KR930006962A - Mesfet의 구조 - Google Patents

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KR930006962A
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KR1019910016671A
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문찬
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이헌조
주식회사 금성사
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

본 발명은 MESFET의 구조에 관한 것으로, ZnSe와 도핑되지 않은 GaAs를 이종 결합하여 에너지 장벽을 높이고 ZnSe의 고저항 특성에 의해 서브스트레이트 전류를 감소시켜 디바이스의 노이즈 특성을 향상시키고 이득을 증가시키며 선형성을 향상시키도록 창안한 것이다.

Description

MESFET의 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명 MESFET의 구조에 따른 에너지 장벽의 변화도, 제8도는 본 발명의 일실시예의 구성도.

Claims (1)

  1. S.I GaAs 기판(10)위에 ZnSe 버퍼층(11)을 형성하고 그 상층에 도핑되지 않은 얇은 GaAs층(12)를 상기 ZnSe 버퍼층(11)과 이종 접합을 형성하며 그위에 활성층(13) 및 캡층(14)을 형성하여 구성한 것을 특징으로 하는 MESFET의 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910016671A 1991-09-25 1991-09-25 Mesfet의 구조 KR930006962A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8191811B2 (en) 2008-10-14 2012-06-05 Woongjin Coway Co., Ltd. Pulverizing screw, pulverizing casing and pulverizer for food waste treatment apparatus having the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8191811B2 (en) 2008-10-14 2012-06-05 Woongjin Coway Co., Ltd. Pulverizing screw, pulverizing casing and pulverizer for food waste treatment apparatus having the same
US8342436B2 (en) 2008-10-14 2013-01-01 Woongjin Coway Co., Ltd. Pulverizing screw, pulverizing casing and pulverizer for food waste treatment apparatus having the same

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