TW201250768A - Method for fabricating field emission display device and electrochemical system for fabricating the same - Google Patents
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201250768 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發月疋有關於一種場發射顯示元件,且 種以電化學製程移除部份金屬層之場發射顯示元件的方法; 。一 【先前技術】 射顯示妓·許多微尖端結構在_ :;=面射_極導電層= ‘ 的發光原理和陰極射辭(CathGde RayTube, i 發射齡11是彻多健排_場放射電 子=eld £缝推成.的電子發射源,因此,場發射顯示器 面顯示器。換言之’場發射顯示器具有陰極射線 吕在旦質上的優點,但卻对體魏大與重量龐大之缺點。 【發明内容】 方+本目的之-在於提供—種場發射顯示元件的製作 射顧--也匕!醇類溶劑做為電解液,當二醇類溶劑與場發 去’=二之屬層接觸時,不會破壞所接觸的金屬層。再 廄而的金屬離子可溶解於電解液中,不會與電解液反 應而產生金屬沉澱物。 ^發^之另-目的在於提供一種場發射顯示元件之電化 其可應用於製作場發射顯示元件,優點在於可以藉 由知作電壓的控制將要移除的金屬層完全移除而不會移除到 201250768 要保留的金屬層。 本U之#χ佳實施例提供—種場發射顯示元件的製作方 法包S .提供基板,於基板之上形成絕緣層;於絕緣層上形 成第-金屬層’随化第—金屬層及絕緣層以在第—金屬層及 絕緣層内形成至少-開口;於第—金屬層上及開口内形成第二 金屬1’其巾第二金屬層包括位在開口的第-部份以及位在第 -金屬層上的第二部份’且第—部份與第二部份彼此電性分 金屬層的第一部份。 m弟一 在ί發:ί:實施例中,上述之第-金屬層的材料包含 鉻,而第二金屬層的材料包含鉬。 在本發明之-實施例巾,上述 !呂,第二金屬層的材料包含錦。第金屬層的材料包含 在本發明之一實施例中,上述以電 屬金屬層的第,之步驟包含:施 於第一金屬層上,且以一陽極氧化移哈 ’、電坠 金屬層的第二部份。 〃—金屬層上之第二 在本發明之-實施例中,上述之經陽極氧化 之第二部⑽以金屬離子形式溶解於電解 ^屬層 -實施例中,上述之施加於第—金屬層^本發明之 第一金屬層之臨界電壓。 呆乍電堅小於移除 屬二=/層:::心 金屬層之臨界電壓。 糸小於移除第一 在本發明之一實施例中,上述之二醇類溶劑包含m 201250768 醇(l,2-propanediol) 、I,3-丙二醇(l,3-Propanediol)或乙二醇 (ethylene glycol)。 在本發明之一實施例中’上述之電解液包含有機酸電解 質。 在本發明之一實施例中’上述之有機酸電解質包含對·甲 基笨績酸(p-Toluenesulfonic acid,簡稱為 p_TSA)。 在本發明之一實施例中’上述之電解液包含鹽類。 在本發明之一實施例中’上述之鹽類包含四乙基銨對曱笨 磺酸酯(Tetraethylammonium p-Toluenesulfonate,簡稱為 TEA-pTS) 〇 在本發明之一實施例中,上述之在基板上更包含形成一下 層金屬層,而絕緣層形成於下層金屬層上,且位於開口内之第 二金屬層的第一部份電性連接至下層金屬層。 本發明另提供一種電化學系統,適於應用於製作場發射 顯示元件。電化學系統包含:電解槽,用以容置含有二醇類溶 劑之一電解液;陽極電極,浸置於含有電解液之電解槽内,其 中陽極電極包含基板;絕緣層設置在基板上;第一金屬層,設 置在絕緣層上;至少一開口,設置於第一金屬層及絕緣層内; 以及第一金屬層,包含設置在開口内之第一部份及設置在第一 金屬層上之第二部份,第一部份與第二部份電性分離;陰極電 極,浸置於含有電解液之電解槽内;以及電源供應裝置,具有 一正極及負極,正極與陽極電極之第一金屬層電性連接,而負 極與陰極電極電性連接。 在本發明之一實施例中,上述之二醇類溶劑包含丙二 醇、1,3-丙二醇或乙二醇。 在本發明之一實施例中,上述之電解液包含有機酸電解 201250768
