KR20060003159A - 반도체 칩 제조 방법 및 장치 - Google Patents

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KR20060003159A KR1020040051958A KR20040051958A KR20060003159A KR 20060003159 A KR20060003159 A KR 20060003159A KR 1020040051958 A KR1020040051958 A KR 1020040051958A KR 20040051958 A KR20040051958 A KR 20040051958A KR 20060003159 A KR20060003159 A KR 20060003159A
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Abstract

본 발명은 복수 개의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼로부터 박형화 및 반도체 칩 단위로 개별화하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법은 개별화되는 반도체 칩 경계 부위에 경계슬롯(Slot)이 형성된 웨이퍼가 준비되는 제 1 단계와, 경계슬롯 내부에 접착제가 충진되는 제 2 단계와, 웨이퍼 상면에 보호용 테이프가 부착되는 제 3 단계와, 웨이퍼 하면이 그라인딩(Grinding)되는 제 4 단계와, 보호용 테이프가 제거되는 제 5 단계, 및 웨이퍼로부터 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 제 6 단계를 포함한다. 그리고, 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 장치는 웨이퍼 하면에 열을 가하는 척 플레이트와, 웨이퍼 상면에 열을 가하는 방열판, 및 접착제가 외부로 배출되는 웨이퍼 스테이지를 갖는 반도체 칩 개별화 장치를 포함한다. 이에 따르면, 웨이퍼가 박형화된 후 절단 공정 없이 반도체 칩 단위로 한꺼번에 개별화된다. 이에, 박형화된 웨이퍼의 절단 시 발생될 수 있는 크랙(Crack) 및 깨짐 현상 등이 발생되지 않고, 반도체 칩 제조에 따른 스루풋(Throughput)이 향상된다.
반도체 칩, 그라인딩(Grinding), 반도체 칩 개별화, 박형화, 척 플레이트, 방열판

Description

반도체 칩 제조 방법 및 장치{Method and Apparatus for Manufacturing Semiconductor Chip}
도 1은 일반적인 종래 기술에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법의 일 예를 간략하게 나타낸 순서도.
도 2는 일반적인 종래 기술에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법의 일 예를 간략하게 도시한 상태도.
도 3은 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법의 일 실시예를 간략하게 나타낸 순서도.
도 4은 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법의 일 실시예를 간략하게 나타낸 상태도.
도 5는 본 발명의 박형화된 반도체 칩 제조 장치에 따른 반도체 칩 개별화 장치의 일 실시예를 간략하게 나타낸 구성도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101, 301, 401: 웨이퍼 104, 302, 402:반도체 칩
102: 보호용 테이프 103:마운트 테이프
105:경계선 302a, 402a: 경계슬롯
303, 403: 접착제 304: 보호용 테이프
400: 반도체 칩 개별화 장치 404: 방열판
405:필터 406: 가열 블럭
407: 진공 펌프 408: 접착제 수거장치
409: 웨이퍼 스테이지 409a: 접착제 배출구
409b: 공기 배출구 410: 척 플레이트
410a:관통홀
본 발명은 반도체 칩 제조 방법 및 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상면에 복수 개의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼로부터 박형화된 반도체 칩 단위로 개별화하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 패키지 제조 공정에서는 웨이퍼 상에 복수 개의 반도체 칩이 가로 및 세로로 소정 간격 이격되게 형성되고, 그 반도체 칩들 사이에 스크라이브(Scribe) 라인이 형성된다. 이에, 반도체 절단(Sawing) 장치에 의해 스크라이브 라인을 따라 웨이퍼가 절단됨으로써 웨이퍼로부터 분리된 복수 개의 반도체 칩이 제작된다. 여기서, 반도체 절단 장치는 통상적으로 가장자리가 날카롭고 강도가 높은 재질의 다이아몬드로 이루어진 블레이드가 이용된다.
또한, 최근 반도체 패키지가 경박단소(輕薄短小)화됨에 따라 반도체 패키지에 장착되는 반도체 칩의 두께도 얇아지거나 소형화되고 있다. 이에, 반도체 칩의 두께를 얇게 하기 위해서 웨이퍼의 후면을 그라인딩하는 백그라인딩(Back Grinding) 공정이 수행되고 있다. 여기서, 백그라인딩은 그라인더(Grinder)를 사용하여 전자회로가 형성되지 않은 웨이퍼의 후면을 일정 두께만큼 그라인딩함으로써 불필요한 부분을 제거하여 그 두께를 감소시키는 방법 중의 하나이다.
이하 첨부 도면을 참조하여 백그라인딩에 의해 박형화된 복수 개의 반도체 칩을 웨이퍼로부터 개별화시키는 반도체 칩 제조 방법에 대해 간략하게 살펴보기로 한다.
도 1은 일반적인 종래 기술에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법의 일 예를 간략하게 나타낸 순서도이고, 도 2는 일반적인 종래 기술에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법의 일 예를 간략하게 도시한 상태도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 박형화된 반도체 칩(104) 제조 방법은 제 1 단계(1)에서 상면에 복수 개의 반도체 칩(104)이 가로 및 세로로 소정 간격 이격되게 형성되고 그 반도체 칩(104)들 사이에 스크라이브 라인(도시 되지 않음)이 형성된 웨이퍼(101) 상면에 보호용 테이프(102)가 부착된다. 다음으로, 제 2 단계(2)에서 웨이퍼(101) 하면이 그라인더에 의해 소정의 두께만큼 그라인딩 되어 웨이퍼(101)가 박형화되고, 제 3 단계(3)에서 보호용 테이프(102)가 자외선에 노출되어 접착력이 상실된 후 웨이퍼(101)로부터 제거된다. 다음으로, 제 4 단계(4)에서 웨이퍼(101)의 하면이 마운팅 테이프(103)에 부착되고, 제 5 단계(5)에서 웨이퍼(101)가 반도체 절단 장치에 의해 스크라이브 라인(도시 되지 않음)을 따라 절단됨으로써 반도체 칩(104) 사이에 상면에서 하면까지 경계선(105)이 형성되어 웨이 퍼(101)로부터 박형화된 복수 개의 반도체 칩(104)이 개별화된다. 이 후, 이와 같이 개별화된 반도체 칩(104)은 픽업 장치에 의해 픽업되어 다음 공정을 위해 이송될 수 있다.
이러한 종래 기술에 따른 박형화된 반도체 칩(104) 제조 방법은 웨이퍼(101)가 그라인딩되어 두께가 박형화된 상태에서 반도체 칩(104) 단위로 개별화되기 위해 절단 공정이 시행된다. 이에, 절단 공정 시 박형화된 웨이퍼(101)에 스트레스가 가해져 반도체 칩(104) 상에 크랙이 발생되거나, 웨이퍼(101) 자체가 깨지는 등의 문제점이 발생될 수 있다.
따라서, 본 발명은 반도체 칩 상의 크랙 발생 및 웨이퍼 깨짐 등의 문제점이 발생되지 않고 복수 개의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼로부터 박형화된 반도체 칩을 제작할 수 있는 박형화된 반도체 칩 제조 방법 및 장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 상면에 복수 개의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼로부터 박형화 및 개별화된 복수 개의 반도체 칩을 제조하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법으로서, 개별화되는 반도체 칩 경계 부위에 상면에서부터 소정의 깊이까지 경계슬롯(Slot)이 형성된 웨이퍼가 준비되는 제 1 단계와, 경계슬롯 내부에 상온에서는 접착력을 갖고 소정의 온도에서는 접착력이 상실되는 접착제가 충진되는 제 2 단계와, 웨이퍼 상면에 보호용 테이프가 부착되는 제 3 단계와, 웨이퍼 하면이 그라인더(Grinder)에 의해 경계슬롯의 일단이 드러날 때까지 그라인 딩(Grinding)되는 제 4 단계와, 보호용 테이프가 제거되는 제 5 단계, 및 웨이퍼 에 열이 가해져 접착제가 용융 및 웨이퍼로부터 제거됨에 따라 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 제 6 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법에 있어서, 제 6 단계는 웨이퍼가 자체에서 열이 발생되는 척 플레이트(Chuck Plate) 상에 고정된 상태에서 웨이퍼 상부로 소정 간격 이격된 위치에 열이 발생되는 방열판이 위치됨에 따라 웨이퍼가 소정의 온도로 가열되고, 이에 상기 접착제가 용융 및 웨이퍼로부터 제거되어 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다른 