KR101684659B1 - System and method for improving energy efficiency using swithching device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전류제한이 있는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템 및 방법에 관한 것으로, 특히, 2개의 터미널로 인가되는 직류 전압의 방향에 상관없이 직류 전압의 전압준위를 강하시키지 않은 상태로 램프 모듈에 직접 공급함으로써 에너지의 효율을 향상시킬 수 있으며, 램프 모듈에 공급되는 PWM 신호의 듀티를 조절함으로써 램프 모듈을 구성하는 복수의 발광다이오드 스트링의 광량을 조절할 수 있는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a system and a method for enhancing energy efficiency using a switching device having a current limit. More particularly, the present invention relates to a system and method for enhancing energy efficiency using a switching device having a current limit, An energy efficiency enhancement system using a switching device capable of adjusting the light amount of a plurality of light emitting diode strings constituting a lamp module by adjusting the duty of a PWM signal supplied to the lamp module, ≪ / RTI >
물질을 구성하는 미세 단위인 원자(Atom)는 중심에 원자핵(Core)이 있고 원자핵 주변을 전자(Electron)가 돌고 있는 구조를 가진다. 전자는 각자의 궤도를 돌고 있는데, 낮은 궤도 즉 원자핵과 가까운 곳을 돌고 있는 전자는 비교적 낮은 에너지를 가지는 반면에 높은 궤도 즉 원자핵으로부터 먼 쪽에서 돌고 있는 전자는 상대적으로 높은 에너지를 가진다. 낮은 궤도에서 원자핵을 돌고 있던 전자가 외부로부터 에너지를 얻으면 높은 궤도로 양자 점프(Quantum Jump) 하게 되며, 전자가 점프한 자리에는 정공(Hole)을 남긴다. 전자와 정공은 서로 결합하려는 경향이 매우 강한데 높은 궤도에 있던 전자가 낮은 궤도에 있던 정공과 결합하게 될 때 자신의 에너지를 방출하게 된다. The atoms that constitute a substance are atomic units (Atom), which have a core at the center and electrons around the atomic nucleus. Electrons are circulating in their orbits. Electrons traveling in a low orbit near a nucleus have a relatively low energy, while electrons in a high orbiting farther from the nucleus have a relatively high energy. When an electron that has been spinning in a low orbit gets energy from the outside, it becomes a quantum jump in a high orbit, leaving a hole in the place where the electron jumps. Electrons and holes tend to combine with each other, and when their electrons in a high orbit are combined with holes in a low orbit, they emit their energy.
전자가 방출하는 에너지는 다양한 형태로 바뀔 수 있는데, 그 중 한가지가 바로 빛으로 변환하여 방출하는 것이다. 빛의 색깔은 전자가 이동하는 에너지 준위 차 (Energy Band Gap)에 의해 결정되는데, 에너지 준위 차가 클 경우에는 단파장의 빛 즉 파란색 계통의 빛이 생성되고, 에너지 준위 차가 적을 경우에는 장파장 즉 붉은색 계통의 빛이 생성된다. 생성되는 빛은 가시광선의 영역을 벗어나 자외선 또는 적외선의 영역의 빛을 생성할 수도 있다. The energy that electrons emit can be changed into various forms, one of which is the conversion into light and the emission. The color of light is determined by the energy band gap in which electrons move. When the energy level difference is large, light of short wavelength, that is, blue light is generated. When the energy level difference is small, Is generated. The generated light may generate light in the ultraviolet or infrared region beyond the region of the visible light.
발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합한 것으로, 외부에서 인가하는 에너지를 얻은 전자와 정공이 PN 접합부에서 재결합하면서 이들이 가지고 있던 에너지를 빛으로 변환하여 방출하도록 고안된 것이다. 다른 일반적인 다이오드와 동일하게 극성이 있으며, 음극에서 양극으로 정전압을 가해서 사용한다. A light emitting diode (LED) is a junction between a P-type semiconductor and an N-type semiconductor. It is designed to convert the energy of the electrons and holes, which have been obtained from external energy, into the light by recombining them at the PN junction. It has the same polarity as other common diodes. It is used by applying a constant voltage from the cathode to the anode.
양극 및 음극에서 공급되는 전압의 크기가 임계전압보다 낮으면 거의 전류가 흐르지 않아 발광하지 않지만, 임계전압 이상이 되면 흐르는 전류의 양에 비례해서 빛이 방출된다. 임계전압을 순방향 강하전압이라고 하는데, 일반적인 다이오드와 비교해서 발광 다이오드는 순방향 강하전압이 높다. When the magnitude of the voltage supplied from the positive electrode and the negative electrode is lower than the threshold voltage, almost no current flows to emit light, but when the voltage exceeds the threshold voltage, light is emitted in proportion to the amount of current flowing. The threshold voltage is referred to as a forward drop voltage. As compared with a general diode, a forward drop voltage is high in a light emitting diode.
순방향 강하전압은 빨간색(610 < λ < 760), 오렌지색(590 < λ < 610), 노란색(570 < λ < 590), 초록색(500 < λ < 570)에서는 2.1V 정도이며, 빨간빛을 내지 않는 것은 1.4V 정도이다. 백색(Broad Spectrum)과 파란색(450 < λ < 500)은 3.5V 정도이다. 고출력 제품은 5V 전후인 것도 있다. 발광할 때 소비 전류는 표시등 용도에서는 수mA ~ 50mA 정도이지만, 조명 용도에서는 소비 전력이 수W단위의 대 출력 발광 다이오드도 판매되고 있어 구동 전류가 1A를 넘는 제품도 있다. 역방향으로 전압을 가하는 경우의 내전압은 일반적인 실리콘 다이오드보다 더 낮고, 보통은 -5V 정도이며, 이것을 넘으면 소자가 파괴된다. 따라서, 정류 용도로 사용할 수 없다. The forward voltage drop is about 2.1V in red (610 <λ <760), orange (590 <λ <610), yellow (570 <λ <590) It is about 1.4V. White (Broad Spectrum) and blue (450 <λ <500) are about 3.5V. High-power products are around 5V. Consumption current is about several mA to 50mA in the case of lighting, but large-power LEDs with power consumption of several W are also available for lighting, and some products have a driving current of more than 1A. When a voltage is applied in the reverse direction, the withstand voltage is lower than that of a general silicon diode, and is usually about -5 V, and beyond this, the device breaks down. Therefore, it can not be used for rectifying purposes.
