KR20220127919A - 로컬 능동 매트릭스 아키텍처 - Google Patents

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Abstract

로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널, 회로들 및 동작 방법들이 설명된다. 일 실시예에서, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널은 픽셀 드라이버 칩의 어레이, 픽셀 드라이버 칩들의 어레이와 전기적으로 접촉하는 박막 트랜지스터 층, 및 박막 트랜지스터 층과 전기적으로 연결된 발광 다이오드들의 어레이를 포함한다.

Description

로컬 능동 매트릭스 아키텍처
관련 출원
본 출원은 2020년 2월 27일에 출원된 유럽 특허 출원 번호 EP20159853.9호를 우선권으로 주장하며, 상기 출원은 참조로 본 명세서에 통합된다.
기술분야
본 명세서에서 설명된 실시예들은 디스플레이 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 로컬 능동 매트릭스 디스플레이들 및 동작 방법들에 관한 것이다.
디스플레이 패널은 광범위한 전자 디바이스에서 활용되고 있다. 일반적인 유형들의 디스플레이 패널들은, 각각의 픽셀 요소, 예를 들어, 발광 다이오드(LED)가 데이터 프레임을 디스플레이하도록 개별적으로 구동될 수 있는 능동 매트릭스 디스플레이 패널들, 및 픽셀 요소들의 행들 및 열들이 데이터 프레임으로 구동될 수 있는 수동 매트릭스 디스플레이 패널들을 포함한다. 프레임 레이트는 디스플레이 아티팩트들과 연관될 수 있고, 디스플레이 애플리케이션에 기초하여 특정 레벨로 설정될 수 있다.
종래의 유기 발광 다이오드(OLED) 또는 액정 디스플레이(LCD) 기술들은 박막 트랜지스터(TFT) 기판을 특징으로 한다. 더 최근에는, TFT 기판을 기판에 접합된 픽셀 드라이버 칩들(마이크로 드라이버 칩들 또는 마이크로제어기 칩들로 또한 지칭됨)의 어레이로 대체하고, 마이크로 LED(μLEDs)들의 어레이를 픽셀 드라이버 칩들의 어레이와 통합하는 것이 제안되었고, 여기서 각각의 픽셀 드라이버 칩은 대응하는 복수의 마이크로 LED들을 스위칭 및 구동시키기 위한 것이다. 이러한 마이크로 LED 디스플레이들은 능동 매트릭스 또는 수동 매트릭스 어드레싱을 위해 배열될 수 있다.
미국 공개 번호 제2019/0347985호에 설명된 일 구현에서, 로컬 수동 매트릭스(LPM) 디스플레이는 각각의 픽셀 드라이버 칩이 디스플레이 행들 및 열들로 배열된 LED들의 LPM 그룹과 결합되는 픽셀 드라이버 칩들 및 LED들의 배열을 포함한다. 동작 시에, 글로벌 데이터 신호들은 픽셀 드라이버 칩에 송신되고, LPM 그룹의 LED들의 각각의 디스플레이 행은 픽셀 드라이버 칩에 의해 한번에 하나의 디스플레이 행으로 구동된다.
디스플레이 패널 스택업들을 포함하는 로컬 능동 매트릭스 아키텍처들, 회로들, 및 동작 방법들이 설명된다. 일 실시예에서, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널은 픽셀 드라이버 칩들의 어레이, 픽셀 드라이버 칩들의 어레이 위에 있고 이들과 전기적으로 접촉하는 박막 트랜지스터 층, 및 박막 트랜지스터 층 상의 발광 다이오드들의 어레이를 포함한다. 각각의 픽셀 드라이버 칩은 TFT 층의 LED들의 대응하는 매트릭스 및 대응하는 로컬 픽셀 회로 매트릭스에 전기적으로 연결될 수 있다. 동작 시에, 픽셀 드라이버 칩들은 로컬 매트릭스 디지털 구동 능력을 제공하는 한편, TFT 층은 서브-픽셀 당 샘플-홀드(sample-and-hold) 및 전류 소스 능력을 제공한다. 이러한 배열은 LED 매트릭스 크기에 관계없이 방출 듀티 사이클을 최대화하고, 높은 멀티플렉싱 비율들로 디스플레이 패널의 동작을 용이하게 할 수 있다.
도 1은 능동 매트릭스 아키텍처의 일반화된 회로도이다.
도 2는 로컬 수동 매트릭스 아키텍처의 일반화된 회로도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 로컬 능동 매트릭스 아키텍처의 일반화된 회로도이다.
도 4a 내지 도 4c는 실시예들에 따른 디스플레이 시스템들의 개략적인 평면 레이아웃 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 디스플레이 패널의 개략적인 평면 레이아웃 도면 및 로컬 서브픽셀 회로의 확대된 일반화된 회로도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 로컬 서브픽셀 회로의 회로도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 로컬 능동 매트릭스 스택업의 일부의 개략적인 측단면도 예시이다.
도 8은 일 실시예에 따른, 로컬 수동 매트릭스 디스플레이 패널을 제조하는 방법에 대한 흐름도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 모바일 전화의 등각도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 태블릿 컴퓨팅 디바이스의 등각도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 웨어러블 디바이스의 등각도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 랩톱 컴퓨터의 등각도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 휴대용 전자 디바이스의 시스템 도면이다.
실시예들은 로컬 능동 매트릭스(LAM) 디스플레이 구성들 및 동작 방법들을 설명한다. 실시예들에 따른 로컬 능동 매트릭스(LAM) 아키텍처는 능동 매트릭스 및 수동 매트릭스 아키텍처들 둘 모두의 특징들을 조합할 수 있다. 더 구체적으로, LAM 디스플레이 구성들은 주로 디지털 기능을 제공하기 위한 픽셀 드라이버 칩들의 어레이, 및 아날로그 기능을 제공하기 위한 로컬 서브픽셀 회로부를 포함하는 상부 TFT 어레이를 포함할 수 있다. 동작 시에, LAM 어드레싱은 로컬 업데이트를 이용한 능동 매트릭스 구동을 포함한다. 따라서, 대부분 수동적인 TFT 오버레이가 LED 구동 전류 값으로 설정되고 재프로그래밍될 때까지 항상 온(on) 상태인 동안, 픽셀 드라이버 칩들은 멀티플렉싱 및 행 공유로 업데이트될 수 있다. 대안적인 구성에서, 픽셀 드라이버 칩들의 어레이는 동일한 대부분 수동적인 기능을 수행할 수 있는 TFT 언더레이 상에 배치된다.
다양한 실시예들에서, 도면들을 참조하여 설명이 이루어진다. 그렇지만, 특정 실시예들은 이러한 특정 세부 사항들 중 하나 이상을 사용함이 없이, 또는 다른 알려진 방법들 및 구성들과 조합되어 실시될 수 있다. 이하의 설명에서, 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 특정 구성들, 치수들 및 프로세스들 등과 같은 많은 특정 세부 사항들이 기재된다. 다른 경우에, 잘 알려진 반도체 프로세스들 및 제조 기법들은 실시예들을 불필요하게 불명료하게 하지 않기 위해 특별히 상세히 기술되지 않았다. 본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예"에 대한 언급은 그 실시예와 관련되어 기술되는 특정 특징, 구조, 구성 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 곳에서 나오는 문구 "일 실시예에서"는 반드시 동일한 실시예를 지칭하지는 않는다. 또한, 특정 특징들, 구조들, 구성들 또는 특성들은 하나 이상의 실시예에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다.
용어들 "위에(above)", "위쪽에(over)" "에(to)", "사이에(between)" 및 "상에(on)"는 본원에서 사용되는 바와 같이 하나의 층의 다른 층들에 대한 상대 위치를 가리킬 수 있다. 다른 층 "위에", "위쪽에" 또는 "상에" 있는, 또는 다른 층"에" 접합되거나 그와 "접촉"되는 하나의 층은 다른 층과 직접 접촉할 수 있거나, 하나 이상의 개재하는 층들을 가질 수 있다. 층들 "사이의" 하나의 층은 그 층들과 직접 접촉할 수 있거나, 하나 이상의 개재하는 층들을 가질 수 있다.
도 1은 로컬 수동 매트릭스(LPM) 아키텍처의 일반화된 회로도이다. 예시적인 레이아웃에 도시된 바와 같이, 전류 소스들 (i)는 LED들(150)의 각각의 열에 제공되며, 여기서 그레이 레벨은 정전류의 펄스 폭 변조를 사용하여 변조될 수 있다. 동작 시에, 각각의 행의 순차적인 방출은 한 번에 하나의 행만이 방출을 위해 선택되도록 멀티플렉싱함으로써 달성될 수 있다. 따라서, 디스플레이 행으로의 방출 전류는 다음 디스플레이 행에 적용되기 전에 턴 오프된다. 디스플레이 행들 사이에서 LPM 방출 듀티 사이클을 공유하는 것(예컨대, 한 번에 하나의 디스플레이 행을 구동하는 것)은 동일한 픽셀 드라이버 칩(102)에 의해 구동되는 행들의 수의 함수로서 감소된 방출 시간의 관계를 초래한다는 것이 관찰되었다. 또한, 행 공유의 결과로서 그러한 감소된 방출 시간은 피크 디스플레이 밝기에 영향을 미칠 수 있다는 것이 관찰되었다. 이는 LED들을 구동하는 데 필요한 전류 범위를 상승시킴으로써 어느 정도 보상될 수 있다. 그러나, 이는 LED들이 (예컨대, LED들의 특성 내부 양자 효율 곡선에서) 최적이 아닌 효율들로 동작되는 것 및 수명 저하를 초래할 수 있다. 따라서, 주어진 프레임 레이트에 대해, 그리고 특히 높은 프레임 레이트들에서, LPM 멀티플렉싱 비율(즉, 픽셀 드라이버 칩에 의해 구동될 수 있는 행들의 수 또는 매트릭스 크기)의 스케일링이 제한될 수 있다.
도 2는 능동 매트릭스(AM) 아키텍처의 일반화된 회로도이다. 예시적인 레이아웃에 도시된 바와 같이, 각각의 LED(150)는 그 자신의 전용 전류 소스 i1, i2, i3 등을 갖는다. 높은 픽셀 밀도를 갖는 AM 디스플레이 패널들과 연관된 전자장치들을 구동하기 위해 요구되는 영역이 엄청나게 클 수 있다는 것이 관찰되었다. 또한, 행 드라이버들, 열 드라이버들, 멀티플렉서들 등과 같은 구동 전자장치의 양은 디스플레이 주위의 경계 영역을 증가시킬 수 있다. AM 디지털 백플레인들이 가능하지만, AM 백플레인들은 일반적으로 아날로그이며, LED들을 구동하기 위한 아날로그 전류 레벨들을 생성하기 위해 많은 양의 디지털-아날로그 변환기(DAC)들을 사용하고, 여기서 그레이 스케일은 통상적으로 진폭 변조로 변조된다.
도 3은 일 실시예에 따른 로컬 능동 매트릭스(LAM) 아키텍처의 일반화된 회로도이다. 실시예들에 따른 LAM 아키텍처 및 어드레싱 방식들은, LPM 어드레싱으로 그리고 AM 어드레싱의 감소된 전력 소비 및 복잡성으로 가능한 것보다 더 높은 멀티플렉싱 비율들로 디지털 구동을 가능하게 한다. LAM은, 최적의 LED 효율 및 구동 전류로 원하는 디스플레이 밝기가 달성될 수 있도록 방출 시간을 프로그램 시간으로부터 분리시킨다. 따라서, (예컨대, 디스플레이 아티팩트 성능에 의해 요구되는) 임의의 주어진 프레임 레이트에서, LAM은 픽셀 드라이버 칩 크기 및 비용을 낮게 유지하면서 더 큰 LED 매트릭스 크기 또는 멀티플렉싱 비율을 허용할 수 있다.
동작 시에, 그레이 스케일은 펄스 폭 변조를 사용하여 변조될 수 있다. 도시된 바와 같이, 대응하는 로컬 서브픽셀 회로(130)는 각각의 LED(150)와 픽셀 드라이버 칩(102) 사이에 위치된다. 예를 들어, 로컬 서브픽셀 회로(130)는 픽셀 드라이버 칩들과 디스플레이 효과 층(예컨대, OLED, μLED) 사이의 박막 트랜지스터(TFT) 스택에 위치될 수 있다. TFT 스택은 서브-픽셀 당 샘플-홀드 및 전류 소스 능력을 제공한다. 픽셀 드라이버 칩들은 로컬 매트릭스 디지털 구동 능력을 제공한다. 그러한 배열은 단일 픽셀 드라이버 칩(102)에 연결된 LED들(및 행들)의 수에 대응하는 LED 매트릭스 크기에 관계없이 100% 방출 듀티 사이클을 허용할 수 있다. 따라서, 이는 높은 멀티플렉싱 비율에서의 동작을 가능하게 한다. 그러한 배열은 또한 LPM과 비교하여 구동 전류들을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, LPM을 더 큰 매트릭스 크기들로 스케일링하는 것은 필요한 밝기를 달성하기 위해 증가된 구동 전류를 요구할 수 있다. 이는 마이크로 LED 효율 곡선들 및 OLED 수명을 매칭시키는 데 문제가 될 수 있다. LAM 어드레싱은 더 낮은 구동 전류들을 가능하게 할 수 있으며, 따라서 μLED 및 OLED 둘 모두에 적용가능하다. 또한, LAM 배열들은 디스플레이 패널의 에지들을 따른 감소된 경계들, 컷-아웃들의 이용가능성, 및 대안적인 백플레인 형상들과 호환가능할 수 있다.
