TW200538790A - Array substrate inspecting method - Google Patents
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Description
200538790 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種陣列基板之檢查方法。 【先前技術】 液晶顯示裝置係使用於筆記型電腦(筆記型Pc)的顯示器 部、行動電話器的顯示器部、電視受像機的顯示器部等各 種地方。為此,因液晶顯示裝置的用途等,要求12吋或15 忖4不同尺寸的液晶顯示裝置。該種液晶顯示裝置係具 備:陣列基板,其具有顯示區域、及位於顯示區域周圍的 非顯示區域;相對基板,其與該陣列基板相對而配置;及 液晶層,其係夾持於陣列基板與相對基板之間。 在陣列基板的顯示區域係使複數掃描線及複數信號線形 成矩陣狀,在掃描線及信號線的各交又部係形成像素。該 各像素係包含最少一個開關元件、及連接有該開關元件之 像素電極。在非顯示區域係配置用以驅動各像素之掃描線 驅動電路及彳a號線驅動電路。如此,藉由在陣列基板上設 置驅動電路,可形成薄型液晶顯示裝置。在上述所形成的 陣列基板一側係形成複數用以輸出入信號的端子,該複數 端子分別連接掃描線驅動電路及信號線驅動電路。 上述陣列基板為在其製造過程檢出缺陷品,通過檢查工 序。該檢查工序中,介以設於陣列基板一側之端子輸出入 信號,並進行檢查。檢查方法及檢查裝置有揭示於日本特 開平 11-271177號、特開、2000_3142、usp· 5,268,638 公報 之技術。 99907.doc 200538790 « · 在曰本特開平11ββ27η71係揭示以下技術··在非晶型 LeD〇LlqUld Crystal Display :液晶顯示器)基板的檢查中, 於點缺陷檢查製程具有特徵。 在此,使用以下情事··對乙(:〇基板全面照射直流成分的 直射光,使非晶矽膜光感應而形成導通狀態。藉由檢出蓄 積於輔助電容之電荷漏茂量,可判斷缺陷狀況。曰本特開 2000-3 142所揭示的技術中,係使用以下情事··對像素電 極照射電子束時,所放出的二次電子係按薄膜電晶體所消 >耗的電壓比例。υ·δ·Ρ· 5,268,638的技術中亦對像素電極照 射電子束時,使用所放出二次電子。 【發明内容】 然而,形成不同尺寸的液晶顯示裝置時,用卩構成該液 晶顯不裝置之陣列基板的尺寸係不同。配置於該等不同尺 寸的陣列基板之複數端子,其配置並無統一性。為此,檢 一。亥專不同尺寸的陣列基板時,使用相同的檢查裝置無法 進行檢查。尤其,使用相同間距的探針,難以進行各種陣 列基板的檢查。 液晶顯示裝置的製品價格受到其製造設備成本很大的影 響。製造設備必須有檢查裝置,但當然該檢查裝置會影響 製品價格。 本發明係㈣以上之點而成者,其目的在於提供-種陣 列基板之檢查方法’其可削減檢查裝置的成本。此外,可 減低檢查裝置的設計變更或修正機會,並抑制液晶顯示裂 置的製品價袼上升。 99907.doc 200538790
本七明想樣之陣列基板之檢查方法係 對具有於端部具第一排列的電力供應用第一塾片 :查對象的第-電極之第一陣列基板,及具有於端部且: 別2第一排列不同的第二排列的電力供應用第二墊片及作 為檢查:象的第二電極之第二陣列基板,分別從前述第一 墊片及刖述第二墊片供應電力至前述第一電極及前述第二 :極’對前述第一電極及第二電極照射電子束,並藉由從 引述第f極及第:電極放出的二次電子資訊進行有關前 述第一電極及第二電極的檢查,其中 具有特定排列端子之檢查用墊片係連接前述第-塾片, 將具有與前述特定排列對應的排列之探針抵接於前述端子 而將電力供應至前述第一電才亟,以進行有關前述第一陣列 基板的第一電極的檢查, 具有前述特定排列端子之檢查用墊片係連接前述第二墊 片’將前述探針不改變其排列而抵接於前述端子,再將電 t、應至如述第二電極,以進行有關前述第二陣列基板的 弟二電極的檢查。 此外’本發明其他態樣之陣列基板之檢查方法係具有 基板’其將複數掃描線及複數信號線交叉而配置;像素 4 ’其配置於前述掃描線及信號線的交叉部附近,包含開 關兀件及辅助電容;及正規墊片群,其為將信號供應或輸 出至則述掃描線及信號線而設置,其中 即使為不同品種的前述陣列基板,在該等陣列基板進一 步預先形成包含有對準特定檢查裝置的探針群排列圖案之 99907.doc 200538790 排列圖案端子之檢查用墊片群,將前述正規墊片群的對應 端子介以配線而連接該檢查用墊片群的端子, 檢查時,不需變更前述檢查裝置的探針群的排列圖案, 將前述探針群抵接於前述不同品種的陣列基板的檢查用墊 片群的端子而進行檢查。 【實施方式】 以下,參照圖面詳細說明本發明實施形態之陣列基板的 檢查方法。 首先,說明以本發明為前提之技術。如圖丨、圖2所示, 陣列基板的類型,有非晶矽型陣列基板、多晶矽型陣列基 板。以XAG(eXtended Graphics Array ··延伸圖形陣列)為例 時,非晶矽型陣列基板係具有以下構件:像素區域3〇、及 墊片群PDa,其係由約3000個外接電路連接用端子所構 成。相對於此,多晶矽型陣列基板中,在像素區域3〇外係 形成用以驅動全部X、γ座標像素之掃描線驅動電路4〇及 信號線驅動電路50,該等電路係由薄膜電晶體(以下,簡 稱為TFT)所構成。因此,塾片群pDp的端子數最好為掃描 線驅動電路40及信號線驅動電路5〇的輸入份,合計約 個。 上述之陣列基板在製造過程中,必須進行製品檢查。用 以檢查像素區域30的狀況之測試器有電測試器、及電子束 測試器(以T,稱為EB測試器)。將電荷蓄積於像素部的辅 助電容後,藉由以探針讀出所蓄積的電荷,進行使用有電 測試器之檢查。將電荷蓄積於像素的辅助電容後,藉由對 99907.doc 200538790 -亥像素4照射電子束,且檢出所放出的二次電子,進行使 用有ΕΒ測試器之檢查。 使用電測試器檢查非晶矽型陣列基板時,用以該檢查的 探針必須約3000個。此時,因探針價格昂貴,故需龐大的 費用。使用電測試器檢查多晶矽型陣列基板時,用以該檢 查的探針必須約300個。探針數雖減少,但因介以掃描線 驅動電路40及信號線驅動電路5〇之檢查,而無法良好地進 行該檢查。此外,使用以檢查的信號處理複雜。 另方面,使用ΕΒ測試器檢查非晶矽型陣列基板時, 從共同的探針介以塾片群PDp而將電荷蓄積於像素部的輔 助電容後’進行使用有EB測試器之檢查。再者,使用EB 測試器檢查多晶石夕型陣列基板時,無法介以掃描線驅動電 路40及^號線驅動電路5〇進行將電荷蓄積於 電容。但是,因塾片群PDP具有不同輸入信號的各= 子,故如同非晶矽型,無法使用共同的探針簡單地進行電 荷充電。 如上所示,如4說明以電測試器、及£3測試器檢查非晶 石夕型睁列基板及多晶石夕型陣列基板時的檢查方法例。在 此,以EB測試器檢查多晶矽型陣列基板之方法係如下所 示〇 參照圖3、圖4’說明具有多晶石夕型陣列基板之液晶顯示 面板。在此,將多晶矽型陣列基板作為以下陣列基板ι〇ι 而加以說明。如圖3、圖4所示,液晶顯示面板係具備以下 構件:陣列基板1〇1 ;才目對基板102,其保持特定間隙而相 99907.doc 200538790 對配置於該陣列基板;及液晶層103,其係夾持於該等兩 基板。陣列基板101及相對基板係利用間隔物及柱狀間 隔物12 7作為間隔而保持特定間隙。陣列基板1 〇 1及相對基 板102的周緣部等係以密封材ι6〇接合,形成於密封材一部 份的液晶注入口 1 61係由密封材162所密封。 參照圖5,詳述陣列基板1〇ι。圖5係顯示尺寸比陣列基 板大的基板(以下,稱為母基板}1 〇〇,並顯示使用該母基板 構成四個陣列基板101之例。如此,形成陣列基板1〇1時, 籲 心係使用母基板1⑼而形成。在此,代表一個陣列基板 101而說明其構成。陣列基板101係具有構成本發明特點之 主區域與子區域,而關於此,係於後面詳細說明。 如圖6所示,在陣列基板101上的像素區域3〇係將複數像 素電極P配置成矩陣狀。陣列基板1〇1除了像素電極p外, 係具備··複數掃描線Yl、Y2···(以下,總稱γ),其係沿著 该等像素電極P的列而配置;及複數信號線χ i、Χ2…(以 籲下,總稱Χ),其係沿著該等像素電極Ρ的行而配置。再 者,陣列基板1 01係具有以下構件:作為開關元件之 TFTSW,其係配置於掃描線γ及信號線χ的交又部附近; 掃描線驅動電路40,其用以驅動各個複數掃描線;及信號 線驅動電路50,其用以驅動複數信號線。 各TFTSW介以對應掃描線γ而驅動時,係將對應信號線 X的信號電壓施加至對應像素電極ρ。掃描線驅動電路4〇及 信號線驅動電路50係與陣列基板1〇1的端部相鄰接且配置 於像素區域30的外側區域。此外,掃描線驅動電路4〇及信 99907.doc -10- 200538790 號線驅動電路50係利用使用有與TFTSW相同的多晶石夕半導 體膜之TFT而構成。 再者’複數陣列基板101在母基板1 〇〇上係沿著切斷線一 側而並排,且各陣列基板1〇1係具備正規墊片群的行pDp, 其係由用以連接掃描線驅動電路4〇及信號線驅動電路$〇之 複數端子所構成。正規墊片群的行PDp除輸入各個不同的 L號外’尚用於輸出入檢查用信號。藉由例如沿著陣列基 板的邊緣e(圖5)切斷母基板1〇〇而彼此分離切出陣列基板 101 〇 參照圖7、圖8,取出圖6所示像素區域30一部份而進一 步說明。圖7係平面圖,圖8係剖面圖。陣列基板1〇1係具 有作為透明絕緣基板(玻璃)之基板丨丨丨(圖8)。像素區域% 中,在基板111上係將複數信號線X、及複數掃描線γ配置 成矩陣狀,並在信號線與掃描線之各交又部設有 TFTSW(參照圖7的圓171所圍的部分)。 TFTSW係具有以下構件··半導體膜112,其係由多晶矽 所形成’且具有源極/汲極區域112&、U2b ;及閘極電極 11 5b,其係延伸掃描線γ的一部份。 此外,在基板111上係形成複數帶狀輔助電容線丨16,其 用以形成辅助電容元件131,以與掃描線γ相平行而延伸: 在該部分係形成對應像素電極Ρ(參照圖7的圓172所圍的部 分與圖8)。 詳言之,在基板1 1 1上係形成半導體膜〗12、及輔助電容 下部電極113,並在包含該等半導體膜及輔助電容下部電 99907.doc -11 - 200538790 極113之基板上使閘極絕緣膜114成膜。在此,輔助電容下 部電極113與半導體膜112相同,係由多晶矽所形成。在閘 極絕緣膜114上係配設掃描線γ、閘極電極丨丨5b、及輔助電 容線116。輔助電容線116及輔助電容下部電極113係介以 閘極絕緣膜114而相對配置。在包含掃描線γ、閘極電極 π5b及辅助電容線116之閘極絕緣膜114上係使層間絕緣膜 117成膜。 層間絕緣膜11 7上係形成接觸電極〗2 1、及信號線χ。接 觸電極121介以各接觸孔而分別連接半導體膜112的源極/ 汲極區域112a及像素電極Ρ。信號線χ係介以接觸孔而連接 半導體膜的源極/汲極區域112b。 與接觸電極121、信號線χ及層間絕緣膜117相重疊而形 成保護絕緣膜122,此外,在保護絕緣膜122上分別鄰接帶 狀綠色的著色層124G、紅色的著色層124R、及藍色的著 色層124B,並使之交互排列配設,以形成彩色濾光片層。 利用ITO(銦·錫氧化物)等的透明導電膜,分別在著色層 124G、124R、124B上形成像素電極p。接著,各像素電極 p介以形成於著色層及保護絕緣膜122之接觸孔125而連接 接觸電極121。像素電極P的周緣部係位於與辅助電容線 116及信號線X相重疊的位置。連接像素電極ρ的輔助電容 元件1 3 1係作為蓄積電荷的輔助電容用。 在著色層124R 124G上係形成柱狀間隔物127(參照圖
7)。全部雖未圖示,但柱狀間隔物127係按所希望的密度 在各著色層上形成複數個。在著色層124G、i24R、i24B 99907.doc 200538790 及像素電極P上係形成配向膜128。相對基板102係具有作 為透明絕緣基板之基板1 5 1。在該基板1 5丨上係依序形成由 ιτο等透明材料所形成的相對電極152、及配向膜153。 參照圖9,說明使用有EB測試器之陣列基板1〇1之檢查 方法的基本事項。該檢查係在基板上形成像素電極p後, 且在從母基板100沿著其邊緣e切斷陣列基板1 〇 1之前進 行。 首先’用以連接信號產生器及信號解析器3〇2之複數探 鲁 針係連接對應的複數墊片201、202。從信號產生器及信號 解析器302輸出的驅動信號介以探針及墊片1、202而供 應至像素部203。將驅動信號供應至像素部203後,對該像 素部照射從電子線源301放出的電子束EB。藉由該照射, 放出用以表示像素部203電壓之二次電子SE,並以電子檢 出器DE檢出該二次電子SE。二次電子把係按所放出各處 的電壓比例。在此,檢查工序中,藉由來自信號產生器及 φ 仏號解析器302之驅動信號,電性掃描陣列基板1〇ι的像素 部203。該掃描係與以箭頭a表示電子束eB之陣列基板丨〇 1 表面上的掃描同步而進行。電子檢出器DE所檢出之二次 電子的資訊係傳送至信號產生器及信號解析器3〇2,以用 於像素部203的解析。此外,傳送至信號產生器及信號解 析為302之二次電子的資訊係反應各像素部對用以供應至 各像素部203的TFT端子之驅動信號之回應性能。如此,可 才欢查各像素部2〇3的像素電極P的電壓狀態。換言之,像素 部203有缺陷時,可利用EB測試器檢出該缺陷。 99907.doc -13- 200538790 圖10係顯示將部份陣列基板101放大,且設於該部分之 正規墊片群的行PDp之例。在此,陣列基板1〇1係具有以下 構件·陣列基板主區域i i a ;及作為該陣列基板主區域 l〇la外側之陣列基板子區域10113。另外,陣列基板子區域 l〇lb在檢查後,沿著切斷線e2,藉由例如設置切割線而加 以切斷。 陣列基板主區域1 01 a的正規墊片群的行PDp係介以配線 而分別連接圖6所示的掃描線驅動電路4〇及信號線驅動電 路50。掃描線驅動電路40及信號線驅動電路5〇在圖面上係 位於下側,但在此係省略。將用以構成正規墊片群的行 PDp之端子種類分類時,係分類如下··作為正規墊片群的 二個控制墊片群CTL1、CTL2及四個視頻塾片群videol、 Video2 、 Video3 、 Video4 〇 將時鐘信號、起動脈衝信號、高位準用電源及低位準用 電源等輸入控制墊片群CTL1、CTL2。將影像信號輸入視 頻墊片群 Videol 、Video2 、Video3 、Video4 。以 XGA(eXtended Graphics Array)為例時,控制塾片群 CTL1、CTL2的端子數係分別為26個。視頻塾片群 Videol、Video2、Video3、Video4 的端子數係分別為 50 個。 另一方面,在陣列基板子區域10lb的周邊係設有檢查用 墊片群的行(以下,稱為檢查墊片群的行)PDs。該檢查墊 片群的行PDs係介以配線而連接正規墊片群的行pDp。 在此,檢查墊片群的行PDs的構成係本發明的重點。檢 99907.doc -14· 200538790 查墊片群的行PDs與正規墊片群的行PDp相同,包含作為 檢查墊片群的二個子控制墊片群sCTLl、sCTL2及四個子 視頻墊片群 sVideol、sVideo2、sVideo3、sVideo4。控制 墊片群CTL1、CTL2的寬度wla係分別為寬度5.0 mm。視頻 墊片群 Video 1、Video2、Video3、Video4 的寬度 wlb係分別 為寬度34.888 mm。 顯示各墊片群的間隔時,子控制墊片群sCTL 1與子視頻 墊片群sVideol的間隙w2a,及子控制墊片群sCTL2與子視 頻塾片群s Vi deo4的間隙w2 a係15.747 mm。子視頻墊片群 sVideo 1與子視頻墊片群sVideo2的間隙w2b,及子視頻墊 片群sVideo3與子視頻墊片群sVideo4的間隙w2b係36.612 mm。子視頻墊片群sVide〇2與子視頻墊片群sVideo3的間隙 w2c係3 6.33 mm。如此,各檢查墊片群彼此係位於特定間 隙而配置。 接著’子控制墊片群sCTLl、sCTL2的端子數係與控制 塾片群CTL1、CTL2相同,分別為26個。子視頻墊片群 sVideol、sVideo2、sVideo3、sVideo4 的端子數係與視頻 墊片群 Videol、Video2、Video3、Video4相同,分別為 50 個。構成該等各檢查墊片群之端子係排列為特定圖案。 如圖11(a)、(b)所示,子控制墊片群sCTL1的端子^至 c26的間隔係預先配置於特定圖案。端子cl與端子c2的間 隙w3a,端子c2與端子c3的間隙w3b,及端子()3與端子〇4的 間隙w3c等,係設計為對準用以構成探針群之複數端子間 隔。此外,子視頻墊片群“丨心〇1的端子vlsV5〇的間隔亦 99907.doc -15- 200538790 預先配置於特定圖案,端子V1與端子V2的間隙*、端子 ▽2與知子”的間隙祕’及端子^與端子^的間隙讀 等,係設計為對準用以構成探針群之複數端子間隔。 、/口上所述,係顯示檢查塾片群的行PDs的構成-例,但 複數檢查墊片群的間隔盥用 一 Ί ^用以構成各檢查墊片群之複數端 子間也可不先形成於^^金pq 化攻於特疋間隔,而對準陣列基板101的 檢查所使用特^檢查裝置的複數探針群間隔與用以構成各 探針群之複數探針間隔而形成。
利用ΕΒ測心檢查上述所構成㈣陣列基板⑻時,在檢 查墊片群的行PDs所具有的各端子連接探針,並介以該探 針將電荷蓄積於像素部203的像素電極PA辅助電容元件 131。接著,蓄積電荷後,II由對各像素部2G3照射電子 束’檢出從各像素部放出的二次電子。如此,檢查各像素 部203的缺現有無。更詳言之,藉由對充有電荷之像素電 極P照射電子束,並檢出·解析從像素電極放出的二次電 子’檢查該像素電極是否正常保持電荷。在此的檢查不僅 表示像素電極P本身的不良,以示連接像素電極之 TFTSW的不良、&含像素電極之輔助電容元件m的不良 等有關像素電極之檢查。 根據本實施形態之陣列基板的檢查方法,陣列基板ι〇ι 係介以預先與探針排列一致而設計的檢查墊片群的行pDs 而進行檢查。因此’即使檢查不同品種的液晶顯示裝置 時,藉由預先將陣列基板1〇1的檢查墊片群的行pDs的排列 與探針排列一致而設計,可使用共同的探針檢查每一品 99907.doc -16 - 200538790 種。此外,即使變更陣列基板主區域1018的正規墊片群的 行PDp的配置,也可將檢查墊片群的行PDs的排列強制形 成檢查裝置的探針排列。如此,藉由設法為檢查裝置的探 針與陣列基板之相互組合形態,不需按各品種使用不同探 針。如此,例如,可使用共同的探針檢查12吋用陣列基板 及1 5吋用陣列基板。從而,可減低檢查裝置的成本,並進 行良好的檢查。 再者,可擴大檢查裝置的融通性,減低檢查裝置的設計 變更或修正機會,並抑制面板製品價格上升。又,當然可 抑制不良液晶顯示裝置的製品流出。 圖12係用以說明本發明其他實施形態之陣列基板的檢查 方法。圖12係顯示將部分陣列基板ι〇1放大,且設於該部 分之正規墊片群的行PDp及檢查墊片群的行pDsc之例。另 外’陣列基板子區域1 〇 1 b在檢查後,沿著切斷線e2而藉由 例如引出切割線而切斷。 藉由預先將複數端子並排配置於陣列基板子區域1〇lb, 構成檢查墊片群的行PDs。正規墊片群的行PDp係由作為 正規塾片群的二個控制墊片群CTL1、CTL2及四個視頻墊 片群 Videol、Video2、Video3、Video4所構成。接著,檢 查墊片行PDsc的端子係比正規墊片群的行PDp的端子形成 較多。 在此,顯示檢查墊片行PDsc與正規墊片群的行PDp的連 接關係。正規墊片群的行PDp的各端子係連接檢查墊片行 PDsc的任意端子。亦即,將正規墊片群的行pDp的各端子 99907.doc -17- 200538790 連接檢查墊片行PDsc的端子時,對準特定檢查裝置的探針 群排列而將正規墊片群的行PDp的各端子連接檢查墊片行 PDsc的端子。 亦即,連接有正規墊片群的行PDp的各端子之檢查墊片 行PDSC的端子的排列圖案係與特定檢查裝置的探針群 列圖案相同。
如此,即使檢查不同正規墊片群的行pDp的排列圖案之 陣列基板101,用以接觸檢查裝置的探針之檢查墊 版的各端子始終會對準探針的圖案。因此,不需按各口丁 種使用不同探針。另外,檢查墊片行PDS_端子不需全部 連接正規塾片群的行PDp的端子。 根據上述所構成之本實施形態之陣列基板的檢查方法, 陣列基板HH係介以縣與探針群排列—致而設計的檢查 墊片群行版而進行檢查。接著,正規塾片群的行PD㈣ 包含複數正規各正規墊片群的各端子係連接與用 以構成探針群之探針排列_致之檢查墊片行ρ β s ^的各端 子如此,即使檢查不同品種的液晶顯示裝置時,藉由預 先將陣列基板1〇1的檢查墊片行pDsc的各端子排心探針 排列-致而設計,可使用共同的探針檢查每—品種。 另外’本發明並不限於上述本實施形態,在本發明的範 圍内可進行各種變形。例如,上述陣列基板ι〇ι係包含掃 描線驅動電路40及信號線驅動電路5〇,但也可不包含該等 驅動電路而檢查陣列基板。此外,檢查陣列基板時,用^ 檢查之檢查裝置不限於邱測試器,也可使用電測試器。 99907.doc 200538790 [產業上可利用性] 種陣列基板之檢查方法,其可削 ’可減低檢查裝置的設計變更或 示裝置的製品價格上升。 根據本發明,可提供一 減檢查裝置的成本。此外 修正機會,並抑制液晶顯 【圖式簡單說明】 圖1係用以說明以本發明為前提之技術圖,其係顯示非 石夕型陣列基板之基本構成的說明圖。
圖2係用以說明以本發明為前提之技術圖,其係顯示多 矽型陣列基板之基本構成的說明圖。 圖3係本發明實施形態之液晶顯示面板的概略剖面圖。 圖4係顯示上述液晶顯示面板一部份的立體圖。 圖5係顯示母基板上之陣列基板排列例的說明圖。 圖6係取出本發明實施形態之陣列基板而顯示其概略 圖7係將圖6所示陣列基板的像素區域一部份放大而顯示 的概略平面圖。 圖係具有圖7所示陣列基板之液晶顯示面板的概略剖面 圖9係用以說明本發明實施形態之電子束測試器的基本 構成與動作圖。 圖1〇係取出本發明第一實施形態之陣列基板重要部分而 顯示的說明圖。 圖11八係取出圖1 〇的檢查墊片行的一部分而顯示其概略 構成圖。 ' 99907.doc -19- 200538790 圖11B係取出圖10的檢查墊片行另一部分而顯示其概略 構成圖。 圖12係取出本發明第二實施形態之陣列基板重要部分而 顯示的說明圖。 【主要元件符號說明】
30 像素區域 40 掃描線驅動電路 50 信號線驅動電路 100 母基板 101 陣列基板 101a 陣列基板主區域 101b 陣列基板子區域 102 相對基板 103 液晶層 111 、 151 基板 112 半導體膜 112a 、 112b 源極/汲極區域 113 輔助電容下部電極 114 閘極絕緣膜 115b 間極電極 116 輔助電容線 117 層間絕緣膜 121 接觸電極 122 保護絕緣膜 99907.doc -20- 200538790
