KR101905199B1 - 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents
범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101905199B1 KR101905199B1 KR1020130020401A KR20130020401A KR101905199B1 KR 101905199 B1 KR101905199 B1 KR 101905199B1 KR 1020130020401 A KR1020130020401 A KR 1020130020401A KR 20130020401 A KR20130020401 A KR 20130020401A KR 101905199 B1 KR101905199 B1 KR 101905199B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive
- carrier wafer
- carrier
- device wafer
- Prior art date
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- -1 stainless steel) Chemical compound 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
범프가 부착된 디바이스 웨이퍼라도 파손시키지 않고 박화 가공할 수 있고, 또한, 범프에 의해 형성되는 요철부 부위에 접착제가 부착되는 것에 의한 디바이스 불량을 발생시키지 않는, 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다.
캐리어 웨이퍼의 고리형 홈에 고리형 볼록부 상면으로부터 돌출되도록 접착제를 배치하는 접착제 배치 단계와, 접착제 배치 단계를 실시한 후, 캐리어 웨이퍼의 표면과 디바이스 웨이퍼의 표면을 접합하여 접착제로 디바이스 웨이퍼를 캐리어 웨이퍼에 고정하고 캐리어 웨이퍼의 오목부에 범프를 수용하는 웨이퍼 접합 단계와, 웨이퍼 접합 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 이면측을 연삭 또는 연마하여 정해진 두께로 박화하는 박화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로 한다.
캐리어 웨이퍼의 고리형 홈에 고리형 볼록부 상면으로부터 돌출되도록 접착제를 배치하는 접착제 배치 단계와, 접착제 배치 단계를 실시한 후, 캐리어 웨이퍼의 표면과 디바이스 웨이퍼의 표면을 접합하여 접착제로 디바이스 웨이퍼를 캐리어 웨이퍼에 고정하고 캐리어 웨이퍼의 오목부에 범프를 수용하는 웨이퍼 접합 단계와, 웨이퍼 접합 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 이면측을 연삭 또는 연마하여 정해진 두께로 박화하는 박화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로 한다.
Description
본 발명은, 반도체 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박화(薄化)된 반도체 디바이스 웨이퍼의 핸들링을 용이하게 하는 기술에 관한 것이다.
반도체 디바이스 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼 등의 복수의 디바이스를 표면에 갖는 웨이퍼의 가공에서는, 예컨대, 웨이퍼의 두께를 50 ㎛ 이하로 하도록, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 박화가 행해진다.
웨이퍼의 두께가 50 ㎛ 이하가 되는 것에서는, 보다 두꺼운 것에 비하여 핸들링(취급)이 매우 어려워진다. 예컨대, 웨이퍼의 외측 둘레가 이지러지거나, 강성이 현저하게 저하된다고 하는 문제가 생긴다.
따라서, 유리나 실리콘으로 이루어진 캐리어 웨이퍼(서포트 웨이퍼, 서포트 플레이트라고도 칭해짐) 상에, 웨이퍼의 표면(디바이스면)을 접착제 등으로 접착한 상태로 하여, 웨이퍼의 이면 연삭을 하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
그러나, 반도체 웨이퍼의 표면에 복수의 범프가 형성되는 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼에서는, 범프에 의해 형성되는 요철 부위에 접착제가 들어가 버려, 웨이퍼를 캐리어 웨이퍼로부터 박리한 후에, 이 미세한 요철에 들어간 접착제를 완전히 제거하는 것은 매우 어렵다고 하는 문제가 있다. 그리고, 잔류된 접착제에 의해 디바이스 불량이 생기는 것이 우려된다.
한편, 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼에서는, 디바이스가 형성되는 디바이스 영역과, 디바이스가 형성되지 않은 외측 둘레 잉여 영역이 구성되지만, 외측 둘레 잉여 영역에는 범프가 형성되지 않기 때문에, 디바이스 영역과 외측 둘레 잉여 영역에서는 상면 높이(디바이스 웨이퍼의 이면을 기준으로 한 높이)가 상이해진다.
이 때문에, 유지 테이블로 웨이퍼를 유지하여, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박화할 때, 만약에 외측 둘레 잉여 영역을 하측으로부터 유지하지 않으면, 외측 둘레 잉여 영역이 유지 테이블로부터 떠 있는 상태가 되므로, 웨이퍼가 파손되는 것이 우려된다.
본 발명은 이상의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼라도 파손시키지 않고 박화 가공할 수 있고, 또한, 범프에 의해 형성되는 요철부 부위에 접착제가 부착되는 것에 의한 디바이스 불량을 발생시키지 않는, 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 표면에 형성된 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 디바이스 영역을 둘러싸는 외측 둘레 잉여 영역을 구비하고, 디바이스는 복수의 범프를 갖는 범프가 부착된 것인 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서, 디바이스 웨이퍼의 디바이스 영역에 대응하는 영역에 형성된 범프의 높이에 상당하는 깊이를 가진 오목부와, 디바이스 웨이퍼의 외측 둘레 잉여 영역에 대응하여 오목부를 둘러싸는 고리형 볼록부를 구비하고, 고리형 볼록부 상면에 고리형 홈이 형성된 디바이스 웨이퍼의 표면이 지지되는 캐리어 웨이퍼를 준비하는 캐리어 웨이퍼 준비 단계와, 캐리어 웨이퍼의 고리형 홈에 고리형 볼록부 상면으로부터 돌출되도록 접착제를 배치하는 접착제 배치 단계와, 접착제 배치 단계를 실시한 후, 캐리어 웨이퍼의 표면과 디바이스 웨이퍼의 표면을 접합하여, 접착제로 디바이스 웨이퍼를 캐리어 웨이퍼에 고정하고 캐리어 웨이퍼의 오목부에 범프를 수용하는 웨이퍼 접합 단계와, 웨이퍼 접합 단계를 실시한 후, 디바이스 웨이퍼의 이면측을 연삭 또는 연마하여 정해진 두께로 박화하는 박화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법이 제공되다.
청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 박화 단계를 실시한 후, 캐리어 웨이퍼의 고리형 홈의 내측 둘레와 오목부의 외측 둘레 사이의 영역에 대응하는 디바이스 웨이퍼의 부위에 대하여 절삭 블레이드로 절개하여, 디바이스 웨이퍼의 디바이스 영역을 캐리어 웨이퍼로부터 분리하는 분리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
본 발명에서는, 디바이스 웨이퍼의 외측 둘레 잉여 영역에 대응한 영역만이, 접착제를 통해 캐리어 웨이퍼에 접착되기 때문에, 디바이스나 범프에는 접착제가 부착되지 않아, 접착제 제거의 필요성이나, 접착제 잔류에 의한 디바이스 불량과 같은 문제가 생기지 않는다.
또한, 디바이스 웨이퍼의 디바이스 영역에 대응하는 캐리어 웨이퍼의 중앙 영역에는 오목부가 형성되기 때문에, 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박화할 때에는, 범프는 오목부에 수용되고 외측 둘레 잉여 영역은 캐리어 웨이퍼의 고리형 볼록부에 지지되게 되어, 디바이스 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있게 된다.
도 1은 웨이퍼의 사시도이다.
도 2는 웨이퍼 접합 단계를 설명하는 사시도이다.
도 3은 오목부를 형성한 캐리어 웨이퍼의 단면도이다.
도 4는 고리형 홈을 형성한 캐리어 웨이퍼의 단면도이다.
도 5는 절삭 장치의 외관의 사시도이다.
도 6은 절삭 장치에 의한 고리형 홈의 형성에 관해 나타내는 사시도이다.
도 7은 절삭 장치에 의한 고리형 홈의 형성에 관해 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 8은 접착제 배치 단계를 실시한 후의 캐리어 웨이퍼의 단면도이다.
도 9는 웨이퍼 접합 단계를 설명하는 단면도이다.
도 10은 접합된 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 단면도이다.
도 11은 박화 단계를 나타내는 사시도이다.
도 12는 박화 단계후의 캐리어 웨이퍼에 접합된 웨이퍼의 단면도이다.
