KR20050058464A - 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 피처리 기판에 플라즈마를 작용시켜 플라즈마 처리를 행함에 있어서, 상기 플라즈마 처리를 행하기 전에, 해당 플라즈마 처리에 사용하는 플라즈마보다 약한 플라즈마를 상기 피처리 기판에 작용시켜, 해당 피처리 기판의 전하의 상태를 일정한 상태로 하고, 이 후, 상기 플라즈마 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 청구항 1에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 약한 플라즈마를 상기 피처리 기판에 소정 시간 작용시키고, 이 후, 상기 피처리 기판을 흡착 유지하기 위한 정전척에 직류 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 청구항 2에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 약한 플라즈마를 제거하기 전에, 상기 정전척에 대한 직류 전압의 인가를 개시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 청구항 1∼3 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 약한 플라즈마가, Ar 가스, 또는 O2 가스, 또는 CF4 가스, 또는 N2 가스에 의해 형성된 플라즈마인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 청구항 1∼4 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 약한 플라즈마가, 0.15∼1.0 W/㎠의 고주파 전력에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 청구항 1∼5 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 약한 플라즈마를, 5∼20초 동안 상기 피처리 기판에 작용시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 청구항 1∼6 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 플라즈마 처리의 개시시에, 플라즈마를 발생시키기 위한 고주파 전력의 인가를 개시한 후, 상기 정전척에 대한 직류 전압의 인가를 개시하고, 상기 플라즈마 처리의 종료시에, 상기 정전척에 대한 직류 전압의 인가를 정지한 후, 상기 고주파 전력의 인가를 정지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 청구항 1∼6 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 피처리 기판을 상기 정전척의 위쪽에 도체로 접지된 지지 막대에 의해 지지한 상태로, 상기 정전척에 대한 직류 전압의 인가를 개시하고, 이 후, 상기 피처리 기판을 하강시켜 상기 정전척 위에 탑재하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 청구항 1∼8 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 플라즈마 처리가 에칭 처리이고, 해당 에칭 처리를 행하는 처리 챔버내에서, 상기 피처리 기판에 상기 약한 플라즈마를 작용시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 피처리 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 기구를 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서,상기 플라즈마 처리 기구를 제어하고, 청구항 1∼9 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 처리 방법을 행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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