KR20150100609A - 액상 에폭시 수지 조성물 - Google Patents
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Abstract
무기 필러를 함유하고 있어도 에폭시 수지 조성물의 유동성이 좋고, 또한, 보존 중에서의 증점 억제에 의해 포트라이프가 긴 액상 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. (A) 액상 에폭시 수지, (B) 아민 화합물의 에폭시 어덕트 경화제, (C) 무기 필러, (D) 붕산트리이소프로필 및 (E) 페놀 수지를 포함하고, 액상 에폭시 수지 조성물 : 100질량부에 대해, (C)성분이 20 내지 65질량부이고, (D)성분이 0.02 내지 0.15질량부이고, (E)성분이 0.3 내지 15.0인 것을 특징으로 하는, 액상 에폭시 수지 조성물이다.
Description
본 발명은, 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 특히, 유동성에 우수하고, 또한 낮은 선팽창계수인 것을 특징으로 하는 언더필재나 전자부품용 접착제로서 사용 가능한 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
근래, 전자기기의 더 한층 배선 등의 고밀도화, 고주파화에 대응 가능한 반도체 칩의 실장 방식으로서, 플립 칩 본딩이 이용되고 있다. 플립 칩 실장에서는, 반도체 칩과 기판을 직접 접속하기 때문에, 실리콘 칩과 기판의 선팽창계수의 차이에 기인하는 응력에 의해, 접속부에 크랙이 발생할 우려가 있고, 접속 신뢰성 불량의 원인이 된다. 그 대책으로서, 언더필재라고 불리는 액상 밀봉재를 반도체 칩과 배선 기판의 사이에 충전하는 기술이 이용되고 있다. 언더필재를 사용함에 의해, 히트 사이클 등의 열적 응력에 대한 접속 신뢰성 및 충격이나 절곡 등의 물리적 응력에 대한 접속 신뢰성을 향상하는 것이 가능해진다.
여기서, 실리콘 칩의 선팽창계수는 4ppm/℃이고, 기판, 예를 들면, 유리 에폭시기판의 선팽창계수는 20ppm/℃이다. 언더필재는, 일반적으로, 이 선팽창계수의 차이를 흡수하기 위해 무기 필러를 혼합하고 있고, 무기 필러로서는, 실리카 필러가 통상 이용되고 있다.
또한, 언더필재로는, 저온 경화 가능한 수지로서, 에폭시-이미다졸 경화계가 사용되고 있지만, 이 수지계에, 상술한 언더필재의 선팽창계수를 내리는 목적으로 실리카 필러를 첨가한 때에, 언더필재의 유동성이 열화된다 라는 문제가 있다. 이 유동성 열화의 원인으로서는, 언더필재 중에서의 수지 성분과 실리카 필러와의 분산 상태가 불균일한 것이 생각되어 질 수 있다.
이 실리카 필러를 첨가한 때의 언더필재의 유동성의 열화 개선을 목적으로 하여, 인산에스테르를 함유하는 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 보고되어 있다(특허 문헌 1, 특허 문헌 2).
그러나, 에폭시 수지 조성물에 인산에스테르를 함유시키면, 에폭시 수지 조성물의 보존 중에서의 점도 상승이 커지고, 포트라이프(pot life)가 짧아진다 라는 문제가 있다. 이 실리카 필러를 첨가한 에폭시 수지 조성물로의 포트라이프에 관한 문제는, 언더필재 용도 이외의 광반도체 등의 전자부품용의 접착제로서 사용할 때에도 문제가 된다.
본 발명은, 무기 필러를 함유하고 있어도 에폭시 수지 조성물의 유동성이 좋고, 또한, 보존 중에서의 증점 억제에 의해 포트라이프가 긴 액상 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이하의 구성을 구비함으로써 상기 문제를 해결한 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
[1] (A) 액상 에폭시 수지, (B) 아민 화합물의 에폭시 어덕트 경화제 또는 마이크로캡슐화 이미다졸 화합물 경화제, (C) 무기 필러, (D) 붕산트리이소프로필 및 (E) 페놀 수지를 포함하며, 액상 에폭시 수지 조성물 : 100질량부에 대해, (C)성분이 20 내지 65질량부이고, (D)성분이 0.02 내지 0.30질량부이고, (E)성분이 0.3 내지 15.0인 것을 특징으로 하는, 액상 에폭시 수지 조성물.
[2] 상기 [1]에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 언더필재.
[3] 상기 [1]에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 접착제.
[4] 상기 [2]에 기재된 언더필재의 경화물을 포함하는 반도체 장치.
[5] 상기 [3]에 기재된 접착제의 경화물을 포함하는 반도체 장치.
본 발명 [1]에 의하면, 무기 필러를 함유하고 있어도 유동성이 좋고, 또한 보존 중의 증점의 억제에 의해 포트라이프가 긴 액상 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명 [4] 및 [5]에 의하면, 무기 필러를 함유하는 경화된 에폭시 수지 조성물의 적당한 열팽창계수에 의해, 고신뢰성의 반도체 장치를 얻을 수 있다.
도 1은 액상 에폭시 수지 조성물의 주입성의 평가방법을 설명하는 모식도.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물(이하, 수지 조성물이라고 한다)은, (A) 액상 에폭시 수지, (B) 아민 화합물의 에폭시 어덕트 경화제 또는 마이크로캡슐화 이미다졸 화합물 경화제, (C) 무기 필러, (D) 붕산트리이소프로필 및 (E) 페놀 수지를 포함하고,
액상 에폭시 수지 조성물 : 100질량부에 대해, (C)성분이 20 내지 65질량부이고, (D)성분이 0.02 내지 0.15질량부이고, (E)성분이 0.3 내지 15.0인 것을 특징으로 한다.
(A)성분은 수지 조성물에 접착성, 경화성을 부여하고, 경화 후의 수지 조성물에 내구성, 내열성을 부여한다. (A)성분으로서는, 액상 비스페놀A형 에폭시 수지, 액상 비스페놀F형 에폭시 수지, 액상 나프탈렌형 에폭시 수지, 액상 아미노페놀형 에폭시 수지, 액상 수첨(水添) 비스페놀형 에폭시 수지, 액상 지환식 에폭시 수지, 액상 알코올에테르형 에폭시 수지, 액상 환상지방족형 에폭시 수지, 액상 플루오렌형 에폭시 수지, 액상 실록산계 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 액상 비스페놀A형 에폭시 수지, 액상 비스페놀F형 에폭시 수지, 액상 나프탈렌형 에폭시 수지가, 접착성, 경화성, 내구성, 내열성의 관점에서 바람직하다. 또한, 에폭시 당량(當量)은, 점도 조정의 관점에서, 80 내지 250g/eq가 바람직하다. 시판품으로서는, 신닛테쓰화학제 비스페놀F형 에폭시 수지(품명 : YDF8170), DIC제 비스페놀A형 에폭시 수지(품명 : EXA-850CRP), 신닛테쓰화학제 비스페놀F형 에폭시 수지(품명 : YDF870GS), DIC제 나프탈렌형 에폭시 수지(품명 : HP4032D), 미쓰비시화학제 아미노페놀형 에폭시 수지(그레이드 : JER630, JER630LSD), 모멘티부·파포만스제 실록산계 에폭시 수지(품명 : TSL9906), 신닛테쓰화학주식회사제 1, 4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르(품명 : ZX1658GS) 등을 들 수 있다. (A)성분은, 단독으로도 2종 이상을 병용하여도 좋다.
(B)성분은, 80 내지 100℃ 정도의 저온에서의 경화를 가능하게 한다. (B)성분의 아민 화합물의 에폭시 어덕트는, 아민 화합물과 에폭시 수지와의 반응에 의해 합성된 아미노기를 갖는 화합물이다.
아민 화합물로서는, 에폭시기와 부가반응할 수 있는 활성 수소를 분자 내에 1개 이상 갖는 것이면 좋고, 특히 한정되지 않는다. 아민 화합물로서는, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, n-프로필아민, 2-히드록시에틸아미노프로필아민, 시클로헥실아민, 4, 4'-디아미노-디시클로헥실메탄 등의 지방족 아민 화합물 ; 4, 4'-디아미노디페닐메탄, 2-메틸아닐린 등의 방향족 아민 화합물 ; 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-이소프로필이미다졸 등의 이미다졸 화합물 ; 이미다졸린, 2-메틸이미다졸린, 2-에틸이미다졸린 등의 이미다졸린 화합물 등을 들 수 있다.
에폭시 화합물로서는, 1, 2-에폭시부탄, 1, 2-에폭시헥산, 1, 2-에폭시옥탄, 스티렌옥시드, n-부틸글리시딜에테르, 헥실글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 구리시질아세테이트 등을 들 수 있다.
(B)성분의 마이크로캡슐화 이미다졸 화합물 경화제로서는, 우레탄 수지 등으로 마이크로캡슐화된 이미다졸 화합물 경화 촉진제가, 보존 안정성의 관점에서 바람직하고, 액상 비스페놀A형 등의 액상 에폭시 수지 중에 분산되고, 마스터 배치화된, 마이크로캡슐화 이미다졸 화합물 경화 촉진제가, 작업성, 경화 속도, 보존 안정성의 점에서 보다 바람직하다. 이미다졸 경화제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2, 4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]에틸-s-트리아진, 2-페닐-4, 5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시 메틸이미다졸, 2, 3-디히드로-1H-피롤로[1, 2-a]벤즈이미다졸 등을 들 수 있고, 2, 4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]에틸-s-트리아진, 2, 4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1)-에틸-s-트리아진, 2, 4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 등이, 경화 속도, 작업성, 내습성의 관점에서 바람직하다.
(B)성분의 시판품으로서는, 아지노모토파인테크노제 아민어덕트계 잠재성 경화제(품명 : 아미큐어PN-23, 아미큐어PN-40), T&K TOKA제 잠재성 경화제(품명 : 후지큐어FX-1000), 아사히카세이이마테리알즈제 마이크로캡슐화 이미다졸 화합물 잠재성 경화제(제품명 : 노바큐어 HX3941HP, 노바큐어 HX3088, 노바큐어 HX3722)를 들 수 있다. (B)성분은, 단독으로도 2종 이상을 병용하여도 좋다.
(C)성분에 의해, 수지 조성물의 선팽창계수를 제어할 수 있다. (C)성분으로서는, 콜로이달 실리카, 소수성 실리카, 미세 실리카, 나노 실리카 등의 실리카 필러, 아크릴 비즈, 유리 비즈, 우레탄 비즈, 벤트나이트, 아세틸렌블랙, 케첸블랙 등을 들 수 있다. 또한, (C)성분의 평균 입경(입상이 아닌 경우는, 그 평균 최대경)은, 특히 한정되지 않지만, 0.01 내지 50㎛인 것이, 수지 조성물 중에 충전제를 균일하게 분산시킴에 있어서 바람직하고, 또한, 수지 조성물을 언더필재로서 사용한 때의 주입성에 우수하다는 등의 이유로 바람직하다. 0.01㎛ 미만이면, 수지 조성물의 점도가 상승하여, 언더필재로서 사용할 때에 주입성이 악화할 우려가 있다. 50㎛ 초과면, 수지 조성물 중에 충전제를 균일하게 분산시키는 것이 곤란해질 우려가 있다. 또한, 경화 후의 수지 조성물의 열 스트레스로부터, 동제(銅製) 와이어를 보호한 관점에서, (C)성분의 평균 입경은, 0.6 내지 10㎛이면 보다 바람직하다. 시판품으로서는, 아도마텍스제 고순도 합성 구상(球狀) 실리카(품명 : SO-E5, 평균 입경 : 2㎛ ; 품명 : SE-2300, 평균 입경 : 0.6㎛), 다쓰모리제 실리카(품명 : FB7SDX, 평균 입경 : 10㎛), 마이쿠론제 실리카(품명 : TS-10-034P, 평균 입경 : 20㎛) 등을 들 수 있다. 여기서, 충전제의 평균 입경은, 동적 광산란식 나노 트랙 입도 분석계에 의해 측정한다. (C)성분은, 단독으로도 2종 이상을 병용하여도 좋다.
(D)성분은, 화학식(1) :
로 나타나는 붕산트리이소프로필이고, 수지 조성물 중의 수지 성분과 실리카 필러와의 젖음성을 높게 하여, 수지 성분과 실리카 필러와의 분산 상태를 개선시켜서, 또한, 액상 에폭시 수지 조성물의 보존 중의 증점을 억제하고, 포트라이프를 길게 할 수 있다. (D)성분은, 예를 들면, 와코준야쿠공업으로부터 시판되고 있는 시약을 사용하면 좋다.
(E)성분은, 에폭시 수지 조성물의 보존 중에서의 증점을 억제한다. (E)성분으로서 사용되는 페놀 수지는, 수지 조성물 중에서 특정량 함유됨에 의해, 경화 지연제로서 작용한다. 페놀 수지로서는, 페놀노볼락, 크레졸노볼락, 알릴페놀 등을 들 수 있다. 20℃에서 액상이기 때문에, 페놀노볼락이 바람직하다. 시판품으로서는, 메이와화성제 페놀노볼락(품명 : MEH8005)을 들 수 있다.
(B)성분은, 양호한 반응성, 신뢰성의 관점에서, 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 5 내지 35질량부면 바람직하고, 7 내지 30질량부면 보다 바람직하다.
(C)성분은, 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 20 내지 65질량부이고, 바람직하게는 30 내지 60질량부, 보다 바람직하게는, 30 내지 40질량부 함유된다. 30 내지 40질량부면, 선팽창계수를 내릴 수 있고, 또한 주입성의 악화를 내릴 수 있다.
또한, (C)성분은, 수지 조성물의 경화물 : 100질량부에 대해, 20 내지 65질량부이고, 바람직하게는 30 내지 60질량부, 보다 바람직하게는 30 내지 40질량부 함유된다. 여기서, 수지 조성물은, 경화시의 질량 감소가 약 1 내지 2 질량%로 적기 때문에, 경화물 중에서의 바람직한 (C)성분의 함유량은, 수지 조성물 중에서의 함유량과 마찬가지이다. 여기서, (C)성분의 정량 분석은, 질량 분석법으로 행한다.
(D)성분은, 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 0.02 내지 0.30질량부이고, 0.02 내지 0.15질량부면 바람직하고, 0.02 내지 0.06질량부면 보다 바람직하다. 0.02질량부 이상이면, 주입성이 양호하고, 0.30질량부 이하면, 경화 후의 수지 조성물의 강도가 충분하다.
또한, (D)성분은, 수지 조성물의 경화물 : 100질량부에 대해, 0.02 내지 0.30질량부이고, 0.02 내지 0.15질량부면 바람직하고, 0.02 내지 0.06질량부면 보다 바람직하다. 여기서, (D)성분의 정량 분석은, 질량 분석법으로 행한다.
(E)성분은, 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 0.3 내지 15.0질량부면 바람직하다. (E)성분이 0.3질량부 미만에서는, 경화 후의 수지 조성물에 색 얼룩 등 외관 불량이 발생하고, 15질량부를 초과하면, 경화성이 저하되어 버려, 소요시간에서 경화가 불충분하기 때문에, 경화 후의 수지 조성물의 강도가 저하되어 버린다.
또한, (E)성분은, 수지 조성물의 경화물 : 100질량부에 대해, 0.3 내지 15.0질량부면 바람직하다. 여기서, (E)성분의 정량 분석은, 질량 분석법으로 행한다.
수지 조성물은, 또한, (F)성분인 커플링제를 함유하면, 밀착성의 관점에서 바람직하고, (F)성분으로서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸트리메톡시실란, 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있고, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란이, 밀착성의 관점에서 바람직하다. 시판품으로서는, 신에쓰화학공업제 KBM403, KBE903, KBE9103 등을 들 수 있다. (F)성분은, 단독으로도 2종 이상을 병용하여도 좋다.
(F)성분은, 수지 조성물 : 100질량부에 대해, 바람직하게는 0.05 내지 15질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10질량부 함유된다. 0.05질량부 이상이면, 밀착성이 향상되고, 15질량부 이하면, 수지 조성물의 발포가 억제된다.
본 발명의 수지 조성물에는, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 또한 필요에 응하여, 레벨링제, 착색제, 이온 트랩제, 소포제, 난연제, 기타의 첨가제 등을 배합할 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은, 예를 들면, (A)성분 내지 (E)성분 및 기타의 첨가 등을 동시에 또는 제각기, 필요에 따라 가열 처리를 가하면서, 교반, 용융, 혼합, 분산시킴에 의해 얻을 수 있다. 이들의 혼합, 교반, 분산 등의 장치로서는, 특히 한정되는 것은 아니지만, 교반, 가열 장치를 구비한 라이카이기, 3본(本)롤밀, 볼밀, 플라네터리 믹서, 비즈밀 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 장치를 적절히 조합시켜서 사용하여도 좋다.
본 발명의 수지 조성물은, 온도 : 25℃에서의 점도가 1000 내지 80000m㎩·s이면, 주입성의 관점에서 바람직하다. 여기서, 점도는, 토키산업사제 E형 점도계(형번 : TVE-22H)로 측정한다.
본 발명의 수지 조성물은, 디스펜서, 인쇄 등으로, 기판이나 광반도체 등의 전자부품의 소망하는 위치에 형성·도포된다. 여기서, 수지 조성물이 언더필재로서 사용되는 경우에는, 플렉시블 배선 기판 등의 기판과 반도체 소자와의 사이에, 적어도 일부가 기판의 배선상에 접하도록 형성한다.
본 발명의 수지 조성물의 경화는, 80 내지 300℃가 바람직하고, 또한, 200초 이내에 경화시키면, 생산성 향상의 관점에서 바람직하다.
본 발명의 수지 조성물은, 언더필재나, 광반도체 등의 전자부품용의 접착제로서 적합하다. 또한, 언더필재의 경화물, 또는 접착제의 경화물을 포함하는, 반도체 장치는, 무기 필러가 균일하게 분산되어 있기 때문에, 고신뢰성이다.
실시례
본 발명에 관해, 실시례에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하의 실시례에서, 부(部), %는 단서가 없는 한, 질량부, 질량%를 나타낸다.
[실시례 1 내지 17, 비교례 1 내지 20]
표 1 내지 표 4에 표시하는 배합으로, 수지 조성물을 제작하였다. 제작한 수지 조성물은, 전부 액상이었다.
[점도의 평가]
제작한 직후의 수지 조성물의 점도(이하, 초기점도라고 한다. 단위 : m㎩·s)를, 토키산업사제 E형 점도계(형번 : TVE-22H)를 이용하여, 매분 10회전의 조건으로 측정하였다. 초기점도는, 1000 내지 80000m㎩·s이면 바람직하고, 1000 내지 8000m㎩·s이면 보다 바람직하다. 또한, 수지 조성물을 25℃로 48시간 유지한 후의 점도도 마찬가지로 측정하고, 점도 증가율(단위 : %)을 산출하였다. 여기서, 점도 증가율은, 하기식 :
점도 증가율 = [(48시간 후의 점도)-(초기점도)]/(초기점도)×100
으로 산출하였다. 표 1 내지 표 4에, 측정 결과를 표시한다.
[요변지수(搖變指數)의 평가]
수지 조성물의 요변지수를, 토키산업사제 E형 점도계(형번 : TVE-22H)를 이용하여 측정하였다. 요변지수는, 매분 1회전의 조건으로 구하여진 측정치를, 매분 10회전의 조건으로 구하여진 측정치로 나눈 비율, 즉, (매분 1회전에서의 점도)/(매분 10회전에서의 점도)로부터 구하였다. 요변지수의 적정 범위는, 0.8 내지 1.0이다. 표 1 내지 표 4에, 측정 결과를 표시한다.
[수지 조성물의 주입성의 평가]
도 1에, 수지 조성물의 주입성의 평가방법을 설명하는 모식도를 도시한다. 우선, 도 1(A)에 도시하는 바와 같이, 기판(20)상에 50㎛의 갭(40)을 마련하여, 반도체 소자 대신에 유리판(30)을 고정한 시험편을 제작하였다. 단, 기판(20)으로서는, FR4 기판을 사용하였다. 다음에, 이 시험편을 50℃로 설정한 핫플레이트상에 놓고, 도 1(B)에 도시하는 바와 같이, 유리판(30)의 일단측에, 제작한 수지 조성물(10)을 도포하고, 도 1(C)에 도시하는 바와 같이, 갭(40)이 수지 조성물(11)로 채워질 때까지의 시간을 측정하였다. 주입시간의 적성 범위는, 1000초 이내이다. 표 1 내지 표 4에, 주입성의 평가 결과를 표시한다.
[경화물 외관]
수지 조성물의 주입성을 평가한 시험편을 오븐에 넣고, 120℃로 3분간 가열하여, 에폭시 수지 조성물을 경화시켰다. 가열 후의 경화물 외관을 육안 관찰하였다. 경화물에 주름·유자껍질모양(柚子肌) 등 외관 불량이나 색 얼룩이 인정되지 않은 경우를 ○로 하고, 경화물에 주름·유자껍질모양 등 외관 불량이나 색 얼룩이 인정된 경우를 ×로 하였다. 표 1 내지 표 4에, 경화물 외관의 평가 결과를 표시한다.
[경화된 수지 조성물의 강도 평가]
유리 에폭시기판에 평가용 시료를 인쇄하고, 그 시료상에 2㎜×2㎜의 실리콘 칩을 재치하였다. 이것을, 80±2℃의 열풍 건조기에서 90분간 가열 경화, 또는 100±2℃의 열풍 건조기에서 90분간 가열 경화시켰다. 이것을 시험편으로 하여, dage사제 만능형 본드 테스터(형번 : DAGE4000)를 이용하여 실리콘 칩에 하중을 걸어, 칩이 박리한 때의 강도(박리 강도)를 측정하였다. n=10으로 하고, 그 평균치를 강도로 하였다. 또한, 100N 미만의 경우는, 미경화(未硬化)로 하였다. 표 1 내지 표 4에, 강도의 평가 결과를 표시한다.
표 1 내지 표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이 실시례 1 내지 17의 전부에서, 초기점도가 사용 가능 범위 내이고, 48시간 후의 점도 증가율도 4.3% 이하였다. 요변지수도 소망 범위 내이고, 주입시간도 소망 범위 내였다. 또한, 100℃로 경화하여, 경화 후의 수지 조성물의 강도도 양호하였다. 특히, (D)성분이 0.02 내지 0.12질량부의 실시례 1 내지 4, 7 내지 17은, 80℃의 저온에서도 경화하였다. 이에 대해, (D)성분을 포함하지 않은 비교례 1은, 요변지수가 높고, 주입 시험이 도중에서 종료하여 버렸다. (D)성분이 너무 적는 비교례 2는, 요변지수가 높았다. 또한, (D)성분이 너무 많은 비교례 3은, 100℃, 90분에서도 경화되지 않았다. (C)성분이 너무 많은 비교례 4는, 점도가 너무 높아 측정할 수가 없었다. (B)성분을 포함하지 않은 비교례 5는, 증점 시험 중에 고화되었다. (E)성분이 너무 적는 비교례 6은, 색 얼룩에 의한 외관 불량이 발생하였다. (E)성분이 너무 많은 비교례 7은, 초기점도가 높으며, 점도 증가율이 높고, 80℃, 90분에서 미경화 이었다. (D)성분과는 탄소수가 다른 붕산트리-n-헥사데실을 사용한 비교례 8 내지 12는, 모두 요변지수가 높고, 주입 시험이 도중에서 종료하여 버렸다. 표 4로부터 알 수 있는 바와 같이 (D)성분 대신에 테트라-n-부틸포스포늄벤조트리아졸레이트를 사용한 비교례 13 내지 17은, 모두 점도 증가율이 너무 높았다. 또한, 비교례 13은, 요변지수가 높고, 주입 시험이 도중에서 종료하여 버렸다. (B)성분 대용의 경화제를 사용한 비교례 18, 20은, 점도 증가율이 너무 높고, 또한 100℃×90분에서도 경화하지 않았다. (E)성분이 너무 많은 비교례 19도, 점도 증가율이 너무 높고, 또한 100℃×90분에서도 경화하지 않았다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명의 수지 조성물은, 무기 필러를 함유하고 있어도 유동성이 좋고, 또한 수지 조성물의 보존시의 증점을 억제하고, 포트라이프를 길게 할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 특히, 언더필재나 전자부품용 접착제로서 유용하다.
10 : 수지 조성물
20 : 기판
30 : 유리판
40 : 갭
20 : 기판
30 : 유리판
40 : 갭
Claims (5)
- (A) 액상 에폭시 수지, (B) 아민 화합물의 에폭시 어덕트 경화제 또는 마이크로캡슐화 이미다졸 화합물 경화제, (C) 무기 필러, (D) 붕산트리이소프로필 및 (E) 페놀 수지를 포함하고,
액상 에폭시 수지 조성물 : 100질량부에 대해, (C)성분이 20 내지 65질량부이고, (D)성분이 0.02 내지 0.30질량부이고, (E)성분이 0.3 내지 15.0인 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물. - 제 1항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 언더필재.
- 제 1항에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제.
- 제 2항에 기재된 언더필재의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 3항에 기재된 접착제의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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