KR20210118289A - 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 및 전자 장치 - Google Patents

전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 및 전자 장치 Download PDF

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KR20210118289A
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김요한
박종진
이병덕
정윤아
조윤형
주영철
주용찬
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Abstract

전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 및 전자 장치가 개시된다.

Description

전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 및 전자 장치{ENCAPSULATING OR FILLING COMPOSITION FOR ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}
전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 및 전자 장치에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting device) 또는 양자점 발광 소자(quantum dot light emitting device) 등은 자발광형 전자 소자로서, 종래의 소자에 비하여 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다.
이러한 전자 소자를 포함한 전자 장치는 다양한 환경에서 사용될 수 있어, 수분 침투에 의해 전자 소자가 손상될 수 있어, 전자 장치 내의 전자 소자를 보호할 수 있는 밀봉 구조가 필요하다.
수분 제거 성능이 향상된 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 및 전자 장치를 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면, 에폭시기를 함유한 제1경화성 재료; 중합 개시제; 및 금속 촉매;를 포함한, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물(encapsulating or filling composition for electronic device)이 제공된다.
다른 측면에 따르면, 제1기판; 상기 제1기판 상에 배치된 전자 소자; 및 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함한, 전자 장치가 제공된다.
일 구현예에 따른 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물은 전자 장치 내에서의 화학 반응을 통해 수분(H2O)을 제거하므로 아웃개싱(outgasing) 및 스웰링(swelling) 현상에 의한 밀봉(encapsulating) 부재 또는 충전(filling) 부재 자체의 열화를 방지하여 내구성이 향상될 수 있고, 또한 외부의 수분이 전자 소자로 침투하는 것을 방지함으로써 전자 소자의 열화를 방지하고, 이에 따라 전자 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 일 구현예에 따른 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물은 수분 제거 성능이 우수하여, 전자 장치의 밀봉 부재 또는 충전 부재의 구조 및 제조 공정의 단순화가 가능하다.
도 1 내지 도 3은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 조성물과 비교 조성물에 대해 수분 흡수 경향성 평가한 결과를 나타낸 것이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서 제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하의 실시예에서 x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
[전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물]
일 구현예에 따른 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물은,
에폭시기를 함유한 제1경화성 재료;
중합 개시제; 및
금속 촉매;를 포함한다.
상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물은 상기 제1경화성 재료가 에폭시기를 포함하고, 상기 금속 촉매가 상기 에폭시기와 수분(H2O) 간의 반응을 촉매하여 화학적 반응을 통해 수분을 제거할 수 있다. 따라서, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물을 전자 장치의 밀봉 부재에 적용할 경우에 아웃개싱 또는 스웰링 현상에 의한 밀봉 부재의 열화를 방지하여 내구성이 향상될 수 있고, 밀봉 부재의 수분 제거 성능이 향상되어 밀봉 부재의 구조 및 제조 공정의 단순화가 가능하다.
일 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 에폭시기 및 (메트)아크릴레이트기를 함유한 단량체일 수 있다.
일 구현예를 따르면 상기 제1경화성 재료가 하기 화학식 1로 표시된 에폭시 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 1>
Figure pat00001
상기 화학식 1 중,
R1은 수소 또는 메틸기이고,
L1은 -O-, -S-, S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -N(R4)-, -C(R4)(R5)-, -Si(R4)(R5)- 또는 C1-C20 알킬렌 그룹(alkylene group)이고,
R2 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 및 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기 중에서 선택되고,
a1은 1 내지 5 중에서 선택된 정수이다.
일 구현예를 따르면, 상기 에폭시 (메트)아크릴레이트 화합물은 하기 화합물 1-1 및 1-2 중에서 선택될 수 있다:
<화합물 1-1>
Figure pat00002
<화합물 1-2>
Figure pat00003
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 100 중량부당, 상기 제1경화성 재료의 함량이 1 중량부 내지 50 중량부, 예를 들어 1 중량부 내지 20 중량부일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 박막 봉지용 조성물은 제2경화성 재료를 더 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 제2경화성 재료가 하기 화학식 2-1로 표시된 디(메트)아크릴레이트 화합물 및 하기 화학식 2-2로 표시된 방향족 (메트)아크릴레이트 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:
<화학식 2-1>
Figure pat00004
<화학식 2-2>
Figure pat00005
상기 화학식 2-1 및 2-2 중,
L11 및 L21은 서로 독립적으로, -O-, -S-, S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -N(R3)-, -C(R3)(R4)-, -Si(R3)(R4)- 또는 C6-C20 알킬렌 그룹(alkylene group)이고,
a11 및 a21은 서로 독립적으로, 1 내지 10 중에서 선택된 정수이고,
R11, R12 및 R21은 서로 독립적으로, 수소 또는 메틸기이고,
R22는 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C60시클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
다른 구현예를 따르면, 상기 디(메트)아크릴레이트 화합물은 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 디(메트)아크릴레이트 화합물은 하기 화학식 D-1로 표시될 수 있다:
<화학식 D-1>
Figure pat00006
상기 화학식 D-1 중,
R11 및 R12는 서로 독립적으로, 수소 또는 메틸기이고,
n1은 6 내지 12 중에서 선택된 정수이다.
일 구현예를 따르면, 상기 방향족 (메트)아크릴레이트 화합물은 하기 화학식 Ar-1로 표시될 수 있다:
<화학식 Ar-1>
Figure pat00007
상기 화학식 Ar-1 중,
R21는 수소 또는 메틸기이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기 중에서 선택되고,
R22는 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
일 구현예를 따르면, R22는 수소 또는 메틸기일 수 있다.
다른 구현예를 따르면, 상기 방향족 (메트)아크릴레이트계 화합물은 하기 화합물 3-1 내지 3-3 중에서 선택될 수 있다:
<화합물 3-1>
Figure pat00008
<화합물 3-2>
Figure pat00009
<화합물 3-3>
Figure pat00010
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 100 중량부당, 상기 제2경화성 재료의 함량이 40 중량부 내지 99 중량부일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 에폭시기 및 (메트)아크릴레이트를 함유한 단량체이고, 상기 중합 개시제가 광 개시제일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 에폭시기 및 (메트)아크릴레이트기를 함유한 단량체이고, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 점도는 1 cPs 내지 10,000 cPs일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 에폭시기 및 (메트)아크릴레이트기를 함유한 단량체이고, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 표면 장력이 20 mN/m 내지 50 mN/m일 수 있다.
상기 광 개시제는 당업계에 알려져 있는 것을 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 광 개시제로서 360 내지 400 nm의 파장에서 경화가 가능한 것을 사용할 수 있다.
상기 광 개시제는 예를 들어, 옥심계 화합물, 아세토페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조페논계 화합물, 포스핀옥사이드계 화합물 또는 이의 임의의 조합일 수 있고, 다만 이에 한정되지 않는다.
상기 옥심계 화합물은 1,2-옥탄디온， 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온-2-옥심-0-벤조에이트， 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온-2-옥심-0-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-0-아세테이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온-2-옥심-0-아세테이트, 2-(0-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(0-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, 0-에특시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 아세토페논계 화합물은 4-페녹시 디클로로아세토페논, 4-t-부틸 디클로로아세토페논, 4-t-부틸 트리클로로아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸-프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)-페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시 시클로헥실 페닐 케톤 및 2-메틸-1- [4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물은 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2- 메틸티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤 및 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물은 벤조페논, 벤조일 벤조산, 벤조일 벤조산 메틸 에스테르, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸 디페닐 설파이드 및 3,3'-디메틸-4-메톡시 벤조페논, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 포스핀옥사이드계 화합물은 (2,4,6-트리메틸벤조일) 디페닐포스핀옥사이드, 페닐비스(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 100 중량부당, 상기 광 개시제의 함량은 0.01 중량부 내지 10 중량부, 예를 들어 1 중량부 내지 5 중량부일 수 있다.
다른 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 에폭시기를 포함한 올리고머(oligomer)일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 비스페놀 A 글리시딜 에테르 수지, 비스페놀 F 글리시딜 에테르 수지, 노볼락 에폭시 수지, 지방족(aliphatic) 글리시딜 에테르, 지환식(cycloaliphatic) 에폭시 수지 및 브롬화(brominated) 에폭시 수지 중에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1경화성 재료가 하기 화합물 10-1 내지 10-8 중 어느 하나로 표시되는 올리고머일 수 있다:
<화합물 10-1> <화합물 10-2>
Figure pat00011
Figure pat00012
<화합물 10-3>
Figure pat00013
(n은 정수)
<화학식 10-4>
Figure pat00014
<화학식 10-5>
Figure pat00015
<화학식 10-6>
Figure pat00016
<화합물 10-7> <화합물 10-8>
Figure pat00017
Figure pat00018
.
일 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 에폭시기를 포함한 올리고머(oligomer)이고, 상기 중합 개시제는 열 개시제일 수 있다.
상기 열 개시제는, 예를 들어, 과황산염계 개시제, 아조(azo)계 개시제, 과산화수소, 아스코르빈산 또는 이의 임의의 조합일 수 있고, 다만 이에 한정되지 않는다.
상기 과황산염계 개시제는 과황산나트륨 (Sodium persulfate; Na2S208), 과황산칼륨 (Potassium persulfate; K2S208), 과황산암모늄 (Ammonium persulfate; (NH4)2S2O8) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 아조계 개시제는 2,2-아조비스-(2-아미디노프로판)이염산염(2,2-azobis(2-amidinopropane) dihydrochloride), 2,2-아조비스-(N,N-디메틸렌)이소부티라마이딘 디하이드로클로라이드(2,20-azobis N-dimethylene isobutyramidine dihydrochloride), 2-(카바모일아조)이소부티로니트릴(2-(carbamoylazo)isobutylonitril), 2,2-아조비스 [2-(2-이미다졸린-2-일)프로판] 디하이드로클로라이드 (2,2-azobis[2-(2- imidazolin-2-yl)propane] dihydrochloride), 4,4-아조비스-(4-시아노발레릭산) (4,4-azobis-(4-cyanovaleric acid)) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 100 중량부당, 상기 열 개시제의 함량은 0.001 중량부 내지 10 중량부, 예를 들어 0.1 중량부 내지 5 중량부일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물이 열 안정제, 경화제 및 광산 발생제 중 적어도 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물이 열 안정제를 더 포함하고, 상기 열 안정제는 유기주석계 열 안정제, Ca-Zn계 열 안정제, 하이드로탈사이트계 열 안정제, 인(P)계 열 안정제/산화 방지제 등일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 에폭시기를 포함한 올리고머(oligomer)이고, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 점도는 1 cPs 내지 10000 cPs, 예를 들어 10 cPs 내지 5000 cPs일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 제1경화성 재료가 에폭시기를 포함한 올리고머(oligomer)이고, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 표면 장력이 10 mN/m 내지 100 mN/m, 예를 들어 30 mN/m 내지 50 mN/m일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 금속 촉매는 하기 화학식 3으로 표시된 금속-살렌(metal-salen) 착체일 수 있다.
<화학식 3>
Figure pat00019
상기 화학식 3 중,
M1은 금속 원자이고,
A1 및 A2는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹 또는 나프탈렌 그룹이고,
R31 내지 R34는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C60시클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
R31 내지 R34가 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
b31 및 b32는 서로 독립적으로, 0 내지 6의 정수이고,
LQ1은 1가의 유기 리간드 또는 1가의 무기 리간드이고,
m1은 0 내지 2일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 M1은 망간(Mn) 또는 코발트(Co)일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 R31 내지 R34는 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기 및 비페닐기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기 및 비페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기, 페닐기 및 비페닐기 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예를 따르면, R33 및 R34가 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.
상기 금속 촉매는 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 중 제1경화성 재료에 포함된 에폭시기가 물(H2O)과 수화(hydration) 반응하는 것을 촉매하여, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 흡습성을 향상시킬 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 금속 촉매는 하기 화합물 M-1 내지 M-4 중에서 선택될 수 있다.
<화합물 M-1>
Figure pat00020
<화합물 M-2>
Figure pat00021
<화합물 M-3>
Figure pat00022
<화합물 M-4>
Figure pat00023
상기 화합물 M-1 내지 M-4 중, t-Bu는 t-부틸기이다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 100 중량부당 상기 금속 촉매의 함량이 0.1 중량부 내지 10 중량부, 예를 들어 1 중량부 내지 5 중량부일 수 있다. 상기 금속 촉매의 함량이 전술한 범위를 만족할 때, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물을 적용한 전자 장치의 밀봉 부재 또는 충전 부재에서의 수분 제거 성능이 높고, 이에 따라 밀봉 부재 또는 충전 부재의 내구성이 향상될 수 있다.
[전자 장치]
일 측면에 따르면, 제1기판; 상기 제1기판 상에 배치된 전자 소자; 및 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함한, 전자 장치가 제공된다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 장치는 상기 전자 소자를 밀봉하는 밀봉 부재를 더 포함할 수 있다. 일 구현예를 따르면, 상기 밀봉 부재가 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물을 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 밀봉 부재가 유기막(organic film)을 포함한 박막 봉지부(thin film encapsulation unit)을 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 박막 봉지부가 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기막이 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 전자 장치는 제1기판; 상기 제1기판 상의 픽셀 결정 영역 내부에 포함된 전자 소자; 및 상기 전자 소자를 밀봉하는, 유기막을 포함한 박막 봉지부를 포함하고, 상기 유기막이 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함한, 전자 장치일 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 밀봉 부재에 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물이 포함된 전자 장치를 예로 들어 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(10)는 제1기판(100), 유기 발광 소자(200) 및 밀봉 부재(300)를 포함한다.
일 구현예를 따르면, 상기 밀봉 부재가 유기막을 포함한 박막 봉지부를 포함하고, 상기 유기막에 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물이 포함될 수 있다.
제1기판(100)은 통상적으로 전자 장치에 사용되는 기판을 사용할 수 있고, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 무기물 기판 또는 유기물 기판을 사용할 수 있다.
예를 들어, 상기 기판은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질의 무기물 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예를 들면, 상기 기판은 절연성을 갖는 유기물 기판일 수 있다. 상기 절연성을 갖는 유기물은, 예를 들면, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC) 및 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 중에서 선택될수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1기판(100) 상에는 전자 소자(200)가 배치된다. 상기 전자 소자(200)는 제1전극, 발광층을 포함한 중간층 및 제2전극을 포함할 수 있다. 상기 전자 소자에 관한 설명은 후술하는 바를 참조한다.
상기 전자 소자(200) 상에는 유기막을 포함한 밀봉 부재(300)가 배치된다.
일 구현예를 따르면, 상기 밀봉 부재가 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함할 수 있다. 이 경우에, 아웃개싱 또는 스웰링 현상에 의한 밀봉 부재의 열화를 방지하여 내구성이 향상될 수 있고, 밀봉 부재의 수분 제거 성능이 향상되어 밀봉 부재의 구조 및 제조 공정의 단순화가 가능하다.
일 구현예를 따르면, 상기 밀봉 부재(300)는, 유기막을 포함한 박막 봉지부를 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 유기막이 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 매트릭스 수지를 더 포함하고, 상기 매트릭스 수지 중에 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물이 분산되어 있을 수 있다. 이때, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물이 상기 매트릭스 수지 중에 단순히 분산되어 있을 수도 있다. 또는 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물이 상기 매트릭스 수지와 가교 결합(cross-linked)되어 있을 수도 있다.
예를 들어, 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 중 제1경화성 재료가 상기 에폭시기를 포함한 (메트)아크릴레이트 단량체이고, 상기 에폭시기를 포함한 (메트)아크릴레이트 단량체가 중합성 작용기를 포함하므로 상기 매트릭스 수지와 가교 결합될 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 박막 봉지부 중 유기막이 광 개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광 개시제에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 내용을 참조할 수 있다.
상기 유기막은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI), ODF(one drop filling), 디스펜스법(Dispensing) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 형성될 수 있다. 상기 유기막의 개수 및 두께는 생산성이나 소자 특성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 금속, 금속 할로겐화물, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 산화질화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 및 실리콘 산화질화물을 더 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 박막 봉지부는 무기막을 더 포함하고, 상기 무기막이 금속, 금속 할로겐화물, 금속 질화물, 금속 산화물, 금속 산화질화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 및 실리콘 산화질화물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 박막 봉지부 중 무기막이 MgF2, LiF, AlF3, NaF, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화질화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 주석 산화물, 주석 질화물 및 마그네슘 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 무기막은 화학기상증착법(CVD), 플라즈마화학기상증착법(PECVD), 스퍼터링(sputtering), 원자층증착법(ALD), 열증착법(thermal evaporation) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 형성될 수 있다. 상기 무기막의 개수 및 두께는 생산성이나 소자 특성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막 및 제1무기막을 포함하고, 상기 제1무기막이 상기 전자 소자(200) 및 상기 제1유기막 사이에 개재되어 있을 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1유기막 및 상기 제2무기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다. 여기서, 차례대로 적층되어 있다고 하는 것은 다른 막이 상기 전자 소자(200) 및 상기 제1유기막 사이, 및/또는 상기 제1유기막 및 상기 제1무기막 사이에 개재되는 것을 배제하는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막 및 제1무기막을 포함하고, 상기 제1유기막이 상기 전자 소자(200) 및 상기 제1무기막 사이에 개재되어 있을 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1유기막 및 상기 제2무기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다. 여기서, 차례대로 적층되어 있다고 하는 것은 다른 막이 상기 전자 소자(200) 및 상기 제1유기막 사이, 및/또는 상기 제1유기막 및 상기 제1무기막 사이에 개재되는 것을 배제하는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막, 제1무기막 및 제2무기막을 포함하며, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1무기막, 상기 제1유기막 및 상기 제2무기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막, 제2유기막 및 제1무기막을 포함하며, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1유기막, 상기 제1무기막 및 상기 제2유기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막, 제2유기막, 제1무기막 및 제2무기막을 포함하며, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1무기막, 상기 제1유기막, 상기 제2무기막 및 상기 제2유기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막, 제2유기막, 제1무기막 및 제2무기막을 포함하며, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1유기막, 상기 제1무기막, 상기 제2유기막 및 상기 제2무기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막, 제2유기막, 제1무기막 및 제2무기막을 포함하며, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1무기막, 상기 제2무기막, 상기 제1유기막 및 상기 제2유기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막, 제2유기막, 제1무기막 및 제2무기막을 포함하며, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1유기막, 상기 제2유기막, 상기 제1무기막 및 상기 제2무기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막, 제2유기막, 제1무기막, 제2무기막 및 제3무기막을 포함하며, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1무기막, 제1유기막, 제2무기막, 제2유기막 및 제3무기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 봉지부는 제1유기막, 제2유기막, 제3유기막, 제1무기막 및 제2무기막을 포함하며, 상기 전자 소자(200)로부터 상기 제1유기막, 제1무기막, 제2유기막, 제2무기막 및 제3유기막이 차례대로 적층되어 있을 수 있다.
다만, 상기 박막 봉지부의 적층 구조는 이에 한정되는 것은 아니며, 유기막 및 무기막의 개수는 물론이고, 무기막 및 유기막의 적층 순서 또한 설계에 따라 적절하게 변형될 수 있다.
상기 제1유기막, 제2유기막 및 제3유기막에 관한 설명은 각각 전술한 유기막에 관한 설명을 참조할 수 있고, 상기 제1 무기막, 제2무기막 및 제3무기막에 관한 설명은 각각 전술한 무기막에 관한 설명을 참조할 수 있다.
상기 전자 장치(10)는 복수 개의 전자 소자(200)를 포함할 수 있다. 따라서, 일 구현예에 따르면 제1기판(100), 상기 제1기판 상의 복수 개의 전자 소자(200)를 포함한 발광부, 및 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 장치는 상기 발광부 상에 배치되고 상기 발광부를 밀봉하는 밀봉 부재(300)을 포함할 수 있고, 상기 밀봉 부재가 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
또한, 일 구현예를 따르면, 상기 밀봉 부재(300)가 유기막을 포함한 박막 봉지부를 포함하고, 상기 유기막이 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 측면에 따르면, 제1기판 상에 전자 소자를 형성하는 단계; 및 제1기판 상의 전자 소자를 밀봉하는 밀봉 부재를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 밀봉 부재 형성 단계는 상기 전자 소자를 덮도록 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물을 제공 및 경화시키는 단계를 포함한, 전자 장치의 제조 방법이 제공된다.
상기 제1기판, 전자 소자, 밀봉 부재, 유기막, 박막 봉지부, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물에 관한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
상기 제조 방법에 따라 전자 장치를 제조할 경우에, 상기 박막 봉지부의 아웃개싱 또는 스웰링 현상에 의한 밀봉 부재의 열화를 방지하여 내구성이 향상될 수 있고, 밀봉 부재의 수분 제거 성능이 향상되어 밀봉 부재의 구조 및 제조 공정의 단순화가 가능하다.
또 하나의 구현예를 따르면, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(10)는 제1기판(100), 전자 소자(200), 상기 전자 소자를 밀봉하는 밀봉 부재(300), 상기 밀봉 부재 상에 배치된 제2기판(500)을 포함하고, 상기 밀봉 부재와 상기 제2기판 사이에 배치된 충전 부재(400)를 더 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 충전 부재(400)에 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물이 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(10)는 실링 부재(600)를 더 포함할 수 있다. 상기 실링 부재(600)는 상기 제1기판(100) 및 상기 제2기판(500)을 합착하여 고정시키고, 외부 환경으로부터 전자 장치(10)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 도 2에서와 같이 실링 부재(600)가 제1기판(100) 및 제2기판(500)에 직접 접하도록 배치될 수 있다. 다른 예를 들어, 도 3에서와 같이, 실링 부재(600)가 제1기판(100) 및 전자 소자(200)를 덮는 밀봉 부재(300)와 제2기판(500)에 접하도록 배치될 수 있다.
상기 실링 부재(600)는 실란트를 포함할 수 있고, 상기 실란트는 열 경화성 또는 광 경화성 수지를 함유할 수 있다.
예를 들어, 상기 실란트는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 방향족 에폭시 수지, 수소화 비스페놀형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 또는 이들의 임의의 조합을 포함한 에폭시 수지를 함유할 수 있다.
또한, 상기 실란트는 열 경화제나 광 개시제, 커플링제, 경화 촉진제, 무기 충진제, 산화 방지제, 스페이서 등의 구성을 더 포함할 수도 있다.
종래의 전자 장치에서, 충전 부재는 단순히 제1기판과 제2기판 사이의 접착력을 부여하기 위한 구성으로 사용되어 왔다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전자 장치는 상기 충전 부재에 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물이 포함됨으로써, 제1기판과 제2기판 사이에 접착력을 부여할 뿐만 아니라, 아웃개싱 또는 스웰링 현상에 의한 충전 부재의 열화를 방지하여 내구성이 향상될 수 있고, 충전 부재의 수분 제거 성능이 향상되어 구조 및 제조 공정의 단순화가 가능하다.
일 구현예에 따르면, 상기 충전 부재에 포함된 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물은, 상기 제1경화성 재료가 상기 에폭시기를 포함한 올리고머인 것일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 충전 부재에 포함된 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물은, 상기 중합 개시제가 열 개시제이고, 열 안정제, 경화제 및 광산 발생제 중 적어도 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 충전 부재에 포함된 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물은, 60℃ 내지 120℃, 예를 들어 80℃ 내지 100℃의 온도에서, 15분 내지 75분, 예를 들어 30분 내지 60분 동안 경화된 것일 수 있다.
상기 제2기판에 대한 설명은 전술한 제1기판에 대한 설명을 참조할 수 있고, 상기 제1기판과 상기 제2기판은 목적에 따라 서로 동일한 것을 사용할 수도 있고, 서로 상이한 것을 사용할 수도 있다.
본 발명의 또 하나의 측면에 따르면, 제1기판 상에 전자 소자를 형성하는 단계; 제1기판 상의 전자 소자를 밀봉하는, 박막 봉지부를 포함한 밀봉 부재를 형성하는 단계; 제2기판 상에 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물을 제공하는 단계; 및 상기 제1기판 및 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물이 제공된 제2기판을 합착하여 충전 부재를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 충전 부재를를 형성하는 단계는 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물을 경화시키는 단계를 포함한, 전자 장치의 제조 방법이 제공된다.
상기 제1기판, 전자 소자, 밀봉 부재, 유기막, 박막 봉지부, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물에 관한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 상기 제조 방법에 따라 전자 장치를 제조할 경우에, 상기 충전 부재의 아웃개싱 또는 스웰링 현상에 의한 열화를 방지하여 내구성이 향상될 수 있고, 충전 부재의 수분 제거 성능이 향상되어 밀봉 부재의 구조 및 제조 공정의 단순화가 가능하다.
상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물은 상기 제2기판 상에 잉크젯 프린팅법, 제트 디스펜싱법(jet dispensing), 원 드롭 필링법(one drop filling: ODF), 디스펜싱법(dispensing), 스크린 프린팅법(screen printing), 그라비어 프린팅법(gravure printing) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 제공될 수 있다. 또한, 상기 충전 부재의 두께는 생산성이나 소자 특성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
상기 전자 장치는 퍼스널 컴퓨터(예를 들면, 모바일형 퍼스널 컴퓨터), 휴대 전화, 디지털 사진기, 전자 수첩, 전자 사전, 전자 게임기, 의료 기기(예를 들면, 전자 체온계, 혈압계, 혈당계, 맥박 계측 장치, 맥파 계측 장치, 심전표시 장치, 초음파 진단 장치, 내시경용 표시 장치), 어군 탐지기, 각종 측정 기기, 계기류(예를 들면, 차량, 항공기, 선박의 계기류), 프로젝터 등에 사용되는 표시 장치로 응용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 전자 장치는 상기 전자 소자 외에, 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 박막 트랜지스터는 소스 전극, 활성층 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 전자 소자의 제1전극과 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 전기적으로 접촉될 수 있다.
[전자 소자]
일 구현예를 따르면, 상기 전자 장치에 포함된 전자 소자는 발광 소자일 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 소자는 유기 발광 소자 및 양자점 발광 소자 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
(유기 발광 소자)
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자가 제1전극; 상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된, 발광층을 포함한 중간층을 포함한 발광 소자일 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 소자가 유기 발광 소자이고, 상기 유기 발광 소자의 중간층이 상기 발광층을 포함한 발광 유닛을 1개 이상 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 유기 발광 소자는 발광 유닛을 1개만 포함할 수 있다.
다른 구현예를 따르면, 상기 유기 발광 소자는 발광 유닛을 2개 이상 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 유기 발광 소자는 m개(m은 2 이상의 정수)의 발광 유닛을 포함할 수 있고, 상기 m개의 발광 유닛 중 서로 인접한 2개의 발광 유닛들 사이에 배치된 m-1개의 전하 생성층(charge generation layer);을 포함할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 m개의 발광 유닛들 중 적어도 하나의 발광 유닛에서 방출되는 최대 발광 파장은 나머지 발광 유닛들 중 적어도 하나의 발광 유닛에서 방출되는 광의 최대 발광 파장과 상이할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 m개의 발광 유닛들은 모두 청색광, 예를 들어 최대 발광 파장이 410nm 이상 490nm 이하인 청색광을 방출할 수 있다.
(양자점 발광 소자)
또 하나의 구현예를 따르면, 상기 전자 소자가 양자점 발광 소자이고, 상기 양자점 발광 소자가 제1전극; 상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된, 발광층을 포함한 중간층을 포함하고,
상기 발광층이 양자점을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자 또는 양자점 발광 소자의 각 구성에 대한 설명은 후술하는 바를 참조할 수 있다.
일 구현예를 따르면, 상기 전자 장치(10)는 상기 충전 부재(400) 및 상기 제2기판(500) 사이에 배치된 색변환층(미도시)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 전자 장치에 포함된 전자 소자(200)는 발광 소자일 수 있다.
상기 색변환층은 상기 발광 소자로부터 방출되는 광의 적어도 하나의 진행 방향 상에 위치함으로써, 상기 발광 소자로부터 방출되는 광이 상기 색변환층을 통과하여 다양한 파장의 광을 방출하도록 설계될 수 있다.
상기 전자 장치는 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함하여 밀봉 부재의 수분 제거 성능이 향상될 수 있으므로, 종래의 장치에 비해 밀봉 부재 또는 충전 부재의 두께를 줄일 수 있고, 이에 따라 상기 색변환층을 포함한 전자 장치의 색재현율 및 광 효율이 향상될 수 있다.
[제1전극]
상기 제1전극은, 예를 들면, 제1기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록, 제1전극용 물질은, 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다.
상기 제1전극은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 투과형 전극인 제1전극을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 제1전극을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극 상부에는 발광층을 포함한 중간층이 배치될 수 있다.
[중간층]
상기 중간층은 상기 유기 발광 소자 및 양자점 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 모든 층을 가리키는 용어이다.
상기 중간층은, 상기 제1전극 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역(hole transport region) 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 영역(electron transport region)을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 소자가 유기 발광 소자인 경우에, 상기 중간층은 유기층일 수 있다. 다만, 본 명세서에서 "유기층"의 층에 포함된 물질이 유기물로 한정되는 것은 아니다.
[중간층 중 발광층]
상기 발광 소자가 풀 컬러 발광 소자일 경우, 발광층은, 개별 부화소별로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 중에서 선택된 2 이상의 층이 접촉 또는 이격되어 적층된 구조를 갖거나, 적색광 방출 물질, 녹색광 방출 물질 및 청색광 방출 물질 중에서 선택된 2 이상의 물질이 층구분없이 혼합된 구조를 가져, 백색광을 방출할 수 있다.
또는 상기 발광 소자는 청색광, 예를 들어 최대 발광 파장이 410nm 이상 490nm 이하인 방출할 수 있다. 이 경우에, 상기 전자 장치가 상기 발광 소자로부터 방출된 청색광이 색변환층을 통과하여 다양한 파장의 광을 방출하도록 설계될 수 있다.
상기 유기 발광 소자의 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광층 중 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부에 대하여, 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
[발광층 중 호스트]
상기 호스트는 하기 화학식 301로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 301>
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21
상기 화학식 301 중,
Ar301은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
xb11은 1, 2 또는 3이고,
L301은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xb1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
R301은, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q301)(Q302)(Q303), -N(Q301)(Q302), -B(Q301)(Q302), -C(=O)(Q301), -S(=O)2(Q301) 및 -P(=O)(Q301)(Q302) 중에서 선택되고,
xb21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
Q301 내지 Q303는 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 301 중 Ar301은,
나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹;
중에서 선택되고,
Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 301 중 xb11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar301은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 301로 표시되는 화합물은 하기 화학식 301-1 또는 301-2로 표시될 수 있다:
<화학식 301-1>
Figure pat00024
<화학식 301-2>
Figure pat00025
상기 화학식 301-1 내지 301-2 중
A301 내지 A304는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 피리딘, 피리미딘, 인덴, 플루오렌, 스파이로-비플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 인돌, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 퓨란, 벤조퓨란, 디벤조퓨란, 나프토퓨란, 벤조나프토퓨란, 디나프토퓨란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 나프토티오펜, 벤조나프토티오펜 및 디나프토티오펜 중에서 선택되고,
X301은 O, S 또는 N-[(L304)xb4-R304]이고,
R311 내지 R314는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기 -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택되고,
xb22 및 xb23은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2이고,
L301, xb1, R301 및 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
L302 내지 L304에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 L301에 대한 설명을 참조하고,
Xb2 내지 xb4에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 xb1에 대한 설명을 참조하고,
R302 내지 R304에 대한 설명은 서로 독립적으로, 상기 R301에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 301, 301-1 및 301-2 중 L301 내지 L304는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 301, 301-1 및 301-2 중 R301 내지 R304는 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 아자카바졸일기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조할 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 호스트는 알칼리토 금속 착체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 호스트는 Be 착체 (예를 들면, 하기 화합물 H55), Mg 착체 및 Zn 착체 중에서 선택될 수 있다.
상기 호스트는 ADN (9,10-Di(2-naphthyl)anthracene), MADN (2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), TBADN (9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene), CBP (4,4-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), mCP (1,3-di-9-carbazolylbenzene), TCP (1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene) 및 하기 화합물 H1 내지 H55 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
[발광층에 포함된 인광 도펀트]
상기 인광 도펀트는 하기 화학식 401로 표시되는 유기금속 착체를 포함할 수 있다:
<화학식 401>
M(L401)xc1(L402)xc2
<화학식 402>
Figure pat00033
상기 화학식 401 및 402 중,
M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb), 로듐(Rh) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택되고,
L401은 상기 화학식 402로 표시되는 리간드 중에서 선택되고, xc1은 1, 2 또는 3이고, xc1이 2 이상일 경우 2 이상의 L401은 서로 동일하거나 상이하고,
L402는 유기 리간드이고, xc2는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고, xc2가 2 이상일 경우 2 이상의 L402는 서로 동일하거나 상이하고,
X401 내지 X404는 서로 독립적으로, 질소 또는 탄소이고,
X401과 X403은 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되고, X402와 X404는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되고,
A401 및 A402는 서로 독립적으로, C5-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
X405는 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q411)-*', *-C(Q411)(Q412)-*', *-C(Q411)=C(Q412)-*', *-C(Q411)=*' 또는 *=C(Q411)=*'이고, 상기 Q411 및 Q412는, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고,
X406은 단일 결합, O 또는 S이고,
R401 및 R402는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q401)(Q402)(Q403), -N(Q401)(Q402), -B(Q401)(Q402), -C(=O)(Q401), -S(=O)2(Q401) 및 -P(=O)(Q401)(Q402) 중에서 선택되고, 상기 Q401 내지 Q403은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, C6-C20아릴기 및 C1-C20헤테로아릴기 중에서 선택되고,
xc11 및 xc12는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
상기 화학식 402 중 * 및 *'은 상기 화학식 401 중 M과의 결합 사이트이다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 A401 및 A402는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-바이플루오렌 그룹, 인덴 그룹, 피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란(furan) 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸(isoxazole) 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 카바졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조퓨란(benzofuran) 그룹, 벤조티오펜 그룹, 이소벤조티오펜 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 디벤조퓨란(dibenzofuran) 그룹 및 디벤조티오펜 그룹 중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 i) X401은 질소이고, X402는 탄소이거나, 또는 ii) X401과 X402가 모두 질소일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 402 중 R401 및 R402는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 페닐기, 나프틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기 및 노르보네닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만타닐기, 노르보나닐기, 노르보네닐기 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-Si(Q401)(Q402)(Q403), -N(Q401)(Q402), -B(Q401)(Q402), -C(=O)(Q401), -S(=O)2(Q401) 및 -P(=O)(Q401)(Q402);
중에서 선택되고,
상기 Q401 내지 Q403은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 401 중 xc1이 2 이상일 경우, 2 이상의 L401 중 2개의 A401은 선택적으로(optionally), 연결기인 X407을 통하여 서로 연결되거나, 2개의 A402는 선택적으로, 연결기인 X408을 통하여 서로 연결될 수 있다 (하기 화합물 PD1 내지 PD4 및 PD7 참조). 상기 X407 및 X408은 서로 독립적으로, 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-N(Q413)-*', *-C(Q413)(Q414)-*' 또는 *-C(Q413)=C(Q414)-*' (여기서, Q413 및 Q414는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기임)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 401 중 L402는 임의의 1가, 2가 또는 3가의 유기 리간드일 수 있다. 예를 들어, 상기 L402는 할로겐, 디케톤 (예를 들면, 아세틸아세토네이트), 카르복실산(예를 들면, 피콜리네이트), -C(=O), 이소니트릴, -CN 및 포스포러스 (예를 들면, 포스핀(phosphine), 포스파이트(phosphite)) 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또는, 상기 인광 도펀트는 예를 들어, 하기 화합물 PD1 내지 PD25 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00034
Figure pat00035
Figure pat00036
[발광층 중 형광 도펀트]
상기 형광 도펀트는 아릴아민 화합물 또는 스티릴아민 화합물을 포함할 수 있다.
상기 형광 도펀트는 하기 화학식 501로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 501>
Figure pat00037
상기 화학식 501 중,
Ar501은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
L501 내지 L503은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xd1 내지 xd3는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
R501 및 R502는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xd4는 1 내지 6의 정수 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 Ar501은,
나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 및 인데노페난트렌 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹 및 인데노페난트렌 그룹;
중에서 선택될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 L501 내지 L503은 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기;
중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 R501 및 R502는 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33은 C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 501 중 xd4는 2일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물 FD1 내지 FD22 중에서 선택될 수 있다:
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
또는, 상기 형광 도펀트는 하기 화합물들 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00047
Figure pat00048
[양자점]
상기 전자 소자가 양자점 발광 소자인 경우에, 상기 양자점 발광 소자의 발광층은 양자점을 포함할 수 있다.
또는, 상기 전자 장치가 색변환층을 포함하는 경우에, 상기 색변환층이 양자점을 포함할 수 있다.
상기 양자점은 수 내지 수십 나노 미터 크기의 결정 구조를 갖는 입자로서, 수백 내지 수천 개의 원자로 구성된다.
상기 양자점은 크기가 매우 작기 때문에 양자 구속(quantum confinement) 효과가 나타나는 데, 상기 양자 구속 효과는 물체가 나노 미터 크기 이하로 작아지는 경우 그 물체의 밴드 갭(band gap)이 커지는 현상을 말한다. 이에 따라, 상기 양자점의 밴드 갭보다 큰 에너지를 갖는 파장의 광이 상기 양자점에 조사되는 경우, 상기 양자점은 그 광을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 이때, 방출된 광의 파장은 상기 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다.
양자점의 코어는 II-VI족 화합물, III-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소 또는 화합물, I-III-VI족 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. II-VI족 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물; InGaS 3 , InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물; 또는 이의 임의의 조합;을 포함할 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 III-V족 반도체 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다(예를 들어, InZnP 등).
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
상기 I-III-VI족 반도체 화합물 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 등과 같은 삼원소 화합물; 또는 이의 임의의 조합;을 포함할 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
진공 증착법에 의하여 상기 중간층에 포함된 각 층을 형성할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10-8 내지 약 10-3 torr의 진공도 및 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.
스핀 코팅법에 의하여 중간층에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 코팅 조건은, 예를 들면, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도 및 약 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.
[제2전극]
상기 중간층 상부에는 제2전극이 배치되어 있다. 상기 제2전극은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합(combination)을 사용할 수 있다.
상기 제2전극은, 리튬(Li), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 이터븀(Yb), 은-마그네슘(Ag-Mg), 은-이터븀(Ag-Yb), 마그네슘-인듐(Mg-In), ITO 및 IZO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2전극은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
상기 제2전극은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2전극은 Ag-Mg를 포함하는 층 및 Yb를 포함하는 층이 적층된 구조일 수 있다.
[치환기의 일반적인 정의]
본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기, 프로피닐기, 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 1,2,3,4-옥사트리아졸리디닐기(1,2,3,4-oxatriazolidinyl), 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예에는, 4,5-디히드로-1,2,3,4-옥사트리아졸일기, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예에는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함된다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예에는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등이 포함되다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예에는, 플루오레닐기 등이 포함되다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 1 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 구체예에는, 카바졸일기 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C5-C60카보시클릭 그룹이란, 고리-형성 원자로서 탄소만을 포함한 탄소수 5 내지 60의 모노시클릭 또는 폴리시클릭 그룹을 의미한다. 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 방향족 카보시클릭 그룹 또는 비-방향족 카보시클릭 그룹일 수 있다. 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 벤젠과 같은 고리, 페닐기와 같은 1가 그룹 또는 페닐렌기와 같은 2가 그룹일 수 있다. 또는, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹에 연결된 치환기에 개수에 따라, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 3가 그룹 또는 4가 그룹일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로시클릭 그룹이란, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹과 동일한 구조를 갖되, 고리-형성 원자로서, 탄소(탄소수는 1 내지 60일 수 있음) 외에, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함한 그룹을 의미한다.
본 명세서 중, 상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
중에서 선택되고,
상기 Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미하고, "OMe"는 메톡시기를 의미한다.
본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "비페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 "터페닐기"는 "비페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "터페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기로 치환된 C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 *, *' 및 *"은, 다른 정의가 없는 한, 해당 화학식 중 이웃한 원자와의 결합 사이트를 의미한다.
이하에서, 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 하기 합성예 및 실시예 중 "A 대신 B를 사용하였다"란 표현 중 A의 몰당량과 B의 몰당량은 서로 동일하다.
[실시예]
실시예 1
글리시딜 메트아크릴레이트 30중량부, 금속 촉매 5중량부, 바인더로서 1,12-Dodecanediol dimethacrylate 65중량부, 및 개시제로서 (2,4,6-trimethylbenzoyldiphenyl phosphine oxide) 3중량부를 포함하는 조성물을 UV(395nm)로 1분 노광하여 경화함으로써 실시예 1의 흡습 기능성 재료를 제조하였다. 금속 촉매는 하기 Bis(3,5-di-tert-butylsalicylidene)-1,2-cyclohexanediaminocobalt(II)를사용하였다.
<Bis(3,5-di-tert-butylsalicylidene)-1,2-cyclohexanediaminocobalt(II)>
Figure pat00049
비교예 1
상기 금속 촉매를 포함하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 1의 흡습 기능성 재료를 제조하였다.
평가예 1
물이 채워진 원통형의 용기에 상기 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 흡습 기능성 재료를 넣고 밀봉한 후, 시간이 경과함에 따른 무게 증가를 측정하여 흡습 경향성을 분석하고, 그 결과를 도 4의 그래프로 나타내었다.
도 4를 참조하여, 실시예 1의 흡습 기능성 재료는 무게가 약 1.5% 증가하고 비교예 1의 흡습 기능성 재료는 무게가 약 0.17% 증가한 것을 확인하였다.
이로부터 본 발명의 일 구현예에 따른 조성물은 비교예의 조성물과 비교하여 수분을 흡수하여 제거하는 기능이 탁월하고, 이에 따라 전자 소자의 밀봉 부재 또는 충전 부재에 적용시 열화가 방지되어 내구성이 향상되며, 외부의 수분이 전자 소자로 침투하는 것을 방지함으로써 전자 소자의 열화를 방지하고, 이에 따라 전자 장치의 신뢰성이 향상될 수 있음을 알 수 있었다.
10: 전자 장치
100: 제1기판
200: 전자 소자
300: 밀봉 부재
400: 충전 부재
500: 제2기판
600: 실링 부재

Claims (20)

  1. 에폭시기를 함유한 제1경화성 재료;
    중합 개시제; 및
    금속 촉매;를 포함한,
    전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물(encapsulating or filling composition for electronic device).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1경화성 재료가 에폭시기 및 (메트)아크릴레이트기를 함유한 단량체인, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1경화성 재료가 하기 화학식 1로 표시된 에폭시 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함한, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물:
    <화학식 1>
    Figure pat00050

    상기 화학식 1 중,
    R1은 수소 또는 메틸기이고,
    L1은 -O-, -S-, S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -N(R4)-, -C(R4)(R5)-, -Si(R4)(R5)- 또는 C1-C20 알킬렌 그룹(alkylene group)이고,
    R2 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 및 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기 중에서 선택되고,
    a1은 1 내지 5 중에서 선택된 정수이다.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 박막 봉지용 조성물은 제2경화성 재료를 더 포함하고,
    상기 제2경화성 재료가 하기 화학식 2-1로 표시된 디(메트)아크릴레이트 화합물 및 하기 화학식 2-2로 표시된 방향족 (메트)아크릴레이트 화합물 중 적어도 하나를 포함한, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물:
    <화학식 2-1>
    Figure pat00051

    <화학식 2-2>
    Figure pat00052

    상기 화학식 2-1 및 2-2 중,
    L11 및 L21은 서로 독립적으로, -O-, -S-, S(=O)2-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(=O)NH-, -N(R3)-, -C(R3)(R4)-, -Si(R3)(R4)- 또는 C1-C20 알킬렌 그룹(alkylene group)이고,
    a11 및 a21은 서로 독립적으로, 1 내지 5 중에서 선택된 정수이고,
    R11, R12 및 R21은 서로 독립적으로, 수소 또는 메틸기이고,
    R22는 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C60시클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 100 중량부당,
    상기 제1경화성 재료의 함량이 1 중량부 내지 20 중량부이고,
    상기 제2경화성 재료의 함량이 40 중량부 내지 99 중량부인,
    전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 중합 개시제가 광 개시제인, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1경화성 재료가 비스페놀 A 글리시딜 에테르 수지, 비스페놀 F 글리시딜 에테르 수지, 노볼락 에폭시 수지, 지방족(aliphatic) 글리시딜 에테르, 지환식(cycloaliphatic) 에폭시 수지 및 브롬화(brominated) 에폭시 수지 중에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함한, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 중합 개시제가 열 개시제인, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물이 열 안정제, 경화제 및 광산 발생제 중 적어도 1종 이상을 더 포함한, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 금속 촉매는 하기 화학식 3으로 표시된 금속-살렌(metal-salen) 착체인, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물:
    <화학식 3>
    Figure pat00053

    상기 화학식 3 중,
    M1은 금속 원자이고
    A1 및 A2는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹 또는 나프탈렌 그룹이고,
    R31 내지 R34는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C60시클로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
    R31 내지 R34가 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
    b31 및 b32는 서로 독립적으로, 0 내지 6의 정수이고,
    LQ1은 1가의 리간드이고,
    m1은 0 내지 2이다.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물 100 중량부당 상기 금속 촉매의 함량이 0.1 중량부 내지 10 중량부인, 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물.
  12. 제1기판;
    상기 제1기판 상에 배치된 전자 소자;
    제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함한, 전자 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 전자 소자를 밀봉하는 밀봉(encapsulating) 부재를 더 포함한, 전자 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 밀봉 부재가 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함한, 전자 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 밀봉 부재가 유기막(organic film)을 포함한 박막 봉지부(thin film encapsulation unit)을 포함하고,
    상기 유기막이 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함한, 전자 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 밀봉 부재 상에 배치된 제2기판; 및
    상기 밀봉 부재와 상기 제2기판 사이에 배치된 충전(filling) 부재를 포함하고,
    상기 충전 부재가 상기 전자 소자용 밀봉 또는 충전 조성물의 경화물을 포함한, 전자 장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 전자 소자가 제1전극; 상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 배치된, 발광층을 포함한 중간층을 포함한 발광 소자인, 전자 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 발광 소자가 유기 발광 소자이고,
    상기 유기 발광 소자의 중간층이 상기 발광층을 포함한 발광 유닛을 1개 이상 포함한, 전자 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 발광 소자가 양자점 발광 소자이고,
    상기 발광층이 양자점을 포함한, 전자 장치.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 충전 부재 및 상기 제2기판 사이에 배치된 색변환층을 포함하고,
    상기 색변환층이 양자점을 포함한, 전자 장치.
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