KR20060002440A - Apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents

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KR20060002440A
KR20060002440A KR1020040051481A KR20040051481A KR20060002440A KR 20060002440 A KR20060002440 A KR 20060002440A KR 1020040051481 A KR1020040051481 A KR 1020040051481A KR 20040051481 A KR20040051481 A KR 20040051481A KR 20060002440 A KR20060002440 A KR 20060002440A
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Abstract

반도체 소자 제조 공정시 반도체 기판의 파손을 감지하는 반도체 소자 제조용 장비가 제공된다. 반도체 소자 제조용 장비는 내부 튜브 및 내부 튜브를 감싸는 외부 튜브와 내부 튜브로 장착되거나 내부 튜브로부터 이탈 될 수 있으며 다수의 반도체 기판들이 삽입되는 보트, 보트가 상기 내측 튜브로부터 완전히 이탈될 때 보트로부터 다수의 반도체 기판들을 로딩하거나 언로딩하는 반도체 기판 이송기 및 반도체 기판 이송기에 발광부와 수광부가 일체형으로 형성되어 다수의 반도체 기판들의 파손을 감지하는 센서를 포함한다.Provided is a device for manufacturing a semiconductor device for detecting breakage of a semiconductor substrate during a semiconductor device manufacturing process. Equipment for manufacturing semiconductor devices may be mounted to or detached from the inner tube and the inner tube and inner tube surrounding the inner tube, and a boat into which a plurality of semiconductor substrates are inserted, a plurality of boats from the boat when the boat is completely disengaged from the inner tube A semiconductor substrate transfer device for loading or unloading semiconductor substrates, and a light emitting unit and a light receiving unit are integrally formed in the semiconductor substrate transfer unit to detect breakage of a plurality of semiconductor substrates.

반도체 기판 파손, 일체형 센서 Semiconductor substrate breakage, integrated sensor

Description

반도체 소자 제조용 장비{Apparatus for fabricating semiconductor device}Apparatus for fabricating semiconductor device

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조용 장비를 나타낸 도면이다.1 is a view showing the semiconductor manufacturing equipment according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of equipment for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 동작을 나타낸 도면이다.3 and 4 are views showing the operation of the sensor according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명> <Explanation of symbols on main parts of the drawings>

200 : 반도체 기판 이송기 210 : 바디200: semiconductor substrate feeder 210: body

220 : 헤드 230 : 포크220: head 230: fork

240 : 센서 242 : 발광부240 sensor 242 light emitting unit

244 : 수광부 260 : 보트244: light receiver 260: boat

270 : 외부 튜브 280 : 내부 튜브270: outer tube 280: inner tube

290 : 히터290: heater

본 발명은 반도체 소자 제조용 장비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 소자 제조 공정 중 확산 공정에서 보트를 확산로로 장착하기 전이나 확산로로부 터 보트가 이탈된 후 보트 내에 삽입된 반도체 기판의 파손을 감지하는 센서를 발광부와 수광부가 일체된 형태로 반도체 기판 이송기에 설치하여 센서의 오동작을 억제할 수 있는 반도체 소자 제조용 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a device for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to breakage of a semiconductor substrate inserted into a boat before mounting the boat as a diffusion path or after the boat is separated from the diffusion path in the diffusion process during the semiconductor device manufacturing process. The present invention relates to a device for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a malfunction of a sensor by installing a sensor for detecting a light emitting unit and a light receiving unit in an integrated form in a semiconductor substrate feeder.

일반적으로 반도체 제조 공정의 하나인 확산(Diffusion) 공정이란, 고온의 확산로(Furnace) 내에서 반응 가스들의 혼합으로 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 공정이다. 예를 들어, 대표적인 확산 공정에는 화학 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition), 어닐링(Annealing), 산화(Oxidation) 공정 등이 있다.In general, a diffusion process, which is one of semiconductor manufacturing processes, is a process of forming a thin film on a semiconductor substrate by mixing reaction gases in a high temperature diffusion furnace. For example, typical diffusion processes include chemical vapor deposition (CVD), annealing, and oxidation processes.

도 1에는 종래의 반도체 소자 제조용 장비의 도면이 도시되어 있다.1 is a view of a conventional semiconductor device manufacturing equipment.

도 1에 도시된 바에 의하면 이전 공정을 거친 반도체 기판(W)들이 적재된 카세트(Cassette; 미도시)에서 보트(Boat; 160)로 로딩(Loading)하거나, 확산 공정이 끝난 후 보트(160)를 확산로(미도시)에서 이탈시킬 때 보트(160)의 흔들림이나 확산로(미도시)의 온도와 상온의 온도 차에 의해서 반도체 기판(W)이 파손될 수 있다. 따라서 보트(160) 내 반도체 기판(W)들의 파손을 감지하는 센서(140)를 이용하여 파손된 반도체 기판(W)을 감지하고 제거해 주어야 한다. 그러나 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 반도체 소자 제조용 장비에서 센서(140)는 반도체 기판 이송기(100)의 양 측면에 센서 암(Sensor arm; 150)이 설치되어 있고 센서 암(150) 끝부분에 발광부(142)와 수광부(144)가 분리되어 설치된다. 따라서 센서(140)의 발광부(142)와 수광부(144)가 보트(160)를 가운데에 두고 양 쪽에서 작동하게 된다. As shown in FIG. 1, the cassette 160 loaded with the semiconductor substrates W processed in the previous process is loaded into a boat 160 or the boat 160 is finished after the diffusion process is completed. When leaving the diffusion path (not shown), the semiconductor substrate W may be damaged by shaking of the boat 160 or a temperature difference between a temperature of the diffusion path (not shown) and a room temperature. Therefore, the damaged semiconductor substrate W must be detected and removed by using the sensor 140 that detects damage of the semiconductor substrates W in the boat 160. However, as shown in FIG. 1, in the conventional semiconductor device manufacturing apparatus, the sensor 140 has sensor arms 150 installed at both sides of the semiconductor substrate transporter 100, and ends of the sensor arms 150. The light emitting unit 142 and the light receiving unit 144 are separated from each other. Accordingly, the light emitting unit 142 and the light receiving unit 144 of the sensor 140 operate on both sides with the boat 160 in the center.

그런데 이 때 만일 발광부(142)와 수광부(144) 간의 수평이 맞지 않으면 센서(140)가 반도체 기판(W) 파손 여부를 정확히 감지하지 못한다는 문제점이 있다. 또한 센서(140)의 발광부(142)와 수광부(144)가 분리되어 있어 센서(140)가 동작하는데 필요한 공간을 별도로 확보해야 한다는 문제점이 있다. However, if the level between the light emitting unit 142 and the light receiving unit 144 is not correct, the sensor 140 may not accurately detect whether the semiconductor substrate W is damaged. In addition, since the light emitting unit 142 and the light receiving unit 144 of the sensor 140 are separated, there is a problem in that a space required for the sensor 140 to operate separately must be secured.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 소자 제조 공정의 하나인 확산 공정에서 발광부와 수광부가 일체로 형성된 센서를 반도체 기판 이송기에 설치하여 보트에 삽입된 반도체 기판(W)의 파손 여부를 감지하는 반도체 소자 제조용 장비를 제공하는데 있다. The technical problem to be achieved by the present invention is to install a sensor in which the light emitting unit and the light receiving unit are integrally formed in the semiconductor substrate transfer in the diffusion process, one of the semiconductor device manufacturing process to detect whether the semiconductor substrate (W) inserted into the boat is damaged The present invention provides a device for manufacturing a device.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the above-mentioned problem, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비는 내부 튜브 및 내부 튜브를 감싸는 외부 튜브, 내부 튜브로 장착되거나 내부 튜브로부터 이탈 될 수 있으며 다수의 반도체 기판들이 삽입되는 보트, 보트가 내측 튜브로부터 완전히 이탈될 때 보트로부터 다수의 반도체 기판들을 로딩하거나 언로딩하는 반도체 기판 이송기 및 반도체 기판 이송기에 발광부와 수광부가 일체형으로 형성되어 다수의 반도체 기판들의 파손을 감지하는 센서를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, a device for manufacturing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention may be equipped with an inner tube, an outer tube surrounding the inner tube, an inner tube, or may be detached from the inner tube, and a plurality of semiconductor substrates are inserted into the boat. The semiconductor substrate transporter for loading or unloading a plurality of semiconductor substrates from the boat when the boat is completely displaced from the inner tube and the light emitting part and the light receiving part are integrally formed in the semiconductor substrate transporter to detect breakage of the plurality of semiconductor substrates. It includes.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.                     

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of equipment for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이 반도체 소자 제조용 장비는 내부 튜브(270), 외부 튜브(280), 히터(290), 보트(260), 반도체 기판 이송기(200) 및 센서(240)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the device for manufacturing a semiconductor device includes an inner tube 270, an outer tube 280, a heater 290, a boat 260, a semiconductor substrate transporter 200, and a sensor 240.

내부 튜브(270), 외부 튜브(280) 및 히터(290)는 보트(260) 내에 삽입된 반도체 기판(W)의 확산(Diffusion) 공정시 공정이 진행되는 장치로서 내부 튜브(270)와 외부 튜브(280)는 고온에서 견딜 수 있도록 석영(Quartz) 재질로 이루어져 있고, 외부 튜브(280)가 내부 튜브(270)를 감싸며, 서로 결합될 수 있도록 형성되어 있다. 또한 내부 튜브(270)와 외부 튜브(280)의 하부는 보트(260)가 장착되고 이탈될 수 있도록 개방되어 있다. The inner tube 270, the outer tube 280, and the heater 290 are devices in which a process is performed during a diffusion process of the semiconductor substrate W inserted into the boat 260, and the inner tube 270 and the outer tube are processed. 280 is made of quartz (Quartz) material to withstand high temperatures, the outer tube 280 surrounds the inner tube 270, is formed to be coupled to each other. In addition, the lower portions of the inner tube 270 and the outer tube 280 are open to allow the boat 260 to be mounted and dismounted.

히터(290)는 외부 튜브(280) 둘레에 설치되어 내부 튜브(270) 내에서 확산 공정이 이루어지도록 내부 튜브(270)와 외부 튜브(280)를 고온으로 유지시키는데 이용된다. The heater 290 is installed around the outer tube 280 and used to keep the inner tube 270 and the outer tube 280 at a high temperature so that a diffusion process occurs in the inner tube 270.

보트(260)는 확산 공정시 내부 튜브(270) 내에서 다수의 반도체 기판(W)을 소정의 간격을 유지하면서 수평으로 지지하는 장치로서, 확산 공정시 고온에 견딜 수 있도록 석영 재질로 형성되며, 다수의 반도체 기판(W)을 소정 간격의 간격을 유지하면서 수평으로 지지하기 위해 다수의 슬롯이 형성되어 있다.The boat 260 is a device that horizontally supports a plurality of semiconductor substrates W in the inner tube 270 at a predetermined interval during the diffusion process, and is formed of quartz material to withstand high temperature during the diffusion process. A plurality of slots are formed to horizontally support the plurality of semiconductor substrates W while maintaining a predetermined interval.

반도체 기판 이송기(200)는 이전 공정을 마친 다수의 반도체 기판(W)들을 이송하는 카세트(미도시)에 적재된 다수의 반도체 기판(W)들을 보트(260) 내로 로딩(Loading)하고 확산 공정이 종료된 다수의 반도체 기판(W)들을 언로딩(Unloading)하는 장치이다. 반도체 기판 이송기(200)는 바디(Body; 210)와 헤드(Head; 220), 포크(Fork; 230) 및 센서(Sensor; 240)를 포함한다. The semiconductor substrate transporter 200 loads a plurality of semiconductor substrates W loaded in a cassette (not shown) that transfers a plurality of semiconductor substrates W, which have been completed in the previous process, into the boat 260 and diffuses the process. This is an apparatus for unloading the plurality of semiconductor substrates W that have been terminated. The semiconductor substrate transporter 200 includes a body 210, a head 220, a fork 230, and a sensor 240.

반도체 기판 이송기(200)의 바디(210)는 헤드(220)를 지지하고 헤드(220)가 앞/뒤로 이동할 수 있는 이동 경로를 제공하며, 상하 이동과 회전 이동이 가능하여 다수의 반도체 기판(W)들을 이송시킬 수 있고 센서(240)를 상/하로 이동시킬 수 있다.The body 210 of the semiconductor substrate feeder 200 supports the head 220 and provides a movement path through which the head 220 can move forwards and backwards, and is capable of vertical movement and rotational movement to provide a plurality of semiconductor substrates ( W) can be transferred and the sensor 240 can be moved up and down.

반도체 기판 이송기(200)의 헤드(220)는 바디(210)의 상부에 설치되어 다수의 포크(230)들을 지지하는 장치로서 헤드(220)의 일측에는 센서(240)가 설치된다. 그리고 헤드(220)는 앞/뒤로 이동이 가능하여 다수의 반도체 기판(W)들을 로딩하거나 언로딩한다.The head 220 of the semiconductor substrate feeder 200 is installed on the upper portion of the body 210 to support a plurality of forks 230, and a sensor 240 is installed at one side of the head 220. The head 220 may move forward and backward to load or unload a plurality of semiconductor substrates W.

반도체 기판 이송기(200)의 포크(230)는 다수의 반도체 기판(W)들을 로딩하 거나 언로딩할 때 다수의 반도체 기판(W)들과 직접 접촉하는 장치로서, 반도체 기판 이송기(200)의 헤드(220)의 일측에 다수의 바(Bar)들로 형성된다. 포크(230)는 다수의 바들이 각각의 바 사이에 다수의 반도체 기판(W)들이 안착될 수 있도록 소정의 간격으로 이격되어 설치된다.The fork 230 of the semiconductor substrate transporter 200 is a device that directly contacts the plurality of semiconductor substrates W when loading or unloading the semiconductor substrates W. The semiconductor substrate transporter 200 One side of the head 220 is formed of a plurality of bars (Bar). The forks 230 are spaced apart at predetermined intervals so that the plurality of bars can be seated between the plurality of semiconductor substrates (W).

센서(240)는 반도체 기판 이송기(200)의 포크(230)의 반대편 즉, 헤드(220)의 다른 일측에 설치되며 발광부(242)와 수광부(244)가 일체형으로 형성되어 있다. 그리고 센서(240)는 레이저(Laser) 광 또는 LED(Light Emitting Diode) 광을 이용하는 광센서로서 발광부(242)에서 발생된 광이 보트(260)로 조사되면 조사된 광이 보트(260)로부터 반사되는 지를 수광부(244)에서 감지하게 된다. 또한 센서(240)는 반도체 기판 이송기(200)의 헤드(220)에 설치되어 있어 바디(210)의 상하 이동에 의하여 센서(240)도 상/하로 이동하게 되어 보트(260)에 삽입되어 있는 다수의 반도체 기판(W)들의 파손을 순차적으로 감지할 수 있다. The sensor 240 is installed on the other side of the fork 230 of the semiconductor substrate feeder 200, that is, on the other side of the head 220, and the light emitter 242 and the light receiver 244 are integrally formed. The sensor 240 is an optical sensor using laser light or light emitting diode (LED) light. When light generated from the light emitting unit 242 is irradiated to the boat 260, the irradiated light is radiated from the boat 260. The reflection of the light receiving unit 244 is detected. In addition, the sensor 240 is installed in the head 220 of the semiconductor substrate feeder 200, the sensor 240 is also moved up and down by the vertical movement of the body 210 is inserted into the boat 260 Damage of the plurality of semiconductor substrates W may be sequentially detected.

이상 본 발명의 일 실시예에서 센서(240)는 레이져 광을 이용하는 일체형의 센서(240)를 사용하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 초고주파(Radio Frequency; RF)를 이용하는 반사형 센서(240) 등으로 대체가 가능하다. 또한 센서(240)의 위치는 반도체 기판 이송기(200)의 헤드(220) 일측에 형성되었으나 반도체 기판 이송기(200)의 바디(210) 일측에 형성하는 것도 가능하다.In the above-described embodiment of the present invention, the sensor 240 uses an integrated sensor 240 using laser light, but the present invention is not limited thereto. For example, it may be replaced with a reflective sensor 240 using an ultra high frequency (RF). In addition, the position of the sensor 240 is formed on one side of the head 220 of the semiconductor substrate feeder 200, but may be formed on one side of the body 210 of the semiconductor substrate feeder 200.

센서(240)에 대한 세부 구성과 동작은 이하 도 3과 도 4를 통하여 상세히 설명한다.Detailed configuration and operation of the sensor 240 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도 3과 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서의 동작을 나타낸 도면이다. 3 and 4 are views showing the operation of the sensor according to an embodiment of the present invention.                     

도 3과 도 4에 도시된 바와 같이 센서(240)에는 발광부(242)와 수광부(244)가 함께 설치되어 있어 발광부(242)에서 발생한 광이 보트(260)로 조사되어 도 3과 같이 반도체 기판(W)의 파손이 없을 경우 반도체 기판(W)에 반사된 광이 센서(240)의 수광부(244)에서 감지하게 된다. 한편 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 기판(W)이 파손되었을 경우 반도체 기판(W)은 보트(260)에 형성되어 각각의 반도체 기판(W)을 지지하는 슬롯에서 이탈되기 때문에 센서(240)의 발광부(242)에서 보트(260)로 조사된 광이 반도체 기판(W)에 반사되지 못하여 센서(240)의 수광부(244)에서 반사된 광이 감지되지 않는다. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the light emitter 242 and the light receiver 244 are installed together in the sensor 240 so that the light generated from the light emitter 242 is irradiated to the boat 260, as shown in FIG. 3. When the semiconductor substrate W is not damaged, the light reflected by the semiconductor substrate W is detected by the light receiving unit 244 of the sensor 240. On the other hand, as shown in FIG. 4, when the semiconductor substrate W is damaged, the semiconductor substrate W is formed in the boat 260 and is separated from the slot supporting the respective semiconductor substrates W. Since the light irradiated from the light emitter 242 to the boat 260 is not reflected to the semiconductor substrate W, the light reflected from the light receiver 244 of the sensor 240 is not detected.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 장비의 상세한 동작을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the detailed operation of the semiconductor device manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention with reference to FIG.

카세트(미도시)에 의하여 이송된 다수의 반도체 기판(W)들을 반도체 기판 이송기(200)의 포크(230)를 이용하여 카세트에서 언로딩하여 보트(260)에 로딩시킨다. 이 과정에서 반도체 기판 이송기(200)의 흔들림 등과 같은 문제점으로 반도체 기판(W)이 파손 될 수 있으므로, 카세트에 적재되어 있던 다수의 반도체 기판(W)들을 모두 보트(260)에 로딩한 후, 반도체 기판 이송기(200)의 센서(240)를 보트(260)로 향하도록 이동시킨다. 그리고 반도체 기판 이송기(200)를 상/하로 이동시켜 보트(260)에 로딩된 다수의 반도체 기판(W)들을 순차적으로 반도체 기판(W)의 파손을 감지한다. 이 때 반도체 기판(W)의 파손을 감지할 경우 센서(240)는 반도체 기판(W)의 파손을 알리는 신호를 발생시켜 공정을 중단하도록 한다.A plurality of semiconductor substrates W transferred by a cassette (not shown) are unloaded from the cassette by using the fork 230 of the semiconductor substrate transporter 200 and loaded into the boat 260. In this process, since the semiconductor substrate W may be damaged due to problems such as shaking of the semiconductor substrate transporter 200, after loading all of the plurality of semiconductor substrates W loaded on the cassette into the boat 260, The sensor 240 of the semiconductor substrate transporter 200 is moved toward the boat 260. Then, the semiconductor substrate transporter 200 is moved up and down to sequentially detect the breakage of the semiconductor substrate W in the plurality of semiconductor substrates W loaded in the boat 260. At this time, when detecting the breakage of the semiconductor substrate (W), the sensor 240 generates a signal indicating the breakage of the semiconductor substrate (W) to stop the process.

이러한 센싱이 끝난 후 보트(260)에 로딩된 다수의 반도체 기판(W)들에 파손 이 없을 경우 보트(260)를 내부 튜브(280)에 장착하여 확산 공정을 진행시킨다.After the sensing is completed, if there is no damage to the plurality of semiconductor substrates W loaded on the boat 260, the boat 260 is mounted on the inner tube 280 to proceed with the diffusion process.

확산 공정이 끝난 후 보트(260)를 이탈시킬 때 보트(260)의 흔들림이나 내부 튜브(280)의 온도와 상온의 온도 차에 의해서 반도체 기판(W)이 파손될 수 있으므로, 보트(260)를 내부 튜브(270)에서 완전히 이탈시킨 뒤, 다수의 반도체 기판(W)들을 보트(260)에서 언로딩하기 전에 다시 다수의 반도체 기판(W)들의 파손 여부를 감지하기 위해 센서(240)를 이용해 다수의 반도체 기판(W)들을 센싱한다. 이 후 센서(240)의 동작은 상술했던 것과 동일하다.When leaving the boat 260 after the diffusion process, the semiconductor substrate W may be damaged by the shaking of the boat 260 or the temperature difference between the temperature of the inner tube 280 and the room temperature. After fully leaving the tube 270, the plurality of semiconductor substrates W may be damaged using the sensor 240 to detect whether the plurality of semiconductor substrates W are damaged again before unloading the plurality of semiconductor substrates W from the boat 260. The semiconductor substrates W are sensed. Thereafter, the operation of the sensor 240 is the same as described above.

이상, 본 발명의 일 실시예에서 반도체 소자 제조용 장비는 반도체 소자 제조 공정 중 확산 공정에서 사용되는 것으로 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 반도체 소자 제조 공정 중 클리닝 공정 또는 연마 공정 등 공정 전후에 반도체 기판의 파손을 검사하여야 하는 다른 모든 공정에서 이용될 수 있다.As described above, in one embodiment of the present invention, the device for manufacturing a semiconductor device is described as being used in a diffusion process of a semiconductor device manufacturing process, but the present invention is not limited thereto. For example, it can be used in all other processes that must inspect the damage of the semiconductor substrate before and after the process, such as cleaning process or polishing process in the semiconductor device manufacturing process.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention belongs may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You will understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같이 본 발명의 반도체 소자 제조용 장비에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다. As described above, the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention has one or more of the following effects.                     

첫째, 발광부와 수광부가 일체형으로 된 센서를 이용함으로써 반도체 기판의 파손 여부를 간단하게 파악할 수 있다는 장점이 있다. First, there is an advantage that it is possible to simply determine whether the semiconductor substrate is damaged by using a sensor in which the light emitting unit and the light receiving unit are integrated.

둘째, 센서의 발광부와 수광부가 일체형으로 되어 있어 센서의 오동작을 억제할 수 있다는 장점이 있다.Second, since the light emitting part and the light receiving part of the sensor are integrated, there is an advantage that the malfunction of the sensor can be suppressed.

셋째, 센서의 발광부와 수광부가 일체형으로 되어있어 분리되어 설치되어 있을 때보다 센서의 센싱 동작에 필요한 공간을 줄일 수 있다는 장점이 있다.Third, since the light emitting part and the light receiving part of the sensor are integrated, there is an advantage that the space required for the sensing operation of the sensor can be reduced than when the sensor is lightly installed.

Claims (3)

내부 튜브 및 상기 내부 튜브를 감싸는 외부 튜브;An inner tube and an outer tube surrounding the inner tube; 상기 내부 튜브로 장착되거나 상기 내부 튜브로부터 이탈될 수 있으며 다수의 반도체 기판들이 삽입되는 보트;A boat mounted to or separated from the inner tube and into which a plurality of semiconductor substrates are inserted; 상기 보트가 상기 내측 튜브로부터 완전히 이탈될 때 상기 보트로부터 다수의 반도체 기판들을 로딩하거나 언로딩하는 반도체 기판 이송기; 및A semiconductor substrate transporter for loading or unloading a plurality of semiconductor substrates from the boat when the boat is completely disengaged from the inner tube; And 상기 반도체 기판 이송기에 발광부와 수광부가 일체형으로 형성되어 상기 다수의 반도체 기판들의 파손을 감지하는 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 장비.And a sensor configured to integrally form a light emitting part and a light receiving part in the semiconductor substrate transporter to detect breakage of the plurality of semiconductor substrates. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 발광부는 상기 보트로 광을 조사하며 상기 수광부는 상기 보트로부터 광이 반사되는 지를 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 장비Wherein the light emitting unit irradiates light to the boat and the light receiving unit detects whether light is reflected from the boat. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 광은 LED(Light Emitting Diode) 광 또는 레이저 광인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 장비.And the light is LED (Light Emitting Diode) light or laser light.
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KR100772846B1 (en) * 2006-08-30 2007-11-02 삼성전자주식회사 Wafer mapping apparatus of vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor element and thereof mapping method

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