박형화된 반도체 칩 제조 방법은 상면에 복수 개의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼로부터 박형화 및 개별화된 복수 개의 반도체 칩을 제조하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법으로서, 개별화되는 반도체 칩 경계 부위에 웨이퍼 상면에서부터 소정의 깊이까지 경계슬롯이 형성된 웨이퍼가 준비되는 제 1 단계와, 웨이퍼 상면에 상온에서는 접착력을 갖고 소정의 온도에서는 접착력이 상실되는 접착제가 도포되는 한편, 경계슬롯 내부로 접착제가 충진되는 제 2 단계와, 웨이퍼 하면이 그라인더에 의해 경계슬롯의 일단이 드러날 때까지 그라인딩되는 제 3 단계와, 웨이퍼에 열이 가해져 접착제가 용융 및 웨이퍼로부터 제거됨에 따라 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 제 4 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 다른 박형화된 반도체 칩 제조 방법에 있어서, 제 4 단계는 웨이퍼가 자체에서 열이 발생되는 척 플레이트 상에 고정된 상태에서 웨이퍼 상부 로 소정 간격 이격된 위치에 열이 발생되는 방열판이 위치됨에 따라 웨이퍼가 소정의 온도로 가열되고, 이에 접착제가 용융 및 웨이퍼로부터 제거되어 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 장치는 박형화된 복수개의 반도체 칩을 갖는 웨이퍼로부터 개별화된 반도체 칩을 제조하는 박형화된 반도체 칩 제조 장치로서, 상면에 개별화되는 경계 부위에 충진된 접착제에 의해 복수 개의 반도체 칩이 서로 접착된 웨이퍼가 고정되고 상면과 하면을 연결하는 다수 개의 관통홀이 형성되어 있으며 웨이퍼 하면에 소정의 열을 가하는 척 플레이트와, 웨이퍼 상면에 소정의 복사열을 전달하고 구동 수단에 의해 상하로 구동되는 방열판, 및 천정에 척 플레이트가 고정되고 접착제를 외부로 배출시키는 웨이퍼 스테이지를 갖는 반도체 칩 개별화 장치를 포함한다.
본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 장치에 있어서, 반도체 칩 개별화 장치의 웨이퍼 스테이지는 바닥에 외부의 접착제 수거장치와 연결되는 접착제 배출구 및 진공 펌프와 연결되는 공기 배출구가 형성되고, 공기 배출구 내측으로 필터가 형성되며, 내부에 접착제가 용융 상태를 유지하도록 하는 가열 블럭이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 반도체 칩 제조 장치에 있어서, 반도체 칩 개별화 장치는 척 플레이트 상에 웨이퍼가 고정된 후 웨이퍼 상부로 소정거리 이격된 위치에 방열판이 놓여지도록 하여 웨이퍼를 가열함에 따라 접착제가 용융 및 제거되어 웨이퍼로부터 복수 개의 반도체 칩을 한꺼번에 개별화시키는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법의 일 실시예를 간략하게 나타낸 순서도이고, 도 4는 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법의 일 실시예를 간략하게 나타낸 상태도이고, 도 5는 본 발명의 박형화된 반도체 칩 제조 장치에 따른 반도체 칩 개별화 장치의 일 실시예를 간략하게 나타낸 구성도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩(302) 제조 방법은 상면에 복수 개의 반도체 칩(302)이 형성되고 경계슬롯(302a)이 형성된 웨이퍼(301)가 준비되는 제 1 단계(201)와, 경계슬롯(302a) 내부에 접착제(303)가 충진되는 제 2 단계(202)와, 웨이퍼(301) 상면에 보호용 테이프(304)가 부착되는 제 3 단계(203)와, 웨이퍼(301) 하면이 그라인딩(Grinding)되는 제 4 단계(204)와, 보호용 테이프(304)가 제거되는 제 5 단계(205), 및 접착제(303)가 용융되어 제거됨에 따라 웨이퍼(301)로부터 반도체 칩(302)이 한꺼번에 개별화되는 제 6 단계(206)를 포함한다.
제 1단계(201)는 상면에 복수 개의 반도체 칩(302)이 형성된 웨이퍼(301)에서 반도체 칩(302) 단위로 개별화되는 경계선에 개별화되는 반도체 칩(302)의 두께만큼 경계슬롯(302a)이 형성되는 단계이다. 여기서, 경계슬롯(302a)은 블레이드를 사용한 기계적인 방법 또는 에칭(Etching) 공정으로 일부만 식각하는 에칭 방법 중 어느 한 방법으로 형성될 수 있다.
제 2 단계(202)는 접착제(303) 도포수단에 의해 경계슬롯(302a) 내부에 소정 의 접착력을 가진 접착제(303)가 충진되는 단계로서, 접착제(303)는 소정의 열이 가해지면 접착력이 손실될 뿐만 아니라 용융되는 물질이다.
제 3 단계(303)는 다이아몬드 재질로 이루어진 그라인더에 의해 반도체 칩(302)이 형성된 반대편인 웨이퍼(301) 하면이 개별화되는 반도체 칩(302)의 두께만 남기고 그라인딩되는 단계이다. 즉, 웨이퍼(301) 내부에 형성된 경계슬롯(302a)의 일단이 나타날 때까지 웨이퍼(301) 하면에서부터 그라인딩된다.
제 4 단계(304)는 웨이퍼(301)가 자체에서 열이 발생되는 척 플레이트(Chuck Plate) 상에 고정된 상태에서 웨이퍼(301) 상부로 소정 간격 이격된 위치에 열이 발생되는 방열판이 놓여지게 되어 소정의 온도로 가열됨에 따라, 접착제(303)가 용융 및 웨이퍼(301)로부터 제거되어 복수 개의 반도체 칩(302)이 한꺼번에 개별화되는 단계이다.
따라서, 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩(302) 제조 방법은 종래 기술에 따른 박형화된 반도체 칩(도 2의 104) 제조 방법과는 달리, 박형화되지 않은 웨이퍼(301)상의 반도체 칩(302) 경계 부위에 소정의 반도체 칩(302) 두께만큼 절단 공정이 시행된 후 박형화되고 개별화된다. 이에, 웨이퍼(301)가 박형화된 후 절단 공정이 시행됨으로 인해 발생되는 반도체 칩(302) 상의 크랙 및 웨이퍼(301) 자체의 깨짐과 같은 문제점이 발생되지 않는다.
다음으로, 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩(302) 제조 방법의 다른 실시예에 대해 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하면, 박형화된 반도체 칩(302) 제조 방법은 제 2 단계(202)에서 접착제(303)가 웨이퍼(301)의 경계슬롯(302a) 내부에만 충 진되는 것이 아니라, 웨이퍼(301) 상면에도 도포된다. 이에, 웨이퍼(301) 상면에 형성된 접착제(303)가 웨이퍼(301) 하면 그라인딩 시 보호막 역할을 하기에 도 3에 나타낸 제 3 단계(203) 및 제 5 단계(205)가 생략될 수 있다. 이하, 제 1 단계(201) 및 제 4 단계(204)는 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩(302) 제조 방법의 일 실시예와 동일하기에 설명을 생략하기로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩(302) 제조 방법의 다른 실시예에서는 본 발명에 따른 일 실시예에서 나타난 장점을 가짐과 동시에 제 3단계(203) 및 제 5단계(205)가 생략됨에 따라, 박형화된 웨이퍼(301) 상에 접착력을 가진 보호용 테이프(304)를 부착시키거나 제거시킬 때 발생될 수 있는 웨이퍼(301) 손상 요인이 제거된다.
한편, 제 4 단계(204)에서 사용되는 박형화된 반도체 칩(302) 제조 장치의 반도체 칩(302) 개별화 장치에 대해 도 3을 참조하여 설명하면, 반도체 칩 개별화 장치(400)는 상면에 웨이퍼(401)가 고정되어 웨이퍼(401) 하면에 소정의 열을 가하는 척 플레이트(410)와, 웨이퍼(401) 상면에 소정의 복사열을 전달하는 방열판(404), 및 천정에 척 플레이트(410)가 고정되고 접착제(403)를 외부로 배출시키는 웨이퍼 스테이지(409)를 포함한다.
척 플레이트(410)는 웨이퍼(401)를 고정시키는 수단으로서, 상면과 하면을 연결하고 진공 흡입력이 발생되는 다수 개의 관통홀(410a)이 형성되어 있다. 여기서, 웨이퍼(401)는 상면에 복수 개의 반도체 칩(402)이 형성되고 반도체 칩(402) 단위로 개별화되는 경계 부위에 상면에서부터 소정의 깊이까지 경계슬롯(402a)이 형성되어 있다. 이에, 웨이퍼(401)가 척 플레이트(410) 상면에 고정되는 경우에는 경계슬롯(402a)의 위치와 관통홀(410a)의 위치가 일치되도록 진공 흡입력에 의해 고정된다.
방열판(404)은 열발생 수단을 포함하고 있어 자체에서 열이 발생되고, 척 플레이트(410)에 웨이퍼(401)가 고정될 시 웨이퍼(401) 상부로 소정 거리 이격된 위치에 놓여지게 된다. 이에, 방열판(404)으로부터 발생되는 복사열을 통해 웨이퍼(401)가 가열된다.
웨이퍼 스테이지(409)는 바닥에 외부의 접착제 수거장치(408)와 연결되는 접착제 배출구(409a) 및 진공 펌프(407)와 연결되는 공기 배출구(409b)가 형성되고, 공기 배출구(409b) 내측으로 진공 펌프(407)로 접착제(403)가 투입되지 않도록 필터(405)가 형성되어 있으며, 내부에 가열 수단에 의해 고온 상태를 유지하는 가열 블럭(406)이 형성된다. 이에, 웨이퍼 스테이지(409)는 척 플레이트(410) 및 방열판(404)에 의해 웨이퍼(401)가 소정의 온도로 가열될 시 용융되어 관통홀(410a)을 통해 내부로 투입되는 접착제(403)를 하방으로 낙하시켜 외부로 배출시킨다. 이 때, 낙하된 접착제(303)는 가열 블럭(406) 상에 놓이게 되고, 이에 소정의 온도로 가열되어 가열 블럭(406)을 따라 웨이퍼 스테이지(409) 바닥에 형성된 접착제 배출구(409a)를 통해 접착제 수거장치(408)로 이송된다.
따라서, 반도체 칩 개별화 장치(400)는 박형화된 웨이퍼(401) 상면 및 하면에 열을 가해 경계슬롯(402a)에 충진된 접착제(403)를 용융 및 웨이퍼(401)로부터 제거시킴으로써 박형화된 웨이퍼(401)로부터 박형화된 복수개의 반도체 칩(402)을 한꺼번에 개별화시킨다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 방법은 다수 개의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼로부터 개별화되는 반도체 칩 경계 부위에 경계슬롯을 형성하고 박형화 한 후 한꺼번에 반도체 칩 단위로 개별시킨다. 이에, 박형화된 웨이퍼를 반도체 칩 단위로 절단 한 후 개별화할 시 발생되는 반도체 칩 상의 크랙 발생 및 웨이퍼 자체의 깨짐 등이 발생되지 않는다.
또한, 백그라인딩 시 반도체 칩이 형성된 웨이퍼 상면을 보호하기 위해 웨이퍼 상면에 부착되는 보호용 테이프 대신 웨이퍼 상면에 접착제를 도포하여 이를 이용함으로써 보호용 테이프 부착 및 제거 시 발생될 수 있는 웨이퍼 손상 요인이 제거됨과 동시에 박형화된 반도체 칩 제조 공정이 단순화된다.
그리고, 본 발명에 따른 박형화된 반도체 칩 제조 장치는 상면에 개별화되는 경계 부위에 충진된 접착제에 의해 복수 개의 반도체 칩이 서로 접착된 웨이퍼에 열을 가하여 접착제를 용융 및 제거시킴으로써, 웨이퍼로부터 박형화된 복수 개의 반도체 칩을 한꺼번에 개별화시켜 박형화된 반도체 칩 제조 공정 시간이 단축된다.

Claims (7)

  1. 상면에 복수 개의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼로부터 박형화 및 개별화된 복수 개의 반도체 칩을 제조하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법에 있어서,
    개별화되는 상기 반도체 칩 경계 부위에 상기 상면에서부터 소정의 깊이까지 경계슬롯(Slot)이 형성된 웨이퍼가 준비되는 제 1 단계;
    상기 경계슬롯 내부에 상온에서는 접착력을 갖고 소정의 온도에서는 접착력이 상실되는 접착제가 충진되는 제 2 단계;
    상기 웨이퍼 상면에 보호용 테이프가 부착되는 제 3 단계;
    상기 웨이퍼 하면이 그라인더(Grinder)에 의해 상기 경계슬롯의 일단이 드러날 때까지 그라인딩(Grinding)되는 제 4 단계;
    상기 보호용 테이프가 제거되는 제 5 단계; 및
    상기 웨이퍼에 열이 가해져 상기 접착제가 용융 및 상기 웨이퍼로부터 제거됨에 따라 상기 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 제 6 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 6 단계는 상기 웨이퍼가 자체에서 열이 발생되는 척 플레이트(Chuck Plate) 상에 고정된 상태에서 상기 웨이퍼 상부로 소정 간격 이격된 위치에 열이 발생되는 방열판이 위치됨에 따라 상기 웨이퍼가 소정의 온도로 가열되고, 이에 상기 접착제가 용융 및 상기 웨이퍼로부터 제거되어 상기 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 것을 특징으로 하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법.
  3. 상면에 복수 개의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼로부터 박형화 및 개별화된 복수 개의 반도체 칩을 제조하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법에 있어서,
    개별화되는 반도체 칩 경계 부위에 상기 웨이퍼 상면에서부터 소정의 깊이까지 경계슬롯이 형성된 웨이퍼가 준비되는 제 1 단계;
    상기 웨이퍼 상면에 상온에서는 접착력을 갖고 소정의 온도에서는 접착력이 상실되는 접착제가 도포되는 한편, 상기 경계슬롯 내부로 상기 접착제가 충진되는 제 2 단계;
    상기 웨이퍼 하면이 그라인더에 의해 상기 경계슬롯의 일단이 드러날 때까지 그라인딩되는 제 3 단계;
    상기 웨이퍼에 열이 가해져 상기 접착제가 용융 및 상기 웨이퍼로부터 제거됨에 따라 상기 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 제 4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 제 4 단계는 상기 웨이퍼가 자체에서 열이 발생되는 척 플레이트 상에 고정된 상태에서 상기 웨이퍼 상부로 소정 간격 이격된 위치에 열이 발생되는 방열판이 위치됨에 따라 상기 웨이퍼가 소정의 온도로 가열되고, 이에 상기 접착제가 용융 및 상기 웨이퍼로부터 제거되어 상기 반도체 칩이 한꺼번에 개별화되는 것을 특징으로 하는 박형화된 반도체 칩 제조 방법.
  5. 박형화된 복수개의 반도체 칩을 갖는 웨이퍼로부터 개별화된 반도체 칩을 제조하는 박형화된 반도체 칩 제조 장치에 있어서,
    상면에 개별화되는 경계 부위에 충진된 접착제에 의해 상기 복수 개의 반도체 칩이 서로 접착된 상기 웨이퍼가 고정되고, 상기 웨이퍼 하면에 소정의 열을 가하며, 상기 상면과 하면을 연결하는 다수 개의 관통홀이 형성된 척 플레이트;
    상기 웨이퍼 상면에 소정의 복사열을 전달하고, 구동 수단에 의해 상하로 구동되는 방열판; 및
    천정에 상기 척 플레이트가 고정되고 상기 접착제를 외부로 배출시키는 웨이퍼 스테이지를 갖는 반도체 칩 개별화 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 박형화된 반도체 칩 제조 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 웨이퍼 스테이지는 바닥에 외부의 접착제 수거장치와 연결되는 접착제 배출구 및 진공 펌프와 연결되는 공기 배출구가 형성되고, 상기 공기 배출구 내측으로 필터가 형성되며, 내부에 상기 접착제가 용융 상태를 유지하도록 하는 가열 블럭이 형성되는 것을 특징으로 하는 박형화된 반도체 칩 제조 장치.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 반도체 칩 개별화 장치는 상기 척 플레이트 상에 상기 웨이퍼가 고정된 후 상기 웨이퍼 상부로 소정거리 이격된 위치에 상기 방열판이 놓여지도록 하여 상기 웨이퍼를 가열함에 따라 상기 접착제가 용융 및 제거되어 상기 웨이퍼로부터 상기 복수 개의 반도체 칩을 한꺼번에 개별화시키는 것을 특징으로 하는 박형화된 반도체 칩 제조 장치.
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