이제 도 4a를 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 시스템의 개략적인 평면 레이아웃 도면 예시가 제공된다. 도시된 바와 같이, 디스플레이 시스템(100)은 LED들의 어레이(150)와 함께 디스플레이 패널(110)의 디스플레이 영역 내에 산재된 픽셀 드라이버 칩들(102)의 어레이를 포함하는 디스플레이 패널(110)을 포함한다. LED들(150)은 픽셀들의 어레이(152)로 배열될 수 있으며, 각각의 픽셀(152)은 다수의 서브픽셀들(154)을 포함한다. 각각의 서브픽셀은 상이한 색상의 방출을 위해 설계될 수 있다. 예시적인 배열에서, 서브픽셀들(154)은 RGB(red-green-blue) 방출 LED들(150)과 함께 배열되지만, 다른 배열들이 가능하다. 일 실시예에서, 각각의 서브픽셀(154)은, 결함이 있거나 누락된 1차 LED 또는 회로부의 결과로서 구동될 수 있는 리던던트 LED 및 1차 LED를 포함하는 리던던트 LED들(150)의 쌍을 포함한다. 디스플레이 영역은 픽셀 어레이에서 LED들(150)을 포함하는 영역으로 간주될 수 있다.
다양한 제어 신호들, 비디오 신호들, 및 전력 공급 전압을 디스플레이 패널(110)에 공급하기 위해 제어 회로(104)가 디스플레이 패널(110)에 결합될 수 있다. 제어 회로(140)는 타이밍 제어기(TCON)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어 회로(104)는 칩 온 필름(chip on film), 플렉스 회로 등에 배치될 수 있다. 추가적인 시스템 컴포넌트들(106)은 제어 회로(104)와 결합되거나 디스플레이 패널(110)에 직접 결합될 수 있다. 예를 들어, 추가적인 시스템 컴포넌트들(106)은 호스트 시스템 온 칩(system on chip, SOC), 전력 관리 집적 회로(power management integrated circuit, PMIC), 레벨 시프터들, 터치 스크린 제어기, 추가 수동소자들 등을 포함할 수 있다.
도 4a에 예시된 특정 디스플레이 패널(110)은 복수의 타일들(112)을 포함하는 타일형 디스플레이로서 특성화될 수 있다. 실시예들에 따른 픽셀 드라이버 칩들(102)의 배열은 디스플레이 패널의 에지들 상의 드라이버 레지들에 대한 필요성을 제거할 수 있다. 그 결과, 디스플레이 패널은 디스플레이 영역의 외측에서 감소된 경계들, 또는 제로 경계들을 가질 수 있다. 본 구성은 곡선형 에지들뿐만 아니라 컷아웃들(120)을 갖는 디스플레이 패널들의 형성을 용이하게 할 수 있다. 또한, 본 구성은 디스플레이 타일들(112)의 마이크로 배열들을 포함하는 모듈형 배열들을 용이하게 할 수 있다. 대체적으로, 제어 회로(104)는 디스플레이 패널(110)의 에지에 결합될 수 있다. 글로벌 신호 라인들 및/또는 전력 라인들의 버스 열들(114)은 글로벌 신호들을 디스플레이 패널에 공급하기 위해 제어 회로(104)로부터 연장될 수 있다. 예를 들어, 글로벌 신호 라인들은 적어도 데이터 클록 라인들 및 방출 클록 라인들을 포함할 수 있다. 글로벌 신호 라인들은 복수의 "하이브리드" 픽셀 드라이버 칩들(102H)에 결합되고, 이들은 함께 디스플레이 타일(104), 또는 디스플레이의 백본을 형성한다. 대응하는 백본 하이브리드 픽셀 드라이버 칩들은 글로벌 신호들을 수신하고, 이어서 동일한 행 내의 다른 픽셀 드라이버 칩들(102)에 연결된 행 신호 라인들(116)로서 대응하는 행들에 조작된 신호들을 송신한다. 예를 들어, 글로벌 데이터 클록 신호 및 방출 클록 신호는 조작된 신호들로 변환되고, 조작된 데이터 클록 라인들 및 조작된 방출 클록 라인들을 따라 픽셀 드라이버 칩들(110)의 행로 송신될 수 있다. 예를 들어, 조작된 신호들은 픽셀 드라이버 칩들의 특정 행에 대한 필요한 정보만을 포함할 수 있다.
실시예들에 따른 타일 기반 디스플레이 패널들은 디스플레이 타일들(112)의 다양한 배열들을 가질 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 타일들(112)은 나란히 배열되고(수평으로), 적층되는(수직으로) 둘 모두일 뿐만 아니라 다른 구성들일 수 있다. 추가적으로, 글로벌 신호 라인들의 버스 열들(114)은 적층된 디스플레이 타일들(112)에 대해 정렬되고 연결될 수 있다. 버스 열들(118) 및 데이터 라인들(118)은 제어 회로(104)로부터 디스플레이 패널로 연장될 수 있다. 열 드라이버들은, 선택적으로, 버스 열들(114) 내의 글로벌 신호 라인들 및/또는 데이터 라인들(118)을 버퍼링하기 위해 디스플레이 패널(110) 상에 위치될 수 있다. 각각의 타일(112)은 글로벌 신호 라인들의 하나 이상의 버스 열들(114), 행 함수 신호 라인들(116)의 복수의 행들, 및 픽셀 드라이버 칩들(102)의 복수의 행들을 포함할 수 있고, 이때 픽셀 드라이버 칩들(102)의 각각의 행은 행 함수 신호 라인들(116)의 대응하는 행에 연결된다. 추가적으로, 각각의 픽셀 드라이버 칩(102)은 LED들(150)의 대응하는 매트릭스(156)에 연결된다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 픽셀 드라이버 칩들(102)의 각각의 행은 백본 하이브리드 픽셀 드라이버 칩들(102H)의 그룹 및 LED 구동 픽셀 드라이버 칩들(102D)의 그룹을 포함한다. 버스 열들(114) 및 백본 하이브리드 픽셀 드라이버 칩들(102H)의 라우팅은 타일들(112)의 백본을 형성할 수 있다. 백본 하이브리드 픽셀 드라이버 칩들(102H) 및 LED 구동 픽셀 드라이버 칩들(102D) 각각은, 단지 상이한 기능에 대해서만 상이하게 구성되는 하이브리드 픽셀 드라이버 칩들일 수 있다. 대안적으로, 칩들(102H, 102D)은 상이한 내부 회로부들을 가질 수 있다. 백본 하이브리드 픽셀 드라이버 칩들(102H) 및 LED 구동 픽셀 드라이버 칩들(102D)은 추가적으로, 상이하게 연결될 수 있다. 실시예들에 따르면, 백본 하이브리드 픽셀 드라이버 칩들(102H) 및 LED 구동 픽셀 드라이버 칩들(102D) 각각은 TFT 로컬 서브픽셀 회로부들의 LED들(150)의 대응하는 매트릭스들(156)에 연결된다.
이제 도 4b를 참조하면, 열 드라이버들(122) 및 행 드라이버들(124)을 포함하는 대안적인 디스플레이 시스템(100)이 예시되며, 이들은 디스플레이 패널(110)의 에지들 상에 배열되거나 그에 연결될 수 있다. 열 드라이버들(122)은 데이터 라인들(118)로 송신하기 전에, 예컨대 글로벌 데이터 신호들을 버퍼링할 수 있다. 행 드라이버들(124)은 예를 들어, 픽셀 드라이버 칩들(102)의 행들로 송신하기 전에 글로벌 행 함수 신호들을 버퍼링할 수 있다.
이제 도 4c를 참조하면, 분산형 행 드라이버들(125)을 포함하는 다른 대안적인 디스플레이 시스템(100)이 예시된다. 도 4c에 예시된 실시예는 도 4b에 예시된 실시예와 유사하며, 여기서 행 드라이버들은 그 대신 디스플레이 패널(110)의 에지들을 따르는 것이 아니라 디스플레이 영역에 걸쳐 분산 또는 임베딩되는 분산형 행 드라이버들(125)이다. 도 4a 및 도 4b와 유사하게, 열 드라이브(122)이 선택적으로 포함될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 실시예들에 따른 로컬 능동 매트릭스 아키텍처는 픽셀 드라이버 칩들(102)의 다양한 배열들, 및 종래에 행 드라이버들 및 열 드라이버들로 분리된 다양한 레벨들의 글로벌 신호 버퍼링의 포함과 호환가능하다.
이제 도 5를 참조하면, 디스플레이 패널(110)의 개략적인 평면 레이아웃 도면 및 로컬 서브픽셀 회로(130)의 확대된 일반화된 회로도가 일 실시예에 따라 제공된다. 도시된 바와 같이, 로컬 픽셀 회로 매트릭스들(160)은 각각의 픽셀 드라이버 칩들(102)에 접속된다. 각각의 로컬 픽셀 회로 매트릭스(160) 및 로컬 서브픽셀 회로(130)는 도 7에 도시된 바와 같이 픽셀 드라이버 칩들(102) 위의 TFT 층(230)(다수의 층들을 포함할 수 있음)에 주로 위치될 수 있다. 구체적으로, 도 5의 로컬 픽셀 회로 매트릭스들(160)은 픽셀들의 매트릭스를 제어하는 단일 픽셀 드라이버 칩(102)에 연결된 로컬 회로부들을 예시한다. 따라서, 도시된 바와 같이, TFT 층은, 도 4a 내지 도 4c와 관련하여 설명된 LED들(150)의 매트릭스들(156)에 대응하는 로컬 픽셀 회로 매트릭스들(160)의 어레이를 포함할 수 있다.
확대도에 도시된 바와 같이, 각각의 로컬 서브픽셀 회로(130)는 픽셀 드라이버 칩(102)으로부터의 로컬 방출 데이터 라인(134) 및 픽셀 드라이버 칩(102)으로부터의 로컬 스캔 라인(132)과 결합된 메모리 셀(135)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 메모리 셀(135)은 박막 트랜지스터와 같은 스위치(140) 및 커패시터와 같은 저장 디바이스(142)를 포함한다. 로컬 방출 데이터 라인(134)은 로컬 픽셀 회로 매트릭스(160) 내의 복수의 (행들) 로컬 서브픽셀 회로들(130)과 결합될 수 있다. 로컬 스캔 라인(132)은 로컬 픽셀 회로 매트릭스(160) 내의 복수의 (열들) 로컬 서브픽셀 회로들(130)과 결합될 수 있다. 따라서, 각각의 로컬 픽셀 회로 매트릭스(160)는 로컬 방출 데이터 라인들(134)의 복수의 열들 및 로컬 스캔 라인들(132)의 복수의 행들을 포함할 수 있다.
도 5를 여전히 참조하면, 실시예들에 따라, 각각의 로컬 픽셀 회로 매트릭스(160)는 고전압 전력 공급 라인들(136) 및 저전압 전력 공급 라인들(138)로 형성된 전력 그리드를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 각각의 로컬 서브픽셀 회로는 LED(150)에 결합된 고전압 전력 공급 라인(예컨대, Vdd)(136) 및 저전압 전력 공급 라인(예컨대, Vss)(138)을 포함한다. 더 구체적으로, 고전압 전력 공급 라인(136)은 구동 트랜지스터(144)의 제1 소스/드레인 단자에 연결될 수 있고, LED(150)는 다른 소스/드레인 단자에 연결되고, 메모리 셀(135)은 구동 트랜지스터(144)의 게이트에 연결된다. 일 실시예에서, 고전압 전력 공급 라인(136) 및 저전압 전력 공급 라인(138)은 픽셀 드라이버 칩(102)에 대한 출력 단자들에 결합된다. 또한, 픽셀 드라이버 칩(102)에 대한 입력 단자들은 글로벌 전력 공급 라인들, 이를테면 버스 열들(114) 및 행 신호 라인들(116) 내에 포함된 것들, 또는 글로벌 데이터 라인들(118)과 유사하게 디스플레이 패널에 걸쳐 분산된 글로벌 전력 공급 라인들에 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 로컬 픽셀 회로 매트릭스에 대한 전력 그리드는 로컬 픽셀 회로 매트릭스(160) 내에 완전히 포함되며, 대응하는 픽셀 드라이버 칩(102)에 연결된다. 이러한 구성에서, 픽셀 드라이버 칩(102)은 글로벌 전력 입력을 수신하고, 로컬 능동 매트릭스(즉, 로컬 픽셀 회로 매트릭스(160))에 대한 로컬 전력 라인들(고전압 전력 공급 라인(136), 저전압 전력 공급 라인(138))을 조절할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 픽셀 드라이버 칩(102)은 모든 관련 전력을 제공하고 "독립형" 로컬 능동 매트릭스에 신호들을 어드레싱하는 것을 담당할 수 있다. 대안적인 배열에서, 고전압 전력 공급 라인(136) 및/또는 저전압 전력 공급 라인(138)은 글로벌 전력 공급 라인들에 결합될 수 있다. 이러한 대안적인 구성에서, 픽셀 전류는 예를 들어, 백본을 통해 또는 다른 방식으로 분산된 글로벌 기준 전압(Vref) 라인들을 사용하여 전역적으로 생성될 수 있다.
일 실시예에서, LAM 디스플레이 패널을 동작시키는 방법은 디스플레이 패널(110)의 디스플레이 영역 내에 산재된 픽셀 드라이버 칩들의 어레이의 픽셀 드라이버 칩(102)에서 글로벌 데이터 신호(예컨대, 디지털 데이터 신호)를 수신하는 단계를 포함한다. 예컨대, 이는 글로벌 데이터 라인(118)과 결합된 입력 단자에서 이루어질 수 있거나, 또는 백본, 행 신호 라인들(116) 등을 통할 수 있다. 이어서, 제1 서브픽셀 메모리 셀(135)은 픽셀 드라이버 칩(102)으로부터의 제1 로컬 방출 데이터로 프로그래밍되고, 여기서 제1 서브픽셀 메모리 셀(135)은 픽셀 드라이버 칩(102) 외부의 제1 로컬 서브픽셀 회로(130) 내에 위치된다. 이어서, 제1 로컬 서브픽셀 회로(130) 내의 제1 LED(150)로부터 광이 방출된다. 일 실시예에서, 로컬 방출 데이터로 제1 서브픽셀 메모리 셀(135)을 프로그래밍하는 것은 픽셀 드라이버 칩(102)으로부터 (예컨대, 로컬 데이터 라인(134)을 따라) 열 데이터 신호 및 (예컨대, 로컬 스캔 라인(132)을 따라) 행 스캔 신호를 제1 서브픽셀 메모리 셀(135)의 스위치(140)(예컨대, 트랜지스터)로 전송하는 것을 포함한다.
실시예들에 따른 LAM 어드레싱 방식들은 한 번에 하나의 행씩 서브픽셀 메모리 셀들을 프로그래밍하는 것을 포함할 수 있다. 도 3을 다시 참조하면, 로컬 서브픽셀 회로들(130)의 제1(최상부) 행들 및 대응하는 메모리 셀들이 프로그래밍되고, 이어서 제2(중간) 행이 프로그래밍되고, 이어서 제3(최하부) 행이 프로그래밍되는 식일 수 있다. 추가적으로, 동일한 행 내의 모든 열들이 동시에 프로그래밍된다. LAM 어드레싱 방식에서 예시된 전류 공유 및 멀티플렉싱은 실제로 프로그래밍 전류이며, LPM 어드레싱 및 AM 어드레싱에 대해 설명 및 예시된 것들과 같은 LED 구동 전류가 아니라는 것이 인식되어야 한다. 대신에, LED 구동 전류는, 이들이 프로그래밍된 메모리 셀(135)에 관련될 때, 전력 그리드(고전압 전력 공급 라인(136) 및/또는 저전압 전력 공급 라인(138))에 의해 제공된다. LED 구동 전류들과 비교하여 더 낮은 전류들이 스위치(140)를 턴 온시키는 데 사용될 수 있으며, 이는 요구되는 전력을 낮출 수 있다. 이는 LED들(150)에 공급되는 피크 전류를 감소시키고, LAM 아키텍처 및 어드레싱 방식이 OLED 뿐만 아니라 마이크로 LED에 대해 사용될 수 있게 한다. 추가적으로, 프로그래밍 동안 행 공유가 수반되며, 메모리 셀들(135)이 프로그래밍되면, 충전된 저장 디바이스(142)(커패시터)는 구동 트랜지스터(144)를 턴 온시키며, 이는 메모리 셀(135)이 재프로그래밍될 때까지 온으로 유지된다. 따라서, LPM 어드레싱을 이용한 전류 소스의 시간 공유는 LAM 어드레싱으로 제거된다. 동작 시에, 구동 트랜지스터들(144)은, 심지어 다음 행으로부터의 프로그래밍 및 방출 동안에도, 재프로그래밍될 때까지, 온으로 유지된다. 도 3과 조합하여 도 5를 참조하면, 일 실시예에서, 프로그래밍된 메모리 셀(135) 및 제1 LED(150)(예컨대, 최상부 행)에 연결된 구동 트랜지스터(144)는, 제2 LED(150)(예를 들어, 중간 행, 동일한 열)로부터 광을 방출하거나 제2 LED(150)에 결합된 제2 메모리 셀(135)을 프로그래밍하는 동안에도 온이다. 따라서, 제1 행(예컨대, 최상부 행)의 모든 열들로부터의 모든 구동 트랜지스터들(144)은, 후속 행들이 그 프레임에 대해 프로그래밍되는 프로그래밍 동작들의 나머지 동안 온으로 유지될 수 있다. 동일한 관계가 후속 행들에 대해 계속된다. 이러한 어드레싱 방식은 추가적인 방출 스위치들 등에 의해 더 용이하게 될 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 로컬 서브픽셀 회로(100)의 회로도이다. 도 6은 방출, 감지 및 LED 리던던시 회로부가 추가된, 도 5의 로컬 서브픽셀 회로(130)의 일반화된 회로도와 유사하다. 도 5와 유사하게, 로컬 서브픽셀 회로(130) 및 로컬 픽셀 회로 매트릭스(160)는 픽셀 드라이버 칩(102)의 로컬 입력/출력 단자들에 완전히 연결될 수 있고, 따라서 어떠한 글로벌 신호 또는 전력 라인들에도 연결되지 않을 수 있다. 도시된 바와 같이, 열 데이터 라인(134)은 로컬 서브픽셀 회로들(130)의 열을 연결할 수 있다. 마찬가지로, 고전압 전력 공급 라인(136), 저전압 전력 공급 라인(138), 및 열 감지 라인(166)은 로컬 서브픽셀 회로들(130)의 동일한 열에 연결될 수 있다. 유사하게, 행 스캔 라인(132), 행 감지 라인(146), 1차 LED 행 선택 라인(148), 및 리던던트 LED 행 선택 라인(162) 및 행 방출 라인들(164)은 로컬 서브픽셀 회로들(130)의 행에 연결될 수 있다.
예시된 특정 실시예에서, 행 방출 라인(164)은 로컬 서브픽셀 회로(130)에 대한 방출 제어 스위치(165)(예컨대, 트랜지스터)에 연결된다. 동작 시에, 행 방출 라인(164)의 선택은 방출 제어 스위치들(165)을 턴 온시킨다. 구동 트랜지스터들(144)은 프로그래밍된 후에 온 상태이므로, 이는 LED들(150)로부터의 방출을 가능하게 한다. 이것이 리던던트 구성이기 때문에, 1차 스위치(149)(트랜지스터) 또는 리던던트 스위치(163)(트랜지스터)가 턴 온되는지 여부에 따라, 1차 LED(150P) 또는 리던던트 LED(150R)에 대해 방출이 발생할 것이다. 행 감지 라인(146) 및 열 감지 라인(166)과 결합된 감지 스위치(트랜지스터)(147)를 갖는 감지 회로가 선택적으로 포함될 수 있다.
예시된 로컬 서브픽셀 회로들의 스위치들 또는 트랜지스터들 각각은 TFT들일 수 있다. 도 5 및 도 6에 예시된 특정 로컬 서브픽셀 회로들(130)은 예시적이며, 실시예들은 그렇게 제한되지 않는다는 것이 인식되어야 한다. 픽셀 드라이버 칩(102)에 대한 입력/출력 연결들 및 TFT들의 수를 감소시키기 위해 다른 회로 구현들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 방출 제어 스위치(165)는 구동 트랜지스터(144)에 직접적으로 열 당 픽셀 드라이버 칩(102) 전류 공급을 제공함으로써 대체될 수 있고, 감지 스위치(147)는 감지를 위해 픽셀 드라이버 칩(102) 전류 공급을 사용하여 구동 트랜지스터(144)와 결합될 수 있다. 또한, NMOS 및 PMOS가 1차 스위치(149) 및 리던던트 스위치(163)로서 사용되거나 스위칭이 픽셀 드라이버 칩(102)으로부터 이루어지는 경우, 픽셀 드라이버 칩(102)에 대한 1차 LED(150P) 및 리던던트 LED(150R) 단자들이 조합될 수 있다.
이제 도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 LPM 스택업의 일부의 측단면도 예시가 제공된다. 도 8은 일 실시예에 따른, LPM 디스플레이 패널을 제조하는 방법에 대한 흐름도이다. 간결성을 위해, 도 7 및 도 8은 동시에 함께 설명된다.
일 실시예에서, LAM 디스플레이 패널은 픽셀 드라이버 칩들(102)의 어레이, 픽셀 드라이버 칩들(102)의 어레이 위에 있고 그와 전기적으로 접촉하는 박막 트랜지스터 TFT 층(230), 및 TFT 층(230) 상의 LED들의 어레이(150)를 포함한다. 전술된 바와 같이, 픽셀 드라이버 칩들(102)은 디지털 제공 로컬 매트릭스 디지털 구동 능력을 위해 설계될 수 있고, 디지털 데이터 신호들을 수신하고 디지털 데이터 저장 모듈을 포함하도록 설계될 수 있다. 각각의 픽셀 드라이버 칩(102)은 TFT 층(230)에 형성될 수 있는 LED들(150)의 대응하는 매트릭스(156) 및 대응하는 로컬 픽셀 회로 매트릭스들(160)에 전기적으로 연결될 수 있다. 대안적인 구성에서, TFT 층(230)이 제조된 후에, TFT 층(230) 상에 픽셀 드라이버 칩들(102)이 배치될 수 있다. 그러한 구성에서, 픽셀 드라이버 칩들(102)은 TFT 층(230) 위에 있을 것이다. 이어서, 비아들 또는 구리 기둥들을 통하는 것과 같은 수직 상호연결부들이 TFT 층(230)으로부터 패시베이션 층(204)을 통해 LED들(150)로의 전기적 연결을 제공할 수 있다. 선택적으로, 최상부 측 재분배 층이 패시베이션 층 위에 형성되어, 수직 상호연결부들과 LED들(150) 사이의 추가적인 라우팅을 제공할 수 있다.
제조 방법은 동작(8010)에서 픽셀 드라이버 칩들(102)의 어레이를 디스플레이 기판(200)으로 이송하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 기판(102)은 유리, 폴리이미드 등과 같은 강성 또는 가요성 기판일 수 있다. 접착 층(202)은 선택적으로, 픽셀 드라이버 칩들(102)을 수용하기 위해 디스플레이 기판(200) 상에 형성될 수 있다. 이송은 픽 앤 플레이스 공구를 사용하여 달성될 수 있다. 일 실시예에서, 후면(기능화되지 않음) 면이 접착 층(202) 상에 배치되고, 전면(접촉 패드들(180)을 포함하는 활성 면)이 위를 향하게 배치된다. 접촉 패드들(180)은 이송 전에 또는 후에 형성될 수 있다. 예시된 바와 같이, 패시베이션 층(204)은, 예를 들어, 디스플레이 기판(102)에 픽셀 드라이버 칩들(102)을 고정시키고, 추가적인 라우팅을 위한 단계적 커버리지를 제공하기 위해, 픽셀 드라이버 칩들(102) 주위에 형성될 수 있다. 패시베이션 층(204)을 위한 적합한 재료들은 중합체들, 스핀 온 글래스(spin on glass), 산화물들 등을 포함한다. 일 실시예에서, 패시베이션 층은 아크릴, 에폭시, 벤조시클로부텐(BCB) 등과 같은 열경화성 재료이다.
이어서, 픽셀 드라이버 칩들(102)의 어레이 위에 재배선 층(RDL)(220)이 형성될 수 있다. RDL은, 예컨대, 이어서 동작(8030)에서 형성되는 TFT 층(230)에 대한 연결들을 제공하기 위해, 접촉 패드들(180)로부터 팬 아웃(fan out)될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, RDL(200)은 하나 이상의 재배선 라인들(224) 및 유전체 층들(226)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 재배선 라인들은 금속 라인들(예를 들어, Cu, Al 등)일 수 있고, 유전체 층들(226)은 산화물들(예를 들어, SiOx), 질화물들, 중합체들 등을 포함하는 적합한 절연 재료들로 형성될 수 있다. 실시예들에 따르면, RDL(220)은 복수의 글로벌 신호 라인들 및 전력 라인들(예를 들어, 데이터 라인들(118), 행 신호 라인들(116), 버스 열들(114) 등) 중 하나 이상을 포함한다.
복수의 글로벌 신호 라인들 및 전력 라인들 중 임의의 것이 또한, 또는 대안적으로, TFT 층(230)에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, TFT 층(230)은 주로 로컬 라우팅을 위해 사용된다. TFT 층(230)은 어레이 TFT들, 커패시터들, 및 전기적 라우팅을 포함할 수 있다. 예컨대, TFT들은 실리콘 또는 산화물 트랜지스터들일 수 있다. 예시된 실시예에서, TFT들은 실리콘 채널들(238) 및 산화물 게이트 층들(239)을 포함한다. RDL(220)과 유사하게, TFT 층(230)은 추가적으로, 복수의 금속 라우팅 라인들(234) 및 유전체 층들(236)을 포함할 수 있다. 라우팅 라인들(234)(또는 그의 비아들)은 TFT들의 소스/드레인들과 접촉할 수 있다. 예시된 실시예에서, 최상부 금속 라우팅 라인(234)은 로컬 서브픽셀 회로에 대한 애노드이다.
제조 프로세스의 이 단계에서, 디스플레이 패널은 마이크로 LED 및 OLED 둘 모두에 대한 후속 프로세싱에 적합할 수 있다. 동작(8080)에서, LED들의 어레이가 TFT 어레이에 연결된다. OLED 제조 프로세스에서, 이는 유기 방출 층들 및 이어서 픽셀 한정 층들의 침착을 포함할 수 있다. 도 7에 예시된 마이크로 LED 제조 프로세스에서, 추가적인 유전체 층들 및 라우팅 층들이 선택적으로 형성되고, 적층체 상으로의 마이크로 LED들(150)의 이송 및 접합이 후속될 수 있다. 일 실시예에서, 마이크로 LED들(150)은 뱅크 층(240)의 뱅크 구조 개구들(242) 내부에 접합된다. 뱅크 구조 개구들(242)은 선택적으로 반사성일 수 있고, 선택적으로 마이크로 LED들(150)의 접합 후에 충전될 수 있다. 뱅크 층(240)은 저전압 전력 공급 라인들(138) 또는 캐소드들과 같은 라우팅 층을 노출시키기 위한 개구들(244)을 생성하도록 추가로 패터닝될 수 있다. 이어서, 마이크로 LED들(150)의 최상부 측들로부터 저전압 전력 공급 라인들(138) 또는 캐소드들로의 전기 연결을 제공하기 위해 최상부 투명 또는 반투명 전기 전도성 층(들)이 침착될 수 있다. 적합한 재료들은 투명 전도성 산화물(TCO)들, 전도성 중합체들, 얇은 투명 금속 층들 등을 포함한다. 이어서, 캡슐화, 편광자 등을 위해 추가의 프로세싱이 수행될 수 있다.
도 9 내지 도 12는 다양한 실시예들이 구현될 수 있는 다양한 휴대용 전자 시스템들을 예시한다. 도 9는 하우징(902)에 패키징된 디스플레이 스크린(101)을 포함하는 디스플레이 시스템(100)을 포함하는 예시적인 모바일 전화(900)를 예시한다. 도 10은 하우징(1002)에 패키징된 디스플레이 스크린(101)을 포함하는 디스플레이 시스템(100)을 포함하는 예시적인 태블릿 컴퓨팅 디바이스(1000)를 예시한다. 도 11은 하우징(1102)에 패키징된 디스플레이 스크린(101)을 포함하는 디스플레이 시스템(100)을 포함하는 예시적인 웨어러블 디바이스(1100)를 예시한다. 도 12는 하우징(1202)에 패키징된 디스플레이 스크린(101)을 포함하는 디스플레이 시스템(100)을 포함하는 예시적인 랩톱 컴퓨터(1200)를 예시한다.
도 13은 본 명세서에서 설명되는 디스플레이 패널(110)을 포함하는 휴대용 전자 디바이스(1300)의 일 실시예에 대한 시스템 도면을 예시한다. 휴대용 전자 디바이스(1300)는 시스템을 관리하고 명령들을 실행하기 위한 프로세서(1320) 및 메모리(1340)를 포함한다. 메모리는 비휘발성 메모리, 예컨대 플래시 메모리를 포함하며, 휘발성 메모리, 예컨대, 정적 또는 동적 RAM을 추가적으로 포함할 수 있다. 메모리(1340)는 펌웨어 및 구성 유틸리티들을 저장하기 위한 ROM 전용 부분을 추가적으로 포함할 수 있다.
시스템은 또한 전력 모듈(1380)(예컨대, 플렉시블 배터리들, 유선 또는 무선 충전 회로들, 등), 주변장치 인터페이스(1308), 및 하나 이상의 외부 포트(1390)(예컨대, USB, HDMI, 디스플레이 포트, 및/또는 그 외)를 포함한다. 일 실시예에서, 휴대용 전자 디바이스(1300)는 하나 이상의 외부 포트(1390)와 인터페이싱하도록 구성된 통신 모듈(1312)을 포함한다. 예를 들어, 통신 모듈(1312)은 IEEE 표준, 3GPP 표준, 또는 다른 통신 표준들에 따라 기능하는 하나 이상의 트랜시버를 포함할 수 있으며, 하나 이상의 외부 포트(1390)를 통해 데이터를 수신 및 송신하도록 구성된다. 통신 모듈(1312)은 휴대용 전자 디바이스(1300)를 추가적 디바이스들 또는 컴포넌트들과 통신가능하게 연결하기 위한 하나 이상의 셀룰러 타워(cellular towers) 또는 기지국을 포함하는 광역 네트워크와 통신하도록 구성된 하나 이상의 WWAN 트랜시버를 추가적으로 포함할 수 있다. 또한, 통신 모듈(1312)은 휴대용 전자 디바이스(1300)를 로컬 영역 네트워크 및/또는 블루투스 네트워크와 같은 개인 영역 네트워크와 연결하도록 구성된 하나 이상의 WLAN 및/또는 WPAN 트랜시버들을 포함할 수 있다.
디스플레이 시스템(1300)은 예를 들어 근접 센서들, 주변광 센서들, 또는 적외선 트랜시버들과 같은 하나 이상의 센서로부터의 입력을 관리하기 위한 센서 제어기(1370)를 추가로 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 시스템은 오디오 출력을 위한 하나 이상의 스피커(1334) 및 오디오 수신을 위한 하나 이상의 마이크로폰(1332)을 포함하는 오디오 모듈(1331)을 포함한다. 실시예들에서, 스피커(1334)와 마이크로폰(1332)은 압전 컴포넌트들일 수 있다. 휴대용 전자 디바이스(1300)는 입출력(I/O) 제어기(1322), 디스플레이 패널(110), 및 추가적 I/O 컴포넌트들(1318)(예컨대, 키, 버튼, 빛, LED, 커서 제어 디바이스, 햅틱 디바이스, 및 그 외)을 추가로 포함한다. 디스플레이 패널(110) 및 추가적 I/O 컴포넌트들(1318)은 사용자 인터페이스(예컨대, 사용자에게 정보를 제공하고/하거나 사용자로부터 입력을 수신하는 것과 연관된 휴대용 전자 디바이스(1300)의 부분들)의 부분들을 형성하는 것으로 고려될 수 있다.
실시예들의 다양한 태양들을 이용함에 있어서, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이를 형성 및 동작시키기 위해 위의 실시예들의 조합 또는 변형이 가능하다는 것이 통상의 기술자에게 명백하게 될 것이다. 실시예들이 구조적 특징들 및/또는 방법론적 동작들에 대해 특정한 표현으로 기술되었지만, 첨부된 청구항들이 반드시 기술된 특정 특징들 또는 동작들로 제한되지는 않는다는 것이 이해되어야 한다. 대신에, 개시된 특정 특징들 및 동작들은 예시하는 데 유용한 청구항들의 실시예들로서 이해되어야 한다.

Claims (21)

  1. 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널로서,
    픽셀 드라이버 칩들의 어레이;
    상기 픽셀 드라이버 칩들의 어레이와 전기적으로 접촉하는 박막 트랜지스터(TFT) 층;
    상기 TFT 층과 전기적으로 연결된 발광 다이오드(LED)들의 어레이를 포함하는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 TFT 층은 상기 픽셀 드라이버 칩들의 어레이 위에 있고, 상기 LED들의 어레이는 상기 TFT 층 상에 있는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 픽셀 드라이버 칩들의 어레이의 각각의 픽셀 드라이버 칩은 디지털 데이터 저장 모듈을 포함하는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서, 각각의 픽셀 드라이버 칩은 상기 LED들의 어레이의 LED들의 대응하는 매트릭스에 전기적으로 연결되는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  5. 제4항에 있어서, 각각의 픽셀 드라이버 칩은 상기 TFT 층의 대응하는 로컬 픽셀 회로 매트릭스에 전기적으로 연결되는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  6. 제5항에 있어서, 각각의 로컬 픽셀 회로 매트릭스는 전력 그리드를 포함하는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전력 그리드는 상기 로컬 픽셀 회로 매트릭스 내에 전체적으로 포함되고, 대응하는 픽셀 드라이버 칩에 연결되는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  8. 제6항에 있어서, 상기 전력 그리드는 글로벌 전압 공급 라인에 직접 연결되는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  9. 제5항에 있어서, 상기 픽셀 드라이버 칩들의 어레이의 픽셀 드라이버 칩들의 열 및 픽셀 드라이버 칩들의 행을 연결하는 번들링된 신호 라인들의 행으로 라우팅되는 글로벌 신호 라인들을 포함하는 버스 라인을 더 포함하는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널.
  10. 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 회로로서,
    디스플레이 패널의 디스플레이 영역 내에 산재된 픽셀 드라이버 칩들의 어레이 내의 픽셀 드라이버 칩;
    상기 픽셀 드라이버 칩으로의 복수의 글로벌 신호 라인 입력들; 및
    상기 픽셀 드라이버 칩에 결합된 로컬 픽셀 회로 매트릭스를 포함하는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 픽셀 드라이버 칩으로부터의 로컬 방출 데이터 라인 및 상기 픽셀 드라이버 칩으로부터의 로컬 스캔 라인과 결합된 제1 서브픽셀 메모리 셀을 포함하는 상기 로컬 픽셀 회로 매트릭스의 제1 로컬 서브픽셀 회로를 더 포함하는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 로컬 방출 데이터 라인은 상기 로컬 픽셀 회로 매트릭스의 로컬 서브픽셀 회로들의 열과 결합되고, 상기 로컬 스캔 라인은 상기 로컬 픽셀 회로 매트릭스의 로컬 서브픽셀 회로들의 행과 결합되는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 회로.
  13. 제10항에 있어서, 각각의 로컬 픽셀 회로 매트릭스는 전력 그리드를 포함하는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전력 그리드는 상기 로컬 픽셀 회로 매트릭스 내에 전체적으로 포함되고, 대응하는 픽셀 드라이버 칩에 연결되는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 회로.
  15. 제13항에 있어서, 상기 전력 그리드는 글로벌 전압 공급 라인에 직접 연결되는, 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 회로.
  16. 로컬 능동 매트릭스 디스플레이 패널을 동작시키는 방법으로서,
    픽셀 드라이버 칩에서 글로벌 데이터 신호를 수신하는 단계 - 상기 픽셀 드라이버 칩은 상기 디스플레이 패널의 디스플레이 영역 내에 산재된 픽셀 드라이버 칩들의 어레이 중 하나임 -;
    상기 픽셀 드라이버 칩으로부터의 제1 로컬 방출 데이터로 제1 서브픽셀 메모리 셀을 프로그래밍하는 단계 - 상기 제1 서브픽셀 메모리 셀은 상기 픽셀 드라이버 칩 외부의 제1 로컬 서브픽셀 회로 내에 위치됨 -; 및
    상기 제1 로컬 서브픽셀 회로 내의 제1 LED로부터 광을 방출하는 단계를 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 로컬 방출 데이터로 상기 제1 서브픽셀 메모리 셀을 프로그래밍하는 단계는, 상기 픽셀 드라이버 칩으로부터 열 데이터 신호 및 행 스캔 신호를 상기 제1 서브픽셀 메모리 셀 내의 스위치로 전송하는 단계를 포함하는, 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제1 로컬 방출 데이터로 상기 제1 서브픽셀 메모리 셀을 프로그래밍하는 단계는, 상기 픽셀 드라이버 칩으로 서브픽셀 메모리 셀들의 제1 행을 프로그래밍하는 동안 수행되고, 상기 서브픽셀 메모리 셀들의 제1 행은 대응하는 로컬 서브픽셀 회로들의 제1 행 내에 있는, 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 메모리 셀들의 제1 행을 프로그래밍한 후에 상기 픽셀 드라이버 칩으로 서브픽셀 메모리 셀들의 제2 행을 프로그래밍하는 단계를 더 포함하고, 상기 메모리 셀들의 제2 행은 대응하는 로컬 서브픽셀 회로들의 제2 행 내에 위치되는, 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 글로벌 데이터 신호는 디지털 신호인, 방법.
  21. 제19항에 있어서, 로컬 서브픽셀 회로들의 제2 행의 제2 행 내의 제2 로컬 서브픽셀 회로 내의 제2 LED로부터 광을 방출하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 LED 및 상기 제1 서브픽셀 메모리 셀에 연결된 구동 트랜지스터는, 상기 제2 LED로부터 광을 방출할 때 온(on)되고, 상기 제1 LED는 상기 제2 LED가 방출하고 있는 동안 방출하고 있지 않는, 방법.
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