RU98111190A - Способ и устройство для автоматического определения необходимого высокого напряжения для программирования/стирания электрически стираемого программируемого постоянного накопителя - Google Patents
Способ и устройство для автоматического определения необходимого высокого напряжения для программирования/стирания электрически стираемого программируемого постоянного накопителяInfo
- Publication number
- RU98111190A RU98111190A RU98111190/09A RU98111190A RU98111190A RU 98111190 A RU98111190 A RU 98111190A RU 98111190/09 A RU98111190/09 A RU 98111190/09A RU 98111190 A RU98111190 A RU 98111190A RU 98111190 A RU98111190 A RU 98111190A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- high voltage
- vpp
- programmed
- erased
- programming
- Prior art date
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims 2
- 210000004027 cells Anatomy 0.000 claims 12
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
Claims (5)
1. Способ определения необходимого высокого напряжения (Vpp) для программирования или стирания в программируемом и стираемом полупроводниковом постоянном накопителе (SP) со следующими операциями:
а) приложение высокого напряжения (Vpp) или - в случае повторного осуществления этой операции - повышенного высокого напряжения к управляющему затвору (SG) запоминающей ячейки для гашения или к выводу стока запоминающей ячейки для программирования запоминающей ячейки;
b) считывание ячеек с заданным напряжением считывания (UL).
а) приложение высокого напряжения (Vpp) или - в случае повторного осуществления этой операции - повышенного высокого напряжения к управляющему затвору (SG) запоминающей ячейки для гашения или к выводу стока запоминающей ячейки для программирования запоминающей ячейки;
b) считывание ячеек с заданным напряжением считывания (UL).
с) если все ячейки стерты или запрограммированы: энергонезависимое запоминание высокого напряжения и
d) если по меньшей мере одна ячейка не стерта или не запрограммирована: повышение высокого напряжения на определенную величину (ΔV) и начало при операции а).
d) если по меньшей мере одна ячейка не стерта или не запрограммирована: повышение высокого напряжения на определенную величину (ΔV) и начало при операции а).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед каждым программированием или стиранием запоминающих ячеек установленным высоким напряжением накопитель стирают или, соответственно, программируют максимальным высоким напряжением.
3. Способ для определения необходимого для программирования или для стирания высокого напряжения (Vpp) в программируемом и стираемом полупроводниковом постоянном накопителе (SP) со следующими операциями:
а) приложение высокого напряжения (Vpp) к управляющему затвору запоминающей ячейки для гашения или к выводу стока запоминающей ячейки для программирования запоминающей ячейки,
b) установление заданного напряжения считывания (UL),
с) считывание ячеек при заданном напряжении считывания (UL),
d) если все ячейки стерты или запрограммированы:
d1) повышение или, соответственно, понижение высокого напряжения на заданную величину (ΔU),
d2) считывание ячеек при повышенном, или, соответственно, пониженном напряжении считывания,
d3) если по меньшей мере одна ячейка не стерта или не запрограммирована: уменьшение заданного высокого напряжения (Vpp) на определенную величину (ΔU)·(количество проходов петли) и запоминание пониженного высокого напряжения,
d4) если все ячейки стерты или, соответственно, запрограммированы: продолжение с операцией d1),
е) если по меньшей мере одна ячейка не стерта или не запрограммирована:
e1) уменьшение или, соответственно повышение напряжения считывания на заданную величину (ΔU),
е2) считывание ячеек при пониженном или, соответственно, повышенном напряжении считывания,
е3) если все ячейки стерты или запрограммированы: повышение заданного высокого напряжения (Vpp) на величину (ΔU)·(количество проходов петли +1) и запоминание повышенного высокого напряжения,
е4) если по меньшей мере одна ячейка не стерта или, соответственно, не запрограммирована: продолжение с операцией е1).
