KR20060110559A - 셀 다이오드들을 채택하는 상변이 기억소자들 및 그제조방법들 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (29)
- 제1 도전형의 반도체 기판;상기 반도체 기판 상부에 형성된 제1 층간절연막;상기 제1 층간절연막을 관통하는 셀 다이오드 홀;상기 셀 다이오드 홀의 하부 영역 내에 차례로 적층된 제1 및 제2 반도체 패턴들;상기 제2 반도체 패턴 상에 적층되되, 상기 제1 층간절연막의 상부면보다 낮은 표면을 갖는 셀 다이오드 전극;상기 셀 다이오드 전극 상의 상기 셀 다이오드 홀을 채우는 국한된 상변이 물질 패턴(confined phase change material pattern); 및상기 국한된 상변이 물질 패턴 상의 상부전극을 포함하되, 상기 셀 다이오드 홀 내의 상기 국한된 상변이 물질 패턴은 상기 셀 다이오드 홀에 의해 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들과 자기정렬된 상변이 기억소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 층간절연막 및 상기 반도체기판 사이에 배치된 워드라인; 및상기 워드라인의 측벽을 둘러싸는 워드라인 격리막을 더 포함하되, 상기 셀 다이오드 홀은 상기 워드라인의 소정영역을 노출시키는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 워드라인은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 3 항에 있어서,상기 제1 및 제2 도전형들은 각각 P형 및 N형인 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 반도체 패턴은 상기 제1 도전형 또는 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제1 도전형을 갖는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 층간절연막은 단일 절연막인 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 셀 다이오드 전극은 금속 실리사이드막인 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 셀 다이오드 홀 내의 상기 국한된 상변이 물질 패턴 및 상기 셀 다이오드 홀의 측벽 사이에 개재된 절연성 콘택 스페이서를 더 포함하되, 상기 콘택 스페이서는 상기 셀 다이오드 전극의 가장자리와 접촉하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 국한된 상변이 물질 패턴 및 상기 셀 다이오드 전극 사이의 하부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 하부전극은 타이타늄 질화막 또는 타이타늄 알루미늄 질화막인 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 상부전극을 갖는 기판을 덮는 제2 층간절연막; 및상기 제2 층간절연막 상에 배치되고 상기 제2 층간절연막을 관통하는 비트라인 콘택홀을 통하여 상기 상부전극에 전기적으로 접속된 비트라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자.
- 제1 도전형의 반도체기판을 준비하고,상기 반도체 기판 상부에 제1 층간절연막을 형성하고,상기 제1 층간절연막을 패터닝하여 상기 제1 층간절연막을 관통하는 복수개의 셀 다이오드 홀들을 형성하고,상기 셀 다이오드 홀들의 하부영역들 내에 차례로 적층된 제1 반도체 패턴들 및 제2 반도체 패턴들을 형성하고,제2 반도체 패턴들의 표면들 상에 셀 다이오드 전극들을 형성하고,상기 셀 다이오드 전극들 상의 상기 셀 다이오드 홀들을 채우는 국한된 상변이 물질 패턴들 및 상기 국한된 상변이 물질 패턴들 상의 상부전극들을 형성하는 것을 포함하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제1 층간절연막을 형성하기 전에,상기 제1 층간절연막 및 상기 반도체 기판 사이에 개재된 복수개의 평행한 워드라인들 및 상기 워드라인들 사이의 갭 영역들을 채우는 워드라인 격리막을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 셀 다이오드 홀들은 상기 워드라인들의 소정영역들을 노출시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 워드라인들 및 상기 워드라인 격리막을 형성하는 것은상기 반도체 기판을 식각하여 복수개의 평행한 활성영역들을 한정하는 소자분리 트렌치 영역을 형성하고,상기 소자분리 트렌치 영역을 채우는 소자분리막을 형성하고,상기 활성영역들 내로 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형의 불순물 이온들을 주입하여 상기 제2 도전형의 불순물 영역들을 형성하는 것을 포함하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제1 도전형은 P형이고, 상기 제2 도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제1 층간절연막은 단일 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제1 반도체 패턴들은 상기 제1 도전형 또는 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖도록 형성되고, 상기 제2 반도체 패턴들은 상기 제1 도전형을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체 패턴들을 형성하는 것은상기 셀 다이오드 홀들의 하부영역들을 채우는 리세스된 반도체 패턴들을 형성하고,상기 리세스된 반도체 패턴들의 하부 영역들을 이온주입 기술을 사용하여 상기 제1 도전형의 불순물들 또는 상기 제2 도전형의 불순물들로 도우핑시키고,상기 리세스된 반도체 패턴들의 상부 영역들을 이온주입 기술을 사용하여 상기 제1 도전형의 불순물들로 도우핑시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서, 상기 리세스된 반도체 패턴들을 형성하는 것은선택적 에피택시얼 성장 기술을 사용하여 상기 셀 다이오드 홀들을 채우는 단결정 반도체막을 형성하고,상기 단결정 반도체막을 평탄화시키어 상기 제1 층간절연막의 상부면과 동일한 레벨의 표면들을 갖는 단결정 반도체 패턴들을 형성하고,상기 단결정 반도체 패턴들을 부분 식각하여 상기 단결정 반도체 패턴들을 리세스시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 셀 다이오드 전극들은 금속 실리사이드막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 금속 실리사이드막은 샐리사이드 기술을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 금속 실리사이드막은 코발트 실리사이드막, 니켈 실리사이드막 또는 타이타늄 실리사이드막인 것을 특징으로 하는 상변리 기억소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 국한된 상변이 물질 패턴들 및 상기 상부 전극들을 형성하기 전에, 상기 셀 다이오드 전극들 상의 상기 셀 다이오드 홀들의 측벽들 상에 절연성 콘택 스페이서들을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 국한된 상변이 물질 패턴들 및 상기 상부 전극들을 형성하기 전에, 상기 절연성 콘택 스페이서들에 의해 노출된 상기 셀 다이오드 전극들 상에 상기 제1 층간절연막의 상부면 보다 낮은 표면들을 갖는 하부 전극들을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 하부전극들을 형성하는 것은상기 절연성 콘택 스페이서들을 갖는 기판 상에 도전막을 형성하고,상기 도전막을 에치백하여 상기 셀 다이오드 전극들 상에 잔존하는 도전막 패턴들을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 도전막은 타이타늄 질화막 또는 타이타늄 알루미늄 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 국한된 상변이 물질 패턴들 및 상기 상부전극들을 형성하는 것은상기 셀 다이오드 전극들을 갖는 기판 상에 상변이 물질막 및 상부전극막을 차례로 형성하고,상기 상부전극막 및 상기 상변이 물질막을 패터닝하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 상변이 물질막은 칼코게나이드막(chalcogenide layer)으로 형성하고, 상기 상부전극막은 타이타늄 질화막 또는 타이타늄 알루미늄 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 상부전극들을 갖는 기판 상에 제2 층간절연막을 형성하고,상기 제2 층간절연막을 패터닝하여 상기 상부전극들을 노출시키는 비트라인 콘택 홀들을 형성하고,상기 제2 층간절연막 상에 상기 비트라인 콘택 홀들을 통하여 상기 제2 상부전극들에 전기적으로 접속된 복수개의 평행한 비트라인들을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변이 기억소자의 제조방법.
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100780964B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2007-12-03 | 삼성전자주식회사 | 셀 다이오드를 구비하는 상변화 메모리 소자 및 그의제조방법 |
KR100782496B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2007-12-05 | 삼성전자주식회사 | 자기 정렬된 셀 다이오드를 갖는 반도체 소자의 제조방법및 이를 이용하는 상변화 기억소자의 제조방법 |
KR100822808B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-04-17 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법 |
KR100824919B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-04-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR100827661B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-05-07 | 삼성전자주식회사 | 이중의 하부 전극을 갖는 상변화 기억소자 및 그 제조방법 |
KR100906236B1 (ko) * | 2007-07-03 | 2009-07-07 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 및 비휘발성 메모리장치 |
KR100920051B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2009-10-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자의 제조방법 |
KR100967680B1 (ko) * | 2008-02-12 | 2010-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자 및 그의 제조방법 |
KR100972074B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2010-07-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자 및 그 제조방법 |
US7800091B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
US7834340B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase change memory devices and methods of fabricating the same |
KR101013448B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2011-02-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 소자의 pn 다이오드 형성방법 |
KR101052869B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 |
US8039829B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Contact structure, a semiconductor device employing the same, and methods of manufacturing the same |
Families Citing this family (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100733147B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2007-06-27 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR100663358B1 (ko) * | 2005-02-24 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 셀 다이오드들을 채택하는 상변이 기억소자들 및 그 제조방법들 |
US7786460B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-08-31 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory device and manufacturing method |
US7635855B2 (en) | 2005-11-15 | 2009-12-22 | Macronix International Co., Ltd. | I-shaped phase change memory cell |
US7449710B2 (en) | 2005-11-21 | 2008-11-11 | Macronix International Co., Ltd. | Vacuum jacket for phase change memory element |
US7459717B2 (en) | 2005-11-28 | 2008-12-02 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell and manufacturing method |
US7688619B2 (en) | 2005-11-28 | 2010-03-30 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell and manufacturing method |
US8062833B2 (en) | 2005-12-30 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | Chalcogenide layer etching method |
US7560337B2 (en) | 2006-01-09 | 2009-07-14 | Macronix International Co., Ltd. | Programmable resistive RAM and manufacturing method |
US7741636B2 (en) | 2006-01-09 | 2010-06-22 | Macronix International Co., Ltd. | Programmable resistive RAM and manufacturing method |
US8129706B2 (en) * | 2006-05-05 | 2012-03-06 | Macronix International Co., Ltd. | Structures and methods of a bistable resistive random access memory |
US7785920B2 (en) | 2006-07-12 | 2010-08-31 | Macronix International Co., Ltd. | Method for making a pillar-type phase change memory element |
KR101309111B1 (ko) * | 2006-07-27 | 2013-09-17 | 삼성전자주식회사 | 폴리실리콘 패턴의 형성방법과 폴리실리콘 패턴을 포함한다층 교차점 저항성 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
US7504653B2 (en) | 2006-10-04 | 2009-03-17 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell device with circumferentially-extending memory element |
US7863655B2 (en) | 2006-10-24 | 2011-01-04 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cells with dual access devices |
US7476587B2 (en) | 2006-12-06 | 2009-01-13 | Macronix International Co., Ltd. | Method for making a self-converged memory material element for memory cell |
US7903447B2 (en) | 2006-12-13 | 2011-03-08 | Macronix International Co., Ltd. | Method, apparatus and computer program product for read before programming process on programmable resistive memory cell |
KR100846506B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-07-17 | 삼성전자주식회사 | Pn 다이오드를 포함하는 상변화 메모리 소자와 그 제조및 동작 방법 |
US7718989B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-05-18 | Macronix International Co., Ltd. | Resistor random access memory cell device |
KR100801084B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2008-02-05 | 삼성전자주식회사 | 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US7956344B2 (en) | 2007-02-27 | 2011-06-07 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell with memory element contacting ring-shaped upper end of bottom electrode |
US7786461B2 (en) | 2007-04-03 | 2010-08-31 | Macronix International Co., Ltd. | Memory structure with reduced-size memory element between memory material portions |
KR100852206B1 (ko) * | 2007-04-04 | 2008-08-13 | 삼성전자주식회사 | 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법. |
US7569844B2 (en) * | 2007-04-17 | 2009-08-04 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell sidewall contacting side electrode |
KR100883412B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2009-02-11 | 삼성전자주식회사 | 자기 정렬된 전극을 갖는 상전이 메모리소자의 제조방법,관련된 소자 및 전자시스템 |
KR101350979B1 (ko) * | 2007-05-11 | 2014-01-14 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR100881055B1 (ko) * | 2007-06-20 | 2009-01-30 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US7838860B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-11-23 | Qimonda Ag | Integrated circuit including vertical diode |
KR100869354B1 (ko) | 2007-06-27 | 2008-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US7729161B2 (en) | 2007-08-02 | 2010-06-01 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with dual word lines and source lines and method of operating same |
KR101356696B1 (ko) * | 2007-08-17 | 2014-01-29 | 삼성전자주식회사 | 다이오드 구조체 및 이를 포함하는 메모리 소자 |
US8178386B2 (en) * | 2007-09-14 | 2012-05-15 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell array with self-converged bottom electrode and method for manufacturing |
KR20090029558A (ko) * | 2007-09-18 | 2009-03-23 | 삼성전자주식회사 | 다이오드 및 그를 포함하는 메모리 소자 |
KR101321948B1 (ko) | 2007-10-10 | 2013-10-28 | 삼성전자주식회사 | 저항소자를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법 |
US7919766B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-04-05 | Macronix International Co., Ltd. | Method for making self aligning pillar memory cell device |
US7902051B2 (en) * | 2008-01-07 | 2011-03-08 | International Business Machines Corporation | Method for fabrication of single crystal diodes for resistive memories |
US7906392B2 (en) * | 2008-01-15 | 2011-03-15 | Sandisk 3D Llc | Pillar devices and methods of making thereof |
US8563355B2 (en) | 2008-01-18 | 2013-10-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of making a phase change memory cell having a silicide heater in conjunction with a FinFET |
US8043888B2 (en) * | 2008-01-18 | 2011-10-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Phase change memory cell with heater and method therefor |
KR20090081153A (ko) * | 2008-01-23 | 2009-07-28 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US8030634B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-10-04 | Macronix International Co., Ltd. | Memory array with diode driver and method for fabricating the same |
KR100971423B1 (ko) * | 2008-04-04 | 2010-07-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US7825398B2 (en) | 2008-04-07 | 2010-11-02 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell having improved mechanical stability |
US7791057B2 (en) | 2008-04-22 | 2010-09-07 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell having a buried phase change region and method for fabricating the same |
US8077505B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-12-13 | Macronix International Co., Ltd. | Bipolar switching of phase change device |
US7701750B2 (en) | 2008-05-08 | 2010-04-20 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change device having two or more substantial amorphous regions in high resistance state |
KR100985757B1 (ko) | 2008-05-26 | 2010-10-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하부전극콘택층을 구비한 상변화 메모리 장치의 제조방법 |
US8415651B2 (en) | 2008-06-12 | 2013-04-09 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell having top and bottom sidewall contacts |
KR20100001260A (ko) * | 2008-06-26 | 2010-01-06 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US8134857B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-03-13 | Macronix International Co., Ltd. | Methods for high speed reading operation of phase change memory and device employing same |
US20100019215A1 (en) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Macronix International Co., Ltd. | Mushroom type memory cell having self-aligned bottom electrode and diode access device |
US7932506B2 (en) | 2008-07-22 | 2011-04-26 | Macronix International Co., Ltd. | Fully self-aligned pore-type memory cell having diode access device |
JP5342189B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-11-13 | 株式会社日立製作所 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
US7903457B2 (en) | 2008-08-19 | 2011-03-08 | Macronix International Co., Ltd. | Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application |
US7719913B2 (en) | 2008-09-12 | 2010-05-18 | Macronix International Co., Ltd. | Sensing circuit for PCRAM applications |
US8324605B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-12-04 | Macronix International Co., Ltd. | Dielectric mesh isolated phase change structure for phase change memory |
KR20100043470A (ko) * | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 소자의 하부 전극 콘택 구조 및 그 제조 방법 |
KR101486984B1 (ko) * | 2008-10-30 | 2015-01-30 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 소자 및 그 형성방법 |
US8036014B2 (en) | 2008-11-06 | 2011-10-11 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory program method without over-reset |
US8664689B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-03-04 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline plug and single-crystal semiconductor regions |
US8907316B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-12-09 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline and single crystal semiconductor regions |
TWI415316B (zh) * | 2008-11-07 | 2013-11-11 | Macronix Int Co Ltd | 一記憶胞存取裝置具有多晶及單晶半導體區域的pn接面 |
TWI418027B (zh) * | 2008-11-28 | 2013-12-01 | Powerchip Technology Corp | 相變化記憶裝置及其製造方法 |
US8035097B2 (en) * | 2008-12-01 | 2011-10-11 | United Microelectronics Corp. | Phase change memory |
KR101069645B1 (ko) | 2008-12-26 | 2011-10-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 열적 부담을 줄일 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US7869270B2 (en) | 2008-12-29 | 2011-01-11 | Macronix International Co., Ltd. | Set algorithm for phase change memory cell |
US8089137B2 (en) | 2009-01-07 | 2012-01-03 | Macronix International Co., Ltd. | Integrated circuit memory with single crystal silicon on silicide driver and manufacturing method |
US8107283B2 (en) | 2009-01-12 | 2012-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | Method for setting PCRAM devices |
US8030635B2 (en) | 2009-01-13 | 2011-10-04 | Macronix International Co., Ltd. | Polysilicon plug bipolar transistor for phase change memory |
US8064247B2 (en) | 2009-01-14 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | Rewritable memory device based on segregation/re-absorption |
US8933536B2 (en) | 2009-01-22 | 2015-01-13 | Macronix International Co., Ltd. | Polysilicon pillar bipolar transistor with self-aligned memory element |
KR20100107617A (ko) * | 2009-03-26 | 2010-10-06 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US8084760B2 (en) * | 2009-04-20 | 2011-12-27 | Macronix International Co., Ltd. | Ring-shaped electrode and manufacturing method for same |
US8173987B2 (en) | 2009-04-27 | 2012-05-08 | Macronix International Co., Ltd. | Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method |
US8097871B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-01-17 | Macronix International Co., Ltd. | Low operational current phase change memory structures |
US7933139B2 (en) | 2009-05-15 | 2011-04-26 | Macronix International Co., Ltd. | One-transistor, one-resistor, one-capacitor phase change memory |
US7968876B2 (en) | 2009-05-22 | 2011-06-28 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell having vertical channel access transistor |
US8350316B2 (en) | 2009-05-22 | 2013-01-08 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cells having vertical channel access transistor and memory plane |
JP2010282989A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置及びその製造方法、並びに、データ処理システム及びデータ処理装置 |
US8809829B2 (en) | 2009-06-15 | 2014-08-19 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method |
US8406033B2 (en) | 2009-06-22 | 2013-03-26 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and method for sensing and fixing margin cells |
US8363463B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-01-29 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory having one or more non-constant doping profiles |
US8238149B2 (en) | 2009-06-25 | 2012-08-07 | Macronix International Co., Ltd. | Methods and apparatus for reducing defect bits in phase change memory |
US8198619B2 (en) | 2009-07-15 | 2012-06-12 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell structure |
US7894254B2 (en) | 2009-07-15 | 2011-02-22 | Macronix International Co., Ltd. | Refresh circuitry for phase change memory |
US8110822B2 (en) | 2009-07-15 | 2012-02-07 | Macronix International Co., Ltd. | Thermal protect PCRAM structure and methods for making |
KR20110009545A (ko) * | 2009-07-22 | 2011-01-28 | 삼성전자주식회사 | 금속 탄화 전극을 갖는 반도체장치의 형성방법 및 관련된 반도체장치 |
US8105859B2 (en) * | 2009-09-09 | 2012-01-31 | International Business Machines Corporation | In via formed phase change memory cell with recessed pillar heater |
US8064248B2 (en) | 2009-09-17 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | 2T2R-1T1R mix mode phase change memory array |
KR20110035783A (ko) * | 2009-09-30 | 2011-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 소자 제조 방법 |
US8178387B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-05-15 | Macronix International Co., Ltd. | Methods for reducing recrystallization time for a phase change material |
US8530875B1 (en) * | 2010-05-06 | 2013-09-10 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory including ovonic threshold switch with layered electrode and methods for forming same |
US8729521B2 (en) | 2010-05-12 | 2014-05-20 | Macronix International Co., Ltd. | Self aligned fin-type programmable memory cell |
US9190609B2 (en) * | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
US8310864B2 (en) | 2010-06-15 | 2012-11-13 | Macronix International Co., Ltd. | Self-aligned bit line under word line memory array |
US8124445B2 (en) | 2010-07-26 | 2012-02-28 | Micron Technology, Inc. | Confined resistance variable memory cell structures and methods |
US8597974B2 (en) | 2010-07-26 | 2013-12-03 | Micron Technology, Inc. | Confined resistance variable memory cells and methods |
US8574954B2 (en) * | 2010-08-31 | 2013-11-05 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory structures and methods |
US8395935B2 (en) | 2010-10-06 | 2013-03-12 | Macronix International Co., Ltd. | Cross-point self-aligned reduced cell size phase change memory |
US8685783B2 (en) * | 2010-10-27 | 2014-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Phase change memory cell |
US8497705B2 (en) | 2010-11-09 | 2013-07-30 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change device for interconnection of programmable logic device |
KR101811308B1 (ko) | 2010-11-10 | 2017-12-27 | 삼성전자주식회사 | 저항 변화 체를 갖는 비 휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US8467238B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-06-18 | Macronix International Co., Ltd. | Dynamic pulse operation for phase change memory |
KR20120097206A (ko) * | 2011-02-24 | 2012-09-03 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US20120267601A1 (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-25 | International Business Machines Corporation | Phase change memory cells with surfactant layers |
KR20130006899A (ko) * | 2011-06-27 | 2013-01-18 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
US8835898B2 (en) * | 2012-04-20 | 2014-09-16 | International Business Machines Corporation | Self-aligned process to fabricate a memory cell array with a surrounding-gate access transistor |
US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
KR102021978B1 (ko) | 2012-12-06 | 2019-09-18 | 삼성전자주식회사 | 블로킹 막을 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
US9166158B2 (en) | 2013-02-25 | 2015-10-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses including electrodes having a conductive barrier material and methods of forming same |
US9559113B2 (en) | 2014-05-01 | 2017-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND |
US9672906B2 (en) | 2015-06-19 | 2017-06-06 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with inter-granular switching |
KR102446863B1 (ko) * | 2016-02-22 | 2022-09-23 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자 및 그 제조방법 |
JP2018157154A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
DE102018206223B4 (de) * | 2018-04-23 | 2022-04-21 | Siemens Healthcare Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises, integrierter Schaltkreis, Röntgenstrahlendetektor und Röntgengerät |
US11289649B2 (en) * | 2020-04-13 | 2022-03-29 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Non-volatile memory elements with a narrowed electrode |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6653733B1 (en) * | 1996-02-23 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Conductors in semiconductor devices |
US5998244A (en) * | 1996-08-22 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same |
DE19906292C1 (de) * | 1999-02-15 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Elektrische Teststruktur auf einem Halbleitersubstrat und Testverfahren |
US6440837B1 (en) | 2000-07-14 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a contact structure in a semiconductor device |
US6348365B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-02-19 | Micron Technology, Inc. | PCRAM cell manufacturing |
US6511862B2 (en) | 2001-06-30 | 2003-01-28 | Ovonyx, Inc. | Modified contact for programmable devices |
US6992365B2 (en) | 2001-10-12 | 2006-01-31 | Ovonyx, Inc. | Reducing leakage currents in memories with phase-change material |
US6579760B1 (en) | 2002-03-28 | 2003-06-17 | Macronix International Co., Ltd. | Self-aligned, programmable phase change memory |
TWI233204B (en) * | 2002-07-26 | 2005-05-21 | Infineon Technologies Ag | Nonvolatile memory element and associated production methods and memory element arrangements |
WO2004090984A1 (en) * | 2003-04-03 | 2004-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase change memory device |
KR20050015564A (ko) * | 2003-08-06 | 2005-02-21 | 윤호병 | 진동마사지기 및 상기 진동마사지기를 구비하는 전자시스템 |
US7630233B2 (en) * | 2004-04-02 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of the same |
US7482616B2 (en) * | 2004-05-27 | 2009-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having phase change memory cells, electronic systems employing the same and methods of fabricating the same |
US20050263801A1 (en) * | 2004-05-27 | 2005-12-01 | Jae-Hyun Park | Phase-change memory device having a barrier layer and manufacturing method |
KR100647218B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2006-11-23 | 비욘드마이크로 주식회사 | 고집적 상변화 메모리 셀 어레이 및 이를 포함하는 상변화메모리 소자 |
KR100663358B1 (ko) * | 2005-02-24 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 셀 다이오드들을 채택하는 상변이 기억소자들 및 그 제조방법들 |
US7910904B2 (en) * | 2005-05-12 | 2011-03-22 | Ovonyx, Inc. | Multi-level phase change memory |
US20060289848A1 (en) * | 2005-06-28 | 2006-12-28 | Dennison Charles H | Reducing oxidation of phase change memory electrodes |
-
2005
- 2005-04-20 KR KR1020050032898A patent/KR100675279B1/ko active IP Right Grant
-
2006
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-
2009
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7696508B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase change memory devices having dual lower electrodes |
KR100827661B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-05-07 | 삼성전자주식회사 | 이중의 하부 전극을 갖는 상변화 기억소자 및 그 제조방법 |
US8129214B2 (en) | 2006-10-31 | 2012-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase change memory devices having dual lower electrodes and methods of fabricating the same |
KR100822808B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-04-17 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법 |
US7541252B2 (en) | 2006-11-09 | 2009-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of fabricating a semiconductor device including a self-aligned cell diode |
KR100782496B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2007-12-05 | 삼성전자주식회사 | 자기 정렬된 셀 다이오드를 갖는 반도체 소자의 제조방법및 이를 이용하는 상변화 기억소자의 제조방법 |
KR100780964B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2007-12-03 | 삼성전자주식회사 | 셀 다이오드를 구비하는 상변화 메모리 소자 및 그의제조방법 |
KR100824919B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2008-04-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US7800091B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
KR100906236B1 (ko) * | 2007-07-03 | 2009-07-07 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 및 비휘발성 메모리장치 |
KR101338160B1 (ko) * | 2007-07-06 | 2013-12-06 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법 |
US7834340B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase change memory devices and methods of fabricating the same |
KR100920051B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2009-10-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자의 제조방법 |
US7785923B2 (en) | 2008-02-12 | 2010-08-31 | Hynix Semiconductor Inc. | Phase change memory device preventing contact loss and method for manufacturing the same |
KR100967680B1 (ko) * | 2008-02-12 | 2010-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자 및 그의 제조방법 |
US8039829B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Contact structure, a semiconductor device employing the same, and methods of manufacturing the same |
KR101052869B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2011-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 |
KR100972074B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2010-07-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자 및 그 제조방법 |
KR101013448B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2011-02-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 소자의 pn 다이오드 형성방법 |
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