TW200929341A - Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus - Google Patents
Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TW200929341A TW200929341A TW097131432A TW97131432A TW200929341A TW 200929341 A TW200929341 A TW 200929341A TW 097131432 A TW097131432 A TW 097131432A TW 97131432 A TW97131432 A TW 97131432A TW 200929341 A TW200929341 A TW 200929341A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- hard mask
- opening
- producing
- sacrificial film
- region
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
200929341 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關係於一種生產半導體裝置的方法、固態攝像 裝置、生產電設備的方法及電設備。 【先前技術】 使用雜質擴散層的隔離法係爲在一例如C C D攝像裝 φ 置的固態攝像裝置中隔離一單元像素的技術。當一包含光 二極體的η型光感應器形成一單元像素時,晶格型厂型 雜質擴散層係被形成爲元件隔離區,使單元像素彼此隔離 開。此一元件隔離區係藉由透過離子佈植遮罩,在單元像 素間的離子佈植加以形成。 近年來,單元像素的大小已經降低。因此,爲了增加 光感應區,用以增加入射至每一光感應器上的光數量及增 加攝像裝置的靈敏度,有需要一深及窄的元件隔離區。 〇 某些量的離子佈植能量可能必要以將離子佈植於單元 像素間並形成一深元件隔離區。這增加了在離子佈植遮罩 (以下稱II遮罩)中的開口所需的深寬比。現行,具有想要 高深寬比的II遮罩結構可能無法藉由使用光阻作爲遮罩 材料加以取得。因此,典型使用RIE(離子反應蝕刻),加 以形成具有想要結構的Si02的II硬遮罩。 圖1A至1C爲在相關技術中,使用π硬遮罩,以生 產固態攝像裝置的方法的程序圖。此例子顯示在固態攝像 裝置中的元件隔離區的程序圖,其中元件隔離區係由離子 -4- 200929341 佈植加以形成。 首先,如圖1A所示,由電漿CVD(化學氣相沈積)的 SiN膜(以下稱P-SiN)、Si02膜22及阻劑遮罩22係被形 成在Si基材20的表面上,例如其上形成有n-型光感應 器。於此’被形成在Si基材20上的光感應器並未示出。 形成在Si基材20上的P-SiN膜21係被使用作爲停止 層,及Si02膜22係被使用作爲π硬遮罩。Si02膜22形 φ 成具有高深寬比的Π硬遮罩,因此具有例如5微米的厚 度。藉由圖案曝光及顯影,阻劑遮罩23係被形成具有狹 縫狀開口 25的圖案。於此,開口 25係被形成具有例如 0.5微米寬度。 再者’如圖1 B所示,S i Ο 2膜2 2係經由阻劑遮罩2 3 的開口 2 5加以蝕刻,以形成具有高深寬比的Π硬遮罩 26 〇 再者,如圖1C所示,例如p型雜質透過具有高深寬 ^ 比的11硬遮罩26而係被離子佈植入Si基材20並熱擴散 以形成元件隔離區24。因爲雜質係透過具有高深寬比的 II硬遮罩26離子佈植入Si基材20,所以,可以形成窄 及深P -型擴散區作爲元件隔離區24。 除了像素在大小上之降低需求外,元件隔離區也需要 變窄’並且因此,II硬遮罩開口也需要變窄至0.3微米或 更小。圖2A至2C顯示含具有例如20深寬比的π硬遮罩 的固態攝像裝置的示意架構圖。在圖2A至2C中,對應 於圖1的元件係以相同符號表示’其重覆說明係被省略。 -5- 200929341 在形成如圖1A至1 C所示之II硬遮罩26時,當深寬比到 達約20時’很難以RIE垂直處理Si〇2膜。在此時,II硬 遮罩26可能沒有如圖2A所示之理想垂直形狀,而是具 有如圖2B所示之錐形或彎曲形,離子佈植係依據開口形 狀的最寬寬度加以執行。因此,雜質擴散層的分佈係較圖 2B或2C所示之虛線所表示之想要分佈爲寬。因此,在固 態攝像裝置中’元件隔離區24變成較虛線所表示之想要 分佈區爲寬’而窄化了鄰近之光感應區(未示出),使得攝 像裝置對入射光的靈敏度被降低。 日本特開平9- 1 62 1 3 7揭示一種離子佈植法,包含藉 由迴焊以降低在遮罩圖案之開口的下緣上之開口的大小, 以控制離子佈植區的細微區域,然後,在想要位置佈植離 子。 【發明內容】 〇 然而’前述日本特開平9-162137的阻劑層所形成的 遮罩圖案具有1微米的開口寬度及1至2微米的厚度,並 具有低深寬比。因此,並未執行深離子佈植。 如上所述’當具有大厚度的硬遮罩被使用以執行深離 子佈植時’很困難準確地形成具有小開口寬度的遮罩圖 案’因此’可能無法完成想要的離子佈植入窄區域中。 針對上述問題點’吾人想要提供一種生產半導體裝置 的方法’該半導體裝置包含窄及深雜質區及包含該半導體 裝置的固態攝像裝置。再者,吾人想要提供一生產電設備 -6 - 200929341 的方法’該設備包含有窄及深雜質區及包含該窄及深雜質 區的電設備。 依據本發明之一實施例,其中提供有一生產一半導體 裝置的方法’及生產一電設備的方法。各個方法包含步 驟:在基材上’形成具有開口的第一硬遮罩;在第一硬遮 罩的開口的側面上,形成一犧牲膜;在該開口中形成第二 硬遮罩’具有犧牲膜在該側面上;在該第二硬遮罩形成 ❹ 後’移除該犧牲膜;經由第一硬遮罩,離子佈植第一導電 型雜質;及經由第一及第二硬遮罩,離子佈植第二導電型 雜質。 在生產依據本發明實施例之電設備的方法及生產半導 體裝置的方法中’一犧牲膜係被形成在第一硬遮罩的開口 的側面上;一第二硬遮罩係被形成,然後,犧牲膜被移 除’使得第一硬遮罩可以藉由自行對準加以形成。 依據本發明實施例’其中提供一固態攝像裝置及一電 φ 設備,各包含一單元像素,具有第二導電型光感應器及第 一導電型元件隔離區,其兩緣係爲第二導電型雜質所覆蓋 並隔離該單元像素。 在依據本發明實施例之固態攝像裝置及電設備中,第 一導電型元件隔離區的兩緣係爲第二導電型雜質所覆蓋, 使得元件隔離區不會被加寬,因而,不會窄化光感應器。 在生產半導體裝置的一方法及生產依據本發明實施例 之電設備的方法中,當使用具有高深寬比的遮罩時,使用 第一及第二硬遮罩,使得雜質區被窄化及形成深雜質區。 -7- 200929341 在依據本發明實施例之固態攝像裝置及電設備中,第 一導電型元件隔離區的兩緣係爲第二導電型雜質所覆蓋, 使得元件隔離區最終被形成爲深及窄區,並可以抑制由於 光感應器大小的降低所造成之靈敏度的降低。 【實施方式】 本發明之實施例將參考附圖加以說明如下。 φ 圖3A至3D顯示依據本發明第一實施例以生產半導 體裝置的方法製程。