KR101371606B1 - 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 식각 조성물 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical group [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910013553 LiNO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M lithium acetate Chemical compound [Li+].CC([O-])=O XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 claims description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims description 2
- OGMZLVFFUHBASK-UHFFFAOYSA-M S(=O)(=O)([O-])O.[Li+].S(=O)(=O)(O)O Chemical compound S(=O)(=O)([O-])O.[Li+].S(=O)(=O)(O)O OGMZLVFFUHBASK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims description 2
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910001386 lithium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 claims description 2
- PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;potassium Chemical compound [K].OP(O)(O)=O PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910000343 potassium bisulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K trilithium;phosphate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]P([O-])([O-])=O TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 31
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LXFUCSMCVAEMCD-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nitric acid;phosphoric acid Chemical compound CC(O)=O.O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O LXFUCSMCVAEMCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKKHQAZXRANTD-UHFFFAOYSA-O [NH4+].[Ce+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [NH4+].[Ce+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DAKKHQAZXRANTD-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- -1 molybdenum ion Chemical class 0.000 description 1
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(TFT-LCD)를 제조하는데 필수적인, 박막 트랜지스터의 게이트, 소스/드레인 전극용 금속층을 식각하는 공정에서 사용되는 습식각 조성물에 대한 것이다. 본 발명의 식각액 조성물은 인산, 질산, 아세트산, 몰리브덴 식각 조절제와 리튬 이온이 함유된 알루미늄 식각 조절제를 포함한다.
본 발명의 식각액 조성물은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴(Mo/AlNd) 이중층 및 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 3중층(Mo/Al/Mo)은 물론 몰리브덴 단일층의 식각에서 언더컷(undercut) 현상을 막아 고른 프로파일(profile)로 금속층을 식각할 수 있는 장점을 지닌다.
식각, 식각 조절제, 혼합산
Description
도 1은 실시예 1의 식각액으로 몰리브덴 단일층(왼쪽) 또는 Mo/AlNd 다중층(오른쪽)을 식각한 결과를 보여주는 전자현미경 사진이다. 양쪽 모두 매끄러운 테이퍼 식각 프로파일임을 알 수 있다.
도 2는 비교예 1의 식각액으로 몰리브덴 단일층(왼쪽) 또는 Mo/AlNd 다중층(오른쪽)을 식각한 결과를 보여주는 전자현미경 사진이다. 몰리브덴층의 식각 속도가 너무 높아져 과다 식각이 일어난 결과 식각 프로파일이 불량하고 Mo/AlNd 다중층(오른쪽)의 경우는 계단형 구조가 생겼다.
도 3은 비교예 2의 식각액으로 몰리브덴 단일층(왼쪽) 또는 Mo/AlNd 다중층(오른쪽)을 식각한 결과를 보여주는 전자현미경 사진이다. 몰리브덴층의 식각 속도가 너무 높아져 과다 식각이 일어난 결과 식각 프로파일이 불량하고 Mo/AlNd 다중층(오른쪽)의 경우는 계단형 구조가 생겼다.
도 4는 비교예 3의 식각액으로 몰리브덴 단일층을 식각한 결과를 보여주는 전자현미경 사진이다. 몰리브덴의 과다 식각이 일어나서 최종 식각 프로파일이 불량함을 알 수 있다.
도 5는 비교예 4의 식각액으로 몰리브덴 단일층을 식각한 결과를 보여주는 전자현미경 사진이다. 몰리브덴의 과다 식각이 일어나서 최종 식각 프로파일이 불량함을 알 수 있다.
도 6은 비교예 5의 식각액으로 Mo/AlNd 다중층을 식각한 결과를 보여주는 전자현미경 사진이다. 알루미늄의 과다 식각이 일어나서 언더컷이 발생함을 알 수 있다.
도 7 내지 9는 실시예 1의 식각액에서 알루미늄 식각 조절제의 종류만 달리하여 식각한 Mo/AlNd 다중층의 전자현미경 사진이다. 도 7은 LiH2PO4, 도 8은 LiOH, 도 9는 LiCl을 식각 조절제로 각각 사용하였는데, 언더컷 현상 없이 우수한 식각 프로파일을 나타냄을 알 수 있다.
액정 표시 소자(liquid crystal display device, LCD device)는 뛰어난 해상 도에 따른 선명한 영상을 제공하며 전기를 적게 소모하고 디스플레이 화면을 얇게 만들 수 있게 하여 준다는 특성 때문에 평판 디스플레이 장치 중 가장 각광을 받고 있다. 오늘날 이러한 액정 표시 소자를 구동하는 전자 회로로서 대표적인 것은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 회로로서 전형적인 박막 트랜지스터 액정표시(TFT-LCD) 장치는 디스플레이 화면의 화소(pixel)를 이루고 있다. TFT-LCD 소자는 스위칭 소자로 작용하는 TFT를 매트릭스 형태로 배열한 TFT 기판과 그 기판을 마주 보는 컬러 필터 기판 사이에 액정 물질을 채운 것이다. TFT-LCD의 전체 제조 공정은 크게 TFT 기판 제조 공정, 컬러 필터 공정, 셀 공정, 모듈 공정으로 나뉘는데 정확하고 선명한 영상을 나타내는 데 있어서 TFT 기판 제조 공정의 중요성은 매우 크다.
통상적인 TFT 기판의 제조는 회로 패턴을 유리 등의 기판 재료 위에 도금(plating)하는 패턴 도금법으로 이루어지는데 패턴 공정의 첫 순서는 게이트(gate) 전극 생성이다. TFT의 게이트 전극용으로는 금속층이 흔히 사용되는데, 이 금속층은 대개 물리적 증착(蒸着 vapor deposition) 방법을 사용하여 기판재 위에 놓이게 된다. 이렇게 놓인 금속층 게이트 전극 위에 빛에 반응하는 감광 물질로 된 절연막(photoresist)을 도포한 뒤 원하는 회로 패턴 형태의 마스크를 덮어 빛에 노출시키면 마스크에 덮인 부분과 빛에 노출된 부분의 감광 물질이 물리화학적 변화를 일으켜 절연막을 후속 단계인 식각(蝕刻 etching)과 박리(薄離 stripping) 단계에서 패턴 모양에 따라 선택적으로 제거할 수 있게 된다.
회로 패턴에 맞추어 TFT 게이트 전극을 형성하는 데는 정밀한 식각 공정이 필수적이다. 게이트 전극의 배선재료로 흔히 사용되는 금속은 몰리브덴(molybdenum, Mo)과 알루미늄(aluminium, Al) 또는 각각의 순수한 금속 또는 그 합금의 조합, 예를 들어 몰리브덴과 알루미늄-네오디뮴(neodymium, Nd)으로 이루어진 이중층이나 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴의 3중층 등의 형태로 도금된다. TFT 기판의 게이트 라인 위로는 많은 박막, 박층이 놓이게 되므로 이들 사이에서 원치않는 전기적 단락이 일어나는 것을 방지하기 위해서는 식각한 기판의 절단 측면, 즉 식각 프로파일(profile)이 고르게 물매지면서 하방으로 퍼지는, 완만한 테이퍼(taper) 형상인 것이 바람직하다. 식각 프로파일이 완만한 테이퍼 형상이 되면 형성된 여러 박막층 사이의 단차가 줄어들기 때문이다. 게이트 금속의 식각 패턴이 균일하고 정밀하지 않을 경우 TFT-LCD 영상의 해상도가 떨어지고 색상이 정확하지 않은 문제를 안게 된다.
TFT 기판의 게이트, 소스(source), 드레인(drain) 전극의 식각 방법에는 크게 건식과 습식의 두 종류가 있는데 건식 식각은 염소(Cl2), 아르곤(Ar), 산소(O2)로 이루어진 플라즈마 상태의 혼합 기체(공정 가스)를 진공 분위기에서 기판에 분사하는 방식이 전형적이며, 습식 식각은 인산(H3PO4), 질산(HNO3)과 아세트산(초산, CH3COOH)의 혼합액을 이용하여 게이트 금속을 산화시켜 깎아낸다.
습식 식각법은 모든 방향으로 고루 식각이 일어나는 등방성 (isotropic) 식각이기 때문에 3μm 이하의 형상을 제조하는 데에는 쓰이지 못하며 식각제(etchant)와 탈이온수(deionized water) 가격이 높다는 단점이 있으나 공정을 위한 설비 투자 비용이 낮고 과 식각 환경에서 고진공을 유지할 필요가 없으며 마스크와 기판에서 식각 선택성이 뛰어나다는 장점을 가진다. 건식 식각법은 비등방성(anisotropic) 식각이 3μm 이하 구조의 식각이 가능하다는 것이 최대 장점이지만, 고가의 진공 장비를 요하며 물리적 건식 식각법은 선택성이 떨어진다는 단점이 있다.
종래 기술에서는 TFT 게이트 전극으로 널리 사용되는 Mo/Al 이중층에 대하여 인산-질산-아세트산 습식 식각을 1회 실시하거나 이러한 습식 식각 후 추가적으로 건식 식각을 실시하였다. 1회 습식 식각만 하는 경우, 하부 금속층인 알루미늄이 몰리브덴층보다 더 많이 식각되는 이른바 언더컷(undercut) 현상이 나타나는 단점이 있는데 몰리브덴층을 마저 식각하기 위하여 건식 식각을 추가하는 경우 테이퍼 형상의 식각 프로파일이 되지만 공정 지연과 비용 상승으로 인한 생산성 저하의 문제가 따랐다. 인산-질산-아세트산 혼합산 식각액은 저렴하지만 다중 금속층에 대하여 고르게 우수한 식각 효과를 가지지 못하는 단점이 있었다. 따라서 LCD 업계에서는 혼합산에 추가 성분을 보태어 이러한 효과를 가지려 했으나, 추가 성분 자체가 고가이거나, 우수한 식각 효과에 따르는 원하지 않는 부작용을 수반하는 경우 가 많았다. 구체적인 예를 들어 대한민국 등록특허 제420100호는 인산-질산-아세트산 식각액에 고가의 첨가제인 불소계 계면활성제와 비실리콘계 소포제(消泡劑 antifoamant)를 보탬으로써 이같은 문제를 해결하려 하였고, 등록특허 제456657호는 산화제인 과염소산(HClO4) 또는 과요오드산(HIO4)를 추가하였으나 이들 산화제는 환경 유해물질이어서 또다른 문제점을 낳게 된다. 등록특허 제598418호는 인산-질산-아세트산 혼합산에 함붕소 화합물과 함불소 화합물을 추가한 조성을 제공하지만 매끄러운 테이퍼 식각을 위해서는 실제로 질산세륨(II)암모늄 같은 고가의 식각조절제를 첨가하여야 하며 불소화합물의 존재가 유리 기판의 손상을 가져올 수 있다.
그동안 혼합산을 기반으로 하면서도, 1회의 습식 식각만으로 다중 금속층 게이트 전극에서 테이퍼 형상의 식각 프로파일을 저렴한 비용으로 얻을 수 있고 혼합 금속층 전극과 소스/드레인 Mo 단일층 전극의 식각에도 공통적으로 사용할 수 있는 식각액에 대한 수요는 꾸준히 있어 왔다. 그러나 종래 기술로는 이러한 수요에 적절히 대처하지 못하여 온 실정이다.
본 발명의 목적은 혼합산을 기반으로 하는 식각액 조성물로서, 저렴하고, 환경 유해물질 등을 포함하지 않으며 완만하고 매끄러운 우수한 테이퍼 식각 프로파일을 가지는 것을 제공하는 데 있다. 본 발명은 혼합산 조성물에 리튬 이온(Li+) 을 포함하는 알루미늄 식각 조절제와 몰리브덴 식각 조절제를 첨가하여 1회의 습식 식각만으로 금속 단일층과 다중층을 효과적으로 테이퍼 식각하며, 불소 화합물을 포함하지 않아 함붕소 화합물 등의 유리 식각 방지제를 첨가할 필요가 없는 식각액 조성물을 얻는 것이 그 목적이다.
1회의 습식 식각으로 Mo/Al 이중층 등 금속 혼합층과 몰리브덴 단일층을 만족스럽게 식각할 수 없다는 이러한 문제점을 인식하여 본 발명자들은 식각 조절제를 포함하는 혼합산 식각액 조성물을 개발하였다.
본 발명은 인산과 질산, 아세트산의 혼합산을 기반으로 하고 여기에 소량의 몰리브덴 식각 조절제와 알루미늄 식각 조절제를 포함하는 것이 특징인 식각액(etchant) 조성물에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 인산 45~70 중량 %, 질산 1.5~6 중량 %, 아세트산 17~30 중량 %, 몰리브덴 식각 조절제 0.1~3 중량 % 및 알루미늄 식각 조절제 0.1~3 중량 %를 갖추고 있으며, 잔부에 해당하는 중량을 물이 차지하는 식각액 조성물이다.
질산은 산화제로서 금속 알루미늄을 산화물인 산화알루미늄(aluminium oxide)으로 변환시키며 몰리브덴을 식각하는 작용을 한다. 본 발명의 식각액에서 질산의 함량은 전체 식각액 중량 대비 1.5~6 중량 %가 적절하다. 식각액 중 질산 의 함량이 상기 범위를 넘는 경우는 몰리브덴의 식각 속도가 커지고 그 결과 불량한 식각 프로파일을 낳게 된다. 이 경우 Mo/AlNd와 Mo/Al/Mo 다중층의 경우는 상부 몰리브덴층이 심하게 파인 계단형 구조의 금속층이 되어 식각 결과가 매우 불량하게 된다. 질산 함량이 상기 범위를 밑돌 때에는 상부 몰리브덴층에 비하여 하부 알루미늄층이 더 많이 깎여나가는 언더컷(undercut) 현상이 일어난다.
인산은 질산에 의하여 형성된 산화알루미늄(aluminium oxide)을 분해하는 역할을 한다. 본 발명의 식각액에서 아세트산의 함량은 전체 식각액 중량 대비 45~70 중량 %가 적절하다. 식각액에서 인산의 함량이 이 함량 범위에 미달할 때에는 소스/드레인 몰리브덴 단일층의 식각 속도가 빨라져, 불량한 에칭 프로파일을 형성한다. 또한 게이트 배선재료인 Mo/AlNd 이중층의 경우, 인산 함량이 부족하면 알루미늄의 식각 속도는 느려지고 상부 몰리브덴층의 식각 속도는 빨라져 계단형 구조의 프로파일을 형성하게 된다. 인산의 함량이 상기 범위를 초과할 때에는 반대로 상부 몰리브덴층이 돌출되는 언더컷 현상이 일어나며, 인산이 가진 점도 때문에 식각액의 점도가 과다하게 되어 식각이 고르게 일어나지 않게 된다.
아세트산은 식각 반응의 속도를 조절하고, 식각액의 점도를 낮추는 역할을 한다. 전극 금속의 산화 반응 속도는 반응 환경의 pH에 크게 좌우되는데, 약산인 아세트산은 pH 완충제로 작용하여 식각액의 pH를 일정하게 유지시키고 식각액의 수명을 늘려 준다. 본 발명의 식각액에서 아세트산의 함량은 전체 식각액 중량 대비 17~30 중량 %가 적절하다. 아세트산의 함량이 상기 범위보다 적을 경우, 완충 효과가 부족하여 식각액의 수명이 짧아지고 식각액의 점도가 늘어나서 식각 균일성(uniformity)이 떨어지게 된다. 아세트산의 함량이 상기 범위를 넘는 경우, 상부 몰리브덴층의 식각 속도가 떨어져서 공정 수율에 문제가 생기고 언더컷이 일어나게 된다.
상기 몰리브덴 식각 조절제는 몰리브덴과 알루미늄 등의 여타 금속으로 이루어진 혼합 금속층은 물론 몰리브덴 단일층에 대해서도 우수한 프로파일로 식각이 되도록 지원하는 성분이다. 몰리브덴 식각 조절제는 식각액내에서 해리가 잘 되는 전해질이며, 전해질 효과를 극대화하기 때문에 포토레지스트와 몰리브덴 사이의 응착력을 감소시킴으로써 소스/드레인 Mo 단일층에서도 우수한 식각 효과를 낳게 한다. 본 발명의 식각액에서 몰리브덴 식각 조절제의 함량은 전체 식각액 중량 대비 0.1~3 중량 %가 적절하다. 몰리브덴 식각 조절제가 이보다 적은 경우는 포토레지스트와 금속층 사이의 계면으로 침투하기 힘들어지기 때문에 테이퍼 형태로 우수한 식각 결과를 얻을 수 없으며, 반대로 이보다 많은 경우에는 몰리브덴 단일층의 식각 속도 저하, Mo/AlNd 또는 Mo/Al/Mo 다중층의 언더컷 현상을 가져온다. 본 발명의 몰리브덴 식각 조절제의 비제한적 예로는 질산칼륨(KNO3), 아세트산칼륨(CH3COOK), 질산암모늄(NH4NO3), 아세트산암모늄(CH3COONH4), 인산2수소칼륨(KH2PO4), 인산2수소암모늄(NH4H2PO4), 황산수소칼륨(KHSO4) 등을 들 수 있다. 본 발명의 한 실시 태양에서는 질산칼륨 또는 아세트산칼륨을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 알루미늄 식각 조절제는 몰리브덴보다 혼합산 환경에서 쉽게 산화하는 알루미늄의 부식 속도를 줄여주는 역할을 한다. 그 결과 Mo/AlNd 또는 Mo/Al/Mo 다중층에서 몰리브덴층과 알루미늄층에서 고루 식각이 일어나 테이퍼 식각 프로파일을 얻을 수 있다. 알루미늄 식각 조절제는 리튬 이온(Li+)을 포함하고 있기 때문에 혼합산 식각액 속에서 몰리브덴층과 알루미늄층 사이에 발생할 수 있는 전위차를 막아 준다. 따라서 두 금속층 사이에서 산화-환원 전지가 형성되는 갈바닉 현상이 차단된다. 본 발명의 식각액에서 알루미늄 식각 조절제의 함량은 전체 식각액 중량 대비 0.1~3 중량 %가 적절하다. 알루미늄 식각 조절제가 상기 함량 범위보다 부족한 식각액으로 에칭을 하게 되면 상부 몰리브덴층이 돌출되는 언더컷 현상이 일어나고, 그보다 과다한 식각액으로 에칭을 하면 상부 몰리브덴층의 과잉 식각이 일어난 계단형 금속층이 남게 된다. 본 발명의 알루미늄 식각 조절제의 비제한적 예로는 질산리튬(LiNO3), 아세트산리튬(CH3COOLi), 인산2수소리튬(LiH2PO4), 황산수소리튬(LiHSO4), 수산화리튬(LiOH), 염화리튬(LiCl), 탄산리튬(Li2CO3) 등을 들 수 있으며, 본 발명의 한 실시 태양에서는 질산리튬과 아세트산리튬을 사용한다.
본 발명의 식각액 조성물이 개시하는 발명의 범위에 상기 나타낸 중량비의 범위 내에 포함된 식각액들이 속함은 물론이나, 비록 조성이 그 중량비 범위의 수치 밖에 있거나, 앞에서 예시로서 보인 일부 성분의 치환이 있더라도 그 변화된 구성이 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 상기 식각액 조성과 실질적으로 균등한 것이 자명하다면 그러한 구성까지도 본 발명의 기술적 사상에 속하는 것이다.
실시예
이하 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 아래 실시예에 나타낸 구성은 어디까지나 발명의 이해를 돕기 위함이며 어떠한 경우에도 본 발명의 기술적 범위를 실시예에서 제시한 실시 태양으로 제한하려는 것이 아님을 밝혀 둔다.
[실험예 1] 실시예와 비교예 식각액의 식각 성능 비교
본 발명의 식각액 조성물에 따른 실시예 1의 식각액을 제조하여 종래 기술상의 비교예 식각액과 성능을 비교하였다. 실시예 1과 비교예 1 내지 5의 조성은 표 1에 나타내었고 모든 %값은 중량비이다.
구 분 |
실시예 | 비교예 | ||||
1 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
인 산 | 55% | 40% | 55% | 55% | 55% | 55% |
질 산 | 3% | 3% | 7% | 3% | 3% | 3% |
아세트산 | 22% | 22% | 22% | 16% | 22% | 22% |
몰리브덴 식각 조절제 (KNO3) | 1% | 1% | 1% | 1% | 0.05% | 1% |
알루미늄 식각조절제 (LiNO3) | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% | 0.05% |
물 | 100 중량 %까지 |
성능 평가를 위하여 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴(Mo/AlNd) 금속 다중층 또는 몰리브덴 단일층이 적층된, 10 cm×10 cm 크기의 기판에 식각액 10 L를 스프레이 순환 방식의 간이 장비(Mini-etcher)로 분사하여 1분 이내에 식각 공정을 수행하고 이어서 1분 동안 물로 세척(DI-H2O rinse)하였다. 식각을 마친 기판을 전자현미경으로 관찰하여 식각 성능을 평가하였다.
본 발명의 성분비에 따른 한 조성으로 제조한 실시예 1의 식각액으로 몰리브덴 단일층(도 1 왼쪽) 또는 Mo/AlNd 금속 다중층(도 1 오른쪽)을 식각하였다. 도 1의 전자현미경 사진에서 몰리브덴 단일층의 포토레지스트 모서리를 기준으로 적절하게 식각이 일어난 것을 알 수 있고, 다중층 식각의 경우, 몰리브덴 상부층이 하부 알루미늄층보다 많이 깎였고 두 금속층의 경사도 적절하여 우수한 테이퍼 형상임을 볼 수 있다.
비교예 1은 인산의 함량이 낮은 식각액 조성물이다. 도 1과 마찬가지로 도 2에 비교예 1로 식각한 몰리브덴 단일층(왼쪽) 또는 Mo/AlNd 금속 다중층(오른쪽)의 전자 현미경 사진을 나타내었다. 인산의 함량이 적어 알루미늄의 식각 속도는 느려지고 반대로 몰리브덴의 산화는 빨라져 상부 몰리브덴층이 과다식각된 계단식 금속층이 나옴을 볼 수 있다. 이러한 식각 결과는 전기적 단락 위험성을 높이므로 TFT-LCD의 화질 저하의 원인이 된다.
비교예 2는 질산의 함량이 과다한 식각액 조성물이다. 도 1과 마찬가지로 도 3에 비교예 2로 식각한 몰리브덴 단일층(왼쪽) 또는 Mo/AlNd 금속 다중층(오른쪽)의 전자 현미경 사진을 나타내었다. 질산의 함량이 많아 몰리브덴의 산화가 빨라져 역시 상부 몰리브덴층이 과다식각된 계단식 금속층이 나옴을 볼 수 있다.
비교예 3은 아세트산의 함량이 부족한 식각액에서 발생할 수 있는 문제점을 보여준다. 비교예 3의 식각액으로 식각한 소스/드레인 몰리브덴 단일층의 전자현미경 사진인 도 4에서 식각된 금속층 기판은 완만한 경사를 보이는 테이퍼 형상이 아니라 경사가 매우 급하기 때문에 식각 프로파일이 불량하다.
비교예 4는 몰리브덴 식각 조절제 함량이 과소할 경우에 나타나는 식각 프로파일을 보여 준다. 이러한 경우 포토레지스트와 금속층 사이의 응착력을 식각액이 줄일 수 없기 때문에 식각 프로파일이 불량해짐을 도 5의 결과로부터 알 수 있다.
비교예 5는 알루미늄 식각 조절제 함량이 과소할 경우에 나타나는 식각 결과를 보여주기 위한 실험이다. 비를 초과하여 과다하게 부가하는 것은 단순히 비용 상승을 가져올 뿐 아니라 오히려 원하는 테이퍼 식각을 얻을 수 없게 만드는 문제점도 동반한다는 점이 분명히 드러난다.
[실험예 2]
식각액의 점도는 고른 식각을 위하여 낮을수록 좋다. 아세트산 함량의 고저에 따른 식각액의 점도를 비교하였다. 표 2에서 실시예 1의 본 발명에 따른 식각액은 아세트산 함량이 본 발명의 범위보다 적은 비교예 3의 식각액보다 점성이 훨씬 낮음을 알 수 있다.
점 도 (상온) | |
실시예 1 | 24.3 cP |
비교예 3 | 38.4 cP |
[실험예 3] 알루미늄 식각 조절제의 종류에 따른 식각 성능 비교
상기 실시예 1과 같은 조성을 가지되 알루미늄 식각 조절제의 종류만 달리하는 세 가지 식각액(표 3 참조)의 식각 성능을 비교하였다.
성 분 |
실시예 | ||
2 | 3 | 4 | |
인 산 | 55% | 55% | 55% |
질 산 | 3% | 3% | 3% |
아세트산 | 22% | 22% | 22% |
몰리브덴 식각 조절제 (KNO3) | 1% | 1% | 1% |
알루미늄 식각조절제 | 1% LiH 2 PO 4 | 1% LiOH | 1% LiCl |
물 | 100 중량%까지 |
도 7 내지 도 9의 전자현미경 사진들로부터 리튬 계열 알루미늄 식각 조절제를 본 발명의 함유 비율로 포함하는 혼합산 식각액은 비교예 5(도 6)처럼 언더컷 식각을 일으키지 않고 우수한 테이퍼 식각 프로파일을 가져다줌을 알 수 있다.
본 발명의 혼합산 식각액으로 습식 식각 공정을 수행하면 고가의 식각 조절제를 사용할 필요가 없어 식각 공정의 비용을 줄일 수 있고, 식각액의 수명 단축을 막고 점도도 낮게 유지할 수 있다. 게다가 환경 유해물질을 사용하지 않고도 완만하며 매끄럽고, 고르고 우수한 테이퍼 식각이 가능하여 화질이 우수한 TFT-LCD를 제조하는데 이바지할 뿐 아니라 식각액 폐기물의 관리면에서도 편리하다. 본 발명의 식각액을 사용하면 1회의 습식 식각만으로 금속 단일층과 다중층을 효과적으로 식각할 수 있다.
Claims (3)
- 인산 45~70 중량 %, 질산 1.5~4 중량 %, 아세트산 17~30 중량 %, 몰리브덴 식각 조절제 0.1~2 중량 % 미만 및 알루미늄 식각 조절제 0.1~3 중량 %를 포함하고 잔부에 해당하는 중량의 물로 이루어지며,상기 몰리브덴 식각 조절제는 질산칼륨(KNO3), 아세트산칼륨(CH3COOK), 질산암모늄(NH4NO3), 아세트산암모늄(CH3COONH4), 인산2수소칼륨(KH2PO4), 인산2수소암모늄(NH4H2PO4) 및 황산수소칼륨(KHSO4)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질이고,상기 알루미늄 식각 조절제는 질산리튬(LiNO3), 아세트산리튬(CH3COOLi), 인산2수소리튬(LiH2PO4), 황산수소리튬(LiHSO4), 수산화리튬(LiOH) 및 탄산리튬(Li2CO3)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070041207A KR101371606B1 (ko) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 식각 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070041207A KR101371606B1 (ko) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 식각 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080096145A KR20080096145A (ko) | 2008-10-30 |
KR101371606B1 true KR101371606B1 (ko) | 2014-03-07 |
Family
ID=40155565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070041207A KR101371606B1 (ko) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 식각 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101371606B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101805187B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2017-12-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 |
KR102368028B1 (ko) * | 2017-03-29 | 2022-02-24 | 동우 화인켐 주식회사 | 이종 금속 다층막 식각액 조성물 및 이를 이용한 배선 형성 방법 |
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KR102503788B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2023-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
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