KR20150138948A - 스퍼터링 장치 - Google Patents

스퍼터링 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150138948A
KR20150138948A KR1020140065986A KR20140065986A KR20150138948A KR 20150138948 A KR20150138948 A KR 20150138948A KR 1020140065986 A KR1020140065986 A KR 1020140065986A KR 20140065986 A KR20140065986 A KR 20140065986A KR 20150138948 A KR20150138948 A KR 20150138948A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
target
gas
magnetic field
magnet
Prior art date
Application number
KR1020140065986A
Other languages
English (en)
Inventor
최승호
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140065986A priority Critical patent/KR20150138948A/ko
Publication of KR20150138948A publication Critical patent/KR20150138948A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/342—Hollow targets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3452—Magnet distribution

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

균일한 증착 효과를 제공할 수 있는 스퍼터링 장치가 제공된다. 스퍼터링 장치는 챔버, 상기 챔버 내부 공간에 서로 대향되어 배치되고 제1 타겟 및 제2 타겟, 상기 제1 타겟 및 상기 제2 타겟을 사이에 두고 서로 대향되어 배치되는 제1 자석 유닛 및 제2 자석 유닛, 및 상기 제1 타겟 및 제2 타겟 각각에 전류를 인가하는 전원을 포함하되, 상기 제1 자석 유닛 및 제2 자석 유닛은 제1 주기로 회전하고, 상기 전원의 전류는 제2 주기로 진동하며, 상기 제1 주기와 상기 제2 주기는 서로 배수관계이다.

Description

스퍼터링 장치{APPARATUS FOR SPUTTERING}
본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 회전 원통형 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
공정 기술 중 하나인 스퍼터링은 기판 재료의 종류에 관계없이 어떤 재질의 막으로도 유독한 가스를 사용하지 않고 안전하게 비교적 간단한 장치로 박막을 형성할 수 있다는 점에서 널리 이용되고 있다. 스퍼터링은 진공 중에서 불활성 기체의 글로 방전(Glow discharge)을 형성하여 양이온들이 음극 바이어스된 타겟에 충돌하도록 함으로써 운동에너지 전달에 의해 타겟의 원자가 방출되도록 하는 방법이다. 즉, 타겟 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형성함으로써 전자들의 운동을 타겟 주위로 구속하고 이동경로를 연장시켜 스퍼터링 효율을 높일 수 있다. 또한, 불활성 기체뿐만 아니라 반응성 기체를 공정 기체로 사용할 경우 일반적인 금속 박막이 아닌 반응성 기체와 반응이 진행된 박막을 증착할 수 있다. 예를 들어 O2를 반응성 기체로 사용할 경우 메탈 옥사이드(metal oxide)가 박막으로 증착될 수 있다.
이러한 반응성 스퍼터링 장치의 경우 타겟 표면의 상태가 매우 중요하다. 즉, 반응성 기체가 충전된 챔버에서 반응이 진행됨에 따라 타겟의 표면은 점점 산화되며, 이에 따라 스퍼터율은 감소될 수 있다. 타겟의 표면의 형성된 산화물은 반응성 기체가 없이 불활성 기체만 충전된 공간에서 스퍼터링에 의해 제거될 수 있다(pre-sputtering). 다만, 프리 스퍼터링(pre-sputtering)을 진행하는 경우 공정을 진행할 수 없으며 가동률 저하라는 문제점이 발생한다.
이에 본 발명이 해결하려는 과제는 스퍼터율의 저하 및 프리 스퍼터링에 의한 가동률 저하를 방지할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.
이에 본 발명이 해결하려는 과제는 스퍼터링 공정과 프리 스퍼터링 공정을 동시에 진행할 수 있는 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치는 제1 영역, 상기 제1 영역과 대향되는 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 배치되어 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 연통하는 제3 영역을 포함하는 챔버, 상기 제3 영역에 배치되는 타겟, 상기 타겟의 내부에 서로 대향되어 배치되는 자기장 유도 부재 및 상기 자기장 유도 부재 사이에 배치되는 자석을 포함하되, 상기 제1 영역은 제1 기체가 유입되는 영역이며, 상기 제2 영역은 상기 제1 기체와 상이한 제2 기체가 유입되는 영역이다.
여기서 상기 제1 기체는 반응성 기체이고, 상기 제2 기체는 불활성 기체일 수 있다.
상기 자석 및 상기 자기장 유도 부재는 상기 타겟에 고정되며, 상기 타겟은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전될 수 있다.
상기 자석은 상기 타겟의 일면의 중심점을 가로지르는 중심선과 나란히 배치되며, 상기 자기장 유도 부재는 상기 자석과 동일한 방향으로 배열될 수 있다.
상기 타겟에 방전 전류를 공급하는 전원, 상기 제1 기체를 공급하는 제1 기체 공급기 및 상기 제2 기체를 공급하는 제2 기체 공급기를 더 포함할 수 있다.
상기 자기장 유도 부재의 두께는 상기 자석의 두께의 2배 이상일 수 있다.
상기 타겟은 캐소트 전극이며, 상기 챔버는 애노드 전극일 수 있다.
또한, 상기 자석은 일렬로 배치되며 서로 일정거리만큼 이격된 제1 서브 자석 및 제2 서브 자석을 포함할 수 있으며, 상기 자석의 두께는 상기 자기장 유도 부재의 두께의 5배 이상일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치는 제1 영역, 상기 제1 영역과 대향되는 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 배치되어 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 연통하는 복수의 제3 영역을 포함하는 챔버, 상기 복수의 제3 영역 각각에 배치되는 타겟, 상기 타겟의 내부에 서로 대향되어 배치되는 자기장 유도 부재 및 상기 자기장 유도 부재사이에 배치되는 자석을 포함하되, 상기 제1 영역은 제1 기체가 유입되는 영역이며, 상기 제2 영역은 상기 제1 기체와 상이한 제2 기체가 유입되는 영역이다.
여기서, 상기 제1 기체는 반응성 기체이고, 상기 제2 기체는 불활성 기체일 수 있다.
또한, 상기 하나의 제3 영역에 배치되는 타겟은 캐소트 전극이며, 다른 제3 영역에 배치되는 타겟은 애노드 전극일 수 있다.
상기 자석 및 상기 자기장 유도 부재는 상기 타겟에 고정되며,
상기 타겟은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
스퍼터링 공정과 프리 스퍼터링을 동시에 진행할 수 있기에 스퍼터율의 저하와 가동률 저하를 동시에 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 단면도이다.
도 2는 종래의 원형 타겟 내부에 형성되는 자석의 자기장을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 실시예에 따른 원형 타겟 내부에 형성되는 자석의 자기장을 나타낸 도면이다.
도 4는 자기장 유도 부재의 두께와 자기장의 세기 관계를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 타겟의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 타겟의 자석이 형성하는 자기력선을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 스퍼터링 장치(10)는 챔버(110), 타겟(120), 자석(130), 자기장 유도 부재(140) 및 전원부(150)를 포함한다.
챔버(110)는 밀폐된 공간일 수 있으며, 챔버(110) 내부는 진공 상태일 수 있다. 챔버(110)는 스퍼터링 장치(10)의 구성들이 배치될 수 있는 공간을 제공하는 것으로 이의 형상 및 재질은 특정한 것으로 한정되는 것은 아니며, 제공되는 공정에 따라 챔버(110)의 형상, 크기 및 재료는 변경될 수 있다.
챔버(110)는 제1 영역(S1), 제2 영역(S2) 및 제3 영역(S3)을 포함할 수 있다. 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)은 서로 대향되어 형성될 수 있으며, 상호간 직접적으로 연통되지 않을 수 있다. 즉, 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 사이에는 제3 영역(S3)이 배치될 수 있으며, 제3 영역(S3)을 통해 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)은 연통될 수 있다.
제1 영역(S1)은 스퍼터링 공정이 진행되는 영역일 수 있다. 즉, 제1 영역(S1)의 일 측에 기판 이송 부재(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 기판 이송 부재는 기판(s)을 고정하여 스퍼터링 공정 중 발생할 수 있는 기판(s)의 변형, 뒤틀림 등을 방지할 수 있다. 또한, 상기 기판 이송 부재는 기판(s)을 제1 방향(D1)으로 이송시킬 수 있다. 즉, 기판(s)은 상기 기판 이송 부재에 의해서 챔버(110)외부로부터 제1 방향(D1)에 따라 챔버(110) 내부로 이송된 것으로, 스퍼터링 공정이 진행된 이후 제1 방향(D1)을 따라 다시 챔버(110) 외부로 배출될 수 있다. 제1 영역(S1)은 기체 공급관(L2)을 통해 제1 기체 공급기(AI1)과 연결될 수 있다. 제1 기체 공급기(AI1)은 제1 기체(A1)를 제1 영역(S1)으로 공급할 수 있다. 즉, 제1 영역(S1)은 제1 기체(A1)이 유입되는 영역일 수 있다. 여기서 제1 기체(A1)은 반응성 기체일 수 있다. 상기 반응성 기체는 산소(O2)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 기체 공급관(L2)은 반응성 기체와 타겟(120) 표면에서 방출된 성막 입자와의 용이한 반응을 위하여 제1 영역(S1) 내에서 제3 영역(S3)과 인접하도록 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 영역(S1)내에서 성막 입자와 상기 반응성 기체는 반응하여 기판(s)에 박막층을 형성할 수 있다. 이에 대해서 보다 상세히 후술하도록 한다.