本實施例係爲一例子,其中P型雜質 區係藉由在半導體裝置中離子佈植加以形成。 首先’如圖3A所示,P-SiN膜2、Si〇2膜3及阻劑 遮罩4係被形成在由Si等等所形成之基材1的表面上。 P-SiN膜2係被使用作爲停止層,及si〇2膜3係被使用作 爲硬遮罩。P-SiN膜2係被形成爲具有約0.3微米厚。 Si〇2膜3被形成具有高深寬比的硬遮罩,因此,形成具有 〇 例如5微米的厚度。藉由圖案曝光及顯影,阻劑遮罩4係 被形成具有狹縫狀開口 5的圖案。於此,例如,形成〇 5 微米的開口寬度(以下稱間隙長度5 a)。間隙長度5 a係被 形成寬於本發明想要最終形成的雜質區的寛度。 再者’如圖3 β所示’ s i 〇 2膜3係被蝕刻穿過阻劑遮 罩4的開口 5,以形成具有約1 〇的深寬比的第一硬遮罩 6。因爲間隙長度5 a係寬於雜質區的想要寬度,所以在第 —硬遮罩ό中的開口 5具有低於想要深寬比的深寬比。在 耢由蝕刻以形成第一硬遮罩6之後,阻劑遮罩4係藉由去 -8- 200929341 灰加以移除。在本實施例中,阻劑遮罩4係被移除。然 而,有可能執行下一步驟,而不必執行移除阻劑遮罩4。 然後,第一導電型p-型雜質係經由第一硬遮罩6被 離子佈植入基材1,例如以形成第一導電型雜質區7。 在本實施例中之離子佈植條件例係如下。 <所用設備> φ 離子束源 <條件> 摻雜物:硼
加速電壓:2.5MeV 再者’如圖3C所示,沈積有一犧牲膜8,以降低第 一硬遮罩6的間隙長度5 a。使用作爲犧牲膜8的材料的 收縮劑可以爲在釋放時具有優點可靠度及對第一硬遮罩6 Q 的材料有高選擇蝕刻率,並對第一硬遮罩6的側壁具有優 良覆蓋率,即具有優良側壁覆蓋率的材料。例如,收縮劑 可以爲聚乙烯或使用CH4或C2H4之CxHy氣體作爲原料氣 體,以PVD(物理氣相沈積)或CVD所沈積的含氟碳化物 (CxFy)的聚合物。收縮劑的特定例子包含cFx(東京電子有 限公司的電漿CVD膜)。也有可能藉由塗覆,沿著開口圖 案使用一收縮劑沈積作爲一層。沿著一開口圖案的均勻厚 度之犧牲層可以藉由CVD或PVD加以沈積。 在本實施例中’容易釋放的氟碳聚合物係被使用作爲 -9- 200929341 犧牲層8並在電感耦合電漿設備中’被沈積在第一硬遮罩 6的側壁上,以具有l〇〇nm的厚度。 在本實施例中之沈積條件例係如下。 <所用設備> 電感耦合電漿設備 φ <條件> 壓力:50mTorr 所用氣體及流率:C5F8/Ar=10/500sccm 功率:1 0 0 0瓦 沈積時間:60秒 以下’如圖3D所示’犧牲膜8係藉由回蝕而只有沈 積在第一硬遮罩6的側壁上。第一硬遮罩6具有約30 0nm 的間隙長度5 b。 β 隨後’如圖4E所示,例如s〇G(旋塗玻璃)氧化物膜 的材料層係被沈積在降低間隙(3 〇〇nm)的第一硬遮罩6 中’然後’第一硬遮罩9藉由回蝕加以形成。用於第二硬 遮罩9的材料較佳係爲在釋放犧牲膜8時具有高蝕刻阻抗 及優良內藏性的材料。材料例除了前述s〇(}氧化物膜 外,包含了 a金屬之矽氧基(sil〇x…酸,例如Ti〇。由此 材料形成之第二硬遮罩9^ ^ "'-早y係藉由CVD或SOG沈積。 在本貫施例中’具有優點內藏性的S Ο G氧化物膜係 藉由內藏塗覆被沈積作爲第二硬遮罩9。 -10- 200929341 在本實施例中之沈積狀態的例子係如下。 <所用設備> 旋塗機 <條件> 旋轉數:1 50〇rpm 處理時間:10秒 然後’如圖4F所示,形成在圖4E中之步階中之犧牲 膜8係爲電漿去灰等所移除。 在本實施例中之去灰條件係如下。 <所用設備 電感耦合去灰 ❹ <條件> 壓力:20mT〇rr 所用氣體及流率:N2/02 = 400/50sec ICP功率:700瓦 處理時間:3 00秒 犧牲膜8係被移除,以藉由自對準形成第二硬遮罩 9。第二硬遮罩9係被形成,使得新開口 10係被形成在第 一硬遮罩6與第二硬遮罩9之間。即,第一硬遮罩6及第 二硬遮罩9形成自對準Π硬遮罩,以具有一開口在第— -11 - 200929341 導電型雜質區7的一緣上。 然後,如圖4G所示,例如η型雜質之第二導電型雜 質係使用形成開口 1〇曝露出Ρ型雜質區的緣的第一硬遮 罩6及第二硬遮罩9加以離子佈植。 在本實施例中之離子佈植條件例係如下。 <所用設備> φ 雜子束源 <條件> 雜質:磷
加速電壓:3.0MeV 第一硬遮罩6及第二硬遮罩9係被使用以形成一補償 區11,其中第一導電型雜質區7的各個緣係爲第二導電 型雜質所覆蓋。Π係由例如η型雜質的第二導電型雜質 〇 所形成,使得Ρ型第一導電型區7被窄化及形成想要的窄 及深的第一導電型雜質區7。 依據本實施例’可以確保硬遮罩的厚度,以可能執行 較深的離子佈植。 在第一硬遮罩中’一開口被形成以具有一深寬比,其 低於原始開口所需的高深寬比,這變得有可能防止由具有 1¾深寬比的開口圖案的形成所造成之缺陷開口形狀,以穩 定地形成一雜質區。再者’第二硬遮罩可以藉由自對準加 以形成及一補償摻雜物可以由第一及第二硬遮罩所形成之 -12-
200929341 開口 ίο佈植。因此,第一硬遮罩形成的 並可以形成一窄雜質區。 再者,圖5A至6F顯示依據本發曰J 產半導體裝置的方法示意圖。 如於第一實施例中,本實施例係爲-導體裝置中之雜質區係由離子佈植所形成 首先,如圖5A所示,P-SiN膜2、 遮罩4係被形成在由Si等所形成之基材 SiN膜2係被使用作爲停止層,及Si02 爲硬遮罩。P-SiN膜2係被形成以具有 度。Si〇2膜3形成一具有高深寬比的硬悲 成有具有5微米的厚度。在阻劑遮罩 5的阻劑遮罩圖案係藉由曝光加以形成。 0.5微米的開口寬度(以下稱間隙長度5a) 被形成較想要最後形成在本實施例中之 寬。 再者’如圖5B所示,Si02膜3係老 形成具有深寬比約1 0的開口 5的第一运 隙長度5 a係寬於雜質區的想要寬度,拜 6中之開口 5具有較想要深寬比爲低的済 刻以形成第一硬遮罩6後,阻劑遮罩4裔 移除。在本實施例中,阻劑遮罩4係被卷 能執行下一步驟,而不必移除阻劑遮罩4 再者’如圖5C所示,犧牲膜8係相 ί雜質區緣被覆蓋 3第二實施例以生 -例子,其中在半 :〇 Si〇2膜3及阻劑 1的表面上。P-膜3係被使用作 約0.3微米的厚 I罩,因此,被形 1,具有狹縫開口 於此,形成例如 。間隙長度5 a係 雜質區的寬度爲 5蝕刻穿過4,以 I遮罩6。因爲間 f以在第一硬遮罩 i寬比。在藉以鈾 €藉由去灰等加以 [除。然而,有可 〇 艺沈積,以降低第 -13- 200929341 一硬遮罩6的間隙長度5a。如同在第一實施例中,使用 作爲犧牲膜8的材料的收縮劑可以爲具有優良可靠度及在 釋放時對第一硬遮罩6的材料有高選擇率並在第一硬遮罩 6的側壁上具有優良覆蓋,即有優良側壁覆蓋率的材料。 例如,收縮劑可以使用例如CH4或C2H4之CxHy氣體作爲 原料氣體的PVD或CVD所沈積的聚乙烯(polyethylene)聚 合物。也有可能使用一收縮劑,藉由塗覆沿著開口圖案沈 ❹ 積成爲一層。收縮劑包含CFX(東京電子有限公司的電漿 CVD 膜)。 在本實施例中,在電感耦合電漿設備中,可以容易釋 放之氟碳聚合物係被沈積在第一硬遮罩6的側壁上,以具 有1 00 nm的厚度。 在本實施例中之沈積條件例係如下。 <所用設備> 〇 電感耦合電漿設備 <條件> 壓力:50mTorr 所用氣體及流率:C5F8/Ar=10/500Sccm 功率:1 〇 〇 〇瓦 沈積時間:60秒 以下,如圖6D所示,藉由回蝕,犧牲膜8係只被沈 積在第一硬遮罩6的側壁中。第一硬遮罩6具有3 0 Οηιη -14- 200929341 的間隙長度5 b。 因此,如圖6E所示,例如TiN材料係被沈積在第一 硬遮罩6之具有長度5b(300nm)的降低間隙,及第二硬遮 罩9係藉由回蝕加以形成。用於第二硬遮罩9的材料係較 佳爲在釋放犧牲膜8時具有高蝕刻阻抗、優良內藏性及對 絕緣膜有高黏著性的材料。除了前述TiN外,材料例包含 例如TiO的含金屬的矽氧基(sii〇xy)酸。例如TiN或含金 〇 屬之矽氧基酸如Ti0之材料所形成之第二硬遮罩9係由 CVD或SOG所沈積。 在本實施例中’第二硬遮罩9係使用在材料特徵上與 桌一硬遮罩6不问的材料加以沈積。即,第二硬遮罩$係 使用當第二硬遮罩9被使用後述之化學品以移除時,對形 成第一硬遮罩之Si〇2的材料有高選擇蝕刻率的材料。 在本實施例中’在材料特徵上與用於第〜硬遮罩6之 Si02不同的TiN係藉由內藏塗覆加以沈積。 ❹ 本實施例之沈積條件例係如下所示。 <所用設備> 濺鍍沈積設備 <條件>
耙材:T i N 壓力:5mTorr 所用氣體及流率:Ar/N2 = 30/80sccm -15- 200929341
DC : 8kW
溫度:1 5 0 °C 沈積時間:1 〇分鐘 然後’如圖6F所示,如圖6E所示之形成在步階中之 犧牲膜8係例如爲電漿去灰所移除。 本實施例中之去灰條件例係如下。 φ <所用設備> 電感稱合去灰設備 <條件> 壓力:20mTorr 所用氣體及流率:N2/〇2 = 400/5 0sccm ICP 功率:700瓦 處理時間:3 0 0秒 φ 犧牲膜8被移除,使得第二硬遮罩9係爲自對準所形 成及開口 10係被形成第一硬遮罩6與第二硬遮罩9之 間。 隨後,如圖7G所示,用於補償的第二導電型雜質係 透過爲第一硬遮罩6及第二硬遮罩9所形成之開口 10, 被離子佈植成爲摻雜物。在本實施例中,第一導電型雜質 爲P型雜質,及磷係被使用作爲例如補償用的η型雜質。 在本實施例中之離子佈植條件例如下。 -16- 200929341 <所用設備> 離子束源 <條件>
摻雜物:磷 加速電壓:3.0MeV 在此方式中’補償區11係被事先形成在對應於由第 φ 一硬遮罩6及第二硬遮罩9所形成的開口 1〇的—位置。 再者’如圖7 Η所示’第二硬遮罩9係爲一化學品所 移除。所用之化學品只移除第二硬遮罩9但並未移除第一 硬遮罩6。 本實施例中之化學移除條件係顯示如下。 <所用化學品> H2〇 = 5 0ml > HCl(i 19) = 50ml 〇 然後,如圖71所示,例如p型雜質的第一導電型雜 質係被離子佈植使摻雜物具有一間隙長度被加寬於第一硬 遮罩6中。磷係被使用作爲例如p型雜質。 本發明之離子佈植條件係如下。 <所用設備> 離子束源 <條件> -17- 200929341 ❹ ❹ 摻雜物:硼 加速電壓: 例如P型摻 開口 5離子佈植 被摻雜有P型雜 在本實施例中, 第一導電型的第 型雜質的第二導 1 1。因此,實質 的區域,而不是 導電型雜質區7 依據本實施 高深寬比的硬遮 用以形成具有想 償區係使用自對 得可以形成一想 具有高深寬比的 質區的膨脹,並 在使用具有 雜質區的相關技 有困難於準確地 依據前述第 在一緣,所以, 時,可以準確地
2.5MeV 雜物的第一導電型雜質係由第一硬遮罩的 ’使得於基材1中對應於開口 5的區域係 :質,以形成第一導電型雜質區7。於此, 如圖71所示,被摻雜有例如p型雜質之 一導電型雜質區7的緣係被事先以例如n :電型摻雜加以事先形成,以形成補償區 第一導電型雜質區7係爲ρ型雜質摻雜區 其兩緣。以此方式,形成想要窄深的第一 〇 例,一雜質區係使用具有深寬比低於具有 罩加以形成,該具有高深寬比的硬遮罩係 要寬度及想要深度的雜質區。然後,一補 準硬遮罩被形成在雜質區的每一緣上,使 要雜質區。因此,有可能防止雜質區由於 相關技藝之硬遮罩的缺陷形狀所造成之雜 穩固地形成一窄深的雜質區。 高深寬比的硬遮罩,以離子佈植來形成一 藝方法中,當雜質區在大小上縮小時,會 形成一想要雜質區。 一及第二實施例,因爲一補償區係被形成 一窄深雜質區在雜質區大小進一步降低 形成。假設在補償區的分佈準確度對雜質 -18- 200929341 區的效能有很少的影響。即’即使當補償區被形成略寬 時,雜質區仍可足夠展現其效能。因此,補償區可以具有 使雜質區更窄的相當大的作用。 當在固態攝像裝置’例如CCD固態攝像裝置或 CMOS影像感應器中形成一元件隔離區時,可以應用—半 導體裝置的生產方法,該半導體裝置中形成有本發明之窄 深雜質區。 ❺ 圖8顯示依據本發明第三實施例的固態攝像裝置的主 要部份的之剖面結構。本實施例係爲一例子,其中一元件 隔離區係使用依據第一或第二實施例的雜質區形成方法, 來被形成在CCD固態攝像裝置等之中。 本實施例之固態攝像裝置101爲CCD固態攝像裝 置’其具有含HAD(電洞累積二極體)結構的光感應器 103。例如’由矽形成半導體基材丨20具有第一 p型井區 112’形成在一η型基材111上。一η型低雜質濃度區 Q 113係被形成在第—ρ型井區Π2上。再者,具有電荷累 積區(Ρ +累積區)115形成在其表面的光二極體114係被安 排在垂直方向及水平方向中呈一矩陣。光感應器1〇3的每 一像素係以此方式形成。 第二Ρ型井區123係被形成在離開光感應器1〇3 —必 要距離’即’光二極體114被安排在共同垂直線上。一 π 型電何轉移區(轉移通道區)124係被形成在第二ρ型井區 123’以形成垂直電荷轉移部1〇5。 一 P型信號電荷讀取區122係被形成在該垂直電荷轉 -19- 200929341 移部1 〇 5及對應光二極體1 1 4之間,以形成讀取部1 ο 4。 一元件隔離區107係爲ρ型元件隔離區125所形成在鄰接 不同垂直轉移部中。一單元像素102係爲一光感應器 1 〇3 ' —讀取部1 04、一垂直電荷轉移部105及一元件隔 離部1 0 7所形成。 —補償區1 〇〇係依據本實施例被形成在Ρ-型元件隔 離區125的一緣上。元件隔離區125係被準確地形成爲一 ❹ 窄區並不會干擾光二極體114的區域。 一透光絕緣膜116係由Si02等所形成在半導體基材 120的表面上。熱阻垂直轉移電極117係由多晶矽所形成 在絕緣膜116上’於電荷轉移區124及讀取區122之上。 再者,一遮光膜1 1 9係經由s i 0 2等的絕緣內層1 1 8 所形成在垂直轉移電極117的整個面上。 一開口 134被形成在遮光膜119中,以曝露出光感應 器1 〇 3。光係經由開口 1 3 4爲光感應器1 〇 3所接收,及信 〇 號電荷係依據所接收之光數量而被產生於光二極體114 內。 在CCD固態攝像裝置101中,信號電荷被光電轉換 並累積在每一光感應區103中;經由讀取部104被讀出至 各個對應垂直電荷轉移埠105;並傳送於垂直電荷轉移部 1 〇5至用於各個水平線的水平電荷轉移部(未示出);更被 傳送於水平電荷傳送部的一方向中;經由輸出電路作電壓 轉換並輸出。 依據本發明之CCD等所形成之固態攝像裝置1 〇 1, -20- 200929341 補償區100係被形成在元件隔離區125的面向光二極體 1 14的一緣上,使得元件隔離區125未被加寬’即,光二 極體114的區域未變窄。以在大小上被降低之像素,元件 隔離區125也在大小上被降低。然而,在本實施例之 CCD固態攝像裝置1〇1中,當形成元件隔離區時,補償 區1〇〇係被形成在該區的一緣上,以準確地形成想要的窄 及深元件隔離區125。由於光感應器103的大小縮減,抑 ❹ 制了感應度的降低。 圖9爲依據本發明實施例之攝影機的剖面圖。依據此 實施例的攝影機係爲攝影機,其能捕捉靜態或動態影像。 如圖9所示,依據此實施例的攝影機包含一固態攝像 裝置101’例如CCD、CMOS感應器或依據本發明實施例 之CMD ’光學系統5 1 0、機械快門裝置5 1 1、及信號處理 電路5 1 2。 光學系統5 1 0係被架構以在該固態攝像裝置1 〇 1的攝 〇 像螢幕上’形成來自物件的光(入射光)的影像。結果,一 信號電荷係累積在固態攝像裝置1 0 1中一特定時間。 機械快門裝置5 1 1係被架構以控制用於該固態攝像裝 置1 0 1的光照射時間及光遮蔽時間。 信號處理電路5 1 2執行各種類型之信號處理。被處理 之影像信號係被儲存在一儲存媒體,例如記億體中,或輸 出至一顯不器。 在上述實施例中,例如,固態攝像裝置1 〇丨包含排列 呈陣列形式之單元像素。該等單元像素係被安排以回應於 -21 - 200929341 可見光的量’而檢測一信號變化成爲實體値。然而,本發 明之實施例並不限於固態攝像裝置1 0 1。依據本發明實施 例,固態攝像裝置可以爲任一固態攝像裝置,包含安排用 於像素陣列部中之個別行像素的行電路。 依據本發明實施例’固態攝像裝置可以爲固態攝像裝 置,藉由檢測入射可見光的分佈而捕捉一影像,或者爲一 固態影像捕捉裝置,藉由檢測入射紅外線、x_射線、粒子 〇 等等之數量分佈’而捕捉一影像。另外,在廣義上,依據 本發明實施例,一固態攝像裝置可以爲固態攝像裝置(物 理量分佈檢測器)’例如’指紋感應器,其檢測壓力、電 容或其他物理値的分佈,以捕捉一影像。 依據本發明之實施例’一固態攝像裝置可以爲:一固 態攝像裝置’其中每一列的單元像素係被依序掃描於一像 素陣列部中,以自個別單元像素讀取像素信號;或者,一 X - Y位址型固態攝像裝置’其中任—像素可以獨立地選 G 擇’以自該像素讀取一像素信號。 再者’依據本發明實施例的固態攝像裝置可以被形成 爲一晶片’或被形成爲一攝像功能模組,其中,封裝有一 攝像部及一信號處理部’或封裝有一攝像部與光學系統。 再者’依據本發明實施例,除了固態攝像裝置外,也 提供攝像設備。此等攝像設備包含例如數位相機、攝影機 等之攝影系統,及例如具有攝影功能的行動電話單元的電 設備。一攝像設備可以爲一模組,即,上述安裝在此〜電 子設備中的攝像模組。 -22- 200929341 上述固態攝像裝置1 01可以使用作爲在此數位相機、 攝影機內的固態攝像裝置;例如行動電話單元之攜帶式設 備的攝影模組,使得可以藉由固態攝像裝置1 0 1的簡化架 構,取得優良影像。 在上述實施例中,一 CCD固態攝像裝置係被描述爲 具有元件隔離區125的固態攝像裝置101,該隔離區125 的緣設有補償區100。然而,具有補償區100設在緣部的 Q 元件隔離區125係被使用作爲CMOS影像感應器等。依據 本發明實施例之固態攝像裝置並不限於前述實施例,應可 以了解的是’各種對例如元件隔離區及補償區的材料、形 狀及架構的改變及變化係可以在不脫離本發明之範圍下加 以完成。 應爲熟習於本技藝者所了解的是,各種修改、組合、 次組合及更換係可以在隨附之申請專利範圍及其等效範圍 內,取決於設計需求及其他因素加以發生。 ❹ 【圖式簡單說明】 圖1A至1C爲在相關技藝中之固態攝像裝置中之形 成元件隔離區的方法的製程圖。 圖2A顯示當使用在固態攝像裝置中具有高深寬比的 開口的11硬遮罩時’元件隔離區的理想形狀例,及圖2 B 及2 C顯示元件隔離區的缺陷形狀例。 圖3A至3D爲顯示依據本發明第一實施例的生產半 導體裝置的方法(1)之示意製程圖。 -23- 200929341 第一實施例的生產半 圖4E至4G爲顯示依據本發 導體裝置的方法(2)的示意製程圖。 圖5A至5C爲顯示依據本發明第二實施例的生產半 導體裝置的方法(1)之示意製程圖。 圖6D至0F爲顯不依據本發明第二實施例的生產半 導體裝置的方法(2)的示意製程圖。 e 圖7G至71爲顯示依據本發明第二實施例的生產半導 體裝置的方法(3)的示意製程圖。 圖8爲依據本發明第三實施例之固態攝像裝置的示意 剖面圖。 圖9爲依據本發明實施例之攝影機的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :基材 2 : P-SiN 膜 3 : Si02 膜 4 :阻劑遮罩 5 :狹縫狀開口 5 a •間隙長度 6 :第一硬遮罩 7:第一導電型雜質區 8 :犧牲膜 9 :第二硬遮罩 1 〇 :開口 -24- 200929341 11: 5b : 20 : 21 : 22 : 23 : 24 :
26 : 100 : 101 : 102 : 103 : 104 : 105 : Ο 107 : 111: 112: 113: 114: 115: 116: 117: 118: 補償區 長度 Si基材 P-SiN 膜 Si〇2 膜 阻劑遮罩 元件隔離區 開口 II硬遮罩 補償區 固態攝像裝置 單元像素 光感應器 讀取部 垂直電荷轉移部 元件隔離部 η-型基材 第一 Ρ-型井區 η-型低雜質濃度區 光二極體 電荷累積區 透光絕緣膜 垂直轉移電極 絕緣內層 -25 200929341
119 120 122 123 124 125 134 5 11 5 12 光遮蔽膜 半導體基材 讀取區 第二p-型井區 η型電荷轉移區 元件隔離區 開口 光學系統 機械快門裝置 信號處理電路 -26
Claims (1)
- 200929341 十、申請專利範圍 1· 一種生產半導體裝置的方法,包含步驟: 在一基材上,形成具有開口的一第一硬遮罩; 在該第一硬遮罩的該開口的一側面上,形成一犧牲 膜; 在具有該犧牲膜在該側面上的該開口中,形成—第二 硬遮罩; 0 在該第二硬遮罩形成後,移除該犧牲膜; 經由該第一硬遮罩,離子佈植一第一導電型雜質;及 經由該第一及第二硬遮罩,離子佈植一第二導電型雜 質。 2.如申請專利範圍第1項所述之生產半導體裝置的方 法,其中: 該犧牲膜係由至少聚乙烯或含CxFy的聚合物所形 成。 φ 3 ·如申請專利範圍第2項所述之生產半導體裝置的方 法,其中: 該犧牲膜係藉由化學氣相沈積或物理氣相沈積加以沈 積。 4. 如申請專利範圍第1項所述之生產半導體裝置的方 法,其中: 該第二硬遮罩係由含Si02、TiN或TiO的材料所形 成。 5. 如申請專利範圍第4項所述之生產半導體裝置的方 -27- 200929341 法,其中: 該第二硬遮罩係藉由化學氣相沈積或旋塗玻璃法加以 沈積。 6 . —種固態攝像裝置,包含: 一單元像素,具有第二導電型光感應器,及 一第一導電型元件隔離區,隔離開該單元像素,其中 該第一導電型元件隔離區的兩緣係爲第二導電型雜質 φ 所覆蓋。 7.—種生產電設備方法,包含步驟: 在一基材上,形成具有一開口的一第一硬遮罩; 在該第一硬遮罩的該開口的一側面上,形成一犧牲 膜; 在具有該犧牲膜在該側面上的該開口中,形成一第二 硬遮罩; 在該第二硬遮罩形成後,移除該犧牲膜; φ 經由該第一硬遮罩,離子佈植第一導電型雜質; 經由該第一及第二硬遮罩,離子佈植第二導電型雜 質;及 安裝一信號處理電路。 8 . —種電設備,包含: 具有第二導電型光感應器的單元像素, 一第一導電型元件隔離區,隔離開該單元像素,及 一透鏡,安排在該第二導電型光感應器上,其中 該第一導電型元件隔離區的兩緣係爲第二導電型雜質 -28- 200929341 所覆蓋❹
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007223114A JP5194645B2 (ja) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200929341A true TW200929341A (en) | 2009-07-01 |
TWI365488B TWI365488B (en) | 2012-06-01 |
Family
ID=40406073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097131432A TWI365488B (en) | 2007-08-29 | 2008-08-18 | Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8207007B2 (zh) |
JP (1) | JP5194645B2 (zh) |
KR (1) | KR101457382B1 (zh) |
CN (1) | CN101378019B (zh) |
TW (1) | TWI365488B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5194645B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-05-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9427261B2 (en) * | 2012-06-13 | 2016-08-30 | Warsaw Orthopedic, Inc. | Spinal correction system and method |
US10141183B2 (en) * | 2016-01-28 | 2018-11-27 | Tokyo Electron Limited | Methods of spin-on deposition of metal oxides |
CN112992950A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 基于cis产品的高深宽比坚膜结构控制关键尺寸的方法 |
Family Cites Families (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3956749A (en) * | 1973-04-16 | 1976-05-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Bearing measurement device for a portable attack warning radar |
US5038151A (en) * | 1989-07-31 | 1991-08-06 | Loral Aerospace Corp. | Simultaneous transmit and receive antenna |
US5125108A (en) * | 1990-02-22 | 1992-06-23 | American Nucleonics Corporation | Interference cancellation system for interference signals received with differing phases |
JP3097121B2 (ja) * | 1990-09-27 | 2000-10-10 | ソニー株式会社 | 電荷/電圧変換効率の測定方法 |
US5177788A (en) * | 1991-10-15 | 1993-01-05 | Ungermann-Bass, Inc. | Network message security method and apparatus |
US5874341A (en) * | 1996-10-30 | 1999-02-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming trench transistor with source contact in trench |
KR930017195A (ko) * | 1992-01-23 | 1993-08-30 | 오가 노리오 | 고체촬상소자 및 그 제법 |
US5387553A (en) * | 1992-03-24 | 1995-02-07 | International Business Machines Corporation | Method for forming a lateral bipolar transistor with dual collector, circular symmetry and composite structure |
JPH0677179A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-18 | Sony Corp | 開孔形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JPH06224403A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US5337397A (en) * | 1993-06-07 | 1994-08-09 | Motorola, Inc. | Optical coupling device and method for making |
US5736756A (en) * | 1994-09-29 | 1998-04-07 | Sony Corporation | Solid-state image sensing device with lght shielding film |
US6047165A (en) * | 1995-11-14 | 2000-04-04 | Harris Corporation | Wireless, frequency-agile spread spectrum ground link-based aircraft data communication system |
JP3867312B2 (ja) | 1995-12-13 | 2007-01-10 | ソニー株式会社 | イオン注入方法 |
US5884272A (en) * | 1996-09-06 | 1999-03-16 | Walker Asset Management Limited Partnership | Method and system for establishing and maintaining user-controlled anonymous communications |
US5923980A (en) * | 1996-10-30 | 1999-07-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Trench transistor with localized source/drain regions implanted through voids in trench |
GB2320618A (en) * | 1996-12-20 | 1998-06-24 | Northern Telecom Ltd | Base station antenna arrangement with narrow overlapping beams |
JPH10189929A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
US6025232A (en) * | 1997-11-12 | 2000-02-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming field effect transistors and related field effect transistor constructions |
US6346722B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
JP2000012830A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Nec Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US6658047B1 (en) * | 1999-03-10 | 2003-12-02 | Nokia Corporation | Adaptive channel equalizer |
US7117246B2 (en) * | 2000-02-22 | 2006-10-03 | Sendmail, Inc. | Electronic mail system with methodology providing distributed message store |
JP2001284568A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
US6985465B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-01-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dynamic channel selection scheme for IEEE 802.11 WLANs |
SE0004724D0 (sv) * | 2000-07-10 | 2000-12-20 | Allgon Ab | Antenna device |
US6892054B2 (en) * | 2000-12-29 | 2005-05-10 | Wherenet Corp | Interference suppression for wireless local area network and location system |
US6728603B2 (en) * | 2001-02-08 | 2004-04-27 | Electronic Data Systems Corporation | System and method for managing wireless vehicular communications |
JP4569015B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2010-10-27 | ソニー株式会社 | 広帯域アレイアンテナ |
JP3888424B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2007-03-07 | 日本電気株式会社 | 適応アンテナ受信装置 |
KR100438433B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2004-07-03 | 삼성전자주식회사 | 피디에이 겸용 디지털 카메라 통신 휴대 장치 |
US6760318B1 (en) * | 2002-01-11 | 2004-07-06 | Airflow Networks | Receiver diversity in a communication system |
US7194008B2 (en) * | 2002-03-15 | 2007-03-20 | Broadcom Corporation | Method and apparatus for parsing data streams |
US7092452B2 (en) * | 2002-03-25 | 2006-08-15 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc | Co-channel interference receiver |
US20030206532A1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-06 | Extricom Ltd. | Collaboration between wireless lan access points |
US6839038B2 (en) * | 2002-06-17 | 2005-01-04 | Lockheed Martin Corporation | Dual-band directional/omnidirectional antenna |
US7697549B2 (en) * | 2002-08-07 | 2010-04-13 | Extricom Ltd. | Wireless LAN control over a wired network |
US6954177B2 (en) * | 2002-11-07 | 2005-10-11 | M/A-Com, Inc. | Microstrip antenna array with periodic filters for enhanced performance |
US6933909B2 (en) * | 2003-03-18 | 2005-08-23 | Cisco Technology, Inc. | Multichannel access point with collocated isolated antennas |
US20040235453A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-11-25 | Chia-Hung Chen | Access point incorporating a function of monitoring illegal wireless communications |
US20050111405A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Emmanuel Kanterakis | Interference cancellation method and apparatus |
US20050135321A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Jacob Sharony | Spatial wireless local area network |
US7164929B2 (en) * | 2004-01-09 | 2007-01-16 | Symbol Technologies, Inc. | Method and apparatus for location tracking in a multi-path environment |
US6950629B2 (en) * | 2004-01-23 | 2005-09-27 | Delphi Technologies, Inc. | Self-structuring antenna system with memory |
US7102589B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-09-05 | Spx Corporation | Apparatus and method to increase isolation between separate in-channel antennas sharing a common aperture space |
JP4286735B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2009-07-01 | シャープ株式会社 | 携帯機器 |
US7294568B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-11-13 | Intel Corporation | Formation of air gaps in an interconnect structure using a thin permeable hard mask and resulting structures |
US6991942B1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-01-31 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | MFIS ferroelectric memory array on SOI and method of making same |
US20060111993A1 (en) * | 2004-11-23 | 2006-05-25 | International Business Machines Corporation | System, method for deploying computing infrastructure, and method for identifying an impact of a business action on a financial performance of a company |
US7420942B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-09-02 | Research In Motion Limited | Different delivery traffic indication message (DTIM) periods for different wireless networks having different network names |
GB2422752A (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-02 | 3Com Corp | Deciphering encapsulated and enciphered UDP datagrams |
US7561573B2 (en) * | 2005-03-23 | 2009-07-14 | Fujitsu Limited | Network adaptor, communication system and communication method |
JP4742661B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
EP1952554A4 (en) * | 2005-11-22 | 2011-10-05 | Qualcomm Inc | DIRECTIONAL ANTENNA CONFIGURATION FOR TDD REPEATER |
US8090374B2 (en) * | 2005-12-01 | 2012-01-03 | Quantenna Communications, Inc | Wireless multimedia handset |
US7630402B2 (en) * | 2006-01-06 | 2009-12-08 | Fujitsu Limited | Media access layer processors for network communications |
US20080112373A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-05-15 | Extricom Ltd. | Dynamic BSS allocation |
DE102006059113A1 (de) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik | Komplementäre Bipolar-Halbleitervorrichtung |
KR101123595B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2012-03-22 | 퀄컴 인코포레이티드 | 아이솔레이션 엘리먼트를 갖는 다중 안테나 디바이스 |
US8675680B2 (en) * | 2007-07-16 | 2014-03-18 | Sige Semiconductor, Inc. | Jurisdiction based parameter setting for wireless transceivers |
JP5194645B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-05-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-08-29 JP JP2007223114A patent/JP5194645B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-06 KR KR1020080076851A patent/KR101457382B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-08-18 US US12/222,855 patent/US8207007B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-18 TW TW097131432A patent/TWI365488B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-08-29 CN CN2008102101849A patent/CN101378019B/zh active Active
-
2010
- 2010-09-29 US US12/923,584 patent/US9502599B2/en active Active
-
2011
- 2011-06-16 US US13/067,638 patent/US8658457B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-10-11 US US14/052,023 patent/US8940575B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140038341A1 (en) | 2014-02-06 |
US20110018083A1 (en) | 2011-01-27 |
JP5194645B2 (ja) | 2013-05-08 |
US8940575B2 (en) | 2015-01-27 |
US8658457B2 (en) | 2014-02-25 |
JP2009059731A (ja) | 2009-03-19 |
US8207007B2 (en) | 2012-06-26 |
TWI365488B (en) | 2012-06-01 |
CN101378019A (zh) | 2009-03-04 |
KR101457382B1 (ko) | 2014-11-03 |
US9502599B2 (en) | 2016-11-22 |
US20090057798A1 (en) | 2009-03-05 |
KR20090023102A (ko) | 2009-03-04 |
US20110250741A1 (en) | 2011-10-13 |
CN101378019B (zh) | 2010-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI591810B (zh) | 互補式金氧半影像感測器及其形成方法 | |
JP2848268B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2008510316A (ja) | アレイトランジスタ用のエピタキシャルsicおよび/または炭化チャンネルを有する低暗電流の画像センサ | |
TW201034058A (en) | Backside-illuminated (BSI) image sensor with backside diffusion doping | |
US10868063B2 (en) | Surface treatment for BSI image sensors | |
KR20060030890A (ko) | 자동 노출 제어 및 상관된 이중 샘플링을 위한 cmos영상 장치 및 방법 | |
KR20150039171A (ko) | 3d 이미지 센서 구조를 제조하는 시스템 및 방법 | |
KR101515697B1 (ko) | Bsi 이미지 센서를 위한 금속 실드 구조 및 방법 | |
JP2008118096A (ja) | 画像センサー半導体装置 | |
JP2005072236A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US8940575B2 (en) | Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus | |
US7572663B2 (en) | Method for manufacturing CMOS image sensor | |
TWI760010B (zh) | 影像感測件、光學結構及其形成方法 | |
TWI748730B (zh) | 半導體結構與圖像感測器及其形成方法 | |
JPH08255888A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
TW201027741A (en) | Method for fabricating CMOS image sensor | |
JP2013012653A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
US20080124830A1 (en) | Method of manufacturing image sensor | |
KR101033397B1 (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
JP2000077645A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |