KR102293098B1 - Wafer polishing method and polishing apparatus - Google Patents

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šœ이치로 히로사와
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Abstract

(과제) 가공 시간을 억제할 수 있는 웨이퍼의 연마 방법 및 연마 장치를 제공하는 것.
(해결 수단) 웨이퍼의 연마 방법은, 표면에 형성된 격자상의 분할 예정 라인으로 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 첩착하는 보호 부재 첩착 스텝 (ST1) 과, 보호 부재를 개재하여 웨이퍼를 척 테이블에 의해 유지하고, 웨이퍼의 이면을 연마 패드에 의해 연마하는 연마 스텝 (ST2) 을 구비한다. 연마 스텝 (ST2) 에서는, 웨이퍼보다 직경이 큰 연마 패드를 사용하여, 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 연마 패드의 하면의 영역에 온풍을 분사하여 가열하면서 연마한다.(Project) To provide a wafer polishing method and polishing apparatus capable of reducing processing time.
(Solution Means) The wafer polishing method includes a protective member attaching step (ST1) for sticking a protective member on the surface of the wafer on which devices are formed in a plurality of regions partitioned by grid-like division lines formed on the surface, and the protective member; There is provided a polishing step ST2 in which the wafer is held by a chuck table and the back surface of the wafer is polished with a polishing pad. In the polishing step ST2, using a polishing pad having a diameter larger than that of the wafer, the area of the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer is polished while being heated by blowing warm air.

Description

웨이퍼의 연마 방법 및 연마 장치{WAFER POLISHING METHOD AND POLISHING APPARATUS}Wafer polishing method and polishing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은, 웨이퍼의 연마 방법 및 연마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and a polishing apparatus for polishing a wafer.

반도체 디바이스가 표면에 형성된 실리콘 등으로 이루어지는 반도체 웨이퍼나, 광 디바이스가 형성된 사파이어, SiC (탄화규소) 등으로 이루어지는 광 디바이스 웨이퍼 등의 각종 웨이퍼는, 두께를 얇게 하기 위해서, 연삭 지석으로 연삭 되어 박화된다. 그 후, 연삭에 의해 발생한 피연삭면 (이면) 의 파쇄층을 제거하고, 칩이 되었을 때의 항절 강도를 높이기 위해서, 웨이퍼는, 연마 패드로 연마된다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).Various wafers, such as a semiconductor wafer made of silicon etc. with a semiconductor device formed on the surface, and an optical device wafer made of sapphire, SiC (silicon carbide), etc. on which an optical device is formed, are ground and thinned with a grinding wheel in order to reduce the thickness. . Then, in order to remove the crushing layer of the to-be-ground surface (back surface) generated by grinding, and to raise the flexural strength when it becomes a chip|tip, the wafer is grind|polished with a polishing pad (for example, refer patent document 1).

일본 공개특허공보 2003-243345호Japanese Patent Laid-Open No. 2003-243345

웨이퍼를 연마하는 연마 방법은, CMP (Chemical Mechanical Polishing) 연마 외에, 지립을 함유하는 비교적 부드러운 연마 패드를 사용하는 드라이 가공인 드라이 폴리시라고 하는 가공 방법이 있다. 드라이 폴리시에서는, 웨이퍼의 피연마면에 연마 패드를 가압하면서 웨이퍼와 연마 패드를 회전시켜, 웨이퍼의 소정의 두께를 제거하고, 피연마면에 형성된 파쇄층을 제거한다. 파쇄층이, 수 ㎛ 의 두께로 존재하고, 그 영역을 모두 제거하기 위해서 연마가 실시되지만, 드라이 폴리시는, 제거량을 많이 설정하면 그 만큼 가공 시간이 길게 걸린다.As a polishing method for polishing a wafer, in addition to CMP (Chemical Mechanical Polishing) polishing, there is a processing method called dry polish, which is a dry processing using a relatively soft polishing pad containing abrasive grains. In dry polish, the wafer and the polishing pad are rotated while the polishing pad is pressed against the polishing target surface of the wafer to remove a predetermined thickness of the wafer, and the crushing layer formed on the polishing target surface is removed. The crushed layer exists in a thickness of several micrometers, and grinding|polishing is performed in order to remove all that area|region. However, in dry polish, if the removal amount is set large, processing time takes that much longer.

본 발명은, 가공 시간을 억제할 수 있는 웨이퍼의 연마 방법 및 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a wafer polishing method and polishing apparatus capable of reducing processing time.

상기 서술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 웨이퍼의 연마 방법은, 표면에 형성된 격자상의 분할 예정 라인으로 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 첩착 (貼着) 하는 보호 부재 첩착 스텝과, 그 보호 부재를 개재하여 그 웨이퍼를 척 테이블에 의해 유지하고, 그 웨이퍼의 이면을 연마 패드에 의해 연마하는 연마 스텝을 구비하고, 그 연마 스텝에서는, 그 웨이퍼보다 직경이 큰 그 연마 패드를 사용하고, 그 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 그 연마 패드의 하면의 영역에 온풍을 분사하여 가열하면서 연마하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, in the wafer polishing method of the present invention, a protection member is adhered to the surface of the wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by grid-like division lines formed on the surface ( A protective member adhering step is provided, and the wafer is held by a chuck table via the protective member, and a polishing step of polishing the back surface of the wafer with a polishing pad, wherein in the polishing step, the wafer It is characterized in that the polishing pad having a larger diameter is used, and the area of the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer is polished while being heated by blowing warm air.

상기 웨이퍼의 연마 방법에 있어서, 그 연마 스텝에서는, 그 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 그 연마 패드의 하면을 선택적으로 가열해도 된다.In the above-described method for polishing a wafer, in the polishing step, the exposed lower surface of the polishing pad may be selectively heated without contacting the wafer.

상기 웨이퍼의 연마 방법에 있어서, 그 연마 스텝에서는, 그 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 그 연마 패드의 하면의 영역의 온도를 측정하고, 측정된 그 연마 패드의 온도에 따라 온풍의 온도 또는 양을 조정해도 된다.In the above-described method for polishing a wafer, in the polishing step, the temperature of the area of the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer is measured, and the temperature or amount of warm air is adjusted according to the measured temperature of the polishing pad. You can do it.

본 발명의 연마 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 웨이퍼의 직경보다 큰 직경의 연마 패드가 스핀들의 하단에 장착되어 그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼를 그 연마 패드에 의해 연마하는 연마 유닛과, 그 웨이퍼를 연마 가공 중인 그 연마 패드의 온도를 조정하는 온도 조정 유닛을 구비하고, 그 온도 조정 유닛은, 그 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 그 연마 패드의 하면의 영역에 온풍을 분사하는 온풍 분사 유닛을 구비하는 것을 특징으로 한다.A polishing apparatus according to the present invention includes a chuck table for holding a wafer, and a polishing unit for polishing the wafer held on the chuck table by the polishing pad mounted on a lower end of a spindle, a polishing pad having a diameter larger than the diameter of the wafer is mounted on the bottom of the spindle and a temperature regulating unit for adjusting the temperature of the polishing pad while polishing the wafer, wherein the temperature regulating unit blows warm air to a region of the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer. It is characterized in that it is provided with a spray unit.

상기 연마 장치에 있어서, 그 온도 조정 유닛은, 그 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 그 연마 패드의 하면의 원하는 영역에 선택적으로 온풍을 분사하는 선택 분사부를 구비해도 된다.In the above polishing apparatus, the temperature adjusting unit may be provided with a selective jetting unit that selectively blows warm air to a desired area of the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer.

상기 연마 장치에 있어서, 그 온도 조정 유닛은, 그 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 그 연마 패드의 하면의 영역의 온도를 측정하는 온도 측정기와, 그 온도 측정기의 측정 결과에 따라, 그 온풍 분사 유닛의 온풍 분사 온도 또는 양을 조정하는 제어 유닛을 구비해도 된다.In the above-mentioned polishing apparatus, the temperature adjusting unit includes: a temperature measuring device for measuring the temperature of a region of the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer; You may provide a control unit which adjusts the hot air injection temperature or quantity.

본원 발명의 웨이퍼의 연마 방법 및 연마 장치는, 가공 시간을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.The polishing method and polishing apparatus of the wafer of the present invention exhibit the effect that the processing time can be suppressed.

도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 연마 장치의 구성예의 사시도이다.
도 2 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법의 연마 대상의 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타난 웨이퍼를 이면측에서 본 사시도이다.
도 4 는, 도 1 에 나타난 연마 장치의 연마 유닛의 연마 가공 중인 상태를 나타내는 측면도이다.
도 5 는, 도 4 에 나타난 연마 패드와 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 평면도이다.
도 6 은, 도 5 에 나타난 연마 패드와 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 측면도이다.
도 7 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 8 은, 실시형태 2 에 관련된 연마 장치의 구성예의 사시도이다.
도 9 는, 실시형태 3 에 관련된 연마 장치의 주요부의 사시도이다.
도 10 은, 실시형태 3 에 관련된 연마 장치의 주요부의 평면도이다.
도 11 은, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 12 는, 도 11 에 나타난 웨이퍼의 연마 방법의 연마 전 측정 스텝의 측정 경로 상의 웨이퍼의 두께를 측정하는 상태를 나타내는 측면도이다.
도 13 은, 도 11 에 나타난 웨이퍼의 연마 방법의 테스트 연마 스텝에 있어서 연마된 웨이퍼를 나타내는 측면도이다.
도 14 는, 도 11 에 나타난 웨이퍼의 연마 방법의 연마 스텝 후의 웨이퍼의 측면도이다.
도 15 는, 도 1 에 나타난 연마 장치의 연마 패드의 영역을 가열했을 때의 단위 시간당의 제거량을 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view of the structural example of the grinding|polishing apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG.
Fig. 2 is a perspective view showing a wafer to be polished in the method for polishing a wafer according to the first embodiment.
Fig. 3 is a perspective view of the wafer shown in Fig. 2 viewed from the back side.
Fig. 4 is a side view showing a state in the polishing process of the polishing unit of the polishing apparatus shown in Fig. 1;
Fig. 5 is a plan view showing the positional relationship between the polishing pad and the wafer shown in Fig. 4;
Fig. 6 is a side view showing the positional relationship between the polishing pad and the wafer shown in Fig. 5;
7 is a flowchart showing the flow of the wafer polishing method according to the first embodiment.
8 is a perspective view of a configuration example of the polishing apparatus according to the second embodiment.
Fig. 9 is a perspective view of an essential part of the polishing apparatus according to the third embodiment.
Fig. 10 is a plan view of an essential part of the polishing apparatus according to the third embodiment.
11 is a flowchart showing the flow of the wafer polishing method according to the third embodiment.
Fig. 12 is a side view showing a state in which the thickness of the wafer on the measurement path of the measurement step before polishing in the method for polishing the wafer shown in Fig. 11 is measured.
Fig. 13 is a side view showing a polished wafer in a test polishing step of the wafer polishing method shown in Fig. 11;
Fig. 14 is a side view of the wafer after a polishing step of the method for polishing the wafer shown in Fig. 11;
Fig. 15 is a diagram showing the removal amount per unit time when the region of the polishing pad of the polishing apparatus shown in Fig. 1 is heated.

본 발명을 실시하기 위한 형태 (실시형태) 에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION The form (embodiment) for implementing this invention is demonstrated in detail, referring drawings. This invention is not limited by the content described in the following embodiment. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art, and those that are substantially the same. In addition, the structures described below can be combined suitably. Moreover, various abbreviation|omission, substitution, or change of a structure can be implemented in the range which does not deviate from the summary of this invention.

〔실시형태 1〕[Embodiment 1]

본 발명의 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법 및 연마 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 연마 장치의 구성예의 사시도이다. 도 2 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법의 연마 대상의 웨이퍼를 나타내는 사시도이다. 도 3 은, 도 2 에 나타난 웨이퍼를 이면측에서 본 사시도이다.A wafer polishing method and polishing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view of the structural example of the grinding|polishing apparatus which concerns on Embodiment 1. FIG. Fig. 2 is a perspective view showing a wafer to be polished in the method for polishing a wafer according to the first embodiment. Fig. 3 is a perspective view of the wafer shown in Fig. 2 viewed from the back side.

실시형태 1 에 관련된 도 1 에 나타내는 연마 장치 (1) 는, 연삭 장치에 의해 박화된 도 2 에 나타내는 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 을 고정밀도로 평탄화하기 위해서 연마하는 것이다. 웨이퍼 (201) 는, 실리콘을 모재로 하는 원판상의 반도체 웨이퍼나 사파이어, SiC (탄화규소) 등으로 이루어지는 광 디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼 (201) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 표면 (203) 에 형성된 격자상의 분할 예정 라인 (204) 으로 구획된 복수의 영역에 디바이스 (205) 가 형성되어 있다. 웨이퍼 (201) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 표면 (203) 에 보호 부재 (206) 가 첩착된 상태에서 이면 (202) 이 연마된다.The polishing apparatus 1 shown in FIG. 1 which concerns on Embodiment 1 grind|polishes in order to planarize with high precision the back surface 202 of the wafer 201 shown in FIG. 2 which was thinned by the grinding apparatus. The wafer 201 is an optical device wafer made of a disk-shaped semiconductor wafer using silicon as a base material, sapphire, SiC (silicon carbide), or the like. As for the wafer 201, as shown in FIG. 2, the device 205 is formed in the several area|region partitioned by the grid-like division|segmentation line 204 formed on the surface 203. As shown in FIG. As shown in FIG. 3 , the back surface 202 of the wafer 201 is polished with the protection member 206 attached to the front surface 203 .

연마 장치 (1) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 장치 본체 (2) 와, 척 테이블 (7) 과, 연마 유닛 (5) 과, 카세트 (8, 9) 와, 위치 맞춤 유닛 (10) 과, 반입 유닛 (11) 과, 세정 유닛 (13) 과, 반출입 유닛 (14) 과, 온풍 분사 유닛 (15) 과, 온도 측정기 (16) 와, 제어 유닛 (100) 을 주로 구비하고 있다.As shown in FIG. 1 , the polishing apparatus 1 includes an apparatus main body 2 , a chuck table 7 , a polishing unit 5 , cassettes 8 and 9 , and a positioning unit 10 , , a carry-in unit 11 , a cleaning unit 13 , a carry-in/out unit 14 , a warm air blowing unit 15 , a temperature measuring device 16 , and a control unit 100 are mainly provided.

척 테이블 (7) 은, 웨이퍼 (201) 가 보호 부재 (206) 를 개재하여 유지면 (7-1) 상에 재치 (載置) 되어, 웨이퍼 (201) 를 유지하는 것이다. 척 테이블 (7) 은, 유지면 (7-1) 을 구성하는 부분이 포러스 세라믹 등으로 형성된 원반 형상이며, 도시되지 않은 진공 흡인 경로를 개재하여 도시되지 않은 진공 흡인원과 접속되어, 유지면 (7-1) 에 재치된 웨이퍼 (201) 를 흡인함으로써 유지한다. 또, 척 테이블 (7) 은, Z 축 방향과 평행한 축심 둘레로 자유롭게 회전할 수 있는 지지 기대 (7-2) 에 지지되어 있다. 또한, Z 축 방향은, 연직 방향과 평행하다.In the chuck table 7 , the wafer 201 is placed on the holding surface 7-1 with the protection member 206 interposed therebetween to hold the wafer 201 . The chuck table 7 has a disk shape in which a portion constituting the holding surface 7-1 is made of porous ceramic or the like, and is connected to a vacuum suction source (not shown) via a vacuum suction path (not shown), and the holding surface ( The wafer 201 mounted on 7-1) is held by suction. Further, the chuck table 7 is supported by a support base 7-2 that can freely rotate around an axis parallel to the Z-axis direction. In addition, the Z-axis direction is parallel to the vertical direction.

또, 척 테이블 (7) 은, 도시되지 않은 가공 이송 유닛에 의해 반입 유닛 (11) 및 반출입 유닛 (14) 에 가까운 반입 반출 위치 (101) 와, 연마 유닛 (5) 의 하방의 연마 위치 (104) 에 걸쳐, Y 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 설치되어 있다. 또한, Y 축 방향은, 수평 방향과 평행하다.In addition, the chuck table 7 includes a carry-in/out position 101 close to the carry-in unit 11 and carry-in/out unit 14 by a processing transfer unit (not shown), and a polishing position 104 below the polishing unit 5 . ), so that it can move freely in the Y-axis direction. In addition, the Y-axis direction is parallel to the horizontal direction.

카세트 (8, 9) 는, 복수의 슬롯을 갖는 웨이퍼 (201) 를 수용하기 위한 수용기이다. 일방의 카세트 (8) 는, 연마 가공 전의 표면 (203) 에 보호 부재 (206) (도 3 에 나타낸다) 가 첩착된 웨이퍼 (201) 를 수용하고, 타방의 카세트 (9) 는, 연마 가공 후의 웨이퍼 (201) 를 수용한다. 또, 위치 맞춤 유닛 (10) 은, 카세트 (8) 로부터 취출된 웨이퍼 (201) 가 임시 거치되어, 그 중심 위치 맞춤을 실시하기 위한 테이블이다.The cassettes 8 and 9 are receivers for accommodating the wafer 201 having a plurality of slots. One cassette 8 accommodates a wafer 201 having a protective member 206 (shown in FIG. 3 ) attached to the surface 203 before polishing, and the other cassette 9 is a wafer after polishing. (201) is accepted. In addition, the alignment unit 10 is a table for temporarily placing the wafer 201 taken out from the cassette 8 and aligning the center thereof.

반입 유닛 (11) 은, 흡착 패드를 가지고, 위치 맞춤 유닛 (10) 에 의해 위치 맞춤된 연마 가공 전의 웨이퍼 (201) 를 흡착 유지하여 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다. 반입 유닛 (11) 은, 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 유지된 연마 가공 후의 웨이퍼 (201) 를 흡착 유지하여 세정 유닛 (13) 에 반출한다.The carrying-in unit 11 has a suction pad, and adsorbs-holds the wafer 201 before the polishing process aligned by the positioning unit 10 on the chuck table 7 positioned at the carrying-in/out position 101 . bring in The carry-in unit 11 adsorbs and holds the polished wafer 201 held on the chuck table 7 located at the carry-in/out position 101 , and carries it out to the cleaning unit 13 .

반출입 유닛 (14) 은, 예를 들어 U 자형 핸드 (14-1) 를 구비하는 로봇 픽이며, U 자형 핸드 (14-1) 에 의해 웨이퍼 (201) 를 흡착 유지하여 반송한다. 구체적으로는, 반출입 유닛 (14) 은, 연마 가공 전의 웨이퍼 (201) 를 카세트 (8) 로부터 위치 맞춤 유닛 (10) 으로 반출함과 함께, 연마 가공 후의 웨이퍼 (201) 를 세정 유닛 (13) 으로부터 카세트 (9) 로 반입한다. 세정 유닛 (13) 은, 연마 가공 후의 웨이퍼 (201) 를 세정하고, 연삭 및 연마된 가공면에 부착되어 있는 연마 찌꺼기 등의 콘터미네이션을 제거한다.The carrying-in/out unit 14 is, for example, a robot pick provided with a U-shaped hand 14-1, and the U-shaped hand 14-1 adsorbs and holds the wafer 201 and conveys it. Specifically, the carrying-in/out unit 14 carries out the wafer 201 before the polishing process from the cassette 8 to the alignment unit 10 , and removes the wafer 201 after the polishing process from the cleaning unit 13 . It is brought into the cassette (9). The cleaning unit 13 cleans the wafer 201 after polishing, and removes contamination such as polishing residues adhering to the ground and polished surface.

다음으로, 연마 유닛 (5) 을 도면에 기초하여 설명한다. 도 4 는, 도 1 에 나타난 연마 장치의 연마 유닛의 연마 가공 중인 상태를 나타내는 측면도이다. 도 5 는, 도 4 에 나타난 연마 패드와 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 평면도이다. 도 6 은, 도 5 에 나타난 연마 패드와 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 측면도이다.Next, the grinding|polishing unit 5 is demonstrated based on drawing. Fig. 4 is a side view showing a state in the polishing process of the polishing unit of the polishing apparatus shown in Fig. 1; Fig. 5 is a plan view showing the positional relationship between the polishing pad and the wafer shown in Fig. 4; Fig. 6 is a side view showing the positional relationship between the polishing pad and the wafer shown in Fig. 5;

연마 유닛 (5) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 장치 본체 (2) 로부터 세워 설치한 칼럼 (18) 에 지지되어, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 연마 공구 (51) 의 연마 패드 (52) 가 스핀들 (50) 의 하단에 장착된다. 연마 유닛 (5) 은, 연마 공구 (51) 의 연마 패드 (52) 를 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 의 유지면 (7-1) 에 대향하여 배치시킨다. 연마 유닛 (5) 은, 연마 공구 (51) 가 스핀들 (50) 에 의해 회전되면서, 연마 위치 (104) 에 위치하고 지지 기대 (7-2) 에 의해 회전되는 척 테이블 (7) 의 유지면 (7-1) 에서 유지된 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 Z 축 이동 유닛 (5-1) 에 의해 Z 축 방향을 따라 가압된다. 연마 유닛 (5) 은, 연마 공구 (51) 의 연마 패드 (52) 가 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 을 연마 패드 (52) 에 의해 연마하기 위한 것이다.As shown in FIG. 1 , the polishing unit 5 is supported by a column 18 installed upright from the apparatus main body 2 , and as shown in FIG. 4 , the polishing pad 52 of the polishing tool 51 is It is mounted on the lower end of the spindle (50). The polishing unit 5 arranges the polishing pad 52 of the polishing tool 51 to face the holding surface 7-1 of the chuck table 7 at the polishing position 104 . The polishing unit 5 has a holding surface 7 of the chuck table 7 which is positioned at a polishing position 104 and rotated by a support base 7-2, while the abrasive tool 51 is rotated by the spindle 50. The back surface 202 of the wafer 201 held in -1) is pressed along the Z-axis direction by the Z-axis movement unit 5-1. The polishing unit 5 presses the polishing pad 52 of the polishing tool 51 against the back surface 202 of the wafer 201 in the Z-axis direction, so that the back surface 202 of the wafer 201 is polished with the polishing pad ( 52) for polishing.

연마 유닛 (5) 은, 칼럼 (18) 에 설치된 Z 축 이동 유닛 (5-1) 에 의해 Z 축 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 설치된 스핀들 하우징 (53) 과, 스핀들 하우징 (53) 내에 축심 둘레로 자유롭게 회전할 수 있도록 설치된 스핀들 (50) 과, 스핀들 (50) 의 하단에 장착되는 연마 공구 (51) 를 구비한다. 스핀들 (50) 은, Z 축 방향과 평행하게 배치되어, 도 1 에 나타내는 스핀들 모터 (54) 에 의해 축심 둘레로 회전된다. 스핀들 (50) 은, 하단에 연마 공구 (51) 를 장착하는 원반상의 공구 장착 부재 (50-1) 가 장착되어 있다.The polishing unit 5 includes a spindle housing 53 installed so as to be freely movable in the Z-axis direction by a Z-axis moving unit 5-1 installed in a column 18, and a spindle housing 53 freely around an axis in the spindle housing 53. A spindle (50) installed so as to be rotatable, and an abrasive tool (51) mounted on a lower end of the spindle (50) are provided. The spindle 50 is arranged parallel to the Z-axis direction, and is rotated about the axis by the spindle motor 54 shown in FIG. 1 . The spindle 50 is equipped with a disk-shaped tool mounting member 50-1 for mounting the abrasive tool 51 at the lower end thereof.

연마 공구 (51) 는, 원환상의 지지 기대 (55) 와, 원환상의 연마 패드 (52) 를 구비한다. 지지 기대 (55) 는, 알루미늄 합금에 의해 구성되어 있다. 연마 패드 (52) 는, 지지 기대 (55) 의 하면에 장착되어, 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (201) 를 연마하는 것이다. 연마 패드 (52) 는, 예를 들어 폴리우레탄이나 펠트에 지립을 분산시켜 고정시킨 펠트 지석 등의 지립으로 형성되어 있다.The polishing tool 51 includes an annular support base 55 and an annular polishing pad 52 . The support base 55 is comprised by the aluminum alloy. The polishing pad 52 is mounted on the lower surface of the support base 55 to polish the wafer 201 held by the chuck table 7 . The polishing pad 52 is formed of abrasive grains, such as a felt grindstone which disperse|distributed and fixed the abrasive grain to polyurethane or felt, for example.

연마 공구 (51) 는, 스핀들 (50) 의 하단에 장착되어 있는 공구 장착 부재 (50-1) 의 하면에 지지 기대 (55) 를 중첩하고, 지지 기대 (55) 가 도시되지 않은 볼트에 의해 공구 장착 부재 (50-1) 에 장착됨으로써, 공구 장착 부재 (50-1) 에 장착된다. 실시형태 1 에 있어서, 연마 공구 (51) 의 연마 패드 (52) 의 직경은, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (201) 의 직경보다 크다.The abrasive tool 51 superimposes a support base 55 on a lower surface of a tool mounting member 50-1 mounted on the lower end of the spindle 50, and the support base 55 is attached to the tool by a bolt (not shown). By being mounted to the mounting member 50-1, it is mounted to the tool mounting member 50-1. In Embodiment 1, the diameter of the polishing pad 52 of the polishing tool 51 is larger than the diameter of the wafer 201 as shown in FIGS. 5 and 6 .

실시형태 1 에 있어서, 연마 유닛 (5) 은, 연마 패드 (52) 에 의해 웨이퍼 (201) 를 연마할 때에는, 연마액을 공급하지 않고, 연마 패드 (52) 의 지립을 웨이퍼 (201) 와 화학 반응시키는 이른바 드라이 폴리시를 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 실시한다. 즉, 실시형태 1 에 있어서, 연마 공구 (51) 의 연마 패드 (52) 는, 드라이 폴리시에 바람직한 것이다.In Embodiment 1, when polishing the wafer 201 with the polishing pad 52, the polishing unit 5 chemically mixes the abrasive grains of the polishing pad 52 with the wafer 201 without supplying a polishing liquid. A so-called dry polish to react is applied to the back surface 202 of the wafer 201 . That is, in Embodiment 1, the polishing pad 52 of the polishing tool 51 is preferable for dry polish.

또한, 실시형태 1 에 있어서, 연마 유닛 (5) 의 연마 공구 (51) 의 회전 중심인 축심과, 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 의 회전 중심인 축심은, 서로 평행함과 함께, 수평 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 또, 실시형태 1 에 있어서, 연마 유닛 (5) 은, 도 4, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 연마 패드 (52) 가 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 전체를 덮어, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 을 연마함과 함께, 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 일부의 영역 (56-1) 이 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 접촉하지 않고 노출된다. 또한, 실시형태 1 에 있어서, 영역 (56-1) 은, 연마 장치 (1) 를 평면에서 보았을 때에 있어서, 도 5 에 나타내는 바와 같이, Y 축 방향의 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 과 칼럼 (18) 사이에 배치되어 있다.Further, in the first embodiment, the axial center that is the rotation center of the abrasive tool 51 of the polishing unit 5 and the axial center that is the rotation center of the chuck table 7 at the polishing position 104 are parallel to each other, They are spaced apart in the horizontal direction. Further, in the first embodiment, in the polishing unit 5, as shown in FIGS. 4, 5 and 6 , the polishing pad 52 covers the entire back surface 202 of the wafer 201, and the wafer 201 ), while polishing the rear surface 202 of the polishing pad 52 , a region 56 - 1 of a part of the lower surface 56 of the polishing pad 52 is exposed without contacting the rear surface 202 of the wafer 201 . Moreover, in Embodiment 1, when the grinding|polishing apparatus 1 is planarly viewed, the area|region 56-1 WHEREIN: As shown in FIG. 5, the chuck table 7 of the grinding|polishing position 104 of a Y-axis direction. and the column (18).

온풍 분사 유닛 (15) 은, 연마 가공 중에 웨이퍼 (201) 에 접촉하지 않고 노출된 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 에 온풍을 분사하는 것이다. 온풍 분사 유닛 (15) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 장치 본체 (2) 의 연마 가공 중인 연마 패드 (52) 의 영역 (56-1) 에 Z 축 방향에 대향하는 위치에 설치되어 있다. 실시형태에 있어서, 온풍 분사 유닛 (15) 은, 도 5 에 나타내는 바와 같이, Y 축 방향의 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 과 칼럼 (18) 사이에 배치되어 있다.The warm air blowing unit 15 blows warm air to the area 56 - 1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 exposed without contacting the wafer 201 during the polishing process. As shown in FIG. 4 , the warm air blowing unit 15 is provided in the region 56-1 of the polishing pad 52 under polishing of the apparatus main body 2 in a position opposite to the Z-axis direction. In embodiment, the warm air spraying unit 15 is arrange|positioned between the chuck table 7 and the column 18 of the grinding|polishing position 104 of a Y-axis direction, as shown in FIG.

온풍 분사 유닛 (15) 은, 도시되지 않은 온풍 공급원으로부터 온풍 (즉, 가열된 기체) 이 공급되는 공급관 (151) 과, 공급관 (151) 에 복수 형성한 분사구 (152) 를 구비한다. 공급관 (151) 의 길이 방향은, Y 축 방향에 대해 직교하는 X 축 방향과 평행하다. 또한, X 축 방향은, 수평 방향과 평행하다. 분사구 (152) 는, 공급관 (151) 의 길이 방향, 즉 X 축 방향을 따라 간격을 두고 배치되어 있다. 온풍 분사 유닛 (15) 은, 온풍 공급원으로부터 공급된 온풍을, 연마 가공 중인 연마 패드 (52) 의 영역 (56-1) 을 향하여 분사구 (152) 로부터 분사한다. 또한, 온풍 분사 유닛 (15) 이 영역 (56-1) 에 공급하는 온풍은, 상온보다 높은 온도로 가열된 기체이다. 또, 실시형태 1 에 있어서, 온풍의 온도는, 보호 부재 (206) 가 용융되는 온도, 예를 들어 70 ℃ 미만인 것이 바람직하다.The warm air injection unit 15 includes a supply pipe 151 to which warm air (ie, heated gas) is supplied from a warm air supply source (not shown), and a plurality of injection ports 152 provided in the supply pipe 151 . The longitudinal direction of the supply pipe 151 is parallel to the X-axis direction orthogonal to the Y-axis direction. In addition, the X-axis direction is parallel to the horizontal direction. The injection ports 152 are spaced apart along the longitudinal direction of the supply pipe 151, ie, the X-axis direction, and are arrange|positioned. The warm air injection unit 15 injects the warm air supplied from the warm air supply source from the injection port 152 toward the region 56 - 1 of the polishing pad 52 under polishing. In addition, the warm air supplied to the area|region 56-1 by the warm air injection unit 15 is the gas heated to the temperature higher than normal temperature. Moreover, in Embodiment 1, it is preferable that the temperature of the warm air is less than the temperature at which the protection member 206 melts, for example, 70 degreeC.

온도 측정기 (16) 는, 연마 가공 중에 웨이퍼 (201) 에 접촉하지 않고 노출된 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 의 온도를 측정하는 것이다. 온도 측정기 (16) 는, 장치 본체 (2) 의 연마 가공 중인 연마 패드 (52) 의 영역 (56-1) 에 Z 축 방향에 대향하는 위치에 설치되어 있다. 실시형태에 있어서, 온도 측정기 (16) 는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, Y 축 방향의 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 과 칼럼 (18) 사이에 배치되어 있다.The temperature measuring device 16 measures the temperature of the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 exposed without contacting the wafer 201 during the polishing process. The temperature measuring device 16 is provided in the region 56-1 of the polishing pad 52 under polishing of the apparatus main body 2 in a position opposite to the Z-axis direction. In embodiment, the temperature measuring device 16 is arrange|positioned between the chuck table 7 and the column 18 of the grinding|polishing position 104 of a Y-axis direction, as shown in FIG.

온도 측정기 (16) 는, 장치 본체 (2) 에 설치된 설치 부재 (161) 의 선단에 장착되어 있다. 설치 부재 (161) 는, 길이 방향이 Y 축 방향에 대해 직교하는 X 축 방향과 평행한 봉상으로 형성되어 있다. 온도 측정기 (16) 는, 설치 부재 (161) 의 연마 유닛 (5) 에 가까운 선단에 설치되어 있다. 온도 측정기 (16) 는, 방사 온도계, 서모그래피, 또는 파이로미터에 의해 구성되어 있다. 온도 측정기 (16) 는, 측정 결과를 제어 유닛 (100) 에 출력한다.The temperature measuring device 16 is attached to the tip of the mounting member 161 provided in the apparatus main body 2 . The attaching member 161 is formed in a rod shape whose longitudinal direction is parallel to the X-axis direction orthogonal to the Y-axis direction. The temperature measuring device 16 is provided at the distal end of the mounting member 161 close to the polishing unit 5 . The temperature measuring device 16 is constituted by a radiation thermometer, a thermography, or a pyrometer. The temperature measuring device 16 outputs a measurement result to the control unit 100 .

제어 유닛 (100) 은, 연마 장치 (1) 를 구성하는 상기 서술한 구성 요소를 각각 제어하는 것이다. 즉, 제어 유닛 (100) 은, 웨이퍼 (201) 에 대한 연마 가공을 연마 장치 (1) 에 실행시키는 것이다. 제어 유닛 (100) 은, 컴퓨터 프로그램을 실행 가능한 컴퓨터이다. 제어 유닛 (100) 은, CPU (central processing unit) 와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM (read only memory) 또는 RAM (random access memory) 과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다. 제어 유닛 (100) 의 CPU 는, ROM 에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 RAM 상에서 실행하여, 연마 장치 (1) 를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 제어 유닛 (100) 의 CPU 는, 생성된 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 개재하여 연마 장치 (1) 의 각 구성 요소에 출력한다.The control unit 100 controls the above-mentioned components constituting the polishing apparatus 1 , respectively. That is, the control unit 100 causes the polishing apparatus 1 to perform a polishing process on the wafer 201 . The control unit 100 is a computer capable of executing a computer program. The control unit 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage unit having a memory such as a read only memory (ROM) or a random access memory (RAM), and an input/output interface unit. have The CPU of the control unit 100 executes a computer program stored in the ROM on the RAM to generate a control signal for controlling the polishing apparatus 1 . The CPU of the control unit 100 outputs the generated control signal to each component of the polishing apparatus 1 via the input/output interface device.

또, 제어 유닛 (100) 은, 가공 동작 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 도시되지 않은 표시 유닛이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 사용하는 입력 유닛과 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 설치된 터치 패널과, 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다.In addition, the control unit 100 is connected to a display unit (not shown) constituted by a liquid crystal display device or the like that displays a processing operation state, an image, or the like, or an input unit used when an operator registers processing content information and the like. . The input unit is constituted by at least one of a touch panel provided on the display unit, a keyboard, and the like.

또, 제어 유닛 (100) 은, 온도 측정기 (16) 의 측정 결과에 따라, 온풍 분사 유닛 (15) 의 온풍 분사 온도 또는 양을 조정한다. 실시형태 1 에 있어서, 제어 유닛 (100) 은, 온풍 분사 유닛 (15) 이 영역 (56-1) 을 향하여 분사하는 온풍의 온도와 온풍의 양의 쌍방을 변경하지만, 본 발명에서는, 온풍의 온도와 온풍의 양의 적어도 일방을 조정하면 된다. 실시형태 1 에 있어서, 제어 유닛 (100) 은, 연마 가공 중에 온도 측정기 (16) 가 검출하는 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 의 온도가, 미리 설정된 온도가 되도록, 온풍 분사 유닛 (15) 이 영역 (56-1) 을 향하여 분사하는 온풍의 온도와 온풍의 양의 쌍방을 변경한다. 이렇게 하여, 온풍 분사 유닛 (15) 과, 온도 측정기 (16) 와, 제어 유닛 (100) 은, 웨이퍼 (201) 를 연마 가공 중인 연마 패드 (52) 의 온도를 조정하는 온도 조정 유닛 (17) 을 구성한다.Moreover, the control unit 100 adjusts the warm air injection temperature or quantity of the warm air injection unit 15 according to the measurement result of the temperature measuring device 16 . In the first embodiment, the control unit 100 changes both the temperature of the warm air and the amount of the warm air blown by the warm air blowing unit 15 toward the region 56-1, but in the present invention, the temperature of the warm air And what is necessary is just to adjust at least one of the quantity of warm air. In the first embodiment, the control unit 100 is configured such that the temperature of the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 detected by the temperature measuring device 16 during polishing becomes a preset temperature. , the warm air injection unit 15 changes both the temperature of the warm air and the amount of the warm air blown toward the region 56 - 1 . In this way, the warm air spraying unit 15 , the temperature measuring device 16 , and the control unit 100 control the temperature adjusting unit 17 , which adjusts the temperature of the polishing pad 52 during the polishing process of the wafer 201 . make up

다음으로, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법에 대해 설명한다. 도 7 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.Next, the polishing method of the wafer which concerns on Embodiment 1 is demonstrated. 7 is a flowchart showing the flow of the wafer polishing method according to the first embodiment.

실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법 (이하, 간단히 연마 방법이라고 기재한다) 은, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 보호 부재 첩착 스텝 (ST1) 과, 연마 스텝 (ST2) 을 구비한다.A wafer polishing method (hereinafter, simply referred to as a polishing method) according to the first embodiment includes a protecting member attaching step ST1 and a polishing step ST2 as shown in FIG. 7 .

보호 부재 첩착 스텝 (ST1) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (201) 의 표면 (203) 에 보호 부재 (206) 를 첩착하는 스텝이다. 실시형태 1 에 있어서, 보호 부재 첩착 스텝 (ST1) 은, 오퍼레이터 등이 웨이퍼 (201) 의 표면 (203) 에 보호 부재 (206) 를 첩착하고, 표면 (203) 에 보호 부재 (206) 가 첩착된 웨이퍼 (201) 를 카세트 (8) 내에 수용한다. 보호 부재 (206) 가 첩착된 웨이퍼 (201) 는, 도시되지 않은 연삭 스텝에 있어서, 이면 (202) 이 연삭되어, 박화된다.The protection member sticking step ST1 is a step of bonding the protection member 206 to the surface 203 of the wafer 201 as shown in FIG. 3 . In Embodiment 1, in the protection member attaching step ST1, the operator or the like adheres the protection member 206 to the surface 203 of the wafer 201, and the protection member 206 is adhered to the surface 203. The wafer 201 is accommodated in the cassette 8 . The back surface 202 of the wafer 201 to which the protective member 206 is adhered is grind|ground and thinned in the grinding step (not shown).

연마 스텝 (ST2) 은, 연삭 스텝의 후에, 보호 부재 (206) 가 첩착된 보호 부재 (206) 를 개재하여 웨이퍼 (201) 를 척 테이블 (7) 에 의해 유지하고, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 을 연마 패드 (52) 에 의해 연마하는 스텝이다. 연마 스텝 (ST2) 은, 도 1 에 나타내는 연마 장치 (1) 에 의해 실시된다. 연마 스텝 (ST2) 은, 오퍼레이터가 연마 가공 전의 보호 부재 (206) 가 표면 (203) 에 첩착된 웨이퍼 (201) 를 수용한 카세트 (8) 와, 웨이퍼 (201) 를 수용하고 있지 않은 카세트 (9) 를 장치 본체 (2) 에 장착함과 함께, 오퍼레이터가 가공 정보를 제어 유닛 (100) 에 등록하여, 오퍼레이터로부터 연마 장치 (1) 에 가공 동작의 개시 지시가 입력되면, 실시된다.In the polishing step ST2, after the grinding step, the wafer 201 is held by the chuck table 7 via the protection member 206 to which the protection member 206 is attached, and the back surface of the wafer 201 ( It is a step of polishing 202 with the polishing pad 52 . Polishing step ST2 is performed by the polishing apparatus 1 shown in FIG. 1 . In the polishing step ST2, the operator has a cassette 8 containing the wafer 201 with the protective member 206 attached to the surface 203 before polishing, and a cassette 9 that does not contain the wafer 201 . ) to the apparatus main body 2 , an operator registers processing information in the control unit 100 , and when an instruction to start a processing operation is input from the operator to the polishing apparatus 1 , it is carried out.

연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 반출입 유닛 (14) 에 카세트 (8) 로부터 웨이퍼 (201) 를 취출시키고, 위치 맞춤 유닛 (10) 으로 반출시키고, 위치 맞춤 유닛 (10) 에 웨이퍼 (201) 의 중심 위치 맞춤을 실시시켜, 반입 유닛 (1) 에 위치 맞춤된 웨이퍼 (201) 의 표면 (203) 측을 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다.In the polishing step ST2 , the control unit 100 of the polishing apparatus 1 takes out the wafer 201 from the cassette 8 to the carry-in/out unit 14 , and carries it out to the positioning unit 10 , A chuck table in which the alignment unit 10 is aligned with the center of the wafer 201, and the front surface 203 side of the wafer 201 aligned with the loading unit 1 is positioned at the loading/unloading position 101 ( 7) Bring it to the table.

연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 웨이퍼 (201) 의 표면 (203) 측을 보호 부재 (206) 를 개재하여 척 테이블 (7) 에 유지하고, 이면 (202) 을 노출시켜, 가공 이송 유닛에 의해 웨이퍼 (201) 를 유지한 척 테이블 (7) 을 연마 위치 (104) 로 이동시킨다. 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 및 연마 유닛 (5) 의 연마 공구 (51) 를 축심 둘레로 회전시키면서, 연마 유닛 (5) 의 연마 공구 (51) 의 연마 패드 (52) 를 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 가압하여, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 을 연마한다. 이렇게 하여, 연마 스텝 (ST2) 에서는, 웨이퍼 (201) 보다 직경이 큰 연마 패드 (52) 를 사용한다.In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing apparatus 1 holds the front surface 203 side of the wafer 201 on the chuck table 7 via the protection member 206, and the rear surface ( 202 is exposed, and the chuck table 7 holding the wafer 201 is moved to the polishing position 104 by the processing transfer unit. In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing apparatus 1 rotates the chuck table 7 at the polishing position 104 and the polishing tool 51 of the polishing unit 5 around the axis, The back surface 202 of the wafer 201 is polished by pressing the polishing pad 52 of the polishing tool 51 of the polishing unit 5 against the back surface 202 of the wafer 201 . In this way, in the polishing step ST2, the polishing pad 52 having a larger diameter than the wafer 201 is used.

또, 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 에 온풍 분사 유닛 (15) 으로부터 온풍을 분사하여 가열하면서 연마함과 함께, 온도 측정기 (16) 에 의해 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 의 온도를 측정하고, 측정된 연마 패드 (52) 의 온도에 따라 온풍의 온도 또는 양을 조정한다.Moreover, in the polishing step ST2 , the control unit 100 of the polishing apparatus 1 blows the warm air from the warm air blowing unit 15 to the area 56 - 1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 . The temperature of the area 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 is measured with a temperature measuring device 16 while polishing is performed while heating, and in accordance with the measured temperature of the polishing pad 52, warm air is blown. Adjust the temperature or amount of

연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 연마 가공 이 종료되면, 연마 유닛 (5) 을 상승시켜, 척 테이블 (7) 의 축심 둘레의 회전을 정지시킴과 함께, 온풍 분사 유닛 (15) 으로부터의 온풍의 분사를 정지시킨다. 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 척 테이블 (7) 을 반입 반출 위치 (101) 로 이동시키고, 웨이퍼 (201) 를 반입 유닛 (11) 에 의해 세정 유닛 (13) 에 반입하고, 세정 유닛 (13) 에 의해 세정하여, 세정 후의 웨이퍼 (201) 를 반출입 유닛 (14) 에 의해 카세트 (9) 로 반입한다. 그리고, 연마 방법은, 다음의 웨이퍼 (201) 에 대해 연마 스텝 (ST2) 을 실시한다. 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 카세트 (8) 내의 모든 웨이퍼 (201) 에 연마 가공을 실시하면, 연마 스텝 (ST2) 즉 연마 방법을 종료한다.In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing apparatus 1 raises the polishing unit 5 when the polishing process is finished, and stops the rotation of the chuck table 7 around the axis of the shaft. , Stops the injection of the warm air from the warm air injection unit 15 . In the polishing step ST2 , the control unit 100 of the polishing apparatus 1 moves the chuck table 7 to the carry-in/out position 101 , and moves the wafer 201 to the cleaning unit by the carrying-in unit 11 . The wafer 201 after being carried in (13) and cleaned by the cleaning unit 13 is loaded into the cassette 9 by the carrying-in/out unit 14. Then, in the polishing method, a polishing step ST2 is performed on the next wafer 201 . When the control unit 100 of the polishing apparatus 1 performs a polishing process on all the wafers 201 in the cassette 8 , the polishing step ST2 , that is, the polishing method is finished.

이상과 같이, 실시형태 1 에 관련된 연마 방법 및 연마 장치 (1) 는, 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 패드 (52) 를 온풍 분사 유닛 (15) 으로부터 분사하는 온풍으로 가열하므로, 연마 패드 (52) 의 지립과 웨이퍼 (201) 의 반응 속도를 높일 수 있다. 그 결과, 연마 방법 및 연마 장치 (1) 는, 시간당의 웨이퍼 (201) 의 제거량 (웨이퍼 (201) 가 감소시키는 두께를 말한다) 을 증가시킬 수 있고, 연마 가공의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 연마 방법 및 연마 장치 (1) 는, 가공 시간을 억제할 수 있다.As described above, in the polishing method and the polishing apparatus 1 according to the first embodiment, in the polishing step ST2 , the polishing pad 52 is heated by the warm air blown from the warm air spraying unit 15 . ), the reaction rate between the abrasive grains and the wafer 201 can be increased. As a result, the polishing method and the polishing apparatus 1 can increase the removal amount of the wafer 201 per hour (referring to the thickness at which the wafer 201 decreases), and can improve the throughput of the polishing process. As a result, the grinding|polishing method and the grinding|polishing apparatus 1 can suppress processing time.

또, 실시형태 1 에 관련된 연마 방법 및 연마 장치 (1) 는, 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 의 온도를 측정하고, 측정 결과에 따라, 미리 설정된 온도가 되도록 온풍의 온도와 양을 조정하므로, 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 온도를 미리 설정된 온도로 유지할 수 있다.Further, in the polishing method and the polishing apparatus 1 according to the first embodiment, in the polishing step ST2, the temperature of the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 is measured, and the measurement result is Accordingly, since the temperature and amount of the warm air are adjusted so as to be a preset temperature, the temperature of the lower surface 56 of the polishing pad 52 can be maintained at a preset temperature.

〔실시형태 2〕[Embodiment 2]

본 발명의 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법 및 연마 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 8 은, 실시형태 2 에 관련된 연마 장치의 구성예의 사시도이다. 도 8 은, 실시형태 1 과 동일 부분에 동일 부호를 부여하여 설명을 생략한다.A wafer polishing method and polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 8 is a perspective view of a configuration example of the polishing apparatus according to the second embodiment. In FIG. 8, the same code|symbol is attached|subjected to the same part as Embodiment 1, and description is abbreviate|omitted.

실시형태 2 에 관련된 연마 장치 (1-2) 는, 척 테이블 (7) 을 턴 테이블 (6) 상에 복수 놓고, 제 1 연삭 유닛 (3) 과, 제 2 연삭 유닛 (4) 을 추가로 구비하고 있는 점이, 실시형태 1 에 관련된 연마 장치 (1) 와 상이하다.The grinding|polishing apparatus 1-2 which concerns on Embodiment 2 sets the chuck table 7 in multiple numbers on the turn table 6, and is further equipped with the 1st grinding unit 3 and the 2nd grinding unit 4 It is different from the grinding|polishing apparatus 1 which concerns on Embodiment 1 in what is doing.

턴 테이블 (6) 은, 장치 본체 (2) 의 상면에 설치된 원반상의 테이블이고, 수평면 내에서 회전 가능하게 설치되고, 소정의 타이밍으로 회전 구동된다. 이 턴 테이블 (6) 상에는, 실시형태 2 에서는, 4 개의 척 테이블 (7) 이, 예를 들어 90 도의 위상각으로 등간격으로 배치 형성되어 있다. 실시형태 2 에 있어서, 척 테이블 (7) 은, 턴 테이블 (6) 의 회전에 의해, 반입 반출 위치 (101), 조 (粗) 연삭 위치 (102), 마무리 연삭 위치 (103), 연마 위치 (104), 반입 반출 위치 (101) 로 순차 이동된다.The turn table 6 is a disk-shaped table provided on the upper surface of the apparatus main body 2, is rotatably installed in a horizontal plane, and is rotationally driven at a predetermined timing. On this turntable 6, in Embodiment 2, the four chuck tables 7 are arrange|positioned at equal intervals at a phase angle of 90 degree|times, for example. In the second embodiment, the chuck table 7 is rotated by the turn table 6 to a carry-in/out position 101, a rough grinding position 102, a finish grinding position 103, and a grinding position ( 104), it is sequentially moved to the carrying-in/out position 101.

제 1 연삭 유닛 (3) 은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 도시되지 않은 연삭 휠이 회전되면서 조연삭 위치 (102) 의 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 연직 방향과 평행한 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 을 조연삭 가공하기 위한 것이다. 마찬가지로, 제 2 연삭 유닛 (4) 은, 스핀들의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 도시되지 않은 연삭 휠이 회전되면서 마무리 연삭 위치 (103) 에 위치하는 척 테이블 (7) 에 유지된 조연삭이 완료된 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 을 마무리 연삭 가공하기 위한 것이다.The first grinding unit 3 has a back surface 202 of a wafer 201 held on a chuck table 7 in a rough grinding position 102 while a grinding wheel (not shown) having a grinding wheel mounted on the lower end of the spindle is rotated. ) to rough-grind the back surface 202 of the wafer 201 by being pressed along the Z-axis direction parallel to the vertical direction. Similarly, in the second grinding unit 4, a grinding wheel (not shown) having a grinding wheel mounted on the lower end of the spindle is rotated while the rough grinding held on the chuck table 7 located at the finish grinding position 103 is completed. This is for finishing the back surface 202 of the wafer 201 by being pressed against the back surface 202 of the wafer 201 along the Z-axis direction.

실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법 (이하, 간단히 연마 방법이라고 기재한다) 은, 연삭 스텝에 있어서, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 조연삭 가공과 마무리 연삭 가공을 실시한 후에, 실시형태 1 과 동일한 연마 스텝 (ST2) 을 실시하는 것 이외에, 실시형태 1 에 관련된 연마 방법과 동일하다.In the method for polishing a wafer (hereinafter, simply referred to as a polishing method) according to the second embodiment, rough grinding and finish grinding are performed on the back surface 202 of the wafer 201 in the grinding step, followed by the first embodiment It is the same as the grinding|polishing method which concerns on Embodiment 1 except implementing the grinding|polishing step ST2 similar to that.

실시형태 2 에 관련된 연마 방법 및 연마 장치 (1-2) 는, 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 패드 (52) 를 온풍 분사 유닛 (15) 으로부터 분사하는 온풍으로 가열하므로, 실시형태 1 과 마찬가지로, 가공 시간을 억제할 수 있다.In the polishing method and polishing apparatus 1-2 according to the second embodiment, in the polishing step ST2, the polishing pad 52 is heated with the warm air blown from the warm air spray unit 15, so as in the first embodiment, The processing time can be suppressed.

〔실시형태 3〕[Embodiment 3]

본 발명의 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법 및 연마 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 9 는, 실시형태 3 에 관련된 연마 장치의 주요부의 사시도이다. 도 10 은, 실시형태 3 에 관련된 연마 장치의 주요부의 평면도이다. 도 11 은, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다. 도 12 는, 도 11 에 나타난 웨이퍼의 연마 방법의 연마 전 측정 스텝의 측정 경로 상의 웨이퍼의 두께를 측정하는 상태를 나타내는 측면도이다. 도 13 은, 도 11 에 나타난 웨이퍼의 연마 방법의 테스트 연마 스텝에 있어서 연마된 웨이퍼를 나타내는 측면도이다. 도 14 는, 도 11 에 나타난 웨이퍼의 연마 방법의 연마 스텝 후의 웨이퍼의 측면도이다. 도 9 내지 도 14 는, 실시형태 1 과 동일 부분에 동일 부호를 부여하여 설명을 생략한다.A wafer polishing method and polishing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 9 is a perspective view of an essential part of the polishing apparatus according to the third embodiment. Fig. 10 is a plan view of an essential part of the polishing apparatus according to the third embodiment. 11 is a flowchart showing the flow of the wafer polishing method according to the third embodiment. Fig. 12 is a side view showing a state in which the thickness of the wafer on the measurement path of the measurement step before polishing in the method for polishing the wafer shown in Fig. 11 is measured. Fig. 13 is a side view showing a polished wafer in a test polishing step of the wafer polishing method shown in Fig. 11; Fig. 14 is a side view of the wafer after a polishing step of the method for polishing the wafer shown in Fig. 11; 9-14, the same code|symbol is attached|subjected to the same part as Embodiment 1, and description is abbreviate|omitted.

실시형태 3 에 관련된 연마 장치 (1-3) 는, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 측정 유닛 (12) 을 구비한다. 측정 유닛 (12) 은, 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 의 유지면 (7-1) 에 대향하여 배치되고, 도시되지 않은 수평 방향 이동 유닛에 의해 유지면 (7-1) 과 평행한 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 설치되어 있다. 측정 유닛 (12) 의 수평 방향 이동 유닛에 의한 도 1 중에 일점 쇄선으로 나타내는 이동 경로 (207) 는, 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 의 유지면 (7-1) 의 중심을 통과하는 직선상이고 또한 척 테이블 (7) 의 직경 방향과 평행하다. 또, 측정 유닛 (12) 의 수평 방향 이동 유닛에 의한 이동 경로 (207) 는, 척 테이블 (7) 의 유지면 (7-1) 의 중심을 서로의 사이에 끼우는 두 개의 외측 가장자리를 통과한다.The polishing apparatus 1-3 which concerns on Embodiment 3 is equipped with the measurement unit 12, as shown in FIG. The measurement unit 12 is disposed opposite to the holding surface 7-1 of the chuck table 7 located at the carry-in/out position 101, and the holding surface 7-1 is operated by a horizontal movement unit (not shown). ) and is installed so that it can move freely in the parallel direction. The movement path 207 shown by the dashed-dotted line in FIG. 1 by the horizontal movement unit of the measurement unit 12 is the center of the holding surface 7-1 of the chuck table 7 located in the carry-in/out position 101. It is on a straight line passing through and parallel to the radial direction of the chuck table 7 . Moreover, the movement path 207 of the horizontal direction movement unit of the measurement unit 12 passes through the two outer edges which pinch the center of the holding surface 7-1 of the chuck table 7 with each other.

측정 유닛 (12) 은, 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 의 유지면 (7-1) 에 유지된 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 대해 광 또는 초음파를 조사하면서 이면 (202) 에서 반사된 광 또는 초음파를 수신하면서 이동 경로 (207) 상을 이동함으로써, 이동 경로 (207) 상의 웨이퍼 (201) 의 미리 설정된 소정 거리마다의 각 위치의 두께를 측정한다. 본 명세서는, 측정 유닛 (12) 의 이동 경로 (207) 를 이하, 측정 경로 (207) 라고 기재한다. 측정 유닛 (12) 은, 측정 결과를 제어 유닛 (100) 에 출력한다. 또한, 실시형태 1 에 있어서, 측정 유닛 (12) 은, 광 또는 초음파를 조사하여 이동 경로 상의 웨이퍼 (201) 의 각 위치의 두께를 측정하는 비접촉식인 것이지만, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 에 접촉하는 접촉자를 구비하는 접촉식인 것이어도 된다. 또, 실시형태 3 에 있어서, 측정 유닛 (12) 을 연마 장치 (1) 에 설치하였으나, 본 발명에서는, 연마 장치 (1-3) 와는 다른 측정 장치를 사용하여 웨이퍼 (201) 의 두께를 측정해도 된다.The measurement unit 12 irradiates light or ultrasonic waves to the back surface 202 of the wafer 201 held by the holding surface 7-1 of the chuck table 7 positioned at the carry-in/out position 101, while irradiating the back surface By moving on the movement path 207 while receiving the reflected light or ultrasonic wave at 202 , the thickness of each position of the wafer 201 on the movement path 207 for each predetermined predetermined distance is measured. In this specification, the movement path 207 of the measurement unit 12 is hereinafter referred to as a measurement path 207 . The measurement unit 12 outputs the measurement result to the control unit 100 . Further, in the first embodiment, the measurement unit 12 is a non-contact type for measuring the thickness of each position of the wafer 201 on the movement path by irradiating light or ultrasonic waves, but on the back surface 202 of the wafer 201 A contact type having a contact contact may be sufficient. Further, in the third embodiment, the measurement unit 12 is provided in the polishing apparatus 1, but in the present invention, even if the thickness of the wafer 201 is measured using a measurement apparatus different from the polishing apparatus 1-3, do.

또, 연마 장치 (1-3) 의 온도 조정 유닛 (17) 은, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 중 원하는 영역에 선택적으로 온풍을 분사하는 선택 분사부 (153) 를 구비한다. 실시형태 3 에 있어서, 선택 분사부 (153) 는, 분사구 (152) 각각에 대응하여 형성되어, 대응하는 분사구 (152) 를 개폐 가능한 셔터 기구이다. 선택 분사부 (153) 는, 온풍 분사 유닛 (15) 에 복수 형성되어 있다. 각 선택 분사부 (153) 는, 제어 유닛 (100) 에 의해 서로 독립적으로, 분사구 (152) 를 개폐한다.Further, as shown in FIG. 10 , the temperature adjusting unit 17 of the polishing apparatus 1-3 selectively applies warm air to a desired area among the areas 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 . and a selective injection unit 153 for spraying. In Embodiment 3, the selective injection part 153 is formed corresponding to each injection port 152, and is a shutter mechanism which can open and close the corresponding injection port 152. FIG. A plurality of selective injection units 153 are provided in the warm air injection unit 15 . Each selective injection unit 153 opens and closes the injection port 152 independently of each other by the control unit 100 .

다음으로, 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법에 대해 설명한다. 실시형태 3 에 관련된 웨이퍼의 연마 방법 (이하, 간단히 연마 방법이라고 기재한다) 은, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 보호 부재 첩착 스텝 (ST1) 과, 연마 스텝 (ST2) 에 추가로, 연마 장치 (1-3) 에 의해 실시되는 선택 스텝 (ST3) 을 구비한다.Next, a wafer polishing method according to the third embodiment will be described. As shown in FIG. 11 , a wafer polishing method (hereinafter, simply referred to as a polishing method) according to the third embodiment includes a polishing apparatus 1 in addition to the protection member attaching step ST1 and the polishing step ST2. A selection step ST3 performed by -3) is provided.

선택 스텝 (ST3) 은, 보호 부재 첩착 스텝 (ST1) 의 후에 또한 연마 스텝 (ST2) 의 전에 실시되는 스텝이다. 선택 스텝 (ST3) 은, 연마 스텝 (ST2) 후의 웨이퍼 (201) 의 두께의 불균일을 억제하기 위해서, 연마 스텝 (ST2) 에 있어서 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 중 온풍을 분사하는 영역을 선택하는 스텝이고, 분사구 (152) 를 개방하는 선택 분사부 (153) 와 분사구 (152) 를 폐쇄하는 선택 분사부 (153) 를 선택하는 스텝이다. 선택 스텝 (ST3) 은, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 연마 전 측정 스텝 (ST31) 과, 테스트 연마 스텝 (ST32) 과, 취득 스텝 (ST33) 과, 선정 스텝 (ST34) 을 갖는다.Selection step ST3 is a step performed after protection member sticking step ST1 and before grinding|polishing step ST2. The selection step ST3 is a region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 in the polishing step ST2 in order to suppress non-uniformity in the thickness of the wafer 201 after the polishing step ST2. It is a step of selecting the area|region which injects a medium warm air, It is a step of selecting the selective injection part 153 which opens the injection port 152, and the selective injection part 153 which closes the injection port 152. As shown in FIG. As shown in FIG. 11, selection step ST3 has pre-polishing measurement step ST31, test polishing step ST32, acquisition step ST33, and selection step ST34.

선택 스텝 (ST3) 의 연마 전 측정 스텝 (ST31) 에서는, 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 반출입 유닛 (14) 에 카세트 (8) 로부터 웨이퍼 (201) (또한, 선택 스텝 (ST3) 에 있어서 연삭 연마되는 웨이퍼 (201) 를, 이하, 테스트용 웨이퍼 (201-1) 라고 기재한다) 를 취출시키고, 위치 맞춤 유닛 (10) 으로 반출시키고, 위치 맞춤 유닛 (10) 에 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 중심 위치 맞춤을 실시시켜, 반입 유닛 (11) 에 위치 맞춤된 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 표면 (203) 측을 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다.In the pre-polishing measurement step ST31 of the selection step ST3, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 transfers the wafer 201 from the cassette 8 to the carrying-in/out unit 14 (in addition, the selection step) The wafer 201 to be ground and polished in ST3 is taken out (hereinafter referred to as a test wafer 201-1), taken out to the positioning unit 10, and tested by the positioning unit 10 The chuck table in which the center position of the wafer 201-1 for use is performed, and the front surface 203 side of the wafer 201-1 for a test aligned with the carrying-in unit 11 is located in the carrying-in/out position 101 (7) It is brought into the table.

연마 전 측정 스텝 (ST31) 에서는, 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 표면 (203) 측을 보호 부재 (206) 를 개재하여 척 테이블 (7) 에 유지한다. 연마 전 측정 스텝 (ST31) 에서는, 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 측정 유닛 (12) 을 측정 경로 (207) 를 따라 이동시키면서 측정 경로 (207) 상의 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 각 위치의 두께를 측정시킨다. 또한, 도 12 에 나타내는 반입 반출 위치 (101) 에 위치 결정된 테스트용 웨이퍼 (201-1) 는, 실시형태 3 에 있어서, 중심의 두께와 외측 가장자리의 두께가 얇고, 중심과 외측 가장자리의 중앙의 두께가 두꺼워지도록, 두께가 불균일하게 되어 있다. 또한, 도 12 는, 실제의 두께의 불균일보다 커지도록, 두께의 불균일을 과장하여 기재하고 있다.In the pre-polishing measurement step ST31, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 moves the front surface 203 side of the test wafer 201-1 through the protection member 206 to the chuck table ( 7) keep it on. In the pre-polishing measurement step ST31, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 moves the measurement path 207 along the measurement path 207, as shown in FIG. 12 . ), the thickness of each position of the test wafer 201-1 is measured. Further, in the third embodiment, the test wafer 201-1 positioned at the carry-in/out position 101 shown in Fig. 12 has a center thickness and a thin outer edge thickness, and a center thickness between the center and outer edge edge. The thickness is made non-uniform so that it becomes thick. In addition, in FIG. 12, the nonuniformity of thickness is exaggerated and described so that it may become larger than the nonuniformity of an actual thickness.

테스트 연마 스텝 (ST32) 은, 연마 전 측정 스텝 (ST31) 에 있어서 웨이퍼 (201) 의 두께 정보인 이동 경로 (207) 상의 각 위치의 두께를 취득한 테스트용 웨이퍼 (201-1) 를 척 테이블 (7) 에 유지한 척 테이블 (7) 을 연마 유닛 (5) 의 연마 패드 (52) 에 의해 연마하는 스텝이다. 테스트 연마 스텝 (ST32) 에서는, 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 테스트용 웨이퍼 (201-1) 를 유지한 척 테이블 (7) 을 연마 위치 (104) 로 이동시켜, 연마 위치 (104) 에서 척 테이블 (7) 을 축심 둘레로 회전시키고, 연마 공구 (51) 를 축심 둘레로 회전시키면서 연마 패드 (52) 를 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (201) 에 눌러 대어, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 을 연마한다. 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 테스트 연마 스텝 (ST32) 이 종료되면, 취득 스텝 (ST33) 으로 진행된다.In the test polishing step ST32, the test wafer 201-1, which acquired the thickness of each position on the movement path 207, which is the thickness information of the wafer 201 in the pre-polishing measurement step ST31, is applied to the chuck table 7 ) is a step of polishing the chuck table 7 held by the polishing pad 52 of the polishing unit 5 . In the test polishing step ST32 , the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 moves the chuck table 7 holding the test wafer 201-1 to the polishing position 104 to perform polishing. At position 104, the chuck table 7 is rotated about the axis, and the polishing pad 52 is pressed against the wafer 201 held on the chuck table 7 while rotating the polishing tool 51 about the axis; The back surface 202 of the wafer 201 is polished. The control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 proceeds to an acquisition step ST33, when the test polishing step ST32 is finished.

또한, 도 13 에 나타내는 연마 후의 테스트용 웨이퍼 (201-1) 는, 실시형태 3 에 있어서, 중심의 두께와 외측 가장자리의 두께가 얇고, 중심과 외측 가장자리의 중앙의 두께가 두꺼워지도록, 두께가 불균일하게 되어 있다. 또한, 도 13 은, 도 12 와 마찬가지로, 실제의 두께의 불균일보다 커지도록, 두께의 불균일을 과장하여 기재하고 있다.In addition, the thickness of the test wafer 201-1 after polishing shown in Fig. 13 is non-uniform in the third embodiment so that the center thickness and the outer edge thickness are thin and the center thickness of the center and the outer edge are thick. is to be done In addition, similarly to FIG. 12, FIG. 13 exaggerates and describes the nonuniformity of thickness so that it may become larger than the nonuniformity of an actual thickness.

취득 스텝 (ST33) 은, 테스트 연마 스텝 (ST32) 을 실시 후에 측정한 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 면 내의 두께 정보인 측정 경로 (207) 상의 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 각 위치의 두께를 취득하는 스텝이다. 취득 스텝 (ST33) 에서는, 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 척 테이블 (7) 의 회전을 정지시켜, 테스트용 웨이퍼 (201-1) 를 반입 반출 위치 (101) 로 이동시킨 후, 측정 유닛 (12) 을 측정 경로 (207) 를 따라 이동시키면서 측정 경로 (207) 상의 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 각 위치의 두께를 측정시킨다.In the acquisition step ST33, each position of the test wafer 201-1 on the measurement path 207 which is the in-plane thickness information of the test wafer 201-1 measured after the test polishing step ST32 is performed. This is a step to acquire the thickness. In the acquisition step ST33 , the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 stops the rotation of the chuck table 7 , and moves the test wafer 201-1 to the carry-in/out position 101 . After the measurement, the thickness of each position of the test wafer 201-1 on the measurement path 207 is measured while the measurement unit 12 is moved along the measurement path 207 .

이렇게 하여, 취득 스텝 (ST33) 에서는, 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 테스트 연마 스텝 (ST32) 실시 후에 측정한 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 면 내의 두께 정보인 측정 경로 (207) 상의 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 각 위치의 두께를 취득한다.In this way, in the acquisition step ST33, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 performs the measurement, which is the in-plane thickness information of the test wafer 201-1 measured after the test polishing step ST32 is performed. The thickness of each position of the test wafer 201-1 on the path 207 is acquired.

선정 스텝 (ST34) 은, 웨이퍼 (201) 면 내의 다른 영역보다 연마 레이트를 상승시키고자 하는 영역을 선정하는 스텝이다. 선정 스텝 (ST34) 에서는, 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 취득 스텝 (ST33) 에서 측정한 연마 후의 측정 경로 (207) 상의 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 각 위치 중 두께가 원하는 마무리 두께보다 두꺼워지는 위치를, 웨이퍼 (201) 면 내의 다른 영역보다 연마 레이트를 상승시키고자 하는 영역으로서 선정한다. 선정 스텝 (ST34) 에서는, 연마 장치 (1-3) 의 제어 유닛 (100) 은, 웨이퍼 (201) 의 이면 (202) 의 각 영역과 선택 분사부 (153) 의 대응 관계를 미리 기억하고 있고, 이 미리 기억한 대응 관계에 기초하여, 웨이퍼 (201) 면 내의 다른 영역보다 연마 레이트를 상승시키고자 하는 영역에 대응한 선택 분사부 (153) 를 선택하여, 연마 스텝 (ST2) 으로 진행된다.The selection step ST34 is a step of selecting a region in which the polishing rate is to be increased compared to other regions within the wafer 201 plane. In the selection step ST34, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 selects one of the positions of the test wafer 201-1 on the measurement path 207 after polishing measured in the acquisition step ST33. A position at which the thickness becomes thicker than the desired finished thickness is selected as a region in which the polishing rate is to be increased compared to other regions in the plane of the wafer 201 . In the selection step ST34, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 stores in advance the correspondence relationship between each region of the back surface 202 of the wafer 201 and the selective injection unit 153, Based on this previously stored correspondence relationship, the selective jetting unit 153 corresponding to the region for which the polishing rate is to be increased from other regions in the wafer 201 plane is selected, and the process proceeds to the polishing step ST2.

연마 스텝 (ST2) 은, 테스트용 웨이퍼 (201-1) 와 면 내의 두께가 동등한 웨이퍼 (201) 를 척 테이블 (7) 에 의해 유지하여 연마하는 스텝이다. 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 선정 스텝 (ST34) 에서 선택한 선택 분사부 (153) 에 분사구 (152) 를 개방시키고, 다른 선택 분사부 (153) 에 분사구 (152) 를 폐쇄시키면서 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 중 웨이퍼 (201) 의 연마 레이트를 상승시키고자 하는 영역에 대응하는 원하는 영역을 선택적으로 가열하면서 연마한다. 또한, 도 10 은, 분사구 (152) 를 개방하는 선택 분사부 (153) 를 부호 「153O」로 나타내고, 분사구 (152) 를 폐쇄하는 선택 분사부 (153) 를 부호 「153C」로 나타내고 있다. 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 반출입 유닛 (14) 에 카세트 (8) 로부터 웨이퍼 (201) (또한, 연마 스텝 (ST2) 에 있어서 연삭 연마되는 웨이퍼 (201) 를, 이하, 가공용 웨이퍼 (201-2) 라고 기재한다) 를 취출시키고, 위치 맞춤 유닛 (10) 으로 반출시키고, 위치 맞춤 유닛 (10) 에 가공용 웨이퍼 (201-2) 의 중심 위치 맞춤을 실시시켜, 반입 유닛 (11) 에 위치 맞춤된 가공용 웨이퍼 (201-2) 의 표면 (203) 측을 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다.The polishing step ST2 is a step in which the wafer 201 having the same in-plane thickness as the test wafer 201-1 is held by the chuck table 7 and polished. In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing apparatus 1 opens the injection port 152 to the selective injection unit 153 selected in the selection step ST34, as shown in FIG. A desired region corresponding to a region to increase the polishing rate of the wafer 201 among regions 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 while closing the injection port 152 to the selective injection unit 153 Grinding while selectively heating. In addition, in FIG. 10, the selective injection part 153 which opens the injection port 152 is shown by the code|symbol "153O", and the selective injection part 153 which closes the injection port 152 is shown by the code|symbol "153C." In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing apparatus 1 transmits the wafer 201 from the cassette 8 to the carrying-in/out unit 14 (and the wafer to be ground and polished in the polishing step ST2) 201 (hereinafter, referred to as a wafer 201-2 for processing) is taken out, carried out to the alignment unit 10, and the alignment unit 10 is aligned with the center of the wafer 201-2 for processing. It is made to carry in, and the surface 203 side of the wafer 201-2 for a process aligned with the carrying-in unit 11 is carried in on the chuck table 7 located in the carrying-in/out position 101. As shown in FIG.

연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 가공용 웨이퍼 (201-2) 의 표면 (203) 측을 보호 부재 (206) 를 개재하여 척 테이블 (7) 에 유지하고, 연마 위치 (104) 에 반송한다. 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 장치 (1) 의 제어 유닛 (100) 은, 선정 스텝 (ST34) 에서 선택한 선택 분사부 (153) 에 분사구 (152) 를 개방시키고, 다른 선택 분사부 (153) 에 분사구 (152) 를 폐쇄시켜, 개방된 분사구 (152) 로부터 온풍을 하면 (56) 의 영역에 분사하여 가열하면서 가공용 웨이퍼 (201-2) 의 이면 (202) 을 도 14 에 나타내는 바와 같이 고정밀도로 평탄화한다.In the polishing step ST2 , the control unit 100 of the polishing apparatus 1 holds the front surface 203 side of the processing wafer 201 - 2 on the chuck table 7 via the protection member 206 , , and conveyed to the polishing position 104 . In the polishing step ST2 , the control unit 100 of the polishing apparatus 1 opens the injection port 152 to the selective injection unit 153 selected in the selection step ST34 , and to the other selective injection unit 153 . 14. As shown in FIG. 14, the back surface 202 of the wafer 201-2 for processing is flattened with high precision while the injection port 152 is closed and warm air is blown from the opened injection port 152 to the area of the lower surface 56 and heated. do.

연마 장치 (1) 는, 연마 유닛 (5) 에 의해 연마된 가공용 웨이퍼 (201-2) 를 반입 반출 위치 (101) 에 위치 결정하고, 반입 유닛 (11) 에 의해 세정 유닛 (13) 에 반입하고, 세정 유닛 (13) 에 의해 세정하여, 세정 후의 가공용 웨이퍼 (201-2) 를 반출입 유닛 (14) 에 의해 카세트 (9) 로 반입한다. 연마 장치 (1) 는, 카세트 (8) 내의 모든 가공용 웨이퍼 (201-2) 에 연마를 실시하면, 연마 방법을 종료한다.The polishing apparatus 1 positions the wafer 201 - 2 for processing polished by the polishing unit 5 at the carry-in/out position 101 , and carries it into the cleaning unit 13 by the carrying-in unit 11 , , the processing wafer 201 - 2 after cleaning by the cleaning unit 13 is loaded into the cassette 9 by the carrying-in/out unit 14 . When the polishing apparatus 1 polishes all the wafers 201 - 2 for processing in the cassette 8 , the polishing method is completed.

이상과 같이, 실시형태 3 에 관련된 연마 방법 및 연마 장치 (1-3) 는, 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연마 패드 (52) 를 온풍 분사 유닛 (15) 으로부터 분사하는 온풍으로 가열하므로, 연마 패드 (52) 의 지립과 웨이퍼 (201) 의 반응 속도를 높일 수 있다. 그 결과, 연마 방법 및 연마 장치 (1-3) 는, 시간당의 웨이퍼 (201) 의 제거량 (웨이퍼 (201) 가 감소시키는 두께를 말한다) 을 증가시킬 수 있어, 연마 가공의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 연마 방법 및 연마 장치 (1) 는, 가공 시간을 억제할 수 있다.As described above, in the polishing method and the polishing apparatus 1-3 according to the third embodiment, in the polishing step ST2 , the polishing pad 52 is heated by the warm air blown from the warm air spraying unit 15 , so that the polishing pad The reaction rate between the abrasive grains (52) and the wafer (201) can be increased. As a result, the polishing method and the polishing apparatus 1-3 can increase the removal amount of the wafer 201 per hour (referring to the thickness at which the wafer 201 decreases), thereby improving the throughput of the polishing process. . As a result, the grinding|polishing method and the grinding|polishing apparatus 1 can suppress processing time.

또, 실시형태 3 에 관련된 연마 방법 및 연마 장치 (1-3) 는, 테스트 연마 스텝 (ST32) 후의 테스트용 웨이퍼 (201-1) 의 형상 (두께) 에 기초하여, 원하는 영역만 연마 레이트를 올리고자 한 경우도, 연마 패드 (52) 의 하면 (56) 의 영역 (56-1) 중 원하는 영역을 선택적으로 가열하므로, 가공용 웨이퍼 (201-2) 를 원하는 형상 (두께) 으로 연마할 수 있다.Further, in the polishing method and polishing apparatus 1-3 according to the third embodiment, based on the shape (thickness) of the test wafer 201-1 after the test polishing step ST32, the polishing rate is increased only in the desired area. Even in this case, since a desired region among regions 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 is selectively heated, the wafer 201-2 for processing can be polished to a desired shape (thickness).

다음으로, 본 발명의 효과를 확인하기 위해서, 본 발명의 발명자는, 연마 패드 (52) 의 영역 (56-1) 을 온풍 분사 유닛 (15) 으로부터 온풍을 분사하여 가열했을 때의 단위 시간당의 제거량을 측정하였다. 측정 결과를 도 15 에 나타낸다. 도 15 는, 도 1 에 나타난 연마 장치의 연마 패드의 영역을 가열했을 때의 단위 시간당의 제거량을 나타내는 도면이다.Next, in order to confirm the effect of the present invention, the inventor of the present invention has the removal amount per unit time when the area 56-1 of the polishing pad 52 is heated by blowing warm air from the warm air spraying unit 15. was measured. The measurement results are shown in FIG. 15 . Fig. 15 is a diagram showing the removal amount per unit time when the region of the polishing pad of the polishing apparatus shown in Fig. 1 is heated.

도 15 의 본 발명품 1 은, 미리 설정된 온도를 35.6 ℃ 로 하고, 본 발명품 2 는, 미리 설정된 온도를 38.5 ℃ 로 하여, 온풍 분사 유닛 (15) 으로부터 온풍을 분사하여 영역 (56-1) 을 가열하였다. 본 발명품 1 과 본 발명품 2 모두, 150 초 연마 가공을 실시했을 때의 단위 시간당의 제거량 (㎛/min) 을 측정하였다.Product 1 of the present invention of FIG. 15 has a preset temperature of 35.6°C, and product 2 of the present invention has a preset temperature of 38.5°C, and the hot air is sprayed from the warm air spraying unit 15 to heat the region 56-1. did. In both the invention product 1 and the invention product 2, the removal amount (μm/min) per unit time when the polishing process was performed for 150 seconds was measured.

도 15 에 의하면, 본 발명품 1 의 단위 시간당의 제거량이 0.49 (㎛/min) 인 데에 반해, 본 발명품 2 의 단위 시간당의 제거량이 0.59 (㎛/min) 이다. 따라서, 도 15 에 의하면, 연마 패드 (52) 의 온도를 높게 함으로써, 단위 시간당의 제거량을 증가시킬 수 있어, 연마 가공의 스루풋을 향상시킬 수 있는 것이 분명해졌다.According to Fig. 15, the removal amount per unit time of the product 1 is 0.49 (μm/min), whereas the removal amount per unit time of the product 2 is 0.59 (μm/min). Therefore, according to FIG. 15, by raising the temperature of the polishing pad 52, it became clear that the removal amount per unit time could be increased and the throughput of abrasive|polishing process could be improved.

또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

1, 1-2, 1-3 : 연마 장치
5 : 연마 유닛
7 : 척 테이블
15 : 온풍 분사 유닛
16 : 온도 측정기
17 : 온도 조정 유닛
50 : 스핀들
52 : 연마 패드
56 : 하면
56-1 : 영역
100 : 제어 유닛
153 : 선택 분사부
202 : 이면
203 : 표면
204 : 분할 예정 라인
205 : 디바이스
206 : 보호 부재
ST1 : 보호 부재 첩착 스텝
ST2 : 연마 스텝1, 1-2, 1-3: polishing device
5: Polishing unit
7: chuck table
15: warm air injection unit
16: temperature meter
17: temperature control unit
50: spindle
52: polishing pad
56: if
56-1: area
100: control unit
153: selective injection unit
202: back side
203: surface
204: line to be split
205: device
206: protection member
ST1: Step of attaching the protection member
ST2: Polishing step

Claims (6)

표면에 형성된 격자상의 분할 예정 라인으로 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 첩착하는 보호 부재 첩착 스텝과,
상기 보호 부재를 개재하여 상기 웨이퍼를 척 테이블에 의해 유지하고, 상기 웨이퍼의 이면을 연마 패드에 의해 연마하는 연마 스텝을 구비하고,
상기 연마 스텝에서는, 연마액을 공급하지 않고, 상기 웨이퍼보다 직경이 크고, 또한 하면의 일부를 상기 웨이퍼의 이면에 접촉시키는 드라이 폴리시용 상기 연마 패드를 사용하고, 상기 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 상기 연마 패드의 하면의 영역에 하측에서 온풍을 분사하여 가열하면서 연마하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 방법.a protective member attaching step of sticking the protective member on the surface of the wafer on which the device is formed in a plurality of regions partitioned by grid-like division lines formed on the surface;
a polishing step of holding the wafer by a chuck table via the protection member and polishing the back surface of the wafer with a polishing pad;
In the polishing step, without supplying a polishing liquid, the polishing pad for dry polish having a larger diameter than the wafer and a part of the lower surface in contact with the back surface of the wafer is used, and the exposed surface without contacting the wafer is used. A method of polishing a wafer, characterized in that the polishing is performed while heating the area of the lower surface of the polishing pad by blowing hot air from the lower side. 제 1 항에 있어서,
상기 연마 스텝에서는, 상기 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 상기 연마 패드의 하면을 선택적으로 가열하는, 웨이퍼의 연마 방법.The method of claim 1,
In the polishing step, the wafer polishing method includes selectively heating the exposed lower surface of the polishing pad without contacting the wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 연마 스텝에서는, 상기 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 상기 연마 패드의 하면의 영역의 온도를 측정하고, 측정된 상기 연마 패드의 온도에 따라 온풍의 온도 또는 양을 조정하는, 웨이퍼의 연마 방법.The method of claim 1,
In the polishing step, a temperature of a region of a lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer is measured, and the temperature or amount of warm air is adjusted according to the measured temperature of the polishing pad. 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 연마액을 공급하지 않고, 상기 웨이퍼의 직경보다 큰 직경의 연마 패드가 스핀들의 하단에 장착되어 상기 척 테이블에 유지된 상기 웨이퍼에 하면의 일부를 상기 웨이퍼의 이면에 접촉시키는 드라이 폴리시용 상기 연마 패드에 의해 연마하는 연마 유닛과, 상기 웨이퍼를 연마 가공 중인 상기 연마 패드의 온도를 조정하는 온도 조정 유닛을 구비하고,
상기 온도 조정 유닛은, 상기 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 상기 연마 패드의 하면의 영역에 하측에서 온풍을 분사하는 온풍 분사 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 장치.A chuck table for holding a wafer, and a polishing pad having a diameter larger than the diameter of the wafer, without supplying a polishing liquid, are mounted on the lower end of the spindle, and part of the lower surface of the wafer held on the chuck table is placed on the back surface of the wafer a polishing unit for polishing with the polishing pad for dry polishing to be brought into contact; and a temperature adjusting unit for adjusting a temperature of the polishing pad during polishing of the wafer;
The polishing apparatus according to claim 1, wherein the temperature regulating unit includes a warm air blowing unit that blows warm air from a lower side to a region of the lower surface of the polishing pad that is exposed without contacting the wafer. 제 4 항에 있어서,
상기 온도 조정 유닛은, 상기 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 상기 연마 패드의 하면의 원하는 영역에 선택적으로 온풍을 분사하는 선택 분사부를 구비하는, 연마 장치.5. The method of claim 4,
wherein the temperature adjusting unit includes a selective jetting unit configured to selectively blow warm air to a desired area of a lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer. 제 4 항에 있어서,
상기 온도 조정 유닛은, 상기 웨이퍼에 접촉하지 않고 노출된 상기 연마 패드의 하면의 영역의 온도를 측정하는 온도 측정기와, 상기 온도 측정기의 측정 결과에 따라, 상기 온풍 분사 유닛의 온풍 분사 온도 또는 양을 조정하는 제어 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 장치.5. The method of claim 4,
The temperature adjusting unit includes a temperature measuring device for measuring a temperature of a region of a lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer, and according to a measurement result of the temperature measuring device, a warm air jetting temperature or amount of the warm air jetting unit A polishing apparatus comprising a control unit for adjusting.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111463141B (en) * 2019-01-18 2023-05-02 芯恩（青岛）集成电路有限公司 Method for improving utilization rate of wafer probe station
CN110153885A (en) * 2019-06-03 2019-08-23 西安奕斯伟硅片技术有限公司 A kind of processing method of grinding pad and the processing unit of grinding pad
CN110962022A (en) * 2019-12-31 2020-04-07 浙江芯晖装备技术有限公司 Polishing equipment
JP2022064089A (en) * 2020-10-13 2022-04-25 株式会社ディスコ Wafer processing method and processing device
JP2023046630A (en) * 2021-09-24 2023-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Polishing method and substrate treatment device
JP2023046628A (en) * 2021-09-24 2023-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Polishing device, substrate treatment device and polishing method
JP2023046631A (en) * 2021-09-24 2023-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate treatment device
CN114161258A (en) * 2021-12-10 2022-03-11 中国电子科技集团公司第四十六研究所 Edge grinding method for preventing gallium oxide wafer from being cleaved

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011136406A (en) 2009-12-28 2011-07-14 Ebara Corp Substrate polishing apparatus, substrate polishing method, and apparatus for regulating temperature of surface of polishing pad for substrate polishing apparatus
CN205465663U (en) 2015-12-18 2016-08-17 K.C.科技股份有限公司 Chemical mechanical grinding device
JP2017017214A (en) * 2015-07-02 2017-01-19 株式会社ディスコ Wafer polishing method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3672685B2 (en) * 1996-11-29 2005-07-20 松下電器産業株式会社 Polishing method and polishing apparatus
JP4149583B2 (en) * 1998-09-10 2008-09-10 株式会社ディスコ Grinding equipment
JP2003243345A (en) * 2002-02-18 2003-08-29 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing device
JP2004235201A (en) * 2003-01-28 2004-08-19 Okamoto Machine Tool Works Ltd Chemical mechanical polishing method in dry condition and device therefor for substrate
JP2005019525A (en) * 2003-06-24 2005-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd Method of manufacturing semiconductor chip
JP4631021B2 (en) * 2004-03-12 2011-02-16 株式会社ディスコ Polishing equipment
JP4733934B2 (en) * 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2006173462A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processor
JP4787063B2 (en) * 2005-12-09 2011-10-05 株式会社荏原製作所 Polishing apparatus and polishing method
JP5659033B2 (en) * 2011-02-04 2015-01-28 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor device
JP2012222311A (en) * 2011-04-14 2012-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing method of plate-like object
TWI613037B (en) * 2011-07-19 2018-02-01 荏原製作所股份有限公司 Polishing method
JP2013230509A (en) * 2012-04-27 2013-11-14 Kyocera Corp Polishing device
CN103050392B (en) * 2013-01-10 2015-10-07 武汉电信器件有限公司 A kind of abrasive polishing method of wafer
JP2016072327A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社ディスコ Polishing device
JP6517108B2 (en) * 2015-08-05 2019-05-22 株式会社ディスコ CMP polisher
CN106002606A (en) * 2016-05-16 2016-10-12 苏州辰轩光电科技有限公司 Polishing and wax pasting machine for sapphire substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011136406A (en) 2009-12-28 2011-07-14 Ebara Corp Substrate polishing apparatus, substrate polishing method, and apparatus for regulating temperature of surface of polishing pad for substrate polishing apparatus
JP2017017214A (en) * 2015-07-02 2017-01-19 株式会社ディスコ Wafer polishing method
CN205465663U (en) 2015-12-18 2016-08-17 K.C.科技股份有限公司 Chemical mechanical grinding device

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