RU2471015C2 - Вакуумная установка для нанесения покрытий - Google Patents

Вакуумная установка для нанесения покрытий Download PDF

Info

Publication number
RU2471015C2
RU2471015C2 RU2009136423/02A RU2009136423A RU2471015C2 RU 2471015 C2 RU2471015 C2 RU 2471015C2 RU 2009136423/02 A RU2009136423/02 A RU 2009136423/02A RU 2009136423 A RU2009136423 A RU 2009136423A RU 2471015 C2 RU2471015 C2 RU 2471015C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
deposition
substrates
chambers
chamber
Prior art date
Application number
RU2009136423/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2009136423A (ru
Inventor
Арно ЦИНДЕЛЬ
Маркус ПОППЕЛЛЕР
Дмитрий ЗИМИН
Хансйорг КУН
Йорг КЕРШБАУМЕР
Original Assignee
Эрликон Солар АГ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эрликон Солар АГ filed Critical Эрликон Солар АГ
Publication of RU2009136423A publication Critical patent/RU2009136423A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2471015C2 publication Critical patent/RU2471015C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии вакуумной обработки подложек большой площади путем осаждения пленок из паровой или газовой фазы, используемых, в частности, при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Установка содержит по меньшей мере одну загрузочную шлюзовую камеру (2), по меньшей мере две следующие за ней камеры (4, 5) осаждения, по меньшей мере одну разгрузочную шлюзовую камеру (10) и средства перемещения подложек, последующей обработки подложек и/или транспортировки подложек через различные камеры и внутри них. Камеры осаждения предназначены для работы при по существу одинаковых параметрах нанесения покрытия, включая расход газа, давление, продолжительность обработки и используемые химические вещества. Камеры установлены с образованием цепи камер осаждения, в каждой из которых выполняют часть осаждения. Обеспечиваются равномерные свойства осажденного на подложки слоя, а также повышается производительность. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к установке для вакуумной обработки подложек, особенно подложек большой площади с размерами 1 м2 или более, по так называемому поточному принципу. В предпочтительном варианте реализации оно описывает систему для химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) слоев оксида цинка (ZnO) для тонкопленочных солнечных элементов, например для слоев передних и задних контактов в области солнечных элементов, особенно солнечных элементов на основе кремния, таких как тонкопленочные солнечные элементы. К тому же оно может быть использовано для всех тех сфер применения при нанесении покрытий большой площади, где применяется химическое осаждение из паровой или газовой фазы.
Определения:
«Система», «установка», «технологическое оборудование», «устройство» представляют собой термины, употребляемые в данном описании взаимозаменяемо для по меньшей мере одного варианта реализации изобретения.
«Обработка» в смысле данного изобретения включает любое химическое, физическое или механическое воздействие, оказываемое на подложки.
«Подложки» в смысле данного изобретения представляют собой компоненты, детали или заготовки, подлежащие обработке в вакуумной установке обработки по изобретению. Подложки включают, но не ограничиваются ими, плоские, пластинчатые детали, имеющие прямоугольную, квадратную или круглую форму. В предпочтительном варианте реализации данное изобретение касается по существу плоских подложек размером >1 м2, таких как тонкие стеклянные пластины.
Химическое осаждение из паровой или газовой фазы (CVD) представляет собой хорошо известную технологию, позволяющую наносить слои покрытия на нагретые подложки. Обычно жидкий или газообразный материал-предшественник подают в технологическую систему, в которой термическое взаимодействие упомянутого предшественника приводит в результате к осаждению упомянутого слоя. LPCVD является общим термином для CVD низкого давления.
Диэтилцинк (ДЭЦ) представляет собой материал-предшественник для получения слоев ППО в вакуумном технологическом оборудовании.
ППО или слои ППО представляют собой прозрачные проводящие слои.
Термины «слой», «покрытие», «осадок» и «пленка» взаимозаменяемо употребляются в данном описании по отношению к пленке, осажденной в вакуумном технологическом оборудовании, независимо от того, используется ли оно для CVD, LPCVD, усиленного плазмой CVD (PECVD) или PVD (физического осаждения, или конденсации, из газовой фазы).
Солнечный элемент или фотоэлектрический элемент представляет собой электрический компонент, способный преобразовывать свет (по существу, солнечный свет) непосредственно в электрическую энергию благодаря фотоэлектрическому эффекту.
Предпосылки изобретения
Поточные вакуумные системы обработки хорошо известны в данной области техники. В US 4358472 или ЕР 0575055 описаны системы подобного рода. В общем смысле такая система включает в себя удлиненную транспортную линию для подложек в среде вакуума. Вдоль упомянутой транспортной линии могут быть использованы различные средства обработки, такие как средства нагревания, охлаждения, осаждения (PVD, CVD, PECVD…), травления или управления, воздействующие на упомянутые подложки. Если необходимо предотвратить перекрестное загрязнение во время таких процессов, предпочтительно используют клапаны или заслонки, отделяющие определенные участки друг от друга. Такие клапаны позволяют подложкам проходить с одного из упомянутых участков на другой и закрываются во время обработки на определенном участке. Обычно такие участки называют технологическими станциями или технологическими модулями (ТМ). При использовании дискретных подложек, таких как пластины, листы стекла, пластмассовые подложки, обработка может происходить непрерывно или с перерывами. В первом случае во время обработки подложки проходят мимо средств обработки (таких, как лампы, охладители, источники осаждения…), а во втором случае во время обработки подложки удерживаются в неподвижном положении. Транспортировка подложек через систему может происходить многими способами, например при помощи роликов, ременных приводов или линейных систем с двигателем (например, US 5170714). Ориентация подложек может быть вертикальной, или горизонтальной, или наклонной под определенным градусом. Во многих сферах применения предпочтительным является размещение подложек на носителях во время их транспортировки.
Транспортная линия может быть линейной (односторонней) или линейной двусторонней (вперед и назад по одному и тому же пути) либо, альтернативно, с отдельной возвратной линией. Упомянутые прямая и возвратная линии могут быть расположены рядом друг с другом или в многоярусной компоновке одна над другой, как, например, описано в US 5658114.
Предпочтительно для загрузки и выгрузки, а также для входа/выхода из среды вакуума может быть предусмотрена отдельная загрузочно-разгрузочная станция («запорно-загрузочная»). Подобным образом вход/выход транспортной линии в/из вакуума может происходить без влияния на условия вакуума в технологических камерах.
В этом базовом описании не приведено ссылок на дополнительное необходимое оборудование, такое как насосы, приспособления для электроснабжения и водоснабжения, вытяжки, газоснабжения, органы управления и контроля и т.д., которое, как известно специалисту в данной области техники, является необходимым.
Экономически целесообразным является нанесение покрытий на подложки большой площади. В частности, это важно в гелиотехнике и в производстве устройств визуального отображения (дисплеев). Поэтому такие поточные системы используют для поочередной обработки подложек, последовательно подаваемых от одной технологической станции к другой. В системе, включающей n технологических станций, одновременно могут быть обработаны n подложек, при этом продолжительность обработки самой медленной станции (в единицах времени обработки) определяет пропускную способность системы.
В производстве фотоэлектрических (ФЭ) батарей, а также в производстве дисплеев используют слои ППО для применений в солнечных элементах и TFT (тонкопленочных транзисторах). Широко используются ITO (оксид индия-олова) или ZnO (оксид цинка). Однако слои ZnO демонстрируют наилучшие рабочие характеристики в качестве проводящего контактного материала для применений в солнечных элементах. Солнечные элементы традиционно изготавливают на основе полупроводниковых пластин. Однако все возрастающая потребность в кремниевых пластинах повысила спрос на так называемые тонкопленочные солнечные элементы на основе стекла, металла или пластмассы, на которые в качестве активной части осаждают тонкие слои кремния, р- или n-легированного кремния и слои ППО. Как упомянуто выше, большие подложки могут производиться более экономически выгодно, чем пластины, при условии обеспечения определенной гомогенности осаждения слоя. Ранее эксперименты в основном проводили на подложках довольно небольших размеров. Для того чтобы обеспечить последовательное подключение отдельных элементов, слои ZnO (и слои кремния), используемые в тонкопленочных солнечных элементах, должны быть снабжены рельефным рисунком (структурированы). Такого разделения элементов (называемого «скрайбированием») обычно добиваются при помощи лазерной системы. Лазерная абляция материала до определенной глубины вдоль заданных линий или шаблонов приводит к тому, что определенные области подложки с покрытием оказываются электрически изолированными от других. Следовательно, должно быть совершенно понятно, что надежно равномерные свойства слоя по всей подложке являются существенными для рабочих характеристик и эффективности тонкопленочного солнечного элемента. Отклонения толщины подложки или слоя привели бы к не полностью скрайбированным линиям или скрайбированию подложки.
Другим фактором при коммерческом производстве солнечных элементов или дисплеев является пропускная способность используемого технологического оборудования. По существу, время для транспортировки подложек в систему должно быть минимизировано с целью обеспечения высокой пропускной способности при определенной скорости осаждения. Такое положение еще более ухудшается из-за необходимости в нагревании подложек перед осаждением в большинстве применений. В системе, конструкция которой включает всего лишь одну камеру для загрузки/выгрузки, нагревания, осаждения, большая часть полезного времени в реакторе используется для нагревания и транспортировки подложек. Поэтому однокамерные подходы несмотря на простоту и легкость изготовления являются менее привлекательными из-за упомянутых экономических недостатков.
Поэтому цель настоящего изобретения состоит в том, чтобы предложить поточную вакуумную систему обработки, исключающую известные в уровне техники недостатки и, более того, позволяющую проводить в ней экономически выгодную вакуумную обработку.
Краткое описание чертежей
На фигуре 1 представлено поперечное сечение поточной вакуумной системы обработки согласно данному изобретению.
На фигуре 2 представлен ряд инфракрасных нагревателей, используемых в системе обработки по изобретению.
На фигуре 3 представлен схематичный чертеж реактора/технологического модуля ТМ согласно изобретению.
На фигуре 4 более подробно изображена газодозирующая часть технологического модуля.
На фигуре 5 представлен горячий стол 53 с бордюром 51. На фигуре 5b представлен вариант упомянутого бордюра.
Решение согласно изобретению
Способ осаждения пленки на подложку из паровой или газовой фазы в поточной вакуумной системе обработки согласно изобретению включает в себя следующие стадии: а) введение первой подложки в загрузочную шлюзовую камеру; b) снижение давления в упомянутой камере; с) перемещение упомянутой первой подложки в первую камеру осаждения; d) осаждение слоя первого материала по меньшей мере частично на упомянутую первую подложку при первых параметрах нанесения, покрытия, включая расход газа, давление, продолжительность обработки и используемые химические вещества; е) перемещение упомянутой первой подложки во вторую, следующую камеру осаждения упомянутой поточной системы без нарушения вакуума; f) осаждение еще одного слоя упомянутого первого материала по меньшей мере частично на упомянутую первую подложку при по существу тех же параметрах нанесения покрытия, что и в первой камере осаждения; g) перемещение упомянутой первой подложки в загрузочную шлюзовую камеру; h) удаление упомянутой первой подложки из упомянутой системы, при этом одновременно со стадией f) вторую подложку обрабатывают в упомянутой поточной вакуумной системе согласно стадии d).
Установка для поточной вакуумной обработки подложек путем осаждения пленок из паровой или газовой фазы включает в себя по меньшей мере одну загрузочную шлюзовую камеру, по меньшей мере две камеры осаждения, предназначенные для работы при по существу одинаковых параметрах нанесения покрытия, включая расход газа, давление, продолжительность обработки и используемые химические вещества; по меньшей мере одну разгрузочную шлюзовую камеру и средства перемещения, последующей обработки и/или транспортировки подложек через различные камеры или внутри них.
Подробное описание изобретения
На фигуре 1 представлен один из вариантов реализации настоящего изобретения с 4 ТМ (технологическими модулями), хотя экономически осуществимыми являются и другие конфигурации с по меньшей мере 2 ТМ. Подложки, предпочтительно стеклянные, с толщиной в диапазоне между 3 и 4 мм подают по отдельности на загрузочную станцию 1 поточной системы. Эта станция обеспечивает безопасное обращение, например, от погрузочно-разгрузочной системы (робота) к поточной системе, например, в переносчик. Из загрузочной станции 1 подложки транспортируются с помощью системы с конвейерной лентой (не показано) в загрузочную шлюзовую камеру 2, где транспортировку совершают роликами. Внутри загрузочной шлюзовой камеры 2 давление понижают с помощью вакуумных насосов (не показано) до уровня, позволяющего осуществить дальнейшее перемещение подложек. Одновременно подложки нагревают рядом инфракрасных нагревателей 3. После того как давление транспортировки и желаемая температура подложек достигнуты, подложки остаются в загрузочной шлюзовой камере до тех пор, пока не закончится текущая обработка в последующих технологических модулях 4-7. После удаления загрязнений (очистки, как правило, с помощью травильного газа) из технологических модулей и последующего откачивания до давления транспортировки, составляющего приблизительно 0,1 мбар, заслонки 8 между «загрузочной шлюзовой камерой» 3 и ТМ 4 и заслонка 9 между ТМ 7 и «разгрузочной шлюзовой камерой» 10 открываются и подложки перемещаются роликами через систему до тех пор, пока они не достигнут их (следующей) позиции, обозначенной лазерным барьером. Подложка, находившаяся в ТМ 7, зайдет в разгрузочную шлюзовую камеру 10, а подложка, ранее обрабатывавшаяся в ТМ 4, зайдет в ТМ 5 и т.д.
В ТМ 4-7 подложки, все еще опирающиеся на транспортные ролики, размещают на горячих плитах/подложкодержателях 11-14. Подложкодержатели снабжены вертикально выдвигающимися и удлиняющимися штифтами, которые проходят сквозь горячую плиту. Упомянутые штифты будут выдвигаться вверх и поднимать подложку над транспортирующей роликовой системой. Затем транспортирующие ролики 36 (см. фигуру 3) будут втягиваться обратно сбоку от нижней стороны подложки. После этого подложка может быть размещена на подложкодержателях 11-14 или 35 соответственно в результате опускания штифтов. Для удаления подложки из ТМ описанная последовательность будет осуществляться в обратном порядке.
В одном варианте реализации изобретения штифты 12-16 будут устанавливаться с возможностью хорошего распределения массы подложки с размерами 1100 мм ×1300 мм. Штифты диаметром 6 мм могут быть выполнены из нержавеющей стали, направляемые втулками, заделанными в горячий стол/подложкодержатель 11-14. На головки штифтов могут быть предпочтительно надеты пластмассовые колпачки (например, из Selasol) с целью предотвращения повреждения подложки. Количество и механические свойства упомянутых штифтов могут быть подобраны в зависимости от технических условий.
В одном варианте реализации штифты приводят в действие общим подъемным механизмом, таким как гидравлический или пневматический цилиндр либо соответствующий двигатель, установленный в нижней части ТМ под горячим столом. Штифты опираются на плиту; например, они могут быть изготовлены из стали и двигаются вверх и вниз упомянутым общим подъемным механизмом. Для того чтобы избежать заедания штифтов во втулках, они предпочтительно не закреплены на упомянутой плите, а просто опираются на нее. Тем не менее, для того чтобы оказать на упомянутые штифты дополнительное тянущее усилие во время их движения вниз, в упомянутую плиту могут быть встроены постоянные магниты, взаимодействующие с упомянутым штифтом. Для этого последний изготавливают из ферритной стали или снабжают железной вставкой.
Вышеупомянутые нагретые подложкодержатели 11-14 могут быть устроены так, чтобы обеспечивать различные условия нагревания (такие, как температура подложки, продолжительность нагрева и равномерность температуры подложки) для того, чтобы позволить осуществлять различные процессы в упомянутых технологических модулях 4-7. Подложкодержатель/горячая плита 11-14 будут предпочтительно позволять подложке контактировать по всей ее поверхности, обеспечивая хорошую теплопередачу. Следующий предпочтительный вариант реализации горячей плиты представлен на фигуре 5. На горячей плите 53 имеется участок для размещения подложки 50. На краю упомянутого несущего участка имеется уступ, содержащий бордюр 51. Такой бордюр находится в углублении горячей плиты 53. Он устроен таким образом, что подложка частично перекрывает бордюр 51, обеспечивая теплопередачу, однако одновременно имеет участок, на который подложка 50 не воздействует. Между подложкой 50 и бордюром 51 предпочтительно имеется небольшой зазор в 0,5 мм, предотвращающий непосредственный контакт. В результате бордюр 51 имеет форму, сопоставимую с периметром подложки. Бордюр дополнительно содержит нагревательный элемент 52, который может представлять собой электрический нагревательный элемент, встроенный в гнездо. Упомянутый бордюр имеет следующие преимущества.
- Отдельный нагревательный элемент 52 позволяет осуществлять отдельное регулирование температуры на краевых участках подложки. Он позволяет компенсировать повышенную теплоотдачу на краях (радиационные потери).
- Во время процесса осаждения не только подложка 50, но и бордюр 51 и горячая плита 53 будут покрываться покрытием и нуждаться в очистке. Из-за особенностей процесса нанесения покрытий бордюр 51 будет подвержен большему воздействию, чем другие участки. Благодаря уменьшенному размеру заменить бордюр 51 может быть легче, чем весь горячий стол 53.
- Небольшой зазор между бордюром 51 и подложкой 50 предотвращает нанесение непрерывного покрытия на краевой участок.
- Во время осаждения процесс нанесения покрытия будет проводиться с избытком используемых для осаждения газов. Такой неиспользованный отходящий газ должен быть удален вакуумными насосами. Отходящий газ имеет тенденцию взаимодействовать с деталями отводящих систем и самих насосов, постепенно образуя на них покрытие и тем самым вызывая необходимость технического обслуживания. Однако участки бордюра 51, не используемые для передачи тепла подложке 50, будут обладать газопоглощающим действием (привлекая такие неиспользованные газы). Благодаря его облегченной замене бордюр 51 позволяет сократить время простоя всей системы.