124B 藍色的著色層 124G 綠色的著色層 124R 紅色的著色層 125 接觸孔 127 柱狀間隔物 128, 153 配向膜 131 輔助電容元件 152 相對電極 160, 162 密封材 161 液晶注入口 201, 202 墊片 203 像素部 301 電子線源 302 信號產生器及信號解析器 CTL1, CTL2 控制墊片群 DE 電子檢出器 e 邊緣 e2 切斷線 EB 電子束 P 像素電極 PDa 墊片群 PDp 正規墊片群的行 PDs 檢查塾片群的行 PDsc 檢查墊片行 99907.doc -21 - 200538790
sCTLl, sCTL2 子控制墊片群 SE 二次電子 sVideo 1? sVideo2,sVideo3, 子視頻墊片群 s Video4 TFTSW 開關元件 VI 至 V50 端子 Videol, Video2, Video3, 視頻墊片群 Video4 w2a,w2b,w2c,w3a、w3b, 間隙 w3c,w4a,w4b,w4c wla, wlb 寬度 X 信號線 Y 掃描線
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Claims (1)
- 200538790 十、申請專利範圍: 1 · 一種陣列基板之檢查方法,苴 ,、係對具有於端部具第一扭 列的電力供應用第一墊片及作為檢查對象的第排 弟一陣列基板,及具有於端部 ^之 斤 知P具與則述第一排列不同的 弟二排列的電力供應用第二塾片及作為檢查對象的第二 電極之第二陣列基板,分別從前述第-塾月及前述第I 墊片供應電力至前述第一電極及前述二 、 第一電極及第二電極昭射電子束# ^ ώ ,對前述 …射電子束,並藉由從前述第一雷 極及第二電極放出的二次電子資訊進行有關前述第一電 極及第二電極的檢查,其特徵係 將具有特定排列端子之檢查用塾片連接於前述第一塾 二=具有與前述特定排列對應的排列之探針抵接於前 而將電力供應至前述第—電極,以進行有關前述 第一陣列基板的第一電極的檢查, 將具有前述特定排列端子之檢查用塾片連接於前述第 二塾片’將前述探針不改變其排列而抵接於前述端子, 而將電力供應至前述第二電極,以進行有關前述第 列基板的第二電極的檢查。 2. 一種陣列基板之檢查方法’其所檢查之陣列基板係具 有.^板,其將複數掃描線及複數信號線交叉而配置; 像素部,其形成於前述基板上,配置於前述掃描線及信 號線的交又部附近,包含開關元件及辅助電容;及正規 塾片群’其為將信號供應或輸出至前述掃描線及信號線 而設置,其檢查方法之特徵係 99907.doc 200538790 ^為不同。Π種的前述陣列基板,在該等陣列基板進 /預先形成包合有對準特定檢查裝置的探針群排列圖 案之排列圖案的端子之檢查用塾片群,將前述正規塾片 _ 2對應端子經由g&線而連接該檢查用塾片群的端子, 寺不而變更前述檢查裝置的探針群的排列圖 案將則述採針群抵接於前述不同品種的陣列基板的檢 查用墊片群的端子而進行檢查。 3·如請求項2之陣列基板之檢查方法,其中前述檢查裝置 具有複數前述探針群, -月1J述檢查用墊片群係複數,複數檢查用塾片群的 :=用以構成各檢查用塾片群之複數端子間隔係分別 Ί仏查|置的複數探針群間隔與用以構成各探針群 之複數探針間隔相同。 4. 種陣列基板之檢查方法,其所檢查之陣列基板係具 .基板’其將複數掃描線及複數信號線交又而配置; ^部:其形成於前述基板上,配置於前述掃描線及信 的交又部附近,包含開關元件及輔助電容,·及正規 ^ 八為將“5虎供應或輸出至前述掃描線及信號線 而卩又置,其檢查方法之特徵係 一即使為不同品種的前述陣列基板,在該等陣列基板進 一步預先形成包含複數端子之檢查用墊片行,並對準特 =檢查裝置的探針群㈣而將前述正規^群的行的各 鳊子連接前述檢查用墊片行的端子, 檢查時,不需變更前述檢查裝置的探針群的排列圖 99907.doc 200538790 案,將前述探針群抵接於前述不同品種的陣列基板的檢 查用墊片行的端子而進行檢查。99907.doc
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