^本發明之-實關中,上述之電解液更包含有機鹽類。 =本發明之—實施例中,上述之當第—金屬層的材料包含 鉻或鋁,而第二金屬層的材料包含錮或鎳。 在本發明之-實施例巾,上述之陰極電極的材料包含白金 或白金$太合金。 在本發明之-實施例中,上述之電化學系統更包含一怪溫 ,制裝置’用以容置電解槽且控制該電解槽内之電解液之溫 度。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易 ‘,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。 【實施方式】 圖_1至圖4係表不場發射顯示元件之製作流程示意圖;圖 5係表示用於製作場發_示元件之電化學魏之示意圖;以 及,6係表示在進行電化學反應時,第一金屬層及第二金屬層 之操作電壓及電流之關係圖。 β請參考圖1,本實施例之場發射顯示元件之製作方法是先 ,供-基板1G,基板1G的材料為陶竟基板、玻璃基板或塑膠 硬質或軟質材料。接著,在基板1〇上方形成絕緣層14,此 絕緣層14之材料為例如是二氧化矽、氮氧化矽(smc⑽ oxynitride)或氮化矽(slnconnitride)等介電材料。之後,在絕緣 層14上形成第一金屬層16,在此實施例中,第一金屬層π ,做為閘^層㈣心㈣’其材料為鉻⑽贿㈣或銘⑽^ 夕,在一實施例中,可在基板1〇上先形成下金屬層12,接著 再將絕緣層14形成於下金屬層12上。 201250768 接著請參考圖2,於第—金屬層16與絕緣層 曼 少一開口 160。在第一金屬層16與絕緣層 的方法例如是將具有開口圖案之光阻層(9未,成開口 160 金屬…方以做為罩幕,再利_製程移 ==二 金屬層16以及部份的絕緣層14,進而在第一金^ 緣層14内形成開口 16〇,並曝露出下層金 … r上與開σ⑽内形成第 P 或其他σ適的薄膜沈積技術,將第二今麗J® 夕 第一部份181形成在開口 160内,第二金 a__
1 OO tr^ JL·' y- Mf X « " θ 18 之第^一 op jjQ 183$成在第-金屬層16上’且第二金屬層i8之第—部份⑻ 與第二金屬層18之第二部份183彼此電性分離。另外,第二 金屬層18的材料為鉬或鎳。 在本實施例中,形成在開口 16〇内的第 部份⑻係為一微尖端結構。 轉1«之弟 j妾著請參考圖4,係將在第—金屬層16上之第二金屬層18 之=二部份183移除,而保留在開σ _内之第二金屬層18 I5伤181 (微尖端結構)。在本實施例中,係利用電化 學製程移除在第-金屬層16上之第二金屬層18之第二部份 183 〇 在本實施例中,第二金屬層18之第一部份181 (微尖端結 構)與下層金屬層12構成場發射顯示元件的陰極電極板。此 =極電極板與第—金屬層16實質上係以交錯的方式設置。因此, =有外加電場施加於陰極電極板時,在陰極電極板以及對向之 ,極電極板(未繪示)之間會產生一電場,由於微尖端結構的尖 端表面會聚集較多的電子,電子會由微尖端結構的尖端發射出 8 201250768 去,當電子打到在陽極電極板上的螢光粉時則會發光。 圖5係表示適於應用於製作場發射顯示元件之電化學系 之示意圖。在圖5中,電化學系統40包含電解槽41〇:陽極 電極420、陰極電極430以及電源供應装置44〇。電解槽41〇 用以容置電解液412,電源供應裝置440的正極與負極^ 陽極電極420及陰極電極430電性連接,以進行電解作用。〃 在本發明中,在電解槽410内的電解液412係包含醇類& 劑以及電解質,其中醇類溶劑特別是指二醇類溶劑其特性包ς 介電常數大於30 (在溫度為20。〇、液體黏度(visc〇sity)小於6〇 毫泊(m Pa-s)以及沸點溫度大於15〇 。因此,根據上述_ 之特性,在本發明中所使用的二醇類溶劑包含乙二醇 ethyl glycol)、U_ 丙二醇(1,2_pr〇panedi〇1)或是 13 丙二醇 (l,3-Propanedi〇l),另外,二醇類溶劑的特性列於表一: 表一: 溶劑 介電 常 數 (20°〇 沸點 溫度(°C) 黏度 (mPa · s) 乙二醇 38.6 198 25.66 1,2-丙二醇 (a-PG) 32 187.6 56 1,3-丙二醇 (β-PG) 35 214 一 -0.466 一· --- 此外,要說明的是,在本發明中所使用的二醇類溶劑與欲 移除之金屬層摻觸時,不會破壞該金屬層。於一實施例中,將 做為金屬層的材料例如銘、鉻、鎳或鉬等或是二氧化石夕、高分 201250768 子膜例如聚亞醯胺膜(polyimide),分別浸泡於上述的二醇類溶劑 之後發現金屬層、二氧化矽或是高分子膜不會被破壞。因此, 在本發明的實施例中,係使用二醇類溶劑做為電化學系統中之 電解液。此外,二醇類溶劑在溶劑的使用上符合環保規範。 另外’為了增加電解液的導電性,於本發明中的電解液 (electrolytic solution)可以加入酸性電解質(acid electrolyte),例 如有機酸電解質(organic electrolyte)或無機酸電解質(inorganic electrolyte)。由於有機酸電解質或無機酸電解質具有較高的解 離常數,在溶於電解液之後可以增加電解液之導電性。適用於 本發明中所使用的電化學反應之無機酸電解質包括含硫的無 機酸例如硫酸(sulfuric acid)、二氧化硫(suifurous acid)或磺胺酸 (sulfamic acid);而有機酸電解質包括有機磺酸(sulf〇nic acid), 例如為芳香族磺酸(aromatic sulfonic acid)或具有苯環(benzene nng)之芳香族磺酸。在一實施例中,有機酸電解質為對-甲基 苯績酸(para-Toluenesulfonic acid,簡稱 p_TSA) 〇 另外’在本發明的一實施例中,電解液更包含一鹽類 (salt),例如有機鹽類。在一實施例中,有機鹽類為四乙基銨對 甲苯磺酸醋(Tetraethylammonium para-Toluenesulfonate,簡稱 TEA-pTS)。 因此,根據以上所述,將圖3所示之結構浸置於電解槽 41〇的電解液412内。在此要說明的是,圖3所示之結構可^ 為陽極電極420,整個結構係浸置於電解槽41〇的電解液412 内,但是在圖5中僅繪示出在基板1〇上方與正極電性連接之 第金屬層16以及要被移除之第二金屬層a之第二部份 W3,其餘的結構仍然與圖3相同。 在本發明的一實施例中,電解液412係由乙二醇溶劑以及 201250768 電解質為濃度為0.5M之對-甲基笨磺酸(p-TSA)及0.1M之四 乙基銨對甲苯石黃酸酯所組成。於本發明的另一實施例中,電解 液412可以是由1,2-丙二醇溶劑及電解質包含濃度為〇 5M之 對-甲基苯磺酸及0.1M之四乙基銨對曱苯磺酸酯所組成;或於 再一實施例中,電解液412可以是由丨,3_丙二醇及電解質濃度 為0.5M之對·甲基苯磺酸及01M之四乙基銨對甲苯磺酸酯所 、’且成。接下來,電源供應裝置440之正極電性連接於做為陽極 電極420之第一金屬層16,電源供應裝置440之負極電性連 接於陰極電極伽。當進行電化學製程時,由電 同時提供-操作電壓於第-金屬層16與陰極電極=置經過
St後,於第二金屬層18之第二部份183開始發生陽 第-全ίί ’係以陽極氧化的方式移除在第—金屬層16上之 =金屬層18之第二部份183,其中所移除的第二金屬層Μ ίίϋΓ83因電解而以金屬離子形式析出,且完全溶解於 電解:^12。另外,在陰極電極上有氫氣產生 屬展ΪΓ1 又佳實施例中,第一金屬層16的材料祕,第-全 合金。電源供縣置44G ^或是白金鈦 小於移除第-金屬層16之臨界雷斤,7層16的知作電壓要 之第二部份183之操作 1 ’ ’、即移除第二金屬層18 界電麗。如圖5所示加二第U第-金屬層16之臨 ,時,開始移除第二金屬7二屬二16的操作電壓為 超過1·3伏特時,除 θ 备刼作電壓持續增加而 在此電化學反應中,移;;:::于被析出。因此可以得知 在進行電化學反應時,施加於第=為1 也會開始發生電解除之外,第一金屬層16 在此電化學反應中I —a U出。因此可以得知, .3
I 201250768 操作電壓需低於第一金屬層16之臨界電壓(1.3伏特),使得在 電化學反應的過程中,只有第二金屬層18被移除,而第一金 屬層16不會被移除。此外,在電化學反應的過程中,第二金 屬層18之第二部份183因電解所析出之金屬離子例如翻離子 (M〇6+) ’其可完全溶解於電解液412中。在整個電化學反應過 程中,只有在第二金屬層18之第二部份183上能測到電流^, 而在第一金屬層16無法測到電流值(即電流值為零)^因此’ 電化學反應只會移除第二金屬層18之第二部份183,而不 移除其他的金屬層。 於本發明的另一實施例中,第一金屬層16的材料為鋁,
的材料為鎳’施加於第一金屬層16的操作電壓範圍為0.4〜U 伏特’其係小於移除第—金屬層16的臨界電壓約為14伏特。 ^此,第二金屬廣18在此電化學反應過程中,只會移除在第 二金屬層16上之第二金屬層18,而不會將第—金 併移除。 置4^卜组在本發明所揭露之電化學系統中更包含怪溫控制裝 置450,藉以維持整個電化學反應是 二
制裝置45〇包含值溫槽452以符L連订此U 乂及艮/jaL控制器454。在恒溫样452 内所容置的液體例如為水。恆溫 幻/皿糟452 溫至9〇t。 ^ 皿控制裝置454之溫度範圍為室 根據以上所述,利用二醇類溶 當二醇類溶劑與場發射顯 ;解/夜之優點在於: ^ X ^ a ^ .. 4不疋件之金屬層接觸時,不會破壞特
疋金屬層。另外,電解析出的 U 中,使得金躲子不會與子可岐全溶解於電解液 會有金屬沉澱物附著在微尖=而產生金屬沉殿物,故不 用性。因此,藉由本發明所^上’而影響雌端結構之使 月所揭路的二醇類溶劑做為電化學反應 12 201250768 中之電解液,可以將特定要移除的金屬層完全移除,在進入水 洗段去除溶劑之後,只會留下在電化學反應沒有被移除之金屬 層。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定 本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍 内,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後 附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1〜圖4係根據本發明所揭露之技術,表示場發射顯示 元件之製作流程示意圖; _圖5係根據本發明所揭露之技術,表示應用於製作場發射 顯示元件之電化學系統之示意圖;以及 圖6係根據本發明所揭露之技術,表示在進行電化學反應 寺第金屬層及第一金屬層之操作電壓及電流之關係圖。 【主要元件符號說明】 10:基板 12:下層金屬層 14:絕緣層 16:第一金屬層 160:開 口 18:第二金屬層 181:第二金屬層之第一部份 183:第二金屬層之第二部份 40:電化學系統 13 201250768 410:電解槽 412:電解液 420:陽極電極 430:陰極電極 440:電源供應裝置 450:恒溫控制裝置 452:恆溫槽 454:恆溫控制器
Claims (1)
- 201250768 七、申請專利範圍 i 一種場發射顯示元件製作方法,包含 提供一基板; 3 形成一絕緣層於該基板之上; 形成一第一金屬層在該絕緣層上; 圖案化該第一金屬層及該絕緣層,以屬層及該 絕緣層内形成至少一開口; 該第 形成一第二金屬層於該第一金屬層上與該開口内,其中該 =二金屬層包括位在該開口的一第一部份以^位在該第一金 層上的-第二部份’且該第—部份與該第二部份彼此電性分 離,以及 利用包含二_溶狀—電解独 :卜層上之該第二金屬層的該第二:== 口内之該第二金屬層的該第—部份。 而㈣在韻 2.如申請專利範圍第丨項所述之場 法製作方法,其中該第—金屬^^件製作方 層的材料包含鉬。全屬層的㈣包含鉻,而該第二金屬 法,上二申第H範圍第1項所述之場發射顯示元件製作 含錦心第-金屬層的材料包含銘,該第二金屬層=方包 法,龙中二^^魏11第1項所述之場發射顯件製作* ,、中_電化學f鄉除在第—金制上 15 201250768 的該第二部份之步驟包含: 施加一操作電壓於該第一金屬層上,且以 在該第一金屬層上之該第二金屬層的該第二部份。° 移除 5.如巾請專·圍第4摘狀場發射縣元 法,其中經該陽極氧化移除之該第二金屬層之 屬離子形式溶解於該電解液中。 一。卩伤係以金 6.如申請專·圍第4項所狀場發軸示元件製 法’其中施加於該第-金制上之鋪作電壓係小 一金屬層之一臨界電壓。 移矛、。亥第 7.如申請專利範@第1項所述之場發射顯示元件製作方 法’其中以該電化學製程移除在該第一金屬層上之該第二金屬 層的該第二部份之一操作電壓係小於移除該第一金屬層之一 臨界電壓。 θ 8. 如申请專利範圍第1項所述之場發射顯示元件製作方 法’其中3亥一醇類〉谷劑包含1,2-丙二醇(1,2-pr〇panediol)、1,3_ 丙二醇(l,3-Propanediol)或乙二醇(ethylene giyC〇i)。 9. 如申請專利範圍第1項所述之場發射顯示元件製作方 法,其中該電解液包含一有機酸電解質。 10. 如申請專利範圍第9項所述之場發射顯示元件製作方 法,其中該有機酸電解質包含對-曱基笨確酸(p-Toluenesulfonic 201250768 acid,簡稱為 p_TSA)。 如申明專利範圍第1項所述之場發射顯示元件製作方 法,其中該電解液包含一鹽類。 12.如申請專利範圍第n項所述之場發射顯示元件製作 方法,其中該鹽類包含四乙基銨對曱苯磺酸酯 (Tetraethylammonium p-Toluenesulfonate) 〇 13·如申請專利範圍第1項所述之場發射顯示元件製作方 法,更包含形成一下層金屬層於該基板上,而該絕緣層形成於 該下層金屬層上’且位於該開口内之該第二金聲層的該第一部 份電性連接至該下層金屬層。 ° 14. 一種電化學系統’適於應用於製作場發射顯示_ 包含: …、疋件 5亥陽極 一電解槽,用以容置含有二醇類溶劑之一電解液^ 一陽極電極,浸置於含有該電解液之該電解槽内, 電極包含: 一基板; 一絕緣層,設置在該基板上; 一第一金屬層,設置在該絕緣層上; 至少一開口’設置於該第一金屬層及該絕緣層内;以 及 “ 一第二金屬層,包含設置在該開口内之一第—部份r 及設置在該第一金屬層上之一第二部份,該第—部份 17 201250768 第二部份電性分離; 一陰極電極,浸置於含有該電解液之該電解槽内;以及 一電源供應裝置,具有一正極及一負極,該正極與該陽極 電極之該第一金屬層電性連接,而該負極與該陰極電極電性連 接。 15. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中該 二醇類溶劑包含1,2-丙二醇、1,3-丙二醇或乙二醇。 16. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中該 電解液包括含一有機酸電解質。 17. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中該 電解液更包含一有機鹽類。 18. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中當 該第一金屬層的材料包含鉻或鋁,而該第二金屬層的材料包含 錮或鎳。 19. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中該 陰極電極的材料包含白金或白金鈦合金。 20. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,更包括 一恆溫控制裝置,用以容置該電解槽且控制該電解槽内之該電 解液的溫度。 八、圖式: 18
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100119816A TWI437615B (zh) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | 場發射顯示元件之製作方法及應用於製作場發射顯示元件之電化學系統 |
CN 201110212317 CN102290307B (zh) | 2011-06-07 | 2011-07-22 | 场发射显示元件的制作方法及电化学*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW100119816A TWI437615B (zh) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | 場發射顯示元件之製作方法及應用於製作場發射顯示元件之電化學系統 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201250768A true TW201250768A (en) | 2012-12-16 |
TWI437615B TWI437615B (zh) | 2014-05-11 |
Family
ID=45336615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100119816A TWI437615B (zh) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | 場發射顯示元件之製作方法及應用於製作場發射顯示元件之電化學系統 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102290307B (zh) |
TW (1) | TWI437615B (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2726122B1 (fr) * | 1994-10-19 | 1996-11-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une source d'electrons a micropointes |
US5766446A (en) * | 1996-03-05 | 1998-06-16 | Candescent Technologies Corporation | Electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device |
US5863233A (en) * | 1996-03-05 | 1999-01-26 | Candescent Technologies Corporation | Field emitter fabrication using open circuit electrochemical lift off |
US6120674A (en) * | 1997-06-30 | 2000-09-19 | Candescent Technologies Corporation | Electrochemical removal of material in electron-emitting device |
JP4803998B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2011-10-26 | ソニー株式会社 | 電界放出型電子放出素子の製造方法 |
-
2011
- 2011-06-07 TW TW100119816A patent/TWI437615B/zh not_active IP Right Cessation
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---|---|
CN102290307A (zh) | 2011-12-21 |
TWI437615B (zh) | 2014-05-11 |
CN102290307B (zh) | 2013-10-02 |
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