KR20200019582A - 피가공물의 가공 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 피가공물의 휨의 발생을 억제하는 것을 목적으로 한다.
자외선 조사 단계에서는, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온으로 한 상태에서, 액상 수지를 경화시켜 수지층(10)을 형성한다. 이면 연삭 단계에서는, 수지층(10)의 온도를 높이고 나서, 웨이퍼(1)를 연삭한다. 본 가공 방법에서는, 수지층(10)에, 직경 방향 내향의 수축력(화살표 C) 이외에, 수지층(10)의 열팽창에 기인하는 직경 방향 외향의 팽창력(화살표 D)이 생겨, 이들이 상쇄된다. 따라서, 웨이퍼(1)가 연삭되어 박화되어도, 수지층(10)에 의해 웨이퍼(1)가 인장되는 것이 억제되기 때문에, 웨이퍼(1)의 휨의 발생을 억제할 수 있다.
자외선 조사 단계에서는, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온으로 한 상태에서, 액상 수지를 경화시켜 수지층(10)을 형성한다. 이면 연삭 단계에서는, 수지층(10)의 온도를 높이고 나서, 웨이퍼(1)를 연삭한다. 본 가공 방법에서는, 수지층(10)에, 직경 방향 내향의 수축력(화살표 C) 이외에, 수지층(10)의 열팽창에 기인하는 직경 방향 외향의 팽창력(화살표 D)이 생겨, 이들이 상쇄된다. 따라서, 웨이퍼(1)가 연삭되어 박화되어도, 수지층(10)에 의해 웨이퍼(1)가 인장되는 것이 억제되기 때문에, 웨이퍼(1)의 휨의 발생을 억제할 수 있다.
Description
본 발명은, 피가공물의 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 피가공물의 표면에, 격자형의 스트리트가 형성된다. 그리고, 스트리트에 의해 구획된 영역에, IC 혹은 LSI 등의 디바이스가 형성된다. 이들 피가공물은, 이면이 연삭되어 정해진 두께로 박화된다. 그 후, 절삭 장치 등에 의해, 피가공물이 스트리트를 따라 분할됨으로써, 개개의 반도체 디바이스 칩이 제조된다.
피가공물을 박화하기 위해, 그 이면을 연삭할 때, 피가공물의 표면에 형성된 디바이스를 보호할 필요가 있다. 이 때문에, 자외선의 조사를 받음으로써 경화되는 액상의 자외선 경화 수지에 의해, 피가공물의 표면을 피복하는 수법이 있다(특허문헌 1 참조).
그러나, 자외선 경화 수지는, 자외선의 조사를 받음으로써 경화될 때에 수축되어 버린다. 그 때문에, 이면 연삭 후, 수축되는 자외선 경화 수지에 의해 피가공물이 인장됨으로써, 피가공물에 휨이 발생하는 경우가 있다. 피가공물의 휨은, 그 후의 공정에서, 반송 불량 및 피가공물의 균열 등의 문제를 초래할 가능성이 있다.
본 발명의 피가공물의 가공 방법(본 가공 방법)은, 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 디바이스가 형성된 피가공물의 이면을, 원하는 두께까지 연삭하는 피가공물의 가공 방법으로서, 상기 디바이스가 형성된 상기 표면측을 노출시키도록, 제1 유지 테이블의 제1 유지면에 의해 상기 피가공물을 흡착 유지하는 유지 단계와, 상기 피가공물의 상기 표면에, 자외선의 조사를 받음으로써 경화되는 액상 수지를 공급하고, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지로 피복하는 수지 피복 단계와, 상기 수지 피복 단계에서 상기 피가공물의 상기 표면을 피복한 상기 수지를, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온의 상태에서 경화시켜 수지층을 형성하는 자외선 조사 단계와, 상기 자외선 조사 단계를 실시한 후, 상기 피가공물의 상기 표면을 제2 유지 테이블의 제2 유지면에 의해 흡착 유지하고, 상기 피가공물의 상기 이면의 연삭을 실시하는 이면 연삭 단계를 구비하여, 상기 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온의 상태에서 상기 수지를 경화시킴으로써, 상기 피가공물의 휨을 저감할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 가공 방법에서는, 상기 수지 피복 단계는, 스핀 코트에 의해, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지에 의해 피복하는 것을 포함하여도 좋다.
본 가공 방법에서는, 자외선 조사 단계에서, 피가공물에 있어서의 표면 상의 액상 수지의 온도를, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온으로 한 상태에서, 액상 수지를 경화시켜 수지층을 형성한다. 그 후의 이면 연삭 단계에서는, 수지층의 온도를 높이고 나서, 피가공물의 이면을 연삭한다.
본 가공 방법에서는, 자외선 조사 단계 후, 수지층에, 직경 방향 내향의 수축력이 생긴다. 이것은, 액상 수지가, 경화될 때에 수축되는 성질을 갖는 것에 기인한다. 또한, 본 가공 방법에서는, 이면 연삭 단계의 개시시까지, 수지층이, 자외선 조사 단계에서의 비교적 낮은 온도로부터, 이면 연삭 단계의 환경 온도로까지 상승된다. 그 결과, 수지층에, 직경 방향 외향의 팽창력이 생긴다. 이 팽창력은, 액상 수지가, 경화 후의 온도 상승에 따라 열팽창하는 성질도 갖는 것에 기인한다.
이 때문에, 본 가공 방법에서는, 수지층에 있어서, 수축력과 팽창력이 상쇄된다. 따라서, 이후의 이면 연삭 단계에서 피가공물의 이면이 깎여, 피가공물이 박화되어도, 수지층에 의해 피가공물이 인장되는 것이 억제되기 때문에, 피가공물의 휨의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 본 가공 방법의 상기 수지 피복 단계는, 스핀 코트에 의해, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지에 의해 피복하는 것을 포함하여도 좋다. 이것에 의해, 액상 수지에 의한 피복을 용이하게 실시할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 피가공물의 일례인 웨이퍼를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼의 단면도이다.
도 3은 유지 단계 및 수지 피복 단계에서 이용되는 피복 장치를 나타낸 설명도이다.
도 4는 수지 피복 단계의 실시양태를 나타낸 사시도이다.
도 5는 수지층을 구비한 웨이퍼를 나타낸 단면도이다.
도 6은 이면 연삭 단계에서의 연삭 장치 및 웨이퍼의 단면도이다.
도 7은 웨이퍼 상의 수지층에 생기는 수축력을 나타낸 설명도이다.
도 8은 수지층에 의해 인장되어 휨이 생긴 웨이퍼를 나타낸 설명도이다.
도 9는 웨이퍼 상의 수지층에 생기는 수축력 및 팽창력을 나타낸 설명도이다.
도 10은 도 9에 도시된 웨이퍼의 이면 연삭 후의 상태를 나타낸 설명도이다.
도 11은 웨이퍼에 생기는 휨량을 나타낸 설명도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼의 단면도이다.
도 3은 유지 단계 및 수지 피복 단계에서 이용되는 피복 장치를 나타낸 설명도이다.
도 4는 수지 피복 단계의 실시양태를 나타낸 사시도이다.
도 5는 수지층을 구비한 웨이퍼를 나타낸 단면도이다.
도 6은 이면 연삭 단계에서의 연삭 장치 및 웨이퍼의 단면도이다.
도 7은 웨이퍼 상의 수지층에 생기는 수축력을 나타낸 설명도이다.
도 8은 수지층에 의해 인장되어 휨이 생긴 웨이퍼를 나타낸 설명도이다.
도 9는 웨이퍼 상의 수지층에 생기는 수축력 및 팽창력을 나타낸 설명도이다.
도 10은 도 9에 도시된 웨이퍼의 이면 연삭 후의 상태를 나타낸 설명도이다.
도 11은 웨이퍼에 생기는 휨량을 나타낸 설명도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 피가공물의 일례인 웨이퍼(1)는, 예컨대, 원판형의 실리콘 기판이다. 웨이퍼(1)의 표면(2a)에는, 디바이스 영역(5) 및 외주 잉여 영역(6)이 형성된다. 디바이스 영역(5)에서는, 격자형의 분할 예정 라인(3)에 의해 구획된 영역의 각각에, 디바이스(4)가 형성된다. 외주 잉여 영역(6)은, 디바이스 영역(5)을 둘러싼다.