Конструкция бордюра 51 может быть такой, как представлено в поперечном разрезе на фигуре 5. На фигуре 5b представлена альтернативная конструкция выступом 54. Высота упомянутого выступа предпочтительно выбирается такой же, как и толщина подложки, однако при необходимости она может варьироваться.
Процесс по изобретению может начинаться с дозирования подаваемых в технологическую камеру через систему газораспылителей 15-18 рабочих газов, таких как диборан и ДЭЦ. Каждая из технологических камер 4-7 будет оборудована отдельной системой газораспылителей, однако несколько или все газораспылители 15-18 могут запитываться общей дозирующей и смешивающей газы системой (не показана на фигуре 1).
Согласно способу по изобретению обработки подложек в поточной системе, описанной выше, осаждение слоя осуществляют путем смешивания диэтилцинка (ДЭЦ) и воды в газовой фазе в диапазоне давления от 0,3 мбар до 1,3 мбар. Пленки предпочтительно формируют на горячих поверхностях, при этом скорость их роста является функцией температуры и доступности газа. Одной из целей при осаждении слоев ZnO является улучшение их проводимости. Диборан (В2Н6) добавляют к реакционной смеси для усиления легирования слоя прозрачного проводящего оксида (ППО).
Благодаря конструкции поточной системы по изобретению слой может быть осажден за n стадий при толщине слоя 1/n на каждой, так что общая толщина достигается после прохождения соответствующего числа ТМ. Дальнейшее преимущество таких ТМ с сопоставимыми характеристиками обработки (все газораспылители запитываются общей системой доставки газов, одинаковая или сопоставимая продолжительность обработки, сопоставимые давление и расход газа) заключается в том, что отсутствует необходимость отделения этих ТМ один от другого заслонками или т.п. благодаря отсутствию перекрестного загрязнения. По существу, они образуют цепь камер осаждения с отдельными нагревательными плитами, в которых в каждом случае происходит часть осаждения.
После осуществления всех стадий осаждения подложка будет перемещаться в разгрузочную шлюзовую камеру 10 через заслонку 9 на роликовой системе. Там подложка будет доведена до атмосферного давления при выполнении (первого) охлаждения. Как только разгрузочная шлюзовая камера 10 достигнет атмосферного давления, подложки перемещают в разгрузочный блок 19 при помощи роликовой системы в разгрузочной шлюзовой камере 10 и системы с конвейерной лентой на разгрузочном блоке 19.
Затем подложку перемещают на уровень возвратного пути с помощью подъемного устройства 20, установленного в разгрузочном блоке 19. Возвратный путь может включать несколько блоков 21-26 с конвейерными лентами, работающих независимо и передающих подложку шаг за шагом к загрузочному столу 1. Альтернативно, может быть использован один-единственный конвейер. Упомянутое пошаговое движение позволяет держать стеклянные подложки как можно дольше в защищенной среде системы, а также давать подложкам охлаждаться до температуры перемещения. Данная температура определяется максимальной температурой, допускаемой наружной транспортировочной системой, используемой для складирования и транспортировки подложек к оборудованию и от него. Сама станция погрузки оборудована подъемным устройством 27, позволяющим вернуть подложку с уровня возвратного пути на уровень транспортировки или осаждения, где подложки наконец попадают в наружную транспортировочную систему (не показано).
В предпочтительном варианте реализации используют 4 камеры осаждения (ТМ). Все горячие плиты 11-14 находятся почти при одинаковой установленной температуре между 160 и 200°С, предпочтительно - при 180°С. Ряд нагревателей в загрузочной шлюзовой камере 3 нагревают подложки немного выше упомянутой заданной температуры осаждения в примерно 175°С, компенсируя потери тепла во время перемещения. Было также показано, что неравномерное нагревание внутри загрузочной шлюзовой системы является полезным. Краевые участки стекла нагреваются до температуры, примерно на 10°С превышающей температуру центрального участка. Однако такой градиент температуры зависит от скорости перемещения стекол к первой горячей плите 11. На фигуре 2 представлен типичный ряд инфракрасных нагревателей, используемых в загрузочной шлюзовой системе. Он разделен, например, на 6 независимых зон 28-33 нагревателей (зоны 28-31 расположены поперек, а 32 и 33 - вдоль), при этом температура каждого ряда контролируется инфракрасным пирометром, измеряющим температуру подложек. В целях экономии некоторые ряды нагревателей могут быть сгруппированы с использованием всего лишь одного контрольного пирометра. Например, зона 29 и зона 30 создают температуру середины стеклянной подложки, в то время как зоны 31 и 30 будут создавать температуру одной части концевого участка, а зоны 28 и 32 - другого участка. Для того чтобы улучшить равномерность, во время нагревания целесообразно слегка двигать подложку вперед и назад в направлении транспортировки. Тем не менее вышеупомянутый градиент температуры может быть достигнут.
Было установлено, что для обеспечения правильного контроля температуры стекла пирометром стенки камеры целесообразно охлаждать так, чтобы все температуры окружающих подложку деталей были ниже температуры подложки за исключением лампового нагревателя.
Ключевым фактором осаждения является температура подложки, поскольку она непосредственно влияет на толщину слоя пленки, и в результате на гомогенность пленочных покрытий. Как упомянуто выше, подложки подают в уже нагретую первую камеру осаждения (ТМ) 2. В целом желательно иметь равномерное распределение тепла на подложке в начале осаждения. Однако было установлено, что при применениях в солнечной энергетике может оказаться целесообразным иметь неравномерный профиль температуры и, следовательно, неравномерный профиль толщины на стекле. Например, большая толщина ZnO на краевом участке рассматривается как преимущество для тонкопленочных солнечных элементов. Повреждение легированных бором слоев ZnO обычно выше на краевых участках, таким образом со временем снижая проводимость тонкопленочной контактной области. Поэтому подобное повышенное повреждение может быть компенсировано большей толщиной краевого слоя с тем, чтобы с течением времени общее сопротивление контактного слоя ZnO было равномерным и меньше нужной величины, составляющей 15 Ом/квадрат.
Как описано выше, нагревательная плита 53 с отдельно нагреваемым бордюром 51 также обеспечивает отрегулированный равномерный профиль температуры/покрытия, равно как и неравномерный профиль покрытия с повышенной толщиной слоя на концевых участках подложки.
В одном варианте реализации согласно настоящему изобретению был выбран трехзонный подход. Две зоны расположены на центральной плите горячей плиты 53; одна зона, представленная бордюром 51, отделена от центральной плиты и терморегулируется отдельно. Температура центральной зоны составляет примерно 175°С, в то время как у краевой зоны задана на 190°С. Таким образом, наружная краевая зона должна компенсировать или даже более чем компенсировать потери тепла стеклянной подложкой в окружающую среду.
На фигуре 3 представлен схематичный чертеж реактора/технологического модуля, где происходит фактическая реакция. Подложку 35 помещают на нагревательный стол 34 (горячий стол). Показаны (выдвижные) транспортировочные ролики 36, а также узел 37, 38 газораспылителей. Узел газораспылителей содержит две части: газодозирующую часть 37 и газораспределительную часть 38 соответственно.
Газодозирующая часть более подробно представлена на фигуре 4 и содержит газовые трубы со строго определенными отверстиями, через которые газ может поступать в технологическую камеру (ТМ) 41. При поддержании давления в ТМ 41 примерно 0,5 мбар и расхода через газодозирующую часть приблизительно 1-2 стандартных литра (1000-2000 ст. см3/мин) газовый поток приводит к давлению в газодозирующих трубах от 5 мбар до 20 мбар. Газодозирующие трубы расположены параллельно одна другой, подавая газ в газосмесительное пространство 42 равномерным образом. Это происходит благодаря проделанным на одинаковом расстоянии друг от друга отверстиям в газодозирующих трубах 39, 40.
Имеется два ряда газодозирующих труб: один для водяного пара 39 и один для ДЭЦ и диборана 40.
Распределительная часть 38 сконструирована в виде газораспылительной плиты и распределяет газ по рисунку строго определенных отверстий к конкретным областям подложки.
Сущность изобретения
Способ осаждения пленки на подложку из паровой или газовой фазы в поточной вакуумной системе обработки, включающий в себя следующие стадии:
a) введение первой подложки в загрузочную шлюзовую камеру;
b) снижение давления в упомянутой камере;
c) перемещение упомянутой первой подложки в первую камеру осаждения;
d) осаждение слоя первого материала по меньшей мере частично на упомянутую первую подложку при первых параметрах нанесения покрытия, включая расход газа, давление, продолжительность обработки и используемые химические вещества;
e) перемещение упомянутой первой подложки во вторую, следующую камеру осаждения упомянутой поточной системы без нарушения вакуума;
f) осаждение еще одного слоя упомянутого первого материала по меньшей мере частично на упомянутую первую подложку при по существу тех же параметрах нанесения покрытия, что и в первой камере осаждения;
g) перемещение упомянутой первой подложки в разгрузочную шлюзовую камеру;
h) удаление упомянутой первой подложки из упомянутой системы,
и при этом одновременно со стадией f) вторую подложку обрабатывают в упомянутой поточной вакуумной системе согласно стадии d).
Варианты реализации упомянутого способа будут или могут включать в себя следующее:
- упомянутый слой содержит прозрачный проводящий оксид (ППО);
- упомянутое осаждение включает в себя одно из CVD, PECVD, LPCVD, PVD или реактивного PVD;
- стадия b) включает в себя дополнительную стадию нагревания подложки;
- упомянутое покрытие осаждают равными 1/n частями желаемой общей толщины в упомянутых камерах осаждения;
- упомянутое химическое осаждение из газовой фазы низкого давления осуществляют при давлении, составляющем между 0,3 и 1,1 мбар;
- материал упомянутой подложки представляет собой один из полимера, металла или стекла;
- упомянутая подложка имеет форму пластины и во время всего процесса лежит горизонтально;
- упомянутая подложка в форме пластины имеет размер по меньшей мере 1 м2 и имеет толщину между 0,3 мм и 5 см, предпочтительно - между 2 и 5 мм;
- упомянутая пленка ППО на упомянутой подложке представляет собой передний электрод-контакт для солнечного элемента;
- упомянутая пленка ППО на упомянутой подложке представляет собой задний электрод-контакт для солнечного элемента;
- упомянутая пленка ППО представляет собой оксид цинка или оксид олова;
- в упомянутом способе могут использоваться реагенты, такие как вода в жидком или газообразном виде, металлоорганические вещества, например диэтилцинк (ДЭЦ), и диборан в качестве легирующей примеси.
Установка для поточной вакуумной обработки подложек путем осаждения пленок из паровой или газовой фазы, содержащая:
- по меньшей мере одну загрузочную шлюзовую камеру,
- по меньшей мере две камеры осаждения, предназначенные для работы при по существу одинаковых параметрах нанесения покрытия,
- по меньшей мере одну разгрузочную шлюзовую камеру, и
- средства перемещения, последующей обработки и/или транспортировки подложек через различные камеры и внутри них.
В дополнительных вариантах реализации упомянутая установка будет или может содержать:
- загрузочную шлюзовую камеру, включающую в себя нагревательные средства, насосные средства для создания и поддержания условий вакуума, средства транспортировки подложки, а также средства подачи газов, таких как инертные, и/или рабочие, и/или используемые для осаждения газы; нагревательные средства, содержащие модуль с инфракрасным излучением;
- загрузочную шлюзовую камеру, включающую в себя ленточный конвейер в качестве средства транспортировки подложки; камеры осаждения, снабженные средствами поддержания подложки во время осаждения, средствами транспортировки подложки, средствами введения реагентов, необходимых для осаждения, вакуумными насосами, а также нагревательными средствами;
- средства транспортировки подложки в камере осаждения представляют собой охлаждаемые изнутри выдвигающиеся колесики или ролики; средства поддержания подложки являются вертикально выдвигаемыми штифтами, приспособленными поднимать подложку над роликами;
- средства введения необходимых для осаждения реагентов, сконструированные в соответствии с принципом распыляющей головки;
- разгрузочную шлюзовую камеру, включающую в себя средства транспортировки, и/или охлаждения, и/или вентиляции подложки;
- загрузочную шлюзовую камеру, имеющую вход подложки, подаваемой со станции загрузки, оборудованной транспортировочными средствами для приема подложек от по меньшей мере одного рабочего, робота или иного технологического устройства;
- камеры и станции загрузки и выгрузки, расположенные последовательно (цепью) по прямой линии таким образом, чтобы под камерами могли быть установлены средства последующей обработки, а именно средства обратной транспортировки, движущиеся в противоположном направлении относительно процесса осаждения в верхних камерах, с целью дальнейшего охлаждения обработанных подложек до температуры окружающей среды, в конце включающие в себя средства охлаждения в пределах зоны, занимаемой технологической линией осаждения;
- станцию загрузки, снабженную лифтом или подъемником для подъема обработанной подложки из средств обратной транспортировки с целью доставки подложки с нанесенным покрытием на место, где по меньшей мере один рабочий или одна машина может принять ее и складировать ее отдельно.

Claims (9)

1. Способ осаждения пленки на подложку из паровой или газовой фазы в поточной вакуумной системе обработки, включающий в себя следующие стадии:
a) введение первой подложки в загрузочную шлюзовую камеру (2);
b) снижение давления в упомянутой камере;
c) перемещение упомянутой первой подложки в первую камеру (4) осаждения и размещение упомянутой подложки на первом подложкодержателе (11);
d) осаждение слоя первого материала по меньшей мере частично на упомянутую первую подложку при первых параметрах нанесения покрытия, включая расход газа, давление, продолжительность обработки и используемые химические вещества;
e) перемещение упомянутой первой подложки во вторую, следующую камеру (5) осаждения упомянутой поточной системы без нарушения вакуума и размещение упомянутой подложки на втором подложкодержателе (12);
f) осаждение еще одного слоя упомянутого первого материала по меньшей мере частично на упомянутую первую подложку при, по существу, тех же параметрах нанесения покрытия, что и в первой камере осаждения;
g) перемещение упомянутой первой подложки в разгрузочную шлюзовую камеру (10);
h) удаление упомянутой первой подложки из упомянутой системы;
и одновременно со стадией f) обработку второй подложки согласно стадии d) в упомянутой поточной вакуумной системе.
2. Способ по п.1, в котором упомянутое осаждение включает в себя одно из CVD, PECVD, LPCVD, PVD или реактивного PVD.
3. Способ по п.1, в котором стадия b) включает в себя дополнительную стадию нагревания подложки.
4. Способ по п.1, в котором общую толщину упомянутого слоя осаждают за n стадий при толщине слоя 1/n на каждой в n камерах осаждения.
5. Способ по п.1, в котором используют реагенты, такие как вода в жидком или газообразном виде, металлоорганические вещества, такие как диэтилцинк (ДЭЦ), и диборан в качестве легирующей примеси.
6. Установка для поточной вакуумной обработки подложек путем осаждения пленок из паровой или газовой фазы, содержащая по меньшей мере одну загрузочную шлюзовую камеру (2), по меньшей мере две следующие за ней камеры (4, 5) осаждения, предназначенные для работы при, по существу, одинаковых параметрах нанесения покрытия, включая расход газа, давление, продолжительность обработки и используемые химические вещества, и образующие цепь камер осаждения, в каждой из которых выполняют часть осаждения, по меньшей мере одну разгрузочную шлюзовую камеру (10) и средства перемещения подложек, последующей обработки подложек и/или транспортировки подложек через различные камеры и внутри них.
7. Установка по п.6, в которой средства перемещения подложек содержат установленные в камерах осаждения средства транспортировки подложки, представляющие собой выдвигающиеся колесики или ролики (36) и вертикально подвижные штифты, приспособленные поднимать подложку с роликов.
8. Установка по п.6, в которой камеры осаждения (4, 5) и загрузочная и разгрузочная шлюзовые камеры (2, 10) расположены последовательно по прямой линии, и при этом под этими камерами расположены средства (21-26) обратной транспортировки для перемещения подложек в противоположном направлении относительно процесса осаждения в верхних камерах.
9. Установка по п.8, которая дополнительно содержит станцию загрузки (1), содержащую лифт или подъемник для подъема обработанной подложки со средств обратной транспортировки, установленные с возможностью доставки подложки с нанесенным покрытием к месту ее складирования.
RU2009136423/02A 2007-03-02 2008-02-29 Вакуумная установка для нанесения покрытий RU2471015C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US89268907P 2007-03-02 2007-03-02
US60/892,689 2007-03-02
PCT/CH2008/000080 WO2008106812A1 (en) 2007-03-02 2008-02-29 Vacuum coating apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009136423A RU2009136423A (ru) 2011-04-10
RU2471015C2 true RU2471015C2 (ru) 2012-12-27

Family

ID=39415075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009136423/02A RU2471015C2 (ru) 2007-03-02 2008-02-29 Вакуумная установка для нанесения покрытий

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20080213477A1 (ru)
EP (1) EP2118334A1 (ru)
JP (1) JP5813920B2 (ru)
KR (1) KR20090116809A (ru)
CN (2) CN101636522B (ru)
RU (1) RU2471015C2 (ru)
TW (1) TWI425114B (ru)
WO (1) WO2008106812A1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017156614A1 (ru) * 2016-03-16 2017-09-21 ШИРИПОВ, Владимир Яковлевич Вакуумная установка для нанесения тонкопленочных покрытий и способ нанесения на ней оптических покрытий
RU182457U1 (ru) * 2017-12-27 2018-08-17 Общество с ограниченной ответственностью "Накопители Энергии Супер Конденсаторы" (ООО "НЭСК") Установка для вакуумного магнетронного напыления тонких пленок
RU186847U1 (ru) * 2018-05-31 2019-02-06 Общество с ограниченной ответственностью "Научно - производственное предприятие "Вакуумные ионно - плазменные технологии" (ООО НПП "ВИП-технологии") Планетарный рабочий стол для групповой ионно-плазменной обработки изделий в вакуумных шлюзовых системах
RU2739195C1 (ru) * 2020-04-07 2020-12-21 Общество С Ограниченной Ответственностью "Нтц Тонкопленочных Технологий В Энергетике" Вакуумная напылительная установка с системой лазерной очистки паллет (варианты)
RU2741042C1 (ru) * 2017-12-14 2021-01-22 Арселормиттал Устройство для вакуумного нанесения покрытия и способ нанесения покрытия на подложку

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2031659A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-04 Applied Materials, Inc. Verfahren zur Erzeugung eines metallischen Rückkontaktes eines Halbleiterbauelements, insbesondere einer Solarzelle
US7763535B2 (en) * 2007-08-30 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Method for producing a metal backside contact of a semiconductor component, in particular, a solar cell
US20100043863A1 (en) 2008-03-20 2010-02-25 Miasole Interconnect assembly
US8912429B2 (en) * 2008-03-20 2014-12-16 Hanergy Holding Group Ltd. Interconnect assembly
US20110197947A1 (en) 2008-03-20 2011-08-18 Miasole Wire network for interconnecting photovoltaic cells
KR101632646B1 (ko) * 2009-03-18 2016-07-01 에바텍 아크티엔게젤샤프트 태양 전지 패널의 인라인 제조 방법
US9664974B2 (en) 2009-03-31 2017-05-30 View, Inc. Fabrication of low defectivity electrochromic devices
US10156762B2 (en) 2009-03-31 2018-12-18 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
US8582193B2 (en) 2010-04-30 2013-11-12 View, Inc. Electrochromic devices
US12043890B2 (en) 2009-03-31 2024-07-23 View, Inc. Electrochromic devices
KR101598798B1 (ko) * 2009-09-01 2016-03-02 주식회사 테스 태양전지 열처리 장치
TWI427184B (zh) * 2009-12-10 2014-02-21 Sun Well Solar Corp 導電膜製作設備及用於在其中處理基板之方法
TWI485799B (zh) 2009-12-10 2015-05-21 Orbotech Lt Solar Llc 自動排序之直線型處理裝置
US8356640B1 (en) 2010-01-14 2013-01-22 Mia Solé Apparatuses and methods for fabricating wire current collectors and interconnects for solar cells
EP2360720A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-24 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen
US8865259B2 (en) * 2010-04-26 2014-10-21 Singulus Mocvd Gmbh I.Gr. Method and system for inline chemical vapor deposition
US20110262641A1 (en) * 2010-04-26 2011-10-27 Aventa Systems, Llc Inline chemical vapor deposition system
US8986451B2 (en) 2010-05-25 2015-03-24 Singulus Mocvd Gmbh I. Gr. Linear batch chemical vapor deposition system
US9169562B2 (en) 2010-05-25 2015-10-27 Singulus Mocvd Gmbh I. Gr. Parallel batch chemical vapor deposition system
US9869021B2 (en) 2010-05-25 2018-01-16 Aventa Technologies, Inc. Showerhead apparatus for a linear batch chemical vapor deposition system
US9061344B1 (en) 2010-05-26 2015-06-23 Apollo Precision (Fujian) Limited Apparatuses and methods for fabricating wire current collectors and interconnects for solar cells
KR101101943B1 (ko) * 2010-05-31 2012-01-02 한국철강 주식회사 태양전지용 기판의 열처리 방법
CN101845621A (zh) * 2010-06-07 2010-09-29 刘忆军 大面积平板式等离子体增强化学气相沉积***
DE102010030006A1 (de) * 2010-06-11 2011-12-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage in modularer Bauweise
US10026859B2 (en) 2010-10-04 2018-07-17 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Small gauge wire solar cell interconnect
DE102011004441B4 (de) * 2011-02-21 2016-09-01 Ctf Solar Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von auf Transformationstemperatur temperierten Glassubstraten
US8951824B1 (en) 2011-04-08 2015-02-10 Apollo Precision (Fujian) Limited Adhesives for attaching wire network to photovoltaic cells
US8459276B2 (en) 2011-05-24 2013-06-11 Orbotech LT Solar, LLC. Broken wafer recovery system
KR20140116120A (ko) * 2012-01-03 2014-10-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 결정질 실리콘 태양 전지들을 패시베이팅하기 위한 진보된 플랫폼
KR20140068588A (ko) * 2012-11-28 2014-06-09 코닝정밀소재 주식회사 산화아연 박막 제조방법
US9266141B2 (en) 2013-09-10 2016-02-23 Awi Licensing Company System for applying a coating to a workpiece
US11951509B2 (en) 2013-09-10 2024-04-09 Awi Licensing Llc System for applying a coating to a workpiece
KR20150078549A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지의 제조 장치
US11891327B2 (en) 2014-05-02 2024-02-06 View, Inc. Fabrication of low defectivity electrochromic devices
KR101608341B1 (ko) * 2014-07-25 2016-04-01 (주)나인테크 인라인 화학기상증착시스템
CN106716649A (zh) * 2014-09-19 2017-05-24 应用材料公司 平行板式串联基板处理工具
EP3224670B1 (en) 2014-11-26 2023-04-12 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
CN107022751B (zh) * 2016-02-01 2019-10-15 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 一种用于气相包覆的装置和方法
CN107527972A (zh) * 2017-09-29 2017-12-29 理想晶延半导体设备（上海）有限公司 一种晶硅太阳能电池处理设备
CN108231957A (zh) * 2017-09-29 2018-06-29 理想晶延半导体设备（上海）有限公司 一种晶硅太阳能电池处理方法
CN110835738A (zh) * 2018-08-17 2020-02-25 中智(泰兴)电力科技有限公司 一种7腔体卧式hwcvd-pvd一体化硅片镀膜工艺
CN110835739A (zh) * 2018-08-17 2020-02-25 中智(泰兴)电力科技有限公司 7腔体立式pecvd-pvd一体化硅片镀膜工艺
CN113811427A (zh) * 2018-12-18 2021-12-17 因特瓦克公司 用于薄膜沉积的混合***架构
CN113337809A (zh) * 2020-02-14 2021-09-03 株式会社新柯隆 薄膜形成装置
CN114023621B (zh) * 2021-10-29 2023-07-14 德鸿半导体设备(浙江)有限公司 一种基片处理***及其方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658114A (en) * 1994-05-05 1997-08-19 Leybold Aktiengesellschaft Modular vacuum system for the treatment of disk-shaped workpieces
RU2138094C1 (ru) * 1997-02-04 1999-09-20 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Установка для нанесения тонкослойных покрытий
EP1098353A2 (en) * 1999-11-03 2001-05-09 Applied Materials, Inc. Substrate processing system
US20050084705A1 (en) * 2003-09-13 2005-04-21 Schott Ag Protective layer for a body, and process and arrangement for producing protective layers

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4358472A (en) 1978-06-16 1982-11-09 Optical Coating Laboratory, Inc. Multi-layer coating method
US5170714A (en) 1988-06-13 1992-12-15 Asahi Glass Company, Ltd. Vacuum processing apparatus and transportation system thereof
JP2545306B2 (ja) * 1991-03-11 1996-10-16 誠 小長井 ＺｎＯ透明導電膜の製造方法
JPH0665724A (ja) 1992-05-20 1994-03-08 Yoichi Murayama インラインプラズマ蒸着装置
US6176932B1 (en) * 1998-02-16 2001-01-23 Anelva Corporation Thin film deposition apparatus
EP1147065B1 (en) * 1998-12-21 2003-04-09 Cardinal CG Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6258408B1 (en) * 1999-07-06 2001-07-10 Arun Madan Semiconductor vacuum deposition system and method having a reel-to-reel substrate cassette
JP2001155999A (ja) * 1999-11-25 2001-06-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導体層の積層方法及び該積層装置
FI118474B (fi) * 1999-12-28 2007-11-30 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JP2002270600A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ装置、プラズマｃｖｄ方法及び薄膜太陽電池
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
JP4417734B2 (ja) * 2004-01-20 2010-02-17 株式会社アルバック インライン式真空処理装置
DE102004020466A1 (de) * 2004-04-26 2005-11-17 Applied Films Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Beschichten von Substraten in Inline-Anlagen
US20060134345A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces
JP4918224B2 (ja) * 2005-01-21 2012-04-18 昭和シェル石油株式会社 透明導電膜製膜装置及び多層透明導電膜連続製膜装置
US20070286956A1 (en) * 2006-04-07 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Cluster tool for epitaxial film formation
US20070281082A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Nima Mokhlesi Flash Heating in Atomic Layer Deposition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658114A (en) * 1994-05-05 1997-08-19 Leybold Aktiengesellschaft Modular vacuum system for the treatment of disk-shaped workpieces
RU2138094C1 (ru) * 1997-02-04 1999-09-20 Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете Установка для нанесения тонкослойных покрытий
EP1098353A2 (en) * 1999-11-03 2001-05-09 Applied Materials, Inc. Substrate processing system
US20050084705A1 (en) * 2003-09-13 2005-04-21 Schott Ag Protective layer for a body, and process and arrangement for producing protective layers

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017156614A1 (ru) * 2016-03-16 2017-09-21 ШИРИПОВ, Владимир Яковлевич Вакуумная установка для нанесения тонкопленочных покрытий и способ нанесения на ней оптических покрытий
EA035003B1 (ru) * 2016-03-16 2020-04-16 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Вакуумная установка для нанесения тонкопленочных покрытий и способ нанесения на ней оптических покрытий
RU2741042C1 (ru) * 2017-12-14 2021-01-22 Арселормиттал Устройство для вакуумного нанесения покрытия и способ нанесения покрытия на подложку
RU182457U1 (ru) * 2017-12-27 2018-08-17 Общество с ограниченной ответственностью "Накопители Энергии Супер Конденсаторы" (ООО "НЭСК") Установка для вакуумного магнетронного напыления тонких пленок
RU186847U1 (ru) * 2018-05-31 2019-02-06 Общество с ограниченной ответственностью "Научно - производственное предприятие "Вакуумные ионно - плазменные технологии" (ООО НПП "ВИП-технологии") Планетарный рабочий стол для групповой ионно-плазменной обработки изделий в вакуумных шлюзовых системах
RU2739195C1 (ru) * 2020-04-07 2020-12-21 Общество С Ограниченной Ответственностью "Нтц Тонкопленочных Технологий В Энергетике" Вакуумная напылительная установка с системой лазерной очистки паллет (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
CN101636522A (zh) 2010-01-27
CN102505115B (zh) 2014-09-03
TW200844255A (en) 2008-11-16
RU2009136423A (ru) 2011-04-10
TWI425114B (zh) 2014-02-01
EP2118334A1 (en) 2009-11-18
KR20090116809A (ko) 2009-11-11
CN102505115A (zh) 2012-06-20
JP5813920B2 (ja) 2015-11-17
JP2010520369A (ja) 2010-06-10
CN101636522B (zh) 2011-11-30
WO2008106812A1 (en) 2008-09-12
US20080213477A1 (en) 2008-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2471015C2 (ru) Вакуумная установка для нанесения покрытий
US8481355B2 (en) Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8597430B2 (en) Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8865259B2 (en) Method and system for inline chemical vapor deposition
KR101663918B1 (ko) 감소된 챔버 공간을 형성하는 공정 박스 및 다층체의 위치 결정 방법
WO2012170166A2 (en) Method and system for inline chemical vapor deposition
KR101478151B1 (ko) 대면적 원자층 증착 장치
US20110262641A1 (en) Inline chemical vapor deposition system
US20150024540A1 (en) Device and Method for Producing Thin Films
KR101044772B1 (ko) 대면적 하향식 ｃｉｇｓ 고속성막공정 시스템 및 방법
KR20110133690A (ko) 연속 공정 수행이 가능한 플라즈마 반응장치
TWI492305B (zh) 製造半導體裝置之方法及設備
CN102365711A (zh) 原料供应单元、用于供应原料的方法以及薄膜沉积装置
US8476108B2 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
KR101651164B1 (ko) 기판처리시스템, 그에 사용되는 기판처리시스템의 공정모듈
KR102619046B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2015137415A (ja) 大面積原子層蒸着装置
KR100962361B1 (ko) 박막형 태양전지 제조용 증착 장치
KR101239609B1 (ko) 태양전지 제조장치
JP2013521408A (ja) 基板処理用デバイスおよび方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20201030

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210301