발광 다이오드는 상술한 바와 같이 구조가 간단하기 때문에 대량생산이 가능하고, 전구처럼 필라멘트를 사용하지 않기 때문에 소형이며 진동에 강하고 수명이 길다. 특히, 형광등이나 백열등과 같은 다른 대다수 광원과는 다르게, 불필요한 자외선이나 적외선을 포함하지 않는 빛을 생산할 수 있기 때문에, 자외선에 민감한 문화재나 예술 작품 등 열조사 (Heat irradiation)를 피해야 할 물건의 조명에 사용된다. 직류전원을 이용하므로 독립적인 전원 체계를 가지고 전력 변환 장치도 필요 없을 뿐만 아니라 전기 배선 공사나 매설공사, 관리자의 관리도 필요 없어서 경제적인 조명시스템을 구축할 수 있는 장점이 있다.
Since the light emitting diode is simple in structure as described above, it can be mass-produced, and since it does not use a filament like a bulb, it is compact, strong in vibration, and has a long life. In particular, unlike most other light sources, such as fluorescent and incandescent lamps, it is possible to produce light that does not contain unnecessary ultraviolet rays or infrared rays, so that it can be used for illumination of articles that should avoid heat irradiation, Is used. Since it uses DC power, it has an independent power system and does not need a power conversion device. It also has an advantage of being able to construct an economical lighting system because there is no need of electric wiring work, burial work, and management of an administrator.
도 1은 일정한 크기의 직류전압을 공급받는 ＬＥＤ 램프의 구성을 나타낸다. 1 shows a configuration of an LED lamp supplied with a DC voltage of a predetermined size.
도 1을 참조하면, 종래의 ＬＥＤ 램프(100)는 직류 전압(DC)이 2개의 터미널(T1, T2)로 인가되며, 2개의 터미널(T1, T2)에서 인가되는 전압의 극성에 상관없이 일정한 크기를 가지는 전원(VDC)을 공급하는 브릿지 다이오드 회로(110) 및 전원(VDC)과 접지전압(GND) 사이에 병렬로 연결된 2개의 발광다이오드 스트링(120-1, 120-2)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a
브릿지 다이오드 회로(110)는 2개의 터미널(T1, T2) 중 어느 하나의 터미널에 높은 전압준위가 인가되고 다른 하나의 터미널에 낮은 전압준위가 인가되더라도, 출력하는 전원(VDC)은 직류 전압(DC)의 전압준위보다 낮은 전압준위를 가지도록 한다. The
브릿지 다이오드 회로(110)로부터 일정한 전압 강하가 이루어진 상태로 결정된 전원(VDC)이 2개의 발광다이오드 스트링(120-1, 120-2)에 공급된다는 단점이 있다. 전원(VDC)의 전압준위는 2개의 발광다이오드 스트링(120-1, 120-2)에 직렬로 연결되는 발광다이오드의 개수를 결정하기 때문에, 전원(VDC)전압준위가 낮다는 것은 직렬 연결하는 발광다이오드의 수가 적어진다는 것을 의미한다. There is a disadvantage that a power source VDC determined to have a constant voltage drop from the
2개의 발광다이오드 스트링(120-1, 120-2) 각각에 동일한 크기의 전류 즉 30mA의 전류가 공급된다고 하자. 제1 발광다이오드 스트링(120-1)을 구성하는 발광다이오드의 수 및 제2 발광다이오드 스트링(120-2)을 구성하는 발광다이오드의 수는 실시 예에 따라 다르게 될 것이다. Assume that a current of the same magnitude, that is, a current of 30 mA is supplied to each of the two light emitting diode strings 120-1 and 120-2. The number of light emitting diodes constituting the first light emitting diode string 120-1 and the number of light emitting diodes constituting the second light emitting diode string 120-2 will be different according to the embodiment.
제1 발광다이오드 스트링(120-1)에는 모두 8개의 발광다이오드가 연결되어 있지만, 제2 발광다이오드 스트링(120-2)에는 2개의 발광 다이오드 및 하나의 임피던스부(121)이 연결되어 있다. 제1 발광다이오드 스트링(120-1) 및 제2 발광다이오드 스트링(120-2)을 구성하는 발광다이오드의 전기적인 특성이 동일하고, 제1 발광다이오드 스트링(120-1)에 흐르는 전류(i1)의 크기와 제2 발광다이오드 스트링(120-2)에 흐르는 전류(i2)의 크기가 동일하다고 가정한다면, 제2 발광다이오드 스트링(120-2)을 구성하는 임피던스부(121)은 총 6개의 발광다이오드에서 소비하는 전력과 동일한 전력을 소비하게 될 것이다. Although eight light emitting diodes are all connected to the first light emitting diode string 120-1, two light emitting diodes and one
제2 발광다이오드 스트링(120-2)을 구성하는 임피던스성분은 제1 발광다이오드 스트링(120-1)과 제2 발광다이오드 스트링(120-2)의 소비전력을 동일하게 하기 위하여 추가로 도입된 것으로, 실제 빛을 방출하지 않기 때문에 에너지의 낭비요소가 된다.
The impedance component constituting the second light emitting diode string 120-2 is further introduced to make the power consumption of the first light emitting diode string 120-1 and the second light emitting diode string 120-2 equal to each other , It is a waste of energy because it does not emit actual light.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 2개의 터미널에 인가되는 직류 전압의 방향에 상관없이 직류 전압의 전압준위를 강하시키지 않은 상태로 램프모듈에 직접 공급할 수 있으며, 복수의 발광다이오드 스트링의 광량을 조절할 수 있는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템을 제안하는 것에 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of supplying direct current voltage to a lamp module without dropping a direct current voltage level regardless of a direction of a direct current voltage applied to two terminals, And to provide an energy efficiency improvement system using a controllable switching element.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, PWM 신호의 듀티를 조절함으로써, 복수의 발광다이오드 스트링의 광량을 조절하여 ＬＥＤ 램프에서 소비되는 에너지를 최적화할 수 있는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 방법을 제안하는 것에 있다.
It is another object of the present invention to provide a method of improving energy efficiency using a switching element that can optimize the energy consumed in an LED lamp by adjusting the light amount of a plurality of light emitting diode strings by adjusting the duty of a PWM signal .
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템은, 전원 경로선택회로, 램프 모듈, 제어신호 생성기 및 컨트롤러를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an energy efficiency improvement system using a switching device, including a power path selection circuit, a lamp module, a control signal generator, and a controller.
상기 전원 경로선택회로는 제1입력단자 및 제2입력단자를 통해 인가되는 전원의 극성에 따라 상기 제1입력단자와 상기 제2입력단자의 경로를 제1전원 및 제2전원으로 선택한다. 상기 램프 모듈은 스위칭 제어신호에 응답하여 상기 제1전원 및 상기 제2전원 사이에 연결된 적어도 하나의 발광다이오드 스트링을 동작시킨다. 상기 제어신호 생성기는 펄스 폭 변조 신호의 형태를 가지는 상기 스위칭 제어신호를 생성한다. 상기 컨트롤러는 상기 제어신호 생성기의 동작을 제어한다.
The power supply path selection circuit selects a path between the first input terminal and the second input terminal as a first power supply and a second power supply according to a polarity of a power supply applied through the first input terminal and the second input terminal. The lamp module operates at least one light emitting diode string connected between the first power supply and the second power supply in response to a switching control signal. The control signal generator generates the switching control signal having the form of a pulse width modulation signal. The controller controls the operation of the control signal generator.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 방법은, 전류 제한이 있고 직류전압을 공급받는 ＬＥＤ 램프의 최적의 광량을 조절할 수 있는 최적의 광량 조절과 에너지 효율을 향상시키는 방법으로서, 상기 펄스 폭 변조 형태의 스위칭 제어신호의 신호의 듀티를 조절하여, 상기 발광다이오드 스트링의 광량을 조절한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of improving energy efficiency using a switching device, the method comprising: controlling an optimal light amount to adjust an optimal light amount of an LED lamp to which a DC voltage is supplied, The duty of the signal of the switching control signal of the pulse width modulation type is adjusted to adjust the light amount of the light emitting diode string.
본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템 및 그 방법은, 직류 전원의 경로를 적절하게 변경함으로써 인가되는 전류 전원의 방향에 상관없이 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 직류전압의 전압준위를 강하(drop)시키지 않은 상태로 램프 모듈에 직접 공급할 수 있으며, 펄스 폭 변조신호의 듀티 싸이클을 조정함으로써 원하는 광량을 최소의 소비전력으로 취득할 수 있는 장점이 있다.
INDUSTRIAL APPLICABILITY A system and method for improving energy efficiency using a switching device according to the present invention can be used regardless of the direction of a current power source applied by appropriately changing a path of a DC power supply and can also reduce a voltage level of a DC voltage ), And the duty cycle of the pulse width modulation signal is adjusted, so that a desired light amount can be obtained with a minimum power consumption.
도 1은 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템의 구성을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템의 블록 다이어그램을 나타낸다.
도 3a는 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템의 일 실시 예를 나타낸다.
도 3b는 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 4는 스위칭 소자의 실시 예를 나타낸다.
도 5는 펄스 폭 변조신호인 스위칭 제어신호의 예를 나타낸다. 1 shows a configuration of an energy efficiency improvement system using a switching element.
2 is a block diagram of an energy efficiency enhancement system using a switching device according to the present invention.
FIG. 3A illustrates an energy efficiency improvement system using a switching device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3B shows another embodiment of the energy efficiency improvement system using the switching device according to the present invention.
4 shows an embodiment of a switching element.
5 shows an example of a switching control signal which is a pulse width modulation signal.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 예시적인 실시 예를 설명하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
In order to fully understand the present invention and the operational advantages of the present invention and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings, which are provided for explaining exemplary embodiments of the present invention, and the contents of the accompanying drawings.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.
도 2는 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템의 블록 다이어그램을 나타낸다. 2 is a block diagram of an energy efficiency enhancement system using a switching device according to the present invention.
도 2를 참조하면, 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템(200, 이하 시스템)은, 전원 경로선택회로(210), 램프 모듈(220), 제어신호 생성기(230) 및 컨트롤러(240)를 포함한다. 2, a system 200 for improving energy efficiency using a switching device includes a power supply
전원 경로선택회로(210)는 외부에서 2개의 단자 즉 제1입력단자(V1)와 제2입력단자(V2)로 인가되는 DC 전원의 극성에 따라 2개의 단자(V1, V2)의 경로를 조정하여 제1전원(VH) 및 제2전원(VL)을 생성한다. The power supply
램프 모듈(220)은 스위칭 제어신호(Scon)에 응답하여 제1전원(VH) 및 제2전원(VL) 사이에 연결된 발광다이오드 스트링을 동작시킨다. 램프 모듈(220)을 구성하는 발광다이오드 스트링에 대해서는 후술한다. The
제어신호 생성기(230, Control signal generator)는 펄스 폭 변조(Pulse Width Modulation; PWM) 신호의 형태를 가지는 스위칭 제어신호(Scon)를 생성한다. The
컨트롤러(240, Controller)는 제어신호 생성기(240)의 동작을 제어한다. 자세하게 도시하지는 않았지만, 후술하는 제2형 발광다이오드 스트링(221-2)에 포함된 발광다이오드의 개수를 자동으로 인식하거나 사용자가 입력하면, 이에 따라 PWM신호의 듀티 사이클(Duty Cycle)을 조정하여 최적의 소비전력을 계산한 후, 제어신호 생성기(230)에서 생성되는 스위칭 제어신호(Scon)의 펄스 폭을 결정한다.
The
도 3a는 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템의 일 실시 예를 나타낸다. FIG. 3A illustrates an energy efficiency improvement system using a switching device according to an embodiment of the present invention.
도 3a를 참조하면, 전원 경로선택회로(210)는 제1경로변경회로(211) 및 제2경로변경회로(212)를 포함한다. 제1경로변경회로(211)는 2개의 단자(V1, V2)로 인가되는 DC 전원을 그대로 램프 모듈(220)의 입출력 단자에 연결하여야 한다고 판단할 때 활성화되며, 제2경로변경회로(212)는 2개의 단자(V1, V2)로 인가되는 DC 전원을 서로 교차하여 램프 모듈(220)의 입출력 단자에 연결하면 된다고 판단할 때 각각 활성화된다. Referring to FIG. 3A, the power supply
제1경로변경회로(211)는 일 단자가 제2입력단자(V2)에 연결되고 다른 일 단자가 제2전원(VL)에 연결되는 제1 N채널 FET(N1), 일 단자가 제1입력단자(V1)에 연결되고 다른 일 단자가 제1전원(VH)에 연결되는 제1 P채널 FET(P1) 및 제1경로변경판단회로를 포함한다. 제1경로변경판단회로는 입력단자가 제1입력단자(V1)에 연결된 제1다이오드(D1)와 일 단자가 제1다이오드(D1)의 출력단자에 연결되고 다른 일 단자가 제1 N채널 FET(N1) 및 제1 P채널 FET(P1)의 게이트 단자에 각각 연결되는 제1저항(R1)을 포함한다.
The first
제2경로변경회로(212)는 일 단자가 제1입력단자(V1)에 연결되고 다른 일 단자가 제2전원(VL)에 연결되는 제2 N채널 FET(N2), 일 단자가 제2입력단자(V2)에 연결되고 다른 일 단자가 제1전원(VH)에 연결되는 제2 P채널 FET(P2) 및 제2경로변경판단회로를 포함한다. 제2경로변경판단회로는 입력단자가 제2입력단자(V2)에 연결된 제2다이오드(D2)와 일 단자가 제2다이오드(D2)의 출력단자에 연결되고 다른 일 단자가 제2 N채널 FET(N2) 및 제2 P채널 FET(P2)의 게이트 단자에 각각 연결되는 제2저항(R2)을 포함한다.
The second
램프 모듈(220)은 제1형 발광다이오드 스트링(221-1), 제2형 발광다이오드 스트링(221-2)을 포함한다. The
제1형 발광다이오드 스트링(221-1)은 제1전원(VH)과 제2전원(VL) 사이에 복수의 발광다이오드가 직렬로 연결되며, 제2형 발광다이오드 스트링(221-2)도 제1전원(VH)과 제2전원(VL) 사이에 복수의 발광다이오드 및 스위칭 소자가 직렬로 연결된다. 여기서 제1형 발광다이오드 스트링(221-1)은 일반적으로 사용되는 발광다이오드 모듈을 대표한다. 제2형 발광다이오드 스트링(221-2)은 필요에 따라 또는 상황에 따라 연결 가능한 모든 개수의 발광다이오드 중 일부의 발광다이오드만을 사용하는 실시 예를 대표한다.
In the first type light emitting diode string 221-1, a plurality of light emitting diodes are connected in series between the first power supply VH and the second power supply VL, and the second type light emitting diode string 221-2 A plurality of light emitting diodes and switching elements are connected in series between one power supply (VH) and the second power supply (VL). Here, the first type light emitting diode string 221-1 represents a commonly used light emitting diode module. The second type light emitting diode string 221-2 represents an embodiment using only some of the light emitting diodes of all the number of light emitting diodes connectable as needed or depending on the situation.
여기서 스위칭 소자(222)는, 스위칭 제어신호(Scon)에 응답하여 스위칭하는 전계효과트랜지스터, 스위칭 제어신호(Scon)에 응답하여 스위칭하는 MOS 트랜지스터 및 스위칭 제어신호(Scon)에 응답하여 빛을 발광하는 발광소자와 상기 발광소자에서 발광하는 빛을 수신하는 수광소자로 이루어진 포토 커플러 중 하나로 구현할 수 있다.
The
이하에서는 시스템(200)의 동작에 대해서 설명한다. Hereinafter, the operation of the system 200 will be described.
먼저, 전원 경로선택회로(210)의 동작에 대해서 설명한다. First, the operation of the power supply
제1입력단자(V1)에 전압이 인가되고, 제2입력단자(V2)에 이보다 상대적으로 낮은 전압(예를 들면 접지전압)이 인가된다고 가정한다. 이 경우 제2경로변경판단회로를 구성하는 제2다이오드(D2)의 P형 입력단자에 낮은 전압이 인가되므로 턴 오프(turn OFF) 되어 제2 N채널 FET(N2) 및 제2 P채널 FET(P2)의 게이트가 하이임피던스(High Impedance) 상태가 되어 제2경로변경회로(212)는 비활성화된다. 이와는 반대로, 제1경로변경판단회로를 구성하는 제1다이오드(D1)는 턴 온(turn ON) 되기 때문에 제1 N채널 FET(N1) 및 제1 P채널 FET(P1)의 게이트에 일정한 크기의 전압이 인가되므로 제1경로변경회로(211)가 활성화된다. It is assumed that a voltage is applied to the first input terminal V1 and a voltage (e.g., a ground voltage) relatively lower than the first input terminal V1 is applied to the second input terminal V2. In this case, since a low voltage is applied to the P-type input terminal of the second diode D2 constituting the second path change determination circuit, the second N-channel FET N2 and the second P-channel FET (turn- The gate of the second
따라서, 제1입력단자(V1)에 전압이 인가되고, 제2입력단자(V2)에 이보다 상대적으로 낮은 전압이 인가되면, 제1 N채널 FET(N1) 및 제1 P채널 FET(P1)가 각각 턴 온 되기 때문에, 제1입력단자(V1)의 전압은 제1 P채널 FET(P1)을 경유하여 제1전원(VH)으로 연결되고, 제2입력단자(V2)의 전압은 제1 N채널 FET(N1)을 경유하여 제2전원(VL)으로 연결된다. Therefore, when a voltage is applied to the first input terminal V1 and a voltage lower than the first input terminal V1 is applied to the second input terminal V2, the first N-channel FET N1 and the first P-channel FET P1 The voltage of the first input terminal V1 is connected to the first power supply VH via the first P-channel FET P1 and the voltage of the second input terminal V2 is connected to the first power supply VH through the first N-channel FET P1, And is connected to the second power supply (VL) via the channel FET (N1).
제1 P채널 FET(P1)의 게이트에는 제1다이오드(D1)의 턴 온 전압과 제1저항(R1)에 강하되는 전압의 합이 인가된다. 일반적인 다이오드의 턴 온 전압이 약 0.7V이고 일반적인 FET의 턴 온 전압이 약 0.7V라고 가정할 때, 제1다이오드(D1)의 출력단자가 제1 P채널 FET(P1)의 게이트에 연결되는 것만으로도 제1 P채널 FET(P1)가 턴 온 되겠지만, 제1 P채널 FET(P1)를 흐르는 전류의 크기는 제1다이오드(D1)에 직렬로 연결된 제1저항(R1)의 저항값을 변경함으로써 조절할 수 있다. 제1 N채널 FET(N1)에는 제1 P채널 FET(P1)의 게이트에 인가되는 전압과 동일한 전압이 인가되는데, 제1 P채널 FET(P1)의 게이트에 인가되는 전압은 충분히 높은 전압이기 때문에 당연하게 턴 온 된다는 것은 이 분야의 통상의 지식을 가진 기술자에게는 당연한 수준의 기술이므로 자세한 설명은 생략한다.
The sum of the turn-on voltage of the first diode (D1) and the voltage dropping to the first resistor (R1) is applied to the gate of the first P-channel FET (P1). It is assumed that the output terminal of the first diode D1 is connected to the gate of the first P-channel FET P1, assuming that the turn-on voltage of a typical diode is about 0.7V and the turn-on voltage of a typical FET is about 0.7V The first P-channel FET P1 will be turned on but the magnitude of the current flowing through the first P-channel FET P1 can be adjusted by changing the resistance value of the first resistor R1 connected in series with the first diode D1 Can be adjusted. A voltage equal to the voltage applied to the gate of the first P-channel FET P1 is applied to the first N-channel FET N1 because the voltage applied to the gate of the first P-channel FET P1 is sufficiently high Obviously, the turning-on is obviously a technical skill to a person skilled in the art, so a detailed description will be omitted.
제1입력단자(V1)에 전압이 인가되고, 제2입력단자(V2)에 이보다 상대적으로 높은 전압이 인가된다고 가정할 경우, 제1입력단자(V1)에 전압이 인가되고 제2입력단자(V2)에 이보다 상대적으로 낮은 전압이 인가되는 것과는 반대로, 제1경로변경회로(211)가 비활성화되고 제2경로변경회로(212)가 활성화된다. 다시 말하면, 제2 N채널 FET(N2) 및 제2 P채널 FET(P2)가 각각 턴 온 되기 때문에, 제1입력단자(V1)의 전압은 제2 N채널 FET(N2)을 경유하여 제2전원(VL)으로 연결되고, 제2입력단자(V2)의 전압은 제2 P채널 FET(P2)을 경유하여 제1전원(VH)으로 연결된다. Assuming that a voltage is applied to the first input terminal V1 and a relatively higher voltage is applied to the second input terminal V2, a voltage is applied to the first input terminal V1 and a voltage is applied to the second input terminal V2 V2), the first
도 3a를 참조하여, 상술한 바와 같이, 2개의 경로변경판단회로의 판단에 의해 제1입력단자(V1)와 제2입력단자(V2)를 제1전원(VH) 및 제2전원(VL) 중 적절한 곳에 자동으로 연결시킴으로써, 사용자가 DC 전원(DC)의 극성을 잘못 입력한 경우라 할지라도 램프 모듈(220)의 동작에 영향을 주지 않게 된다.
The first input terminal V1 and the second input terminal V2 are connected to the first power supply VH and the second power supply VL by the judgment of the two path change determination circuits, So that the operation of the
한편, 도 3a에서, 제1 P채널 FET(P1) 및 제2 P채널 FET(P2)의 게이트에 각각 연결된 제1다이오드(D1) 및 제2다이오드(D2)가 제거되고, 제1 P채널 FET(P1) 및 제2 P채널 FET(P2)의 기생 다이오드(parasitic diode)가 없는 회로 구성으로도 전술한 회로 구성에 의한 동작 및 효과와 동일한 동작 및 효과를 구현할 수 있다.
3A, the first diode D1 and the second diode D2 respectively connected to the gates of the first P-channel FET P1 and the second P-channel FET P2 are removed, and the first P-channel FET It is possible to realize the same operation and effect as the operation and effect of the above-described circuit configuration even in the circuit configuration without the parasitic diode of the first P-channel FET P1 and the second P-channel FET P2.
도 3b는 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템의 다른 실시예를 나타낸다.FIG. 3B shows another embodiment of the energy efficiency improvement system using the switching device according to the present invention.
도 3b를 참조하면, 전원 경로선택회로(210)는 제1경로변경회로(211) 및 제2경로변경회로(212)를 포함한다. 제1경로변경회로(211)는 2개의 단자(V1, V2)로 인가되는 DC 전원을 그대로 램프 모듈(220)의 입출력 단자에 연결하여야 한다고 판단할 때 활성화되며, 제2경로변경회로(212)는 2개의 단자(V1, V2)로 인가되는 DC 전원을 서로 교차하여 램프 모듈(220)의 입출력 단자에 연결하면 된다고 판단할 때 각각 활성화된다. Referring to FIG. 3B, the power supply
제1경로변경회로(211)는 일 단자가 제2입력단자(V2)에 연결되고 다른 일 단자가 제2전원(VL)에 연결되는 제1 N채널 FET(N1), 일 단자가 제1입력단자(V1)에 연결되고 다른 일 단자가 제1전원(VH)에 연결되는 제1 P채널 FET(P1) 및 제1경로변경판단회로를 포함한다. 제1경로변경판단회로는 일 단자가 제1입력단자(V1)에 연결되고, 다른 일 단자가 제1 N채널 FET(N1)의 게이트 단자 및 제1 P채널 FET(P1)의 게이트 단자에 각각 연결되는 제1저항(R1)을 포함하는 제1경로변경판단회로를 포함한다.
The first
제2경로변경회로(212)는 일 단자가 제1입력단자(V1)에 연결되고 다른 일 단자가 제2전원(VL)에 연결되는 제2 N채널 FET(N2), 일 단자가 제2입력단자(V2)에 연결되고 다른 일 단자가 제1전원(VH)에 연결되는 제2 P채널 FET(P2) 및 제2경로변경판단회로를 포함한다. 제2경로변경판단회로(212)는 일 단자가 제2입력단자(V2)에 연결되고, 다른 일 단자가 제2 N채널 FET(N2)의 게이트 단자 및 제2 P채널 FET(P2)의 게이트 단자에 각각 연결되는 제2저항(R2)을 포함한다.
The second
램프 모듈(220)은 제1형 발광다이오드 스트링(221-1), 제2형 발광다이오드 스트링(221-2)을 포함한다. The
제1형 발광다이오드 스트링(221-1)은 제1전원(VH)과 제2전원(VL) 사이에 복수의 발광다이오드가 직렬로 연결되며, 제2형 발광다이오드 스트링(221-2)도 제1전원(VH)과 제2전원(VL) 사이에 복수의 발광다이오드 및 스위칭 소자가 직렬로 연결된다. 여기서 제1형 발광다이오드 스트링(221-1)은 일반적으로 사용되는 발광다이오드 모듈을 대표한다. 제2형 발광다이오드 스트링(221-2)은 필요에 따라 또는 상황에 따라 연결 가능한 모든 개수의 발광다이오드 중 일부의 발광다이오드만을 사용하는 실시 예를 대표한다.
In the first type light emitting diode string 221-1, a plurality of light emitting diodes are connected in series between the first power supply VH and the second power supply VL, and the second type light emitting diode string 221-2 A plurality of light emitting diodes and switching elements are connected in series between one power supply (VH) and the second power supply (VL). Here, the first type light emitting diode string 221-1 represents a commonly used light emitting diode module. The second type light emitting diode string 221-2 represents an embodiment using only some of the light emitting diodes of all the number of light emitting diodes connectable as needed or depending on the situation.
여기서 스위칭 소자(222)는, 스위칭 제어신호(Scon)에 응답하여 스위칭하는 전계효과트랜지스터, 스위칭 제어신호(Scon)에 응답하여 스위칭하는 MOS 트랜지스터 및 스위칭 제어신호(Scon)에 응답하여 빛을 발광하는 발광소자와 상기 발광소자에서 발광하는 빛을 수신하는 수광소자로 이루어진 포토 커플러 중 하나로 구현할 수 있다.
The
도 4는 스위칭 소자의 실시 예를 나타낸다. 4 shows an embodiment of a switching element.
도 4(a)는 전계효과트랜지스터를 나타내고, 도 4(b)는 포토 커플러를 나타낸다. 4 (a) shows a field-effect transistor, and Fig. 4 (b) shows a photocoupler.
전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET)는 반도체 내의 내부 전기전도과정에 전자 또는 정공 중 하나의 캐리어(Carrier) 만 전도에 관여하는 단극성 반도체 소자로써, 반도체 결정의 도전성과 전기저항을 전계 (Electric Field)로 제어한다. A field effect transistor (FET) is a unipolar semiconductor element that conducts only one carrier of electrons or holes to the internal conduction process in a semiconductor. The field effect transistor (FET) Field.
도 4(a)에 도시된 전계효과트랜지스터는, N형 반도체 기판의 좌측면 및 우측면에 각각 P형 반도체를 접합하고, N형 반도체의 양단과 양쪽 측면의 P형 반도체로부터 각각 단자를 끌어낸 구조를 가진다. 양쪽 측면의 P형 반도체로부터 끌어낸 두 단자에 스위칭 제어신호(SCon)가 인가되면 N형 반도체의 양쪽에서 끌어낸 드레인(+) 및 소스(-)가 전기적으로 연결되거나 차단된다. 여기서는, N형 반도체가 드레인 및 소스를 형성하므로, 전자가 캐리어가 된다.
The field effect transistor shown in Fig. 4A is a structure in which a p-type semiconductor is bonded to the left side and the right side of an N-type semiconductor substrate, and terminals are drawn from both ends of the N-type semiconductor and P- . When the switching control signal SCon is applied to the two terminals extracted from the p-type semiconductor on both sides, the drain (+) and the source (-) drawn from both sides of the n-type semiconductor are electrically connected or disconnected. Here, since the N-type semiconductor forms a drain and a source, electrons become carriers.
포토 커플러(Photo Coupler)는 전기신호를 일단 빛의 신호로 변환하여 빛을 다시 전기신호로 변환하는 회로경로(Circuit Path)를 가리킨다.
A photocoupler (Photo Coupler) refers to a circuit path that converts an electric signal once into a light signal and then converts the light back into an electric signal.
도 4(b)에 도시된 포토 커플러(Photo Coupler)는 발광소자와 수광소자로 구성되며, 전기적으로는 분리되어 있는 2개의 터미널이 각각 발광소자와 수광소자에 연결되어 있으며, 광(Light)에 의하여 신호가 전달되는 소자를 포토 커플러(광 결합기)라고 한다. 동작원리는 극히 간단한데, 예를 들면 발광다이오드로 구현할 수 있는 발광소자에 동작제어신호가 입력되면 발광소자가 발광하게 되는데, 이를 포토다이오드로 구현할 수 있는 수광소자로 수집하면 전기적으로 서로 분리된 2개의 터미널(터미널 1, 터미널 2)이 전기적으로 연결된다.
The photocoupler shown in FIG. 4 (b) is composed of a light emitting element and a light receiving element, and two electrically isolated terminals are connected to the light emitting element and the light receiving element, respectively, The element to which the signal is transmitted is called an optocoupler. For example, when the operation control signal is inputted to a light emitting element which can be realized by a light emitting diode, the light emitting element emits light. When the light emitting element is collected by a light receiving element which can be realized by a photodiode, The terminals (terminal 1, terminal 2) are electrically connected.
포토 커플러는 일 방향성으로 되어 있다. 구조는 갈륨비소(GaAs) 적외선 발광 다이오드와 실리콘(Silicon) 포토 트랜지스터로 이루어진 발광소자와 수광소자가 투명한 수지에 넣어져 광학적으로 결합하고 있으며, 외부로부터 인가되는 빛을 차단하기 위하여 흑색 수지로 두껍게 피복되어 있다.
The photocoupler is unidirectional. The structure is composed of a light emitting element composed of a gallium arsenide (GaAs) infrared light emitting diode and a silicon phototransistor, and a light receiving element are optically coupled by being inserted into a transparent resin. In order to shield the light from the outside, .
스위칭 제어신호(SCon)는, 펄스 폭 변조(Pulse Width Modulation; PWM) 신호인 것이 바람직하며, 듀티는 스위칭 소자(242)가 포함된 발광다이오드 스트링의 구성 및 LED 램프의 전체 구성에 따라 가변시키면 될 것이다.
It is preferable that the switching control signal SCon is a pulse width modulation (PWM) signal, and the duty may be varied according to the configuration of the light emitting diode string including the switching device 242 and the overall configuration of the LED lamp will be.
도 5는 펄스 폭 변조신호인 스위칭 제어신호의 예를 나타낸다. 5 shows an example of a switching control signal which is a pulse width modulation signal.
도 5를 참조하면, 펄스 폭 변조신호(PWM)는 펄스 형태를 가지는 신호로, 신호의 1주기(D1) 전체가 높은 전압준위를 가지거나, 신호의 1주기(D1)의 일부만(D2)이 높은 전압준위를 가지는 신호이라는 것을 알 수 있다. 듀티 싸이클 (Duty Cycle)은 신호의 1주기 내에서 높은 전압준위를 차지하는 비율을 의미하는 것으로, 도 4에서는 듀티가 25%인 경우를 예로 들었다.
Referring to FIG. 5, the pulse width modulation signal PWM is a signal having a pulse shape. The entire period D1 of the signal has a high voltage level, or only a part D2 of one period D1 of the signal It can be seen that the signal has a high voltage level. The duty cycle means a rate at which the signal occupies a high voltage level in one cycle. In FIG. 4, the duty cycle is 25%.
도 1의 설명에서 이미 언급한 바와 같이, 종래의 발광다이오드 스트링은, As already mentioned in the description of Fig. 1, the conventional light-
브릿지 다이오드 회로(110)에서 이미 일정한 크기로 강하된 전원을 사용하게 됨에 따라 발광다이오드 스트링(120-1)에 사용할 수 있는 발광 다이오드의 개수를 한정하게 되며, 임피던스 성분으로 사용되는 저항(Resistor)의 값을 변경시킴으로써, 2개의 발광다이오드 스트링(110-1, 110-2)의 광량을 일치시킬 수 있었는데, 이때 임피던스 성분에서는 제1발광다이오드 스트링(110-1)과 제2발광다이오드 스트링(110-2)에 포함되는 발광다이오드의 차이에 해당하는 에너지가 소모성으로 소비되는 전력이 낭비되는 단점이 있었다.
The number of light emitting diodes that can be used for the light emitting diode string 120-1 is limited by using a power source that has already been reduced to a predetermined size in the
도 2 ~ 도 5에 도시된 본 발명에 따른 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템(200)에서는, 직류 전원의 경로를 적절하게 변경함으로써 인가되는 전원의 극성에 상관없이 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 직류 전압의 전압준위를 강하시키지 않은 상태로 램프 모듈에 직접 공급할 수 있으며, In the energy efficiency improvement system 200 using the switching device according to the present invention shown in FIGS. 2 to 5, not only can it be used irrespective of the polarity of the power source applied by appropriately changing the path of the DC power source, Can be directly supplied to the lamp module without dropping the voltage level of the lamp module,
또한, 스위칭 소자(242)에 인가하는 스위칭 제어신호(Scon)의 듀티 싸이클을 조정함으로써 제2 발광다이오드 스트링(241-2)의 광량을 조절할 수 있으며, 또한, 쉽고 간단하게 적용할 수 있는 발명으로서, 전술한 종래의 발광다이오드 스트링에서 발생하는 에너지가 소모성으로 소비되는 전력이 낭비되는 문제점을 극복할 수 있을 것이다.
In addition, the amount of light of the second light emitting diode string 241-2 can be adjusted by adjusting the duty cycle of the switching control signal Scon applied to the switching element 242, and as an invention that can be easily and simply applied , It is possible to overcome the problem that the energy generated in the conventional light emitting diode string described above is wasted in power consumption.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방 가능함은 명백한 사실이다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.
110: 브릿지 다이오드 회로
120-1, 120-2: 발광 다이오드 스트링
121: 임피던스부
210: 전원 경로선택회로
220: 램프 모듈
230: 제어신호 생성기
240: 컨트롤러 110: bridge diode circuit
120-1, 120-2: light emitting diode strings
121: Impedance part
210: Power path selection circuit
220: Lamp module
230: control signal generator
240: controller
Claims (8)
스위칭 제어신호에 응답하여 상기 제1전원 및 상기 제2전원 사이에 연결된 적어도 하나의 발광다이오드 스트링을 동작시키는 램프 모듈;
펄스 폭 변조 신호의 형태를 가지는 상기 스위칭 제어신호를 생성하는 제어신호 생성기; 및
상기 제어신호 생성기의 동작을 제어하는 컨트롤러;
를 포함하고,
상기 제1경로변경회로는 일 단자가 상기 제2입력단자에 연결되고 다른 일 단자가 상기 제2전원에 연결되는 제1 N채널 FET;
일 단자가 상기 제1입력단자에 연결되고 다른 일 단자가 상기 제1전원에 연결되는 제1 P채널 FET; 및
일 단자가 상기 제1입력단자에 연결되고, 다른 일 단자가 상기 제1 N채널 FET의 게이트 단자 및 상기 제1 P채널 FET의 게이트 단자에 각각 연결되는 제1저항을 포함하는 제1경로변경판단회로;
를 포함하며,
상기 제2경로변경회로는 일 단자가 상기 제1입력단자에 연결되고 다른 일 단자가 상기 제2전원에 연결되는 제2 N채널 FET;
일 단자가 상기 제2입력단자에 연결되고 다른 일 단자가 상기 제1전원에 연결되는 제2 P채널 FET; 및
일 단자가 상기 제2입력단자에 연결되고, 다른 일 단자가 상기 제2 N채널 FET의 게이트 단자 및 상기 제2 P채널 FET의 게이트 단자에 각각 연결되는 제2저항을 포함하는 제2경로변경판단회로;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템.
A first path changing circuit and a second path changing circuit for selecting a path between the first input terminal and the second input terminal as a first power source and a second power source according to the polarity of a DC power source applied through the first input terminal and the second input terminal, A power path selection circuit provided with a second path change circuit;
A lamp module for operating at least one light emitting diode string connected between the first power supply and the second power supply in response to a switching control signal;
A control signal generator for generating the switching control signal having the form of a pulse width modulation signal; And
A controller for controlling an operation of the control signal generator;
Lt; / RTI >
A first N-channel FET having one terminal connected to the second input terminal and the other terminal connected to the second power supply;
A first P-channel FET having a terminal connected to the first input terminal and another terminal connected to the first power supply; And
And a first resistor connected between a gate terminal of the first N-channel FET and a gate terminal of the first P-channel FET, wherein the first resistor is connected to the first input terminal and the other terminal is connected to the gate terminal of the first N- Circuit;
/ RTI >
A second N-channel FET having one terminal connected to the first input terminal and the other terminal connected to the second power supply;
A second P-channel FET having a terminal connected to the second input terminal and another terminal connected to the first power supply; And
And a second resistor whose one terminal is connected to the second input terminal and the other terminal is connected to the gate terminal of the second N-channel FET and the gate terminal of the second P-channel FET, respectively, Circuit;
And an energy efficiency improvement system using the switching device.
상기 전원 경로선택회로는 제1입력단자에 전압이 인가되고, 제2입력단자에 상기 제1입력단자의 전압보다 상대적으로 낮은 전압이 인가되었다고 판단하면, 제1경로변경회로가 활성화되어 상기 제1입력단자를 상기 제1전원에 연결하고 상기 제2입력단자를 상기 제2전원으로 연결하며,
상기 제1입력단자에 전압이 인가되고, 제2입력단자에 제1입력단자의 전압보다 상대적으로 높은 전압이 인가되었다고 판단하면, 제2경로변경회로가 활성화되어 상기 제1입력단자를 상기 제2전원에 연결하고 상기 제2입력단자를 상기 제1전원에 연결하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템.
The method according to claim 1,
When the first path switching circuit is activated and a voltage is applied to the first input terminal and a voltage relatively lower than the voltage of the first input terminal is applied to the second input terminal, An input terminal connected to the first power source and a second input terminal connected to the second power source,
When a voltage is applied to the first input terminal and a voltage higher than a voltage of the first input terminal is applied to the second input terminal, the second path changing circuit is activated to turn the first input terminal to the second And the second input terminal is connected to the first power source, wherein the second input terminal is connected to the first power source.
상기 램프 모듈은 전원과 접지전압 사이에 복수의 발광다이오드가 직렬로 연결된 제1형 발광다이오드 스트링; 및
전원과 접지전압 사이에 복수의 발광다이오드 및 스위칭 소자가 직렬로 연결된 제2형 발광다이오드 스트링;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템.
The method according to claim 1,
The lamp module includes a first type light emitting diode string having a plurality of light emitting diodes connected in series between a power supply and a ground voltage; And
A second type light emitting diode string in which a plurality of light emitting diodes and switching elements are connected in series between a power supply and a ground voltage;
And an energy efficiency improvement system using the switching device.
상기 스위칭 소자는 상기 스위칭 제어신호에 응답하여 스위칭하는 전계효과트랜지스터, 상기 스위칭 제어신호에 응답하여 스위칭하는 MOS 트랜지스터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템.
The method of claim 4,
Wherein the switching element is any one of a field effect transistor switching in response to the switching control signal and a MOS transistor switching in response to the switching control signal.
상기 스위칭 소자는 스위칭 제어신호에 응답하여 빛을 발광하는 발광소자 및 상기 발광소자에서 발광하는 빛을 수신하는 수광소자로 이루어진 포토 커플러인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템.
The method of claim 4,
Wherein the switching element is a photocoupler comprising a light emitting element that emits light in response to a switching control signal and a light receiving element that receives light emitted from the light emitting element.
상기 펄스 폭 변조신호는 발광다이오드 스트링을 구성하는 발광다이오드의 개수에 따라 듀티 사이클이 조정되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자를 이용한 에너지 효율 향상 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the duty cycle of the pulse width modulation signal is adjusted according to the number of the light emitting diodes constituting the light emitting diode string.
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| KR (1) | KR101684659B1 (en) |
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