KR20060106813A - 반도체 기판의 절단 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 174
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 167
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 113
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 113
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 21
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 145
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 144
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 144
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 139
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
- B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
- B23K26/0884—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions in at least in three axial directions, e.g. manipulators, robots
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Robotics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract
표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 다이 본드 수지층과 함께 양호한 효율로 절단할 수 있는 반도체 기판의 절단 방법을 제공한다.
표면(3)에 기능 소자(15)가 형성된 웨이퍼(11)의 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하고, 웨이퍼(11)의 내부에 집광점 P를 맞추어서 레이저광 L을 조사함으로써, 다광자 흡수를 일으키게 하여 절단 예정 라인(5)을 따라서 웨이퍼(11)의 내부에 용융 처리 영역(13)에 의한 절단 기점 영역(8)을 형성한다. 이로 인해 자연스럽게 또는 비교적 작은 힘으로 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 분열을 발생시키고, 그 분열을 표면(3)과 이면(17)에 도달시킬 수 있다. 따라서, 절단 기점 영역(8)을 형성한 후에, 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하고 그 확장 필름(21)을 확장시키면, 절단 예정 라인(5)을 따라서 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 디바이스의 제조 공정 등에 있어서 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 절단하기 위하여 사용되는 반도체 기판의 절단 방법에 관한 것이다.
종래에 있어서 이러한 종류의 기술로서 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2에는 다음과 같은 기술이 기재되어 있다. 우선, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이 본드(die-bond) 수지층을 통하여 점착 시트를 첩부(貼付)하고, 이 점착 시트상에 반도체 웨이퍼를 유지시킨 상태로 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼를 절단하여 반도체 칩을 얻는다. 그리고, 점착 시트상의 반도체 칩을 픽업할 때에, 다이 본드 수지를 개개의 반도체 칩과 함께 점착 시트로부터 박리시킨다. 이로 인해, 반도체 칩의 이면에 접착제를 도포하는 등의 공정을 생략하고, 반도체 칩을 리드 프레임상에 접착하는 것이 가능하게 된다.
[특허문헌 1] 일본 특개 2002-158276호 공보
[특허문헌 2] 일본 특개 2000-104040호 공보
그러나, 상술한 바와 같은 기술에 있어서는 점착 시트상에 유지된 반도체 웨이퍼를 블레이드에 의해 절단할 때에, 점착 시트는 절단하지 않게 하는 한편, 반도 체 웨이퍼와 점착 시트 사이에 존재하는 다이 본드 수지층은 확실히 절단할 필요가 있다. 그 때문에, 이와 같은 경우의 블레이드에 의한 반도체 웨이퍼의 절단은 특히 신중을 기해야 하는 것으로 된다.
여기서, 본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 다이 본드 수지층과 함께 양호한 효율로 절단할 수 있는 반도체 기판의 절단 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 관한 반도체 기판의 절단 방법은 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 반도체 기판의 절단 방법으로서, 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여 반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저광을 조사함으로써, 개질 영역을 형성하고, 그 개질 영역에 의하여 절단 예정 라인을 따라서 레이저광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, 절단 기점 영역을 형성한 후에 반도체 기판의 이면에 다이 본드 수지층을 개재시켜서 확장 가능한 유지 부재를 다는 공정과, 유지 부재를 장착한 후에 유지 부재를 확장시킴으로써 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 반도체 기판의 절단 방법에 있어서는 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 가공 대상물로 한다. 그리고, 그러한 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여 반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저광을 조사함으로써, 예를 들면 다광자 흡수 또는 그것과 동일한 광흡수를 일으키게 하여 절단 예정 라인을 따라서 반도체 기판의 내부에 개질 영역에 의한 절단 기점 영역을 형성한다. 이 때, 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하는 것은 표면을 레이저광 입사면으로 하면 기능 소자에 의해 레이저광의 입사를 방해할 수 있을 우려가 있기 때문이다. 이와 같이 반도체 기판의 내부에 절단 기점 영역이 형성되면, 자연스럽게 또는 비교적 작은 힘을 가함으로써, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 분열(fracture)을 발생시키고, 그 분열을 반도체 기판의 표면과 이면에 도달시킬 수 있다. 따라서, 절단 기점 영역을 형성한 후에, 반도체 기판의 이면에 다이 본드 수지층을 통하여 확장 가능한 유지 부재를 장착하고, 상기 유지 부재를 확장시키면 절단 예정 라인을 따라서 절단된 반도체 기판의 절단면이 유지 부재의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지게 된다. 이로 인해, 반도체 기판과 유지 부재 사이에 존재하는 다이 본드 수지층도 절단 예정 라인을 따라서 절단된다. 따라서, 블레이드로 절단하는 경우에 비해 더욱 양호한 효율로 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을, 절단 예정 라인을 따라서 절단할 수 있다. 또한, 절단 예정 라인을 따라서 절단된 반도체 기판의 절단면이 처음은 서로 밀착하고 있기 때문에, 절단된 개개의 반도체 기판과 절단된 개개의 다이 본드 수지층이 거의 동일한 외형으로 되고, 각 반도체 기판의 절단면에서 다이 본드 수지가 초과하는 것도 방지된다.
여기서, 절단 기점 영역은 반도체 기판이 절단될 때에 절단의 기점으로 되는 영역을 의미한다. 이 절단 기점 영역은 개질 영역이 연속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있고, 개질 영역이 단속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있다. 또, 기능 소자는 예를 들면 결정 성장에 의해 형성된 반도체 동작층, 포토 다이오드 등의 수광 소자, 레이저 다이오드 등의 발광 소자, 회로로서 형성된 회로 소자 등을 의미한다.
또한, 절단 기점 영역을 형성하기 전에, 반도체 기판이 소정의 두께로 되도록 반도체 기판의 이면을 연마하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 반도체 기판이 소정의 두께로 되도록 그 이면을 미리 연마함으로써, 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 보다 양호한 정밀도로 절단하는 것이 가능하게 된다. 또한, 연마는 절삭, 연삭, 케미컬 에칭 등을 포함하는 의미이다.
또, 개질 영역은 용융 처리 영역을 포함하는 경우가 있다. 가공 대상물이 반도체 기판이면, 레이저광의 조사에 의해서 용융 처리 영역이 형성되는 경우가 있다. 이 용융 처리 영역은 상술한 개질 영역의 일례이기 때문에, 이 경우에도 반도체 기판을 용이하게 절단할 수 있고, 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 양호한 효율로 절단하는 것이 가능하게 된다.
또, 개질 영역은 용융 처리 영역과, 그 용융 처리 영역에 대하여 레이저광 입사면의 반대측에 위치하는 미소 공동(微小 空洞)을 포함하는 경우가 있다. 가공 대상물이 반도체 기판이면, 레이저광의 조사에 의해서 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성되는 경우가 있다. 이 용융 처리 영역 및 미소 공동은 상술한 개질 영역의 일례이기 때문에, 이 경우에도 반도체 기판을 용이하게 절단할 수 있고, 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 양호한 효율로 절단하는 것이 가능하게 된다.
또, 상술한 본 발명에 관한 반도체 기판의 절단 방법에 있어서, 절단 기점 영역을 형성할 때, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 반도체 기판의 표면에 분열을 도달시켜도 되고, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 반도체 기판의 이면에 분열을 도달시켜도 되고, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 반도체 기판의 표면과 이면에 분열을 도달시켜도 된다.
또, 유지 부재를 확장시킴으로써 반도체 기판 및 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 공정 이전에, 다이 본드 수지층을 가열하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 유지 부재를 확장시키기 전에 미리 다이 본드 수지층을 가열하면, 유지 부재를 확장시킴으로써 보다 양호한 정밀도로 용이하게 다이 본드 수지층을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 의하면, 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 다이 본드 수지층과 함께 양호한 효율로 절단할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 따른 레이저 가공중의 반도체 기판의 평면도.
도 2는 도 1에 나타내는 반도체 기판의 II-II선을 따른 단면도.
도 3은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 따른 레이저 가공 후의 반도체 기판의 평면도.
도 4는 도 3에 나타내는 반도체 기판의 IV-IV선을 따른 단면도.
도 5는 도 3에 나타내는 반도체 기판의 V-V선을 따른 단면도.
6은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 절단된 반도체 기판의 평면도.
도 7은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 용융 처리 영역이 형성된 실리콘 웨이퍼의 절단면의 사진을 나타내는 도면.
도 8은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 있어서 레이저광의 파장과 실리콘 기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프.
도 9는 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성된 반도체 기판의 단면도.
도 10은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성되는 원리를 설명하기 위한 단면도.
도 11은 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 의해 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성된 실리콘 웨이퍼의 절단면의 사진을 나타내는 도면.
도 12는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법에 있어서 가공 대상물로 되는 실리콘 웨이퍼의 평면도.
도 13은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법을 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼에 보호 필름이 첩부된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼가 박형화된 상태, (c)는 보호 필름에 자외선이 조사되어 있는 상태를 나타내는 도면.
도 14는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법을 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼 및 보호 필름이 재치대(栽置臺)상에 고정된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼에 레이저광이 조사되어 있는 상태, (c)는 실리콘 웨이퍼의 내부에 절단 기점 영역이 형성된 상태를 나타내는 도면.
도 15는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법을 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼에 다이 본드 수지 첨부 필름이 첩부된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼로부터 보호 필름이 벗겨진 상태, (c)는 확장 필름에 자외선이 조사되어 있는 상태를 나타내는 도면.
도 16은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법을 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 확장 필름이 확장된 상태, (b)는 절단된 다이 본드 수지층과 함께 반도체 칩이 픽업되어 있는 상태, (c)는 반도체 칩이 다이 본드 수지층을 통하여 리드 프레임에 접합된 상태를 나타내는 도면.
도 17은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법에 있어서 실리콘 웨이퍼와 절단 기점 영역과의 관계를 나타내는 모식도이고, (a)는 절단 기점 영역을 기점으로 한 분열이 발생하고 있지 않는 상태, (b)는 절단 기점 영역을 기점으로 한 분열이 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 18은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법에 있어서의 실리콘 웨이퍼와 절단 기점 영역과의 관계를 나타내는 모식도이고, (a)는 절단 기점 영역을 기점으로 한 분열이 실리콘 웨이퍼의 표면에 도달하고 있는 상태, (b)는 절단 기점 영역을 기점으로 한 분열이 실리콘 웨이퍼의 이면에 도달하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 19는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼 및 보호 필름이 재치대상에 고정된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼에 레이저광이 조사되어 있는 상태, (c)는 실리콘 웨이퍼의 내부에 절단 기점 영역이 형성된 상태를 나타내는 도면.
도 20은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼에 다이 본드 수지층이 고정된 상태, (b)는 다이 본드 수지층에 레이저광이 조사되어 있는 상태, (c)는 다이 본드 수지층에 변질 영역이 형성된 상태를 나타내는 도면.
도 21은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 다이 본드 수지층에 점착제층을 통하여 확장 필름이 첩부된 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼로부터 보호 필름이 벗겨진 상태, (c)는 확장 필름이 확장된 상태를 나타내는 도면.
도 22는 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 다른 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼에 다이 본드 수지 첨부 필름이 첩부된 상태, (b)는 다이 본드 수지층에 레이저광이 조사되어 있는 상태, (c)는 다이 본드 수지층에 변질 영역이 형성된 상태를 나타내는 도면.
도 23은 본 실시 형태의 반도체 기판의 절단 방법의 다른 구체적인 예를 설명하기 위한 모식도이고, (a)는 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공 장치의 재치대로부터 떼어내진 상태, (b)는 실리콘 웨이퍼로부터 보호 필름이 벗겨진 상태, (c)는 확장 필름이 확장된 상태를 나타내는 도면.
<부호의 설명>
1ㆍㆍㆍ반도체 기판, 3ㆍㆍㆍ표면,
5ㆍㆍㆍ절단 예정 라인, 7ㆍㆍㆍ개질 영역,
8ㆍㆍㆍ절단 기점 영역, 11ㆍㆍㆍ실리콘 웨이퍼(반도체 기판),
13ㆍㆍㆍ용융 처리 영역, 14ㆍㆍㆍ미소 공동,
15ㆍㆍㆍ기능 소자, 17ㆍㆍㆍ이면(레이저광 입사면),
21ㆍㆍㆍ확장 필름(유지 부재), 23ㆍㆍㆍ다이 본드 수지층,
28ㆍㆍㆍ분열, Lㆍㆍㆍ레이저광,
Pㆍㆍㆍ집광점.
이하, 본 발명에 관한 반도체 기판의 절단 방법의 적합한 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 실시 형태에서는 반도체 기판의 내부에 개질 영역을 형성하기 위하여 다광자 흡수라고 하는 현상을 이용한다. 여기서, 최초로 다광자 흡수에 의해 개질 영역을 형성하기 위한 레이저 가공 방법에 대해 설명한다.
재료 흡수의 밴드 갭 EG보다 광자의 에너지 h가 작으면 광학적으로 투명하게 된다. 따라서, 재료에 흡수가 생기는 조건은 h>EG 이다. 그러나, 광학적으로 투명해도, 레이저광의 강도를 매우 크게 하면 nh>EG 의 조건(n=2, 3, 4,···)에서 재료에 흡수가 생긴다. 이 현상을 다광자 흡수라고 한다. 펄스파의 경우, 레이저광의 강도는 레이저광의 집광점의 피크 파워 밀도(W/㎠)로 정해지고, 예를 들 면 피크 파워 밀도가 1×108(W/㎠) 이상의 조건에서 다광자 흡수가 생긴다. 피크 파워 밀도는 (집광점에 있어서 레이저광의 1 펄스당의 에너지)÷(레이저광의 빔 스포트 단면적×펄스폭) 에 의해 구해진다. 또, 연속파의 경우, 레이저광의 강도는 레이저광의 집광점의 전계 강도(W/㎠)로 정한다.
이와 같은 다광자 흡수를 이용하는 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 대해 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)의 표면(3)에는 반도체 기판(1)을 절단하기 위한 절단 예정 라인(5)이 있다. 절단 예정 라인(5)은 직선 형상으로 뻗은 가상선이다. 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에서는 도 2에 나타내는 바와 같이, 다광자 흡수가 생기는 조건에서 반도체 기판(1)의 내부에 집광점 P를 맞추어서 레이저광 L을 조사하여 개질 영역(7)을 형성한다. 또한, 집광점 P는 레이저광 L이 집광하는 지점이다. 또, 절단 예정 라인(5)은 직선 형상에 한정하지 않으며 곡선 형상이어도 되고, 가상선에 한정하지 않고 반도체 기판(1)에 실제로 끌린 선이어도 된다.
그리고, 레이저광 L을 절단 예정 라인(5)을 따라서(즉, 도 1의 화살표 A 방향으로) 상대적으로 이동시킴으로써, 집광점 P를 절단 예정 라인(5)을 따라서 이동시킨다. 이로 인해, 도 3 내지 도 5에 나타내는 바와 같이, 개질 영역(7)이 절단 예정 라인(5)을 따라서 반도체 기판(1)의 내부에 형성되고, 이 개질 영역(7)이 절단 기점 영역(8)으로 된다. 본 실시 형태의 레이저 가공 방법은 반도체 기판(1)이 레이저광 L을 흡수함으로써, 반도체 기판(1)을 발열시켜서 개질 영역(7)을 형성하 는 것은 아니다. 반도체 기판(1)에 레이저광 L을 투과시키고 반도체 기판(1)의 내부에 다광자 흡수를 발생시켜서 개질 영역(7)을 형성하고 있다. 따라서, 반도체 기판(1)의 표면(3)에서는 레이저광 L이 거의 흡수되지 않기 때문에, 반도체 기판(1)의 표면(3)이 용융하는 일은 없다.
반도체 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역(8)을 형성하면, 이 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 분열이 발생하기 쉬워지기 때문에, 도 6에 나타내는 바와 같이 비교적 작은 힘으로 반도체 기판(1)을 절단할 수 있다. 따라서, 반도체 기판(1)의 표면(3)에 불필요한 분열을 발생시키는 일 없이, 반도체 기판(1)을 고정밀도로 절단하는 것이 가능하게 된다.
이 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 반도체 기판(1)의 절단에는 다음의 두 방법이 고안된다. 하나는 절단 기점 영역(8)의 형성 후, 반도체 기판(1)에 인위적인 힘이 인가됨으로써 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 반도체 기판(1)이 분열되고, 반도체 기판(1)이 절단되는 경우이다. 이것은 예를 들면 반도체 기판(1)의 두께가 큰 경우의 절단이다. 인위적인 힘이 인가된다는 것은 예를 들면 반도체 기판(1)의 절단 기점 영역(8)에 따라서 반도체 기판(1)에 휨 응력이나 전단(剪斷) 응력을 가하거나, 반도체 기판(1)에 온도차를 부여하는 것으로 열응력을 발생시키는 것이다. 다른 하나는 절단 기점 영역(8)을 형성함으로써, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 반도체 기판(1)의 단면 방향(두께 방향)으로 향하여 자연스럽게 분열되고, 결과적으로 반도체 기판(1)이 절단되는 경우이다. 이것은 예를 들면 반도체 기판(1)의 두께가 작은 경우에는 1 열의 개질 영역(7)에 의해 절단 기점 영역(8)이 형성되는 것으로 가능하게 되고, 반도체 기판(1)의 두께가 큰 경우에는 두께 방향으로 복수 열 형성된 개질 영역(7)에 의해 절단 기점 영역(8)이 형성되는 것으로 가능하게 된다. 또한, 이 자연스럽게 분열되는 경우도, 절단하는 지점에 있어서 절단 기점 영역(8)이 형성되어 있지 않은 부위에 대응하는 부분의 표면(3)상에까지 분열이 앞서 나아가는 일이 없고, 절단 기점 영역(8)을 형성한 부위에 대응하는 부분만을 할단(割斷)할 수 있으므로, 할단을 양호하게 제어할 수 있다. 최근, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판(1)의 두께는 얇아지는 경향이므로, 이와 같은 제어성이 좋은 할단 방법은 매우 유효하다.
그러나, 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에 있어서, 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역으로서는 다음의 (1), (2) 경우가 있다.
(1) 개질 영역이 용융 처리 영역의 경우
반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서 전계 강도가 1×108(W/㎠) 이상으로, 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광을 조사한다. 이로 인해 반도체 기판의 내부는 다광자 흡수에 의해 국소적으로 가열된다. 이 가열에 의해 반도체 기판의 내부에 용융 처리 영역이 형성된다. 용융 처리 영역과는 일단 용융후 재고화(溶融後 再固化)한 영역이나, 확실히 용융 상태의 영역이나, 용융 상태로부터 재고화하는 상태의 영역이며, 상변화한 영역이나 결정 구조가 변화한 영역이라고 할 수도 있다. 또, 용융 처리 영역은 단결정 구조, 비정질 구조, 다결정 구조에 있어서 어느 구조가 다른 구조로 변화한 영역이라고 할 수도 있다. 즉, 예를 들면 단결정 구조에서 비정질 구조로 변화한 영역, 단결정 구조에서 다결정 구조로 변화한 영역, 단결정 구조에서 비정질 구조 및 다결정 구조를 포함하는 구조로 변화한 영역을 의미한다. 반도체 기판이 실리콘 단결정 구조의 경우, 용융 처리 영역은 예를 들면 비정질 실리콘 구조이다. 또한, 전계 강도의 상한치로서는 예를 들면 1×1012(W/㎠) 이다. 펄스폭은 예를 들면 1 ns ~ 200 ns 가 바람직하다.
본 발명자 등은 반도체 기판의 일례인 실리콘 웨이퍼의 내부에서 용융 처리 영역이 형성되는 것을 실험에 의해 확인하였다. 실험 조건은 다음과 같다.
(A) 반도체 기판 : 실리콘 웨이퍼(두께 350㎛, 외경 4 인치)
(B) 레이저
광원 : 반도체 레이저 여기 Nd : YAG 레이저
파장 : 1064nm
레이저광 스폿 단면적 : 3.14×10-8㎠
발진 형태 : Q 스위치 펄스
반복 주파수 : 100kHz
펄스폭 : 30ns
출력 : 20μJ/펄스
레이저광 품질 : TEM00
편광 특성 : 직선 편광
(C) 집광용 렌즈
배율 : 50배
N.A. : 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 : 60 퍼센트
(D) 반도체 기판이 재치되는 재치대의 이동 속도 : 100mm/초
도 7은 상기 조건에서의 레이저 가공에 의해 절단된 실리콘 웨이퍼의 일부에 있어서 단면의 사진을 나타내는 도면이다. 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 용융 처리 영역(13)이 형성되어 있다. 또한, 상기 조건에 의해 형성된 용융 처리 영역(13)의 두께 방향의 크기는 100㎛ 정도이다.
용융 처리 영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 설명한다. 도 8은 레이저광의 파장과 실리콘 기판의 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다. 단, 실리콘 기판의 표면측과 이면측 각각의 반사 성분을 제거하고, 내부만의 투과율을 나타내고 있다. 실리콘 기판의 두께 t가 50㎛, 100㎛, 200㎛, 500㎛, 1000㎛ 인 각각에 대해 상기 관계를 나타냈다.
예를 들면, Nd : YAG 레이저의 파장인 1064nm 에 있어서, 실리콘 기판의 두께가 500㎛ 이하인 경우, 실리콘 기판의 내부에서는 레이저광이 80% 이상 투과하는 것을 안다. 도 7에 나타내는 실리콘 웨이퍼(11)의 두께는 350㎛ 이므로, 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역(13)은 실리콘 웨이퍼(11)의 중심 부근, 즉 표면으로부터 175㎛ 인 부분에 형성된다. 이 경우의 투과율은 두께 200㎛ 의 실리콘 웨이퍼를 참고로 하면, 90% 이상이므로, 레이저광이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 흡수되는 것은 적으며 대부분이 투과한다. 이것은 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 레이저 광이 흡수되고, 용융 처리 영역(13)이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 형성(즉 레이저광에 의한 통상의 가열로 용융 처리 영역이 형성)된 것이 아니고, 용융 처리 영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 의미한다. 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역의 형성은 예를 들면 용접 학회 전국 대회 강연 개요 제66집(2000년 4월)의 제72 페이지 ~ 제73 페이지의 「피코 초 펄스 레이저에 의한 실리콘의 가공 특성 평가」에 기재되어 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼는 용융 처리 영역에 의해 형성되는 절단 기점 영역을 기점으로 하여 단면 방향으로 향하여 분열을 발생시키고, 그 분열이 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달함으로써 결과적으로 절단된다. 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달하는 이 분열은 자연스럽게 성장하는 경우도 있고, 실리콘 웨이퍼에 힘이 인가됨으로써 성장하는 경우도 있다. 그리고, 절단 기점 영역으로부터 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 분열이 자연스럽게 성장하는 경우에는 절단 기점 영역을 형성하는 용융 처리 영역이 용융하고 있는 상태로부터 분열이 성장하는 경우와, 절단 기점 영역을 형성하는 용융 처리 영역이 용융하고 있는 상태로부터 재고화할 때에 분열이 성장하는 경우 모두 있다. 단, 어느 쪽의 경우도 용융 처리 영역은 실리콘 웨이퍼의 내부에만 형성되고, 절단 후의 절단면에는 도 7과 같이 내부에만 용융 처리 영역이 형성되어 있다. 이와 같이, 반도체 기판의 내부에 용융 처리 영역에 의해서 절단 기점 영역을 형성하면, 할단시에 절단 기점 영역 라인으로부터 벗어난 불필요한 분열이 생기기 어렵기 때문에, 할단 제어가 용이하게 된다.
(2) 개질 영역이 용융 처리 영역 및 미소 공동의 경우
반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서 전계 강도가 1×108(W/㎠) 이상으로, 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건에서 레이저광을 조사한다. 이로 인해, 반도체 기판의 내부에는 용융 처리 영역과 미소 공동이 형성되는 경우가 있다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)의 표면(3)측으로부터 레이저광 L을 입사시켰을 경우, 미소 공동(14)은 용융 처리 영역(13)에 대해서 이면(17)측에 형성된다. 도 9에서는 용융 처리 영역(13)과 미소 공동(14)이 떨어져서 형성되어 있으나, 용융 처리 영역(13)과 미소 공동(14)이 연속하여 형성되는 경우도 있다. 즉, 다광자 흡수에 의해 용융 처리 영역 및 미소 공동이 쌍으로 되어 형성되는 경우, 미소 공동은 용융 처리 영역에 대해서 반도체 기판에 있어서의 레이저광 입사면의 반대측에 형성되게 된다. 또한, 전계 강도의 상한치로서는 예를 들면 1×1012(W/㎠) 이다. 펄스폭은 예를 들면 1 ns ~ 200 ns 가 바람직하다.
이와 같이, 반도체 기판(1)에 레이저광 L을 투과시켜서 반도체 기판(1)의 내부에 다광자 흡수를 발생시켜서 용융 처리 영역(13)을 형성했을 경우에, 각각의 용융 처리 영역(13)에 대응한 미소 공동(14)이 형성되는 원리에 대해서는 반드시 분명하지 않다. 여기서는 용융 처리 영역(13) 및 미소 공동(14)이 쌍으로 된 상태에서 형성되는 원리에 관하여 본 발명자 등이 상정하는 2개의 가설을 설명한다.
본 발명자 등이 상정하는 제1의 가설은 다음과 같다. 즉, 도 10에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)의 내부의 집광점 P에 초점을 맞추어서 레이저광 L을 조사하면, 집광점 P의 근방에 용융 처리 영역(13)이 형성된다. 종래는 이 레이저광 L 로서 레이저 광원으로부터 조사되는 레이저광 L의 중심 부분의 광(도 10에서, L4 및 L5에 상당하는 부분의 광)을 사용하고 있었다. 이것은 레이저광 L의 가우시안 분포의 중심 부분을 사용하기 때문이다. 본 발명자 등은 레이저광 L이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 주는 영향을 억제하기 위하여 레이저광 L을 펼치는 것으로 하였다. 그 한 방법으로서 레이저 광원으로부터 조사되는 레이저광 L을 소정의 광학계로 확장하여 가우시안 분포의 완만한 경사를 펼치고, 레이저광 L의 주변 부분의 광(도 10에서, L1 ~ L3 및 L6 ~ L8에 상당하는 부분의 광)의 레이저 강도를 상대적으로 상승시키는 것으로 하였다. 이와 같이 확장한 레이저광 L을 반도체 기판(1)에 투과시키면, 이미 설명한 바와 같이 집광점 P의 근방에서는 용융 처리 영역(13)이 형성되고, 그 용융 처리 영역(13)에 대응한 부분에 미소 공동(14)이 형성된다. 즉, 용융 처리 영역(13)과 미소 공동(14)은 레이저광 L의 광축(도 10에서의 일점 쇄선)을 따른 위치에 형성된다. 미소 공동(14)이 형성되는 위치는 레이저광 L의 주변 부분의 광(도 10에서, L1 ~ L3 및 L6 ~ L8에 상당하는 부분의 광)이 이론상 집광되는 부분에 상당한다. 이와 같이 레이저광 L의 중심 부분의 광(도 10에서, L4 및 L5에 상당하는 부분의 광)과, 레이저광 L의 주변 부분의 광(도 10에서, L1 ~ L3 및 L6 ~ L8에 상당하는 부분의 광)이 각각 집광되는 부분이 반도체 기판(1)의 두께 방향에 있어서 다른 것은 레이저광 L을 집광하는 렌즈의 구면수차(球面收差)에 의하는 것이라고 생각된다. 본 발명자 등이 상정하는 제1의 가설은 이 집광 위치의 차가 어떠한 영향을 미치고 있는 것은 아닌가 하는 것이다.
본 발명자 등이 상정하는 제2의 가설은 레이저광 L의 주변 부분의 광(도 10 에서, L1 ~ L3 및 L6 ~ L8에 상당하는 부분의 광)이 집광되는 부분은 이론상의 레이저 집광점이므로, 이 부분의 광 강도가 높고 미세 구조 변화가 일어나고 있기 때문에 그 주위가 실질적으로 결정 구조가 변화하고 있지 않는 미소 공동(14)이 형성되고, 용융 처리 영역(13)이 형성되어 있는 부분은 열(熱)적인 영향이 크고 단순하게 용융하여 재고화했다고 하는 것이다.
여기서, 용융 처리 영역은 상기 (1)에서 말한 바의 것이지만, 미소 공동은 그 주위가 실질적으로 결정 구조가 변화하고 있지 않는 것이다. 반도체 기판이 실리콘 단결정 구조의 경우에는 미소 공동의 주위는 실리콘 단결정 구조인 채의 부분이 많다.
본 발명자 등은 반도체 기판의 일례인 실리콘 웨이퍼의 내부에서 용융 처리 영역 및 미소 공동이 형성되는 것을 실험에 의해 확인하였다. 실험 조건은 다음과 같다.
(A) 가공 대상물 : 실리콘 웨이퍼(두께 100㎛)
(B) 레이저
광원 : 반도체 레이저 여기 Nd : YAG 레이저
파장 : 1064nm
반복 주파수 : 40kHz
펄스폭 : 30nsec
펄스 피치 : 7㎛
가공 깊이 : 8㎛
펄스 에너지 : 50μJ/펄스
(C) 집광용 렌즈
NA : 0.55
(D) 가공 대상물이 재치되는 재치대의 이동 속도 : 280mm/sec
도 11은 상기 조건에서의 레이저 가공에 의해 절단된 실리콘 웨이퍼의 절단면의 사진을 나타내는 도면이다. 도 11에 있어서 (a)와 (b)는 동일한 절단면의 사진을 다른 축척으로 나타낸 것이다. 동일한 도면에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에는 1 펄스의 레이저광 L의 조사에 의해 형성된 용융 처리 영역(13) 및 미소 공동(14)의 쌍이 절단면을 따라서(즉, 절단 예정 라인을 따라서) 소정의 피치로 형성되어 있다. 또한, 도 11에 나타내는 절단면의 용융 처리 영역(13)은 실리콘 웨이퍼(11)의 두께 방향(도면에서 상하 방향)의 폭이 13㎛ 정도로, 레이저광 L을 이동하는 방향(도면에서 좌우 방향)의 폭이 3㎛ 정도이다. 또, 미소 공동(14)은 실리콘 웨이퍼(11)의 두께 방향의 폭이 7㎛ 정도이고, 레이저광 L을 이동하는 방향의 폭이 1.3㎛ 정도이다. 용융 처리 영역(13)과 미소 공동(8)과의 간격은 1.2㎛ 정도이다.
이상, 다광자 흡수에 의해 형성되는 개질 영역으로서 (1), (2)의 경우를 설명하였으나, 반도체 기판의 결정 구조나 그 벽개성(劈開性) 등을 고려하여 절단 기점 영역을 다음과 같이 형성하면, 그 절단 기점 영역을 기점으로 하여 보다 작은 힘으로, 또한 양호한 정밀도로 반도체 기판을 절단하는 것이 가능하게 된다.
즉, 실리콘 등의 다이아몬드 구조의 단결정 반도체로 이루어지는 기판의 경 우는 (111)면(제1 벽개면)이나 (110)면(제2 벽개면)을 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또, GaAs 등의 섬아연광형 구조의 III-V족 화합물 반도체로 이루어지는 기판의 경우는 (110)면을 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향(예를 들면, 단결정 실리콘 기판에 있어서 (111)면을 따른 방향), 또는 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향과 직교하는 방향을 따라서 기판에 오리엔테이션 플랫을 형성하면, 그 오리엔테이션 플랫을 기준으로 함으로써, 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향에 따른 절단 기점 영역을 용이하면서 정확하게 기판에 형성하는 것이 가능하게 된다.
이하, 본 발명에 관한 반도체 기판의 절단 방법의 적합한 실시 형태에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 또한, 도 13 내지 도 16은 도 12의 실리콘 웨이퍼의 XIII-XIII 선을 따른 부분 단면도이다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물로 되는 실리콘 웨이퍼(반도체 기판)(11)의 표면(3)에는 복수의 기능 소자(15)가 오리엔테이션 플랫(16)에 평행한 방향과 수직인 방향에 매트릭스 형상으로 패턴 형성되어 있다. 이와 같은 실리콘 웨이퍼(11)를 다음과 같이 하여 기능 소자(15)마다 절단한다.
우선, 도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측에 보호 필름(18)을 첩부하여 기능 소자(15)를 덮는다. 이 보호 필름(18)은 기능 소자(15)를 보호하는 동시에, 실리콘 웨이퍼(11)를 유지하는 것이다. 보호 필름(18)을 첩부한 후, 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)가 소정의 두께로 되도록 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 평면 연삭하고, 또 이면(17)에 케미컬 에칭을 행하여 이면(17)을 평활화한다. 이와 같이 하여, 예를 들면 두께 350㎛ 의 실리콘 웨이퍼(11)를 두께 100㎛ 로 박형화한다. 실리콘 웨이퍼(11)를 박형화한 후, 보호 필름(18)에 자외선을 조사한다. 이로 인해, 보호 필름(18)의 점착층인 UV 경화 수지층이 경화하고, 보호 필름(18)이 실리콘 웨이퍼(11)로부터 벗겨지기 용이하게 된다.
계속하여, 레이저 가공 장치를 이용하여 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 절단 기점 영역을 형성한다. 즉, 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치의 재치대(19)상에 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 윗쪽으로 향하여 보호 필름(18)을 진공 흡착에 의해 고정하고, 이웃하는 기능 소자(15, 15) 사이를 통과하도록 절단 예정 라인(5)을 격자 형상으로 설정한다(도 12의 2점 쇄선 참조). 그리고, 도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하여 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 집광점 P를 맞추고, 상술한 다광자 흡수가 생기는 조건에서 레이저광 L을 조사하여, 재치대(19)의 이동에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라서 집광점 P를 상대 이동시킨다. 이로 인해, 도 14(c)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에는 절단 예정 라인(5)을 따라서 용융 처리 영역(13)에 의해 절단 기점 영역(8)이 형성된다.
계속하여, 보호 필름(18)이 첩부된 실리콘 웨이퍼(11)를 재치대(19)로부터 떼어내고, 도 15(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지 첨부 필름(20)(예를 들면, 린텍 주식회사의 「LE-5000(상품명)」)을 첩 부한다. 이 다이 본드 수지 첨부 필름(20)은 두께 100㎛ 정도의 확장 가능한 확장 필름(유지 부재)(21)을 갖고, 이 확장 필름(21)상에는 다이 본딩용 접착제로서 기능하는 다이 본드 수지층(점착성 수지층)(23)이 층 두께가 수 ㎛ 정도인 UV 경화 수지층을 통하여 설치되어 있다. 즉, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하게 된다. 또한, 확장 필름(21)의 주연 부분에는 필름 확장 수단(30)이 장착되어 있다. 다이 본드 수지 첨부 필름(20)을 첩부한 후, 도 15(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측으로부터 보호 필름(18)을 벗기고, 도 15(c)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)에 자외선을 조사한다. 이로 인해, 확장 필름(21)의 점착층인 UV 경화 수지층이 경화하고, 다이 본드 수지층(23)이 확장 필름(21)으로부터 벗겨지기 용이하게 된다.
계속하여, 도 16(a)에 나타내는 바와 같이, 필름 확장 수단(30)에 의하여, 확장 필름(21)의 주연 부분을 외측으로 향하여 이끌도록 하여 확장 필름(21)을 확장시킨다. 이 확장 필름(21)의 확장에 의하여, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 두께 방향으로 분열이 발생하고, 이 분열이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달하게 된다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)가 절단 예정 라인(5)을 따라서 양호한 정밀도로 절단되고, 기능 소자(15)를 하나 갖는 반도체 칩(25)이 복수 얻어진다. 또, 이 때 이웃하는 반도체 칩(25, 25)의 대면하는 절단면(25a, 25a)은 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어져 가게 되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 절단과 동시에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 밀착하고 있던 다이 본드 수지층(23)도 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된다.
계속하여, 도 16(b)에 나타내는 바와 같이, 흡착 콜릿 등을 이용하여 반도체 칩(25)을 차례로 픽업한다. 이 때, 다이 본드 수지층(23)은 반도체 칩(25)과 동일한 외형으로 절단되어 있고, 또 다이 본드 수지층(23)과 확장 필름(21)과의 밀착력이 저하되어 있기 때문에, 반도체 칩(25)은 그 이면에 절단된 다이 본드 수지층(23)이 밀착한 상태로 픽업되게 된다. 그리고, 도 16(c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(25)을, 그 이면에 밀착한 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 리드 프레임(27)의 다이 패드상에 재치하고, 가열에 의해 필러 접합한다.
이상과 같은 실리콘 웨이퍼(11)의 절단 방법에 있어서는 표면(3)에 기능 소자(15)가 형성된 실리콘 웨이퍼(11)를 가공 대상물로 하고, 그 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하여 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 집광점 P를 맞추어서 레이저광 L을 조사한다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 다광자 흡수를 일으키게 하여 절단 예정 라인(5)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 용융 처리 영역(13)에 의한 절단 기점 영역(8)을 형성한다. 이 때, 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하는 것은 표면을 레이저광 입사면으로 하면 기능 소자에 의해 레이저광의 입사를 방해할 수 있을 우려가 있기 때문이다. 이와 같이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 절단 기점 영역(8)이 형성되면, 자연스럽게 또는 비교적 작은 힘을 가함으로써 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 분열을 발생시키고, 그 분열을 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달시킬 수 있다. 따라서, 절단 기점 영역(8)을 형성한 후에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하고, 그 확장 필름(21)을 확장시키면 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된 실리콘 웨이퍼(11)의 절단면(25a, 25a)이 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지게 된다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)와 확장 필름(21)과의 사이에 존재하는 다이 본드 수지층(23)도 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된다. 따라서, 블레이드로 절단하는 경우에 비해 극히 양호한 효율로 실리콘 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단할 수 있다.
또한, 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된 실리콘 웨이퍼(11)의 절단면(25a, 25a)이 처음은 서로 밀착하고 있기 때문에, 절단된 개개의 실리콘 웨이퍼(11)와 절단된 개개의 다이 본드 수지층(23)이 거의 동일한 외형으로 되고, 각 실리콘 웨이퍼(11)의 절단면(25a)으로부터 다이 본드 수지가 초과하는 일도 방지된다.
또한, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 절단 기점 영역(8)을 형성하기 전에, 실리콘 웨이퍼(11)이 소정의 두께로 되도록 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 연마한다. 이와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)를 소정의 두께로 박형화함으로써, 실리콘 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 보다 양호한 정밀도로 절단하는 것이 가능하게 된다.
그러나, 상술한 실리콘 웨이퍼(11)의 절단 방법은 도 17(a)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)을 확장하기 전까지는 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 분열이 실리콘 웨이퍼(11)에 발생하지 않는 경우였으나, 도 17(b)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)을 확장하기 전에, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 분열(28)을 발생시키고, 이 분열(28)을 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달시켜도 된다. 이 분열(28)을 발생시키는 방법으로서는 예를 들면 나이프 엣지 등의 응력 인가 수단을 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 누름으로써, 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)에 휨 응력이나 전단 응력을 일으키게 하는 방법이나, 실리콘 웨이퍼(11)에 온도차를 주는 것으로 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)에 열응력을 일으키게 하는 방법 등이 있다.
이와 같이, 확장 필름(21)을 확장하기 전에, 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)에 스트레스를 일으키고, 절단 기점 영역(8)을 따라서 실리콘 웨이퍼(11)를 절단하면, 더욱 양호한 정밀도로 절단된 반도체 칩(25)을 얻을 수 있다. 그리고, 이 경우에 있어서도 실리콘 웨이퍼(11)에 첩부된 확장 필름(21)을 확장시키면, 이웃하는 반도체 칩(25, 25)의 대면하는 절단면(25a, 25a)이 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 밀착하고 있던 다이 본드 수지층(23)은 절단면(25a)을 따라서 절단되게 된다. 따라서, 이 절단 방법에 의하여, 블레이드로 절단하는 경우에 비하면, 더욱 양호한 효율로 실리콘 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단 기점 영역(8)을 따라서 절단하는 것이 가능하게 된다.
또한, 실리콘 웨이퍼(11)의 두께가 얇아지면, 절단 기점 영역(8)에 따라서 스트레스를 일으키게 하는 일 없이, 도 17(b)에 나타내는 바와 같이, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 한 분열(28)이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달하는 경우가 있다.
또, 도 18(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 있어서 표면(3) 근방에 용융 처리 영역(13)에 의한 절단 기점 영역(8)을 형성하고, 표면(3)에 분열(28)을 도달시키면, 절단하여 얻어진 반도체 칩(25)의 표면(즉, 기능 소자 형성면)의 절단 정밀도를 극히 높게 할 수 있다. 한편, 도 18(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 있어서 이면(17) 근방에 용융 처리 영역(13)에 의한 절단 기점 영역(8)을 형성하고, 이면(17)에 분열(28)을 도달시키면 확장 필름(21)의 확장에 의해서 다이 본드 수지층(23)을 양호한 정밀도로 절단할 수 있다.
본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 실시 형태는 반도체 기판(1)의 내부에서 다광자 흡수를 일으키게 하여 개질 영역(7)을 형성한 경우였으나, 반도체 기판(1)의 내부에서 다광자 흡수와 동일한 광흡수를 일으키게 하여 개질 영역(7)을 형성할 수 있는 경우도 있다.
또, 상술한 실리콘 웨이퍼(11)의 절단 방법은 개질 영역으로서 용융 처리 영역(13)을 형성하는 경우였으나, 개질 영역으로서 용융 처리 영역(13) 및 미소 공동(14)을 형성해도 된다. 이 경우, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하기 때문에, 미소 공동(14)은 용융 처리 영역(13)에 대해서 레이저광 입사면의 반대측, 즉 기능 소자(15)가 형성된 표면(3)측에 형성되게 된다. 절단면에 있어서 미소 공동(14)측의 부분은 용융 처리 영역(13)측의 부분에 비해 고정밀도로 되는 경향이 있기 때문에, 기능 소자(15)가 형성된 표면(3)측에 미소 공동(14)을 형성함으로써, 반도체 칩(25)의 제품 비율(步留)을 보다 향상시키는 것이 가능하게 된다.
또, 상기 실시 형태에 있어서, 다이 본드 수지 첨부 필름(20)의 확장 필름(21)을 확장시키기 전에, 다이 본드 수지 첨부 필름(20)의 다이 본드 수지층(23)을 미리 가열하면, 확장 필름(21)을 확장시켰을 때에 실리콘 웨이퍼(11)의 절단과 동시에, 다이 본드 수지층(23)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 보다 양호한 정밀도로 또한 용이하게 절단하는 것이 가능하게 된다. 이것은 다이 본드 수지층(23)의 물성이 가열에 의해서 당겨 뜯어지기 쉬운 것으로 변화하기 때문이라고 생각된다. 구체적으로는 다이 본드 수지층(23)을 50℃ ~ 120℃ 의 온도에서 1분 ~ 30분 가열하면, 다이 본드 수지층(23)의 물성이 당겨 뜯어지기 쉬운 것으로 변화한다. 이 점, 해당 온도가 50℃ 을 하회하면 다이 본드 수지층(23)의 물성이 당겨 뜯어지기 쉬운 것으로 변화하기 어렵고, 해당 온도가 120℃ 을 넘으면 다이 본드 수지층(23)이 원형을 갖추지 않을 정도 연화할 우려가 있다.
상술한 다이 본드 수지층(23)의 가열 방법으로서는 다이 본드 수지층(23)의 전체를 가열해도 되고, 다이 본드 수지층(23)의 절단 예정 라인(5)을 따른 부분을 선택적으로 가열해도 된다. 다이 본드 수지층(23)의 전체를 가열하기 위해서는 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지 첨부 필름(20)을 첩부한 상태에서, 그것들에 온풍을 쐬거나 그것들을 가열로에 넣거나 또는 히터가 매설된 가열대위에 재치하면 좋다. 또, 다이 본드 수지층(23)의 절단 예정 라인(5)을 따른 부분을 선택적으로 가열하기 위해서는 다이 본드 수지층(23)에 대해서 광흡수성을 갖는 레이저광을 절단 예정 라인(5)에 조사하는 등 하면 좋다.
또한, 다이 본드 수지층(23)을 가열하는 타이밍은 실리콘 웨이퍼(11)의 이면 (17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하고 나서, 확장 필름(21)을 확장시킴으로써, 실리콘 웨이퍼(11) 및 다이 본드 수지층(23)을 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단할 때까지의 사이이면 언제라도 된다. 또, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 첩부하기 전에, 다이 본드 수지 첨부 필름(20) 상태에서 다이 본드 수지층(23)을 가열하고, 그 후에 가열 처리된 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 실리콘 웨이퍼(11)에 첩부하도록 해도 된다. 이 경우에, 가열 처리된 다이 본드 수지층(23)을 개재시켜서 확장 필름(21)을 실리콘 웨이퍼(11)에 첩부하는 타이밍은 다이 본드 수지층(23)을 가열한 직후여도 되고, 다이 본드 수지층(23)을 가열하고 나서 소정 시간이 경과한 다음이어도 된다. 이와 같이 가열 처리에 의해서 다이 본드 수지층(23)이 분할하기 쉬워지는 것은 파단(破斷) 성장이 작아지고, 인장(引張) 강도가 커지는 것이 하나의 요인으로 생각된다. 또, 다이 본드 수지층(23)에 자외선 외의 전자파를 조사함으로써, 다이 본드 수지층(23)의 물성을 당겨 뜯어지기 쉬운 것으로 변화시킬 수 있는 경우도 있다.
여기서, 다이 본드 수지층(23)의 절단 예정 라인(5)을 따른 부분을 선택적으로 가열하는 경우의 구체적인 예에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 상당한 부분에는 동일한 부호를 부여하여 중복하는 설명을 생략한다.
우선, 도 19(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측에 보호 필름(18)을 첩부하여 기능 소자(15)를 덮고, 레이저 가공 장치의 재치대(19)상에 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 윗쪽으로 향하여 보호 필름(18)을 진공 흡착에 의해 고정한다. 그리고, 이웃하는 기능 소자(15, 15) 사이를 통과하도록 절단 예정 라인(5)을 격자 형상으로 설정한 후, 도 19(b)에 나타내는 바와 같이, 이면(17)을 레이저광 입사면으로 하여 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 집광점 P를 맞추고, 다광자 흡수가 생기는 조건에서 레이저광 L을 조사하여, 재치대(19)의 이동에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라서 집광점 P를 상대 이동시킨다. 이로 인해, 도 19(c)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에는 절단 예정 라인(5)을 따라서 용융 처리 영역(13)에 의해 절단 기점 영역(8)이 형성된다. 또한, 보호 필름(18)에 대신하여, 유리나 수지로 이루어지는 플레이트 형상의 보호 부재를 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측에 장착해도 된다.
계속하여, 도 20(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지층(23)을 고정하고, 레이저 가공 장치의 재치대(19)상에 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 윗쪽으로 향하여 보호 필름(18)을 진공 흡착에 의해 고정한다. 그리고, 도 20(b)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 수지층(23)에 집광점 P를 맞추고, 소정의 파장(예를 들면 808nm)의 레이저광 L을 조사하고, 재치대(19)의 이동에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라서 집광점 P를 상대 이동시킨다. 이로 인해, 도 20(c)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 수지층(23)에는 당겨 뜯어지기 쉬운 물성을 갖는 변질 영역(29)이 절단 예정 라인(5)을 따라서 형성된다. 이 변질 영역(29)는 가열 효과에 의해 물성이 변화한 것, 또는 취성화(脆性化)한 것이다. 또한, 소정의 파장의 레이저광 L에 대신하여, 절단 예정 라인(5)을 따라서 다이 본드 수지층(23)에 전자선을 조사해도 된다.
계속하여, 실리콘 웨이퍼(11)를 재치대(19)로부터 떼어내고, 도 21(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)에 고정된 다이 본드 수지층(23)에 점착제층(자외선 외의 에너지선의 조사에 의해 점착력이 저하하는 접착제)(31)을 통하여 확장 필름(21)을 첩부한다. 또한, 점착제층(31) 첨부의 확장 필름(21)을 다이 본드 수지층(23)에 첩부해도 되고, 다이 본드 수지층(23)에 점착제층(31)을 적층한 후에 확장 필름(21)을 첩부해도 된다.
그리고, 도 21(b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측으로부터 보호 필름(18)을 벗기고, 도 21(c)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)의 주연 부분을 외측으로 향하여 이끌도록 하여 확장 필름(21)을 확장시킨다. 이 확장 필름(21)의 확장에 의해 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 두께 방향으로 분열이 발생하고, 이 분열이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달하게 된다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)가 절단 예정 라인(5)을 따라서 양호한 정밀도로 절단되고, 기능 소자(15)를 1개 갖는 반도체 칩(25)이 복수 얻어진다. 또, 이 때, 이웃하는 반도체 칩(25, 25)의 대면하는 절단면(25a, 25a)은 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지게 되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 절단과 동시에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 밀착하고 있던 다이 본드 수지층(23)도 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된다.
계속하여, 점착제층(31)에 자외선 외의 에너지선을 조사하여 점착제층(31)의 점착력을 저하시키고, 절단된 다이 본드 수지층(23)이 이면에 밀착한 상태의 반도체 칩(25)을 차례로 픽업한다.
다음에, 다이 본드 수지층(23)의 절단 예정 라인(5)을 따른 부분을 선택적으로 가열하는 경우의 다른 구체적인 예에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 상당한 부분에는 동일한 부호를 부여하여 중복하는 설명을 생략한다.
우선, 상술한 구체적인 예와 동일하게, 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 절단 예정 라인(5)을 따라서 용융 처리 영역(13)에 의해 절단 기점 영역(8)을 형성한다. 그 후, 도 22(a)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 다이 본드 수지 첨부 필름(32)을 첩부하고, 레이저 가공 장치의 재치대(19)상에 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)을 윗쪽으로 향하여 보호 필름(18)을 진공 흡착에 의해 고정한다. 다이 본드 수지 첨부 필름(32)은 소정의 파장(예를 들면 808nm)의 레이저광을 투과하는 재료로 이루어지는 확장 필름(21)상에 다이 본드 수지층(23)이 점착제층(31)을 통하여 설치된 것이다. 또한, 다이 본드 수지 첨부 필름(32)으로서 소정의 파장의 레이저광을 투과하는 재료로 이루어지는 확장 필름(21)상에 다이 본드 수지층(23)이 직접 설치된 것을 이용해도 된다(예를 들면, 일본 특허 제1987034호 공보 참조).
다이 본드 수지 첨부 필름(32)을 첩부한 후, 도 22(b)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 수지층(23)에 집광점 P를 맞추고, 상술한 소정의 파장의 레이저광 L을 조사하고, 재치대(19)의 이동에 의해 절단 예정 라인(5)을 따라서 집광점 P를 상대 이동시킨다. 이로 인해, 도 22(c)에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 수지층(23)에는 당겨 뜯어지기 쉬운 물성을 갖는 변질 영역(29)이 절단 예정 라인(5)을 따라서 형성된다.
계속하여, 도 23(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)측으로부터 보호 필름(18)을 벗기고, 도 23(c)에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(21)의 주연 부분을 외측으로 향하여 이끌도록 하여 확장 필름(21)을 확장시킨다. 이 확장 필름(21)의 확장에 의하여, 절단 기점 영역(8)을 기점으로 하여 두께 방향으로 분열이 발생하고, 이 분열이 실리콘 웨이퍼(11)의 표면(3)과 이면(17)에 도달하게 된다. 이로 인해, 실리콘 웨이퍼(11)가 절단 예정 라인(5)을 따라서 양호한 정밀도로 절단되고, 기능 소자(15)를 1개 갖는 반도체 칩(25)이 복수 얻어진다. 또, 이 때 이웃하는 반도체 칩(25, 25)의 대면하는 절단면(25a, 25a)은 확장 필름(21)의 확장에 수반하여 밀착한 상태로부터 떨어지게 되기 때문에, 실리콘 웨이퍼(11)의 절단과 동시에, 실리콘 웨이퍼(11)의 이면(17)에 밀착하고 있던 다이 본드 수지층(23)도 절단 예정 라인(5)을 따라서 절단된다.
계속하여, 점착제층(31)에 자외선 외의 에너지선을 조사하여 점착제층(31)의 점착력을 저하시키고, 절단된 다이 본드 수지층(23)이 이면에 밀착한 상태의 반도체 칩(25)을 차례로 픽업한다. 또한, 점착제층(31)에 대한 자외선 외의 에너지선의 조사는 확장 필름(21)을 확장시키기 전이어도 좋고, 확장 필름(21)을 확장시킨 다음에도 된다.
상술한 각 구체적인 예에서는 다이 본드 수지층(23)에 절단 예정 라인(5)을 따라서 소정의 파장의 레이저광 L을 조사하였으나, 절단 예정 라인(5)을 따라서 광투과부가 형성된 마스크를 다이 본드 수지층(23)상 또는 다이 본드 수지 첨부 필름(32)상에 배치하고, 자외선 외의 에너지선을 전면에 조사하여 다이 본드 수지층 (23)에 절단 예정 라인(5)을 따라서 변질 영역(29)을 형성해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 다이 본드 수지층과 함께 양호한 효율로 절단할 수 있다.
Claims (8)
- 표면에 기능 소자가 형성된 반도체 기판을 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 반도체 기판의 절단 방법에 있어서,상기 반도체 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여 상기 반도체 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저광을 조사함으로써 개질 영역을 형성하고, 상기 개질 영역에 의하여 상기 절단 예정 라인을 따라서 상기 레이저광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성한 후에, 상기 반도체 기판의 이면에 다이 본드(die-bond) 수지층을 개재시켜서 확장 가능한 유지 부재를 장착하는 공정과,상기 유지 부재를 장착한 후에, 상기 유지 부재를 확장시킴으로써 상기 반도체 기판 및 상기 다이 본드 수지층을 상기 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
- 제1항에 있어서,상기 절단 기점 영역을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판이 소정의 두께로 되도록 상기 반도체 기판의 이면을 연마하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 개질 영역은 용융 처리 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 개질 영역은용융 처리 영역과,상기 용융 처리 영역에 대하여 상기 레이저광 입사면의 반대측에 위치하는 미소 공동(微小 空洞)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절단 기점 영역을 형성할 때에는 상기 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 반도체 기판의 표면에 분열(fracture)을 도달시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절단 기점 영역을 형성할 때에는 상기 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 반도체 기판의 이면에 분열을 도달시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절단 기점 영역을 형성할 때에는 상기 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 반도체 기판의 표면과 이면에 분열을 도달시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유지 부재를 확장시킴으로써, 상기 반도체 기판 및 상기 다이 본드 수지층을 상기 절단 예정 라인을 따라서 절단하는 공정 이전에, 상기 다이 본드 수지층을 가열하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 절단 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003318875 | 2003-09-10 | ||
JPJP-P-2003-00318875 | 2003-09-10 | ||
JP2004213499A JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2004-07-21 | 半導体基板の切断方法 |
JPJP-P-2004-00213499 | 2004-07-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR20060106813A true KR20060106813A (ko) | 2006-10-12 |
KR100827879B1 KR100827879B1 (ko) | 2008-05-07 |
Family
ID=34315653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020067004943A KR100827879B1 (ko) | 2003-09-10 | 2004-09-09 | 반도체 기판의 절단 방법 |
Country Status (11)
Country | Link |
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US (3) | US20070085099A1 (ko) |
EP (1) | EP1670046B1 (ko) |
JP (2) | JP4563097B2 (ko) |
KR (1) | KR100827879B1 (ko) |
CN (1) | CN100407377C (ko) |
AT (1) | ATE503268T1 (ko) |
DE (1) | DE602004031963D1 (ko) |
IL (3) | IL174231A (ko) |
MY (1) | MY140517A (ko) |
TW (1) | TWI321828B (ko) |
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JP4804911B2 (ja) | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
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WO2008035679A1 (fr) | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5101073B2 (ja) | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4964554B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
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US8735770B2 (en) | 2006-10-04 | 2014-05-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method for forming a modified region in an object |
JP5336054B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP4402708B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
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JP5342772B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5134928B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5054496B2 (ja) | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
-
2004
- 2004-07-21 JP JP2004213499A patent/JP4563097B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-09 EP EP04787826A patent/EP1670046B1/en active Active
- 2004-09-09 WO PCT/JP2004/013163 patent/WO2005027212A1/ja active Application Filing
- 2004-09-09 CN CN2004800260662A patent/CN100407377C/zh active Active
- 2004-09-09 US US10/571,142 patent/US20070085099A1/en not_active Abandoned
- 2004-09-09 DE DE602004031963T patent/DE602004031963D1/de active Active
- 2004-09-09 AT AT04787826T patent/ATE503268T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-09-09 KR KR1020067004943A patent/KR100827879B1/ko active IP Right Grant
- 2004-09-10 TW TW093127370A patent/TWI321828B/zh active
- 2004-09-10 MY MYPI20043676A patent/MY140517A/en unknown
-
2005
- 2005-02-22 JP JP2005045901A patent/JP3790254B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-03-09 IL IL174231A patent/IL174231A/en active IP Right Grant
-
2009
- 2009-10-21 US US12/603,145 patent/US8058103B2/en active Active
-
2011
- 2011-08-17 IL IL214705A patent/IL214705A/en active IP Right Grant
- 2011-10-07 US US13/269,274 patent/US8551817B2/en active Active
- 2011-11-30 IL IL216690A patent/IL216690A/en active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI321828B (en) | 2010-03-11 |
IL174231A (en) | 2012-01-31 |
WO2005027212A1 (ja) | 2005-03-24 |
US20100203678A1 (en) | 2010-08-12 |
DE602004031963D1 (de) | 2011-05-05 |
EP1670046B1 (en) | 2011-03-23 |
MY140517A (en) | 2009-12-31 |
US20070085099A1 (en) | 2007-04-19 |
IL214705A (en) | 2015-07-30 |
KR100827879B1 (ko) | 2008-05-07 |
JP4563097B2 (ja) | 2010-10-13 |
WO2005027212A8 (ja) | 2005-05-26 |
TW200518269A (en) | 2005-06-01 |
IL216690A0 (en) | 2012-01-31 |
ATE503268T1 (de) | 2011-04-15 |
JP3790254B2 (ja) | 2006-06-28 |
US8551817B2 (en) | 2013-10-08 |
IL216690A (en) | 2014-01-30 |
JP2005109442A (ja) | 2005-04-21 |
US20120077315A1 (en) | 2012-03-29 |
IL174231A0 (en) | 2006-08-01 |
IL214705A0 (en) | 2011-09-27 |
CN100407377C (zh) | 2008-07-30 |
EP1670046A4 (en) | 2009-07-01 |
JP2005203803A (ja) | 2005-07-28 |
CN1849699A (zh) | 2006-10-18 |
EP1670046A1 (en) | 2006-06-14 |
US8058103B2 (en) | 2011-11-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130404 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140401 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180418 Year of fee payment: 11 |