域RG5，以在該第一局部區域RG5中形成一第一網點621，其中該第一雷射光束LU7在該第一局部區域RG5中具有一第一特定能量以及一第一特定掃描速率分佈，以使該第一網點621分別具有一第一孔徑以及一第一特定深度分佈。該加工件例如為基板62，或是為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一。在本案第三較佳實施例中，例如，第一雷射光束LU7或第二雷射光束LU8每秒所輸出的能量是不同的，且與加工件的平面SF3垂直，也就是說雷射功率R71與R81在一加工期間內是不同的。
請參閱第四圖(c)，其為本案第三較佳實施例大小不同的洞的示意圖。當第一雷射光束LU7以雷射功率R71在第一位置PS71加工時，在基板62上形成具有該第一孔徑HS1的洞H1。當該第二雷射光束LU8以雷射功率R81在第三位置PS81加工時，在基板62上形成具有該第二孔徑HS2的洞H2。在第三較佳實施例中，雷射功率R71大於雷射功率R81，因此第一孔徑HS1會大於第二孔徑HS2，洞H1的深度極值也會大於洞H2的深度極值。
該第二雷射光束LU8在該第二局部區域RG6中具有一第二特定能量以及一第二特定掃描速率分佈，。當第一雷射光束LU7與第二雷射光束LU8依序加工時，則雷射加工的步驟如下：施加該第一雷射光束LU7於該第一位置PS71以形成具有該第一孔徑HS1的洞H1。移動該第一雷射光束LU7至該第二位置PS72，其中該第一雷射光束LU7所施加的能量為該第一特定能量，該第一雷射光束LU7以慢到快的速度從第一位置PS71移動到第二位置PS72。停止該第一雷射光束LU7，以形成一第一網點621。施加第二雷射光束LU8於該第三位置PS81以形成具有一第二孔徑HS2的洞H2。移動該第二雷射光LU8束至該第四位置PS82，其中該第二雷射光束LU8所施加的能量為一第二特定能量，該第二雷射光束LU8以慢到快的速度從第三位置PS81移動到第四位置PS82。停止該第二雷射光束LU8，以形成一第二網點PS622。
請參閱第四圖(d)，其為本案第一網點621與第二網點622縱剖面的示意圖。在一較佳實施例中，從縱剖面來看第一網點621與第二網點622的形狀不相同，並且對於每個網點，相對於極值深度的位置，縱剖面的兩側是非對稱性的，該第一局部區域RG5包括一高能量分佈區域RG51以及一低能量分佈區域RG52，該第二局部區域RG6包括一高能量分佈區域RG61以及一低能量分佈區域RG62。
如第四圖(d)所示，該第一雷射光束LU7以該第一特定能量對該第一網點621加工，且以一預定低速描速率SD71在該高能量分佈區域RG51加工，並且以一預定高速掃描速率SD72在該低能量分佈區域RG52中加工。該第二雷射光束LU8以該第二特定能量對該第二網點622加工，且以一預定低速描速率SD81在該高能量分佈區域RG61加工，並且以一預定高速掃描速率SD72在該低能量分佈區域RG62中加工。該第一雷射光束LU7在高能量分佈區域RG51中造成該特定深度分佈具有一第三最大深度，且在該低能量分佈區域RG62中造成該特定深度分佈具有一第三深度DA71，其中該第三最大深度大於該第三深度DA71。第一深度DA7等於該第一雷射光束LU7在高能量分佈區域RG61所造成的第三最大深度，該第二雷射光束LU8在高能量分佈區域RG61所造成的最大深度DA8大於該低能量分佈區域RG62所造成的深度。從第四圖(d)可知，第一深度DA7大於第二深度DA8，第一孔徑HS1亦大於第二孔徑HS2。在另一較佳實施例中，從縱剖面來看第一網點621與第二網點622的形狀可不相同並且是非對稱性的，依照網點設計的需求而定。
在另一較佳實施例中，利用第三較佳實施例的雷射加工方法，該加工件更被加工而具有至少一第三網點，且該至少一第三網點的縱剖面是對稱的。
