KR900000975A - 진공처리 기구 배기 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

진공처리 기구 배기 장치 및 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 따른 배기 시스템의 개략도.

제3도는 제2도의 시스템의 양호한 실시예로 제공된 제어 루프(loop)의 전기 블록도.

Claims (16)

1. 교대로 비우고 배기가능한 처리실을 포함하는 반도체 처리 장치에 있어서, 챔버내의 가스 상태를 감지하는 감지 수단과, 음속적으로 초크된 흐름 초기에 선택된 최대 배기 비율에 접근하는 배기 비율에 도달됨으로서 향상된 비음속적으로 초크된 배기에 도달시키기 위한 상기 감지 수단에 대응하는 배기 비율 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
2. 챔버안, 밖으로 가스를 안내하는 챔버에 연결된 가스 통로를 통해 교대로 비우고 배기될 수 있는 처리실을 포함하는 반도체 처리 장치에 있어서, 챔버의 가스 압력을 감지하고 챔버의 가스 압력을 나타내는 압력 신호를 발생시키는 챔버 압력 감지 수단과, 챔버의 가스 흐름비를 감지하고 챔버의 가스 흐름비를 나타내는 흐름비 신호를 발생시키는 가스 흐름감지 수단과, 적용된 제어 신호에 대응하여, 챔버의 가스 흐름비를 조절하기 위해 배열된 조절자 수단과, 음속적으로 초크된 흐름의 초기의 선택된 최대 흐름비에 접근하는 챔버의 가스 흐름비에 도달됨으로서 향상된 비음속적으로 초크된 가스 흐름을 얻고, 상기 압력 신호 및 흐름비 신호에 대응하는 상기 적용된 제어 신호를 발생시키기 위해, 상기 가스 흐름 감지 수단과 상기 챔버 압력 감지 수단에 연결된 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 제어 수단이 챔버 압력의 함수로서 가스 흐름을 제어하도록 상기 적용된 제어신호를 발생시키기 위한 압력에 응답하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
4. 제3항에 있어서, 상기 압력에 응답하는 수단이 챔버 압력의 증가와 함께 가스 흐름을 증가시키도록 적용된 제어 신호를 발생시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
5. 제2항에 있어서, 상기 조절자 수단이 챔버의 가스 흐름비를 선택적으로 감소시키는 밸브 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 가스 흐름 감지 수단이 챔버의 가스 흐름비를 나타내는 압력 변수를 측정하기 위해, 챔버와 조절자 수단 중간에서 챔버와 연결된 가스 통로를 따라 위치된 압력 감지 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
7. 제2항에 있어서, 상기 제어 수단이 음속적으로 초크된 흐름 초기에 흐름비를 자동으로 게산하기 위한 마이크로 프로세서 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 마이크로 프로쎄서 수단이 챔버 압력감지 수단을 갖는 전기 회로에서 압력 신호를 읽기 위한 제1입력 수단과, 가스 흐름 감지 수단을 갖는 전기 회로에서 흐름비 신호를 읽기 위한 제2 입력 수단과, 음속적으로 초크된 흐름 초기에 흐름비를 계산하기 위해 압력 신호와 흐름비 신호에 응답하는 연산 논리소자와, 적용된 제어 신호를 발생시키는 출력 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
9. 처리실을 교대로 비우고 배기시키는 단계를 포함하느 반도체 처리 방법에 있어서, 챔버의 가스 상태를 감지하는 단계와, 음속적으로 초크된 흐름의 초기에 선택된 최대 배기 비율에 접근하는 배기 비율에 도달됨으로서 항상된 비음속적으로 초크된 배기상태에 도달되도록 감지된 가스 상태에 응답하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
10. 챔버의 안, 밖으로 가스를 안내하기 위해 챔버와 통하는 가스 통로를 통해 처리실을 교대로 비우고 배기하는 단계를 포함하는 반도체 처리 방법에 있어서, 챔버의 가스 압력을 감지하고 챔버의 가스 압력을 나타내는 압력 신호를 발생시키는 단계와, 챔버의 가스 흐름비를 감지하고 챔버의 가스 흐름비를 나타내는 흐름비 신호를 발생시키는 단계와, 챔버의 가스 흐름비를 조절하도록 적용된 제어 신호에 응답하는 단계와, 음속적으로 초크된 흐름의 초기에 선택된 최대 흐름비에 접근하는 챔버의 가스 흐름비에 도달됨으로서 향상된 비음속적으로 초크된 가스 흐름에 도달되도록, 압력 신호와 흐름비 신호에 대응하는 적용된 제어 신호를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
11. 제10항에 있어서, 발생시키는 단계가 챔버 압력의 함수로서 가스 흐름을 제어하도록 적용된 제어 신호를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
12. 제11항에 있어서, 발생시키는 단계가 챔버 압력의 증가와 함께 가스 흐름이 1차적으로 증가되도록 적용된 제어 신호를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
13. 제10항에 있어서, 적용된 제어 신호에 응답하는 단계가 챔버의 가스 흐름비를 선택적으로 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
14. 제10항에 있어서, 챔버의 가스 흐름비를 감지하는 단계가 챔버의 외면 포인트에서 챔버의 가스 흐름비를 나타내는 압력 변수를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
15. 제10항에 있어서, 적용된 제어 신호를 발생시키는 단계가 음속적으로 초크된 흐름 초기에 흐름비를 자동으로 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
16. 제15항에 있어서, 음속적으로 초크된 흐름 초기에 흐름비를 자동으로 계산하는 단계가 압력 신호를 읽는 단계와, 흐름비를 읽는 단계와, 음속적으로 초크된 흐름 초기에 흐름비를 계산하기 위해 압력 신호와 흐름비 신호에 응답하는 단계와, 음속적으로 초크된 흐름 초기에 흐름비를 나타내도록 적용된 제어 신호를 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.