도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에는, 디바이스(4)에 의한 요철이 형성된다. 이 때문에, 웨이퍼(1)의 표면(2a)은, 요철면으로 이루어진다. 또한, 웨이퍼(1)의 이면(2b)은, 디바이스(4)를 갖지 않고, 연삭 지석 등에 의해 연삭되는 피연삭면으로 이루어진다.
본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법(본 가공 방법)에서는, 이러한 웨이퍼(1)의 표면(2a)을 수지에 의해 피복하고, 이면(2b)을 연삭한다. 이하에, 본 가공 방법에 포함되는 단계에 대해서 설명한다.
(1) 유지 단계 및 수지 피복 단계
본 가공 방법에 있어서의 유지 단계 및 수지 피복 단계에서는, 도 3에 도시된 바와 같은 피복 장치(11)가 이용된다. 피복 장치(11)는, 웨이퍼(1)를 유지하고, 스핀 코트에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a)을 수지에 의해 피복한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 피복 장치(11)는, 웨이퍼(1)를 유지하여 회전시키는 유지부(13), 및, 웨이퍼(1)에 수지를 공급하는 수지 공급부(15)를 구비한다.
유지부(13)는, 웨이퍼(1)를 흡착 유지하는 제1 유지 테이블(20), 제1 유지 테이블(20)의 회전축이 되는 스핀들(22), 및, 이들을 지지하는 베이스(24)를 구비한다. 제1 유지 테이블(20)은, 그 표면의 중앙부에, 제1 유지면(21)을 갖는다. 제1 유지면(21)은, 다공성 세라믹스 등의 다공질 재료로 이루어지고, 원판형으로 형성된다. 제1 유지면(21)은, 도시하지 않은 흡인원에 접속된다.
수지 공급부(15)는, 수지 공급구(31a)를 구비하는 L자형의 수지 공급 노즐(31), 및, 수지 공급 노즐(31)을 회전 가능하게 지지하는 지지대(33)를 구비한다.
유지 단계에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)가, 제1 유지 테이블(20)의 제1 유지면(21) 상에 배치된다. 그 후, 도시하지 않은 흡인원으로부터의 흡인력에 의해, 제1 유지면(21)에 부압이 생긴다. 제1 유지면(21)은, 이 부압에 의해, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 흡인 유지한다. 이것에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a)이 상향으로 노출된다.
유지 단계 후, 수지 피복 단계가 실시된다. 수지 피복 단계에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 유지 테이블(20)의 위쪽에, 수지 공급 노즐(31)의 수지 공급구(31a)가 위치된다. 그리고, 제1 유지 테이블(20)을, 예컨대 화살표(A) 방향으로 회전시키면서, 수지 공급 노즐(31)의 수지 공급구(31a)로부터 웨이퍼(1)의 표면(2a)의 중앙에, 정해진 양의 액상 수지(R)를 공급한다. 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 적하된 액상 수지(R)는, 제1 유지 테이블(20)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 표면(2a)의 중앙으로부터 외주측으로 흘러가서, 표면(2a) 전체면으로 널리 퍼진다.
또한, 액상 수지(R)는, 자외선의 조사를 받음으로써 경화되는 자외선 경화 수지로서, 스핀 코트에 알맞은 수지인 것이 바람직하다.
(2) 자외선 조사 단계
수지 피복 단계 후, 자외선 조사 단계가 실시된다. 자외선 조사 단계에서는, 우선, 웨이퍼(1)에 있어서의 표면(2a) 상의 액상 수지(R)를, 저온 상태로 한다. 그 때문에, 본 가공 방법에서는, 웨이퍼(1)를 저온의 분위기에 노출시킨다. 예컨대, 웨이퍼(1)를, 피복 장치(11)로부터 제거하여, 도시하지 않은 저온 분위기의 자외선 조사실 혹은 자외선 조사용 챔버에 설치한다.
그리고, 웨이퍼(1)에 있어서의 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도가 정해진 값까지 내려간 후, 도시하지 않은 자외선 조사 장치에 의해, 표면(2a) 상의 액상 수지(R)에 자외광을 조사한다. 이것에 의해, 액상 수지(R)가 경화되어, 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에, 수지층(10)이 형성된다.
또한, 이 단계에서는, 액상 수지(R)는, 다음에 실시되는 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온 상태에서 경화되면 좋다.
(3) 이면 연삭 단계
자외선 조사 단계를 실시한 후, 이면 연삭 단계가 실시된다. 이면 연삭 단계에서는, 도 6에 도시된 바와 같은 연삭 장치(150)가 이용된다. 연삭 장치(150)는, 웨이퍼(1)를 유지하는 제2 유지 테이블(151), 수직 방향의 축심을 갖는 스핀들(152), 스핀들(152)의 하단에 부착되는 마운트(154), 및, 마운트(154)의 하면에 부착되는 연삭휠(156)을 구비한다.
제2 유지 테이블(151)은, 그 표면의 중앙부에, 제2 유지면(151a)을 갖는다. 제2 유지면(151a)은, 다공성 세라믹스 등의 다공질 재료로 이루어지고, 원판형으로 형성된다. 제2 유지면(151a)은, 도시하지 않은 흡인원에 접속된다.
연삭휠(156)은, 마운트(154)에 부착되는 베이스(158), 및, 베이스(158)에 고착되는 복수의 연삭 지석(160)을 구비한다. 복수의 연삭 지석(160)은, 연삭휠(156)의 하부의 외주 가장자리에, 환형으로 늘어서도록 고착된다.
이면 연삭 단계에서는, 우선, 수지층(10)을 포함하는 웨이퍼(1)가, 이면 연삭 단계가 실시되는 분위기에 노출된다. 이것에 의해, 웨이퍼(1)의 온도가, 이 분위기의 온도, 즉, 이면 연삭 단계의 환경 온도가 된다. 그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)가, 제2 유지 테이블(151)의 제2 유지면(151a) 상에 배치된다. 그 후, 도시하지 않은 흡인원으로부터의 흡인력에 의해, 제2 유지면(151a)에 부압이 생긴다. 제2 유지면(151a)은, 이 부압에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 형성된 수지층(10)을 흡인 유지한다. 이것에 의해, 웨이퍼(1)의 이면(2b)이, 상향으로 노출된다.
다음에, 제2 유지 테이블(151)이, 예컨대 화살표(B) 방향으로 회전한다. 또한, 연삭휠(156)이, 화살표(B) 방향으로 회전하면서 강하한다. 그리고, 연삭 지석(160)이, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을, 압박하면서 연삭한다. 이 연삭에서는, 웨이퍼(1)가 원하는 두께가 될 때까지, 웨이퍼(1)의 이면(2b)이 깎인다.
여기서, 본 가공 방법의 작용 및 효과에 대해서 설명한다.
자외선 조사 단계 후에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 형성되는 수지층(10)에, 화살표(C)로 나타내는 바와 같은 직경 방향 내향의 수축력이 생긴다. 이 수축력은, 액상 수지(R)가, 자외선 조사에 의해 경화될 때에 수축되는 성질을 갖는 것에 기인한다.
따라서, 종래, 이후의 이면 연삭 단계에서 웨이퍼(1)의 이면(2b)이 깎여, 웨이퍼(1)가 박화되면, 이 수축력이, 수지층(10) 및 웨이퍼(1)의 강성을 상회하는 경우가 있다. 이 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)에 휨이 발생한다.
이것에 관하여, 본 가공 방법에서는, 자외선 조사 단계에서, 웨이퍼(1)에 있어서의 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도를, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온으로 한 상태에서, 액상 수지(R)를 경화시켜 수지층(10)을 형성한다. 그 후의 이면 연삭 단계에서는, 수지층(10)의 온도를 높이고 나서, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 연삭한다.
본 가공 방법에서도, 자외선 조사 단계 후, 수지층(10)에, 도 9에 화살표(C)로 나타낸 바와 같은 직경 방향 내향의 수축력이 생긴다. 그러나, 본 가공 방법에서는, 이면 연삭 단계의 개시시까지, 수지층(10)이, 자외선 조사 단계에서의 비교적 낮은 온도로부터, 이면 연삭 단계의 환경 온도로까지 상승된다. 그 결과, 수지층(10)에, 도 9에 화살표(D)로 나타낸 바와 같은 직경 방향 외향의 팽창력이 생긴다.
이 팽창력은, 액상 수지(R)가, 자외선 조사에 의해 경화될 때에 수축되는 성질 이외에, 경화 후의 온도 상승에 따라 열팽창하는 성질을 갖는 것에 기인한다.
이 때문에, 본 가공 방법에서는, 수지층(10)에 있어서의 수축력(화살표 C)과 팽창력(화살표 D)이 상쇄된다. 따라서, 이후의 이면 연삭 단계에서 웨이퍼(1)의 이면(2b)이 깎여, 웨이퍼(1)가 박화되어도, 도 10에 도시된 바와 같이, 수지층(10)에 의해 웨이퍼(1)가 인장되는 것이 억제되기 때문에, 웨이퍼(1)의 휨의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.
이하에, 본 가공 방법의 효과를 확인하기 위한 실험 결과를 나타낸다.
우선, 웨이퍼(1)의 표면(2a)을 액상 수지(R)에 의해 피복하고, 이 액상 수지(R)를 상온에서 경화시켜, 두께가 50 ㎛인 수지층(10)을 형성하였다. 그 후, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을, 웨이퍼(1)가 원하는 두께가 될 때까지 연삭함으로써, 비교예를 작성하였다.
또한, 웨이퍼(1)의 표면(2a)을, 마찬가지로 액상 수지(R)에 의해 피복하고, 이 액상 수지(R)를 얼음물 온도로까지 저하시킨 상태에서 경화시켜, 두께가 50 ㎛인 수지층(10)을 형성하였다. 그 후, 수지층(10)을 상온으로 되돌린 후, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을, 웨이퍼(1)가 원하는 두께가 될 때까지 연삭함으로써, 실시예를 작성하였다.
그리고, 도 11에 도시된 바와 같은, 이면(2b)의 연삭 후에 있어서의 웨이퍼(1)의 좌단부의 휨량(좌측 휨량)(d1), 및, 우단부의 휨량(우측 휨량)(d2)을 측정하였다.
상온에서 액상 수지(R)를 경화시킨 비교예에서는, 좌측 휨량(d1) 및 우측 휨량(d2)은 각각 38 ㎛ 및 40 ㎛였다. 한편, 얼음물 온도에서 액상 수지(R)를 경화시킨 실시예에서는, 좌측 휨량(d1) 및 우측 휨량(d2)은 각각 30 ㎛ 및 38 ㎛로 개선되었다.
또한, 본 가공 방법에서는, 상기 수지 피복 단계에서, 스핀 코트에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a)을 액상 수지(R)에 의해 피복한다. 이것에 의해, 액상 수지(R)에 의한 표면(2a)의 피복을, 용이하게 실시할 수 있다. 단, 표면(2a)을 액상 수지(R)에 의해 피복하는 방법은, 다른 어느 방법이어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 자외선 조사 단계에서, 웨이퍼(1)를 저온의 분위기에 노출시킴으로써, 그 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도를 낮춘다. 그러나, 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도를 낮추는 방법은, 이것에 한정되지 않고, 어떠한 방법이라도 좋다. 예컨대, 저온의 척 테이블에 의해 웨이퍼(1)를 유지함으로써, 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도를 낮추어도 좋다.