도 13은 분리 단계를 설명하는 단면도이다.
도 2는 웨이퍼 접합 단계를 설명하는 사시도이다.
도 3은 오목부를 형성한 캐리어 웨이퍼의 단면도이다.
도 4는 고리형 홈을 형성한 캐리어 웨이퍼의 단면도이다.
도 5는 절삭 장치의 외관의 사시도이다.
도 6은 절삭 장치에 의한 고리형 홈의 형성에 관해 나타내는 사시도이다.
도 7은 절삭 장치에 의한 고리형 홈의 형성에 관해 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 8은 접착제 배치 단계를 실시한 후의 캐리어 웨이퍼의 단면도이다.
도 9는 웨이퍼 접합 단계를 설명하는 단면도이다.
도 10은 접합된 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 단면도이다.
도 11은 박화 단계를 나타내는 사시도이다.
도 12는 박화 단계후의 캐리어 웨이퍼에 접합된 웨이퍼의 단면도이다.
도 13은 분리 단계를 설명하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1에 나타낸 디바이스 웨이퍼(11)(이하, 단순히 「웨이퍼(11)」라고도 기재됨)는, 예컨대 두께가 700 ㎛인 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(11a)에 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)이 격자형으로 형성되어 있고, 상기 복수의 분할 예정 라인(13)에 의해 구획된 복수개 영역에 각각 디바이스(15)가 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 웨이퍼(11)는, 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외측 둘레 잉여 영역(19)을 구비하고 있다. 웨이퍼(11)의 외측 둘레에는 실리콘 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 마크로서의 노치(12)가 형성되어 있다.
그리고, 도 1의 확대도에 나타낸 바와 같이, 각 디바이스(15)의 4변에는 복수의 돌기형(볼형)의 범프(52)가 형성되어 있다. 이 범프(52)는, 디바이스(15)의 표면으로부터 돌출되도록 배치되어 있고, 이에 따라, 디바이스 영역(17)의 상면 높이가 외측 둘레 잉여 영역(19)의 상면 높이보다 높아진다.
이상과 같이, 본 발명에서 가공의 대상이 되는 웨이퍼(11)는, 표면에 형성된 교차하는 복수의 분할 예정 라인(13)으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스(15)가 형성된 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외측 둘레 잉여 영역(19)을 구비하고, 디바이스(15)는 복수의 범프(52)를 갖는 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼로서 구성된다.
그리고, 본 발명의 디바이스 웨이퍼의 가공 방법에서는, 이후에 설명하는 박화 단계에서, 예컨대 50 ㎛ 이하로 박화되는 웨이퍼(11)의 이지러짐이나, 강성 저하에 의한 문제 발생을 방지하기 위해, 도 2에 나타낸 바와 같은 캐리어 웨이퍼(61)를 준비하는 캐리어 웨이퍼 준비 단계가 실시된다.
캐리어 웨이퍼(61)는 원반형의 부재로 구성되며, 뒤집힌 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 지지하기 위한 것이다.
캐리어 웨이퍼(61)는, 예컨대, 실리콘, 유리, 세라믹스, 금속(예컨대 스테인레스), 합성수지 등의 재료로 형성되며, 이후에 설명하는 박화 단계에서, 예컨대 50 ㎛ 이하로 박화된 웨이퍼(11)라도 안정적으로 지지할 수 있도록 구성된다.
캐리어 웨이퍼(61)에는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)에 대응하는 영역에 형성된 범프의 높이(H)(도 9 참조)에 상당하는 깊이를 가진 오목부(67)가 형성된다. 이 오목부(67)는, 캐리어 웨이퍼(61)의 센터 부분 및 그 주위를, 도시하지 않은 선삭 장치로 선삭함으로써 형성할 수 있다.
그리고, 오목부(67)가 형성됨으로써, 디바이스 웨이퍼(11)의 외측 둘레 잉여 영역(19)에 대응하여 오목부(67)를 둘러싸는 고리형 볼록부(62)가 형성된다.
또한, 도 4에 나타낸 바와 같이, 이와 같이 형성된 고리형 볼록부(62)의 상면에 홈 가공을 함으로써, 고리형 홈(63)이 형성된다. 이 고리형 홈(63)은, 예컨대 도 5에 나타내는 절삭 장치(30)를 이용함으로써 행할 수 있다.
이 절삭 장치(30)는, 회전 가능하고 또한 X축 방향으로 왕복 운동 가능하게 구성되는 척 테이블(31)과, Y축 방향 및 Z축 방향으로 왕복 운동 가능하게 구성되는 절삭 유닛(32)을 구비하고 있다.
절삭 유닛(32)은, 도 6에 나타낸 바와 같이 스핀들(34)의 선단에 장착된 절삭 블레이드(36)를 구비하고, 절삭 블레이드(36)는 도시하지 않은 모터에 의해 화살표 A 방향으로 고속으로 회전한다. 한편, 척 테이블(31)은, 캐리어 웨이퍼(61)를 흡인 유지하고, 도시하지 않은 모터에 의해 화살표 B 방향으로 회전한다.
그리고, 도 7에 나타낸 바와 같이, 절삭 블레이드(36)를 고리형 볼록부(62)의 위치에서 아래쪽으로 이동시켜, 절삭 블레이드(36)를 캐리어 웨이퍼(61)의 표면(61a)에 도달시키고, 척 테이블(31)을 적어도 1회전시킨다. 이에 따라, 고리형 볼록부(62)에서 고리형으로 연속하는 고리형 홈(63)이 형성된다.
또, 도 5에 나타내는 절삭 장치(30)는, 촬상 유닛(35)을 구비하는 얼라인먼트 기구(37)나, 촬상 유닛(35)에 의해 취득된 화상을 표시하기 위한 표시 모니터(38)나, 오퍼레이터가 필요한 정보를 입력하기 위한 조작 패널(39)이 설치되고, 도 1에 나타내는 분할 예정 라인(13)을 따르는 웨이퍼(11)의 절삭 가공도 행할 수 있는 구성으로 하고 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 고리형 볼록부(62)에 설치하는 오목부의 형태로서, 도 5에 나타내는 절삭 장치(30)를 이용하여 고리형 홈(63)을 형성하는 것으로 했지만, 그 밖에도 예컨대, 에칭이나 다른 형태의 장치 등을 이용함으로써, 고리형 볼록부(62)에 바닥이 있는 세로 구멍부를 복수 개소에 형성하는 형태 등도 생각할 수 있다. 이와 같이, 오목부의 구체적인 형태에 관해서는, 본 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
이상과 같이 하여, 디바이스 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)에 대응하는 영역에 형성된 범프의 높이에 상당하는 깊이를 가진 오목부(67)와, 디바이스 웨이퍼(11)의 외측 둘레 잉여 영역(19)에 대응하여 오목부(67)를 둘러싸는 고리형 볼록부(62)를 구비하고, 고리형 볼록부(62) 상면에 고리형 홈(63)이 형성된 디바이스 웨이퍼(11)의 표면이 지지되는 캐리어 웨이퍼(61)를 준비하는 캐리어 웨이퍼 준비 단계가 실시된다.
이상과 같이 하여, 캐리어 웨이퍼 준비 단계가 실시되고, 그 후에, 도 8에 나타낸 바와 같이, 캐리어 웨이퍼(61)의 고리형 홈(63)에 고리형 볼록부(62)로부터 돌출되도록 접착제(64)를 고리형 홈(63)에 배치하는 접착제 배치 단계가 실시된다.
접착제(64)는, 캐리어 웨이퍼(61)의 소재에 따라서 적절하게 선정되는 것으로, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 에폭시 접착제 등의 열경화성 수지를 사용하는 것을 생각할 수 있다. 또, 접착제(64)는 도포에 의해 고리형 홈(63)에 배치하는 형태로 하는 것 외에, 미리 원환형으로 구성된 것을 고리형 홈(63)에 삽입하거나 하여 배치하는 것도 생각할 수 있으며, 구체적인 방법에 관해서는 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 접착제 배치 단계에서, 고리형 홈(63)에 배치되는 접착제(64)의 양은, 후술하는 웨이퍼 접합 단계를 실시했을 때, 결국은 도 10에 나타내는 상태에서, 접착제(64)가 디바이스 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)에 도달하지 않는 양으로 설정되는 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 접착제(64)가 디바이스 웨이퍼(11)의 외측 둘레 잉여 영역(19)(혹은 캐리어 잉여 영역(69))에 수용되는 양으로 설정되는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 접착제(64)가 고리형 홈(63)으로부터 넘쳐 나오지 않는 양으로 설정되는 것이 바람직하다.
이와 같은 접착제(64)의 양의 설정에 의하면, 디바이스 영역(17)까지 접착제(64)가 도달하는 것이 방지되어, 디바이스(15)나 범프(52)에 접착제(64)가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 접착제(64)를 외측 둘레 잉여 영역(19)(혹은 캐리어 잉여 영역(69))에 머무르게 하는 것이 가능해지는 것이다. 또한, 접착제(64)의 양이 고리형 홈(63)으로부터 넘쳐 나오지 않는 양으로 설정되는 것에 의하면, 디바이스(15)에 접착제(64)가 부착되는 것을 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.
이상과 같이 하여, 접착제(64)의 상단부가, 캐리어 웨이퍼(61)의 고리형 볼록부(62)로부터 돌출되도록, 고리형 홈(63) 내에 접착제(64)가 배치된다. 이에 따라, 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(11)를 뒤집어, 표면(11a)을 캐리어 웨이퍼(61)의 표면(61a)에 근접하게 했을 때에는, 우선은 웨이퍼(11)의 외측 둘레 잉여 영역(19)이, 캐리어 웨이퍼(61)의 고리형 볼록부(62)로부터 돌출된 접착제(64)에 대하여 접촉하게 된다. 그리고, 도 10에 나타낸 바와 같이, 접착제(64)를 통해 웨이퍼(11)의 외측 둘레 잉여 영역(19)과 캐리어 웨이퍼(61)의 고리형 볼록부(62)가 결합된다.
또한, 이 때, 캐리어 웨이퍼(61)의 오목부(67)에는, 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)으로부터 돌출된 범프(52, 52)가 수용된다. 여기서, 오목부(67)에는 접착제가 존재하지 않기 때문에, 범프(52, 52)나 디바이스(15)의 표면에 접착제가 부착되지는 않는다.
이상과 같이 하여, 접착제 배치 단계를 실시한 후, 캐리어 웨이퍼(61)의 표면(61a)과 디바이스 웨이퍼(11)의 표면(11a)을 접합하여, 접착제(64)로 디바이스 웨이퍼(11)를 캐리어 웨이퍼(61)에 고정하고 캐리어 웨이퍼(61)의 오목부(67)에 범프(52)를 수용하는 웨이퍼 접합 단계가 실시되어, 도 10에 나타내는 상태가 된다.
이상과 같이 웨이퍼 접합 단계가 실시된 후에, 캐리어 웨이퍼(61)와 일체가 된 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)측을 연삭 또는 연마하여, 정해진 두께로 박화하는 박화 단계를 실시한다.
이 박화 단계는, 도 11에 나타내는 연삭 장치(2)를 이용하여 행할 수 있다. 스핀들(22)의 선단부에는 휠 마운트(24)가 고정되어 있고, 이 휠 마운트(24)에는 연삭 휠(26)이 나사(27)로 장착되어 있다. 연삭 휠(26)은, 고리형 베이스(28)의 자유 단부에, 예컨대 입경 4∼6 ㎛의 다이아몬드 지립을 비트리파이드 본드나 레진 본드 등으로 굳힌 복수의 연삭 지석(29)이 고착되어 구성되어 있다.
그리고, 이 박화 단계에서는, 디바이스 웨이퍼(11)는 강성을 나타내는 캐리어 웨이퍼(61)에 지지된 상태로 연삭되기 때문에, 예컨대, 휘어짐의 발생이나 웨이퍼(11)의 외측 둘레부에 이지러짐이 발생하는 등의 문제의 발생을 방지하는 것이 가능해진다. 또한, 박화 단계에 의한 연삭에 의해 생긴 연삭 왜곡을 제거하기 위해서, 박화 단계후에 웨이퍼(11)의 이면에 연마를 하는 것으로 해도 좋다.
또한, 디바이스 웨이퍼(11)의 외측 둘레 잉여 영역(19)이 고리형 볼록부(62)에 의해 하측으로부터 유지되기 때문에, 외측 둘레 잉여 영역(19)이 떠 있는 상태가 되지는 않는다. 이에 따라, 외측 둘레 잉여 영역(19)이 유지되지 않는 것에 기인하는 디바이스 웨이퍼(11)의 파손을 방지할 수 있다.
이상과 같이 하여, 도 12에 나타낸 바와 같이, 정해진 두께가 될 때까지 디바이스 웨이퍼(11)의 이면(11b)이 박화된다. 박화된 디바이스 웨이퍼(11)는 캐리어 웨이퍼(61)와 일체가 되어 있기 때문에, 캐리어 웨이퍼(61)로부터 디바이스 웨이퍼(11)를 분리하는 분리 단계가 실시된다.
이 분리 단계에서는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 전술한 캐리어 웨이퍼 준비 단계에서의 고리형 홈(63)의 형성과 마찬가지로, 절삭 유닛(32)을 이용한 가공이 행해진다.
구체적으로는, 분리 단계에서는, 박화 단계를 실시한 후, 캐리어 웨이퍼(61)의 고리형 홈(63)의 내측 둘레와 오목부(67)의 외측 둘레 사이의 영역(68)에 대응하는 디바이스 웨이퍼(11)의 부위(11c)에 대하여 절삭 블레이드(36)로 절개하여, 디바이스 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)을 캐리어 웨이퍼(61)로부터 분리하는 것이 행해진다.
이에 따라, 디바이스 웨이퍼(11)에서는, 절삭 블레이드(36)로 절개가 이루어지는 부위(11c)를 경계로 하여, 디바이스 영역(17)을 포함하는 내측 부위와, 디바이스 영역(17)을 포함하지 않는 외측 부위로 분단되어, 디바이스 영역(17)을 포함하는 내측 부위를 캐리어 웨이퍼(61)로부터 분리할 수 있다.
그리고, 캐리어 웨이퍼(61)로부터 분리된 디바이스 웨이퍼(11)에서는, 범프(52)나 디바이스(15)에 관해 접착제가 부착되어 있지 않기 때문에, 접착제에 수반되는 디바이스 불량이 발생하지 않는다.
이상과 같이 하여, 캐리어 웨이퍼(61)로부터 분리된 디바이스 웨이퍼(11)는, 절삭 장치나 레이저 가공 장치를 이용함으로써, 분할 예정 라인(13)(도 1 참조)을 따라서 개개의 디바이스(15)(도 1 참조)로 분할된다.
2 : 연삭 장치 11 : 디바이스 웨이퍼
11a : 표면 11b : 이면
12 : 노치 15 : 디바이스
17 : 디바이스 영역 19 : 외측 둘레 잉여 영역
52 : 범프 61 : 캐리어 웨이퍼
61a : 표면 62 : 고리형 볼록부
63 : 고리형 홈 64 : 접착제
67 : 오목부
11a : 표면 11b : 이면
12 : 노치 15 : 디바이스
17 : 디바이스 영역 19 : 외측 둘레 잉여 영역
52 : 범프 61 : 캐리어 웨이퍼
61a : 표면 62 : 고리형 볼록부
63 : 고리형 홈 64 : 접착제
67 : 오목부
Claims (2)
- 표면에 형성된 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 디바이스 영역과, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외측 둘레 잉여 영역을 구비하고, 상기 디바이스는 복수의 범프를 갖는 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법으로서,
상기 디바이스 웨이퍼의 상기 디바이스 영역에 대응하는 영역에 형성된 상기 범프의 높이에 상당하는 깊이를 가진 오목부와, 상기 디바이스 웨이퍼의 상기 외측 둘레 잉여 영역에 대응하여 상기 오목부를 둘러싸는 고리형 볼록부를 구비하고, 상기 고리형 볼록부의 상면에 고리형 홈이 형성된, 상기 디바이스 웨이퍼의 표면이 지지되는 캐리어 웨이퍼를 준비하는 캐리어 웨이퍼 준비 단계와,
상기 캐리어 웨이퍼의 상기 고리형 홈에 상기 고리형 볼록부의 상면으로부터 돌출되도록 접착제를 배치하는 접착제 배치 단계와,
상기 접착제 배치 단계를 실시한 후, 상기 캐리어 웨이퍼의 표면과 상기 디바이스 웨이퍼의 표면을 접합하여 상기 접착제로 상기 디바이스 웨이퍼를 상기 캐리어 웨이퍼에 고정하고, 상기 캐리어 웨이퍼의 상기 오목부에 상기 범프를 수용하는 웨이퍼 접합 단계와,
상기 웨이퍼 접합 단계를 실시한 후, 상기 디바이스 웨이퍼의 이면측을 연삭 또는 연마하여 정해진 두께로 박화(薄化)하는 박화 단계와,
상기 박화 단계를 실시한 후, 상기 캐리어 웨이퍼의 상기 고리형 홈의 내측 둘레와 상기 오목부의 외측 둘레 사이의 영역에 대응하는 상기 디바이스 웨이퍼의 부위에 대하여 절삭 블레이드로 절개하여, 상기 디바이스 웨이퍼의 상기 디바이스 영역을 상기 캐리어 웨이퍼로부터 분리하는 분리 단계
를 포함하고,
상기 고리형 홈에 배치되는 접착제의 양은 접착제가 상기 고리형 홈으로부터 넘쳐 나오지 않는 양으로 설정되는 것을 특징으로 하는 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법. - 삭제
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/410,794 US8580655B2 (en) | 2012-03-02 | 2012-03-02 | Processing method for bump-included device wafer |
US13/410,794 | 2012-03-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130100710A KR20130100710A (ko) | 2013-09-11 |
KR101905199B1 true KR101905199B1 (ko) | 2018-10-05 |
Family
ID=49043077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130020401A KR101905199B1 (ko) | 2012-03-02 | 2013-02-26 | 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8580655B2 (ko) |
JP (1) | JP6095325B2 (ko) |
KR (1) | KR101905199B1 (ko) |
CN (1) | CN103295948B (ko) |
TW (1) | TWI576906B (ko) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130256909A1 (en) * | 2011-09-08 | 2013-10-03 | Dingying Xu | Patterned adhesive tape for backgrinding processes |
DE112011105702T5 (de) | 2011-10-01 | 2014-07-17 | Intel Corporation | Source-/Drain-Kontakte für nicht planare Transistoren |
KR20130137475A (ko) * | 2012-06-07 | 2013-12-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리방법 및 그에 사용되는 서포트 기판 |
US9682539B2 (en) * | 2012-07-30 | 2017-06-20 | Erich Thallner | Substrate composite, method and device for bonding of substrates |
EP2752871B1 (en) * | 2013-01-08 | 2015-09-16 | ams AG | Method of application of a carrier to a device wafer |
JP6004100B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2016-10-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6230381B2 (ja) * | 2013-11-15 | 2017-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6344971B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2018-06-20 | 株式会社ディスコ | サポートプレート、サポートプレートの形成方法及びウェーハの加工方法 |
DE102014227005B4 (de) * | 2014-12-29 | 2023-09-07 | Disco Corporation | Verfahren zum Aufteilen eines Wafers in Chips |
DE102015002542B4 (de) * | 2015-02-27 | 2023-07-20 | Disco Corporation | Waferteilungsverfahren |
CN105244308B (zh) * | 2015-11-16 | 2018-08-03 | 华天科技(昆山)电子有限公司 | 多孔载片临时键合拿持薄晶片的方法 |
CN107331644A (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种晶圆临时键合方法 |
CN107910288B (zh) * | 2017-10-31 | 2020-04-24 | 华天科技(昆山)电子有限公司 | 基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构及方法 |
KR102477355B1 (ko) | 2018-10-23 | 2022-12-15 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 기판 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050014347A1 (en) | 2002-05-20 | 2005-01-20 | Shinichi Tomita | Laminated substrate, method of manufacturing the substrate, and wafer outer periphery pressing jigs used for the method |
US20080048343A1 (en) | 2000-12-06 | 2008-02-28 | Micron Technology, Inc. | Thin flip-chip method |
KR100857763B1 (ko) | 2007-12-14 | 2008-09-10 | (주)에피플러스 | 기판 접합 장치 |
JP2012043824A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法及び保護部材 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2594813Y2 (ja) * | 1991-09-13 | 1999-05-10 | 旭光学工業株式会社 | 接着部材 |
US6524881B1 (en) | 2000-08-25 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for marking a bare semiconductor die |
US6949158B2 (en) | 2001-05-14 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Using backgrind wafer tape to enable wafer mounting of bumped wafers |
JP2004207606A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハサポートプレート |
US7713841B2 (en) | 2003-09-19 | 2010-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for thinning semiconductor substrates that employ support structures formed on the substrates |
JP4462997B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-05-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP4784604B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-10-05 | Jsr株式会社 | 固定剤付きウエハの製造方法 |
JP2007019379A (ja) | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
FR2935536B1 (fr) | 2008-09-02 | 2010-09-24 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detourage progressif |
JP5361634B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2013-12-04 | 信越ポリマー株式会社 | 半導体ウェーハ用チャックテーブル及び半導体ウェーハの加工方法 |
KR101271521B1 (ko) * | 2009-11-23 | 2013-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US8461019B2 (en) * | 2011-07-19 | 2013-06-11 | Disco Corporation | Method of processing device wafer |
-
2012
- 2012-03-02 US US13/410,794 patent/US8580655B2/en active Active
- 2012-10-29 JP JP2012237642A patent/JP6095325B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-21 TW TW102106000A patent/TWI576906B/zh active
- 2013-02-26 KR KR1020130020401A patent/KR101905199B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-27 CN CN201310061502.0A patent/CN103295948B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080048343A1 (en) | 2000-12-06 | 2008-02-28 | Micron Technology, Inc. | Thin flip-chip method |
US20050014347A1 (en) | 2002-05-20 | 2005-01-20 | Shinichi Tomita | Laminated substrate, method of manufacturing the substrate, and wafer outer periphery pressing jigs used for the method |
KR100857763B1 (ko) | 2007-12-14 | 2008-09-10 | (주)에피플러스 | 기판 접합 장치 |
JP2012043824A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法及び保護部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI576906B (zh) | 2017-04-01 |
TW201347017A (zh) | 2013-11-16 |
CN103295948B (zh) | 2017-09-12 |
US20130230966A1 (en) | 2013-09-05 |
JP6095325B2 (ja) | 2017-03-15 |
JP2013183157A (ja) | 2013-09-12 |
KR20130100710A (ko) | 2013-09-11 |
CN103295948A (zh) | 2013-09-11 |
US8580655B2 (en) | 2013-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101905199B1 (ko) | 범프가 부착된 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 | |
US7705430B2 (en) | Semiconductor wafer and processing method for same | |
JP5939810B2 (ja) | デバイスウェーハの加工方法 | |
TWI767022B (zh) | 基板處理方法及基板處理系統 | |
JP5068705B2 (ja) | 加工装置のチャックテーブル | |
US10804131B2 (en) | Carrier plate removing method | |
JP2018075694A (ja) | 基板の製造方法 | |
US11276588B2 (en) | Method of processing wafer | |
US11735411B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
US11538710B2 (en) | Carrier plate removing method | |
KR102520523B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
US20220344207A1 (en) | Cutting method of wafer | |
JP2012039039A (ja) | 加工方法 | |
JP2024017800A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2018093019A (ja) | ワークの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |