KR101390908B1 - （옥시）나이트라이드 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 소자 - Google Patents

（옥시）나이트라이드 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 (옥시)나이트라이드 형광체를 제공한다.
<화학식 1>
{M(1-x)Eux}aSibOcNd
상기 식에서,
M은 알칼리 토금속이고,
0<x<1, 1.8<a<2.2, 4.5<b<5.5, 0≤c<8, 0<d≤8 및 0<c+d≤8이다
본 발명에 따른 (옥시)나이트라이드 형광체는 UV-LED 및 청색-LED형 백색 발광 소자에 사용하기에 우수한 적색을 구현하며, 우수한 효율을 구현한다.

Description

（옥시）나이트라이드 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 소자{(Oxy) nitride phosphor, and white light emitting device including the same}
본 발명은 (옥시)나이트라이드 형광체, 및 이를 포함하는 백색 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 적색 및 우수한 발광 효율을 구현하는 (옥시)나이트라이드 형광체, 및 이를 포함하는 백색 발광 소자에 관한 것이다.
종래 광 시스템으로 형광등 및 백열등이 널리 사용된다. 그러나, 형광등에서 사용되는 Hg은 환경 문제를 야기한다. 또한, 상기 종래 광 시스템들은 수명이 매우 짧을 뿐 아니라, 그 효율도 매우 낮기 때문에 절전 측면에서 바람직하지 못하다. 이에 대하여 최근 많은 연구에 의해 백색 발광 소자의 효율이 증대되었다.
이러한 백색 발광 소자를 구현하는 방법은, UV LED를 광원으로 이용하고 빛의 삼원색인 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방식, 청색 LED를 광원으로 사용하여 적색 및 녹색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방식, 또는 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방식으로 구분된다.
상기 세 가지 방법 중에서 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방식은 적색의 강도가 떨어서 색 구현 측면에서 문제가 있다.
따라서, 상기 세 가지 방식 중 나머지의 UV 및 청색 LED 및 형광체를 사용하여 광 시스템을 개발하고자 하는 연구가 증가하고 있다. 그런데 이들 방식들은 우수한 색 구현은 가능하나, 효율이 떨어지는 단점이 있다.
한편, 종래 공지된 적색 형광체는 백색 발광 소자에 구현하기에 적합하지 않다. 이들은 캐소드 레이 (cathode ray), VUV (vacuum ultraviolet ray) 및 단파에 대하여 발광 효율이 뛰어나지만, 상기 백색 발광 소자에서 사용되는 UV 및 청색 광에 대하여 그렇지 못하다. 따라서, 백색 발광 소자 기술 분야에서 UV 및 청색 광에 대하여 고효율을 갖는 적색 형광체 개발에 대한 요구가 절실하다.
이러한 상황에서, 일부 나이트라이드 형광체가 개발되었다. 이들은 UV 및 청색 광에 대하여 발광하지만, 백색 발광 소자로 상업화되기에 충분한 정도는 아니다. 또한, 이제까지 공지된 나이트라이드 형광체의 제조 방법은 높은 온도, 0.1MPa 이상의 높은 질소 가스 압력의 공정 조건을 요구하기 때문에 이러한 고온, 고압을 견딜 수 있게 고안된 특별한 장치를 요구하며, 또한 출발 물질로 불안정한 물질을 사용하고 있기 때문에 이들 출발 물질의 취급시 요구되는 조건들이 까다롭다. 이와 같이, 현재까지는 상업화하기에 적합한 적색 형광체를 개발하지 못하고 있는 실정이다.
이에 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결한 적색 형광체로서 (옥시)나이트라이드 형광체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 (옥시)나이트라이드 형광체를 포함하는 백색 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는:
하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 (옥시)나이트라이드 형광체를 제공한다.
<화학식 1>
[M(1-x)Eux]aSibOcNd
상기 식에서,
M은 알칼리 토금속이고,
0<x<1, 1.8<a<2.2, 4.5<b<5.5, 0≤c<8, 0<d≤8 및 0<c+d≤8이다.
상기 화학식 1의 화합물의 (옥시)나이트라이드 형광체는 포어 (pore)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는,
UV 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
상기 본 발명에 따른 (옥시)나이트라이드 적색 형광체를 포함하는 백색 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 (옥시)나이트라이드 형광체는 UV-LED 및 청색-LED형 백색 발광 소자에 사용하기에 우수한 적색을 구현하며, 우수한 효율을 구현한다. 또한 본 발명에 따른 형광체 제조 방법은 안정한 물질을 출발 물질로 사용하며, 공정 조건이 마일드하며 환경친화적이어서, 상업적으로 활용하기에 유용하다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 의한 LED 구조를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 의한 (옥시)나이트라이드 형광체의 여기 스펙트럼을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 또 다른 구현예에 의한 (옥시)나이트라이드 형광체의 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 또 다른 구현예들에 의한 (옥시)나이트라이드 형광체들에 대한 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 5은 본 발명의 형광체 제조 방법의 일 구현예에 있어서, 중간 산물로서 생성되는 Sr2 +-킬레이트 화합물의 구조식을 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 형광체 제조 방법에 따라 중간 과정에서 형성되는 겔 상태의 혼합물을 도식화한 것이다.
도 7은 본 발명의 형광체 제조 방법의 다른 구현예에 있어서, 1차 소성 과정을 통한 변화를 개략적으로 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 형광체 제조 방법의 또 다른 구현예에 있어서, 2차 소성 과정을 통한 형광체 형성 과정을 개략적으로 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 형광체 제조 방법의 개략적인 공정도이다.
도 10은 알칼리 토금속으로 Sr을 사용하고, 산으로 시트릭 산을 사용한 경우를 예로 한 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 형광체 제조 방법의 개략적인 공정도이다.
도 11은 본 발명의 일구현예에 따른 (옥시)나이트라이드 형광체의 SEM 사진을 나타낸다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10… LED 칩 20… 금 와이어
30… 전기 리드선 40… 형광체 조성물
50… 에폭시 몰딩층 60… 성형 몰드
70… 에폭시 돔 렌즈
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1의 (옥시)나이트라이드계 형광체를 제공한다:
<화학식 1>
{M(1-x)Eux}aSibOcNd
상기 식에서,
M은 알칼리 토금속이고,
0<x<1, 1.8<a<2.2, 4.5<b<5.5, 0≤c<8, 0<d≤8 및 0<c+d≤8이다.
상기 화학식 1의 화합물의 예로서 하기 화학식을 예로 들 수 있다:
{M(1-x)Eux}aSibOcNd
상기 식에서,
M은 알칼리 토금속이고,
0<x<1, 1.8<a<2.2, 4.5<b<5.5, 0<c<8, 0<d≤8 및 0<c+d≤8이다.
상기(옥시)나이트라이드 형광체는 포어를 포함할 수 있다.
상기 화학식 1의 (옥시)나이트라이드 형광체는 적색 형광체로서, UV 및 청색 광에 대하여 여기되며, 적색 발광시 고효율을 나타내는 물질이다. 따라서, 상기 화학식 1의 (옥시)나이트라이드 형광체를 포함하는 백색 발광소자는 UV-LED 및 청색-LED를 여기 광원으로서 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 화학식 1의 (옥시)나이트라이드 형광체는 종래 적색 형광체가 가지는 여러 단점들이 효과적으로 개선되는바, 예를 들면, 발광 원소 (activator)가 질소와 결합함으로써 소광 (quenching)과 관련된 열 활성화 에너지 (thermal activation energy)가 매우 커지기 때문에 적색 발광의 열 손실을 줄이게 되어, 적색 발광의 높은 효율을 얻을 수 있다는 점이다. 또한 나이트라이드는 기존의 적색 형광체들이 공기 중 수분에 민감하고, 바인더와 반응하며, 열에 대한 내구성이 약한 문제점들을 모두 해소할 수 있는 물질이기 때문에, 따라서 백색 발광 소자용 적색 형광체로서 매우 유용하다.
따라서 본 발명에 의한 (옥시)나이트라이드 적색 형광체는 UV LED를 광원으로 이용하고 적색, 녹색, 청색을 내는 3개의 형광체를 조합하여 백색을 구현하는 방식 및 청색 LED를 광원으로 사용하여 적색 및 녹색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방식의 백색 발광 소자의 유형에 매우 적합하며, 이러한 백색 발광 소자는 우수한 백색 발광을 구현하면서도, 높은 효율을 구현할 수 있다.
한편, 상기 본 발명에 의한 (옥시)나이트라이드 형광체는 사람의 눈에 대한 민감도가 큰 적색을 구현할 수 있다.
본 발명은 또한 포어를 포함하는 (옥시)나이트라이드 형광체를 제공한다. 상기 형광체 제조 과정에서 활성 질소 N*이 포어 내에 침투하여 나이트라이제이션을 일으키게 되는데, 포어를 포함하여 합성되는 경우 포어를 통하여 원활한 가스 출입이 이루어짐에 따라서 상기 나이트라이제이션 관점에서 볼 때 포어가 형광체 합성 과정상 긍정적인 역할을 수행하는 측면이 있다고 보인다.
상기 본 발명에 의한 (옥시)나이트라이드 형광체가 포어를 포함하는 경우, 상기 포어는 평균 직경이 0.6㎛이고, 바람직하게는, 약 0.2㎛ 내지 0.6㎛이다. 포어의 평균 직경이 0.2㎛ 미만으로 형성되는 경우 N의 함량이 작아질 수 있다. 이는 상기 형광체 제조 과정에서 전술한 바와 같이 활성 질소 N*이 포어 내에 침투하여 나이트라이제이션을 일으키게 되는데, 포어가 작아지게 되면 이러한 작용이 충분하지 않게 되기 때문이다. 또한, 포어의 평균 직경이 0.6㎛ 초과하여 생성되는 경우 형광체의 밀도가 감소하게 되어 발광 강도가 감소되는 문제점이 있을 수 있다.
또한, 상기 포어는 상기 (옥시)나이트라이드 형광체 단면 1 ㎛2당 약 0.01개 이하, 바람직하게는 약 0.005개 내지 약 0.01개를 포함한다. 상기 단위면적당 포어 갯수, 즉 (옥시)나이트라이드 형광체 단면 1 ㎛2당 포어가 0.005개 미만으로 형성되는 경우 N의 함량이 작아질 수 있다. 이 또한, 상기 형광체 제조 과정에서 활성 질소 N*이 포어 내에 침투하여 나이트라이제이션을 일으키게 되는데, 포어가 작아지게 되면 이러한 작용이 충분하지 않게 되기 때문이다. 상기 단위면적당 포어 갯수, 즉 (옥시)나이트라이드 형광체 단면 1 ㎛2당 포어가 0.01개 초과하여 생성되는 경우 형광체의 밀도가 감소하게 되어 발광 강도가 감소되는 문제점이 있을 수 있다.
상기 포어 간의 평균 거리는 약 1㎛ 이상, 바람직하게는, 약 1㎛ 내지 약 3㎛이다. 포어간 평균 거리가 1㎛ 미만으로 형성되는 경우, 형광체의 밀도가 감소하게 되어 발광 강도가 감소되는 문제점이 있을 수 있고, 3㎛ 초과하여 형성되는 경우 N의 함량이 작아질 수 있다. 이 또한, 상기 형광체 제조 과정에서 활성 질소 N*이 포어 내에 침투하여 나이트라이제이션을 일으키게 되는데, 포어가 작아지게 되면 이러한 작용이 충분하지 않게 되기 때문이다.
상기 포어는 여러가지 형태를 가질 수 있는 바, 그 단면이 원형, 타원형, 다각형 등일 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물의 구체예로서는 (Sr1-xEux)aSibOcNd (0<x≤0.1, 1.8<a<2.2, 4.5<b<5.5, 0≤c<8, 0<d≤8 및 0<c+d≤8), 바람직하게는 (Sr1-xEux)2Si5N8 (0<x≤0.1)을 예로 들 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물의 다른 구체예로서는 (Sr1-xEux)2Si5N8 (0<x<1), (Sr1-xEux)1.99Si5N8 (0<x<1), (Ba1-x-ySrxEuy)2Si5N8 (0<x<1, 0<y<1, 및 0<x+y<1), (Sr1-x-yCaxEuy)2Si5N8 (0<x<1, 0<y<1, 및 0<x+y<1), 또는 (Ba0.5Sr1-xCa0.5Eux)Si5N8 (0<x<1).등과 같은 화합물일 수 있다.
본 발명은 또한, UV 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및 상기 본 발명에 따른 (옥시)나이트라이드 적색 형광체를 포함하는 백색 발광 소자를 제공한다.
바람직하게는, 상기 UV-LED는 여기 광원이 자외선, 근자외선 영역의 전자기파이다.
더욱 바람직하게는, 상기 백색 발광 소자에 있어서, 상기 UV LED의 여기 광원의 파장대역이 390 내지 460nm 범위이다.
상기 본 발명에 따른 백색 발광 소자는 청색 형광체 또는 녹색 형광체, 또는 청색 및 녹색 형광체 둘 다를 더 포함할 수 있다.
상기 청색 형광체의 예를 들면, (Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+; BaMg2Al16O27:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2+; BaAl8O13:Eu2+; (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ 및 Sr2Si3O82SrCl2:Eu2+ 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
상기 녹색 형광체의 예를 들면, (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2 +; Ba2MgSi2O7:Eu2 +; Ba2ZnSi2O7:Eu2+; BaAl2O4:Eu2 +; SrAl2O4:Eu2 +; BaMgAl10O17:Eu2 +, Mn2 + ; 및 BaMg2Al16O27:Eu2+,Mn2+ 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 적색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 610 내지 650 nm이다.
바람직하게는, 상기 녹색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 510 내지 560 nm이다.
바람직하게는, 상기 청색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 440 내지 460 nm이다.
또한, 본 발명은 청색 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및 상기 본 발명에 따른 (옥시)나이트라이드 적색 형광체을 포함하는 백색 발광 소자를 제공한다.
바람직하게는, 상기 청색-LED는 여기 광원으로서, 420 내지 480 nm 파장 대역을 갖는다.
상기 본 발명에 따른 백색 발광 소자는 녹색 형광체를 더 포함할 수 있다.
상기 녹색 형광체의 예를 들면, (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2+; Ba2MgSi2O7:Eu2+; Ba2ZnSi2O7:Eu2+; BaAl2O4:Eu2+; SrAl2O4:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+, Mn2+ ; 및 BaMg2Al16O27:Eu2+,Mn2+ 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 적색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 610 내지 650 nm이다.
바람직하게는, 상기 녹색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 510 내지 560 nm이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 LED의 구조를 나타낸 개략도로서, 고분자 렌즈 타입의 표면실장형 LED를 도시한 것이다. 여기에서 고분자 렌즈의 일실시예로서 에폭시 렌즈를 사용한다.
도 1을 참조하여, UV LED 칩 (10)을 금 와이어 (20)를 통하여 전기리드선 (30)과 다이본딩되고, 본 발명에 따른 적색 형광체를 함유하는 형광체 조성물 (40)을 포함하도록 에폭시 몰드층 (50)이 형성되어 있다. 그리고 도 1에서 성형몰드 (60)의 내부는 알루미늄 또는 은으로 코팅된 반사막으로 이루어지며, 이는 다이오드에서 방출된 광을 위로 반사시키는 역할 및 적당량의 에폭시를 가두는 역할을 한다.
상기 에폭시 몰드층 (50) 상부에는 에폭시 돔 렌즈 (70)이 형성되어 있고, 이 에폭시 돔 렌즈 (70)는 원하는 지향각에 따라 모양이 변화될 수 있다.
본 발명의 LED는 도 1의 구조로만 한정되는 것을 의미하는 것은 아니며, 이밖에 다른 구조 예를 들어 LED에 형광체가 실장되는 타입, 포탄형, PCB 타입의 표면 실장형 타입의 구조를 갖는 LED일 수 있다.
한편, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 알칼리 토금속 실리케이트계 형광체는 상술한 LED이외에 수은 램프, 크세논 램프 등과 같은 램프 또는 자발광 액정 표시 소자 (LCD)에도 적용가능하다.
또한, 본 발명은:
(a) 알칼리 토금속 전구체 화합물, Eu 전구체 화합물, 산, Si3N4 분말 및 킬레이트 화합물의 혼합물을 겔 상태를 형성하는 단계;
(b) 상기 혼합물을 건조 및 1차 소성하는 단계; 및
(c) 상기 (b) 단계의 결과물을 분쇄 및 2차 소성하는 단계를 포함하는 형광체 제조 방법을 제공한다.
상기 방법을 본 발명의 일 구현예에 따라 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 알칼리 토금속 전구체 화합물 및 Eu 전구체 화합물의 혼합물을 준비한다. 상기 알칼리 토금속 전구체 화합물은 바람직하게는 Ba 전구체 화합물, Sr 전구체 화합물, Ca 전구체 화합물 등을 사용할 수 있다. Ba 전구체 화합물의 예로서, BaCO3, Ba(NO3)2, BaCl2, BaO 등이 있다. Sr 전구체 화합물의 예로서, SrCO3, Sr(NO3)2, SrCl2, SrO 등이 있다. Ca 전구체 화합물의 예로서, CaCO3, Ca(NO3)2, CaCl2, CaO 등이 있다. 또한, 상기 Eu 전구체 화합물로서, Eu2O3, Eu(NO3)3, EuCl3 등을 사용할 수 있다.
이어서, 상기 알칼리 토금속 전구체 화합물 및 Eu 전구체 화합물의 혼합물을 산에 용해시킨다. 이때 사용할 수 있는 산은 무기산 또는 유기산 등이 널리 쓰일 수있고, 그 예에는, HNO3, HCl, H2SO4, 아세트산, 부티르산, 팔미트산, 옥살산, 타르타르산 등이 있다. 바람직하게는, 상기 산은 0.1 내지 10N의 농도이다.
이어서, 상기 알칼리 토금속 전구체 화합물 및 Eu 전구체 화합물의 혼합물이 용해된 산에 Si3N4 분말을 첨가한다.
이어서, 상기 알칼리 토금속 전구체 화합물, Eu 전구체 화합물의 혼합물이 용해된 산 및 Si3N4 분말의 혼합물에 킬레이트 화합물을 첨가하여 겔 상태를 형성한다. 상기 킬레이트 화합물의 예는 시트르산, 글리신, 유레아, 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA) 등일 수 있다.
상기 킬레이트 화합물을 혼합하게 되면, 하기 반응식에 따라 반응하게 되어 Sr2+-킬레이트 화합물, Eu3+-킬레이트 화합물이 형성된다.
상기 Sr2+-킬레이트 화합물, Eu3+-킬레이트 화합물의 반응 경로를 알칼리 토금속 전구체 화합물로 SrCO3 및 Eu 전구체 화합물로서 Eu2O3를 사용하고, 산으로서 질산을, 킬레이트 화합물로서 시트르산을 사용한 경우를 예로써 설명하면 다음과 같다. 이 경우, 하기 반응식 1과 같은 반응이 일어난다.
<반응식 1>
SrCO3 + Eu2O3 + HNO3 + 시트르산 + Si3N4 → Sr2+-킬레이트 화합물 + Eu3+-킬레이트 화합물 + Si3N4 + NO3 -
보다 상세하게는, 상기 Sr2+-킬레이트 화합물은 먼저 SrCO3이 질산과 반응하여 Sr2+를 형성하고, 이어 시트르산과 반응하여 형성된다.
<반응식 2>
SrCO3 + HNO3 → Sr2+ + NO3 -
Sr2+ + C6H8O7 → "Sr2+-킬레이트 화합물"
이와 같이 형성된 Sr2+-킬레이트 화합물은 도 5에서 도시한 바와 같다.
또한, 상기 Eu3+-킬레이트 화합물도 먼저 Eu2O3이 질산과 반응하여 Eu3+를 형성하고, 이어 시트르산과 반응하여 형성된다.
<반응식 3>
Eu2O3 + HNO3 → Eu3 + + NO3 -
Eu3+ + C6H8O7 → "Eu3+-킬레이트 화합물"
도 6은 상기와 같은 과정으로 형성된 겔 상태의 혼합물을 도식화한 것이다. 도 6에서 Si3N4 사이에 개재된 킬레이트 화합물은 Sr2 +-킬레이트 화합물 및 Eu3 +-킬레이트 화합물이 랜덤하게 분포한 것을 의미한다.
이어서, 상기 겔 상태의 결과물을 건조한 후, 1차 소성한다. 바람직하게는, 상기 소성은 0.5 내지 5시간 동안 300 내지 700℃ 공기 분위기 하에서 수행한다. 이와 같은 1차 소성으로 알칼리 토금속 킬레이트 화합물 및 Eu3+-킬레이트 화합물이 산화되어 알칼리 토금속 산화물 및 Eu2O3이 합성된다. 이와 같이 생성된 알칼리 토금속 산화물은 상기 산화시 같이 발생하는 CO2 및 H2O 가스에 의해서 만들어진 다수의 포어를 갖는다.
도 7은 상기 반응식 1의 예에서 1차 소성 과정을 통한 변화를 개략적으로 도시한 것이다.
이어서, 상기와 같이 1차 소성을 수행하여 얻은 결과물을 분쇄하고, 다시 2차 소성을 수행한다. 이때 바람직하게는 소성은 1300 내지 1700℃에서 10 내지 100 시간 동안 NH3 및/또는 H2/N2 혼합물 가스 분위기 하에서 수행함으로써, 나이트라이드 화합물을 얻을 수 있다.
상기 NH3 및/또는 H2/N2 혼합물 가스 분위기 하에서의 2차 소성 과정을 보다 상세히 설명하면, 먼저, 고온에서 NH3 또는 N2는 분해되어서 활성 질소 N*을 생성한다.
N*은 포어를 통과할 수 있다. 일반적으로 산화물은 상기와 같은 포어를 가지지 않기 때문에 산화물 입자의 표면적이 매우 적은데 반하여, 본 발명의 형광체 제조 과정에서는 포어가 생성되기 때문에 표면적이 매우 넓어지게 된다. 질화 반응은 기체 및 고체의 반응이기 때문에 활성 표면이 넓을수록 더욱 바람직하다. 따라서 본 발명의 형광체 제조 과정에서는 포어가 발생함에 따라 넓은 활성 표면을 제공할 수 있게 되어 질화 반응에 대하여 매우 유리하다.
상기 1차 소성 후 생성된 알칼리 토금속 산화물 및 Eu2O3의 N*와의 질화 반응에 의해 알칼리 토금속 질화물, Eu3N2 (이때, E3+는 E2+로 환원된다)이 생성된다. 앞에서 예의 경우와 같이 상기 알칼리 토금속이 Sr인 경우 알칼리 토금속 질화물은 Sr3N2이다. 이와 같이 생성된 알칼리 토금속 질화물 및 Eu3N2는 공기 중에서는 불안정하지만, 상기 본 발명의 형광체 제조 방법에 따른 환경에서는 안정하다. 이어서, 반응이 계속되면서 나이트라이드 형광체가 제조된다. 역시 상기 알칼리 토금속이 Sr인 경우의 예를 들면, 상기 생성된 나이트라이드 형광체는 (Sr1-xEux)2Si5N8(0<x<1)일 수 있다.
도 8은 지금까지 상술한 2차 소성 과정을 통한 형광체 형성 과정을 알칼리 토금속이 Sr인 경우의 예로 들어 개략적으로 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 형광체 제조 방법의 개략적인 공정도이다.
도 10은 알칼리 토금속으로 Sr을 사용하고, 산으로 시트르산을 사용한 경우를 예로 하여 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 형광체 제조 방법의 개략적인 공정도이다.
선택적으로, 상기와 같이 얻은 결과물은 분쇄 및 소성하는 단계를 반복하여 우수한 결정성을 가지는 나이트라이드 형광체를 얻을 수 있다. 이때 역시 소성은 바람직하게는 1300 내지 1700℃에서 10 내지 100 시간 동안 NH3 및/또는 H2/N2 혼합물 가스 분위기 하에서 수행할 수 있다.
이후, 상기 결과물을 세척하여, 최종 분말 상태의 형광체 결과물을 얻을 수 있다.
도 11은 본 발명의 일구현예에 따른 (옥시)나이트라이드 형광체의 SEM 사진을 나타낸다. 도 11에서 타원으로 표시된 부분은 형광체 입자가 쪼개진 절단면을 나타내며, 상기 절단면에서 포어의 존재를 확인할 수 있다. 따라서 상기 형광체의 내부에 포어가 존재함을 알 수 있다. 상기 도 11로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 (옥시)나이트라이드 형광체는 포어를 가질 수 있고, 상기 포어의 평균 직경은 0.6㎛ 이하이며, 상기 포어의 수는 단위 면적(1㎛2) 당 0.01 이하이고, 상기 포어들 사이의 평균 거리는 1㎛ 이상이며, 상기 포머의 단면적은 원형, 타원형, 사각형, 정사각형, 다각형 등의 형태를 갖는다.
상기 본 발명에 따른 형광체 제조 방법은 특히 나이트라이드 형과체를 제조하는 데에 유리하다. 즉, 종래 기술은 불안정한 일부 나이트레이트를 전구체로서 사용하는바, 글로브 박스와 같이 특별한 장치의 사용이 요구되는 것과 달리, 본 발명에 따른 형광체 제조 방법은 Sr, Ba, Ca, Eu의 각각의 전구체로서 SrCO3, SrO, Sr(NO3)2, SrCl2, BaCO3, BaO, Ba(NO3)2, BaCl2, CaCO3, CaO, Ca(NO3)2, CaCl2, Eu2O3, Eu(NO3)3, EuCl3 등과 같이 카보네이트 또는 옥사이드 등의 매우 안정한 분말을 사용하고, 한편 Si의 전구체는 대기에서 안정한 Si3N4를 사용하므로 글로브 박스와 같은 특별한 장치를 요구하지 않는다.
이와 같이 본 발명에 따른 형광체 제조 방법은 안정한 물질을 출발 물질로 사용하고, 또한 마일드한 공정 조건에서 가능하므로, 상업적으로 응용하기에 매우 적합하다. 즉, 종래 공지된 나이트라이드계 형광체 제조 방법은 고온, 고압의 질소 분위기를 요구하였으나, 상기 본 발명에 따른 나이트라이드 형광체 제조 방법은 이를 모두 해결한 방법이다. 따라서, 고온, 고압의 공정 조건을 조성하고, 또한 이러한 고온, 고압의 공정 조건을 견디기 위하여 특별하게 설비된 장치를 요구하지 않는다.
또한, 본 발명에 따른 나이트라이드 형광체 제조 방법은 환경 문제를 야기하는 물질을 사용하지 않기 때문에, 친환경적이다.
본 발명은 또한, 상기 본 발명에 따른 형광체 제조 방법에 따라서 제조된 나이트라이드 형광체를 제공한다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
SrCO3 5.0g 및 Eu2O3 0.06g을 10% 질산 100cc에 용해하였다. 상기 혼합 용액에 Si3N4 4.0g 을 첨가하였다. 시트르산 4.8 g을 상기 혼합 용액과 섞고 건조시켰다. 상기 건조된 혼합물을 공기분위기 하, 700℃에서 1시간 동안 소성하였다. 이러한 1차 소성은 1 내지 5 시간 동안 수행하는 것이 바람직하다. 소성된 혼합물을 마노 막자 사발을 이용하여 분쇄하였다. 상기 분쇄하여 얻은 분말을 펠렛 형태로 얻은 다음, 이를 알루미나 도가니에 넣고, 이를 전기로 (electrical furnace)에 넣어 탄소와 함께, NH3 분위기에서 3시간 동안 1100℃까지 가열하고, 5% H2 및 95% N2 분위기에서 5시간 동안 1600℃까지 가열한다. 상기 탄소는 나이트라이드 출발물질의 산화를 방지하기 위하여 사용된다. 이렇게 얻은 소결체를 분말로 분쇄하고, 증류수로 세척한 후, 오븐에서 건조하여, 형광체 샘플 1 (Sr0.99Eu0.01)2Si5N8을 얻었다.
실시예 2
출발 물질로서 SrCO3 5.0g 및 Eu2O3 0.12g을 10% 질산 100cc에 용해하여 사용한 것을 제외하고 상기 합성예 1에서와 동일하게 수행하여 형광체 샘플 2 (Sr0.98Eu0.02)2Si5N8을 얻었다.
실시예 3
출발 물질로서 SrCO3 5.0g 및 Eu2O3 0.18g을 10% 질산 100cc에 용해한 뒤, 상기 혼합 용액에 Si3N4 4.1g을 첨가하여 사용한 것을 제외하고 상기 합성예 1에서와 동일하게 수행하여 형광체 샘플 3 (Sr0.97Eu0.03)2Si5N8을 얻었다.
도 2은 형광체 샘플 1의 여기 스펙트럼을 나타낸다. UV에서 청색에 이르는 폭 넓은 영역에서 빛을 흡수하므로 본 발명의 형광체 샘플은 UV LED나 청색 LED 모두에 적용 가능하다.
도 3는 형광체 샘플 1의 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 4는 샘플 1, 2 및 3에 대한 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다. 이로부터 Eu의 Sr에 대한 상대적인 함량이 커질수록 피크 파장이 길어짐을 확인하였다.

Claims (24)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 하기 화학식으로 표시되며 포어 (pore)를 갖는 나이트라이드 형광체:
    {M(1-x)Eux}aSibOcNd
    상기 식에서,
    M은 알칼리 토금속이고,
    0<x<1, 1.8<a<2.2, 4.5<b<5.5, 0≤c<8, 0<d≤8 및 0<c+d≤8이다.
  5. 제4항에 있어서, 상기 화학식의 화합물이 {Sr(1-x)Eux}aSibOcNd (0<x≤0.1, 1.8<a<2.2, 4.5<b<5.5, 0≤c<8, 0<d≤8)인 것을 특징으로 하는 옥시나이트라이드 형광체.
  6. 제4항에 있어서, 상기 화학식의 화합물이 (Sr1-xEux)2Si5N8 (0 < x ≤ 0.1)인 것을 특징으로 하는 나이트라이드 형광체.
  7. 제4항에 있어서, 상기 화학식의 화합물이 (Sr1-xEux)2Si5N8 (0<x<1), (Sr1-xEux)1.99Si5N8 (0<x<1), (Ba1-x-ySrxEuy)2Si5N8 (0<x<1, 0<y<1, 및 0<x+y<1), (Sr1-x-yCaxEuy)2Si5N8 (0<x<1, 0<y<1 및 0<x+y<1) 또는 (Ba0.5Sr1-xCa0.5Eux)Si5N8 (0<x<1)인 것을 특징으로 하는 나이트라이드 형광체.
  8. 제4항에 있어서, 상기 포어는 평균 직경이 0.6㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 나이트라이드 형광체.
  9. 제4항에 있어서, 상기 나이트라이드 형광체 단면 1 ㎛2당 0.01개 이하의 포어 개수를 갖는 것을 특징으로 하는 나이트라이드 형광체.
  10. 제4항에 있어서, 상기 포어 간의 평균 거리가 1㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 나이트라이드 형광체.
  11. 제4항에 있어서, 상기 포어의 단면이 원형, 타원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 나이트라이드 형광체.
  12. 제4항에 있어서, 상기 포어가 상기 형광체의 내부에 존재하는 것인 나이트라이드 형광체.
  13. 삭제
  14. UV 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
    제4항의 나이트라이드 형광체를 포함하는 백색 발광 소자.
  15. 제14항에 있어서, 상기 UV 발광 다이오드가 여기 광원이 자외선, 근자외선 영역의 전자기파인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  16. 제14항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 여기 광원이 390 내지 460nm 범위의 파장 대역을 갖는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  17. 제14항에 있어서, 청색 형광체 및 녹색 형광체 중에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  18. 제17항에 있어서, 상기 청색 형광체는 (Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+; BaMg2Al16O27:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2+; BaAl8O13:Eu2+; (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ 및 Sr2Si3O82SrCl2:Eu2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  19. 제17항에 있어서, 상기 녹색 형광체는 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2+; Ba2MgSi2O7:Eu2+; Ba2ZnSi2O7:Eu2+; BaAl2O4:Eu2+; SrAl2O4:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+, Mn2+ ; 및 BaMg2Al16O27:Eu2+,Mn2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  20. 제17항에 있어서, 상기 제4항에 따른 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 610 내지 650 nm이고, 상기 청색 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 440 내지 460 nm이고, 상기 녹색 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 510 내지 560 nm인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  21. 삭제
  22. 청색 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
    제4항의 나이트라이드 형광체를 포함하는 백색 발광 소자.
  23. 제22항에 있어서, 녹색 형광체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  24. 제14항 또는 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 백색 발광 소자는 신호등, 통신 기기, 디스플레이 장치의 백라이트 또는 조명용인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8773494B2 (en) 2006-08-29 2014-07-08 Microsoft Corporation Techniques for managing visual compositions for a multimedia conference call
JP2009287024A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Samsung Electro Mech Co Ltd （オキシ）ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法
JP2009287027A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Samsung Electro Mech Co Ltd （オキシ）ナイトライド蛍光体、それを含む白色発光素子及び蛍光体の製造方法
US8731152B2 (en) 2010-06-18 2014-05-20 Microsoft Corporation Reducing use of periodic key frames in video conferencing
KR20130098322A (ko) * 2010-08-04 2013-09-04 우베 고산 가부시키가이샤 규질화물 형광체용 질화규소 분말 그리고 그것을 이용한 CaAlSiN3계 형광체, Sr2Si5N8계 형광체, (Sr, Ca)AlSiN3계 형광체 및 La3Si6N11계 형광체, 및 그 제조 방법
KR101225002B1 (ko) * 2010-09-27 2013-01-22 삼성전자주식회사 형광체 및 이의 제조방법
KR101866228B1 (ko) * 2011-09-21 2018-06-11 엘지이노텍 주식회사 산질화물 형광체 및 그를 포함한 발광소자 패키지
KR101449639B1 (ko) * 2013-02-27 2014-10-13 경기대학교 산학협력단 실리콘 산질화물 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광소자
KR101409489B1 (ko) * 2012-02-27 2014-06-18 경기대학교 산학협력단 실리콘 산질화물 형광체 및 이를 포함하는 광소자
WO2013129854A1 (ko) 2012-02-27 2013-09-06 경기대학교 산학협력단 실리콘 산질화물 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광소자
KR101427529B1 (ko) * 2013-06-10 2014-08-08 주식회사 효성 열화 특성이 개선된 옥시나이트라이드계 형광체, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 백색 발광 소자
JP5868542B1 (ja) * 2014-12-12 2016-02-24 大電株式会社 窒化物または酸窒化物を母体とする蛍光体の製造方法、蛍光体、発光素子、及び発光装置
CN109192844A (zh) * 2018-08-30 2019-01-11 合肥工业大学智能制造技术研究院 一种用于视网膜细胞修复与再生的led发光器件及应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005060714A (ja) * 2004-10-27 2005-03-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2005272852A (ja) * 2005-06-06 2005-10-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006169526A (ja) * 2004-12-10 2006-06-29 Lumileds Lighting Us Llc 燐光変換発光装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
SG185827A1 (en) * 2002-03-22 2012-12-28 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
TWI359187B (en) * 2003-11-19 2012-03-01 Panasonic Corp Method for preparing nitridosilicate-based compoun

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005060714A (ja) * 2004-10-27 2005-03-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2006169526A (ja) * 2004-12-10 2006-06-29 Lumileds Lighting Us Llc 燐光変換発光装置
JP2005272852A (ja) * 2005-06-06 2005-10-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

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