제2 영역(S2)은 프리 스퍼터링(pre-sputtering) 공정이 진행되는 영역일 수 있다. 즉, 제2 영역(S2)는 타겟(120) 표면의 이물질 또는 산화 물질이 제거되는 영역일 수 있다. 제2 영역(S2)의 타 측에는 방착판(160)이 형성될 수 있다. 즉, 방착판(160)과 기판(s)은 제3 영역(S3)을 사이에 두고 대향되어 배치될 수 있다. 방착판(160)은 거름망, 매시(mesh) 또는 표면 거칠기가 큰 구조일 수 있으며, 프리 스퍼터링 공정에서 제거된 이물질 또는 산화 물질이 제2 영역(S2) 내에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 제2 영역(S2)은 기체 공급관(L2)을 통해 제2 기체 공급기(AI2)와 연결될 수 있다. 제2 기체 공급기(AI2)는 제2 기체(A2)를 제2 영역(S2)으로 공급할 수 있다. 즉, 제2 영역(S2)은 제2 기체(A2)가 유입되는 영역일 수 있다. 여기서 제2 기체(A2)는 불활성 기체일 수 있다. 불활성 기체는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 불활성 기체는 플라즈마를 방전하는 데 사용될 수 있다. 여기서 기체 공급관(L2)은 용이한 플라즈마의 방전을 위해 제2 영역(S2)내에서 제3 영역(S3)과 인접하도록 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 생성된 플라즈마는 타겟(120)의 표면에 형성된 이물질 또는 산화 물질을 제2 영역(S2)으로 방출시킬 수 있으며, 방출된 이물질 또는 산화 물질은 방착판(160)에 흡착되어 제거될 수 있다.
제3 영역(S3)은 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)을 연통할 수 있다. 즉, 제2 영역(S2)에 유입된 제2 기체(A2)는 제3 영역(S3)을 통해서 제1 영역(S1)으로 유입될 수 있다. 제1 영역(S1)은 기체 유출관(L1)을 통해 진공 펌프(AP)와 연결될 수 있다. 진공 펌프(AP)는 챔버(110) 내부 기체를 외부로 배기시켜. 챔버(110) 내부를 진공 상태로 형성할 수 있으며, 플라즈마가 형성될 수 있는 환경이 조성될 수 있다. 또한, 진공 펌프(AP)는 제1 영역(S1)의 기체를 챔버(110) 외부로 배기시켜 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)의 기압 차를 발생시킬 수 있다. 따라서 제2 영역(S2)의 제2 기체(A2)는 제1 영역(S1)으로 유입될 수 있으나, 제1 영역(S1)의 제1 기체(A1)는 제2 영역(S2)으로 유입되지 않으며, 제2 영역(S2)은 제2 기체(A2)만이 존재할 수 있으며, 제1 영역(S1)은 제1 기체(A1)와 제2 기체(A2)가 혼합된 상태일 수 있다. 제1 영역(S1)에서 제1 기체(A1)와 제2 기체(A2)의 혼합 비율은 공정 조건에 따라 달라질 수 있다.
또한, 제3 영역(S3)에는 타겟(120)이 배치될 수 있다. 타겟(120)은 원통형 형상일 수 있다. 즉, 타겟(120)의 일면은 도 1에 도시된 바와 같이 도넛 형상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 타겟(120)은 타겟 지지대(미도시) 및 타겟의 외부 표면에 형성된 성막(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 타겟 지지대는 전원(150)으로부터 방전 전류를 공급받을 수 있으며, 이를 타겟(120)에 전달할 수 있다. 이에 따라 타겟(120)은 제2 기체(A2)의 글로우 방전(Glow discharge)를 유도할 수 있다. 상기 글로우 방전에 의해 발생하는 플라즈마는 타겟(120) 외부 표면의 성막을 증기상으로 방출시킬 수 있으며, 방출된 타겟 성막의 입자는 확산되어 기판(s)에 증착될 수 있다. 또한, 상기 타겟 지지대에 의해 타겟(120)은 지지 및 고정될 수 있으며, 타겟(120)을 시계 방향(R1)으로 회전시킬 수 있다. 타겟(120)의 회전 속도 및 회전 각도는 공정 조건에 따라 달라질 수 있으며, 특정 속도 및 각도에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제3 영역(S3)은 타겟(120)이 회전할 수 있는 공간일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 타겟(120)은 반시계 방향으로도 회전될 수도 있다. 상기 타겟(120)의 회전에 의해 기판(s)의 박막은 보다 균등하게 형성될 수 있다. 또한, 제1 영역(S1)에서 스퍼터링 공정에 의해 산화 물질이 형성된 타겟(120)의 일부 표면은 회전에 의해 제2 영역(S2)에 위치할 수 있으며, 프리 스퍼터링 공정에 의해 표면에 형성된 상기 산화 물질은 제거될 수 있다.
전원(150)은 타겟(120)에 방전 전류를 공급할 수 있다. 여기서 타겟(120)은 캐소드(cathode) 전극일 수 있으며, 챔버(110)의 일부분은 애노드(anode) 전극일 수 있으며 이의 일단은 접지와 연결될 수 있다. 전원(150)은 주기성을 가진 전류의 파형을 공급할 수 있으며, 플라즈마 퍼짐 현상을 방지할 수 있는 전류를 공급할 수 있다. 예시적인 실시예에서 전원(150)은 20~80KHz의 저 주파수 교류(AC) 또는 직류 펄스(DC-Pulse)를 인가할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
자석(130)은 타겟(120) 내부에 배치될 수 있다. 자석(130)은 타겟(120)의 일면의 중심점을 가로지르는 중심선과 나란히 타겟(120) 내부에 배치될 수 있다. 자석(130)의 길이는 타겟(120)의 내경보다 작을 수 있다. 자석(130)의 형상은 일 방향으로 연장된 막대 형상일 수 있으며, 자석(130)의 일단과 타단은 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 자석은(130)은 보다 효과적인 스퍼터링을 제공할 수 있도록, 자기장을 형성할 수 있다.
