KR960704305A - 자기기록매체 및 그의 제조방법 - Google Patents

자기기록매체 및 그의 제조방법

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Abstract

본 발명은 고가의 강자성금속층을 사용하지 않고 보자력을 증대시킨 저가의 고밀도 기록매체와 그의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 기관의 표면상에 금속하도층을 개재시켜 강자성금속층이 형성되고 자화반전을 이용한 자기기록매체에서 그 강자성금속층의 산소농도를 100 wtppm 이하로 한 것을 특징으로 한다. 또 금속하도층의 산소농도를 100 wtppm 이하로 한 것을 특징으로 한다. 기관의 표면상에 스퍼터링법에 의해 금속하도층과 강자성금속층을 순차 형성시킨 자기기록매체의 제조방법에서 막형성에 사용한 Ar 가스의 분순물 농도가 10ppb 이하인 것을 특징으로 한다. 또 상기 금속하도층을 형성하기 전에 불순물 농도가 10ppb 이하인 Ar 가스를 이용하기 상기 기판의 표면을 고주파 스퍼터링법에 의해 클리닝처리를 실시하고 상기 기관의 표면을 0.2㎜~1㎜ 제거하는 것을 특징으로 한다.

Description

자기기록매체 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예 1에 관한 CoNiCr막중의 산소농도와 제조한 매체의 보자력의 관례를 나타내는 그래프이다.
제2도는 자기기록매체 표면의 투과형 전자현미경(TEM) 사진이다.
제3도는 자기기록매체 표면의 투과형 전자현미경(TEM) 사진이다.

Claims (34)

  1. 기판의 표면상에 금속하도층을 개재시켜 강자성금속층이 형성되고 자화반전을 이용한 자기기록매체에서 그 강자성금속층의 산소농도를 100 wtppm 이하로 한 것을 특징으로 하는 자기기록매체
  2. 기판의 표면상에 금속하도층을 개재시켜 강자성금속층이 형성되고 자화반전을 이용한 자기기록매체에서 금속하도층의 산소농도를 100 wtppm 이하로 한 것을 특징으로 하는 자기기록매체
  3. 상기 강자성금속층의 산소농도를 100 wtppm 이하로 한 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재한 자기기록매체
  4. 상기 강자성금속층은 Co기 합금인 것을 특징으로 하는 청구항 1내지 3중 어느 하나에 기재된 자기 기록매체
  5. 상기 Co기 합금은 CoNiCr, CoCrTa, CoPtCr, CoPtNi, CoNiCrTa, CoCrPtTa중 어느 한 개의 합금인 것을 특징으로 하는 청구항 1내지 4중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  6. 상기 금속하도층이 Cr인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 5중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  7. 상기 금속하도층의 막 두께가 2.5㎚~100㎚인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 6중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  8. 상기 금속하도층의 막 두께가 5㎚~30㎚인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 7중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  9. 상기 강자성 금속층의 막 두께가 2.5㎚~40㎚인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 8중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  10. 상기 강자성 금속층의 막 두께가 5㎚~20㎚인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 9중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  11. 기판의 표면상에 강자성금속층이 형성되고 자화반전을 이용한 자기기록매체에서 강자성 금속층의 산소농도를 100 wtppm 이하로 한 것을 특징으로 하는 자기기록매체
  12. 상기 강자성금속층은 Co기 합그인 것을 특징으로 하는 청구항 11에 기재된 자기기록매체
  13. 상기 Co기 합금은 CoCr CoCrTa, CoPt중 어느 하나의 합금인 것을 특징으로 하는 청구항 11 또는 12에 기재된 자기기록매체
  14. 상기 기판의 표면상에 비자성층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 13중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  15. 상기 강자성금속층의 규격화 보자력(Hc/Hkgrain로 표기함)이 0.3 이상 0.5 미만인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 14중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  16. 상기 기판이 AI 합금인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 15중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  17. 상기 기판이 유리인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 15중 어느 하나에 기재된 자기기록매체
  18. 상기 기판이 실리콘인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 15중 어느 하나에 기재된 자기기록매체.
  19. 기판의 표면상에 스퍼터링법에 의해 금속하도층과 강자성금속층을 순차 형성한 자기기록매체의 제조방법에서 막형성에 사용하는 Ar가스의 분순물 농도가 10 ppb 이하인 것을 특징으로 하는 자기기록매체의 제조방법
  20. 상기 Ar 가스의 불순물 농도가 100ppt 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 19에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  21. 상기 금속하도층을 형성하기 전에 불순물 농도가 10ppb 이하인 Ar 가스를 사용하고 상기 기판의 표면을 고주파 스퍼터링법에 의해 클리닝처리를 실시하며 상기 기판의 표면을 0.2nm~1nm 제거하는 것을 특징으로 하는 청구항 19 또는 20에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  22. 상기 금속하도층은 Cr이고 상기 금속하도층을 형성할 때에 사용한 타겟은 불순물 농도가 150ppm 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 19내지 21중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  23. 기판의 표면상에 스퍼터링법에 의해 강자성금속층을 형성시킨 자기기록매체의 제조방법에 있어서 막형성에 사용되는 Ar 가스의 불순물 농도가 10ppb 이하인 것을 특징으로 하는 자기기록매체의 제조방법.
  24. 상기 Ar가스의 불순물 농도가 100ppt 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 23에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  25. 상기 강자성금속층을 형성하기 전에 상기 기판의 표면을 고주파 스퍼터링법에 의해 클리닝처리를 실시하고 상기 기판의 표면을 0.2nm~1nm 제거하는 것을 특징으로 하는 청구항 23 또는 24에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  26. 상기 강자성금속층을 형성할 때에 사용한 타겟은 불순물 농도가 30ppm 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 25중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  27. 상기 금속하도층 및/또는 강자성 금속층의 형성시에 상기 기판에 음의 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 26중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  28. 상기 음의 바이어스가 -100V∼-400V인 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 27중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  29. 상기 금속하도층 및/또는 강자성금속층을 형성하는 마형성실의 도달진공도가 8×10-8Torr 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 28중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  30. 상기 금속하도층 및/또는 강자성금속층을 형성할 때의 상기 기판의 표면온도는 60℃ 내지 150℃인 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 29중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  31. 상기 기판은 표면에 비자성층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 30중 어느하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  32. 상기 기판의 표면조도는 Ra가 3nm 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 31중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  33. 상기 기판의 표면조도는 Ra가 1nm 이하인 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 32중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법.
  34. 상기 금속하도층 및/또는 강자성금속층을 형성할 때에 사용하는 가스가 Ar 가스에 N2가스, H2가스중 적어도 한 개를 혼합하여 사용되는 것을 특징으로 하는 청구항 19 내지 33중 어느 하나에 기재된 자기기록매체의 제조방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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