KR20080049771A - 카비도니트리도실리케이트 발광 물질 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고 에너지 여기 방사선에 의해 여기시 하나 이상의 여기 방사선을 흡수함으로써 에너지 부족 방사 방사선을 방출하는 도핑된 호스트 격자로 구성되는 발광 물질에 관한 것이다. 본 발명에 따라 호스트 격자는 카비도니트리도실리케이트계 화합물의 형태로 구체화된다. 백색 광을 발생시키는데 사용되며 광 방사 원소 및 발광 물질을 포함하는 발광체도 기술한다.

Description

카비도니트리도실리케이트 발광 물질{CARBIDONITRIDOSILICATE LUMINESCENT SUBSTANCE}

본 발명은 고 에너지 여기 방사선을 효과적으로 흡수할 수 있고 이를 고 효율로 저 에너지 방출 방사선으로 전환시킬 수 있는 무기 발광 물질에 관한 것이다. UV 방사선 또는 블루 라이트(blue light)가 여기 방사선으로서 적합하며 방사선의 전환 후 가시 스펙트럼의 그린, 오렌지 및/또는 레드 영역에서 방출이 일어난다.

무기 발광 물질이 비가시 방사선 이미지(예를 들면, 방사선 진단 또는 디스플레이 기술 분야에서)를 가시화하는데 및 일반 조명(예를 들면, 형광 램프에 또는 백색 LED를 생산하는데)에 유리하게 사용할 수 있다는 것은 오래전부터 알려진 사실이다. 이러한 발광 물질은 통상 특수한 원소로 도핑된 호스트 격자를 가지고 있다. 지금까지는 대부분 황화물, 할로겐화물 및 산화물이 산업 용도에서 이러한 발광단용 호스트 격자로서 사용되었지만 산소 함유 산의 착염( 붕산염, 알루미늄산염, 규산염, 인산염, 몰리브덴산염, 텅스텐산염 등)도 아주 광범위하게 사용되고 있다.

근년에 이르러서야 효율적인 발광 물질의 합성용 호스트 격자로서 니트라이드성 물질( 예를 들면, EP 1 104 799 A1 및 EP 1 238 041 B1에서 Hintzen 등이 기 술한 M = Ca, Sr, Ba인 M₂Si₅N₅:Eu²+타입의 레드 방출 화합물과 같은 물질) 및 옥시니트라이드성 물질(예를 들면 WO 2004/030109 A1에서 Delsing 등에 따른 블루, 그린 및 옐로우 방출 유로퓸 도핑된 MSi₂O₂N₂ 화합물, 여기서 M = Ca, Sr, Ba이다)도 개발할 수 있게 되었다. 그 이후 이러한 발광단에 대한 관심은 특히 백색 LED의 생산을 위한 전환 발광 물질로서 유용하게 사용하는 것과 관련하여 크게 증가하였다. 이는 특히 화학 결합의 높은 공유 원자가 및 기본 격자의 입증된 현저한 강성으로 인해 이러한 유형의 물질에서 특히 높은 화학적 및 열적 안정성이 기대되기 때문이다. 대부분의 설파이드성 및 산소 위주 전환 발광 물질의 단점은 주로 이들의 발광 효율이 통상 100℃를 초과하는 온도에서 급속히 하강한다는 것이다. 그러나, 더욱 진보된 백색 LED를 더욱 높은 와트량으로 생산하기 위해서는 크게 향상된 열적 안정성을 지닌 전환 발광 물질이 필요하다.

반면, 이런 맥락에서 현재 블루 방사 LED와 함께 백색광을 발생시키는데 사용되는 산업적으로 사용되는 모든 무기 전환 발광 물질(알루미늄산 이트륨, 티오갈산염, 알칼리토 황산염, 알칼리토 규산염, 질산염, 옥시질산염)은 예외없이 극히 확장된 밴드 방사를 갖는 Eu^{2 +} 및/또는 Ce^{3 +}이다. 외부 결정장에 의해 영향을 쉽게 받음으로써 자연히 존재할 수 있는 소광(extinction) 중심에 의해서도 쉽게 영향을 받는 전자 5d-4f 전이는 이러한 발광 물질의 특성이다. 상황은 형광 램프에서 발광단을 사용할 때와는 근본적으로 다르다. 이 경우, 레드 및 그린 성분으로서 사용되 는 주 물질이 관찰되는 발광 현상이 외부 결정장의 효과에 대해 차단되는 4f 전자(4f-4f 전이) 간의 전이에 기인하는 선(line) 방사 발광 물질이다.

고 공유 결합 성분은 또한 최근에야 발견된 화합물의 또 다른 부류의 특성이기도 하다. 이들은 희토류 금속 및/또는 알칼리토 금속을 함유하는 카비도니트리도실리케이트이다. 이 부류의 첫번째 대표적 물질[예를 들면, Ho₂Si₄N₆C, TB₂Si₄N₆C(참고:Hoppe et al., J.Mater.Chem 11(2001) 3300] 및 (La,Y,Ca)₂(Si,Al)₄(N,C)₇(참고:Lindel et al., J.Eur.Chem Soc.25(2005)37)은 이들의 기본적 물리화학적 성질과 관련하여 합성 및 기술되었다.

이러한 화합물에 대한 정보는 지금까지 기술 문헌에서는 전혀 찾을 수 없었다. 그러나, 본 발명에 이르러 슈미트(Schmidt) 등은 본 출원의 우선일 이후에 공개된 특허 WO 2005/083037 A1에서 활성화제 농도가 5% Ce인 Y2Si4N6C:Ce의 조성을 갖는 세륨 활성화된 카비도니트리도실리케이트 물질, 특히 형광 물질을 제공하게 되었다. 자외선 또는 블루 방사 LED로 여기시 이들 물질은 옐로우 스펙트럼 영역에서 넓은 밴드로 발광하며 공개된 정보에 따르면 양자 수율, 흡수 효율 및 온도 특성에 있어서 역시 세륨 또는 Eu^{2 +} 활성화된 알칼리토 오르토실리케이트로 도핑된 이트륨 알루미늄 가넷(garnet)과 같은 다른 공지된 옐로우 방사 전환 발광 물질의 상응하는 매개변수와 사실상 동일한 성능을 갖는다.

본 발명의 목적은 특히 본래 또는 개선된 발광 특성을 특징으로 하는 효율적인 백색 LED에 사용하기 위한 신규한 카비도니트리도실리케이트를 제안하는 것이다.

이 목적은 첨부된 특허청구의 범위 제1항 및 제2항에 정의된 발광 물질에 의해 달성된다.

본 발명의 물질은 카보니트라이드, 특히 카비도니트리도실리케이트의 부류에 속한다. 이는 광원, 특히 백색 방사 LED용 전환 발광 물질로서 단독으로 사용되거나 다른 적합한 발광단과 함께 사용될 수 있다.

탄소 이온을 대응하는 니트리도실리케이트 내로 삽입하는 것은 격자의 공유 원자가의 추가적 증가와 관련된다. 이 사실을 기준으로 하여, 발광의 낮은 열 소광경향, 높은 화학적 및 열적 안정성 및 낮은 노화 경향을 본 발명의 발광 물질의 이점으로서 언급할 수 있다.

본 발명에 따르는 발광 물질의 일반식은 다음과 같다:

Ln_(2-a-b+f)M^I _(a+b-f)Si_(4-c-d-e-f)M^II _(c+d+e+f)N_(6-a+b-d+e)O_(a+d)C_(1-b-e)

상기식에서, 0≤a≤2, 0≤b<1, 0≤c<4, 0≤d<4, 0≤e<1, 0≤f≤(a+b) 및 0≤b+e<1이고, Ln은 금속인 인듐(Ln), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y) 및 희토류의 경우, 특히 란탄(La), 가돌리늄(Gd) 및 루테튬(Lu) 및/또는 이들의 혼합물 중의 적어도 하나를 의미한다.

그러나, 일반식에서 보듯이, 특별한 양태에서 Ln은 또한 등몰량의 질소(N)가 산소(O)로 대체되어야 하는 경우 또는 탄소(C)가 질소(N)로 대체되어야 하는 경우 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 및 바륨(Ba)과 같은 이가 금속 M⁺, 바람직하게는 아연(Zn) 또는 알칼리토 금속에 의해 부분적으로 또는 전부 대체될 수 있다.

또 다른 본 발명의 양태의 변형에서, 규소(Si)는 성분은 성분 M^II에 의해, 예를 들면, 게르마늄(Ge) 및/또는 붕소(B) 및/또는 알루미늄(Al)에 의해 대체될 수 있다. 언급한 마지막 경우에서, 등몰량의 N은 O에 의해 대체되어야 하거나 등몰량의 C는 N에 의해 대체되어야 하거나 등몰량의 M^I는 Ln에 의해 대체되어야 한다.

발광 물질의 기본 격자의 정확한 조성에 따라, 희토류 및/또는 전이 금속 활성화제 이온의 혼입을 위한 상이한 격자 위치를 갖는 상이한 결정 구조를 실행할 수 있다. 바람직한 활성화제에는 세륨 및/또는 테르븀 및 유로퓸 또는 이가 이온(특히 Eu2+) 또는 삼가 이온(특히 Ce^{3 +}, Tn^{3 +}, Eu^{3 +})으로서 매트릭스 내로 혼입될 수 있는 특정 전이 금속 원소가 포함된다.

활성화제의 농도는 발광 물질 mol당 활성화제 0.001 내지 1.5 mol일 수 있다. 조활성화제로서 임의 첨가된 세륨은 발광 물질 mol당 세륨 0.0005 내지 1.5 mol의 농도로 존재할 수 있다.

바람직한 본 발명의 발광 물질의 양태는 다음 식으로 결정된다:

Ln_(2-x)Si₄N₆C:Tb_x,

Ln_(2-x-y)Si₄N₆C:Tb_x,Ce_y,

또는 Ln_(2-x)Si₄N₆C;Eu_x

상기식에서, Ln=Y, La, Gd 및/또는 Lu이고, 0.001<x<1.0 및 0.001≤y≤1.0이다.

본 발명의 발광 물질은 자외선 영역(200 내지 380nm)에서 또는 바이올렛 영역(380 내지 480 nm)에서 또는 블루 스펙트럼 영역(420 내지 480nm)에서 여기시 그린, 옐로우, 오렌지 또는 레드 발광 방사선을 방사한다. 이들은 여기 방사선에 대해 흡수하며 또한 고 양자 효율 및 저 열 발광 소광이 특징이다.

이들 특징 및 추가의 유리한 특성 때문에, 본 발명의 발광 물질은 백색 LED의 생산을 위해 개별 성분으로서 및 몇몇 본 발명의 발광 물질의 혼합물로서 또는 다른 공지된 블루, 그린, 엘로우 또는 레드 방사 전환 발광 물질과 조합하여 유리하게 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서, 블루 스펙트럼 영역에서 여기될 수 있는 4F-4F 선 스펙트럼을 갖는 유효한 희토류 활성화된 발광 물질은 백색 LED의 생산을 위해 처음으로 이용가능하게 되었는데, 그것은 테르븀 및 세륨 이온으로 특정한 본 발명의 카비도니트리도실리케이트 발광 물질 기본 격자를 동시 도핑시 블루 LED의 광으로 여기할 수 있는 그린 Tb^{3 +} 선 방사를 유도하기 때문이다. 4F-4F 선 방사를 갖는 희토류 활성화된 발광단은 외부 결정장 및 외부 발생 소광 인자의 효과에 대한 저항성에 대하여 상기 기술한 이점을 갖는다. 그러나, 또한, 백색 LED에서 그린 성분으로서 본 발명의 Ce^{3 +}-Tb^{3 +} 동시 도핑된 카비도니트리도실리케이트 발광 물질을 사용시 더욱 많은 장점을 활용할 수 있다. 먼저, 약 545 nm에 위치하는 Tb3+ 방사의 주 피크는 대응하는 광밴드 스펙트럼에 비해 극히 낮은 반값 폭을 가지며, 둘째, 방사 스抹樣냅 전체 가시 스펙트럼 영역에 걸쳐 분포된 추가의 선 그룹으로 구성된다. 먼저 언급한 특성은 LCD의 배경 조명(사용된 컬러 필터에 방사 특성을 맞추기)을 위해 대응하는 백색 LED를 사용시 유리하며 특정 한계 내에서 (Ce/Tb 비의 변동에 의해) 변동하는 Ce3+-Tb3+ 동시 활성화된 발광 물질의 발광의 특징적 스펙트럼 분포는 일반 조명을 위해 백색 LED에 사용하는 경우 개선된 컬러 재현(CRI= Color Rendering Index)을 달성하는 방향으로 기여한다.

본 발명의 방법의 또 다른 중요한 장점은 신규한 레드 방사 전환 발광 물질이 이러한 방식으로 합성될 수 있다는 사실에서 볼 수 있을 것이다. 산소 위주 발광 물질의 경우에서 보다 무기 질산염 화합물에서 더욱 강한 결정장이 실행될 수 있다. 이는 예를 들면 Eu^{2 +} 이온에 의해 방사된 발광의 목적하는 레드 이동에 대한 중요한 전제 조건이다.

본 발명과 관련하여 수행한 실험은 놀랍게도 본 발명의 기본 격자를 유로퓸 이온으로 도핑하는 경우에도 백색 LED에 사용하기에 적합한 여기 스펙트럼을 사용하여 레드 방사 발광 물질이 형성된다는 것을 밝혀내었다.

상기 일반식에서 정의된 희토류 금속 및/또는 알칼리토 금속을 함유하는 카비도니트리도실리케이트는 바람직하게는 고온 고체상 반응으로 생산한다. 합성의 세부사항은 Ce 및 Tb 도핑된 및/또는 Eu 도핑된 카비도니트리도실리케이트 발광 물질에 대한 2개의 예시 양태 및 일반 제조 방법을 기준으로 하여 예로서 아래에 기술한다.

출발 물질로서, α-Si₃N₄, β-Si₃N₄, 탄소 분말, SiC 및 희토류 이트륨, 세륨, 테르븀 및 유로퓸을 각각 금속 형태로 사용한다. 추가 공정 단계를 수행하기 전에 희토류 금속을 먼저 질소 또는 암모니아 대기에서 질산염화한다. 이어서, 질산염화된 화합물을 Si3n4, SiC 또는 탄소 분말과 함께 개별 화학양론적 양으로 계량하고 완전히 혼합한다. 일부 출발 물질의 습기 민감성 때문에 모든 이들 조작은 건조 질소 하에서 글러브박스 내에서 수행한다. 분말 혼합물은 적합한 도가니에 넣고 순수 질소 하에서 고온 오븐 내에서 1500 내지 1800℃의 온도에서 2 내지 48 시간 동안 하소시킨다. 하소 공정이 끝난 후, 샘플을 실온으로 냉각시키고 임의로 적합한 후처리를 한다.

본 발명의 추가의 상세한 내용, 이점 및 양태는 하기 도면의 간단한 설명뿐만 아니라 발광단에 대한 제조 조건의 설명으로부터 알 수 있다.

도1은 세륨 도핑된 Y₂Si₄N₆C 발광 물질의 여기 스펙트럼(그림의 좌측 부분) 및 방사 스펙트럼(그림의 우측 부분)을 도시한 것이다.

도2는 Tb3+ 활성화된 Y₂Si₄N₆C 발광단의 분산 반사 스펙트럼, 여기 스펙트럼 및 선 방사 스펙트럼을 도시한 것이다.

도3은 Ce 및 Tb 동시도핑된 Y₂Si₄N₆C 물질의 여기 스펙트럼(그림의 좌측 부 분) 및 방사 스펙트럼(그림의 우측 부분)을 도시한 것이다.

도4는 유로퓸 활성화된 Y₂Si₄N₆C 물질의 여기 및 방사 스펙트럼을 도시한 것이다.

실시예 1

테르븀 및 세륨 활성화된 카비도니트리도실리케이트 Y_{1 .00}Si₄N₆C:Tb_{0 .99}Ce_{0 .01}을 제조하기 위해, 테르븀 금속을 먼저 순수 질소 대기 하에서 수평 관형 오븐 내에서 1200℃에서 12 시간 동안 질산염화시켜 TbN_x(x=0.99)를 수득한다.

이어서 출발 물질인 34.24 g의 TbN_x, 17.78 g의 이트륨 금속, 0.28 g의 세륨 금속, 28.06 g의 α-Si₃N₄ 및 8.02 g의 SiC를 건조 질소 하에서 마노 유발 내에서 완전 혼합한 다음 몰리브덴 도가니 안에 넣는다. 이 분말 혼합물을 순수 질소 하에서 1600℃에서 10 시간 동안 하소시키고 오븐 내에서 실온이 되게 냉각시킨다. 가용성 성분 및 미반응 성분을 제거한 후에 Y_{1 .00}Si₄N₆C:Tb_{0 .99}Ce_{0 .01}의 조성을 갖는 그린 방사 발광 물질이 남는다.

실시예 2

5% 유로퓸으로 활성화킨 Gd_{1 .8}Sr_{0 .2}Si₄N_{6 .2}C_{0 .8}의 조성을 갖는 카비도니트리도실리케이트를 제조하기 위해, 순수한 스트론튬 금속 및 유로퓸 금속을 수평 관형 오븐 내에서 순수한 질소 대기 하에서 850℃에서 2시간 동안 질산염화시켜 전구체인 Sr₃N₂ 및 EuN을 수득한다. 이어서 56.61 g의 가돌리늄 금속, 2.91 g의 Sr₃N₂, 1.66 g의 EuN, 29.93 g의 α-Si₃N₄ 및 6.42 g의 SiC를 건조 질소 하에서 완전 혼합하고 내열성 도가니에 넣는다. 혼합물을 질소-수소(90:10) 대기 내에서 1750℃에서 24 시간 동안 하소시킨다. 적합한 샘플 처리 후에 효과적인 레드 발광을 갖는 물질을 수득한다.

첨부하는 도면은 대부분 발광 물질 기술 분야의 숙련가에게는 따로 설명이 필요없는 것이다. 기본 정보는 이미 위에서 제시하였다. 보충 정보로서 몇가지 특별한 것만 아래에 기재한다.

도1은 세륨 이온만으로 도핑된 Y₂Si₄N₆C 발광 물질이 360 내지 450nm의 방사선으로 여기시 옐로우-그린 스펙트럼 영역에서 발광할 것임을 보여준다. 다양한 커브는 각각 값이 다이아그램에 보이는 상이한 도핑 농도를 기준으로 한 것이다.

도2는 Tb^{3 +} 만으로 활성화된 Y₂Si₄N₆C 발광 물질이 효과적인 그린 Tb^{3 +} 선 방사를 달성하기 위해서는 280 내지 320 nm의 범위에서 여기되어야 한다는 것을 보여준다.

도3은 Ce 및 Tb 동시 도핑된 Y₂Si₄N₆C 호스트 격자도 360 내지 450nm 범위에서 효과적으로 여기될 수 있다는 것을 보여준다. 선택된 예에서, 이는 Ce^{3 +} 광 밴드 방사와 겹치는 Tb^{3 +} 선 방사를 초래한다. 그러나, 테르븀 선 방사가 완전 우세하고 세륨 발광이 크게 억제된 Ce/Tb 농도 비도 발견된다.

마지막으로, 도4는 610 nm의 최대 파장에서 기록된 유로퓸 활성화된 Y₂Si₄N₆C 매트릭스의 방사 밴드는 관심 대상인 350 내지 450nm 범위에서 여기될 수 있다는 것을 보여준다.

여기에 비록 몇몇 양태만 기술하였지만, 본 발명의 발광 물질의 수 많은 변형이 가능함을 당업자는 잘 알 것이다. 가능한 변경은 일반 유효성의 식을 제공하고 가능한 대체 원소를 열거함으로써 나타내었다.

본 발명은 특히 본래 또는 개선된 발광 특성을 특징으로 하는 효율적인 백색 LED에 사용하기 위한 신규한 카비도니트리도실리케이트를 제공한다.

Claims (20)

1. 고 에너지 여기 방사선으로 여기시 이 방사선의 적어도 일부를 흡수한 다음 저 에너지 방사 방사선을 방사하는 도핑딘 호스트 격자를 포함하는 발광 물질로서, 호스트 격자가 활성화제로서 세륨으로 도핑되지 않은 카비도니트리도실리케이트임을 특징으로 하는 발광 물질.
2. 고 에너지 여기 방사선으로 여기시 여기 방사선의 적어도 일부를 흡수한 다음 저 에너지 방사 방사선을 방사하는 도핑된 호스트 격자로부터의 발광 물질로서, 호스트 격자가 하기 일반식의 화합물임을 특징으로 하는 발광 물질.

   Ln_(2-a-b+f)M^I _(a+b-f)Si_(4-c-d-e-f)M^II _(c+d+e+f)N_(6-a+b-d+e)O_(a+d)C_(1-b-e)

   상기식에서, 0≤a≤2, 0≤b<1, 0≤c<4, 0≤d<4, 0≤e<1, 0≤f≤(a+b) 및 0≤

   b+e<1이고, Ln은 인듐, 스칸듐, 이트륨 또는 희토류이고, M¹은 이가 금속 또는 이가 금속의 혼합물이며, M^II는 게르마늄, 붕소 또는 알루미늄으로 이루어지는 그룹의 원소 또는 이들 원소의 혼합물이다.
3. 제2항에 있어서, M^I 및/또는 M^II가 존재시, 등몰량의 질소(N)가 산소에 의해 대체되고/되거나 등몰량의 탄소(C)가 질소(N)에 의해 대체됨을 특징으로 하는 발광 물질.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 호스트 격자내의 도핑된 활성화제가 이가 또는 삼가 희토류 이온 또는 전이 금속 이온임을 특징으로 하는 발광 물질.
5. 제4항에 있어서, 활성화제가 Eu^{2 +}, Ce^{3 +}, Tb^{3 +} 및/또는 Eu^{3 +} 이온임을 특징으로 하는 발광 물질.
6. 제5항에 있어서, 활성화제로서의 Tb^{3 +} 이온 및/또는 보조활성화제로서의 Ce^{3 +} 이온이 호스트 격자내로 도핑됨을 특징으로 하는 발광 물질.
7. 제4항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 활성화제의 농도가 발광 물질 mol당 활성화제 0.001 내지 1.5 mol임을 특징으로 하는 발광 물질.
8. 제4항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 보조활성화제로서의 세륨이 발광 물질 mol당 세륨 0.0005 내지 1.5 mol의 농도로 호스트 격자내로 도핑됨을 특징으로 하는 발광 물질.
9. 제2항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 매개변수 c, d, e 및 f 중의 적어도 하나가 0보다 크게 선택됨을 특징으로 하는 발광 물질.
10. 제2항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분 Ln이 란탄(La), 가돌리늄(Gd) 및 루테늄(Lu)임을 특징으로 하는 발광 물질.
11. 제2항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분 M^I이 아연(Zn)을 함유함을 특징으로 하는 발광 물질.
12. 제2항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 성분 M^I이 하나 이상의 알칼리토 금속, 특히 Mg, Ca, Sr, Ba를 함유함을 특징으로 하는 발광 물질.
13. 제2항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 있어서, 매개변수 a 또는 d가 0보다 크게 선택됨을 특징으로 하는 발광 물질.
14. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 다음 식중의 하나에 의해 정의됨을 특징으로 하는 발광 물질.

    Ln_(2-x)Si₄N₆C:Tb_x,

    Ln_(2-x-y)Si₄N₆C:Tb_x,Ce_y,

    Ln_(2-x)Si₄N₆C;Eu_x

    상기식에서, Ln=Y, La, Gd 및/또는 Lu이고, 0.001<x<1.5 및 0.0005≤y≤1.5이다.
15. 제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서, 200 내지 480 nm 파장의 방사선에 의해 여기되어 방사됨을 특징으로 하는 발광 물질.
16. 제15항에 있어서, 적합한 여기에 의해서 그린, 옐로우, 오렌지 또는 레드 컬러 방사 방사선이 방사됨을 특징으로 하는 발광 물질.
17. 제1항 내지 제16항 중의 어느 한 항에 있어서, 블루 여기 방사선으로 여기시 4f-4f 전자 전이를 일으키는 선 스펙트럼을 갖는 방사선을 방사함을 특징으로 하는 발광 물질.
18. 광 방사 원소 및 제1항 내지 제17항 중의 어느 한 항에 따르는 하나 이상의 발광 물질을 포함하며, 이 발광 물질은 방사된 원소에 의해 발생된 여기 방사선에 의해 여기되며 또 다른 스펙트럼 영역에서 방사 방사선을 방사함을 특징으로 하는 백색 광을 발생시키는 발광 수단.
19. 제18항에 있어서, 광 방사 원소가 LED임을 특징으로 하는 발광 수단.
20. 제18항 또는 제19항에 있어서, LED가 200 내지 480 nm 파장 영역에서 광을 방사하고 발광 물질이 블루, 그린, 옐로우 또는 레드 방사선을 방사함을 특징으로 하는 발광 수단.

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