請參閱第四圖(e)，其為本案導光板68俯視的示意圖。導光板68包含第一網點621、第二網點622、以及至少網點623、624、625。請同時參考第四圖(a)與第四圖(e)，第一位置PS71與第二位置PS72的相對關係可被任意改變，第一位置PS81與第二位置PS82的相對關係亦可被任意改變，亦即第一位置PS71,PS81指向第二位置PS72,PS82的方向可被任意改變，第一位置PS71指向第二位置PS72的方向與第一位置PS71指向第二位置PS82的方向可為相同方向(例如第一網點621與第二網點622的指向DIR)或不同方向(例如網點623、624、625的指向DIR)，此可依照光學模擬的結果來設計，或可根據實際量測導光板68的光均勻度的結果來做適當的修正。
請參閱第五圖(a)，其為本案雷射加工方法的流程圖。在步驟S501中，提供一加工件，該加工件具有一區域以供形成一第一網點。在步驟S502中，提供一第一雷射光束，其具有一特定變化模式。在步驟S503中，使該第一雷射光束於該加工件上形成該第一網點，以使該區域具有一特定特性分佈。
該特定變化模式如本案第一、第二、以及第三實施例所示，其包括該第一雷射光束的一特定掃描速度分佈、一特定重疊率分佈、以及一特定能量的至少其中之一。該特定特性分佈包括一特定深度分佈以及一特定重疊率分佈。
例如，該特定變化模式包括一第一模式、一第二模式和一第三模式的至少其中之一。該第一雷射光束在一特定時段中被施加至該區域以形成該第一網點，以使該區域具有該特定特性分佈。該特定時段包括一第一子時段、一第二子時段和一第三子時段的至少其中之一。該第一雷射光束包括一第一子光束、一第二子光束和一第三子光束的至少其中之一，其中該第一子光束、該第二子光束和該第三子光束分別與該第一子時段、該第二子時段和該第三子時段對應。利用該第一較佳實施例的方法，該第一子光束被形成。利用該第二較佳實施例的方法，該第二子光束被形成。利用該第三較佳實施例的方法，該第三子光束被形成。例如，該特定重疊率分佈表示在該區域中僅僅具有該第一網點。例如，該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一。
例如，當該特定變化模式僅僅具有該第一模式時，該特定變化模式如在第一實施例中所述。該第一雷射光束LU3的一特定掃描速度分佈藉由速度控制訊號S43來控制，以使該第一雷射光束LU3以該第一掃描速度在該低速掃描區域RG11中加工，且以該第二掃描速度在該高速掃描區域RG12中加工，其中該第二掃描速度大於該第一掃描速度。該特定特性分佈例如該第一雷射光束LU3在該低速掃描區域RG11所造成的最大深度大於該第一雷射光束LU3在該高速掃描區域RG12所造成的深度。
例如，當該特定變化模式僅僅具有該第二模式時，該特定變化模式如在第二實施例中所述。該第一雷射光束LU5的一特定重疊率分佈包括該第一脈衝重疊率LPD1、LPD3和該第二脈衝重疊率LPD2、LPD4，該第一雷射光束LU5以該第一脈衝重疊率LPD1在該高重疊率分佈區域RG31中加工，且以該第二脈衝重疊率LPD2在該低重疊率分佈區域RG32中加工。該特定特性分佈例如該第一脈衝重疊率LPD1大於該第二脈衝重疊率LPD2，以及該第一雷射光束LU5在高重疊率分佈區域RG31中所造成的最大深度大於該第一雷射光束LU5在低重疊率分佈區域RG32中所造成的深度。
例如，當該特定變化模式僅僅具有該第三模式時，該特定變化模式如在第三實施例中所述。該第一雷射光束LU7以該第一特定能量對該第一網點621加工，且以一預定低速描速率SD71在該高能量分佈區域RG51中加工，並且以一預定高速掃描速率SD72在該低能量分佈區域RG52中加工。該特定特性分佈例如該第一雷射光束LU7在高能量分佈區域RG51中所造成的最大深度大於該第一雷射光束LU7在低能量分佈區域RG52中所造成的深度。
請參閱第五圖(b)，其為經本案雷射加工方法所形成的雷射加工件70。在一實施例中，雷射加工件70包含一網點71，形成於該雷射加工件70上並具有一區域72、一第一表面73、以及一第二表面74。第一表面73形成於該區域72上，第二表面74形成於該區域72上，其中該第一表面73的平均表面曲率大於該第二表面74的平均表面曲率，不同的平均表面曲率可造成在該區域72中具有不對稱的導光指向性以及對稱的導光指向性的其中之一，以提供多樣選擇性的網點以及增加網點在設計上的彈性。
在一實施例中，該雷射加工件70更包含複數網點，例如在第二圖(c)中，網點421在第一表面4211的平均表面曲率大於第二表面4212的平均表面曲率，網點422在第一表面4221的平均表面曲率大於第二表面4222的平均表面曲率。同樣地，在第三圖(c)中，網點521在第一表面5211的平均表面曲率大於第二表面5212的平均表面曲率，網點522在第一表面5221的平均表面曲率大於第二表面5222的平均表面曲率。在第四圖(c)中，網點621在第一表面6211的平均表面曲率大於第二表面6212的平均表面曲率，網點622在第一表面6221的平均表面曲率大於第二表面6222的平均表面曲率。
實施例
1.　一種雷射加工方法，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域。施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束在該第一局部區域中具有一特定掃描速度分佈以使該第一網點具有一特定深度分佈。
2.　如實施例1所述的方法，其中該第一局部區域包含一第一位置以及一第二位置，該加工件更具有一第二局部區域，該第二局部區域包含一第三位置以及一第四位置，該方法更包含下列步驟：施加該第一雷射光束於該第一位置。由慢到快移動該第一雷射光束至該第二位置。停止該第一雷射光束，以形成該第一網點。施加一第二雷射光束於該第三位置。由慢到快移動該第二雷射光束至該第四位置。停止該第二雷射光束，以形成一第二網點。
3.　如實施例1~2所述的方法，其中該加工件為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一。該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一。該第一局部區域包括一低速掃描區域以及一高速掃描區域。該特定掃描速度分佈包括一第一掃描速度和一第二掃描速度。該第一雷射光束以該第一掃描速度在該低速掃描區域加工，且以該第二掃描速度在該高速描區域，其中該第二掃描速度大於該第一掃描速度。該第一雷射光束在該低速掃描區域造成該特定深度分佈具有一第一最大深度，以及在該高速掃描區域造成該特定深度分佈具有一第一深度，其中該第一最大深度大於該第一深度。該雷射光束每秒所輸出的能量是固定的。該雷射光束與該加工件的一平面垂直。
4.　一種雷射加工方法，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域。施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束的複數雷射脈衝在該第一局部區域中具有一第一特定重疊率分佈以使該第一網點具有一特定深度分佈。
5.　如實施例4所述的方法，其中該第一局部區域包含一第一位置以及一第二位置，該加工件更具有一第二局部區域，該第二局部區域包含一第三位置以及一第四位置，該方法更包含下列步驟：施加該第一雷射光束於該第一位置。移動該第一雷射光束至該第二位置，其中該第一雷射光束施加到該第一局部區域的該第一特定重疊率分佈係由緊密到稀疏。停止該第一雷射光束，以形成該第一網點。施加一第二雷射光束於該第三位置。移動該第二雷射光束至該第四位置，其中該第二雷射光束施加到該第二局部區域的一第二特定重疊率分佈係由緊密到稀疏。停止該第二雷射光束，以形成一第二網點。
6.　如實施例4~5所述的方法，其中該加工件為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一。該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一。該第一局部區域包括一高重疊率分佈區域以及一低重疊率分佈區域，該第一特定重疊率分佈包括一第一脈衝重疊率以及一第二脈衝重疊率。該第一雷射光束以該第一脈衝重疊率在該高重疊率分佈區域加工，且以該第二脈衝重疊率在該低重疊率分佈區域加工，其中該第一脈衝重疊率大於該第二脈衝重疊率。該第一雷射光束在高重疊率分佈區域中造成該特定深度分佈具有一第一最大深度，且在該低重疊率分佈區域中造成該特定深度分佈具有一第一深度，其中該第一最大深度大於該第一深度。該雷射光束每秒所輸出的能量是固定的。該雷射光束與該加工件的一平面垂直。
7.　如實施例4~6所述的方法，其中該第一局部區域及該第二局部區域的最大半徑為50微米。該第一局部區域及該第二局部區域的最大深度為5微米。該第一局部區域與該第二局部區域之間的距離不小於該第一局部區域的最大半徑或該第二局部區域的最大半徑。形成該第一網點或該第二網點的平均時間為1毫秒。
8.　一種雷射加工方法，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域。施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束在該第一局部區域中具有一第一特定能量以及一第一特定掃描速度分佈，以使該第一網點分別具有一第一孔徑以及一第一特定深度分佈。
9.　如實施例8所述的方法，其中該第一局部區域包含一第一位置以及一第二位置，該加工件更具有一第二局部區域，該第二局部區域包含一第三位置以及一第四位置，該方法更包含下列步驟：施加該第一雷射光束於該第一位置以形成具有該第一孔徑的洞。移動該第一雷射光束至該第二位置，其中該第一雷射光束所施加的能量為一第一特定能量，該第一雷射光束以慢到快的速度從該第一位置移動到該第二位置。停止該第一雷射光束，以形成一第一網點。施加一第二雷射光束於該第三位置以形成具有一第二孔徑的洞。移動該第二雷射光束至該第四位置，其中該第二雷射光束所施加的能量為一第二特定能量，該第二雷射光束以慢到快的速度從該第三位置移動到該第四位置。停止該第二雷射光束，以形成一第二網點。
10.　如實施例8~9所述的方法，其中該加工件為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一。該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一。該第一局部區域包括一高能量分佈區域以及一低能量分佈區域，其中該第一特定能量與該第二特定能量不同。該第一雷射光束在該高能量分佈區域中造成該特定深度分佈具有一第一最大深度，且在該低能量分佈區域中造成該特定深度分佈具有一第一深度，其中該第一最大深度大於該第一深度。該雷射光束每秒所輸出的能量是可變動的。該雷射光束與該加工件的一平面垂直。
11.　一種雷射加工方法，其包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一區域以供形成一第一網點。提供一第一雷射光束，其具有一特定變化模式。使該第一雷射光束於該加工件上形成該第一網點，以使該區域具有一特定特性分佈。
12.　如實施例11所述的方法，其中該特定變化模式包括該第一雷射光束的一特定掃描速度分佈、一特定重疊率分佈、以及一特定能量分佈的至少其中之一。該特定特性分佈包括一特定深度分佈以及一特定重疊率分佈。該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一。
13.　一種雷射加工件，其包含一網點，該網點形成於該雷射加工件上並具有一區域、一第一表面、以及一第二表面。該第一表面形成於該區域上。該第二表面形成於該區域上，其中該第一表面的平均表面曲率大於該第二表面的平均表面曲率。
14.　如實施例13所述的雷射加工件，其中該區域具有不對稱的導光指向性。
綜上所述，本發明的說明與實施例已揭露於上，然其非用來限制本發明，凡習知此技藝者，在不脫離本發明的精神與範圍之下，當可做各種更動與修飾，其仍應屬在本發明專利的涵蓋範圍之內。
10．．．液晶顯示器
11．．．背光模組
12．．．液晶面板
13,14．．．光源所發出的光線
110．．．光源
111．．．光源反射板
112．．．導光板
113．．．底部反射板
114．．．稜鏡薄層
1120,1121．．．網點
20．．．模仁
21．．．基板
22．．．皺折網點
30．．．習知雷射加工系統
31．．．雷射加工裝置
32．．．基板
33．．．平台單元
34．．．光束掃描單元
35．．．雷射模組
36．．．控制單元
37．．．加工單元
38．．．定位單元
LA1,LU1,LA2,LU2．．．雷射光束
PS1,PS2．．．位置點
321,322．．．網點
DA1,DA2．．．深度
B11,B12．．．加工參數
U11,U12．．．雷射能量參數
P11,P12．．．座標
D11,D12．．．預定深度
R11,R12．．．設計脈衝功率
f11,f12．．．設計脈衝頻率
Q11,Q12．．．設計加工時間
A1．．．控制訊號
S1．．．雷射能量控制訊號
S2．．．位置控制訊號
S11．．．位準訊號
S12．．．脈衝訊號
S21,S22．．．訊號
40,50,60．．．雷射加工系統
41,51,61．．．雷射加工裝置
42,52,62．．．基板
43,53,63．．．平台單元
44,54,64．．．光束掃描單元
45,55,65．．．雷射模組
46,56,66．．．控制單元
47,57,67．．．加工單元
48,58,68．．．定位單元
PS31,PS51,PS71．．．第一位置
LA4,LU4,LA6,LU6．．．第二雷射光束
LA3,LU3,LA5,LU5．．．第一雷射光束
PS32,PS52,PS72．．．第二位置
PS41,PS61,PS81．．．第三位置
PS42,PS62,PS82．．．第四位置
DA3,DA5,DA7．．．第一深度
DA4,DA6,DA8．．．第二深度
421,521,621．．．第一網點
422,522,622．．．第二網點
P31,P51,P71．．．預定第一位置
RG2,RG4,RG6．．．第二局部區域
RG1,RG3,RG5．．．第一局部區域
P32,P52,P72．．．預定第二位置
P41,P61,P81．．．預定第三位置
P42,P62,P82．．．預定第四位置
D31,D41,D51,D61,D71,D81．．．預定深度
SD3,SD4,SD5,SD6,SD7,SD8．．．掃描速度分佈
SD31,SD41,SD71,SD81．．．預定低速掃描速度
SD32,SD42,SD72,SD82．．．預定高速掃描速度
U21,U22,U31,U32,U41,U42．．．雷射能量參數
R31,R41,R51,R61,R71,R81．．．設計脈衝功率
f31,f41,f51,f61,f71,f81．．．設計脈衝頻率
Q31,Q41,Q51,Q61,Q71,Q81．．．設計加工時間
A2,A3,A4．．．控制訊號
S3,S5,S7．．．雷射能量控制訊號
S4,S6,S8．．．移動控制訊號
S31,S51,S71．．．位準訊號
S32,S52,S72．．．脈衝訊號
49,59,69．．．導光板
S43,S63,S83．．．速度控制訊號
DT5,DT6．．．預定重疊率分佈
RG12,RG22．．．高速掃描區域
RG11,RG21．．．低速掃描區域
423,424,425,523,524,525,623,624,625．．．網點
S41,S42,S61,S62,S81,S82．．．位置控制訊號
RG31,RG41．．．高重疊率分佈區域
RG32,RG42．．．低重疊率分佈區域
LP1,LP2,LP3,LP4．．．雷射脈衝
RG51,RG61．．．高能量分佈區域
RG52,RG62．．．低能量分佈區域
70．．．雷射加工件
71．．．網點
72．．．區域
73,4211,4221,5211,5221,6211,6221．．．第一表面
74,4212,4222,5212,5222,6212,6222．．．第二表面
DA31,DA51,DA71．．．第三深度
SF1,SF2,SF3．．．平面
LPD2,LPD4．．．第二脈衝重疊率
LPD1,LPD3．．．第一脈衝重疊率
HS1,HS2．．．孔徑
H1,H2．．．洞
第一圖(a)，習知液晶顯示器的示意圖；
第一圖(b)，習知皺折網點的示意圖；
第一圖(c)，習知習知雷射加工系統；
第二圖(a)，本案第一較佳實施例的雷射加工系統的示意圖；
第二圖(b)，本案第一較佳實施例雷射加工方法的流程圖；
第二圖(c)，本案第一網點與第二網點縱剖面的示意圖；
第二圖(d)，本案導光板俯視的示意圖；
第三圖(a)，本案第二較佳實施例雷射加工系統的示意圖；
第三圖(b)，本案第二較佳實施例雷射加工方法的流程圖；
第三圖(c)，本案第一網點與第二網點縱剖面的示意圖；
第三圖(d)，本案導光板俯視的示意圖；
第四圖(a)，本案第三較佳實施例雷射加工系統的示意圖；
第四圖(b)，本案第三較佳實施例雷射加工方法的流程圖；
第四圖(c)，本案第三較佳實施例大小不同的洞的示意圖；
第四圖(d)，本案第一網點與第二網點縱剖面的示意圖；
第四圖(e)，本案導光板俯視的示意圖；
第五圖(a)，本案雷射加工方法的流程圖；以及
第五圖(b)，經本案雷射加工方法所形成的雷射加工件。
RG3．．．第一局部區域
RG4．．．第二局部區域
RG31,RG41．．．高重疊率分佈區域
RG32,RG42．．．低重疊率分佈區域
421．．．第一網點
422．．．第二網點
LP1,LP2,LP3,LP4．．．雷射脈衝
DA5．．．第一深度
DA6．．．第二深度
52．．．基板
DA31．．．第三深度
SF2．．．平面
5211,5221．．．第一表面
5212,5222．．．第二表面
DA51．．．第三深度
LPD1,LPD3．．．第一脈衝重疊率
LPD2,LPD4．．．第二脈衝重疊率

Claims (13)

  1. 一種雷射加工方法，包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域；以及施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束在該第一局部區域中具有一特定掃描速度分佈以使該第一網點具有一特定深度分佈。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該第一局部區域包含一第一位置以及一第二位置，該加工件更具有一第二局部區域，該第二局部區域包含一第三位置以及一第四位置，該方法更包含下列步驟：施加該第一雷射光束於該第一位置；由慢到快移動該第一雷射光束至該第二位置；停止該第一雷射光束，以形成該第一網點；施加一第二雷射光束於該第三位置；由慢到快移動該第二雷射光束至該第四位置；以及停止該第二雷射光束，以形成一第二網點。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中：該加工件為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一；該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一；該第一局部區域包括一低速掃描區域以及一高速掃描區域，該特定掃描速度分佈包括一第一掃描速度和一第二掃描速度；該第一雷射光束以該第一掃描速度在該低速掃描區域加工，且以該第二掃描速度在該高速掃描區域加工，其中該第二掃描速度大於該第一掃描速度；該第一雷射光束在該低速掃描區域中造成該特定深度分佈具有一第一最大深度，且在該高速掃描區域中造成該特定深度分佈具有一第一深度，其中該第一最大深度大於該第一深度；該雷射光束每秒所輸出的能量是固定的；以及該雷射光束與該加工件的一平面垂直。
  4. 一種雷射加工方法，包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域；以及施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束的複數雷射脈衝在該第一局部區域中具有一第一特定重疊率分佈以使該第一網點具有一特定深度分佈。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的方法，其中該第一局部區域包含一第一位置以及一第二位置，該加工件更具有一第二局部區域，該第二局部區域包含一第三位置以及一第四位置，該方法更包含下列步驟：施加該第一雷射光束於該第一位置；移動該第一雷射光束至該第二位置，其中該第一雷射光束施加到該第一局部區域的該第一特定重疊率分佈係由緊密到稀疏；停止該第一雷射光束，以形成該第一網點；施加一第二雷射光束於該第三位置；移動該第二雷射光束至該第四位置，其中該第二雷射光束施加到該第二局部區域的一第二特定重疊率分佈係由緊密到稀疏；以及停止該第二雷射光束，以形成一第二網點。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的方法，其中：該加工件為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一；該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一；該第一局部區域包括一高重疊率分佈區域以及一低重疊率分佈區域，該第一特定重疊率分佈包括一第一脈衝重疊率以及一第二脈衝重疊率；該第一雷射光束以該第一脈衝重疊率在該高重疊率分佈區域加工，且以該第二脈衝重疊率在該低重疊率分佈區域加工，其中該第一脈衝重疊率大於該第二脈衝重疊率；該第一雷射光束在高重疊率分佈區域中造成該特定深度分佈具有一第一最大深度，且在該低重疊率分佈區域中造成該特定深度分佈具有一第一深度，其中該第一最大深度大於該第一深度；該雷射光束每秒所輸出的能量是固定的；以及該雷射光束與該加工件的一平面垂直。
  7. 一種雷射加工方法，包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一第一局部區域；以及施加一第一雷射光束至該第一局部區域，以在該第一局部區域中形成一第一網點，其中該第一雷射光束在該第一局部區域中具有一第一特定能量以及一特定掃描速度分佈，以使該第一網點分別具有一第一孔徑以及一第一特定深度分佈。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中該第一局部區域包含一第一位置以及一第二位置，該加工件更具有一第二局部區域，該第二局部區域包含一第三位置以及一第四位置，該方法更包含下列步驟：施加該第一雷射光束於該第一位置以形成具有該第一孔徑的洞；移動該第一雷射光束至該第二位置，其中該第一雷射光束所施加的能量為該第一特定能量，該第一雷射光束以慢到快的速度從該第一位置移動到該第二位置；停止該第一雷射光束，以形成一第一網點；施加一第二雷射光束於該第三位置以形成具有一第二孔徑的洞；移動該第二雷射光束至該第四位置，其中該第二雷射光束所施加的能量為一第二特定能量，該第二雷射光束以慢到快的速度從該第三位置移動到該第四位置；以及停止該第二雷射光束，以形成一第二網點。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中：該加工件為一鋼模、模仁、以及導光板的其中之一；該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一；該第一局部區域包括一高能量分佈區域以及一低能量分佈區域，其中該第一特定能量與該第二特定能量不同；該第一雷射光束在該高能量分佈區域中造成該特定深度分佈具有一第一最大深度，且在該低能量分佈區域中造成該特定深度分佈具有一第一深度，其中該第一最大深度大於該第一深度；以及該雷射光束與該加工件的一平面垂直。
  10. 一種雷射加工方法，包含下列步驟：提供一加工件，該加工件具有一區域以供形成一第一網點；提供一第一雷射光束，其具有一特定變化模式；以及使該第一雷射光束於該加工件上形成該第一網點，以使該區域具有一特定特性分佈。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中：該特定變化模式包括該第一雷射光束的一特定掃描速度分佈、一特定重疊率分佈、以及一特定能量的至少其中之一；該特定特性分佈包括一特定深度分佈以及一特定重疊率分佈；以及該特定深度分佈是對稱深度分佈和非對稱深度分佈的其中之一。
  12. 一種雷射加工件，包含：一網點，形成於該雷射加工件上並具有：一區域；一第一表面，形成於該區域上；以及一第二表面，形成於該區域上，其中該第一表面的平均表面曲率大於該第二表面的平均表面曲率。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的雷射加工件，其中：該區域具有不對稱的導光指向性以及對稱的導光指向性的其中之一。
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