자기장 유도 부재(140)는 타겟(120)의 내부에 서로 대향되어 배치될 수 있다. 자기장 유도 부재(140) 사이에 자석(130)은 배치될 수 있다. 이하, 자기장 유도 부재(140)와 자석(130)간의 관계를 도 2 내지 4를 참조하여 설명하도록 한다.
도 2는 종래의 원형 타겟 내부에 형성되는 자석의 자기장을 나타낸 도면이며, 도 3은 본 실시예에 따른 원형 타겟 내부에 형성되는 자석의 자기장을 나타낸 도면이며, 도 4는 자기장 유도 부재의 두께와 자기장의 세기 관계를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 종래의 원형 타겟 내부에 형성되는 자석은 A 영역에 강한 자기장이 형성되는 것을 알 수 있으며, A 영역과 대향되는 A’영역은 자기장이 약하게 형성되는 것을 알 수 있다. 이에 따라 A 영역에서는 정상적인 플라즈마가 방전되는 것을 알 수 있으나 A’영역에서는 이러한 플라즈마의 방전이 발생되지 않는다. 즉, A 영역에만 스퍼터링이 가능할 수 있다. 또한, A 영역과 수직한 B영역에도 강한 자기장이 형성될 수 있는 것을 알 수 있다. 여기서 A영역의 자기장은 수평 자기장(H)일 수 있으며 B영역의 자기장은 수직 자기장(V)일 수 있다. 여기에서 수평 자기장(H)이란 자석이 배열되는 방향과 동일한 방향으로 형성되는 자기장을 의미하며, 수직 자기장(V)이란 자석이 배열되는 방향과 수직인 방향으로 형성되는 자기장을 의미할 수 있다. 이러한 수직 자기장(V)이 강하게 형성되는 경우 수평 자기장(H)을 형성하는 영역에 플라즈마가 집중될 수 없으며, 이에 따라 방전 밀도가 낮아져 스퍼터링(Sputtering)이 용이하게 일어나지 않을 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 실시예의 자석(130)은 일 방향으로 연장된 막대 자석일 수 있으며, 자석(130)의 일단 및 타 단에서 각각 수평 자기장(H)이 형성되는 것을 알 수 있다. 또한, 자석(130)의 상부 및 하부에 형성되는 수직 자기장(V)은 수평 자기장(H) 보다 자기 밀도가 낮은 것을 알 수 있다. 수직 자기장(V)은 자기장 유도 부재(140)에 의해 자기 밀도가 낮게 형성될 수 있다. 즉, 자기장 유도 부재(140)는 자석(130)을 기준으로 동일 거리만큼 이격되어 자석(130)의 상부 및 하부에 각각 배치될 수 있으며, 자기장 유도 부재(140)는 자석(130)과 동일한 방향으로 배열될 수 있다. 자기장 유도 부재(140)는 자성체로 형성된 블록(Shunt)일 수 있다. 즉, 자기장 유도 부재(140)는 니켈(Ni), 철(Fe) 및 스테인리스 강(SUS 400계열) 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 자기장 유도 부재(140)는 자석(130)의 상부 및 하부에 형성되는 수직 자기장을 자석(130)의 말단부를 향하도록 가이드할 수 있으며, 이에 따라 자석(130) 말단부의 자기 밀도를 보다 높일 수 있다. 따라서 자석(130)은 보다 강한 수평 자기장(H)이 형성될 수 있으며 플라즈마 방전 밀도가 높아질 수 있으며, 이에 따라 보다 효과적인 스퍼터링 공정이 진행될 수 있다. 본 제안 발명의 스퍼터링 장치(10)는 즉, 상기 강한 수평 자기장(H)에 의해 제1 영역(S1)의 스퍼터링 공정 및 제2 영역(S2)의 프리 스퍼터링 공정 모두 효과적으로 진행될 수 있다. 수평 자기장(H)의 세기는 자기장 유도 부재(140)의 두께 및 자석(130)의 두께에 따라 결정될 수 있다. 즉, 자기장 유도 부재(140)가 너무 두껍게 형성될 경우 수평 자기장(H)의 세기가 약해지고 수직 자기장(V)의 세기가 강해져서 수평 방향의 플라즈마 형성에 불리할 수 있다.
