TW200818539A - Light emitting diode and optical element incorporating high refractive index material - Google Patents

Light emitting diode and optical element incorporating high refractive index material Download PDF

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200818539 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是《於-種發光二極體封裝元件，鋼是㈣於叫光折 奈米透光材料所裝置之發光二極體元件。 【先前技術】 、近幾年來，發光二極體⑽t Emittlng DlGde; LED)的運用領域不斷地 被開發，由於發光二極體具㈣積小、耐震動、符合環保、壽命長等諸多優 點’已普遍使驗資訊、通訊及消錄電子產品的指示燈麵稀置上，成 為日常生活中不可或缺的重要耕。尤其是顧在—般照明的高亮度⑻油
Power)發光—極體產品，更是為各家大朗競相投人的研發標的。提起此照 明產品，主要就服的技術障礙乃是發級率、散絲理與可靠度。尤以發 光效率的提升與否，被視為新世紀能否取代财_產品之最結的技術指 標。 發光二極體之光麟目發光晶片巾之半導聽晶發光層可將外加之電能 轉化為光錢’而自晶片内部射出，通過包封於晶片外層之透明封裝材料而 射入空氣中，但有大部份光線卻無法射出。請參照圖一，繪示光線由折射率 較大之介質11進人折射率較小4之介質時的光線路徑示意圖。紐從一介質 U進入另一介質4，其中折射率n〇大於折射率na，當入射角0大於臨界全 反射角時，光線L不會產生折射而是以相同反射角全反射回介質η，即 光線L無法有效穿透介質4。而可以產生折射且穿透的光線僅限於入射角小於 ^界角(9c，即為以為圓錐角之立體錐狀範圍之光線；又已知Sin<9c - na/n〇’當如遠大於na時，0c更小，能折射而出的光線就更少了。 200818539 请參照圖二為習知發光二極體封裝元件的結構，發光二極體晶粒丨以正 面固晶打線23的方式，使其結構與電性連接於習知封裝基座2(於此圖示中為 核塑支架類)上，習知的透明封膠4封裝於發光二極體晶片丨之外圍，而由晶 片所發出之光線，經由透明封膠4而至空氣中。再請參照表一中所列之物質 折射率值，由於發光二極體晶體材料之折射率(如藍光之遙晶材料氮化錄 GaN : 2· 4 ;其蠢晶基板：h 77、紅光LED之蠢晶材料神化蘇: 3 4)皆遠 大於透明封膠之折射率(如雜膠：14、環氧樹脂：15)，於奸由蟲晶發 光層所發出射向各方之練，於接觸晶體與娜之界面時，由於兩介質間之 南折射率差之故，而使大部分光線產生内部全反射（域綠晶u與環氧樹 脂封膠4為例，其臨界全反射角以僅為39。），而回到晶片中，並因晶片之 上下表面為平行之故，於輾轉幾次的全反射之後，終將被晶林身之晶格缺 陷、雜質或其電極、基板所魏，哺化為元狀熱能。除了嚴重地造成出 光效率低下之外，其所產生之額外熱量並將使得元件之工作溫度升高，而再 次使得發光之内部量子效率更耕低，甚而影響元件之細壽命。尤其，考 慮於照明應科更為嚴重…般為了提高亮度而提高施加功率而增大發光二 =體晶粒面積的作法，反而會使發光二極體晶片因表面積比率的減少，而使 得出光效率更低、内部的光吸收比率增加，產生發熱加劇之反效果。此種只 增加電能辨卻不能增加單位魏之發級率的f知作法，極有待改進，而 如何提升發光二鋪之出級率，更是#待解決的課題。 【發明内容】 故本發明人針對習知發光二極體封歸料低折料而造紐光二極體元 件出光效率低下的缺點，加以改良，進而發明出一種可提升各種發光二極體 封裝元件之出光效率的方法與構造。 200818539 為達上述的目的，本發明所提供的方法與構造係為採用本質上光學透明 且具有高折射率之奈米尺度粒子為主體，經由—定的分散均勻堆積處理，或 再輔以其他物質填充於上述奈米粒子之間隙中，形成_具高折射率之奈米透 光層，並與發光二極體晶片光學接觸，以導出晶片所發出之光線。經此材料 所裝置之發光二極體元件，因其奈米透光層與發光晶片材料間之折射率差減 】甚至為零’故可大為增加光線於材料介面上之全反射肖，即減少光線之 内部全反射，大為提升發光二極體元件之出光效率。 本發明的方法與構造可藉由下觸實施方式之與綱，剌更充分 地瞭解。 【實施方式】 …已知空氣之折射率為L(HK)3，而習知之發光二極體賴之透明封膠，如 環氧樹脂，其折射率約為I 5〇 ;如石夕罄，其折射率約為^ 42。最先進的封膠 產品，如崇越科技公司所出的高透光財膠，其折射率亦僅是增加至153而 已。此等封裝材料因遠小於發光二極體晶片之折射率，故造成如前述之出光 效率低下。為改進此-缺點，須採用本質上光學透明且具有高折射率之奈米 ( 尺度粒子為主體，形成-具高折射率之奈米透光層，以導出晶片所發出之光 線，即可大為提升發光二極體元件之出光效率。 從基礎光學原理中得知··本質上不吸收可見光且單分散的微粒子對光線 的散射程度除了和該粒子與其周圍之折射率差成正比外，並與該粒子的粒徑 有關。當粒徑為光波長(400〜7〇〇簡)的二分之一時，其散射程度為最大，當粒 徑小於光波長的二分之-且漸漸趨小時，其散射程度依對數公式迅速減小， 並趨近於零，而其外觀也從完全的白色而漸趨透明，意即此不使可見光產生 散射並顯現透明特性的粒徑位於一般所定義的奈米尺度。再者，一般未經處 7 200818539 理的奈米粒子其粒徑雖小，但因其粒子本身相互間具有的凡得瓦力，而會處 於團聚的狀態下，且其團聚造成所謂二次顆粒的大小，可能處於可見光的波 長或更大的範圍，因此仍然會對可見光產生散射效果而顯現白色，意即只有 單分散無團聚或均勻堆積的奈米粒子，對可見光為透明的。 舉例而言··一般的粉體因粒徑(Uffl等級)接近於可見光波長，故會對可見 光造成散射而非透明，當粉體粒徑小於可見光波長即lOOnm以下，例如30nm， 且又均勻分散於水中而非自然團聚的狀態下，此水溶膠對可見光僅造成輕微 的散射，形成接近透明的水溶液外觀。而當水份去除後，則分散之奈米粒子 自身堆積形成一具有強度之透光固體，而不再具有一般粉末的特性與外觀。 而分散均勻堆積於特定透明固體中之所謂奈米複合材料情況亦相同。 又本專利發明人經由實驗中發現：分散均勻堆積之奈米複合材料之總合 折射率等於其中之奈米粒子與其周圍間隙之二折射率依各自之體積分率為係 數所加成的總合。 利用以上觀念，採用本質上光學透明且具有高折射率之奈米尺度粒子為 主體，經由一定的分散均勻堆積處理，或再輔以其他物質填充於上述奈米粒 子之間隙中，形成一具高折射率之奈米透光層，並與發光二極體晶片光學接 觸，以導出晶片所發出之光線。經此材料所裝置之發光二極體元件，因其奈 米透光層與發光晶片材料間之折射率差減小，甚至為零，故可大為增加光線 於材料介面上之全反射角，即減少光線之内部全反射，大為提升發光二極體 元件之出光效率。 但是愈高折射率之奈米粒子對可見光的散射愈不容易等於零，因此本發 明之奈米透光層並不完全翻，而是外觀具樣繼、織散射的透光狀況， ’上曰因散射而有少$光損失，但由實驗結果得知發光二極義出光效率 仍然疋大為增加，此乃為酬本發明的效果是基於反向思考而產生。 8 200818539 本發明的方法與構造，可經由如下各實闕義述，得到更進—步的說 明。然所狀組合選擇與餅參數，^為來說明最佳實齡法，不應解釋為 限制本發明之範圍。 實施例一 考慮一以習知覆晶封裝的發光二極體元件，請參照圖三，所謂覆晶封裝， 即是將晶#翻面、以其底面之透縣晶氧化錄板12朝上，使基板12為發 光面的封裝方式。於此方式下，紐由紹發光層u產生，麵基板12與 一般習知之透明封裝層而射入空氣中。 請參照圖三所示，首先將—高功率藍光發光二極體晶片丨以覆晶法封裝 於封裝基座2上，再取-平均粒徑為咖、且已經過分散處理之市售3 _ 浪度之奈米二氧化鈦透明分散水溶膠，先將其部份水份揮發，使其濃縮至二 氧化鈦粒子_ 40 V〇l%的膠體，同時抽真空以去除氣泡，再將此膠體以點膠 的方法，塗點於以覆晶方式固晶之發光二極體晶粒丨之上表面。經自然乾燥 後，此膠體中之奈米粒子彼此接觸並產生適當鍵結強度，且形成一由奈米二 氧化鈦粒子所均勻堆積喊、如圖三所示具有自_成弧面之奈米透光層3。 以阿基米德法測量此奈米粉體之堆積錢，經換算為透光層總體積之概，此 時可得其透光層之折射率為丨· 764，幾乎與遙晶基板之折射率177相同藉 此由發光層所發出而進入基板的光線可完全進入奈米透光層中，並藉由奈米 透光層的弧形表面而更易於射人空氣中，如此即提高了發光二極體的出光效 率〇 再考慮一以傳統正面封裝的藍光發光二極體元件，由於此封裝之氮化鎵 磊晶發光層朝上，其材料折射率為2· 4。請參照圖四所示，在於以相同方式完 成上述奈米透光層的結構後，可更進—步地以f知的發光二極體封膠如環氧 樹脂等，適量地_於其該奈米透光層3表面，並毛細現象，且輔以抽 9 200818539 • /、的方式’使環氧樹脂滲入填充於該奈米透光層3粉體顆粒之間隙中，並 升溫至12(rc，將環氧樹脂硬化1小時，如此則奈米顆粒之間隙由原來之空氣 變為環氧樹脂，使得奈米複合透光層3之複合折射率更高，最高可達2· 〇，更 ^接近氮化鎵如發光層之折射率2· 4。同時，可進—步控制環氧樹脂的點朦 量，供給較多的環氧樹脂4包封於奈米複合透光層3與發光晶片丄的外圍， 藉由使光線由内科經由材料折射率的梯度變化，以減低其佛氏伽紐⑴損 失，如此可進一步地提升發光二極體元件的出光效率。 實施例二 ' 依照一以傳統正面封裝的小功率發光二極體元件的構造，先將晶粒1固 晶打線於封裝基座2上，請參照圖五所示。再取—平均粒徑為奶⑽且已經 過分散處理之市售10 wt%濃度之奈米二氧化錄透明分散水溶膠，另外準備一 同純度75 wt4之石夕酸鉀(K2Si〇3)水溶液，依二氧化錯：石夕酸鉀為:⑼之體 積劑量比，攪拌混合奈米=氧化锆水溶膠與石夕酸卸水溶液，紐其部份水份 揮發，使其濃齡具適當減之賴，同_真空以去除，再將此賴 以點膠的絲，塗點於發光二極體晶粒丨外圍，使其完全包封發光二極體晶 粒1與導電金線23。、經自然乾燥後，此膠體形成由奈米二氧化錄粒子均勻堆 ^ 積於石夕酸鉀固體中、且如圖五所示具有自然形成弧面之奈米複合透光層3。以 阿基米德法測堇此奈米透光層3之密度，經換算奈米二氧化錯粒子體積為透 光層總體積之40%，正與配方比率相同，此時可得其奈米透光層之折射率為 1· 86 ’遠大於習知透明娜之折射率。藉此由發光層所發出的光線可大部份 進入奈米透光層3巾’並藉由奈料光層3職形表面而更易於射人空氣中， 即提高才發光二極體的出光效率。 再者’可進-步地以習知的發光二極體封膠如雜料，點膠於該奈米 透光層3表面，使石夕橡膠4包封於奈来複合透光層3與發光晶片i的外圍， 200818539 藉由使光線由内而外經由材料折射率的梯度變化，以減低其佛氏 失，如此可進一步地提升發光二極體元件的出光效率。 實施例三 依照一以傳統正面封裝的小功率發光二極體元件的構造，先將晶粒工固 晶打線於封裝基座2上，請參照圖六所示。再取一平均粒徑為2〇nm，未經分 散處理之市售奈米二氧化鈦粉末，以常狀;g規__表面接枝處理的分 散方法，先元成單分散於甲苯中。再依二氧化鈦：環氧樹脂：甲苯為3〇 : 15 : f 55之體麵$比，將絲二氧制^苯轉雛混合習知的發光二極體封膠 %氧樹脂後’使得絲二氧化鈥奸分餘魏樹脂f苯雜__。使用 時再依環氧繼：硬化_丨：丨之劑量_拌混合魏職硬化劑，此時溶 财之—氧化鈦與樹脂的體積比為L i，先將其部解苯揮發，使其濃縮至 具適田黏度之膠體’同時抽真空以去除氣泡，再將此膠體以點膠的方法，塗 點於發光二極體晶粒1外圍，使其完全包覆發光二極體晶粒i與導電金線烈， 經自然乾燥甲苯後，再升溫至12(rc，將環氧樹脂硬化i小時，使此膠體形成 由奈米二氧化錄子均勻堆積於魏__巾，且如圖六所示之奈米複合 透光層3。以阿基米德法測量此奈米透光層3之密度，經換算奈米二氧化欽粒 (子體積為透光層總體積之50%，正與配方比率相同，此時可得其奈米透光層之 折射率為2· 08，獻於習知之透日_之折射率。藉此由發光層所發出的光 線^部份進人絲透光層3中，並藉由絲透光層3而更易於射人空氣中， 提门了發光一極體的出光效率。由實驗結果得到整體之發光效率一般有 10〜40%的提升。 200818539 外，尚必辦加其在奈米透光層中的_百分比、意即其堆積密[為達此 目的，於务實施财所述之奈米齡，可使私上不附讓大小之奈 米顆粒所混麵成，以舰得到則、粒子填充大_p猶中之較緻轉積。 例如取平均轉為2Gnm、5nm，兩種市售二氧化鈦奈米粉罈，來形成奈米魂光 層，於乾燥後奈米粉體堆積密度約可增加⑽，由於奈米遷光層折射率的提 高，發光二極體出光效率也因此提升。 厂 ，於各實_巾該奈親光層可㈣更進—步地由較低折射率的封 裝材料如1知的透明環氧封裝樹脂或石夕橡膠包封於該奈米透光層與發光二 極U的外圍。藉由使光線由内科經由材騎射率的梯度變化，減低其 佛氏(Fresnel)損失，可進一步地提升出光效率。 、 或者，請參閱圖七所示，可將該奈米透光層與空氣接觸之表面31形成為 -具有適當餘之近似半球面31，Ji將發光三極體晶片丨設置於約略球心的 位置藉此使由發光曰曰片所發出進入奈米透光層的光線，能全部以幾近垂直 的方向穿透不米透光層與空氣之介面31，而不因全反射現象而返回奈米透光 i 層内部後被吸收，因此可進一步提升奈米透光層與空氣介面這部份之出光效 率。 再-種處理㈣透光層與空氣接觸表面的方法為使奈米透光層與空氣的 介面形成具有以約為光波長為周期之周期性凹凸結構(未圖示），即所謂的光 子晶體結構，而使透出奈米透光層而進入空氣的光線增加，同樣地可進一步 提升奈米透光層與空氣介面這部份之出光效率。 另-種處理絲透光層與空氣接觸表面的方法為使奈米透光層與空氣的 介面’以侧_具成型的方法，形成具有數卵至數百㈣等級程度之表面 12 200818539 祕f未圖示），而使透出奈米透光層而進人空氣的光線增加，地可進 升奈米透光層與空氣介面這部份之出光效率。 β、至於考慮到白光發光二極體於照明應财經物建的光色轉換構造，則 可於該奈鱗光層之内部餅部可添加習知之光致發光螢光粉，以轉換該發 光二極體所射出之光波長，其出光效率提升的效果不變。 此外，於習知的光觸媒相關知識中得知，部分奈米氧化物具有細媒的 特性，即容易吸收紫外光而分解關之有機物。若考慮避免此種效應，一般 是在奈米氧化物難表面包覆某财性婦，形鑛核殼結構。例如於 本發明中奈来二氧化鈦齡表面㈣氧脑層之核殼結構。經此表面改質之 奈米二氧化鈦粒子，不僅更易於分散，且無分解顆粒觸有機物的疑慮。 攸另-個觀點而言，本發明同時揭示出該奈米透光層材料的另一用途， 乃是-種易於_調整其折射率之光學元件，如光學透鏡等。即以實施例一 中之市售絲二氧化鈦分散水轉為例，將其水份經自然賴後，此膠體中 之奈米粒傾此細，並產生適當鍵結強度，形成由奈米二氧化鈦粒子所均 勻堆積而狀-透明塊體。或可更進—步地似適當減理，以使該奈米粒 子適度地產生結合強度。或可視其必要性進一步地施以研磨拋光等加工處 理，以形成所需的各種形狀。因所用奈米二氧化鈦透明塊體之折射率甚高， 如做為凸透鏡，可大為減少凸透鏡的曲度及厚度，可以取代傳統的塑膠透鏡 或玻璃透鏡，也可做為發光一極體封裝元件内部或外部之光學元件或封裝透 鏡。同時若使用如實施例三中之奈米複合材料，以模具灌注硬化的方法，來 形成此種光學透鏡，亦相當實用。 13 200818539 綜上所述，本發明之發光二極體元件採用高折射率之奈米粒子為主體， 形成一具咼折射率之奈米透光層，以導出發光晶片所發出之光線。經此材料 所裝置之發光二極體元件，因其奈米透光層與發光晶片材料間之折射率差減 小’故可大為提升發光二極體元件之出光效率。且由實施方式内容得知，基 於此創作發明之基本精神所作之變化極多，加以排列組合後更形繁複，惟以 上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明之範圍； 即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變化與修 飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。俾使發明能經由專利制度的保護， 達成製造技術機密的公開，以促進科技的進步。 200818539 【圖式簡單說明】 表一各種物質之折射率整理 圖一繪示光線由折射率較大之介質進入折射率較小之介質時之光線路 徑不意圖 圖二繪示習知的正面封裝發光二極體封裝結構示意圖 圖三繪示本發明由奈米二氧化鈦透光層所裝置之覆晶封裝發光二極體 元件結構示意圖 f 圖四緣示本發明由奈米二氧化鈦複合材料透光層與外封環氧樹脂所裝 置之發光二極體元件結構示意圖 圖玉繪示本發明由奈米二氧化锆複合材料透光層與外封矽橡膠所裝置 之發光二極體元件結構示意圖 圖六繪示本發明由奈米二氧化鈦複合材料透光層所裝置之發光二極體 元件結構示意圖 圖七繪示本發明由具半球面之奈米二氧化鈦透光層所裝置之發光二極 體元件結構示意圖 【主要元件符號說明】 1 發光二極體晶片 11 蠢晶發光層 12 蟲晶基板 2 封裝基座 21 基座本體 22 導電金屬 23 導電金線 24 導電焊接 3 奈米透光層 31 透光層介面 4 封裝樹脂 ι. 15

Claims (1)

  1. 200818539 十、申請專利範圍： 1· 一種發光二極體封裝結構，包含： 至少一發光二極體晶片 一基座，提供該發光一極體晶片結構的固定與電性的連接 一奈米透光層’光學接觸於該發光二極體晶片之至少一部份的表面 其特徵在於： 該奈米透光層是由本質透明、折射率大於丨· 5、平均粒徑小於1〇〇⑽ 且均勻堆積之奈米粉體所構成。 2·如申請專利範圍第一項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米粉體為 經過表面修飾或表面接枝之奈米顆粒。 3·如申請專利翻第-綱述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米透光層 可更包含由其他封裝材料填充於該奈米粉體顆粒之至少部份間隙中。 4·如申請專利範圍第一項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米透光層 可更包含由較低折射率的封裝材料包封於該奈米透光層與該發光二極體 晶片之外圍。 5. 如申請專職M-賴述之發光二極體職結構，其巾，縣米粉體可 為以兩種或兩種以上不同粒徑大小之奈米顆粒所混合而成。 6. 如申請專纖圍第-項所述之發光二極體封裝結構，其中，該透奈米光層 與空氣的介面可形成具㈣當直歡近辨雜，並觸發光二T極體晶曰片 設置於約略球心的位置。 7. 如申請專利範圍第-項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米透光層 與空氣的介面可職具有以大約級長為職之周雛凹凸結構光曰 晶體結構。 8·如申請專利範圍第一項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米透光層 16 200818539 與空氣的介面可形成具有適當程度的表面粗糙度。 9·如申請專利範圍第一項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米透光層 之内部或外部可添加光致發光螢光粉，以轉換該發光二極體晶片所發出3之 光波長。 10·如申請專利範圍第一項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米粉體可 為具有核殼結構、即表面層油部為不同材料的奈米顆粒所構成。 f
    11·如申請專利範圍第一項所述之發光二極體封裝結構，其中，該發光二極體 a曰片可為藍光晶片、綠光晶片、紅光晶片或其他色光等晶片。 12·如申請專利範圍第一項所述之發光二極體封裝結構，其中，絲座可為陶 瓷基板、塑膠基板、金屬基板、灌膠支架、模塑支架等。 13.如申請專利範圍第一項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米粉體可 為氧化鈦、氧化錘、氧化鋅、氧化錫、氧化銻、氧化紹等高折射率透明氧 化物或其組合所構成。 K如申請專利範圍第一初述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米粉體可 為氮化銘、統錄、4鱗、獻解騎轉透合物或盆组 合所構成。 ^ ' 15· —種發光二極體封裝結構，包含： 至少一發光二極體晶片 一基座，提供該發光二極體則結構侧定與電性的連接 -奈米透光層’光學接觸於該發光二極體晶片之至少一部份的表面 其特徵在於： 該奈米透光層是由本質咖'折射率大於15、平均據小於⑽⑽ 之奈米粉體且分散均句堆積於一封裝物資中之奈米複合材料所構成。 如申請專職料十五項所述之發光二極體封裝結構，其巾，該奈米透光 17 16. 200818539 層中之該奈米粉體之質量分率大於20% β 17·如申請專利細軒五項所述之發光二極體封裝結構，其巾，該奈米透光 層中之封裝物資可為液態或固態。 18.如申請專利細軒五項所述之發光二極體龍結構，其巾，該奈米透光 層中之封裝物^可為高分子、有機物或無機物。 19·如申請專利細料五項所狀發光二極體封裝結構，其巾，絲米透光 層可更包含由較低折射率的封裝材料包封於該奈米透光層與該發光二極 體晶片之外圍。 20·如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米粉體 可為以兩種或兩種以上不同粒徑大小之奈米顆粒所混合而成。 21·如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中，該透奈米光 層與空氣的介面可形成具有適當直徑之近似半球狀，並將該發光二極體晶 片設置於約略球心的位置。 22·如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封襞結構，其中，該奈米透光 層與空氣的介面可形成具有以大約光波長為周期之周期性凹凸結構，即光 子晶體結構。 23·如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米透光 層與空氣的介面可形成具有適當程度的表面粗糙度。 24·如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米透光 層之内部或外部可添加光致發光螢光粉，以轉換該發光二極體晶片所發出 之光波長。 25·如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米粉體 可為具有核殼結構、即表面層與内部為不同材料的奈米顆粒所構成。 26·如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中，該發光二極 18 200818539 • 體晶片可為藍光晶片、綠光晶片、紅光晶片或其他色光等晶片。 27. 如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中0，該基座可為 陶瓷基板、塑膠基板、金屬基板、灌膠支架、模塑支架等。 28. 如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中，該夺米於體 可為氧倾、氧傾、減辞、氧賴、氧化録、氧錄料折射率翻 氧化物或其組合所構成。 29. 如申請專利範圍第十五項所述之發光二極體封裝結構，其中，該奈米粉體 , 可錢德、氮_、舰鎵、硫鱗彡高婉率翻半输t合物或盆 、 組合所構成。 八 30. -種用以製作光學元件之光學透鏡，其特徵為此光學透鏡是由本質透明、 平均粒徑小於l〇〇nm且均勻堆積之奈米粉體所形成之透明塊體材料所構 成。 31·如申請專利範圍第三十項所述之光學透鏡，其中，該奈米粉體為經過表面 修飾或表面接枝之奈米顆粒。 32·如申請專利範圍第三十項所述之光學透鏡，其中，該透明塊體材料可更進 一步地施以研磨等加工處理，以得到所需的形狀。 I 33·如申請專利範圍第三十項所述之光學透鏡，其中，該透明塊體材料可更進 一步地施以熱處理，以使該奈米顆粒適度地產生結合強度。 34· -創以製作光學元件之光學透鏡，其轉徵為此光學透鏡是击未質透明、 平均粒控小於l〇〇nm之奈米粉體，且分散均勻堆精於其他物質申之奈米複 合材料所構成。 J9
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