TW201041202A - Organic Zener diode, electronic circuit, and method for operating an organic Zener diode - Google Patents
Organic Zener diode, electronic circuit, and method for operating an organic Zener diode Download PDFInfo
- Publication number
- TW201041202A TW201041202A TW099107233A TW99107233A TW201041202A TW 201041202 A TW201041202 A TW 201041202A TW 099107233 A TW099107233 A TW 099107233A TW 99107233 A TW99107233 A TW 99107233A TW 201041202 A TW201041202 A TW 201041202A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- zener diode
- conductive
- electrode side
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 194
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 25
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract 5
- 239000000306 component Substances 0.000 description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 6
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- -1 electrodes Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PONZBUKBFVIXOD-UHFFFAOYSA-N 9,10-dicarbamoylperylene-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=N)C2=C1C3=CC=C2C(=N)O PONZBUKBFVIXOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229960005181 morphine Drugs 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- CWLKTJOTWITYSI-UHFFFAOYSA-N 1-fluoronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(F)=CC=CC2=C1 CWLKTJOTWITYSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrooxadiazole Chemical compound N1NC=CO1 VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGPCQAYZHNVEPD-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-1h-indole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=CC2=CC=CC=C2N1 VGPCQAYZHNVEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 3,4,6,7,8,9-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN2CCCNC2=N1 FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000287107 Passer Species 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCSIDJZYFNHOQX-UHFFFAOYSA-N [N-]=[N+]=[N-].C1=CC=CC2=CC=CC=C12 Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].C1=CC=CC2=CC=CC=C12 HCSIDJZYFNHOQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- BOXSCYUXSBYGRD-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 BOXSCYUXSBYGRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004401 flow injection analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000029052 metamorphosis Effects 0.000 description 1
- PQIOSYKVBBWRRI-UHFFFAOYSA-N methylphosphonyl difluoride Chemical group CP(F)(F)=O PQIOSYKVBBWRRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/20—Organic diodes
- H10K10/26—Diodes comprising organic-organic junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
201041202 ' 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明係一種有機齊納二極體、一種電子電路及操作有 機齊納二極體之方法。 【先前技術】 [0002] 微電子的發展趨勢是將結構愈來愈小但數量愈來愈多的 〇 凡件放在一定的面積内。這個趨勢在數據儲存設備的發 展上也看得到’那就是數據儲存設備的容量變得愈來愈 大。由於物理上和經濟上的原因，典型的矽半導體技術 即將面臨其極限’因而無法繼續朝微縮化的方向方發展 。以目前技術ΐ作的元件結構大小輿數十奈米。因此業 Ύ «：， i"；·. ‘ 界亟需能夠將整個元件的結構大小舞•步縮小到數奈米 的新方法及新材料。 此外’業界對於最好能夠置於軟性基材上並提供各種不 同功能的新型低價電子元件的需求也愈來愈大。例如智 慧型門票、價格極低廉的轉發器襟籤、或是能夠植入衣 〇 物内的電子元件。這些應用也都需要儲存元件的配合。 因此以結晶半導體為基礎的微電子技術僅能提供有限的 功能。 099107233 被動式記憶體的優點是結構簡單，而且易於被整合到3D 方案中。電阻式記憶體，也就是能夠接受不同電阻及儲 存資料的記憶體，由於其尺寸能夠縮小到分子等級，因 此在未來的大容量儲存器中被寄予厚望。由於交錯技術 能夠提供簡單的結構，因此這種元件能夠以很低的成本 被製造及3D整合。這種結構的一個缺點是在編輯程式及/ 或消除個別元件時會串話在相鄰的記憶單元上。