201225833 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有微結構化表面之電磁波隔離體。 【先前技術】 射頻標識（RFID)標藏用於各種應用中，例如庫存控制及 安全。該等RFID標籤通常置於物件或容器（例如紙板盒）之 上面或其中。RFID標籤與RFID基台或讀取器一起發揮作 用。讀取器供應電磁波輸出，該電磁波輸出在特定載波頻 率下發揮作用。自讀取器傳輸之信號與RFID標籤天線耦合 以在天線中產生電流。天線電流產生在讀取器之頻率下發 射之反向散射電磁波。大部分RFID標籤含有能夠儲存資訊 之積體電路。該等積體電路具有最小電壓需求，在該最小 電壓需求以下其不能發揮作用且不能讀取標籤。利用RFID 天線中之部分電流經由天線兩端之電壓差來對RFID標籤之 積體電路供電，且隨後該積體電路使用此功率將反向散射 信號調變為標籤之特有資訊。與在物理上遠離讀取器之 RFID標籤相比，毗鄰讀取器之RFID標籤將接收充足能量 並由此能夠向其積體電路供應足夠電壓。讀取器與RFID標 籤間之RFID標籤仍可讀取之最大距離稱為讀取距離。顯而 易見，較大讀取距離有益於幾乎所有RFID應用。 RFID系統在用於RFID應用之諸多不同頻率區域中操 作。低頻率（LF)範圍為約125-150 kHz。高高頻率（HF)範圍 為13.56 MHz，且超高頻率（UHF)區域包含850-950 MHz、 2450 MHz及5.8 GHz極高頻率區域（SHF)。 159995.doc 201225833 在超高頻率（UHF)範圍中操作之RFm標籤之一個益處在 於其讀取距離遠大於在低頻率或高頻率下操作之標籤。不 幸的疋，在標籤緊鄰金屬基板或具有高水含量之基板時， 超高頻率RFID標籤不能讀取。因此，附接至金屬容器或含 有導電液體（例如，軟飲料）之瓶之RFm標籤不能自任一距 離讀取。 【發明内容】 本發明之至少一實施例提供電磁波隔離體，該電磁波隔 離體可（例如）與局頻率RFID標籤以及可干優刪〇標籤之作 業之基板一起使用，該等基板尤其係金屬基板以及用於含 有液體之基板。 發明之至少一貫施例提供包括電磁波隔離體之物件， =電磁波隔離體至少包括具有第—及第二主表面之第—區 段及具有第-及第二表面之相鄰第二區段，其中該等區段 中之至少一者具有微結構化主表面。 本發明之至少一實施例提供物件，其包括電磁波隔離 體二其至少包括具有第一及第二主表面之第一區段及具有 ^-及第二表面之相鄰第二區段，其_該等區段中之至少 一者在至少一個主表面上具有微結構化特冑；及實施接收 電磁波及生成電磁波中之—者或兩者的組件，該組件㈣ 電磁波隔離體_連，·其〇該組件生成或接收之波之長度 大㈣電磁波隔離體區段中至少—個主表面上之微結構化 特徵的週期。 如本發明t所使用·· 159995.doc 201225833 微結構化」意指在表面上具有結構元件或特徵，該等 元件或特徵之尺寸中之至少一者（例如，高度、寬度、深 度及週期）為微米級，例如，介於約1微米與約2〇〇〇微米之 間； 高介電係數」意指介電係數大於5;且 「兩磁導率」意指磁導率大於3 Ο
本發明之至少一個實施例之優點在於隔離體提供用於給 疋隔離體厚度之較長讀取距離。 本發明之至少一個實施例之另一優點在於隔離體提供用 於給定讀取距離之較薄隔離體。 本發明之上述概述並非意欲闡述本發明之每一揭示實施 例或本發明之各實施方法。下列圖式及詳細說明將更具體 地舉例說明例示性實施例。 【實施方式】 .在下列闡述中，對附圖組加以參照，該等附圖形成本闊 述之—部分且以例示方式顯示若干具體實施例。應理解， 可涵蓋其他實施例且不背離本發明之範圍或精神。因此， 下列詳細闡述不應視為具有限制意義。 除非另有所述H本說时及巾請專㈣圍中用於 表不特徵尺寸、量及實體性質之所有數值在所錢形下皆 應理解為由術語「約」修飾。因此，除非說明相反之情 否則上述說明書及隨附申請專利範圍中所閣述之數值 福數#'#值’其可㈣彼等熟習此項技術者利用本文所 不之教不内容試圖獲得之期望性f而改變。由端點所使 159995.doc 201225833 用之數值範圍包含所有 — 5,其中包含卜“、广該範圍内之數值(例如，！至 内之任一範圍。 、2·75、3、3.8〇、4及5)及該範圍 本發明一態樣係具有$ ,丨、 盛、±『私 至夕—個微結構化表面或界面之雷 表面或界面提供跨越微結構化部分 之，木度之電磁性質的轡 丨刀 化。本發明之電磁、古r 。^亥變化可為逐漸變化或階躍變 知月之*ϋ磁波隔離體 成電磁性質的此變化。此盘先地因其物理特徵而達 對比，後者係、藉由以下方;^=之電磁波隔離體形成 性質變化:改變用於製造;離體深度之電磁 貝或藉由特定隔離體層内之 π电磁性 微結構化表面之本發明磁 X。圖1繪示具有錐形 部分中且有…：電磁波隔離體且顯示在微結構化 丨刀Τ具有等效介電係數 些實例性平面。其他電 0’叫；且㈣）之— 似變化。在至少-個每η (例如磁導率）相應地具有相 之至少—者戈、巧期：& t ’在微結構化特徵之週期中 ^钱週期及尚度小於隔 時’微結構化料有效地提 長 μ蛀μ仆、田《 、电磁性質梯度。對於遠大於 =構化《之電磁波長而言，微結構化部分 = ;1質：其中電磁性質 ’生如下 分（亦即u或不同材料）至基底部 八：广。構化隔離體區段之相鄰微結構化部 特徵)中微結構化部分之表面二 =但不含微结構化 化。在電磁性質、微結構化圖宰界：的幾何結構而有所變 化部分厚度與基底部分厚度 ：及微、、。構 千口理匹配之情形下，可 159995.doc 201225833 增加特定天線設計之構造之反射率及/或隔離體特性。對 於隔離體介質中之波長小於微結構化圖案之週期的電磁頻 率而言，在本發明之至少一個實施例中，微結構化特徵用 作改變隔離體構造中該區域内之有效電磁性質之方法。隔 離體介質中之波長由、⑽广給出。對於ε，则