а) приложение высокого напряжения (Vpp) к управляющему затвору запоминающей ячейки для гашения или к выводу стока запоминающей ячейки для программирования запоминающей ячейки,
b) установление заданного напряжения считывания (UL),
с) считывание ячеек при заданном напряжении считывания (UL),
d) если все ячейки стерты или запрограммированы:
d1) повышение или, соответственно, понижение высокого напряжения на заданную величину (ΔU),
d2) считывание ячеек при повышенном, или, соответственно, пониженном напряжении считывания,
d3) если по меньшей мере одна ячейка не стерта или не запрограммирована: уменьшение заданного высокого напряжения (Vpp) на определенную величину (ΔU)·(количество проходов петли) и запоминание пониженного высокого напряжения,
d4) если все ячейки стерты или, соответственно, запрограммированы: продолжение с операцией d1),
е) если по меньшей мере одна ячейка не стерта или не запрограммирована:
e1) уменьшение или, соответственно повышение напряжения считывания на заданную величину (ΔU),
е2) считывание ячеек при пониженном или, соответственно, повышенном напряжении считывания,
е3) если все ячейки стерты или запрограммированы: повышение заданного высокого напряжения (Vpp) на величину (ΔU)·(количество проходов петли +1) и запоминание повышенного высокого напряжения,
е4) если по меньшей мере одна ячейка не стерта или, соответственно, не запрограммирована: продолжение с операцией е1).
4. Способ по пп. 1, 2 или 3, отличающийся тем, что перед запоминанием высокого напряжения его повышают на величину надежности.
5. Устройство для автоматического определения необходимого (необходимых) для программирования и/или стирания высокого напряжения (высоких напряжений) (Vpp) в программируемом и стираемом полупроводниковом постоянном накопителе (SP) со следующими средствами для осуществления способа согласно любому из пп.1 - 4,
блоком управления (ST), который соединен с накопителем (SP) через адресную и информационную шину (ADB), а также с линией для нагружения накопителя (SP) напряжением считывания (UL),
устанавливаемым генератором высокого напряжения (HG), который является нагружаемым от блока управления (ST) управляющим сигналом (S),
причем накопитель (SP) является нагружаемым от генератора высокого напряжения (HG) устанавливаемым высоким напряжением (Vpp), и
причем накопитель (SP) имеет область (А), в которую может (могут) записываться или, соответственно из которой может (могут) считываться определенное высокое напряжение (определенные высокие напряжения) (Vpp).
блоком управления (ST), который соединен с накопителем (SP) через адресную и информационную шину (ADB), а также с линией для нагружения накопителя (SP) напряжением считывания (UL),
устанавливаемым генератором высокого напряжения (HG), который является нагружаемым от блока управления (ST) управляющим сигналом (S),
причем накопитель (SP) является нагружаемым от генератора высокого напряжения (HG) устанавливаемым высоким напряжением (Vpp), и
причем накопитель (SP) имеет область (А), в которую может (могут) записываться или, соответственно из которой может (могут) считываться определенное высокое напряжение (определенные высокие напряжения) (Vpp).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19542029A DE19542029C1 (de) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | Verfahren zum selbsttätigen Ermitteln der nötigen Hochspannung zum Programmieren/Löschen eines EEPROMs |
| DE19542029.2 | 1995-11-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98111190A true RU98111190A (ru) | 2000-05-10 |
| RU2189083C2 RU2189083C2 (ru) | 2002-09-10 |
Family
ID=7777185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98111190/09A RU2189083C2 (ru) | 1995-11-10 | 1996-11-04 | Способ и устройство для автоматического определения необходимого высокого напряжения для программирования/стирания электрически стираемого программируемого полупроводникового постоянного запоминающего устройства |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0860011B1 (ru) |
| JP (1) | JPH11515129A (ru) |
| KR (1) | KR100408323B1 (ru) |
| CN (1) | CN1113366C (ru) |
| AT (1) | ATE181173T1 (ru) |
| DE (2) | DE19542029C1 (ru) |
| ES (1) | ES2135269T3 (ru) |
| IN (1) | IN192274B (ru) |
| RU (1) | RU2189083C2 (ru) |
| UA (1) | UA47444C2 (ru) |
| WO (1) | WO1997017704A2 (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3583052B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2004-10-27 | 九州日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US7239557B2 (en) * | 2005-06-17 | 2007-07-03 | Micron Technology, Inc. | Program method with optimized voltage level for flash memory |
| KR100725979B1 (ko) * | 2005-07-23 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 장치 및 그 방법 |
| KR100843004B1 (ko) * | 2006-04-14 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자 및 그 구동 방법 |
| KR100843037B1 (ko) * | 2007-03-27 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 장치 및 이의 소거 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG47058A1 (en) * | 1993-09-10 | 1998-03-20 | Intel Corp | Circuitry and method for selecting a drain programming voltage for a nonvolatile memory |
| JP3737525B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2006-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
| JPH08115597A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ディスク装置 |
-
1995
- 1995-11-10 DE DE19542029A patent/DE19542029C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-04 DE DE59602197T patent/DE59602197D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-04 CN CN96198209A patent/CN1113366C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-04 WO PCT/DE1996/002099 patent/WO1997017704A2/de active IP Right Grant
- 1996-11-04 RU RU98111190/09A patent/RU2189083C2/ru active
- 1996-11-04 AT AT96945974T patent/ATE181173T1/de active
- 1996-11-04 EP EP96945974A patent/EP0860011B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-04 KR KR10-1998-0703420A patent/KR100408323B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-04 JP JP9517743A patent/JPH11515129A/ja active Pending
- 1996-11-04 ES ES96945974T patent/ES2135269T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-04 UA UA98042216A patent/UA47444C2/ru unknown
- 1996-11-11 IN IN1950CA1996 patent/IN192274B/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7480187B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory with low-loading bit line architecture and method of programming the same | |
| US6654289B2 (en) | Non-volatile memory device with erase address register | |
| KR100252476B1 (ko) | 플레이트 셀 구조의 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 셀들을 구비한 불 휘발성 반도체 메모리 장치및 그것의 프로그램 방법 | |
| KR100645055B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
| US5677868A (en) | Batch erasable nonvolatile memory device and erasing method | |
| US5991201A (en) | Non-volatile memory with over-program protection and method therefor | |
| KR100290282B1 (ko) | 프로그램 시간을 단축할 수 있는 불 휘발성반도체메모리 장치 | |
| US6052306A (en) | Method and device for automatic determination of the required high voltage for programming/erasing an EEPROM | |
| KR100550789B1 (ko) | 플래시 메모리 소자의 프로그램/소거 전압 공급 회로 | |
| US20050002239A1 (en) | Memory device with non-volatile reference memory cell trimming capabilities | |
| KR900013522A (ko) | 반도체 불휘발성 기억장치와 그것을 사용한 정보처리시스템 | |
| KR100691379B1 (ko) | 프로그램 동작 안정성이 향상된 불휘발성 반도체 메모리장치 및 이에 대한 프로그램 구동방법 | |
| KR100319558B1 (ko) | 읽기 시간을 줄일 수 있는 불휘발성 반도체 메모리 장치 | |
| RU98111190A (ru) | Способ и устройство для автоматического определения необходимого высокого напряжения для программирования/стирания электрически стираемого программируемого постоянного накопителя | |
| JPH08111096A (ja) | 半導体記憶装置及びその消去方法 | |
| US5381366A (en) | Non-volatile semiconductor memory device with timer controlled re-write inhibit means | |
| KR19990013057A (ko) | 단일 비트 데이터와 다중 비트 데이터를 동일한 칩에 선택적으로 저장하는 플래시 메모리 장치의 독출 및 기입 방법 | |
| US6459628B1 (en) | System and method to facilitate stabilization of reference voltage signals in memory devices | |
| RU2189083C2 (ru) | Способ и устройство для автоматического определения необходимого высокого напряжения для программирования/стирания электрически стираемого программируемого полупроводникового постоянного запоминающего устройства | |
| US6091643A (en) | Semiconductor memory device having a non-volatile memory cell array | |
| US6490202B2 (en) | Non-volatile memory device with erase register | |
| US6937519B2 (en) | Flash memory with fast boot block access | |
| RU2162254C2 (ru) | Программируемое постоянное запоминающее устройство с улучшенным временем выборки | |
| JPH01273294A (ja) | 電気的書込み・消去可能型メモリ装置 | |
| EP0429720A1 (en) | Single-transistor-EEPROM-cell |