TW200910532A - Non-volatile memory device and method for manufacturing the same - Google Patents

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三達編號：TW3456PA 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種非揮發性記憶體及其製造方 法，且特別是有關於一種具有多層穿隧介電結構並從閘極 電極注入電荷之非揮發性記憶體及其製造方法。 【先前技術】 非揮發性記憶體係指在停止供電之後仍然能夠持續 ' 儲存資料的半導體記憶裝置。熟知的非揮發性記憶體包括 罩幕式唯讀記憶體(Mask Read-Only Memory,)、可抹除-可 程式化唯讀記憶體（Erasable Programmable Read-Only Memory)、電氣可抹除-可程式化記憶體（Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)以及快閃記憶體（Flash Memory) ° 浮動閘極裝置在目前快閃記憶體中佔大部分的比 例。在這類快閃記憶體中，快閃記憶體係由多個記憶單元 ' 形成陣列。每個記憶單元主要包括一個金氧半導體之電晶 體，包括閘極、源極、汲極，及設置於源極與汲極之間的 通道。閘極係為包括一浮動閘極的雙閘極結構。浮動閘極 係由兩層介電層所夾置，其目的是當作電荷儲存層，藉由 注入載子於浮動閘極來改變通道的臨界電壓（threshold voltage)。當以一讀取偏壓施加於閘極時，在不同的臨界電 壓下所讀到的電流值也不相同，藉以表示不同之位元狀 200910532

三達編號：TW3456PA 近年來，浮動閘極裝置在微縮元件尺 、、 題’例如閘極輕接的問題。因此其他具上遭遇一些問 電荷捕捉記憶體即展露出進一步微縮^的應用，例如 SONOS架構裝置即為受大眾矚目可：力其中 置。SONOS加μ L , A 代浮動閘極裝 木構之非揮發性記憶體， 诵谨之門沾、，人 田於電荷儲存層與 通遑之間的牙隧介電層極薄，因此加強 隧·^m二士 J兔子及電洞的穿 ^效率，口喊生較快的程式化與抹除操作，但是也因此 ，容1產生儲存電荷流失的問題。另一方面，雖然在氮唯讀 j ’丨思^ (mtnde read_only mem〇ry)架構的記憶體中，具有較厚的 牙隧；丨屯層以克服電荷流失的問題，也因此需要穿隧能力 幸父強的抹除操作方式，例如帶間熱電洞穿隧(band-to-band t^nnelmg hot h〇le，Bbthh)。但是此種操作方式容易損傷 穿隧介電層，使得記憶體的可靠性及耐用性降低。 【發明内容】 I.. 本發明係有關於一種非揮發性記憶體及其製造方 法在閘極電極與電荷儲存層之間設置多層穿隧介電結 構姓亚從閘極電極注入電荷以改變儲存位元狀態。多層穿 K：、二構可以有效防止儲存電荷流失，同時在閘極電極施加 扁堊夺又可以產生電荷快速穿隧的操作特性。 、二:康本發明’提出-種非揮發性記憶體’包括-基 M巴象層、一電荷儲存層、一多層穿隧介電結構及一 閘極電極。—其扨 ^ 土板有一通道區，絕緣層設置於通道區 上電何儲存層設置於絕緣層上，多層穿隧介電結構設置 200910532 三達編號：TW345CT>A 於電荷儲存層上，閘極電極設置於多層穿隧介♦ 兔、'、Q 構： 根據本發明，提出一種非揮發性記憶體之製、告吟上。 包括下列步驟。首先，形成一絕緣層於一基板上，°方决， 有—通道區，絕緣層位於通道區上。接著，形成一^被具 存層於絕緣層上。然後，形成一多層穿隧介電、社構鱿荷儲 儲存層上。接著，形成一閘極電極於多層穿隨介+於電荷 也力 电結播μ 為§襄本發明之上述内容能更明顯易懂，下文特舉一:上。 施例’並配合所附圖式，作詳細說明如下： k隹實 【實施方式】 请參照第1圖，其繪示本發明一較佳實施例的〜 揮發性記憶體之示意圖。非揮發性記憶體1〇包括=非 、絕緣層ll〇a、電荷儲存層120a、多層穿隧介電二板 13〇a及閘極電極丨4^。基板1〇〇具有通道區1〇6、〜广構 區1〇2及一汲極區104，源極區1〇2及汲極區ι⑽係，極 這區106隔開，絕緣層H〇a設置於通道區1〇6上^ 儲存層l2〇a設晋於紹給爲 电荷 130a"二 層1〇&上’多層穿隧介電結椹 + °又；甩荷儲存層120ai，閘極電極i4〇b 層穿隨介電結構13如上。 幾认置於多 ^揮發性記憶體i 〇 〇與s⑽〇 於將電荷儲存層盥 卞㈣不同之處，在 有第-介電声i心 端之間的穿隧介電層，改為i 第 荷儲存層l2〇a 卜，、中第二介電層132a設置於♦ ，笛一.介電層134a設置於第三介電: 200910532

三達編號·· TW3456PA 132a上，第一介電層136a 4 k置於第二介電層134a上，卫 三層結構中至少在第二介恭sη 包席 足 猛m 梦-入 电層層13乜包括氮。第三介電 層132a、弟一 /丨電層134a及笛入 及第一介電層136a分別為氧化 物、氮化物及氧化物。JL中 ^ 访'、，氧化物包括氧化矽、氮氧化 石夕’亂化物包括氮化石夕、氮氣化石夕。此外，第二介電層咖 也可以^用乳化叙(Al2〇3)、氧化給伽加聰⑽啦聰2) 或，、他间；f电係數材料。也就是說，非揮發性記憶體 具有SONONOS結構，或者稱為能帶隙工程 SONOS(bandgap_engineered s〇N〇s，be_s〇n〇s)結構。 不同介電層的厚度可以有不同的範圍。例如，第 電層136a的厚度範圍可以小於2〇埃㈣牌咖，幻，或位 於5A-20A之間，或小於15A ;第二介電層ma的厚度可 以小於20A或位於1QA_2()A之間；第三介電層i32a的^度 小於20A或位於15A-20A之間。 又 ^另外，電荷儲存層120a之材料可以是氮化矽（siN)、 氮氧化石夕（SiON)、氧化給或氧化鋁，也可以採用與第二介 兒層134a相同材料。絕緣層n〇a可以是氧化矽或氮氧化 矽二可以採用與第三介電層132a、第一介電層13以相同 材料。閘極電極140b可以採用金屬、多晶矽、金屬矽化 物或其組合。也就是說，可以用多晶石夕層搭配金屬層或金 屬矽化物層，形成一薄膜堆疊（film stack)，例如將:晶 搭配石夕化鶏作為閘極電極。 、夕曰曰 揮發照f2AA2B圖’其分別緣示本發明之非 x ° 體於閘極電極施加正偏壓前與施加正偏壓後 200910532 二達編號：TW3456PA 之此帶圖。如》2A圖所示，能帶2、4、 第三介電層咖、第二介電層13如、第—介:=示為 閑極電極屬之能帶。在此假設第三介電層屯曰咖及 :電層134a、！ 一介電層U6a分別為氧化矽、氮〜匕:— 虱匕矽。由於第二介電㉟134a為氮化物導及 及價帶能障均比兩侧之第三介電層心;導:能障 咖要小。假設要在第2A _狀態下從_^旧層 =洞’必須要同時穿越能帶2、4、6 二1· =存層12Ga。相對的，電荷儲存層12Q =电何 穿過能帶〗、“，才能從問極電極端脫出的須 =極議施加小偏屋或不施加偏壓的情J此= 子运120a文到良好的屏蔽，不生 7 : 的情況。 '入或是脫出 當對閘極電極施加程度的正偏壓時 圖所示。由於閘極電極端被施加正偏壓，使得第二弟2B 能帶2、4、6產生如第犯圖之相對偏移而形弟=圖之 4a、6a。屮 b本帝、、ι=ι p pg a 战月匕 V 2a、 h 閘極電極注入時，有效穿隧阪障㈣ 為如能帶6a。由於第—介電層136a的厚度很小，係減 生如同直接穿隧(direct tunneUng)的效果 ，可以產 速；同時由於加速電荷撞擊第一介電戽’、作上十分快 率鲛小，對於第一介電層136a的鵠^ l36a之分子的機 體元件的耐用性及可靠度。 、每極小，可以提升整 事员上，弟二介電層132a、第〜八 介電層136a可以由矽、氮及氧等元〜電層134a及第一 、所組成，但是各層 200910532 三達編號：TW3456PA 的元素比例不同，且最大氮濃度的區域位於第二介電層 134a内。請同時參照第3A圖及第3B圖，其分別繪示本 發明之另一種非揮發性記憶體之能帶分佈示意圖，以及對 應第3A圖之記憶體結構之氮濃度分佈圖。如第3八圖所 示，其中穿随層可以具有如能帶組42的三種能帶分佈。 二種能帶分佈代表在穿隧層中的某一區域分別具有Ο、 C2及C3的最小導帶能障高度，以及V卜V2及V3p =帶能障高度。也就是說，只要第二介電層咖中^ ^、有-區域之導帶能階(咖_ 至 域之價帶能階（Val ，且該區 ❿及第一介電初Μ Ev)高於第三介電居 & 寬層136&之價帶_即可。 層 丢月對照第3B圖，产枝， 、 第三介電層132a、第一二：、區域2及區域3分別代表 的區域。上ifa )丨电層134a及第—介電屏表 扪L A上述的Cl、vi 兔層136a内 =第犯圖中氣濃度m，及2以及C3、V3，分別 電層134a中能障最低的位 。也就是說，第二介 :就是說’只要第二介置，也:氮濃度最高的位置。 度大於第三介電 私g l34a中至少有一區 滚度，所 製造出“ 一層132a及第-介雷恳n域之氣濃 4U & —禮在施加一 t P Jip 氣/辰度 —40b的情〜又二，不施加偏壓】 請參照第4A4 ·寺儲存電荷的穩定。 5 揮發性記憶體_°^ ’其緣示本發明較 I造不忍圖。#咬 6¼例之非 u亚睛同時參照第邪 )圖，其繪 10 200910532 三達編號：TW3456PA 示本發明較佳實施例之非揮發性記憶體之製造流程圖。請 參照第4A圖，如步驟501所示，形成絕緣材料層11〇於 基板100上。步驟501可以沈積一石夕化物材料於基板1 〇〇 上，例如氧化矽或氮氧化矽材料，可以利用爐管氧化、快 速熱氧化(rapid thermal oxidation, RTO)、化學氣相、、少、 (chemical vapor deposition, CVD)、原位墓汽盡斗、t 广 貝 …几座生法（m-situ

steam generation，ISSG)、電漿氧化、電漿氮化，戋者θ上 述製程的混合應用來生成絕緣材料層11()。材料 疋 回火（annealing)過程可以在氮氣、氧氣及氬氣的環产彳的 行。若要進一步氮化，可以在氧化過程之前、之:二進 後來進行。此外，也可以沈積氮化矽或氮氧化矽，或者之 (partially)或全部氧化成氮氧化石夕層。 再局J 接著，請參照第4B圖。如步驟5〇2所示，/ 儲存材料層120於絕緣材料層ι10上。步驟^成包荷 各氮之石夕化物材料於絕緣材料層Η 〇上，例士广、^尤積 氧化矽，且矽化物材料的最低Ee必須小於，化矽或氮 加，最大Ev值必須大於絕緣材料層11〇。=緣材料層 可以採用CVD製程進行氮化石夕或氮氧切502同樣 儲存材料層120。假設需要進一步進行氮化::生成電荷 由NO、ν20、簡3及ND3至少其中之—所^，可以在 行熱氮化製程。此外，電聚氮化製程也可^的環境進 的。除了 CVD製程外，步驟5〇2可以直接以1到相同目 程將部分絕緣材料層11〇轉變成氮氧切或=電槳氮化製 是，可以先利用電漿氮化製程，再進行cVD*，矽。或者 製程沈積氮 200910532 三達編號：TW3456PA 化矽或氮氧化矽。谁— 氣、氧氣、氬氣、N〇7n^火棘同樣可簡擇性在氮 而氮化的過程可以 2、NH3或NE>3的環境下進行。 卿或IS㈣製程之前、之中或之後，在 铪或義作為電==。或者是’沈積氧化 層穿二示，形成-多 更包括形成第三介電材。儲，料層」20上。步驟5〇3 上，此步驟可以採用與步驟日5 =電何儲存材料層120 -矽化物材料於電荷儲， 目5之方式’可以先沈積 料層；接著，形成;= 才料層120上，再氧化， ’丨％材料層13 4於第二介♦从立丨 m上，且第二介電 :於弟材料層 與步驟5〇2相同之方々^ 134包括11。此步驟可以採用 材料層m上’再氮化糊材電 材料層136於第二介電 …、羑形成弟一；丨電 用與步驟5 0 i才目同之方十科層13 4上。此步驟同樣可以辕 電材料層134上，再先沈積—耗物材料於第二介 丹虱化矽化物材料。 夕層牙隧）ι %材料13Q也可 ::二沈積製程形成。也就是說，第-及:三二 m在氫氣、氧氣、水蒸氣、氧化氮⑽)巧 化亞氮(Ν2〇)的環境中 氰 氧化來形成。此外，也^爐管、RT°、腦或是電缓 化，後續回火製程3=⑽峨切或氣氣 氮、氧化亞氮、氨氣或:氧氣、&氣、氣化 —的ί哀境中進行。氮化製程可从 12 200910532

三達編號：TW3456PA 在上述任何製程之前、期間或之後進行。在& 化氮、氨氣、或nd3的環境下進行熱氮=化亞氮、氧 進行電漿氮化製程。第二介電層可 广，或者可β 並直接以CVD進行沈積，或是將第三介氮氧化石夕 成含氮材料。後續回火製程可以選擇性在°卩分氮化形 虱 後續 化氮、氧化亞氮、氨氣或_3的環3進氡 也可選擇性進行電漿氮化製程。 進订 ，高介電係數材料例如氧化铪或氧化 介電層134的材料。 也可做為第二 ^接著，請參照第4D圖。如步驟504 m_ ⑽衫衫隨介電材料丨γ 極 ’極電極材料層140採用多晶矽 二本實施例中 :、鳥也可以沈積做為多晶石夕閘接電極:化物，例如石夕化 隹，後’請參照第犯圖。如步驟5〇5所干 -拓電=行離子植入問極電極材料層“ο:、因=發明較 之 接著，請參照第4F圖。士本B :細料（未繪示)，並趣二506所示，經由沈積 ::先…5。於閑極電極材料層心衫之後形 八、、、後’請參照第4G圖。4 上。 ,光阻層150蝕刻'絕緣材料二驟507所不，根據圖 二層穿隨介電材㈣〇及閑麵Π電相存材料層咖、 悔體結構。 电極材料層140a，以形成記 200910532

三達編號：TW3456PA 接著，請芩照第4H圖。如步驟508所示，離子植入 基板100 ’以形成源極區102、汲極區104，並定義出通瓊 區106。通這區1〇6隔開源極區ι〇2及汲極區ι〇4，絕緣 層110a位於通道區1〇6上。然後，如步驟5〇9所示，去 除圖案化光阻層150 ’至此非揮發性記憶體1〇便告完成。 值得注意的是，步驟509也可以在步驟5〇8之前進行。如 此一來’間極電極材料層14〇會注入與源極區1〇2及汲麵 區104相同型態之摻質。 、 X "^个丨良％上建貫批刀八0多滑牙随介電 結構13Q可以不包括第三介電層132a。也就是說在步^ 5〇3中不形成第三介電材料層132，而直接將第二介電材 ，層134形成於電荷儲存材料層12〇上。值得注意的是， 第一介電材料層134與電荷儲存材料層12〇可以是相同 同材料。例如，第二介電材料層134及 氮化幾氧切。而即使採用相同材料： 门材枓層中《分佈濃度也可以不同而形成不同的p不 ”所揭露之非揮發性記 : 方法’將多層穿隨介電層取代傳統之：及/、衣 Θ極電極端，並從閘極電極注入略# 免層没置在 施力口於源極區或汲極區，或甚何。此種結構可以避免 入及神十 , 灸扳之偏壓影趣$丨|步#、丄 :储存。同時也可以避免基板 ““何注 才，絕（shallow trench is〇lati〇n -他製私’例如淺溝 _的穿隨介電層。比起傳統=形成轉中影響到 、儲存能力;相較於氮捕捉 14 200910532

三達編號：TW3456PA 隧介電層的損傷小，耐用性及可靠度大為提升。 綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上， 然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通 常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種 之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請 專利範圍所界定者為準。 15 200910532

二達編號：TW3456PA 【圖式簡單說明】 第1圖繪示本發明一較佳實施例的一種非揮發性記 憶體之示意圖； 第2A圖繪示本發明之非揮發性記憶體於閘極電極施 加正偏壓前之能帶圖； 第2B圖繪示本發明之非揮發性記憶體於閘極電極施 加正偏壓後之能帶圖； 第3A圖繪示本發明之另一種非揮發性記憶體之能帶 分佈示意圖； 第3B圖繪示對應第3A圖之記憶體結構之氮濃度分 佈圖； 第4A-4H圖繪示本發明較佳實施例之非揮發性記憶 體之製造示意圖；以及 第5圖繪示本發明較佳實施例之非揮發性記憶體之 製造流程圖。 ' 【主要元件符號說明】 2、2a、4、4a、6、6a、8:能帶· 10 :非揮發性記憶體 42 :能帶組 10 0 :基板 10 2 .源極區 104 :汲極區 106 :通道區 16 200910532

三達編號·· TW3456PA 110 :絕緣材料層 110a :絕緣層 120 :電荷儲存材料層 120a :電荷儲存層 130 :多層穿隧介電材料 130a :多層穿隧介電結構 132 :第三介電材料層 132a :第三介電層 ' 134 :第二介電材料層 134a :第二介電層 136 :第一介電材料層 136a:第一介電層 140、140a :閘極電極材料層 140b :閘極電極 150 :圖案化光阻層 17

Claims (1)

1. 200910532 三達編號：TW3456PA 十、申請專利範圍： i·-種非揮發性記憶 一基板，具有〜通道區； 一；緣層，設置於該通道區上. 一電荷儲存屛 上， 一多層$置於該絕緣層上； structure)，設置於:川私、口構（multi~layer ;咳電荷儲存層上.以乃 tunneHng -閘極電極，机罢一/上，以及 ( 丨如申請專利:置於剩穿隧介電結構上。 其中該多層穿隨介i:/1項所述之非揮發技，體 層及一第一介電7結構包括―第三介電層、、第Γ 电層，該第三介電岸―几罟κ 弟一介電 士 ’該第，介電層設置於該第三介VL=!荷儲存層 ，又置於该第二介電層上，且至 介電層 3. 如申請專 μ第-，丨％層包括氮。 其中該第三介電層、一入带所述，非揮發性記憶體， 上由矽、氮及氧所组成(及该弟-介電層係實質 -〇)o ^''^(C〇nS1Stlng ™-lly of Si, N and 4. 如申請專利範圍第3 其甲該第二介電芦中至小古—r:二非揮舍性記憶體， gy band i二c)::域，能階(C—一e ., ，Ec)回於该弟三介電層及該第一介電層 、V此s且该區域之價帶能階㈣⑽"窗❹⑹廿 ，EV)大於4第二介電層及該第〜介電層之價帶能階。 苴中^ ^專利範圍第3項所述之非揮發性記憶體， -/弟71¾層中至少有—區域之氮濃度高於該第三 18 200910532 三達編號：TW3456PA 介電層及該第—介電層之氮濃度。 盆中2項所述之非揮發性記憶體， 乳化物、氮化物及氧化物。 …別為 其巾2 g麻之非㈣性記憶體， 氧化石夕、氣化料氧it介電層及該第-介電層分別為 其中第=所狀_性記憶體， 乳化矽、氧化鋁及氧化矽。 更層刀別為 其中2項所狀特發性記憶體， ;丨電層的厚度小於2〇埃（angstroms，A)。 其中二2項所述之非揮發性記憶體， 電s的尽度fe圍位於5A-20A之間。 复中上1镇如：請專利範圍第2項所述之非揮發性記憶體， /、T5亥弟-介電層的厚度小於15A。 政中=如I請專鄕目第2項所述之_發性記憶體， 〆、亥弟二介電層的厚度小於20Α。 其中=如!請專利範圍第2項所述之非揮發性記憶體， '"弟—w電層的厚度範圍位於10A-20A之間。 其中二如：請專利範圍第2項所述之非揮發性記憶體， Μ第—；I電層的厚度小於2〇人。 其中=如：請專利範圍第2項所述之非揮發性記憶體， /弟―7丨電層的厚度範圍位於15Α-20Α之間。 19 200910532 三達編號：TW3456PA 豆φ =l6+t申請專利範圍第1項所述之非揮發性記憶體， 氧化^電领存層之材料為氮化梦、氮氧切、氧化給或 盆中、▲申叫專利範圍第1項所述之非揮發性記憶體， ;°亥通道區上的該絕緣層係為氮化石夕或 豆中請專利範圍第1項所述之非揮發性記憶體， 八 、D"通道區上的該絕緣層係為氧化铪或氧化鋁 其中請專利範圍第1項所述之非揮發性記憶體， / 土 包括一源極區及一汲極區，該源極區及兮、、； 極區係以該通道區隔開。 L及该及 其中專Γ範圍第1項所述之非揮發性記憶體， 八 、、、㈢係為氧化石夕或氮氧化石夕。 甘士 21. *申請專利範圍第1項所述之非揮發性吃情俨 其中極係為金屬、多晶㈣屬心=: 其中該多㈣1·述之_發性記憶體， 带芦，辞电、、、口構包括一第二介電層及一第一介 =曰""弟—介電層設置於該電荷儲存層上，該第 23二：且至少該第二介電層包括氮。 /種非揮發性記憶體之製造方法，包括； (a)形成一絕緣材料層於一基板上； W形成1荷儲存材料層於祕緣材料. 較電㈣於該電侧存材料層上； ^極電極材料層於該多層穿隧介電材料 20 200910532 三達編號：l'W3456PA (e) 形成一圖案化光阻層於該閘極 (f) 根據該圖案化光阻層钱刻該絕::層上二:及 =料層、該多層穿降介電材料及該聞極電極材;:何:: 形成一記憶體結構。 胃以 24•如申請專利範圍第23項所述之製造方法 步驟（c)更包括： /、甲 (cl)形成一第二介電材料層於該電荷儲存材料層上； 上=2)形成一第二介電材料層於該第三介電材料層上， 且§亥第二介電材料層包括氮；以及 (c3)形成一第一介電材料層於該第二介電材料層上。 25. 如申請專利範圍第24項所述之製造方法，其中 步驟（cl)更包括： 沈積一矽化物材料於該電荷儲存材料層上。 26. 如申請專利範圍第25項所述之製造方法，其中 /L貝j矽化物材料之步驟後更包括： 氧化該吩化物材料。 步驟：)更如 =專利範圍第24項所述之製造方法’其中 沈積一矽化物材料於該第三雷。 沈積^石夕如申請專利範圍第27項所述之製造方法，其中 、:化物材料之步驟後更包括·· 氣化該矽化物材料。 步驟(^)更如包申^專利範圍冑24項所述之製造方法，其中 21 200910532 三達編號：TW3456PA 沈積一矽化物材料於該第二介電材料層上。 30. 如申請專利範圍第29項所述之製造方法，其中 沈積該梦化物材料之步驟後更包括. 氧化該碎化物材料。 31. 如申請專利範圍第23項所述之製造方法，其中 步驟（a)更包括： 沈積一 ^夕化物材料於該基板上。 32. 如申請專利範圍第31項所述之製造方法，其中 : 沈積該矽化物材料之步驟後更包括： 乳化該碎化物材料。 33. 如申請專利範圍第23項所述之製造方法，其中 步驟(b)更包括： 沈積一矽化物材料於該絕緣材料層上。 34. 如申請專利範圍第33項所述之製造方法，其中 沈積該矽化物材料之步驟後更包括： 氮化該碎化物材料。 、 35.如申請專利範圍第23項所述之製造方法，其中 步驟（d)及步驟（e)之間更包括： 離子植入該閘極電極材料層。 36. 如申請專利範圍第23項所述之製造方法，其中 步驟⑴之後更包括： 離子植入該基板，以形成一源極區、一沒極區及一通 道區5該通道區隔開該源極區及该〉及極區。 37. 如申請專利範圍第23項所述之製造方法，更包 22 200910532 三達編號：TW3456PA 括於該絕緣層形成前或形成後，於NO、N20、NH3或ND3 的環境中進行一熱氮化製程。 38.如申請專利範圍第23項所述之製造方法，更包 括於該絕緣層形成前或形成後進行一電漿氮化製程。 23