為了防 表單編號Α0101 第3頁/共33頁 0993196346-0 201041202 止串話及獲得更大的記憶體陣列，需要額外的主動及被 動元件。一種可此性疋讓每—個記憶單元都與一個齊納 一極體連接。這樣就可以透過明顯的非線性特徵曲線防 止串話。在典型的矽技術中，齊納二極體是一種被廣泛 使用且構造簡單的元件，其作用是穩壓及保護重要部件 免於被破壞。齊納二極體在通流方向上的表現和一般二 極體相同，但是在阻擋方向上其電阻會自一特定的電壓（ 也就是崩潰電壓）起突然降到很低。可以經由改變電子導 通層及/或電洞導通層的摻雜，及因此而造成的阻播層寬 度改變，調整崩潰惠聲’調整範園在3V至loov之間。目 前齊納二極體也被應用在被動矩陣記憶體。由於理論上 這種交錯型記憶體的尺寸可以縮小到分子等級，因此碎 技術在此很快就會到達其極限。 因此之故全世界都在極力找尋能夠取代典型的矽技術的 替代方法及材料。 有機電子技術被寄予厚望可以取代以矽為基礎的電子技 術。有機電子技術的優點包括製程較為簡單，例如可在 較低的溫度中壓印樂蒸鍵、能夠在彈性基材上工作、以 及多樣化的分子材料。 有機電子技術最常見的應用是有機發光二極體（〇Led)。 0LED僅經過相當短的發展時間就已經被應用於許多電子 器具。現今0LED在實驗室中達到的效能記錄值幾乎沒有 任何一種其他的光源能夠達到。0LED的發展顯示有機電 子技術具有很大的潛力。但是完整的有機電子產品除了 有機發光二極體外，還需要結合有機電晶體、有機記憶 體、以及其他的元件，才能使其低製造成本的優勢獲得 099107233 表單编號Α0101 第4頁/共33頁 0993196346-0 201041202 充分的發揮，而衫將其他典型外術的產品與有機電 子技術的產品結合在-起。除了有機電晶體外，有機太 陽能電池是另外一個全球都在研究的技術。雖然目前有 機太陽能電池的發電效率仍比不上傳統太陽能電池，作 由於其製程較簡單，因此相對於石夕太陽能電池具有巨大 的低成本潛力。由於元件的數量愈來愈多，因此有機電 子產品内也需要有能夠保護核心部件不受外在因素干擾 的元件。此外穩壓及過壓保護也扮演重要的角色。 目前已有多種由一或多個有機層構成的有機薄膜齊納二 極體被提出。US 2004/0051096 A1揭示了不同的有機 薄膜齊納二極殲◊這個專利提出的二極體是將最多三層 由不同材料製成的有機層置於兩個電極之間β透過所選 擇的有機材料可以調整這種二極體的齊納電壓，例如選 擇電子電導（η型導電>或電洞電導（ρ型導電）的材料。也 可以經由改變有機材料的層順序，改變齊納電壓。此外 ，這個專利也板到不同的電，極也會造成不同的齊納電 壓。經由適當的材料選擇，可以實現〇. IV至7V的齊納電 1 壓。如果需要一個特定的齊納電壓，則可以透過有機材 料、電極、以及有機層結構的適當組合達到目的。但這 樣做的一大缺點是同時也會改變正向上的電流-電壓特徵 曲線°應盡可能使不同的齊納電壓在正向上有同類的二 極體反應。另夕卜一個缺點是，只能利用特定的電極材料 及組成才能達到狀的齊納電壓。這對於齊納二極體的 設計自由度會造成很大的限制。 上述之齊納二杨體的另外—個問題是電極及有機材料之 間不良的電接_特性。載流子的注人會因為有機層及金 0993196346-0 099107233 細號Α〇101 第5頁/共33頁 201041202 屬觸點之間的交界面對電子及電洞的強力阻擋而受到阻 礙。 最後一點是，未摻雜的有機層内的導電對層厚度極端敏 感（在歐姆注入的前提下呈現立方相關：M.A. Lampert et. a 1, Current injection in solids, Academ-ic，New York，1 970)。因此US 2004/0051 096 A1 揭 示的有機薄膜齊納二極體的製程及品質均不穩定。 【發明内容】 [0003] 本發明的目的是提出一種改良的齊納二極體，此種齊納 二極體具有結構簡單及對崩潰電壓有更好的反應的優點 。這種齊納二極體還要有穩定及可重複發生的反應，同 時要能夠在不改變正向特徵曲線的情況下調整崩潰電壓 〇 採用申請專利範圍第1項（獨立申請專利項目）有有機齊納 二極體即可達到上述目的。此外，本發明還包括申請專 利範圍第13項（獨立申請項目）的電子電路，及申請專利 範圍第14項（獨立申請項目）的操作有機齊納二極體的方 法。附屬申請專利項目之内容均為本發明的有利的實施 方式。 透過改變中間層的厚度很容易就可以調整有機齊納二極 體的逆向崩潰電壓。另外也可以透過改變電洞導通載流 子輸送層的摻雜濃度及/或電子導通載流子輸送層的摻雜 濃度，達到調整逆向崩潰電壓的目的。調整逆向崩潰電 壓不會對二極體的正向反應造成任何影響。這樣就可以 用很容易且具有可重現性的方式製造出具有不同的崩潰 099107233 電壓的有機齊納二極體。 表單編號A0101 第6頁/共33頁 0993196346-0 相較於.先前技術，本發明的主要優點是，可以利用一般 的製造方法以很低的成本製造出這種半導體元件。不像 僅由一個有機層及兩個電極構成的有機齊納二極體的正 向特徵曲線很難控制，本發明的有機齊納二極體在正向 及逆向上都具有易於控制、穩定、以及可重複出現的崩 潰反應。 載流子注入層及中間層可以含有無機材料β 本發明的一種有利的改良方式是’ η型摻雜物及/或ρ型摻 雜物是一種分子摻雜物。由於有機齊柄二極體的工作區 的密流密度相當大’因此摻雜離子或摻雜分子可能會擴 ..... . ... ... :. 散。由於尺寸的關係，分子摻雜物的擴散機率遠小於離 子的擴散機率。因此可以在很爲的電—壓;及很高的溫度下 操作元件。 以有機材料進行摻雜，可以使用”高能隙，，材料。使用 這種具有高能隙的材料可以製造出透明的元件。透明元 件的優點是既不會吸收也不會發出可見光。因此透明元 件可以用間接方式與OLED顯示器組合在一起。
例如ΕΡ 1 988 587有揭示這類有機摻雜物《最好是使用 其掺雜範例1至9的摻雜物。US 2005/01 3981 0有揭示其 他適當的ρ型摻雜物。US 2005/0061 231、WO 2005/086251、EP 1 837 926、以及EP 837 927均有 揭示適當的η型摻雜物。EP 1 988 587有揭示適當的電 洞輸送材料（一種ρ型摻雜並可輸送電洞的ΗΤΜ半導體）。 BPhen、BCP或其他的啡啉衍生物、Alq3、C60、PTCBI 、PTCDI、TCNQ、PBD、OXD、TAZ、TPOB、BAlq等都是 適當的電子輸送材料（一種η型摻雜並可輸送電子的ΗΤΜ半 表單編號Α0101 第7頁/共33頁 099Σ 201041202 導體）的例子。 根據本發明的一種有利的實施方式，導電未摻雜的有機 中間層具有單極載流子輸送特性，因此以電子形式移動 之載流子和以電洞形式移動之載子的移動性是不同的。 一種有利的方式是I μΐι/με丨或丨ue/uh |大於1 0，或最好 是大於1 000。 根據本發明的一種有利的實施方式，導電未摻雜的有機 中間層具有雙極載流子輸送特性，因此以電子形式移動 之載流子和以電洞形式移動之載流子的移動性基本上是 一樣的。為了使陡峭上升的正向特徵曲線能夠同時具有 很低的電壓，中間層最好是以一種雙極材料，以確保在 正向上電子及電洞都可以參與載流子輸送，以便在很小 的電壓下就可以達到大的電流。 本發明的一種有利的改良方式是，導電未摻雜的有機中 間層含有一種有機材料，或完全是由這種有機材料製成 〇 根據本發明的一種有利的實施方式，導電未摻雜的有機 中間層含有數種有機材料，或是完全是由這數種有機材 料製成。 根據本發明的一種有利的改良方式，電極側的導電η型摻 雜載流子注入層含有有機基質材料及有機η型摻雜物，其 中摻雜物與基質材料的比例至少是lmol/%，同時相對電 極側的導電P型摻雜載流子注入層含有有機基質材料及有 機p型摻雜物，其中摻雜物與基質材料的比例至少是 lmol/%。根據本發明的一種有利的實施方式，摻雜層的 摻雜濃度至少是2mo/%，或最好是至少達到4mol/%。 099107233 表單編號A0101 第8頁/共33頁 0993196346-0 201041202 根栖本發明的一種有利的改良方式，電極側及相對電極 侧的載流子注入層都是經由金屬離子被導電摻雜。 根據本發明的一種有利的實施方式，有機基質材料和另 外一種有機基質材料是相同的，同時導電未摻雜的有機 中間層含有相同的有機基質材料。本發明的一種實施方 式是以注入層的材料作為基質材料，而且是η型摻雜或p 型摻雜的，而中間層使用的則是這種材料的未摻雜的固 有形式。這種組合稱為”均勻注入”。 根據本發明的一種有利的實施方式，導電未摻雜的有機 中間層的厚度大約在1Α至lOOnm之間，或最好是在大約 lnm至10nm之間。 根據本發明的一種改良方式，以下的層中至少有一個層 含有至少一種無機材料：電極侧的導電摻雜η型載流子注 入層、相對電極側的導電摻雜Ρ型載流子注入層、以及導 電未摻雜的有機中間層。 根據本發明的一種有利的實施方式，至少有一個有機層 ，也就是電極側的導電摻雜η型載流子注入層、相對電極 侧的導電摻雜ρ型載流子注入層、以及導電未摻雜的有機 中間層中的至少一個有層，含有下列有機材料中的至少 一種有機材料：募聚物材料及聚合物材料。 小的能勢壘應小於0. 5eV，或最好是OeV。能勢壘是指以 正常的二極體運轉方式使用元件時，從載流子注入層將 載流子注入中間層的勢壘。最好是使用小的能勢壘，以 獲得盡可能小的截止電壓及陡峭的特徵曲線。 位於兩個電極之間的層被稱為作用層。作用層可以含有 有機材料，尤其是含有在半導體領域中被稱為”小分子 099107233 表單編號A0101 第9頁/共33頁 0993196346-0 201041202 (small molecules)的材料。作用層也可以含有寡聚 物。作用層也可以含有聚合物。 最好是以下列方法中的任一種方法形成層，也就是形成 電極' 注入層、半導體層及/或中間層： 真空蒸發：這是製造很薄的層的一種常用的方法。一般 是經由加熱蒸發或PVD(物理氣相沉積）等方法形成有機層 。可以用加熱蒸發、藏鑛、雷射燒钱、喷塗、裂解、 CVD(化學氣相沉積）、或其他的方法形成無機層。這些方 法不一定必須在真空中進行，而是也可以在有保護氣體 的環境中進行。 濕化學法或從溶液中沉澱形成：.例如”旋轉塗佈，，、” 狹縫塗佈”、，’壓印塗佈，’、印涮（喷墨印刷）、或其他 類似方法。 “有機氣相沉積法” ：EP 1 780 81 6 A1(參見[〇〇11] 至[〇〇13])有關於以這種方法形成混合層的說明。Ep i 780 816 A1(參見[0017]至【〇〇19])有關於以這種方法 形成摻雜層的說明。 層是沉積在基材上’或是沉積在已沉積在基材上的層上 除了承載功能外，基材也可以具有其他的功能 。例如 基材可以具有導電性，以及作為二極體的電極。 以下將逐-朗本發明的其他有利的實施方式。 可以在電流擊穿的情沉下逆向操作有機二極體，這樣電 流就會流過二極體，其中位於兩個導電電接點之間的二 極體具有：-個導電n型摻雜有機半導體層、一個導電未 摻雜有機半導髏層、以及一個導電P型推雜有機半導體層 〇 099107233 表單編號A0101 第10頁/共33頁 0993196346-0 201041202 可以在電流擊穿的情況下逆向操作有機二極體，這樣電 流就會流過二極體，其中位於兩個導電電接點（電極）之 間的二極體具有按以下順序排列的層：一個導電η型摻雜 有機半導體層、一個導電未摻雜有機半導體層、以及一 個導電Ρ型摻雜有機半導體層。 一種操作有機半導體元件的方法，尤其是一種操作有機 齊納二極體的方法，其中該有機齊納二極體具有一個電 極、一個相對電極、以及一個位於電極及相對電極之間 並形成電接觸的有機層序列，其中該有機層序列具有以 下的有機層：一個電極侧的載流子注入層、一個相對電 極侧的載流子注入層、以及一個位於此二者之間的中間 層區，此種操作方法是以下列方式為位於後面的元件形 成一保護狀態：接通一不大於齊納二極體之崩潰電壓的 電壓，並利用有機齊納二極體將此接通電壓產生的電流 引出。 有機齊納二極體最好是與一記憶體元件一併使用。 此外，本發明還包括一種有機電子半導體元件，此種元 件具有一個電極、一個相對電極、以及一個位於電極及 相對電極之間並形成電接觸的有機層序列。這個有機層 序列具有以下的有機層：一個電極侧的載流子注入層、 一個相對電極侧的載流子注入層、以及一個位於此二者 之間且具有一中間層的層區。 電極及相對電極最好是以導電性很好的材料製成，例如 金屬。也可以使用非金屬電極材料，但前提是這種材料 要具備一定程度的導電性。以下是具有良好導電性之非 金屬材料的例子：高導電性的氧化物（例如、Sn0、 099107233 表單編號A0101 第11頁/共33頁 0993196346-0 201041202
In:Sn0(IT0)、F:SnO、ZnO)、高摻- ^ 门谬雜的無機及有機半 導體（例如a-Si、C-Si)、氮化物、聚合物。 根據另外一種實施方式，中間層是由 3有兩種不同的有 機材料的混合層構成，而且最好是& „ 取収其中-'種材料用來輸 k電子，另外一種材料用來輸送電洞。 村利用以低能隙材料製成之中間層達到在正向上形成 南電流及低電壓的要求。在這種情況下電子及電洞不 需克服任何可能阻止載好輸送的能量勢壘。銦此只需 較小的電壓即可達到較大的電流。 電極侧及相對電極_ _子_騎_務是以高效率 將電子或電洞（空穴電子）形式的載流子注人有機層序列 ，並以電損耗很小的方式輸送這些電子或電洞。 有機掺料的摻雜已有許多已知的實施方式。可以形成η型 摻雜有機材料或ρ型摻雜有機材料。，推雜物通常是指 HOMO(最尚被佔用分子軌道）能級小於4 5eV、小於 2.8eV、或最好是小於2.6eV的分子或中性㈣基。可以 利用氧化電位的__量測定換_料聊嶋級。 另外-_定_GI㈣方敍取施主的—種鹽類的 施主陽離子的還原電位》施主對Fc/Fc + (二茂鐵/ Ferrocenium氧化還原對）的氧化電位應小於或等於_ 1. 5eV、小於或等於-2. OeV、或最好是小於或等於- 2. 2eV。η型摻雜材料的分子量應在i〇〇g/m〇i呈 2〇〇〇g/m〇l之間、或最好是在2〇〇g/mol至l〇〇〇S/m〇1之 間 濃度在1 :100〇(受主分子：基材分子）及1 :2之間 及1:5之間、或最好是在ι:ι〇〇至1:1〇之間 表單编號Α0101 第12頁/共33頁 。根據一種有利的實施方式，導電n型摻雜的莫荨摻雜 奋 Αΐ:100ΠΓ 吞士 工、31.9夕 、ι:ι〇〇 099107233 099319( 201041202 如DE 103 07 125所述，在製作有機層或是接下來的層 形成過程中才會由先驅物形成施主。在這種情況下，前 面&及的施主的HOMO能級是以由此形成的產物為準。也 可以用其他的方式摻雜有機材料。例如以逸出功較小的 金屬進行有機材料的Co蒸鑛。例如鐘及絶均適用於η型摻 雜。 ρ型榜雜物通常是指LUM0(最低未被佔用分子軌道）能級小 於4. 5eV、小於4. 8eV、或最好是小於5. 〇4Εν的分子或 中性游離基。可以利用還原電位的環伏安測量測定ρ型摻 雜之受主的LUM0能級受主對Fc/Fc+的還原電位至少是 -0. 3eV、至少是-〇. 0ev、彝最母是至少是0 24eV。受 (ε 主的分子量應在l〇〇g/m〇l至^OOOg/ibi之間、在 200g/mol至1000g/m〇i之簡、或'最好是在300g/mol至 2000g/mol之間。根據一種有利的實施方式，p型摻雜的 莫耳摻雜濃度在1: 1〇〇(受主分子：基材分子）及1:2之間 、1:100及1 : 5之間、或最许:是在:1: 1〇〇至1:10之間。受 主可以在製作有機層或是接下:東命層形成過程中才由先 驅物形成。在這種情況下，前面5提友的受主的LUM0能級 是以由此形成的產物為準。 DE 1 03 478 56 B8、EP1 837 926 B1、US6908783 B1均有提及這種材料。此外，也可以用鉋、鋰或其他金 屬作為η塑摻雜金屬。也可以用氧化物作為ρ型摻雜物， 例如五氧化钒（V2〇2)或氧化|a(M〇2〇3)。 一種有利的實施方式是將齊納二極體用於閉環電路，以 產生電壓基準。 另外一種有利的實施方式是將齊納二極體與其他的有機 099107233 表單编號 Α0101 第 13 頁/共 33 頁 0993196346-0 201041202 元件或無機元件合併使用。 【實施方式】 [0004] 第1圖顯示一有機齊納二極體之層序列的示意圖。在電極 (1)及相對電極（2 )之間設有一個電極侧的載流子注入層 (3)、一個相對電極側的載流子注入層（4)、以及一個位 於載流子注入層之間的中間層（5)。 第2圖顯示一理想之齊納二極體的電流—電壓特徵曲線圖 ，ud是正向導通電壓，uz是崩潰電屢。
第3圖顯示一有機齊納二極體之層序列的示意圖。在電極 (21)及相對電極（25 )之間設有一個電極側的載流子注入 層（22)、一個相對電極侧的截流子注入層（24)、以及一 個位於载流子注入層之間的輸送層（23)。中間層的厚度 (X)是可以改變的。 " : 為了使元件能夠可靠的運轉，一種有利#作法是所使用 的有機材料均為高純度的有機材料，例如可以在真空中 利用梯度昇華法獲得高純度时機材I這樣就可以避
免因所謂的陷阱狀態可能出現的洩漏電流。經過昇華淨 化的有機材料對於產生正輕可再現的崩潰行為是很有 利的。 第一個實施例的構造如下： (21.1)陽極：銦錫氧化物（IT〇) (22. 1)電洞注入層：5〇nm 2’2 ，7’7 -四（n，n-二-對亞甲基苯胺基卜9,9，_螺 、--氟與4%之2-2’ -(全氟萘_2, 二亞基卜二丙二氰摻 雜 099107233 (23.1)中間層混合層：5nm TCTA:TPBi 表單編號A0101 第14頁/共33頁 0993196346-0 201041202 (24.1)電子注入層：5〇nin BPhen摻雜铯 (25. 1)陰極：i〇〇nm銘 所有的層都是以真空蒸鍍法形成。原則上也可以用其他 的方法形成所有的層，例如離心塗佈法、刮板塗佈法、 有機氣相沉積法、或是自行匯集法。中間層是由含有η型 導電有機材料及ρ型導電有機材料的混合層構成。在本實 施例中混合比例為1 : 1。 第4圖顯示如第3圖之有機電子元件的電流_電壓特徵曲線 。輸送層的厚度X為5ηη^當接通一正電壓至陽極（正向） ，此元件會產生典型的二極體反應。當接通一負電壓至 陽極（逆向）’自電壓uz起，電流會明顯變大。通常在基 準電流約相當於最大容許反向電流的1%至5%時會測得 崩潰電壓。 〇 崩潰區的差電阻是齊納二極體的一個重要參數。差電阻 愈小，特徵曲線在齊納二極體的崩潰區的斜度就愈陡， 因此可以獲得較佳的電壓穩走性。提高摻雜物對基質的 分子比例，可以使這個在逆向>'的差電壓變小。如果選 擇較高的摻雜濃度，就會有較.多的自由载流子可用於輸 送電流，因此導電性會提高。這種現象在逆向上尤其明 顯’因為在正向上自-敎的摻雜濃度起，對輸送電流 造成限制的就不再是導電性，而是臨界面的阻障。因此 可以將第4圖的元件（尤其是注入層的摻雜比例）進一步優 化’以符合各種不同的要求。 為了進-步改善S件在逆向上的反應，可以縮小元件的 面積。這樣做會使電容效應變小。3外_種可能性是使 099107233 0993196346-0 差電阻變小’以改善元件特性，例如可以用金取代ιτ〇作 表單編號Α0101 第15頁/共33頁 201041202 為陽極材料。ΙΤ0具有相當高的並聯電阻，而且這個並聯 電阻也會匯入差電阻，因為這個並聯電阻是與作用層串 聯。如果使這個並聯電阻變小，整個元件的差電阻就會 變小。 陽極侧的電洞輸送層（22)是以2,2，，7,7,-四（Ν，Ν-二 -對亞甲基苯胺基）-9,9，-螺結二氟製成。所使用的分子 摻雜物是2-2’ -(全氟萘_2,6_二亞基）_二丙二氰。也可 以用F4-TCNQ取代本實施例使用的2 2’，7 7，一四 (Ν，Ν-二-對亞甲基苯胺基）_9,9，_螺結二氟及2_2( 王氟萘-2，6-—亞基两二氰、 如第1圖之有機齊納二極體的第二個實施例的構造如下： (21.2) 陽極：銦錫氧化物(jτο) ν (2 2. 2 )電洞注入層：5 〇 n m 2,2’，7’r -四（N，N-二-對亞甲基笨胺基）一9,9，-螺 參 結二氟與4%之2-2，-(全氟萘—2, 6-二亞基）-二丙二氰摻 雜 (23.2) 中間層混合層:1〇nin TCTAs:fpBi (24·2)電子注入每：5〇nin BPheti摻雜絶 (25.2) 陰極.lOOnm銘 第5圖顯示如第1圖及第3圖之有機電子元件的電流_電壓 特徵曲線。輸送層的厚度xa10nm。元件在正向上會產生 典型的二極鱧反應。相較於中間層厚度為5nm的實施例， 本實施例會產生一明顯過大的負電壓偏移的逆向特徵曲 線。 第6圖顯示如第1圖及第3圖之有機齊納二極體的數個電流 -電壓特徵曲線。中間層的厚度x在5ηιη至8nm之間變化。 099107233 表單编號A0101 第16頁/共33頁 0993196346-0 201041202 崩潰電壓會偏移3V ^ 如第1圖之有機齊納二極體的第三個實施例的構造如下： (21. 3)陽極··銦錫氧化物（IT0) (22.3)電洞注入層：5〇nm
Meo-TPD4%與之2-2’ -(全氟萘-2,6-二亞基）- 二丙二氰 摻雜 (23.3)中間層混合層：10nmBalq:NPB (24.3)電子注入層：5〇nm BPhen換雜絶 ❹ (25. 3)陰極：i〇〇nm|g 第7圖顯示如第！圖之有機齊納二極體的電流-電.壓特徵曲 線。輸送層的厚度又為卩!!!!！。元件在正向上會產生典型的 二極體反應。在逆向上當達到—特定電壓ϋ時，電流 會以指數方式升高。 t 如第1圖之有機齊納二極體的第四個實施例的構造如下： (21.4) 陽極：銦錫氧化物（IT〇) (22.4) 電洞注入層：5〇nnj1: sUa
RE68 與 4% 之 2-2’ 雜 -(全氟萘-2, 6-土亞基）- 一丙二氰摻 (23.4) 中間層混合層：5nmRE68 (24.4) 電子注入層：5〇nin BPhen RE68與4%之四（1，3, 4, 6, 7, 8_六氫_2H—嘧啶并 [1，2-a]-嘧啶）二鎢（11)摻雜 (2 5 · 4 )陰極：1 〇 〇 n jjj 銘 099107233 這個實施例的有機齊納二極體與前面之實施例的區別是 ’陰極側的注人層麟雜材料製成，中間層是由疋 有形式之相同材料製成’以及陽極側的注 :: 表單編號A0101 修 固 第口頁/共33頁 0993196346-0 201041202 雜材料製成。第8圖顯示這個實施例的電流-電壓特徵曲 線。同樣的，這個實施例也可以經由改變固有中間層的 厚度使逆向特徵曲線偏移。 第9圖顯示元件之第四個實施例的電流-電壓特徵曲線， 尤中該元件之固有中間層的厚度為7nm。從圖中可看到不 同摻雜濃度之電洞輸送注入層的特徵曲線。 第1 0圖顯示元件之第四個實施例的電流-電壓特徵曲線， 其中該元件之固有中間層的厚度為7nm。從圖中可看到不 同摻雜濃度之電子輸送注入層的特徵曲線。 如第1圖之有機齊納二極體的第五個實施例的構造如下： (21.4) 陽極：銦錫氧化物（ΙΤ0) (22.4) 電洞注入層：50nm 並五苯與4%之2-2’ -（全氟萘-2, 6-二亞基）-二丙二氰摻 雜 (23. 4)中間層混合層：3Onm並五苯
(24.4) 電子注入層：50nm BPhen摻雜鉋 (25. 4)陰極：1 OOnmlS 這個實施例的有機齊納二極體與前面之實施例的區別是 ，陽極側的注入層是以p型摻雜有機低能隙材料製成。中 間層也是以相同的材料製成，但是中間層係固有形式。 陰極侧的載流子注入層是以一種摻雜金屬離子的有機高 能隙材料製成。同樣的，這個實施例也可以經由改變固 有中間層的厚度及經由改變注入層的摻雜使逆向特徵曲 線偏移。 第11圖顯示元件之第五個實施例的電流-電壓特徵曲線， 其中該元件之固有中間層的厚度為30nm。從圖中可看到 099107233 表單編號A0101 第18頁/共33頁 0993196346-0 201041202 中間層之厚度30nm之並五苯層的特徵曲線° 如第1圖之有機齊納二極體的第六個實施例的構造如下： (21.4) 陽極：銦錫氧化物（ΙΤ0) (22.4) 電洞注入層：50nm
Meo-TPD與4%之2-2’ -(全氟萘-2, 6-二亞基）-二丙二氰 摻雜
(23.4) 中間層混合層：8nm Balq或8nm NPB (24.4) 電子注入層：50nm BPhen摻雜鉋 (25. 4)陰極：1 〇〇nm鋁
這個實施例的有機舞納二極體與前面之實施例的區別是 ，固有有機中間層完全是以單極材料製成。同樣的，這 個實施例也可以經由改變固有中間層的厚度及經由改變 注入層的摻雜使逆向特徵曲線偏移。 第12圖顯示元件之第六個實施例的電流_電壓特徵曲線， 其中該元件之固有中間層的厚度為8nm。從圖中可看到厚 度8mn之中間層的電子輸送材料〜1(1及電洞輸送材料NpB 的特徵曲線。
前面提及之第一個實施例的最佳化方式亦適用於所有其 他的實施例。 載流子注人層或只是注人層：彻這種層將多數載流子 從位於一側的層傳送到另外一側的層。 能勢憂是-種當it件以正常二極體方式運轉時（正向）， 阻播從載流子注人層到中間層之載流子注人的勢叠。 099107233 寡聚物是-種由多個相同或類似之單元構成的分;。二 聚物、三聚物及最多含3Q個單元的較大分子均屬於寡聚 物。由超過30個相同或類似之單元構成的分子稱為聚合 0993196346-0 表單編號A0101 第19頁/共33頁 201041202 物。 正向及逆向是描述如何使用傳統之二極體常用的專業術 語。第4圖中的二極體是在正向上運轉，也就是以JE電壓 驅動二極體。如果是以負電壓驅動二極體，則二極體是 在逆向上運轉。 二極體在逆向上的電流崩潰是由電流開始流過二極體時 的負電壓區所定義，如第4圖中從-2. 5V起的負電壓區。 這也稱為齊納反應。 此處要指出的是，在齊納二極體運轉時，必須對逆向電 流加以限制，以免逆向電流過大導致二極體損壞。因此 一般二極體是正向運轉。 以下是關於前面使用之名詞的說明： ΙΤ0:氧化銦錫（“Indium Tin Oxide”） HMT :輸送電洞的p型摻雜半導體材料，也稱為電洞導體 〇 ETM :輸送電子的η型摻雜半導體材料，也稱為電子導體 〇
Bphen : 4, 7-二苯基-1, 10-啡琳 BCP : 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-啡琳（通常是作為 ETM)
Alq3:鋁-三（8-羥基氮萘）（通常是作為ETM) C60 :富勒烯C60(作為ETM) PTCBI : 3, 4, 9, 10-北四碳酸-二-苯并咪唑 PTCDI : 3, 4, 9, 10-北四碳酸二亞胺 TCNQ :四氰苯醌二曱烷 F4-TCNQ : 2, 3, 5, 6-四氟-7, 7,8,8_四氰苯醌二甲烷（ 099107233 表單編號A0101 第20頁/共33頁 0993196346-0 201041202 一種很強的有機受主’通常用於摻雜ΗΤΜ) PBD : 2-(4-聯苯基)_5_(對叔丁基苯基h uh OXD · 1，3-二[(對叔丁基）笨基_丨，3, 4腭二唑]笨 TAZ · 3-(二笨基_4_基）—4_笨基_5_(4_叔丁基苯基 )-1，2，4-三峻 ΤΡ0Β : 1，3, 5-三（4-叔丁基笨基-丨，3, 4_腭二唑基）笨 TCTA:4,4’，4’，_三（N-卡唑）_三苯胺 ΤΡΒΙ·2 ，2’ ’ -(1’3’5-苯基）三[卜苯基_11{_二曱苯 并咪唾] Ο ΝΡΒ. Ν，Ν -二（萘-卜基）-ν，ν，_㈣苯基聯笨胺 MeO_TPD:〇\j’N’N，，N’ _F(4-甲氧苯基)-聯笨胺） RE68 ··三（1-笨基異氮萘）銥（111) 陷阱狀態：電子在導帶（LUM0)中的一種足以將電子捉住 的很深的狀態。對電洞而言，陷阱狀態是指在價帶 (HOMO)中足以將電洞捉住的很高的狀態。 施主：η型摻雜物 ，, 受主：Ρ型摻雜物
基質分子：基質材料，基質分子，形成一個包含摻雜物 分子的層。 HOMO :最高被佔用分子軌道 LUM0 :最低未被佔用分子軌道 先驅物：先驅物質/首先經由變態被導人雜分子的物質 〇 尚能隙材料：材料的光學能帶間隙值使材料達到其 典型的能帶間隙值為大於^。 低能隙材料：材料的光學能帶間隙值使具 099107233 表單編號AG1G1 你 巧厚 0993196346-0 201041202 度的材料層達到基本上不透明的程度。典型的能帶間隙 值為小於稅等於2eV。 均勻接面：接面，通常是pn接面，兩個面（p及η)基本上 都是由相同的輸送材料構成。 齊納二極體：一種二極體，具有一相當小的逆向崩潰電 壓，且在正向上具有一很陡的特徵曲線。這種特性在導 通方向上和一般二極體相同，在逆向方向則自一特定電 壓起（也就是所謂的反向電壓或崩潰電壓）突然變成低歐 姆特性。 電洞注入層：一種層，在電子裝置中，接通正向電壓時 這種層的多數載流子為電洞，並能夠將電洞注入另外一 個層。 電子注入層：一種層，在電子裝置中，接通正向電壓時 這種層的多數載流子為電子，並能夠將電子注入另外一 個層。 “organic vapor phase deposition”' :有機氣相沉 積法 在本文之說明部分、申請專利項目及圖示中提及之本發 明的特徵可以單獨或以任意方式組合應用於本發明之各 種實施方式。 【圖式簡單說明】 [0005] 關於本發明之有利的實施方式的說明。 以下配合圖式及實施例對本發明的内容做進一步的說明 。其中： 第1圖：一有機齊納二極體之層序列的示意圖。 第2圖：一理想之齊納二極體的電流-電壓特徵曲線圖。 099107233 表單編號 A0101 第 22 頁/共 33 頁 0993196346-0 201041202 第3圖：如第2圖之有機齊納二極體（但具有可變之輸送層 )之層序列的示意圖。 第4圖：第一個實施例的電流—電壓特徵曲線圖，此實施 例具有一個以TCTA:TPBi(比例1:1)製成且厚度為5ηω的 中間層。 第5圖.第二個實施例的電流—電壓特徵曲線圖，此實施 例具有一個以TCTA:TPBI (比例1:1)製成且厚度為1〇nm 的中間層。
第6圖.如第1圖之有機齊納二極體的電流_電壓特徵曲線 圖’此有機齊納二極體具有數個以TCTA:TPBI (比例1:1) 製成且厚度各不相同的中間層。 第7圖：如第1圖之有機齊納二極體的電流_電壓特徵曲線 圖’此有機齊納二極體具有一個以Balq:NPB(比例1:1) 製成且厚度為5nm的中間層。
第8圖：如第1圖之有機齊納二極體的電流_電壓特徵曲線 圖’此有機齊納二極體具有一個以作為載，流子注入層之 基質相同之材料製成且厚度為5nm的固有中間層。 第9圖：如第1圖之有機齊納二極體鈞電流-電壓特徵曲線 圖’此有機齊納二極體具有一個以作為載流子注入層之 基質相同之材料製成且厚度為7nm的固有中間層，此圖顯 示的是不同摻雜濃度之傳導電洞之注入層的特徵曲線。 第10圖：如第1圖之有機齊納二極體的電流-電壓特徵曲 線圖，此有機齊納二極體具有一個以作為載流子注入層 之基質相同之材料製成且厚度為7nm的固有中間層，此圖 顯示的是不同摻雜濃度之傳導電子之注入層的電流-電壓 特徵曲線。 099107233 表單煸號A0101 第23頁/共33頁 0993196346-0 201041202 第1 1圖：如第1圖之有機齊納二極體的電流-電壓特徵曲 線圖，此有機齊納二極體具有由雙極”低能隙”材料並 五苯之單一分子構成之厚度為30nm之固有中間層。 第12圖：如第1圖之有機齊納二極體的電流-電壓特徵曲 線圖，此有機齊納二極體具有一個以單極材料Balq及NPB 製成且厚度為8nm的固有中間層。 【主要元件符號說明】 [0006] 1、21 電極 2 ' 25 3、4、22、24 5 23 相對電極 載流子注入層 中間層 輸送層 099107233 表單編號A0101 第24頁/共33頁 0993196346-0
Claims (1)
- 201041202 七 ◎ G 099107233 申請專利範圍： . 種有機齊納二極體，具有一個電極、一個相對電極、以 及一個位於電極及相對電極之間並形成電接觸的有機層序 歹】’其中有機層序列包括以下的有機層： —個電極側的導電η型摻雜載流子注入層，由一種有機基 質#料及—種η型摻雜物的混合物製成； 個相對電極側的導電Ρ型掺雜載流子注入層，由一種有 機基質材料及ρ型摻雜物的混合物製成，其中構成相對電 極側的導電ρ型摻雜栽流子注八層的有機基質材料和構成 ，極側的導電η型掺雜裁流子注入層的有機基質材料可以 疋相同的材料，也可以是不同的材料； 個未摻雜的導電有機中間層，位於電極側的 雜載户名β a mi務 ’v主入層及相對電極側的導電p型摻雜載流子注入 層之間。 如申請專利範圍第1項所述的齊納二極體，其特徵為：" 換雜物及/或ρ型摻雜物是一種备子摻雜物。 ’如申晴專利範圍第!項或第2項所述的齊納二極體 為因導導電未換雜的有機中間層具有單極載流子輪送^ 的電洞形式移動之栽子 •如申4補朗第第2補 為：導導電未摻雜料财闕具極ρ *其特徵 ，因此以電子形式移動之冑極載极子輸送特性 的移動性基本上是相同的/以電洞形式移動之載子 .如申請專利範圍第4項所述的齊納 蚀體，其特徵為：導 第25頁/共33頁 0993196346-0 201041202 電未摻雜的有機中間層含有一種有機材料，或完全是由這 種有機材料製成。 6 .如申請專利範圍第4項所述的齊納二極體，其特徵為：導 電未摻雜的有機中間層含有數種有機材料，或完全是由這 數種有機材料製成。 7 .如前述申請專利範圍中至少任一項所述的齊納二極體，其 特徵為： 電極側的導電η型摻雜載流子注入層含有有機基質材料及 有機η型摻雜物，其中摻雜物與基質材料的比例至少是 1 mo 1 / % ;以及 相對電極側的導電p型摻雜載流子注入層含有有機基質材 料及有機P型摻雜物，其中摻雜物與基質材料的比例至少 是1 mo 1/%。 4 .如前述申請專利範圍中至少任一項所述的齊納二極體，其 特徵為：電極侧及相對電極侧都是經由金屬被導電摻雜。 9 .如前述申請專利範圍中至少任一項所述的齊納二極體，其 特徵為：有機基質材料和另外一種有機基質材料是相同的 ，同時導電未摻雜的有機中間層含有相同的有機基質材料 〇 10 .如前述申請專利範圍中至少任一項所述的齊納二極體，其 特徵為：導電未摻雜的有機中間層的厚度大約在1A至 lOOnm之間，或最好是在大約lnm至10nm之間。 11 .如前述申請專利範圍中至少任一項所述的齊納二極體，其 特徵為：以下的層中至少有一個層含有至少一種無機材料 :電極側的導電摻雜η型載流子注入層、相對電極侧的導 電摻雜Ρ型載流子注入層、以及導電未摻雜的有機中間層 099107233 表單編號Α0101 第26頁/共33頁 0993196346-0 201041202 12 . 13 . Ο 14 . 如前述申請專利範圍中至少任一項所述的齊納二極體，其 特徵為：至少有一個有機層，也就是電極側的導電摻雜η 型載流子注入層、相對電極侧的導電摻雜Ρ型載流子注入 層、以及導電未摻雜的有機中間層中的至少一個有機層， 含有下列有機材料中的至少一種有機材料：募聚物材料及 聚合物材料。 一種電子電路配置，具有一個如前述申請專利範圍中至少 任一項的齊納二極體，以及一個與其組合的記憶體元件。 一種操作電子電路中如申請專利範圍第1項至第12項中至 少任一項之齊納二極體的方法，其特徵為：為電子電路中 位於有機齊納二極體之後的元件形成一保護狀態，此時接 通至電極及相對電極的電壓不得大於齊納二極體之崩潰電 壓，並利用有機齊納二極體將此接通電壓產生的電流引出 Ο 099107233 表單編號Α0101 第27頁/共33頁 0993196346-0
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009013685A DE102009013685B4 (de) | 2009-03-20 | 2009-03-20 | Verwendung einer organischen Diode als organische Zenerdiode und Verfahren zum Betreiben |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201041202A true TW201041202A (en) | 2010-11-16 |
| TWI550927B TWI550927B (zh) | 2016-09-21 |
Family
ID=42207950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW099107233A TWI550927B (zh) | 2009-03-20 | 2010-03-12 | Organic zener diodes, electronic circuits and methods for operating organic zener diodes |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20120075013A1 (zh) |
| JP (1) | JP5773977B2 (zh) |
| KR (1) | KR20140014356A (zh) |
| CN (1) | CN102388475B (zh) |
| DE (1) | DE102009013685B4 (zh) |
| TW (1) | TWI550927B (zh) |
| WO (1) | WO2010105615A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9293553B2 (en) * | 2011-03-10 | 2016-03-22 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Graphene electrodes for electronic devices |
| DE102011084363B4 (de) * | 2011-10-12 | 2022-12-22 | Pictiva Displays International Limited | Organische Leuchtdiode |
| KR102203774B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2021-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
| JP2017098393A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | ソニー株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法、固体撮像素子、電子機器、並びに太陽電池 |
| CN106521423A (zh) | 2016-11-28 | 2017-03-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板 |
| CN110456247B (zh) * | 2019-07-29 | 2021-08-13 | 云谷（固安）科技有限公司 | 测试器件及其测试方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093698A (en) * | 1991-02-12 | 1992-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device |
| GB2347013A (en) * | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
| DE10207859A1 (de) | 2002-02-20 | 2003-09-04 | Univ Dresden Tech | Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10209789A1 (de) * | 2002-02-28 | 2003-09-25 | Univ Dresden Tech | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
| DE50306683D1 (de) * | 2002-08-23 | 2007-04-12 | Polyic Gmbh & Co Kg | Organisches bauelement zum überspannungsschutz und dazugehörige schaltung |
| US7012276B2 (en) | 2002-09-17 | 2006-03-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Organic thin film Zener diodes |
| US6870183B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-03-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating |
| US6847047B2 (en) * | 2002-11-04 | 2005-01-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods that facilitate control of memory arrays utilizing zener diode-like devices |
| US7326477B2 (en) | 2003-09-23 | 2008-02-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel boules, wafers, and methods for fabricating same |
| US7655961B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-02-02 | Maxdem Incorporated | Organic diodes and materials |
| DE10347856B8 (de) | 2003-10-10 | 2006-10-19 | Colorado State University Research Foundation, Fort Collins | Halbleiterdotierung |
| DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Novaled Gmbh | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
| DE102004010954A1 (de) | 2004-03-03 | 2005-10-06 | Novaled Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil |
| WO2006015567A1 (de) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Novaled Ag | Schichtanordnung für ein lichtemittierendes bauelement |
| US7579631B2 (en) * | 2005-03-22 | 2009-08-25 | Spansion Llc | Variable breakdown characteristic diode |
| ATE381117T1 (de) * | 2005-04-13 | 2007-12-15 | Novaled Ag | Anordnung für eine organische leuchtdiode vom pin-typ und verfahren zum herstellen |
| EP1780816B1 (en) | 2005-11-01 | 2020-07-01 | Novaled GmbH | A method for producing an electronic device with a layer structure and an electronic device |
| DE502006000749D1 (de) | 2006-03-21 | 2008-06-19 | Novaled Ag | Heterocyclisches Radikal oder Diradikal, deren Dimere, Oligomere, Polymere, Dispiroverbindungen und Polycyclen, deren Verwendung, organisches halbleitendes Material sowie elektronisches Bauelement |
| EP1837927A1 (de) | 2006-03-22 | 2007-09-26 | Novaled AG | Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern |
| EP3076451B1 (de) | 2007-04-30 | 2019-03-06 | Novaled GmbH | Oxokohlenstoff, pseudooxokohlenstoff- und radialenverbindungen sowie deren verwendung |
-
2009
- 2009-03-20 DE DE102009013685A patent/DE102009013685B4/de active Active
-
2010
- 2010-03-12 TW TW099107233A patent/TWI550927B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-03-19 WO PCT/DE2010/000332 patent/WO2010105615A1/de active Application Filing
