KR20080105641A - 수직형 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/14645—Colour imagers
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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Abstract
수직형 시모스 이미지센서 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 개시된 수직형 CMOS 이미지센서는: 기판에서 소정 깊이로 수직으로 형성된 복수의 포토 다이오드; 및 상기 복수의 포토다이오드에 대응되게 형성되어 상기 포토다이오드로부터 발생하는 신호를 전송하는 복수의 신호처리 소자;를 구비한다. 상기 신호처리 소자는 대응되는 상기 포토다이오드와 실질적으로 동일한 평면에 형성된 것을 특징으로 한다.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 CMOS 이미지 센서의 평면도이다.
도 2 및 도 3은 각각 도 1의 II-II, III-III 선단면도이다.
도 4는 단위 픽셀의 등가 회로도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직형 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 단계별로 보여주는 도면이다.
본 발명은 수직으로 형성된 시모스(CMOS:상보성금속산화물반도체, Complimentary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지센서는 빛을 감지하여 전기적인 신호로 변환하는 광전 변환 소자이다. 일반적인 이미지센서는 반도체 기판 상에 행렬로 배열되는 복수개의 단위 화소들을 구비한다. 각각의 단위 화소는 포토 다이오드 및 트랜지스터들을 구비한다. 상기 포토 다이오드는 외부로부터 빛을 감지하여 광전하를 생성하여 저장한다. 상기 트 랜지스터들은 생성된 광전하의 전하량에 따른 전기적인 신호를 출력한다.
CMOS(상보성금속산화물반도체, Complimentary Metal Oxide Semiconductor) 이미지센서는 광 신호를 수신하여 저장할 수 있는 포토다이오드를 포함하고, 또한 광 신호를 제어 또는 처리할 수 있는 제어소자를 사용하여 이미지를 구현할 수 있다. 제어소자는 CMOS 제조 기술을 이용하여 제조할 수 있다. 그 결과, CMOS 이미지센서는 그 제조 공정이 단순하다는 장점을 갖고, 나아가 여러 신호 처리소자를 하나의 칩(chip)으로 제조할 수 있다는 장점을 갖고 있다.
종래의 CMOS 이미지 센서는 포토 다이오드 상에 특정 파장을 선택하는 컬러필터를 구비한다. 이 컬러필터는 포토 다이오드에 입사되는 광의 대략 2/3를 흡수하므로, 상기 포토 다이오드에 전달되는 광의 양이 줄어들며, 따라서 이미지 센서의 감도가 나빠질 수 있다.
미국출원 공개특허 제2005/0194653호에는 컬러필터를 사용하지 않는 CMOS 이미지 센서가 개시되어 있다. 이 공개특허에 개시된 CMOS 이미지 센서는 수직으로 형성된 포토 다이오드들로부터 전기적 신호를 출력하는 신호처리 배선이 복잡하며, 제조공정이 복잡할 수 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 개선하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 수직으로 형성된 포토 다이오드들과 연결되는 신호처리 제어소자를 단순화한 CMOS 이미지센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 CMOS 이미지센서를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 수직형 CMOS 이미지센서는:
기판에서 소정 깊이로 수직으로 형성된 복수의 포토 다이오드; 및
상기 복수의 포토다이오드에 대응되게 형성되어 상기 포토다이오드로부터 발생하는 신호를 전송하는 복수의 신호처리 소자;를 구비하며,
상기 신호처리 소자는 대응되는 상기 포토다이오드와 실질적으로 동일한 평면에 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 신호처리 소자는, 상기 포토다이오드로부터의 전하를 전송받는 플로팅 확산영역;을 구비하며,
상기 포토다이오드의 n형 도핑영역과 상기 플로팅 확산영역은 그들 사이의 상방에 배치되는 트랜스퍼 게이트와 함께 트랜스퍼 트랜지스터를 형성한다.
본 발명의 일 국면에 따르면, 상기 복수의 포토다이오드는, 3개의 포토다이오드이다.
상기 3개의 포토다이오드는, 각각 블루, 그린, 레드 색도를 검출하는 영역일 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 포토다이오드는 상기 n형 도핑영역과 그 주위의 p형 영역으로 구성되며, 상기 플로팅 확산영역은 n+형 도핑영역이다.
본 발명에 따르면, 상기 복수의 포토다이오드의 각 n형 도핑영역은 상기 기판의 동일한 영역에 수직으로 형성된다.
상기의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 수직형 CMOS 이미지센서의 제조방법은:
기판 상에 p형 도핑층과 n형 도핑층이 교번적으로 형성된 에피텍시층을 형성하는 제1단계;
상기 에피텍시층의 상방으로부터 p형 불순물을 임플랜테이션하여 수직으로 형성된 복수의 포토다이오드 영역 및 상기 복수의 포토다이오드 영역과 각각 연결되는 복수의 신호처리 소자영역을 한정하는 제2단계;
상기 기판의 제1표면으로부터 첫 번째의 n형 도핑층을 포함하는 제1포토다이오드와 연결되는 신호처리 소자영역을 n+도핑하는 제3단계;
상기 기판의 제1표면으로부터 2번째의 n형 도핑층을 포함하는 제2포토다이오드와 연결되는 신호처리영역을 식각하여 상기 2번째의 n형 도핑층을 노출시키는 제2표면을 형성하는 제4단계; 및
상기 제2표면에서, 상기 한정된 n형 도핑층을 n+도핑하는 제5단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 에피텍시층은 실리콘층일 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 기판의 제1표면으로부터 3번째의 n형 도핑층을 포함하는 제3포토다이오드와 연결되는 신호처리영역을 식각하여 상기 3번째의 n형 도핑층을 노출시키는 제3표면을 형성하는 단계; 및
상기 제3표면에서, 상기 한정된 n형 도핑층을 n+도핑하는 단계;를 더 구비할 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 제2단계는, 상기 제1표면에 인접한 제1포토다이오드와 같은 레벨에 형성되는 신호처리영역과, 상기 제2표면에 형성되는 신호처리 영역과, 상기 제3표면에 형성되는 신호처리영역을 한정한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수직형 CMOS 이미지센서 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 CMOS 이미지 센서의 평면도이며, 설명을 위해서 마이크로 렌즈와 상기 마이크로 렌즈 및 기판 사이의 배선은 생략하였다.
도 1을 참조하면, 실리콘 기판(10)에는 포토다이오드가 형성되는 포토다이오드 영역(P)과, 상기 포토다이오드 영역(P)과 연결되는 신호처리소자 영역(S1~S3)이 있다. 신호처리소자 영역(S1~S3)은 기판(10)의 표면에 형성된 제1영역(S1)과 상기 기판(10)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된 제2영역(S2)과, 상기 기판(10)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된 제3영역(S3)을 구비한다.
도 2 및 도 3은 각각 도 1의 II-II, III-III 선단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(10)은 p형 불순물로 도핑된 실리콘 기판(10)이며, 포토다이오드 영역(P)에는 기판(10)의 제1표면(11)으로부터 각각 제1~제3깊이(d1~d3)로 형성되며, n형 불순물로 도핑된 3개의 영역(P1~P3)이 형성되어 있다. 상기 n형 영역(P1~P3)은 기판(10)의 제1표면(11)으로부터 각각 대략 0.2㎛, 0.6㎛, 2㎛ 깊이로 형성된다. 이 깊이들은 각각 기판(10)의 제1표면(11)으로부터 블루파 장, 그린파장, 적색 파장이 많이 흡수되는 영역이다.
상기 n형 영역(P1~P3)은 각각 그 주위의 p형 영역과 함께 제1~제3포토다이오드(21,31,41)를 형성한다. 제1포토다이오드(21)는 블루 포토다이오드일 수 있으며, 제2포토다이오드(31)는 그린 포토다이오드일 수 있으며, 제3포토다이오드(41)는 레드 포토다이오드일 수 있다. 따라서, 포토다이오드(21,31,41)는 각각 n형 도핑영역(P1~P3)과 p형 기판이 결합된 pn 접합다이오드일 수 있다.
제1 포토다이오드(21)의 n형 도핑영역(P1)의 일측에는 플로팅 확산영역(23)이 형성되어 있으며, 플로팅 확산영역(23)의 측면에는 리셋 영역(25)이 형성되어 있다. 플로팅 확산영역(23)과 리셋 영역(25)은 n+형 도핑된 영역이다. 제1 포토다이오드(21)의 n형 도핑영역(P1) 및 플로팅 확산영역(23) 사이의 상방에는 트랜스퍼 게이트(24)가 형성되어 있으며, 영역(P1), 플로팅 확산영역(23) 및 트랜스퍼 게이트(24)는 트랜스퍼 트랜지스터를 형성한다.
플로팅 확산영역(23) 및 리셋 영역(25) 사이의 상방에는 리셋 게이트(26)가 형성되어 있으며, 플로팅 확산영역(23), 리셋 영역(25) 및 리셋 게이트(26)는 리셋 트랜지스터를 형성한다. 도 2에는 개시되어 있지 않지만 제1 포토다이오드(21)의 n형 도핑영역(P1) 일측에는 신호처리 제어소자로서 드라이브 트랜지스터와 셀렉트 트랜지스터를 더 구비한다.
도 4는 단위 픽셀의 등가 회로도이며, 이러한 등가 회로도는 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀인 블루 픽셀, 그린 픽셀, 및 레드 픽셀에 적용될 수 있다. 도 4를 참조하면, CMOS 이미지 센서의 블루 픽셀은 포토다이오드(PD), 트랜스퍼 트랜지스 터(transfer transistor, Tx), 리셋 트랜지스터(reset transistor, Tx), 드라이브 트랜지스터(drive transistor, Dx), 및 선택 트랜지스터(selection transistor, Sx)를 포함한다.
포토다이오드(PD)는 광 에너지를 제공받고 그에 따라 전하를 생성한다. 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 생성된 전하의 플로팅 확산 영역(floating diffusion region, FD)로의 운송을 트랜스퍼 게이트 라인(TG)에 의해 제어할 수 있다. 리셋 트랜지스터(Rx)는 입력 전원(Vdd)을 리셋 게이트 라인(RG)에 의해 제어하여 플로팅 확산영역(FD)의 전위를 리셋시킬 수 있다. 드라이브 트랜지스터(Dx)는 소스 팔로우어(source follower) 증폭기 역할을 수행할 수 있다. 선택 트랜지스터(Sx)는 선택 게이트 라인(SG)에 의해 단위 픽셀을 선택할 수 있는 스위칭 소자이다. 입력 전원(Vdd)은 드라이브 트랜지스터(Dx)와 선택 트랜지스터(Tx)를 거쳐서 출력 라인(OUT)으로 출력될 수 있다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(10)의 제1표면(11)에서 제2깊이(d2)로 식각된 제2표면(12)에서 제2포토다이오드(31)의 n형 도핑영역(P2) 일측에는 플로팅 확산영역(33)이 형성되어 있으며, 플로팅 확산영역(33)의 측면에는 리셋 영역(35)이 형성되어 있다. 플로팅 확산영역(33)과 리셋 영역(35)은 n+형 도핑된 영역이다. 제2 포토다이오드(31)의 n형 도핑영역(P2) 및 플로팅 확산영역(33) 사이의 상방에는 트랜스퍼 게이트(34)가 형성되어 있으며, 영역(P2), 플로팅 확산영역(33) 및 트랜스퍼 게이트(34)는 트랜스퍼 트랜지스터를 형성한다.
플로팅 확산영역(33) 및 리셋 영역(35) 사이의 상방에는 리셋 게이트(36)가 형성되어 있으며, 플로팅 확산영역(33), 리셋 영역(35) 및 리셋 게이트(36)는 리셋 트랜지스터를 형성한다. 도 2에는 개시되어 있지 않지만 제2 포토다이오드(31)의 n형 도핑영역(P2) 일측에는 신호처리 제어소자로서 드라이브 트랜지스터와 셀렉트 트랜지스터를 더 구비한다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 제2깊이(d2)로 식각된 기판(10)의 제2표면(12) 보다 더 깊은 제3깊이(d3)로 식각된 기판(10)의 제3표면(13)에 n형 불순물로 도핑된 영역(P3)이 형성되어 있다. 영역(P3)과 그 주위의 p형 영역은 은 제3포토다이오드(41)를 구성한다. 제3 포토다이오드(41)의 n형 도핑영역(P3) 일측에는 플로팅 확산영역(43)이 형성되어 있으며, 플로팅 확산영역(43)의 측면에는 리셋 영역(45)이 형성되어 있다. 플로팅 확산영역(43)과 리셋 영역(45)은 n+형 도핑된 영역이다. 제1 포토다이오드(41) 및 플로팅 확산영역(43) 사이의 상방에는 트랜스퍼 게이트(44)가 형성되어 있으며, 영역(P3), 플로팅 확산영역(43) 및 트랜스퍼 게이트(44)는 트랜스퍼 트랜지스터를 형성한다.
플로팅 확산영역(43) 및 리셋 영역(45) 사이의 상방에는 리셋 게이트(46)가 형성되어 있으며, 플로팅 확산영역(43), 리셋 영역(45) 및 리셋 게이트(46)는 리셋 트랜지스터를 형성한다. 도 3에는 개시되어 있지 않지만 제3 포토다이오드(41)의 n형 도핑영역(P3) 일측에는 신호처리 제어소자로서 드라이브 트랜지스터와 셀렉트 트랜지스터를 더 구비한다.
제1~제3 포토다이오드(21,31,41)는 기판(10)에서 수직으로 형성되며, 서로 대응되는 같은 영역에 형성되어 있다. 각 포토다이오드에 연결되는 신호처리소자는 실질적으로 대응되는 포토다이오드와 같은 평면에 있으며, 이들 신호처리 소자는 각각 노출된 표면에 형성되므로, 종래와 같이 외부연결을 위한 수직 배선을 필요로 하지 않는다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직형 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 단계별로 보여주는 도면이다. 상기 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 5a를 참조하면, 기판(110) 상에 실리콘층을 에피텍셜 성장시키면서 p 도핑과 n 도핑을 교대로 한다. 이에 따라서, 기판(110) 상에는 제1~제4 p 도핑층(111~114)이 형성되며, p 도핑층들(111~114) 사이에는 제1~제3 n 도핑층(121~123)이 형성된다. 제1~제3 n 도핑층(121~123)은 제4 p 도핑층(114)의 제1표면(11)으로부터 각각 2㎛, 0.6㎛, 0.2㎛ 깊이가 되게 형성할 수 있다. 상기 깊이는 에피텍셜 물질과 픽셀의 컬러에 따라서 달라질 수 있다. 상기 기판(110)은 상기 에피텍셜된 층들과 같은 격자상수를 가진 물질, 예컨대 실리콘 기판일 수 있다.
이러한 실리콘 도핑층의 제조는 도핑 물질을 교환하면서 한 번의 실리콘 에피텍셜 공정으로 할 수 있는 장점이 있다. 또한, 에피텍시 성장중 도핑 농도 조절로 포텐셜 프로파일을 조절할 수 있어 종래의 임플랜테이션 및 열처리에 의한 도핑층 형성 보다 더 정밀하게 그리고 재현성 있게 도핑층을 형성할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 포토다이오드 영역(P)과, 신호처리 소자영역(S1~S3)의 플로팅 확산영역(23,33,43(도 5d 참조))과 리셋 영역(25,35,45(도 5d 참조))을 한정하도록 이들 영역을 제외한 영역에 p형 도전성 이온을 임플랜테이션을 한다. 도 5b 에는 신호처리 소자영역(S1, S2)만 도시하였으며, 신호처리 소자영역(S3)은 도 5d를 참조한다.
상기 포토다이오드 영역(P)에 한정되는 n형 도핑층들(P1, P2, P3)은 기판(110)에서 실질적으로 동일한 영역에서 형성된다.
이어서, 신호처리 소자영역(S1)의 플로팅 확산영역(23)과 리셋 영역(25)을 제1표면(11)으로부터 n+ 이온 임플랜테이션한다. 도 5b에는 도시하지 않았지만, 드라이브 트랜지스터와 셀렉트 트랜지스터의 전극영역도 같은 방식으로 p형 임플랜테이션 공정 및 n+ 이온 임플랜테이션 공정을 할 수 있다. 이러한 n+ 도핑은 플로팅 확산영역(23)과 리셋 영역(25)의 n 도핑이온의 농도를 높여서 제1 포토 다이오드(21)에서 모여진 전하가 전위차에 의해서 플로팅 확산영역(23)과 리셋 영역(25)으로 이동되게 한다.
포토다이오드 영역(P)에서, 제3 n 도핑영역(P1)과 그 주위의 p형영역은 제1 포토다이오드(21)을 형성하며, 제2 n 도핑영역(P2)과 그 주위의 p형 영역은 제2 포토다이오드(31)을 형성하며, 제1 n 도핑영역(P3)과 그 위의 p형 영역은 제3 포토다이오드(41)을 형성한다. 이들 제1~제3 포토다이오드(21, 31, 41)은 pn 접합 다이오드가 될 수 있다.
도 5c를 참조하면, 포토다이오드 영역(P)과 제1 신호처리 소자영역(S1)과, 제3 신호처리영역(S3, 도 5d 참조) 상에 감광제(130)를 형성한다. 이어서 감광제(130)로 덮히지 않은 제2 신호처리 소자영역(S2)의 제2 n 도핑층(122)이 노출되도록 기판(110)을 식각한다. 이어서, 제2 신호처리 소자영역(S2)의 플로팅 확산영 역(33)과 리셋 영역(35)을 n+ 도핑한다. 도 5c에는 도시하지 않았지만, 제2 신호처리 소자영역(S2)의 드라이브 트랜지스터와 셀렉트 트랜지스터의 전극영역도 같은 방식으로 n+ 도핑을 할 수 있다.
도 5d를 참조하면, 포토다이오드 영역(P)과 제1 신호처리 소자영역(S1)과, 제2 신호처리 소자영역(S2) 상에 감광제(140)를 형성한다. 이어서 감광제(140)로 덮히지 않은 영역인 제3 신호처리 영역(S3)의 제1 n 도핑층(121)이 노출되도록 식각한다. 이어서, 제3 신호처리 소자영역(S3)의 플로팅 확산영역(43)과 리셋 영역(45)을 n+ 도핑한다. 도 5d에는 도시하지 않았지만, 제3 신호처리 소자영역(S3)의 드라이브 트랜지스터와 셀렉트 트랜지스터의 전극영역도 같은 방식으로 n+ 도핑을 할 수 있다.
이어서 기판 상에 유전층과 배선을 형성하는 것은 잘알려진 CMOS 공정으로 수행하며 상세한 설명은 생략한다.
상기 제조방법에서는 n+ 도핑공정과 식각 공정을 제1표면으로부터 순차적으로 하였지만 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 제3 신호처리 소자 영역을 위한 식각공정을 제2 신호처리 소자 영역을 위한 식각공정 보다 먼저 수행할 수 있다. 그리고, n+ 도핑공정도 식각공정을 모두 마친 후에 수행할 수도 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 수직형 CMOS 이미지 센서는 하나의 포토 다이오드 영역에 3개의 픽셀의 광을 검출하므로 단위면적당 광검출 효율이 높다. 또한, 컬러필터를 사용하지 않으므로 광감도가 향상되고, 다이나믹 레인 지가 넓다. 또한, 신호처리 소자영역과 포토 다이오드 영역이 같은 평면에 형성되므로 이들 신호처리 소자영역과 포토 다이오드 영역을 연결하기 위한 배선이 불필요하므로 컴팩트한 CMOS 이미지 센서의 제조가 가능해진다.
본 발명의 수직형 CMOS 이미지 센서는 한 번의 에피텍셜 공정과 p형 임플랜테이션으로 소자 영역을 형성하므로 공정이 간단한 장점이 있다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.
Claims (10)
- 기판에서 소정 깊이로 수직으로 형성된 복수의 포토 다이오드;상기 복수의 포토다이오드에 대응되게 형성되어 상기 포토다이오드로부터 발생하는 신호를 전송하는 복수의 신호처리 소자;를 구비하며,상기 신호처리 소자는 대응되는 상기 포토다이오드와 실질적으로 동일한 평면에 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 CMOS 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 신호처리 소자는, 상기 포토다이오드로부터의 전하를 전송받는 플로팅 확산영역;을 구비하며,상기 포토다이오드의 n형 도핑영역과 상기 플로팅 확산영역은 그들 사이의 상방에 배치되는 트랜스퍼 게이트와 함께 트랜스퍼 트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 포토다이오드는, 3개의 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 3 항에 있어서,상기 3개의 포토다이오드는, 각각 블루, 그린, 레드 색도를 검출하는 영역인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 포토다이오드는 상기 n형 도핑영역과 그 주위의 p형 영역으로 구성되며, 상기 플로팅 확산영역은 n+형 도핑영역인 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 포토다이오드의 각 n형 도핑영역은 상기 기판의 동일한 영역에 수직으로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 기판 상에 p형 도핑층과 n형 도핑층이 교번적으로 형성된 에피텍시층을 형성하는 제1단계;상기 에피텍시층의 상방으로부터 p형 불순물을 임플랜테이션하여 수직으로 형성된 복수의 포토다이오드 영역 및 상기 복수의 포토다이오드 영역과 각각 연결되는 복수의 신호처리 소자영역을 한정하는 제2단계;상기 기판의 제1표면으로부터 첫 번째의 n형 도핑층을 포함하는 제1포토다이오드와 연결되는 신호처리 소자영역을 n+도핑하는 제3단계;상기 기판의 제1표면으로부터 2번째의 n형 도핑층을 포함하는 제2포토다이오드와 연결되는 신호처리영역을 식각하여 상기 2번째의 n형 도핑층을 노출시키는 제 2표면을 형성하는 제4단계; 및상기 제2표면에서, 상기 한정된 n형 도핑층을 n+도핑하는 제5단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직형 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 에피텍시층은 실리콘층인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 기판의 제1표면으로부터 3번째의 n형 도핑층을 포함하는 제3포토다이오드와 연결되는 신호처리영역을 식각하여 상기 3번째의 n형 도핑층을 노출시키는 제3표면을 형성하는 단계; 및상기 제3표면에서, 상기 한정된 n형 도핑층을 n+도핑하는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 수직형 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제2단계는, 상기 제1표면에 인접한 제1포토다이오드와 같은 레벨에 형성되는 신호처리영역과, 상기 제2표면에 형성되는 신호처리 영역과, 상기 제3표면에 형성되는 신호처리영역을 한정하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070053473A KR20080105641A (ko) | 2007-05-31 | 2007-05-31 | 수직형 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
| US12/005,369 US20080296475A1 (en) | 2007-05-31 | 2007-12-27 | Vertical image sensors and methods of fabricating the same |
| JP2008140068A JP2008300835A (ja) | 2007-05-31 | 2008-05-28 | 垂直型ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070053473A KR20080105641A (ko) | 2007-05-31 | 2007-05-31 | 수직형 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080105641A true KR20080105641A (ko) | 2008-12-04 |
Family
ID=40087055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070053473A KR20080105641A (ko) | 2007-05-31 | 2007-05-31 | 수직형 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080296475A1 (ko) |
| JP (1) | JP2008300835A (ko) |
| KR (1) | KR20080105641A (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9525006B2 (en) | 2014-06-13 | 2016-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Stacked type image sensor including color separation element and image pickup apparatus including the stacked type image sensor |
| US10645321B2 (en) | 2011-12-19 | 2020-05-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus |
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| CN101459184B (zh) * | 2007-12-13 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 在cmos上感测图像的***和方法 |
| JP4900404B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2012-03-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| JP5132640B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2015228388A (ja) * | 2012-09-25 | 2015-12-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
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| JP6607777B2 (ja) | 2015-12-28 | 2019-11-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6920110B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2021-08-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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2007
- 2007-05-31 KR KR1020070053473A patent/KR20080105641A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-12-27 US US12/005,369 patent/US20080296475A1/en not_active Abandoned
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2008
- 2008-05-28 JP JP2008140068A patent/JP2008300835A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080296475A1 (en) | 2008-12-04 |
| JP2008300835A (ja) | 2008-12-11 |
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