또한, 자외선 조사 단계시의 액상 수지(R)의 온도를, 예측되는 웨이퍼(1)의 휨량에 따라 결정하여도 좋다. 예컨대, 휨량이 비교적 크다고 예상되는 경우에는, 자외선 조사 단계시의 액상 수지(R)의 온도를, 비교적 낮게 하여, 수지층(10)의 열팽창력을 크게 하여도 좋다. 한편, 휨량이 비교적 작다고 예상되는 경우에는, 자외선 조사 단계시의 액상 수지(R)의 온도를, 비교적 높게 하여, 수지층(10)의 열팽창력을 작게 하여도 좋다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(1)의 휨량(휨의 강도)에 따라, 자외선 조사 단계시의 액상 수지(R)의 온도를 조정하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 3에 도시된 피복 장치(11)에 의해, 유지 단계 및 수지 피복 단계를 실시한다. 이것 대신에, 피복 장치(11)에 의해, 유지 단계, 수지 피복 단계 및 자외선 조사 단계를 실시하여도 좋다. 이것은, 예컨대, 피복 장치(11)에, 웨이퍼(1)를 냉각하기 위한 냉각 장치, 및, 웨이퍼(1)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 장치를 구비함으로써 실현되어도 좋다. 냉각 장치는, 예컨대, 웨이퍼(1)를 유지하는 제1 유지 테이블(20)을 저온으로 하는 장치여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 6에 도시된 연삭 장치(150)에 의해, 이면 연삭 단계가 실시된다. 이것 대신에, 연삭 장치(150)에 의해, 자외선 조사 단계 및 이면 연삭 단계가 실시되어도 좋다. 이것은, 예컨대, 연삭 장치(150)에, 웨이퍼(1)를 냉각하기 위한 냉각 장치, 및, 웨이퍼(1)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 장치를 구비함으로써 실현되어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 본 가공 방법을 실시하기 위해, 피복 장치(11) 및 연삭 장치(150)가 이용된다. 이것 대신에, 예컨대, 도 3에 도시된 피복 장치(11)가, 연삭 장치(150)를 겸하고 있어도 좋다. 이것은, 예컨대, 피복 장치(11)에, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 연삭하기 위한 구성, 예컨대, 도 6에 도시된 스핀들(152), 마운트(154) 및 연삭휠(156)을 구비함으로써 실현되어도 좋다. 이 구성에서는, 제1 유지 테이블(20)은, 제2 유지 테이블(151)을 겸한다.
또한, 피복 장치(11)가 연삭 장치(150)를 겸하는 경우, 피복 장치(11)는, 웨이퍼(1)를 냉각하기 위한 냉각 장치, 및, 웨이퍼(1)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 장치를 더 구비하여도 좋다. 이것에 의해, 피복 장치(11)는, 자외선 조사 단계도 실시하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 가공 방법의 모든 단계를, 하나의 피복 장치(11)에 의해 실시할 수 있다.
1: 웨이퍼
2a: 표면
2b: 이면 3: 분할 예정 라인
4: 디바이스 5: 디바이스 영역
6: 외주 잉여 영역 R: 액상 수지
10: 수지층 11: 피복 장치
13: 유지부 15: 수지 공급부
20: 제1 유지 테이블 21: 제1 유지면
22: 스핀들 24: 베이스
31: 수지 공급 노즐 31a: 수지 공급구
33: 지지대 150: 연삭 장치
151: 제2 유지 테이블 151a: 제2 유지면
152: 스핀들 154: 마운트
156: 연삭휠 158: 베이스
160: 연삭 지석
2b: 이면 3: 분할 예정 라인
4: 디바이스 5: 디바이스 영역
6: 외주 잉여 영역 R: 액상 수지
10: 수지층 11: 피복 장치
13: 유지부 15: 수지 공급부
20: 제1 유지 테이블 21: 제1 유지면
22: 스핀들 24: 베이스
31: 수지 공급 노즐 31a: 수지 공급구
33: 지지대 150: 연삭 장치
151: 제2 유지 테이블 151a: 제2 유지면
152: 스핀들 154: 마운트
156: 연삭휠 158: 베이스
160: 연삭 지석
Claims (2)
- 격자형으로 형성되는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 디바이스가 형성되는 피가공물의 이면을, 원하는 두께까지 연삭하는 피가공물의 가공 방법으로서,
상기 디바이스가 형성된 상기 표면측을 노출시키도록, 제1 유지 테이블의 제1 유지면에 의해 상기 피가공물을 흡착 유지하는 유지 단계와,
상기 피가공물의 상기 표면에, 자외선의 조사를 받음으로써 경화되는 액상 수지를 공급하고, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지로 피복하는 수지 피복 단계와,
상기 수지 피복 단계에서 상기 피가공물의 상기 표면을 피복한 상기 수지를, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온의 상태에서 경화시켜 수지층을 형성하는 자외선 조사 단계와,
상기 자외선 조사 단계를 실시한 후, 상기 피가공물의 상기 표면을 제2 유지 테이블의 제2 유지면에 의해 흡착 유지하고, 상기 피가공물의 상기 이면의 연삭을 실시하는 이면 연삭 단계를 구비하여,
상기 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온의 상태에서 상기 수지를 경화시킴으로써, 상기 피가공물의 휨을 저감할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 수지 피복 단계는, 스핀 코트에 의해, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지에 의해 피복하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.
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