도 4를 참조하면, 도 4는 자석(130)의 두께가 10mm인 것을 기준으로 자기장 유도 부재(140)의 두께 변화에 따른 자기장(V)의 세기 및 수평 자기장(H)의 세기 변화를 나타낸 것이다. 상술한 플라즈마의 형성은 수평 자기장(H)의 세기가 500 Gauss이고 수직 자기장(L)의 세기가 100 Gauss일 때 가장 효과적일 수 있다. 상기 자기장의 세기에 대응되는 자석(130)의 두께는 10mm이고 자기장 유도 부재(140)의 두께는 20mm 이상일 수 있다. 즉, 자기장 유도 부재(140)의 두께가 자석(130)의 두께의 2배 이상일 때 가장 효과적일 수 있다. 다만, 이는 일 실시예에 해당하는 것일 뿐 본 발명의 효과가 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하, 도 5를 참조하여 본원 발명의 일 실시예에 따른 타겟(120)이 제공할 수 있는 효과에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 타겟의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 전원(150)으로부터 전류를 인가 받은 타겟(120)은 제2 기체의 글로우 방전(Glow discharge)를 유도하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이때 본 실시예의 타겟(120)은 강한 수평 자기장(H)을 제1 영역(S1) 및 제2 영역(S2) 모두 형성할 수 있다. 상술한 바와 같이 제1 영역(S1)은 반응성 기체인 제1 기체와 불활성 기체인 제2 기체가 함께 존재하는 상태일 수 있으며, 제2 영역(S2)은 불활성 기체인 제2 기체만이 존재하는 상태일 수 있다. 제1 영역(S1) 및 제2 영역(S2)으로 강하게 형성된 수평 자기장(H)은 플라즈마의 운동을 구속할 수 있다. 즉, 전기를 띤 전자 및 이온은 수평 자기장(H)을 중심으로 회전 운동을 하게 되고 전자와 중성입자간의 충돌확률이 증가할 수 있다. 이에 따라 상기 반응 공간내의 플라즈마 밀도는 보다 높아질 수 있다. 플라즈마의 양이온은 제1 영역(S1)에 대응하는 타겟(120)의 성막 입자(E) 및 제2 영역(S2)에 대응하는 타겟(120)의 산화 물질 또는 이물질(P)을 각각 제1 영역(S1) 및 제2 영역(S2) 상으로 방출될 수 있다. 이때, 전자 등의 높은 에너지를 갖는 입자는 플라즈마에 구속되어 기판(s)에 영향을 줄 수 없지만, 비교적 낮은 에너지를 갖는 성막 입자(E)는 제1 영역(S1)의 측면으로 확산되어 기판(s)에 증착될 수 있다. 또한 제1 영역(S1)의 경우 제1 기체가 유입되기 때문에 성막 입자(E)와 반응하여 함께 기판(s)에 증착될 수 있다. 그리고 방출된 산화 물질 또는 이물질(P)은 제2 영역(S2)의 측면으로 확산되어 방착판(160)에 흡착되어 제거될 수 있다. 즉, 본원 발명의 타겟(120)은 강력하게 형성된 수평 자기장(H)에 의해 제1 영역(S1)에는 스퍼터링 공정이 제2 영역(S2)에는 프리 스퍼터링 공정이 각각 효과적으로 진행할 수 있다. 또한, 타겟(120)은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있으므로 제1 영역(S1)에서 스퍼터링 공정을 통해 타겟(120) 표면에 형성되는 이물질 또는 산화 물질은 회전을 통해 제2 영역(S2)으로 위치될 수 있으며, 상기 이물질 또는 산화 물질은 프리 스퍼터링 공정에 의해 용이하게 제거될 수 있다. 즉, 본 제안 발명의 스퍼터링 장치(10)은 강한 수평 자기장을 형성되는 서로 다른 영역에서 스퍼터링 공정과 프리 스퍼터링 공정을 동시에 진행할 수 있어 스퍼터링 장치의 가동률 저하를 방지할 수 있다. 또한 스퍼터링 공정에서 타겟(120)의 표면에 형성된 산화 물질은 타겟의 회전에 의해 제2 영역(S2)에서 용이하게 제거될 수 있으므로 타겟(120)의 상태를 정상 상태로 유지할 수 있어 스퍼터율의 저하를 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(20)에 대해 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 단면도이며, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 타겟의 자석이 형성하는 자기력선을 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(20)의 자석(230)은 제1 서브 자석(230a) 및 제2 서브 자석(230b)를 포함한다.
제1 서브 자석(230a) 및 제2 서브 자석(230b)은 일렬로 배치되고 서로 일정거리만큼 이격되어 타겟(220) 내부에 배치될 수 있다. 제1 서브 자석(230a) 및 제2 서브 자석(230b)은 일 방향으로 연장된 막대 자석일 수 있으며 각각의 일단과 타단은 서로 상이한 극성을 가질 수 있다. 이때 대향되는 제1 서브 자석(230a)의 일단과 제2 서브 자석(230b)의 타단의 극성을 서로 상이할 수 있다. 즉, 도 6에 개시된 바와 같이 제1 서브 자석(230a)의 일단은 S극일 수 있으며, 제2 서브 자석(230b)의 타단은 N극일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1 서브 자석(230a)와 제2 서브 자석(230b)은 일정 거리 이격되어 배치되기 때문에 상기 이격된 거리만큼 타겟(220)의 중심부 영역에 자기력선이 형성될 수 있다. 이에 따라 타겟(220)의 상부 및 하부에 발생하는 수직 자기장의 세기는 약화될 수 있다. 즉, 자기장 유도 부재(240)의 두께가 두껍지 않더라도 수직 자기장의 세기는 약화될 수 있다. 여기서 제1 서브 자석(230a) 및 제2 서브 자석(230b)의 두께는 자기장 유도 부재(240)의 두께의 5배 이상일 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(20)는 서로 이격되어 형성되는 자석을 포함하여 자기장 유도 부재의 두께가 얇게 형성되더라도 수직 자기장의 세기가 약화되는 효과를 제공할 수 있다.
그 밖의 스퍼터링 방법에 대한 설명은 동일한 명칭을 갖는 도 1 내지 도 5의 스퍼터링 장치(10)의 구성에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(30)에 대해 설명하도록 한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 스퍼터링 장치(30)는 챔버(310), 타겟(320), 자석(330), 자기장 유도 부재(340) 및 전원부(350)를 포함한다.
챔버(310)는 밀폐된 공간일 수 있으며, 챔버(310) 내부는 진공 상태일 수 있다. 챔버(310)는 스퍼터링 장치(30)의 구성들이 배치될 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 챔버(310)는 제1 영역(S1), 제2 영역(S2) 및 복수의 제3 영역(S3a, S3b)을 포함할 수 있다. 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)은 서로 대향되어 형성될 수 있으며, 상호간 직접적으로 연통되지 않을 수 있다. 즉, 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2) 사이에는 복수의 제3 영역(S3)이 배치될 수 있으며, 복수의 제3 영역(S3)을 통해 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)은 연통될 수 있다.
제1 영역(S1)은 스퍼터링 공정이 진행되는 영역일 수 있다. 즉, 제1 영역(S1)의 일 측에 기판 이송 부재(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 기판 이송 부재는 기판(s)을 고정하여 스퍼터링 공정 중 발생할 수 있는 기판(s)의 변형, 뒤틀림 등을 방지할 수 있다. 또한, 상기 기판 이송 부재는 기판(s)을 제1 방향(D1)으로 이송시킬 수 있다. 즉, 기판(s)은 상기 기판 이송 부재에 의해서 챔버(310) 외부로부터 제1 방향(D1)에 따라 챔버(310) 내부로 이송된 것으로, 스퍼터링 공정이 진행된 이후 제1 방향(D1)을 따라 다시 챔버(310) 외부로 배출될 수 있다. 제1 영역(S1)은 기체 공급관(L2)을 통해 제1 기체 공급기(AI1)과 연결될 수 있다. 제1 기체 공급기(AI1)은 제1 기체(A1)를 제1 영역(S1)으로 공급할 수 있다. 즉, 제1 영역(S1)은 제1 기체(A1)이 유입되는 영역일 수 있다. 여기서 제1 기체(A1)은 반응성 기체일 수 있다. 상기 반응성 기체는 산소(O2)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 기체 공급관(L2)은 반응성 기체와 타겟(120) 표면에서 방출된 성막 입자와의 용이한 반응을 위하여 제1 영역(S1) 내에서 복수의 제3 영역(S3a, S3b)과 인접하도록 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 영역(S1)내에서 성막 입자와 상기 반응성 기체는 반응하여 기판(s)에 박막층을 형성할 수 있다.
제2 영역(S2)은 프리 스퍼터링(pre-sputtering) 공정이 진행되는 영역일 수 있다. 즉, 제2 영역(S2)는 타겟(120) 표면의 이물질 또는 산화 물질이 제거되는 영역일 수 있다. 제2 영역(S2)의 타 측에는 방착판(160)이 형성될 수 있다. 즉, 방착판(160)과 기판(s)은 복수의 제3 영역(S3a, S3b)을 사이에 두고 대향되어 배치될 수 있다. 방착판(160)은 거름망, 매시(mesh) 또는 표면 거칠기가 큰 구조일 수 있으며, 프리 스퍼터링 공정에서 제거된 이물질 또는 산화 물질이 제2 영역(S2) 내에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 제2 영역(S2)은 기체 공급관(L2)을 통해 제2 기체 공급기(AI2)와 연결될 수 있다. 제2 기체 공급기(AI2)는 제2 기체(A2)를 제2 영역(S2)으로 공급할 수 있다. 즉, 제2 영역(S2)은 제2 기체(A2)가 유입되는 영역일 수 있다. 여기서 제2 기체(A2)는 불활성 기체일 수 있다. 불활성 기체는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 불활성 기체는 플라즈마를 방전하는 데 사용될 수 있다. 여기서 기체 공급관(L2)은 용이한 플라즈마의 방전을 위해 제2 영역(S2)내에서 복수의 제3 영역(S3a, S3b)과 인접하도록 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 생성된 플라즈마는 타겟(320)의 표면에 형성된 이물질 또는 산화 물질을 제2 영역(S2)으로 방출시킬 수 있으며, 방출된 이물질 또는 산화 물질은 방착판(360)에 흡착되어 제거될 수 있다.
복수의 제3 영역(S3a, S3b)은 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)을 연통할 수 있다. 즉, 제2 영역(S2)에 유입된 제2 기체(A2)는 복수의 제3 영역(S3a, S3b)을 통해서 제1 영역(S1)으로 유입될 수 있다. 제1 영역(S1)은 기체 유출관(L1)을 통해 진공 펌프(AP)와 연결될 수 있다. 진공 펌프(AP)는 챔버(110) 내부 기체를 외부로 배기시켜. 챔버(110) 내부를 진공 상태로 형성할 수 있으며, 플라즈마가 형성될 수 있는 환경이 조성될 수 있다. 또한, 진공 펌프(AP)는 제1 영역(S1)의 기체를 챔버(110) 외부로 배기시켜 제1 영역(S1)과 제2 영역(S2)의 기압 차를 발생시킬 수 있다. 따라서 제2 영역(S2)의 제2 기체(A2)는 제1 영역(S1)으로 유입될 수 있으나, 제1 영역(S1)의 제1 기체(A1)는 제2 영역(S2)으로 유입되지 않으며, 제2 영역(S2)은 제2 기체(A2)만이 존재할 수 있으며, 제1 영역(S1)은 제1 기체(A1)와 제2 기체(A2)가 혼합된 상태일 수 있다. 제1 영역(S1)에서 제1 기체(A1)와 제2 기체(A2)의 혼합 비율은 공정 조건에 따라 달라질 수 있다.
복수의 제3 영역(S3a, S3b)에는 타겟(320)이 배치될 수 있다. 타겟(320)은 원통형 형상일 수 있다. 즉, 타겟(320)의 일면은 도 8에 도시된 바와 같이 도넛 형상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 타겟(320)은 타겟 지지대(미도시) 및 타겟의 외부 표면에 형성된 성막(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 타겟 지지대는 전원(350)으로부터 방전 전류를 공급받을 수 있으며, 이를 타겟(320)에 전달할 수 있다. 이에 따라 타겟(320)은 제2 기체(A2)의 글로우 방전(Glow discharge)를 유도할 수 있다. 상기 글로우 방전에 의해 발생하는 플라즈마는 타겟(320) 외부 표면의 성막을 증기상으로 방출시킬 수 있으며, 방출된 타겟 성막의 입자는 확산되어 기판(s)에 증착될 수 있다. 또한, 상기 타겟 지지대에 의해 타겟(320)은 지지 및 고정될 수 있으며, 타겟(320)을 시계 방향(R1)으로 회전시킬 수 있다. 타겟(320)의 회전 속도 및 회전 각도는 공정 조건에 따라 달라질 수 있으며, 특정 속도 및 각도에 한정되는 것은 아니다. 즉, 복수의 제3 영역(S3a, S3b)은 타겟(320)이 회전할 수 있는 공간일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 타겟(320)은 반시계 방향으로도 회전될 수도 있다. 상기 타겟(320)의 회전에 의해 기판(s)의 박막은 보다 균등하게 형성될 수 있다. 또한, 제1 영역(S1)에서 스퍼터링 공정에 의해 산화 물질이 형성된 타겟(320)의 일부 표면은 회전에 의해 제2 영역(S2)에 위치할 수 있으며, 프리 스퍼터링 공정에 의해 표면에 형성된 상기 산화 물질은 제거될 수 있다.
자석(330)은 타겟(320) 내부에 배치될 수 있다. 자석(330)은 타겟(320)의 일면의 중심점을 가로지르는 중심선과 나란히 타겟(320) 내부에 배치될 수 있다. 자석(330)의 길이는 타겟(320)의 내경보다 작을 수 있다. 자석(330)의 형상은 일 방향으로 연장된 막대 형상일 수 있으며, 자석(330)의 일단과 타단은 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 자석은(330)은 보다 효과적인 스퍼터링을 제공할 수 있도록, 자기장을 형성할 수 있다.
자기장 유도 부재(340)는 타겟(320)의 내부에 서로 대향되어 배치될 수 있다. 자기장 유도 부재(340) 사이에 자석(330)은 배치될 수 있다.
전원(350)은 타겟(320)에 방전 전류를 공급할 수 있다. 전원(350)은 주기성을 가진 전류의 파형을 공급할 수 있으며, 플라즈마 퍼짐 현상을 방지할 수 있는 전류를 공급할 수 있다. 예시적인 실시예에서 전원(350)은 20~80KHz의 저 주파수 교류(AC) 또는 직류 펄스(DC-Pulse)를 인가할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 하나의 제3 영역(S3a)에 배치되는 타겟(320a)은 캐소드(cathode) 전극일 수 있으며, 다른 제3 영역(S3b)에 배치되는 타겟(320b)는 애노드(anode) 전극일 수 있다. 즉, 챔버(310) 및 챔버(310) 내에 배치되는 다른 구성, 예를 들어 기판(s)에는 전극 연결과 무관할 수 있다. 이에 따라 기판(s)은 플로팅(floating)될 수 있어 전극 연결에 의한 기판(s)의 손상이 최소화될 수 있다. 즉, 공정에서 발생할 수 있는 기판(s)의 손상이 보다 최소화될 수 있다.
그 밖의 스퍼터링 방법에 대한 설명은 동일한 명칭을 갖는 도 1 내지 도 5의 스퍼터링 장치(10)의 구성에 대한 설명과 실질적으로 동일하므로 생략하도록 한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10,20: 스퍼터링 장치 110, 210: 챔버
120, 220: 대향 타겟 130, 230: 자석 유닛
140, 240: 전원 AI: 가스 주입기
AP: 진공 펌프

Claims (13)

  1. 제1 영역, 상기 제1 영역과 대향되는 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 배치되어 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 연통하는 제3 영역을 포함하는 챔버;
    상기 제3 영역에 배치되는 타겟;
    상기 타겟의 내부에 서로 대향되어 배치되는 자기장 유도 부재; 및
    상기 자기장 유도 부재 사이에 배치되는 자석을 포함하되,
    상기 제1 영역은 제1 기체가 유입되는 영역이며, 상기 제2 영역은 상기 제1 기체와 상이한 제2 기체가 유입되는 영역인 스퍼터링 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 기체는 반응성 기체이고, 상기 제2 기체는 불활성 기체인 스퍼터링 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 자석 및 상기 자기장 유도 부재는 상기 타겟에 고정되며,
    상기 타겟은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전되는 스퍼터링 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 자석은 상기 타겟의 일면의 중심점을 가로지르는 중심선과 나란히 배치되며,
    상기 자기장 유도 부재는 상기 자석과 동일한 방향으로 배열되는 스퍼터링 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 타겟에 방전 전류를 공급하는 전원,
    상기 제1 기체를 공급하는 제1 기체 공급기 및
    상기 제2 기체를 공급하는 제2 기체 공급기를 더 포함하는 스퍼터링 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 자기장 유도 부재의 두께는 상기 자석의 두께의 2배 이상인 스퍼터링 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 타겟은 캐소트 전극이며, 상기 챔버는 애노드 전극인 스퍼터링 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 자석은 일렬로 배치되며 서로 일정거리만큼 이격된 제1 서브 자석 및 제2 서브 자석을 포함하는 스퍼터링 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 자석의 두께는 상기 자기장 유도 부재의 두께의 5배 이상인 스퍼터링 장치.
  10. 제1 영역, 상기 제1 영역과 대향되는 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 배치되어 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 연통하는 복수의 제3 영역을 포함하는 챔버;
    상기 복수의 제3 영역 각각에 배치되는 타겟;
    상기 타겟의 내부에 서로 대향되어 배치되는 자기장 유도 부재; 및
    상기 자기장 유도 부재 사이에 배치되는 자석을 포함하되,
    상기 제1 영역은 제1 기체가 유입되는 영역이며, 상기 제2 영역은 상기 제1 기체와 상이한 제2 기체가 유입되는 영역인 스퍼터링 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 기체는 반응성 기체이고, 상기 제2 기체는 불활성 기체인 스퍼터링 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 하나의 제3 영역에 배치되는 타겟은 캐소트 전극이며, 다른 제3 영역에 배치되는 타겟은 애노드 전극인 스퍼터링 장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 자석 및 상기 자기장 유도 부재는 상기 타겟에 고정되며,
    상기 타겟은 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전되는 스퍼터링 장치.
KR1020140065986A 2014-05-30 2014-05-30 스퍼터링 장치 KR20150138948A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140065986A KR20150138948A (ko) 2014-05-30 2014-05-30 스퍼터링 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140065986A KR20150138948A (ko) 2014-05-30 2014-05-30 스퍼터링 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150138948A true KR20150138948A (ko) 2015-12-11

Family

ID=55020201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140065986A KR20150138948A (ko) 2014-05-30 2014-05-30 스퍼터링 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150138948A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115747741A (zh) * 2022-11-17 2023-03-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 溅射镀膜设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115747741A (zh) * 2022-11-17 2023-03-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 溅射镀膜设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100912756B1 (ko) 위치 제어 이중 마그네트론
CN105463394B (zh) 溅射装置
TWI409353B (zh) Magnetic field generating device, magnetron cathode and sputtering device
TWI428953B (zh) 藉由電子迴旋共振使用基本電漿源以處理至少一零件的表面之方法及裝置
JP2003268543A (ja) Ｒｍｉｍ電極及びその製造方法、並びにこれを備えたスパッタリング装置
JP2005526916A (ja) 小型遊星マグネトロン
CN1606795A (zh) 用于等离子体溅射的与旋转磁控管结合的磁体阵列
KR20070112187A (ko) 마그네트론 스퍼터링 챔버 상의 스플릿 자석링
TWI464285B (zh) 成膜方法及成膜裝置
CN103374705A (zh) 一种磁控溅射装置
US10982318B2 (en) Arc evaporation source
JP2013139642A (ja) スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置
KR20110033184A (ko) 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법
KR20140053665A (ko) 마그넷 유닛을 이용하는 스퍼터링 장치 및 방법
KR101724375B1 (ko) 나노구조 형성장치
KR20150138948A (ko) 스퍼터링 장치
JP7326036B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置用のカソードユニット
KR102171588B1 (ko) 스퍼터링 장치 및 방법
JP5880474B2 (ja) 真空成膜装置
JP2012164677A (ja) イオンガン、及び成膜装置
JP2005232554A (ja) スパッタ装置
JP2008223112A (ja) プラズマ処理装置
JP2011017088A (ja) スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置
TWI686488B (zh) 碳膜之成膜方法
KR101629131B1 (ko) 아크식 증발원

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination