TW200823907A - Method for repairing defects in memory and related memory system - Google Patents

Description

200823907 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於記憶體缺陷之補救，尤指一種軟式的^ ^ 、〜冗憶體缺 陷補救方法以及相關的記憶體系統。 【先前技術】 隨著記憶體元件的微小化以及製程複雜度的提高，記憶體元件 也變得容易受各式缺陷（defect)所影響。為此，記憶體製造商必 須使用一些特殊的補救措施，來解決記憶體元件中之缺陷所可能 帶來的問題。 舉例來說，在製造記憶體元件時，製造商會在記憶體元件中形 成一些熔絲（flise)以及冗餘電路（redundant circuit，例如冗餘列 與冗餘攔）。在檢測出記憶體元件中的缺陷位置後，製造商會使用 熔絲來將原本連接至缺陷單元（defectcdl)的位置跳接至冗餘單 元（redundantcell)，如此一來，缺陷的問題即可解決。 而熱熔絲（fuse)和電熔絲（e-fuse)是記憶體缺陷修補技術中 車乂活見的兩種，這兩種缺陷修補技術皆屬於硬式修補 repai0，換句話說，執行完此類的硬式修補程序之後，原本連接至 缺陷單元的位置將會永久性地跳接至冗餘單元，故在記憶體元件 中所偵測出的缺陷，理想上應可獲得永久性的解決。 200823907 、然而’硬式修補程序有對記憶體元件造成永久性損害的風險， 此外’即使執行了硬式修補程序，依舊不能保證記憶體元件不會 新增其他額外的缺陷。若在使用者購入記憶體元件之後，記憶體 元件又新增了其他額外的缺陷，則這些新增的缺陷依舊可能導致 6己憶體元件運作失效，或導致其它問題的發生。 【發明内容】 本發明的實施例揭露一種記憶體缺陷補救方法，其包含有：對 -記憶體執行-缺陷職以得出該記憶體的至少—缺陷位址；將 付出的该至少-缺陷位址存人—儲存媒體之中；將存於該儲存媒 體之中的該至少-缺陷恤轉存人該記龍的—暫械組之中；、 當收到指向該記，隨的-目標位址的—存取要求後，判斷該目標 位址是否吻合於該至少-缺陷位址中的任―；以及於該目標位: 吻合於該至少-缺陳址中的—者時，對該目標位址所對應的一 記憶體單摘-冗鮮元進行柿以作為賴存取縣的回應。 本發明的實施例還揭露—種記憶體系統，其包含有：一加 體；一儲存媒體；以及—記憶體控制器。該記憶體控制器传輕; 於&己憶體以及_存媒體，用來對該記憶體執行 得出該記憶體的至少-缺陷位址、將得出的該至少—缺陷 入_存親之中、以及將存_畴顧 : 位址轉存入該記憶體的一暫存模組之中。 ^至夕—缺陷 200823907 【實施方式】 第1圖所示為本發明之記憶體系統的一實施例示意圖。本實施 -例中的記憶體系統湖包含有-記憶體12〇、一贿媒體14〇、、以 及一記憶體控制器160。記憶體120中包含有-暫存模組122，舉 例來況’暫存模，組I22可為内建於記憶體π〇之中的暫存器 (register)或閃鎖器（latch)，至於儲存賴14〇貝何為内建或外 接於記憶體控制器160的暫存n、_器、或其他儲存媒體。 —第2圖所示為記憶體系統卿所執行之記憶體缺陷補救方法的 一實施例流程圖。其包含有以下步驟： • *. 步驟21〇 :記憶體控制器刚對兒憶體W執行一缺陷測試程 序以得出記憶體120中的缺陷位址。. 乂驟22〇 . 5己’f思體控制& 將得出的缺陷位址存入儲存媒體 >步驟230 .記憶體控制器16G控制記憶體系統卿進入一程控 模式（programming mode)。舉例來說，記憶體控制器16〇可使^ 特夂的私乜模式進入程序(pr〇gramming mode e卿sequence )來 控制記憶體系統10()進人該程控模式。而前述特定的程控模式進 入程序可以是傳送至記㈣12G的特定指令、特定位址、或特定 輸組合。 8 200823907 步驟240 :於該程控模式中，記憶體控制器]6〇透過特定的指 令（例如列選通脈衝(rowstrobe)或欄選通脈衝(c〇lumns_^將 存於儲存舰之巾的缺酿址轉存人記倾m的暫存模組 步驟250:記憶體控制器16〇控制記憶體系統觸進入一正常 操作模式（normal operation mode)。舉例來說，記憶體控制器 可使用特定的正f操倾歧人鱗（n_al Qpe她n _ sequence)來控制記憶體系統⑽進入該正常操作模式中。而前述 特定的正常操作模式進人程序可以是傳送至記㈣⑽的特定指 令、特定位址、或特定輸入k合。 步驟260:當記憶體120自記憶體控制器16〇收到指向一目標 位址的-存取要求（可為讀取或寫人要求）後，記倾12〇需^ 斷該目標位址是否吻合於暫存模組122中所儲存之缺陷位址的任 一。若發現該目標位址並未吻合於暫存模組122中所儲存的任一 缺陷位址，即進入步驟27〇，若發現該目標位址吻合於暫存模組 122中所儲存的缺陷位址的一者，則進入步驟28〇。 步驟270 :由於記憶體12〇判斷該目標位址不吻合於暫存模組 122中所儲存之缺陷位址的任一，故表示該目標位址所指向的記憶 體單元（memory cell)並非缺陷單元，故記憶體Go 200823907 可直接對該目標位址所指向的記憶體單元進行存取，以作為對該 存取要求的回應。 步驟280·•由於記憶體120判斷該目標位址吻合於暫存模組ι22 令所儲存的缺陷位址的一者’故表示該目標位址所指向的記憶體 單元係為缺陷單元，此時圮憶體120並不會對該目標位址所指向 的記憶體單元進行存取，而是對該目標位址所指向之記憶體^元 的冗餘單元（redundant cell)進行存取，以作為對該存取要求的回 應。此處所狀冗餘單元可位於記憶體12_冗餘歹4 row)或冗餘攔（recjundantc〇iumn)上。 1〇〇 ’若是，即回到 步驟29〇 ··觸是碰續使晚憶體系統 步驟260,否貝,卜則結束本流程圖。 補（价_。每陷補救方法’，可算是—種軟式修 皆可執行步驟加欲使用記憶體系_之前， 口。内的缺陷即可，二= 下來，於步驟260〜290中，記憶體 係在於不需對記I的解決。此種軟式修補作法的好處， 記憶體⑽造成初永久性的物理改變，因此並沒有對 外的缺陷單元，^ 險。此外，即使記憶體120中新増了額 陷單元以及新增=重t樣行步驟21G〜25G ’即可免除原有之缺 曰、陷早元所可能帶來的問題。 10 200823907 以上所述僅為本發明之較佳貫施例，凡依本發明申請專利範 圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明之記憶體系統的一實施例示意圖。 第2圖為第1®之記憶體系統所執行之記憶體缺陷補救方法的 一實施例流程圖。 【主要元件符號說明】 100 記憶體系統 .120 記憶體 122 智存模k 140 儲存媒體 160 5己憶體控制器

Claims (1)

1. 200823907 十、申請專利範園： L 一觀tm缺賴财法，其包含有： 對一雜體執行—缺陷測試以得出該記憶體的至少—缺陷位 址； 將仔出的5亥至少一缺陷位址存入-儲存媒體之中； 將存於該儲存媒體之中的該至少—缺陷位址存人該記憶體的 一暫存模組之中； 當收到指向該記憶體的—目標位址的—存取要求後，判斷該 目標位址是否吻合於該至少一缺陷位址中的任一；以 及 ， 於該目標位址吻合於該至少一缺陷位址中的一者時·，對該目 標位址所對應的一記憶體單元的一冗餘單元進行存取 •以作為對該存取要求的回應。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其另包含有 於該_標位址不吻合於該至少一缺陷位址中的任一時，對今 目標位址所對應的該記憶體單元進行存取以作為對兮 存取要求的回應。 3· 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中將存於該儲存媒 體之中的該至少一缺陷位址轉存入該記憶體的該暫存模組 之中的步驟包含有： 控制該記憶體進入一程控模式；以及 12 200823907 於該程控模式下，將存於該儲存媒體之中的該至少 址轉存入該暫存模組之中。 、心位 4· 如申請專利範圍第3項所述之方法，其另包 ㈣—她㈣叙該暫存 、、，中之後，控制該記憶體進人—正常操作模式。 2請專利麵第〗項所述之方法，其中該暫存 内建於該記，的暫存ϋ。 、，、、係為 6· 士申π專利範圍第】項所述之方法， 内建於該記憶體巾_鎖器。 其中該暫存模組係為 :申請專利範圍第1項所述之方法，其中該儲存媒體係位 於該記憶體之外#。 、體係位 範圍第1項所述之方法，其中該冗餘單元係位 於叙憶體的—冗餘列上。 9· =3:圍第1項所述之方法’其中該冗餘單元係位 H己憶體的1餘欄上。 —種記憶體***，其包含有： -記憶體； 13 10. 200823907 一儲存媒體；以及 —記^控_’_於敕㈣以及贿存_， =己憶雜^缺_如得出該記憶體的至少一缺 之中、止以亥至少一缺陷位址存入該儲存媒體 將存於該儲存媒體之中的該至少一缺陷位 址轉存入該記憶體的一暫存模組之中。 II. 如申請專·圍第H)項所述之記憶體錢，其中當 體自該記憶體控制器接收到指向—目標位址的—存取要求。 後’該記憶體係辑該目標位址是否吻合於該至少一缺陷 位址中的任一。 12·如申請專利範圍第U項所述之記憶體系統，其中於該目標 位址勿合於5亥至少一缺陷位址中的一者時，該記憶體係對 邊目標位址所對應的一記憶體單元的一冗餘單元進行存取 以作為對該存取要求的回應。 3·如巾料利範圍第12項所述之記憶體系統，其中該冗餘單 元係位於該記憶體的一冗餘列上。 H.如申請專利範圍第12項所述之記憶體系統，其中該冗餘單 元係位於該記憶體的一冗餘攔上。 200823907 ，15.如申請專利範圍第11項所述之記憶體系統，其中於該時 -位料吻合於該至少—缺陳址中的任—時，該記憶體^ 對該目標位址所對應的一記憶體單元進行存取以作為兮 存取要求的回應。 -、 16· 17. 18. 19. 如申請專概圍第1()_叙記鐘祕，射該 控制為係於控繼記憶體進人—健模式之後，將存於今_ 儲存媒體之t的該至少-缺·轉存人該暫存模組之μ 如申請翻細第彳6項所述之記髓祕，其 3存$體之懷至少—缺陷位址轉存入該暫存模財、 式。，以魏體控制H係控制該記賴進人—正常操作模 如申請專· ® _項所述之記憶料統，其恃 組係為内建於該記紐巾的暫存器。 Λ子果 ^申請專·圍第Η)項所述之記憶勒統，其中 、、且係為内建於該記憶體中的閂鎖器。 "^ 其中該儲存媒 如申請專概®»1G_述之記憶體系統， 體係位於該記憶體之外部。 20.