且微結構化特徵之週期為2mm之隔離體而言，載止頻率為 約9 GHz。對於低於約9 GHz之電磁㈣，具有微結構化錐 ^車列之隔離體將如同其在微結構化區域内具有連續可變 介電係數一般運行。在高於約9 GHz時，微結構化特徵將 更通常用作離散結構。對心州、Μ、且微結構化特徵 之週期為0.3 _之隔離體而言，截止頻率為約2〇〇他。 七明之至少一個實施射，微結構化表面產生（或 提供）不與天線之整體平面平行之界面，該界面及該界面 兩側上隔離體之相鄰三維特徵界定包括具有對比電磁 之材料的體積。 本：明電磁波隔離體之至少一個實施例包括黏合劑材 诚遑4合劑材料裝載有形成構造之高介電 真充劑材料從而至少一個表面具有特徵之重= 料可：成I::電係數及/或高磁導率填充劑之黏合劑材 ^ 續微結構化膜或片（如在基於網之過程中 生::部件(例如彼等設計用於極特定形狀: 通常，材料包括約8〇Wt%至約95 wt%之填 及其他C料量高W黏合劑及填充劑之比重以 、，數（例如顆粒形狀、顆粒與黏合劑之相容性、製 159995.doc 201225833 造過程之類型、是否使用溶劍及溶劑類型等）。 在本發明之至少一伽杳/*丨山 〜 實施例中，黏合劑（通常具有較小 》辰度）可與南介電係數或古磁道玄u 微結構化”，摻和，可形成 再關了洛發或燒掉黏合劑，且可燒結構造。 、宜黏合劑包含熱塑性塑膠、熱固性塑膠、可 體、熱塑性彈性體或用於分散及黏合填充劑之其他已知材 ^具體適宜材料包含相對非極性材料，例如聚乙稀 丙烯、聚石夕氧、聚石夕氧橡膠、聚稀烴共聚物、epdm及諸 如=，極性材料，例如氯化聚乙烯、丙稀酸酿、聚胺基 酸醋、胺基甲酸醋及諸如=材IV 氧樹脂， ,^, 頒，及不可固化材料。用於製 二本發❹離體之料劑㈣可μ有 常數填充劑，包含玻璃氣泡、 之低"電 ^^ 工乳（例如，用以產生發泡 氟i等。TF= (PTFE)(例如特氟龍(tefl°n))。諸如特 個 用作黏合劑。用於製造本發明隔離 4夕個區段之材料亦可裝載有較小漠度之經增容劑 -理的奈米顆粒(例如彼等闡述於美國專利 0153963號中者）；盥高介恭普去乐 〇8/ 容許填充劑更自由地流動；㈣導率填充劑推和以 動亚摻和至黏合劑（若使用）中，從 而更有效地以難讀高漢度進行摻和。 用於製造本發明隔離體之—或多個區段之材料可 軟磁性材料’例如亞鐵鹽材料（c〇2z，來自h咖_丁細公 司）、鐵/物材料（藉由商品名稱SENDUST提及且亦使用 其他商標構得’例如KOOLMu(Magnetics公司，一識& 159995.doc 201225833 mc.com))、鐵/錦材料（以商標舰财^⑽講得）或其鐵/錄/ 翻同源物_LYP職alloy，來自 Carpenter Technol〇gies A司（www.cartechc〇m))及羰基鐵（其可未退火、已退火及 視而要使用4酸或—些其他表面鈍化劑進行處理）。軟磁 ‘陡材料可具有各種幾何結構，例如球形、板形、薄片形、 棒形、纖維形、非晶型’且可為微米尺寸或奈米尺寸。 另一選擇為，用於製造本發明隔離體之一或多個區段之 〇 材料可裝栽有不同類型之高介電常數填充劑，包含鈦酸 鋇、鈦酸锶、二氧化鈦、碳黑或其他已知高介電常數材 料，包含闡述於美國臨時專利申請案第61/286247號中之 石反裝飾鈦酸鋇材料。亦可使用奈米尺寸之高介電常數顆粒 及/或高介電常數共軛聚合物。可使用兩種或更多種不同 南介電常數材料之摻合物或高介電常數材料與軟磁性材料 (例如羰基鐵）之摻合物。 在本發明之至少一個實施例中，並不使用黏合劑及高介 〇 電常數材料，一種適宜材料之實例係介電常數為約3000之 聚苯胺/環氧樹脂摻合物（J. Lu等人，r High dielectdc constant polyaniline/epoxy composites via in situ polymerization for embedded capacitor applications j , Polymer, 48 (2007), 1510-1516)。 微米結構化圖案可存在於本發明隔離體之一個外表面 上具有相同圖案之隔離體之兩個外表面上或具有不同圖 案及/或週期之隔離體之兩個外表面上。微米結構化圖案 可在包括不同材料之區段界面處存在於本發明隔離體内。 159995.doc 201225833 微結構化圖案可存在於隔離體内之一或多個界面處。若存 在個以上之界面，則不同界面之圖案可相同或不同。圖 2a-21繪不展不一些該等變化形式之本發明不同實施例。圖 展示具有一個微結構化表面之物件。圖2b展示具有兩個 相對微結構化表面之物件。圖2c展示具有一個微結構化界 面之物件。it常藉*以下方式來形成界面：纟纟面上產生 具有微結構化特徵之第_區段，然後使用與形成具有微結 構化表面之區段之材料不同之材料填充藉由微結構化特徵 產生的開口區域。在本發明之至少一個實施例中，不同材 料可與形成第-區段之材料具有不同介電係數及/或不同 導率彳使用；^同材料來更精確調整隔離體以用於預期 應用。在本發明之至少—個實施例中，形成第一及第二區 雜視需要其他區段)之材料具有不同磁導率，兩個區段 之磁導率值具有約3至約1〇〇〇之比率。在本發明之至少一 個實施例中，形成第-及第二區段(及視需要其他區段)之 ㈣具有不同介電係數，兩個區段之介電係數值具有約 之:至約_之比率。不同材料可為可提供期望電磁性質 之任一適宜材料，且包含但 、 等。其可補…“小限於t合物、樹脂、黏著劑 其了視而要包括填充劑以調整系統之電磁性質 使用材料填充開口區域之替代方式，開口 ’、、 閒，在該情形下空氣係用作不同材料。例如呆持空 2b。在不同材料填充於微結構化表 ；見圖h及 (由此形成界面)時，根據微結構化表面或双 區域中 及形成隔離體各個區段之材料1面之幾何形態 屯磁性質將自物件之 I59995.doc •10- 201225833 個外表面變化至另一外表面。隔離體可視需要在一個或 :個外表面上包括黏著劑區段，或黏著劑可在兩個非黏著 段之間形成内部區段。黏著劍可用作填充藉由微結構 •徵產生之開口區域之不同材料。若形成隔離體外表面 之材科並非黏著劑，則可將黏著劍層施加至隔離體物件以 將其固定至目標物。 Ο 〇 隔離體物件亦可包含金屬或導電層，從而不管抵靠放置 隔離體及（例如）隨附標籤或天線之目標物為何， :將具有相同讀取範圍。在此-情形下，將調整天線或： 咸/隔離體部分以在存在金屬層之情形下良好地操作，且 系統則同樣操作良好’不論係抵靠金屬物件抑或諸如瓦楞 紙板專低介電係數材料放置。 如前文所述，具有一或多個微結構化表面或界面之物件 可具有兩個或更多個區段’該等區段包括具有不同介電係 數及/或磁導率之材料。圖2d哈-ν 砰付圖2d綠不本發明之三區段/兩界面 物件之實例’其中三個區段中之每—者包括不同材料且呈 有不同性質。本發明物件之實施例可具有許多不同構造:、 舉例而言，圖W2f繪示本發明之物件，其具有相同總厚 度，但構成物件之兩區段之材料的比率不同。圖^及㈣ 示本發明之物件，其中兩種材 曰 厚度不同。 抖之比率相同’但物件之總 微結構化特徵及微結構化特徵之圖案亦可基於本 特定實施例而變化。舉例而t，户曰士 " ° 在具有相同總厚度及相同 區段相對比率之物件中，梯度之長度可不同，如圖剛 159995.doc 201225833 中所繪示。在其他實施例中，微結構化特徵之側向間隔亦 可變化。舉例而言’如由圖仏及21所緣示，微結構化特徵 之寬度及數量可變化。 $ 提供連續變化電磁性質梯度之微結構化特徵包含如下特 徵：其表面相對於具有該等特徵區段之基底部分的主轴非 水平且非垂直。實難特徵包含但不限於錐體，例如具有 銳頂角、90°頂角或斜頂角之基於正方形之錐體（圖小、且 有銳頂角、斜頂角或立方角頂角之基於三角形之雖體（圖 7)、具有銳頂角或斜頂角之基於六角形之雖體、旋轉雖體 及不對稱錐體，該等不對稱錐體可具有偏置頂角(例如， 鋸齒狀錐體)圓錐體(例如具有圓形或橢圓形基底之圓錐 體’具有銳頂角、90。頂角或斜頂角之圓錐體）；抛物線體 (圖5)、1角柱（圖6)、及半球體。端視所用微結構之類 型，電磁性質梯度可自構造之—側線性變化至另一側。梯 度亦可為拋物線，或包括其他功能。 提供電磁性質之階躍梯度之微結構化特徵包含彼等呈有 如下表面者：其與具有該等特徵之隔離體區段之基底部分 的主軸水平且垂直。實例性特徵包含，但不限於，柱（圖 …包含彼等具有圓形、正方形及三角 平行六面體，·及其他相似區塊結構，其具有僅平L:直 (:即，不傾斜)於區段之基底部分之表面。在各個實施例 間之間隔可變化。 喊個別微結構化特徵之基底 -些微結構化特徵具有多個較小階躍變化以有效提供電 159995.doc 201225833 磁性質之梯度。此—結構之實例係圖4中之不對稱階躍錐 肢。其他實例包含以多個小增量改變之形狀。 二些微結構特徵或圖案具有提供連續及階躍梯度之組合 的开/狀或佈置。舉例而言，截頂錐體及圓錐體在其頂部 (水平）表面提供階躍梯度，但在其側（傾斜）表面提供連續 梯度。根據另—實例，在圖6之刀片陣列中，i角柱之傾 Ο
斜表面提供連續梯度，但三角柱之垂直表面提供垂直於隔 離體之基底的表面。 在一些實施例中，相對於高度（圖9)、寬度、幾何結 構、側向間隔、週期等，本發明微結構化特徵之圖案可為 多模態，例如雙模態或三模態。 所件產ua可採用諸多；^同形式，其有時取決於用於製造 其之過程。舉例而言’可使用基於連續片或網之過程來產 生卷形式之產品，然後可將該產品切割或定尺寸以用於具 體應用。可將所得產品直接模製成不同形狀（例如矩形、 卵形或甚至複雜2-D幾何結構）以將浪費降至最低，同時滿 足特定產品設計。 諸多微結構化方法適於形成本發明之微結構化表面或界 面。適宜方法包含塵延；高麼麼印；使用模具洗禱並固化 (例如，使用具有黏合劑之高介電係數或磁導率材料，該 黏合劑在將材料洗鑄於模具上後發生固化）；壓縮模製（例 如，將模具及具有黏合劑之高介電係數或磁導率材料加 熱，然後抵靠材料壓製模具）；擠出洗鑄（例如，將具有黏 _月丨之南”電係數或磁導率材料直接播出至加熱工具中， 159995.doc ·】3· 201225833 冷卻該工具，x自該工具取出形成之材料）；擠出壓印（例 如，將具有黏合劑之南介電係數或磁導率材料直接擠出至 冷工具中，然後自該工具取出）；火焰壓印（例如，使用火 焰僅加熱具有黏合劑之高介電係數或磁導率材料之表面， 然後使用工具將表面微結構化）；及注入模製（例如，將具 有黏合劑之熔融高介電係數或磁導率材料注入加熱模具 中，然後冷卻）。該等系統中之每一者然後可具有在微結 構化部分上模製或固化之具有對比電磁性質的材料。另一 選擇為，彳使用具有低磁導率及介電係數之材料實施初始 微結構化，且然後可在上面模製或固化具有對比電磁性質 之材料。 本發明實施例適用於在超高頻率或極高頻率區域中操作 之天線中。本發明隔離體之實施例可用於諸如（但不限於） 手機、通信天線、無線路由器及111?1]：)標籤等應用中。 本發明實施例尤其用於涉及遠場電磁輻射之應用中例 如在分離RFID晶片與金屬或其他導電表面時。本發明隔離 體非常適用於使用冑長於微結構化圖案之週㈣遠長於微 結構化圖案咼度之電磁波長的應用中。 本發明態樣包含使用本發明隔離體來隔離RFID標籤與 導電表面或主體之系統。優化被動UHF RFID標籤天線以 用於自由空間或低介電材料（例如瓦樗·紙板、托板木材 等）。在UHF RFID標籤毗鄰導電表面或主體時，標籤天線 之阻抗及增盈發生變化’此大大降低了其向讀取器供電及 作出反應之能力。 159995.doc -14- 201225833 置於導電基板與RFID標籤之間之隔離體可藉由以下方 式改善金屬基板效應··有效增加標籤與基板（高磁導率及/ 或介電係數）之間之距離，及減小天線磁場與導電基板相 互反應之能力（且反之亦然）。隔離體之存在不僅可改變天 線增益，且亦改變天線之有效阻抗，由此改變自天線轉移 至RFID 1C之功率的量，且最終改變經調變並反向散射至 RFID讀取器之功率的量。因該等及其他複雜相互作用，故 特定RFID標藏具有特定隔離體設計。對於緊鄰導電材料之 其他類型的天線亦具有相似爭論，例如毗鄰電路或金屬外 殼或接地平面之手機天線。 RFID標籤擁有許多不同設計以符合各種消費者需求。 RFID 1C設計之一些差異與其功率、記憶體及計算能力之 差異相關。RFID天線設計取決於諸多因素，包含阻抗與1C 之匹配需求、期望讀取距離、印跡最小化、印跡縱橫比及 對於反應之定向依賴性。許多設計之RFID標籤可購自諸多 公司中之任一者，例如Intermec Technologies公司、Alien Technology、Avery-Dennison及 UPM Raflatac ° UHF RFID標籤通常在介於865 MHz與954 MHz之間之頻 率範圍中操作，其中最典型中心頻率為869 MHz、915 MHz及953 MHz。RFID標籤可藉由包含諸如電池等電源來 自驅動。另一選擇為，其可為場驅動，從而其藉由捕獲由 基台傳輸之電磁波能量並將該能量轉化成DC電壓來生成 其内部功率。 在擬標記物件之電性質干擾RFID標籤之作業時，本發 159995.doc -15- 201225833 明隔離體最為有用。在擬標記物件包括金屬基板或經组態 含有液體(關於讀取距離皆產生問題)時，此最通常發生。 圖1〇緣示本發明系統，其包含灯⑴標籤1〇、隔離體 12(包括區段14及！6)及擬標記物件18。若相關隔離體區段 14、丨6並不具有黏附至RFID標籤或擬標記物件以之黏著劑 性質，則可另外將黏著劑層（未展示）添加至RFID標籤與 區段14及/或區段16與擬標記物件丨8之間。 實例 藉由下列實例闡釋本發明，但在該等實例中引用之特定 材料及其量、以及其他條件及細節不應理解為不適當地限 制本發明。 測試及量測方法 等效厚度計算 「等效厚度」意指將微結構化結構平坦化以產生無微結 構化特徵之固體區段時之區段厚度。 注意··在製造RFID系統之所有實例中，雙棒膠帶 (SCOTCH 665，3M公司）之一層黏附於金屬基板（鋁板或 3Mtm EMI鍍錫銅箔屏蔽膠帶1183 (在下文中有時稱為 「1183膠帶」）’購 '自3M公司）與隔離體之間以確保隔離體 保持黏附至金屬基板。 實例1-3及對比實例（CE) A-F 對比實例A-F之製備 以58重量％ Ti〇2/42重量％聚石夕氧之比率將Tj〇2(TipuRE R-902+，Dupont 公司，www2.dupont.com)摻和至聚石夕氧 159995.doc -16- 201225833 (SYLGARD 184, Dow Corning, www.dowcorning.com)中並 固化成各種厚度之單片式2.5 cmxlO cm板材。以85重量％ 羰基鐵/15重量％聚矽氧之比率將羰基鐵粉末（ER級， BASF, www.inorganics.basf.com)換和至聚碎氧（SYLGARD 184，Dow Corning，www.dowcorning.com)中並固化成各種 厚度之單片式2·5 cmx 10 cm板材。對比實例A至C具有0.51 mm厚之58% Ti02/聚矽氧摻合物區段，及厚度分別為0.72 mm、1.02 mm及1.29 mm之緩基鐵/聚石夕氧掺合物區段。對 比實例D至F具有0.72 mm厚之58% Ti02/聚矽氧摻合物區 段，及厚度分別為0.48 mm、0.72 mm及1.02 mm之羰基鐵/ 聚矽氧摻合物區段。 實例1之製備 製造包括以0.65 mm六方緊密堆積間隔佈置之0.75 mm深 圓錐形特徵的鎳模具。該六方緊密堆積陣列覆蓋2.5 cmxlO cm之面積。將58重量％ Ti02(TIPURE R-902+， Dupont公司，www2.dupont.com)摻和至聚石夕氧系統（SYLGARD 184, Dow Corning, www.dowcorning.com)中，在模具中固 化，且然後取出。圓錐體下方Ti02/聚矽氧基底部分之厚 度為0.28 mm厚。在0_75 mm高圓錐體之情形下，總Ti02區 段之等效厚度為0.53 mm。然後，將85重量％羰基鐵粉末 (ER 級 ’ BASF，www.Inorganics.basf.com)摻和至聚矽氧 (SYLGARD 184，Dow Corning, www.dowcorning.com)中， 且施加摻合物以填充填充Ti〇2之圓錐體周圍及正上方的空 間。為產生平滑表面，添加摻合物至超出0.7 5 mm高圓錐 159995.doc -17· 201225833 體之頂部約0.29 mm。隨後，固化摻合物。 實例2-3之製備 在實例2及3中，將以與對比實例A-F相同之方式製得之 具有85重量％ ER級羰基鐵/15%聚矽氧的單片式板材抵靠 實例1之羰基鐵側放置以增加羰基鐵區段厚度。實例2及3 之單片式板材厚度分別為0.27 mm及0.48 mm。聚石夕氧之黏 著性質使得無需黏著劑來將最終物件保持在一起。 使用對比實例A-F及實例1_3之RFID系統 使用以 Gen 2 協議操作之 Avery Dennison 210 Runway RFID標籤來製造使用對比實例a-F及實例1-3之RFID標籤 系統。在毗鄰12.5 mm厚鋁板處以902-928 MHz讀取標籤。 使用下列相鄰區段順序構造RFID標籤系統：鋁板/隔離體 之填充Τι〇2之區段/隔離體之填充羰基鐵之區段/RFID標 籤。在ALR-9780 Alien讀取器前面之各個位置移動此系統 直至獲得75% RFID標籤讀取比率為止。對於每一對比實 例及貫例而言，在三次獨立讀取時測定75%讀取比率下距 ALR-9780讀取器之距離且然後取平均值。 對比貫例之讀取範圍數據展示於表1中。第二及第三攔 分別展示Τι〇2/聚矽氧摻合物區段及羰基鐵/聚矽氧摻合物 區段之貫際厚度。表1展示，對於〇51 mmiTi〇2區段厚 度，讀取範圍隨著羰基鐵區段厚度自〇·72 mm增加至129 mm而單調增加。類似地，在Ti〇2區段厚〇73爪爪時讀取 範圍隨著羰基鐵區段厚度自〇·48 mm增加至1〇2 mm而單調 增加。 159995.doc 18- 201225833 實例之讀取範圍數據展示於表2中。第二及第三攔分別 給出Ti〇2及羰基摻合物區段之等效厚度。對於〇 53 之 有效Ti〇2區段厚度，讀取範圍隨著等效羰基鐵區段厚度自 0.79 mm增加至1.27 mm而單調增加。 將對比實例A-F及實例I -3之讀取範圍對隔離體厚度一起 繪製於圖II中。實線上之數據點自左至右代表實例丨、2及 3。長劃線上之數據點自左至右代表對比實例A、b及c。 知·劃線上之數據點自左至右代表對比實例D、E及F。對比 實例A-C包括基本上等效於實例1_3之丁1〇2區段厚度.顯而 易見，在任一給定隔離體厚度下，實例1_3之讀取範圍長 於對比實例Α·(：。增加對比實例中之Ti〇2區段厚度顯示不 能實質性增加讀取距離，如圖11中所繪示。 表1 實例 Ti02區段厚度 (mm) 羰基鐵區段厚度 (mm) 總厚度 (mm) 羰基鐵區段 份數 讀取範圍 (cm) CEA 0.51 0.72 1.23 0.59 ---------- 46 CEB 0.51 1.02 1.53 0.67 82 CEC 0.51 1.29 1.80 0.72 85 CED 0.73 0.48 1.21 0.40 -----— 27 CEE 0.73 0.72 1.45 0.50 71 CEF 0.73 1.02 1.75 0.58 88
表2 實例 有效Ti〇2區 段厚度(mm) 有效羰基鐵 區段厚度(mm) 總厚度 (mm) 羰基鐵 區段份數 讀取範圍 (cm) 1 0.53 0.79 1.32 0.60 75 —' 2 0.53 1.06 1.59 0.67 95〜 3 0.53 1.27 1.80 0.71 99 —~ 159995.doc -19· 201225833 實例4-6及對比實例（CE) G-O 對比實例G-O之製備 以15重量％ 乂1^3 000/85重量％聚矽氧之比率將XLD3000 玻璃氣泡（3M公司，www.3m.com)摻和至聚石夕氧 (SYLGARD 184，Dow Corning，www.dowcorning.com)中並 固化成各種厚度之單片式2.5 cmxlO cm板材。以85重量0/〇 羰基鐵/1 5重量％聚矽氧之比率將羰基鐵粉末（ER級， BASF, www.inorganics_basf.com)掺和至聚石夕氧（SYLGARD 184，Dow Corning, www.dowcorning.com)中並固化成各種 厚度之單片式2.5 cmxlO cm板材。對比實例G至I具有0.41 mm之15重量％ XLD3000/聚矽氧摻合物區段厚度，且羰基 鐵/聚石夕氧摻合物區段之厚度分別為〇·72 mm、1.02 mm及 1.29 mm。對比實例J至L具有0.49 mm之15重量％ XLD3000/聚矽氧摻合物區段厚度，且羰基鐵/聚矽氧摻合 物區段之厚度分別為0.72 mm、1.02 mm及1.29 mm。對比 實例Μ至Ο具有0.54 mm之15重量％ XLD3000/聚矽氧摻合 物區段厚度，且羰基鐵/聚矽氧摻合物區段之厚度分別為 0.72 mm、1.02 mm及 1.29 mm。 實例4之製備 製造包括以〇·59 mm正方形間隔佈置之0.36 mm深錐形特 徵的鎳模具。將85重量％羰基鐵粉末（ER級，BASF, www_inorganics.basf.com)摻和至聚石夕氧系統（SYLGARD 184, Dow Corning, www_dowcorning.com)中，在模具中固 化，然後取出。錐體下方羰基鐵/聚矽氧基底部分之厚度 159995.doc -20- 201225833 為0.70 mm厚。在0.36 mm高錐體之情形下，總幾基鐵區段 之等效厚度為0.82 mm。施加摻和至聚矽氧系統（SYLGARD 184，Dow Corning, www.dowcorning.com)中之 15 重量 ％ XLD3000玻璃氣泡（3M公司，www.3m.com)以填充填充羰 基鐵之錐體周圍及上方0.22 mm的空間且然後固化。實例4 之總實際厚度為1.28 mm。 實例5-6之製備 將85重量％ ER級羰基鐵/15%聚矽氧之單片式板材抵靠 實例4之羰基鐵側放置以增加羰基鐵區段之厚度，從而產 生實例5及6。實例2及3之單片式板材厚度分別為0.27 mm 及0.48 mm。聚矽氧之黏著性質使得無需黏著劑來將最終 物件保持在一起。 使用對比實例G-O及實例4-6之RFID系統 使用以 Gen 2協議操作之 UPM Rafsec G2, ANT ID 17B—1， IMPINJ MONZA標籤製造使用對比實例G-0及實例4-6之 RFID標籤系統。在毗鄰12.5 mm厚鋁板處以902 MHz至928 MHz讀取標籤。使用下列相鄰區段順序構造RFID標籤系 統：鋁板/隔離體之填充羰基鐵之區段/隔離體之填充玻璃 氣泡之區段/RFID標籤。在ALR-9780 Alien讀取器前面之 各個位置移動該系統直至獲得75% RFID標籤讀取比率為 止。 對比實例之讀取範圍數據顯示於表3中。第二及第三攔 分別展示玻璃氣泡/聚矽氧摻合物區段及羰基鐵/聚矽氧摻 合物區段之厚度。表3展示，0.41 mm及0.49 mm厚玻璃氣 159995.doc -21- 201225833 泡區段之讀取範圍隨著羰基鐵區段厚度自0.72 mm增加至 1.29 mm而單調增加。0.54 mm厚玻璃氣泡區段之讀取範圍 隨著叛基鐵區段厚度自0.72 mm增加至1·29 mm而增加至高 達 50 cm。 本發明之實例4-6之讀取範圍數據展示於表4中。第二及 第三欄分別給出玻璃氣泡及羰基鐵摻合物區段之等效厚 度。隨著等效幾基鐵區段厚度自0.82 mm增加至1.30 mm同 日τ玻璃氣泡區段厚度保持怪定於0.46 mm，UPM R_afsee IMPINJ MONZA標籤讀取範圍單調增加。
將對比實例G-0及實例4-6之讀取範圍與隔離體厚度一起 繪製於圖12中。具有實心圓之實線上之數據點自左至右代 表實例4、5及6。長劃線上之數據點自左至右代表對比實 例G、Η及I。具有空心正方形之實線上之數據點自左至右 代表對比實例J、Κ及L。短劃線上之數據點自左至右代表 對比實例Μ、Ν及Ο。對比實例G-0包括基本上等於及略高 於及低於實例4-6之玻璃氣泡區段厚度。顯而易見，在任 一給定隔離體厚度下，實例4-6提供之讀取範圍長於由分 段系統之等效隔離體厚度所提供。在0·41 〇1111至〇 M 圍内改變對比實例中之玻璃氣泡區段厚度不能實質性改變 言買取距離，如圖式中所繪示。 159995.doc •22- 201225833 表3 Ο 實例 玻璃氣泡區段厚度 (mm) 羰基鐵區 (mm) ------ 總厚度 (mm) 羰基鐵區 段份數 讀取範圍 (cm) CEG 0.41 0.72 1.13 0.64 32 CEH 0.41 1.02 1.43 0.71 一 —__ 49 CEI 0.41 1.29 1.70 : 0.76 55 CEJ 049 0J2~~ 1.21 0.60 32 CEK 0.49 1.02 1.51 0.68 48 CEL 0.49 1.29 1.78 0.72 49 CEM 0.54 0.72 1.26 0.57 39 CEN 0.54 1.02 1.56 0.65 50 CEO 0.54 1.29 1.83 0.70 50 表4 實例 有效玻璃氣泡 區段厚度(mm) 有效羰基鐵區段 厚度(mm) 總厚度 (mm) 羰基鐵區 段份數 讀取範圍 (cm) 4 0.46 0.82 1.28 0.64 49 5 0.46 1.09 1.55 0.70 57 6 0.46 1.30 1.76 0.74 62 實例7-8及對比實例P-S 對比實例P-S之製備 以73.6重量％ BaTi03/26.4重量。/〇聚矽氧之比率將BaTi〇3 (TICON P，TAM Ceramics，現為Ferro公司，www.ferro.com) 摻和至聚石夕氧(SYLGARD 184, Dow Coming, www.dowcoming.com) 中並固化成各種厚度之單片式2.5 cmxlO cm板材。以15重 量％ XLD3000/85重量％聚矽氧之比率將XLD3000玻璃氣泡 (3Μ公司，www.3m.com)摻和至聚石夕氧（SYLGARD 184, Dow Corning, www.dowcorning.com)中並固化成各種厚度 之單片式2.5 cmxlO cm板材。對比實例P及Q具有0.68 mm 159995.doc -23- 201225833 之15 wt% XLD3000玻璃氣泡/聚矽氧摻合物區段厚度及 1.81 mm厚之73.6 wt% BaTi03/聚矽氧摻合物區段。對比實 例R及S具有0.63 mm之15 wt% XLD3000玻璃氣泡/聚矽氧 摻合物區段厚度及1.90 mm厚之73.6 wt% TICON P/聚矽氧 摻合物區段。 實例7-8之製備 製造包括以0.65 mm六方緊密堆積間隔佈置之0.68 mm深 抛物面特徵的鎳模具。該六方緊密堆積陣列覆蓋2.5 cmx 10 cm之面積。將15重量％% XLD3000玻璃氣泡摻和至聚矽 氧系統（SYLGARD 184，Dow Corning, www.dowcorning.com) 中，在模具中固化，且然後取出。抛物面下方XLD3000/ 聚石夕氧基底之厚度為0.31 mm厚。在0.68 mm高拋物面之情 形下，總XLD3000區段之等效厚度為0.65 mm。將73.6重 量％ TICON P摻和至聚矽氧中，施加以填充於填充 XLD3000之抛物面周圍及其上方1 _49 mm的空間，並固化 以產生貫例7及8。 使用對比實例P-S及實例7-8之RFID系統 使用以Gen 2協議操作之Alien ALN-9654-FWRW標籤來 製造使用對比實例P-S及實例7-8之RFID標籤系統。在毗鄰 箔膠帶（1183 膠帶，3M公司，www.3m.com)處以 902-928 MHz來讀取標籤，其中相對於箔膠帶及RFID標籤以不同定 向佈置。使用用於不同試樣之不同順序之相鄰區段來構建 RFID標籤系統’如下文進一步所述。將隔離體/標籤構造 定中心於75 mm><125 mm箔膠帶之中部。將標籤置於距離 159995.doc • 24· 201225833 由SAMSys MP9320 2·8 UHF RFID讀取器驅動之傳輸/接收 天線0.80米處。計算在最大讀取器功率下跨越920-928 MHz光譜在4個單獨掃描系列中成功讀數的百分比。 在使用對比實例P及Q及實例7之RFID系統中，朝向箱膠 帶定向填充TICON P之區段。在使用對比實例r及s及實例 8之RFID系統中，朝向RFID標籤定向填充TIC〇N p之區 士又。對比貫例之§買取比率數據顯不於表5中。實例之讀取 比率數據顯示於表6中。 Ο 表5繪示，對於使用鈦酸鋇/聚矽氧摻合物以約25瓜爪之 總居度及0.74之欽酸鋇/聚石夕氧掺合物份數分段的玻璃氣泡 /聚矽氧摻合物而言，在填充鈦酸鋇之區段定向朝向箔膠 帶時’讀取比率極為不良。若朝向RFID標籤定向填充欽酸 鋇之區段，則在鈦酸鋇區段份數僅為〇73且總厚度為2·49 mm時，讀取比率仍為不良。在總厚度增加至2 53 同時 鈦酸鋇區段份數進一步增加至〇 75時，讀取比率增加至 〇 69%°在此情形下，對比隔離體構造之定向可由此極為重 要。 . 纟6顯示’㈣7及8之性能優於其對比實例之分段對等 告P分。在朝向猪膠帶定向填充鈦酸鋇之區段時，實例7之
讀取比率遠優於對比竇你丨P *例P及Q。在朝向RFID標籤定向填 充鈦酸鋇之區段時，實例8之讀取比率仍展示優於對比實 例R及S。實質上，實例7及8皆較對比實例卩至s中之任一 者得以更好地實施。 159995.doc 25· 201225833 表5 實例 TICON P 區段抵靠 氣泡區 段厚度(mm) TICON P 區 段厚度 (mm) 總厚度 (mm) TICON P 區段份數 讀取 比率 CEP 金屬 s__0.68 1.81 2.49 0.73 <2% CEQ 金屬 —__0.63 1.90 2.53 0.75 14% CER 標籤 _0.68 1,81 2.49 0.73 <2% CES 標籤 0.63 —— 1.90 2.53 0.75 69% 表6 實例 TICON P 區段抵靠 有效破璃氣 泡區段 (mm、 有效TICON P 區段厚度(mm) 總厚度 (mm) TICON P 區段份數 讀取 比率 7 金屬 0.65 1.83 2.48 0.74 73% 8 標籤 0.65 1.83 2.48 0.74 76% 實例9 實例9之製備 利用習用立體微影技術隨後使用鎳電鍍來產生包括倒置 不對稱錐體之鎳模具。直接在錐體基底之一個角上製造錐 體之頂（例如，參見圖4)，且使用相同定向之所有頂產生該 等錐體之正方形陣列。不對稱錐體之階梯特徵在丨.21 mm 正方形基底上產生10階躍系列。將15重量％之XLD3000玻 璃氣泡#和至SYLGARD 1 84中，在模具中固化，且然後 取出。包括XLD3000/聚矽氧摻合物之該等階梯、不對稱 錐體之高度為0.546 mm。不對稱錐體下方之XLD3000/聚 矽氧基底部分之厚度為0·134 mm。在0.546 mm高不對稱錐 體之情形下，總XLD3000/聚矽氡區段之等效厚度為0.32 mm。將85重量％之ER級羰基鐵粉末摻和至SYLGARD 184 159995.doc -26. 201225833 冰面化。將此隔離體構造休整至45x100 mm之面 中且然像 s 物件之總厚度為1 · 5 0 mm。 積。最終 ❹0#RFID系統 ββϋ 2協議操作之RSI-122雙偶極標籤（40x80 mm) 使用从 來製造使用實例9之RFID標籤系統。藉由聚矽氧之天然黏 著性質A梯籤頂部上之細膠帶條之組合將標籤在隔離體上 固持就位。在消聲室中毗鄰箔膠帶（1183膠帶）以902-928 MHz讀取梯籤。將隔離體/標籤構造定中心於箔膠帶之75 mm部分的中部’其中羰基鐵區段抵靠箔膠帶。將 mmx 1 li 秩藏置於疲離由SAMSys MP9320 2.8 UHF RFID讀取器驅 動之傳輸/接收天線〇·70米處。在920-928 MHz光譜中測定 獲得標籤反應所需之最小功率並取4次單獨掃描之平均 值。 在隔離體構造之總厚度為1.50 mm之情形下，羰基鐵區 段之等效厚度為1.18 mm ’且XLD3000區段之等效厚度為 0.32 mm。在整個光譜中成功讀取標籤/隔離體/猪膠帶構 造，其中SAMSys讀取器之平均最小功率為26.9 dBm。 實例10 實例10之製備 產生包括具有兩種不同高度及寬度之倒置抛物面的鎳模 具。將15重量％iXLD3000玻璃氣泡摻和至SYLGARD 184 中，在模具中固化，且然後取出。較大抛物面空腔產生高 度為0.765 mm且基底寬度為0.590 mm之特徵。較小拋物面 空腔產生高度為0.250 mm且基底寬度為0.323 mm之特徵。 159995.doc • 27- 201225833 以規則交替正方形陣列在1.1 92 mm之晶胞長度下來佈置該 兩種不同尺寸及縱橫比之拋物面。抛物面之雙模態分佈下 方之XLD3000/聚矽氧基底部分的厚度為0.201 mm。在抛 物面之雙模態分佈之情形下，總XLD3000/聚矽氧區段之 等效厚度為0.363 mm。將85重量％ R1521羰基鐵粉末（ISP 公司，www.ispcorp.com)摻和至SYLGARD 184中，施加以 填充填充XLD3000之抛物面周圍及上方0.254 mm的空間， 且然後固化。將此隔離體構造休整至25 xl 00 mm之面積。 使用實例10之RFID系統 使用以Gen 2協議操作之ALN-9654標籤來製造使用實例 10之RFID標籤系統。藉由聚矽氧之天然黏著性質及標籤頂 部上之細膠帶條之組合將標籤在隔離體上固持就位。在消 聲室中毗鄰箔膠帶（1183膠帶）以902-928 MHz讀取標籤。 將隔離體/標籤構造定中心於箱表面之75 mm><125 mm部分 的中部，其中羰基鐵區段抵靠RFID標籤。將標籤置於距離 由SAMSys MP9320 2.8 UHF RFID讀取器驅動之傳輸/接收 天線0.80米處。在920-928 MHz光譜中測定獲得標籤反應 所需之最小功率並取4次單獨掃描之平均值。 在隔離體構造之總厚度為1.22 mm之情形下，羰基鐵區 段之等效厚度為0.86 mm，且XLD3000區段之等效厚度為 0.3 6 mm。在整個光譜中成功讀取標籤/隔離體/箔膠帶構 造，其中SAMSys讀取器之平均最小功率為25·7 dBm。 實例11 實例11之製備 159995.doc -28- 201225833 混合各向異性、薄片型高滲透性亞鐵鹽填充劑材料 (91 wt%)與丙婦酸酯共聚物黏合劑（9 wt%)。將1 〇重量份數
Co2Z-K 亞鐵鹽（Trans-Tech 公司 ’ www.trans-techinc.com) 與0.98重量份數丙烯酸酯共聚物（9〇重量％丙稀酸異辛醋 /10重量％丙烯酸）及6.41重量份數溶劑（5〇重量％庚烷/5〇重 量％甲基乙基酮）摻和。澆鑄此溶液，乾燥，且然後熱壓製 以去除任何夾帶空隙。使用C〇2雷射鑽製〇7〇mm直徑孔， 0 從而在此91重量％亞鐵鹽/9重量❶/。丙烯酸酯共聚物材料之 0.85 mm厚板材中形成ι·3〇 mm正方形陣列。產生相同材料 之0.52 mm厚板材’且將兩個構造休整至25xi〇〇 mm並藉 由將少許壓敏性黏著板材壓製至一起來黏附至一起。 使用實例11之RFID系統 使用以Gen 2協議操作之ALN-9654標籤來製造使用實例 11之RFID標籤系統。藉由丙烯酸酯之天然黏著性質及標籤 頂部上之細膠帶條之組合將標籤在隔離體上固持就位。在 〇 消聲室中毗鄰箔膠帶（1183膠帶）以902-928 MHz讀取標 籤。將隔離體/標籤構造定中心於箔膠帶之75 mmx丨25瓜出 11 83部分的中部，其中〇52 mm厚單片式亞鐵鹽/丙烯酸酯 . 板材抵靠箔膠帶且具有未填充鑽孔之〇·85 mm厚板材抵靠 RFID標籤。將標籤置於距離由SAMSys Mp932〇 2.8 uHf RFID讀取器驅動之傳輸/接收天線〇 8〇米處。在 MHz光譜中測定獲得標籤反應所需之最小功率並取8次單 獨掃描之平均值。 在隔離體構造之總厚度為丨·37 之情形下，亞鐵鹽區 159995.doc -29· 201225833 段之等效厚度為1.18 mm，且空氣區段之等效厚度為0.19 mm。在整個光譜中成功讀取標籤/隔離體/箔膠帶構造，其 中SAMSys讀取器之平均最小功率為23.8 dBm。 實例12 實例12之製備 將133.5克ER級羰基鐵粉末與19.95克熱塑性聚合物 ENGAGE 8401(Dow Chemical 公司，www.dow.com)在 1 5 0°C下於Haake混合器中進行摻和。將此材料在1 50°C下 壓製成包括倒置錐體之鎳模具以產生在一側上具有平坦表 面且在另一側上具有微結構化表面（具有錐形凸出）的羰基 鐵/熱塑性摻合物隔離體。該等錐體之長度及間隔為0.588 mm且錐體高度為0.349 mm。構造之總厚度為0·98 mm。將 試樣休整至25 xl 00 mm。 使用實例12之RFID系統 使用以Gen 2協議操作之ALN-9654標籤來製造使用實例 12之RFID標籤系統。藉由標籤頂部上之細膠帶條將標籤在 隔離體上固持就位。在消聲室中毗鄰箔膠帶（11 83膠帶）以 902-928 MHz讀取標籤。將隔離體/標籤構造定中心於1183 箔膠帶之75 mmx 125 mm部分的中部，其中隔離體之微結 構化表面面向箔膠帶。將標籤置於距離由SAMSys MP9320 2.8 UHF RFID讀取器驅動之傳輸/接收天線0.80米處。在 920-928 MHz光譜中測定獲得標籤反應所需之最小功率並 取4次單獨掃描之平均值。 羰基鐵/熱塑性區段之等效厚度為0.75 mm，且錐體周圍 159995.doc -30- 201225833 空氣區段之等效厚度為0.23 mm。在整個光譜中成功讀取 標籤/隔離體/箔膠帶構造，其中SAMSys讀取器之平均最小 功率為27.7 dBm。 實例13 實例13之製備 產生包括位於六方緊密堆積晶格上之四面體的鎳模具。 將 85 重量％ HQ級裁基鐵粉末（BASF, www.inorganics.basf.com) 摻和至SYLGARD 1 84中，且然後在此模具中固化以在羰 基鐵/聚矽氧摻合物區段之表面中產生四面體壓痕。壓痕 深0.20 mm且頂間距為0.29 mm。此隔離體構造之總厚度為 1.04 mm。將此隔離體休整至25 X 1 00 mm面積。 使用實例13之RFID系統 使用以Gen 2協議操作之ALN-9654標籤來製造使用實例 13之RFID標籤系統。藉由標籤頂部上之細膠帶條將標籤在 隔離體上固持就位。在消聲室中毗鄰箔膠帶（11 83膠帶）以 9〇2_928 MHz讀取標籤。將隔離體/標籤構造定中心於75 mmxl25 mm 1183膠帶箔表面之中部，其中羰基鐵區段抵 靠RFID標籤。將標籤置於距離由SAMSys MP9320 2.8 UHF RFID讀取器驅動之傳輸/接收天線0.80米處。在920-928 MHz光譜中測定獲得標籤反應所需之最小功率並取4次單 獨掃描之平均值。 在隔離體構造之總厚度為1.04 mm之情形下，羰基鐵區 段之等效厚度為0.97 mm，且空氣區段之等效厚度為0.07 mm。在整個光譜中成功讀取標籤/隔離體/箔膠帶構造，其 159995.doc •31 201225833 中SAMSys讀取器之平均最小功率為19.5 dBm。 實例14 實例14之製備 在160°C下於Brabender分批混合器中將94.2重量％EW-I 級幾基鐵粉末（BASF, www.inorganics.basf.com)與以商標 ADFLEX V 109 F (Lyondell Basell, www.alastian.com )獲 得之聚烯烴摻和，然後壓製成平片。利用與實例13中所用 之彼等鎳模具相同之兩個鎳模具將平片壓製成在兩側上包 括微結構化四面體凸出的隔離體。此構造之總厚度為0.69 mm。將此隔離體休整至25x100 mm面積。 使用實例14之RFID系統 使用以Gen 2協議操作之ALN-9654標籤來製造使用實例 14之RFID標籤系統。藉由標籤頂部上之小膠帶條將標籤在 隔離體上固持就位。在消聲室中毗鄰箔膠帶（11 83膠帶）以 902-928 MHz讀取標籤。將隔離體/標籤構造定中心於75 mmxl25 mm箔膠帶之中部，其中羰基鐵區段抵靠RFID標 籤。將標籤置於距離由SAMSys MP9320 2.8 UHF RFID讀 取器驅動之傳輸/接收天線0.80米處。在920-928 MHz光譜 中測定獲得標籤反應所需之最小功率並取4次單獨掃描之 平均值。 在隔離體構造之總厚度為0.69 mm之情形下，羰基鐵區 段之等效厚度為0.56 mm，且每一侧上空氣區段之等效厚 度為0.07 mm。在整個光譜中成功讀取標籤/隔離體/箔膠帶 構造，其中SAMSys讀取器之平均最小功率為20.3 dBm。 159995.doc -32- 201225833 儘管本文出於間述較佳實施例之目的闡釋及闡述且 施例，但彼等熟習此項技術者應瞭解’可使用許多種 及/或等價之實施方案來替換所顯示及闡述之且 例，此並不背離本發明之範圍。本申請案意欲涵蓋本包 淪述之較佳實施例之任何修改形式或變化形式。因 而易見，本發明意在僅由申奎 惶田甲喷專利乾圍及其等效内容限 制。 Ο 〇 【圖式簡單說明】 圖1繪示本發明電磁波隔離體之實施例。 圖2a-爾示使用兩種或更多種材料製得之本發明電磁波 隔離體之實施例的不同示意性橫截面。 圖3繪示本發明電磁波隔離體之實施例。 圖4繪示具有不對稱階躍錐體微結構化特徵之本發明電 磁波隔離體的實施例。 圖5繪示具有拋物面微結構化 再化特徵之本發明電磁波隔離 體之實施例的示意性橫截面。 圖6繪示本發明電磁波隔離體 M之實細•例的俯視圖及側視 圖。 圖7繪示具有四面體微結構化特徵之本發明電磁波隔離 體的實施例。 圖8繪不具有圓枉微結構化輯料 特徵之本發明電磁波隔離體 的貫施例。 圖9繪示具有雙模態微結構化 化特徵之本發明電磁波隔離 體之實施例的示意性橫截面。 159995.doc -33 - 201225833 圖10繪示包含本發明電磁波隔離體之RFID標鐵系統之 實施例。 圖11繪示比較本發明隔離體及對比物件之严 予及對其讀敢 範圍的圖力。 貝取 圖1 2繪示比較本發明隔離體及對比物 範圍的圖式。 之厚度斜其讀取 【主要元件符號說明】 10 RFID標籤 12 隔離體 14 區段 16 區段 18 擬標記物件 159995.doc -34-