- 2010-03-19 JP JP2012500067A patent/JP5773977B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-19 US US13/257,459 patent/US20120075013A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-19 CN CN201080012966.7A patent/CN102388475B/zh active Active
- 2010-03-19 KR KR1020117024831A patent/KR20140014356A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-07-30 US US14/446,777 patent/US9306182B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102388475A (zh) | 2012-03-21 |
| TWI550927B (zh) | 2016-09-21 |
| JP2012521076A (ja) | 2012-09-10 |
| DE102009013685A1 (de) | 2010-09-23 |
| US20120075013A1 (en) | 2012-03-29 |
| DE102009013685B4 (de) | 2013-01-31 |
| KR20140014356A (ko) | 2014-02-06 |
| WO2010105615A8 (de) | 2011-12-08 |
| US9306182B2 (en) | 2016-04-05 |
| JP5773977B2 (ja) | 2015-09-02 |
| US20140340128A1 (en) | 2014-11-20 |
| WO2010105615A1 (de) | 2010-09-23 |
| CN102388475B (zh) | 2016-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Synergistic reinforcement of built‐in electric fields for highly efficient and stable perovskite photovoltaics | |
| Yook et al. | Highly efficient p‐i‐n and tandem organic light‐emitting devices using an air‐stable and low‐temperature‐evaporable metal azide as an n‐dopant | |
| CN101297018B (zh) | 有机电子器件 | |
| TWI264841B (en) | Light-emitting device and its manufacturing method | |
| JP2019061964A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法、及びエレクトロニクスデバイスの作製方法 | |
| US7675057B2 (en) | Photoactive component with organic layers | |
| CN101556988B (zh) | 一种具有非掺杂增益层的有机光电子器件及其制备方法 | |
| US20120025171A1 (en) | Electronic Component with at Least One Organic Layer Arrangement | |
| US9306182B2 (en) | Organic zener diode, electronic circuit, and method for operating an organic zener diode | |
| KR20090092114A (ko) | 초강산의 염을 포함하는 전자 주입층, 이를 포함하는광전변환 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 | |
| CN103238228A (zh) | 空穴注入层 | |
| Chiba et al. | Addition of lithium 8-quinolate into polyethylenimine electron-injection layer in OLEDs: Not only reducing driving voltage but also improving device lifetime | |
| EP2826081A1 (en) | Metal oxide charge transport material doped with organic molecules | |
| JP2010514174A (ja) | 少なくとも１つの有機層配列を有する電子素子 | |
| US8569743B2 (en) | Light-emitting component | |
| Ma et al. | Highly efficient tandem organic light-emitting diodes based on SubPc: C60 bulk heterojunction as charge generation layer | |
| CN102549794B (zh) | 有机光电子器件及其制造方法 | |
| TW200849581A (en) | Organic electronic memory component, memory component arrangement and method for operating an organic electronic memory component | |
| KR20150020706A (ko) | Pin형 유기 발광 다이오드 | |
| Tietze | Molecular doping processes in organic semiconductors investigated by photoelectron spectroscopy | |
| Gaur et al. | Improved Thermally Activated Delayed Fluorescence-Based Electroluminescent Devices Using Vacuum-Processed Carbazole-Based Self-Assembled Monolayers | |
| JP2005123208A (ja) | 有機太陽電池 | |
| GB2528906A (en) | Organic light emitting devices and methods | |
| Park et al. | Solution processable ionic pin phosphorescent organic light-emitting diodes | |
| Kumar et al. | Improvement in the Efficiency of Organic Semiconductors via Molecular Doping for OLEDs Applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |