KR100721755B1 - Wafer slip-out sensing apparatus of chemical mechanical polishing equipment for wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치에 관한 것으로서, 그 주요 구성은 연마패드가 상부면에 부착된 플래튼; 상기 연마패드 상방에 설치되어 연마패드와 접촉된 웨이퍼를 자전 및 공전시키는 웨이퍼 회전장치; 상기 플래튼의 상면에 고정 설치되며, 상기 웨이퍼의 궤적을 벗어난 웨이퍼를 가로막을 수 있도록 상기 웨이퍼의 회전 궤적의 외곽을 감싸는 위치에 설치되는 하우징; 상기 하우징에 설치되고, 상기 하우징의 충격을 감지하는 적어도 하나 이상의 충격센서; 및 상기 충격센서로부터 충격신호를 인가받아 웨이퍼 이탈신호를 출력하는 제어부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며, 위와 같은 구성에 의하여 웨이퍼의 하우징 충돌시 충격량을 감지하여 연마액이나 파티클 등의 오염물질에 의한 오작동을 방지함으로써 장치의 신뢰성을 향상시키고, 캐리어가 아닌 플래튼에 설치되어 공간 활용도가 높으며, 웨이퍼의 이탈시 정확한 충격량을 감지하여 사고 예방을 위한 사후조치를 용이하게 할 수 있게 하는 효과를 가진다.The present invention relates to a wafer departure detection apparatus of a wafer surface polishing apparatus, the main configuration of which is a platen having a polishing pad attached to the upper surface; A wafer rotating device installed above the polishing pad to rotate and revolve the wafer in contact with the polishing pad; A housing fixedly installed on an upper surface of the platen and installed at a position surrounding an outer edge of the rotation trajectory of the wafer so as to block the wafer that is out of the trajectory of the wafer; At least one shock sensor installed in the housing and detecting an impact of the housing; And a controller for receiving a shock signal from the shock sensor and outputting a wafer detachment signal. The above-described configuration detects an impact amount when the wafer collides with the housing, and contaminates a contaminant such as a polishing liquid or a particle. It improves the reliability of the device by preventing malfunctions, and it is installed on the platen rather than the carrier, and has high space utilization, and it has an effect of facilitating the follow-up measures to prevent accidents by detecting the exact impact amount when the wafer is separated. .
플래튼, 웨이퍼, 충격센서, 하우징, 연마패드 Platen, Wafer, Impact Sensor, Housing, Polishing Pad
Description
도 1은 종래의 웨이퍼 표면연마장비를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a conventional wafer surface polishing equipment.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치를 나타내는 사시도이다.Figure 2 is a perspective view showing a wafer departure detection device of the wafer surface polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 평면도이다.3 is a plan view of FIG. 2.
도 4는 도 2의 부분 측단면도이다.4 is a partial side cross-sectional view of FIG. 2.
도 5는 도 4의 A부분 확대도이다.5 is an enlarged view of a portion A of FIG. 4.
(도면의 주요한 부호에 대한 설명)(Description of Major Symbols in the Drawing)
1: 웨이퍼 2: 연마패드1: wafer 2: polishing pad
3: 플래튼 4: 웨이퍼 회전장치3: platen 4: wafer rotator
5: 캐리어 6: 스핀들5: carrier 6: spindle
10: 웨이퍼 이탈 감지장치 20: 하우징10: Wafer departure detection device 20: Housing
30: 충격센서 31: 스트레인 게이지30: shock sensor 31: strain gage
32: 이너링 33: 볼트32: inner ring 33: bolt
34: 우레탄 35: 실리콘34: urethane 35: silicone
40: 제어부 50: 표시부40: control unit 50: display unit
100: 웨이퍼 표면연마장비100: wafer surface polishing equipment
본 발명은 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 표면 연마시 웨이퍼의 이탈 및 이탈된 방향을 감지하여 신속한 사후조치와 재발을 방지할 수 있게 하는 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer departure detection apparatus for a wafer surface polishing apparatus, and more particularly, a wafer surface polishing apparatus that detects a wafer departure and departure direction when polishing a surface of a wafer to prevent rapid follow-up and recurrence. It relates to a wafer departure detection device of.
일반적으로 반도체 웨이퍼 공정은, 실리콘을 주원료로 하는 웨이퍼의 표면 다층으로 반도체 소자를 형성하도록 이온주입 공정, 막 증착 공정, 확산공정, 사진공정, 표면 연마공정, 세정 공정 등과 같은 다수의 공정들로 이루어진다.In general, a semiconductor wafer process includes a plurality of processes such as an ion implantation process, a film deposition process, a diffusion process, a photo process, a surface polishing process, and a cleaning process to form a semiconductor device on a surface multilayer of a wafer mainly made of silicon. .
이러한 공정들 중에서 표면 연마공정을 수행하는 웨이퍼 표면연마장비는, 일반적으로 기계적 연마 및 연마액에 의한 화학적 반응작용을 통해 웨이퍼 표면의 다수 배선층간 단차를 제거하여 고정밀 평탄화작업을 수행하는 화학-기계적 표면연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing )장비가 널리 사용되고 있다.Among these processes, the wafer surface polishing equipment which performs the surface polishing process is generally a chemical-mechanical surface which performs high-precision planarization by removing the step between a plurality of wiring layers on the wafer surface through mechanical polishing and chemical reaction action by the polishing liquid. Chemical Mechanical Polishing (CMP) equipment is widely used.
이러한 상기 웨이퍼 표면연마장비는, 도 1에 도시된 바와 같이, 연마패드(2)가 부착된 플래튼(3) 및 상기 연마패드(2) 상방에 설치되어 연마패드(2)와 접촉된 웨이퍼(1)를 자전 및 공전시키는 웨이퍼 회전장치(4)를 구비하여 이루어지는 구성으로서, 상기 웨이퍼 회전장치(4)는, 웨이퍼(1)를 파지하여 자전시키는 캐리어(5)와, 상기 캐리어(5)를 공전시키는 스핀들(6)을 구비하여 이루어지는 구성이다.As shown in FIG. 1, the wafer surface polishing apparatus includes a
따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 웨이퍼 표면연마장비(100)는, 상기 웨이퍼(1)가 상기 플래튼(3)에 의해 지지되는 연마패드(2)에 접촉되고, 접촉된 웨이퍼(1)가 상기 캐리어(5)에 의해 자전을 하는 동시에 상기 스핀들(6)에 의해 공전을 하면서 상기 연마패드(2)와 접촉된 웨이퍼(1)의 표면을 연마할 수 있는 것이다.Accordingly, as shown in FIG. 1, the conventional wafer
그러나, 이러한 종래의 웨이퍼 표면연마장비(100)는, 상기 웨이퍼(1)가 자전과 동시에 공전을 하면서 고속으로 회전하는 것으로서, 고속 회전시 발생되는 원심력에 의해 상기 웨이퍼(1)가 상기 캐리어(5)로부터 이탈되는 웨이퍼 이탈 현상, 즉, 슬립 아웃(slip-out) 현상이 발생되고, 이러한 웨이퍼(1)의 이탈을 감지할 수 있는 장치가 미비하여 웨이퍼(1) 이탈 현상 후에도 웨이퍼 표면연마장비(100)의 가동이 계속되거나 작업자가 사후처리를 신속하게 하지 못하여 웨이퍼(1)의 가공 불량이 가중되거나 심지어 웨이퍼 표면연마장비(100) 및 기타 주변 장비들에게 악양향을 끼치게 되는 문제점이 있었다.However, in the conventional wafer
한편, 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 종래에는 캐리어(5) 내부에 웨이퍼(1)의 유무를 감지할 수 있는 반사광 감지센서(도시하지 않음) 등을 부착하여 웨이퍼(1)가 캐리어(5)의 정위치에 파지되어 있는지 여부를 판단하는 웨이퍼 이탈 감지장치(도시하지 않음)가 개발되었으나, 이러한 종래의 캐리어 설치형 웨이퍼 이탈 감지장치는, 첫째로, 연마액이나 파티클 등의 오염물질에 의하여 반사광이 난반사를 일으키는 경우, 웨이퍼(1)의 이탈을 감지하지 못하는 등 신뢰성이 떨어지고, 반사광 감지센서의 신뢰성을 높이기 위해 감지센서의 크기를 크게 하는 등 공 간 활용도가 떨어지는 문제점이 있었다.On the other hand, in order to solve such a conventional problem, conventionally, the wafer 1 is attached to the carrier 5 by attaching a reflected light sensor (not shown) that can detect the presence or absence of the wafer 1 inside the carrier 5. Although a wafer departure detection device (not shown) has been developed to determine whether the wafer is held in place, a conventional carrier-mounted wafer departure detection device has, firstly, reflected light caused by contaminants such as polishing liquid or particles. In the case of the diffuse reflection, there is a problem that the reliability of the wafer 1 is not detected, such as the detection of the deviation of the wafer 1, and the space utilization is reduced, such as increasing the size of the detection sensor in order to increase the reliability of the reflected light sensor.
둘째로, 캐리어가 자전과 동시에 공정을 하기 때문에 이탈된 웨이퍼(1)가 어느 방향으로 이탈되었는지를 판단하는 것이 불가능하여 방향성 예측이 불가능하고, 사후조치시 재발방지를 위한 정확한 수리 정보를 얻기 어렵다는 문제점이 있었다. Secondly, because the carrier performs the process simultaneously with the rotation, it is impossible to determine in which direction the wafer 1 has escaped, so it is impossible to predict the direction, and it is difficult to obtain accurate repair information for preventing recurrence during the follow-up. There was this.
셋째로, 종래의 웨이퍼 이탈 감지장치는, 감지센서의 기능유지를 위하여 주기적인 세척이 필요하고, 이를 위해 유지 보수시 시간과 비용이 낭비되는 문제점이 있었다.Third, the conventional wafer departure detection apparatus requires periodic cleaning to maintain the function of the detection sensor, and there is a problem in that time and cost are wasted during maintenance.
넷째로, 종래의 웨이퍼 이탈 감지장치는, 이탈된 웨이퍼(1)가 고속으로 비산하여 장비의 내벽과 충돌하거나 다른 장비와 충돌하거나 웨이퍼(1)가 파손되는 것을 방지할 수 없었던 문제점이 있었다.Fourthly, the conventional wafer departure detection apparatus has a problem in that the separated wafer 1 is scattered at high speed so that it cannot prevent the inner wall of the equipment from colliding with another equipment or the wafer 1 from being damaged.
다섯째로, 종래의 웨이퍼 이탈 감지장치는, 웨이퍼(1)의 위치 이탈만을 감지할 뿐, 웨이퍼(1)의 이탈시 충격량을 감지할 수 없어서 사고 예방을 위한 사후조치가 어려웠었던 문제점이 있었다.Fifthly, the conventional wafer departure detection apparatus only detects the positional deviation of the wafer 1 and cannot detect the amount of impact when the wafer 1 is separated, so that a post-action for preventing an accident was difficult.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 하우징 충돌시 충격량을 감지하여 연마액이나 파티클 등의 오염물질에 의한 오작동을 방지함으로써 장치의 신뢰성을 향상시키고, 캐리어가 아닌 플래튼에 설치되어 공간 활용도가 높으며, 이탈된 웨이퍼의 실제 충돌 방향을 판단하여 방향성 예측은 물론, 사후조치시 재발방지를 위한 정확한 수리 정보를 얻을 수 있고, 연마패드의 세정과 동시에 하우징과 충격센서가 동시에 세정되므로 별도의 세척과정이 불필요하여 유 지 보수시 시간과 비용을 절감할 수 있으며, 이탈된 웨이퍼가 플래튼의 외부로 비산되는 것을 방지하여 다른 장비와의 충돌이나 웨이퍼 파손을 방지할 수 있고, 웨이퍼의 이탈시 정확한 충격량을 감지하여 사고 예방을 위한 사후조치를 용이하게 할 수 있게 하는 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치를 제공함에 있다.An object of the present invention to solve the above problems, by detecting the impact amount during the impact of the housing of the wafer to prevent malfunction due to contaminants such as polishing liquid or particles to improve the reliability of the device, to the platen rather than the carrier Installed space utilization is high, judging the actual impact direction of the separated wafer can be obtained not only to predict the direction, but also accurate repair information to prevent recurrence during follow-up measures, and the housing and the impact sensor at the same time cleaning the polishing pad This eliminates the need for a separate cleaning process, which saves time and money during maintenance, and prevents the separated wafer from scattering outside of the platen, preventing collision with other equipment or wafer breakage. A web that senses the exact amount of impact upon departure and facilitates follow-up to prevent accidents. Is the spread of the wafer surface polishing equipment exits sensing device to provide.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치는, 연마패드가 상부면에 부착된 플래튼; 상기 연마패드 상방에 설치되어 연마패드와 접촉된 웨이퍼를 자전 및 공전시키는 웨이퍼 회전장치; 상기 플래튼의 상면에 고정 설치되며, 상기 웨이퍼의 궤적을 벗어난 웨이퍼를 가로막을 수 있도록 상기 웨이퍼의 회전 궤적의 외곽을 감싸는 위치에 설치되는 하우징; 상기 하우징에 설치되고, 상기 하우징의 충격을 감지하는 적어도 하나 이상의 충격센서; 및 상기 충격센서로부터 충격신호를 인가받아 웨이퍼 이탈신호를 출력하는 제어부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Wafer deviation detection device of the wafer surface polishing apparatus of the present invention for achieving the above object, the polishing pad is attached to the upper surface; A wafer rotating device installed above the polishing pad to rotate and revolve the wafer in contact with the polishing pad; A housing fixedly installed on an upper surface of the platen and installed at a position surrounding an outer edge of the rotation trajectory of the wafer so as to block the wafer that is out of the trajectory of the wafer; At least one shock sensor installed in the housing and detecting an impact of the housing; And a controller configured to receive a shock signal from the shock sensor and output a wafer departure signal.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 하우징은 상기 연마패드 주위에 상기 연마패드와 소정 간격으로 이격 설치되는 소정 높이의 단턱을 갖는 링형상인 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the housing is preferably a ring shape having a step of a predetermined height spaced apart from the polishing pad at a predetermined interval around the polishing pad.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 충격센서는, 하우징에 900 간격으로 각각 등각 배치되고, 하우징의 충격시 변위를 감지하여 충격량을 산출할 수 있는 스트레인 게이지인 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the impact sensor is preferably arranged in the housing at intervals of 90 0 , respectively, and is a strain gauge that can calculate the impact amount by detecting the displacement during the impact of the housing.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 스트레인 게이지는, 상기 하우징의 이너링과 센서 하우징 사이에 형성되는 중공부에 착탈가능하도록 설치되고, 상기 중공부는 우레탄 몰딩으로 충전되며, 상기 하우징의 이너링과 센서 하우징 사이의 나머지 틈새는 실리콘 충진되는 것이 가능하다.In addition, according to the present invention, the strain gauge is installed to be detachable to the hollow portion formed between the inner ring of the housing and the sensor housing, the hollow portion is filled with urethane molding, the inner ring of the housing and the sensor housing The remaining gap in between can be filled with silicon.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 제어부는, 상기 하우징에 900 간격으로 각각 등각 배치된 충격센서로부터 충격량을 인가받아 각각의 충격센서에서 측정된 충격량의 차이값을 이용하여 웨이퍼의 이탈 방향을 계산하고, 계산된 웨이퍼 이탈 방향 신호를 출력하는 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the control unit receives an impact amount from each of the shock sensors disposed at 90 0 intervals in the housing, and calculates a deviation direction of the wafer using the difference value of the impact amount measured at each impact sensor. It is preferable to output the calculated wafer departure direction signal.
한편, 본 발명의 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치는, 상기 제어부로부터 웨이퍼 이탈신호를 인가받아 이를 경광, 경음 및 기타 신호로 표시하는 표시부;를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.On the other hand, the wafer departure detection device of the wafer surface polishing apparatus of the present invention, the display unit for receiving a wafer departure signal from the control unit to display it as a warning, beep and other signals;
이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a wafer deviation detecting apparatus for a wafer surface polishing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 표면연마장비(100)의 웨이퍼 이탈 감지장치(10)는, 연마패드(2)가 부착된 플래튼(3) 및 상기 연마패드(2) 상방에 설치되어 연마패드(2)와 접촉된 웨이퍼(1)를 자전 및 공전시키는 웨이퍼 회전장치(4)를 구비하여 이루어지는 웨이퍼 표면연마장비에 설치되는 것으로서, 상기 웨이퍼 회전장치(4)로부터 이탈된 웨이퍼(1)를 감지할 수 있도록 크게 하우징(20)과, 충격센서(30) 및 제어부(40)를 포 함하여 이루어지는 구성이다.First, as shown in Figures 2, 3 and 4, the wafer
여기서, 상기 하우징(20)은, 상기 웨이퍼(1)의 궤적을 벗어난 웨이퍼(1)를 가로막을 수 있도록 상기 웨이퍼(1)의 회전 궤적의 외곽을 감싸는 위치에 설치되는 것으로서, 상기 플래튼(3) 상면에 고정 설치되고, 상기 연마패드(2) 주위에 상기 연마패드(2)와 소정 간격으로 이격 설치되는 소정 높이의 단턱을 갖는 링형상인 것이 바람직하다.Here, the
또한, 상기 충격센서(30)는, 상기 하우징(20)에 설치되고, 상기 하우징(20)의 충격을 감지하는 것으로서, 상기 하우징(20)의 동서남북 90도 간격으로 등각 배치되고, 하우징(20)의 충격시 변위를 감지하여 충격량을 산출할 수 있는 도 5의 스트레인 게이지(31)(strain-gauge)인 것이 바람직하다.In addition, the
여기서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 스트레인 게이지(31)는, 상기 하우징(20)의 이너링(32)(Inner ring)과 센서 하우징(20) 사이에 형성되는 중공부에 볼트(33)로 착탈가능하도록 설치되고, 상기 중공부는 내부에 오염물질이 침투되는 것을 방지할 수 있도록 우레탄(34)이 몰딩으로 충전되며, 상기 하우징(20)의 이너링(32)과 센서 하우징(20) 사이의 나머지 틈새는 실리콘(35) 충진되는 것이 바람직하다.Here, as shown in FIG. 5, the
또한, 상기 제어부(40)는, 상기 충격센서(30)로부터 충격신호를 인가받아 웨이퍼(1) 이탈신호를 출력하는 것으로서, 상기 하우징(20)의 동서남북에 각각 설치된 충격센서(30)들로부터 충격량을 인가받아 각각의 충격센서(30)에서 측정된 충격량의 차이값을 이용하여 웨이퍼(1)의 이탈 방향을 계산하고, 계산된 웨이퍼 이탈 방향 신호를 출력하는 것이다.In addition, the controller 40 receives the impact signal from the
예를 들어, 만약 동쪽에 위치한 충격센서(30)와 남쪽에 위치한 충격센서(30)에서 동시에 동일한 충격량이 검출된다면 상기 웨이퍼(1)의 이탈방향은 동남쪽이 되는 것을 알 수 있고, 이렇게 각 충격센서(30)들에서 검출되는 차이값을 이용하여 상기 웨이퍼(1)의 이탈 방향을 정확하게 산출할 수 있도록 프로그램되는 것이 바람직하다.For example, if the same impact amount is detected at the same time from the
한편, 본 발명의 웨이퍼 표면연마장비(100)의 웨이퍼 이탈 감지장치(10)는, 상기 제어부(40)로부터 웨이퍼 이탈신호를 인가받아 이를 경광, 경음 및 기타 신호로 표시하는 표시부(50)를 더 포함하여 이루어질 수 있는 것이다.On the other hand, the wafer
이러한 상기 표시부(50)는, 경광등이나 경음 부저나 스피커나 기타 CRT, LED, LCD, 모니터 등 매우 다양한 종류의 표시부(50)가 적용될 수 있다.The display unit 50 may be applied to a variety of display units 50, such as a warning light, a buzzer, a speaker or other CRT, LED, LCD, monitor.
따라서, 웨이퍼(1)의 연마작업시 캐리어(5)로부터 웨이퍼(1)가 이탈되어 상기 하우징(20)에 충돌하면, 상기 제어부가 상기 하우징(20)의 동서남북 방향에 설치된 상기 충격센서(30)의 일종인 스트레인 게이지(31)로부터 상기 하우징(20)의 충격량을 감지하여 웨이퍼(1)의 이탈을 감지하는 동시에 웨이퍼(1)의 이탈 방향까지 감지함으로써 신속한 사후 조치가 가능함은 물론, 재발을 방지할 수 있도록 원인이 되는 부품을 정확하게 찾아 수리하거나 성능을 유지할 수 있게 하는 것이다.Therefore, when the wafer 1 is separated from the carrier 5 during the polishing operation of the wafer 1 and collides with the
이 때, 상기 충격센서(30)는 종래의 반사광센서에 비하여 연마액이나 파티클이나 이물질로부터 영향을 적게 받기 때문에 웨이퍼(1) 이탈 감지의 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 연마패드(2)의 세정시 상기 하우징(20)과 충격센서(30)의 세척이 동 시에 이루어져서 유지 및 보수에 소요되는 비용과 시간을 크게 절감할 수 있는 것이다.At this time, since the
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상을 해치지 않는 범위 내에서 당업자에 의한 변형이 가능함은 물론이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and of course, modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention.
예컨대, 본 발명의 실시예에서는 충격센서(30)가 스트레인 게이지(31)로 국한된 듯이 보이나 이외에도 각종 충격센서가 적용될 수 있고, 충격센서(30)의 설치 개수 역시 동서남북 4개인 것 이외에도 1개, 2개, 3개, 6개, 8개 등 매우 다양하게 설치되는 것이 가능한 것이다.For example, in the embodiment of the present invention, the
따라서, 본 발명에서 권리를 청구하는 범위는 상세한 설명의 범위 내로 정해지는 것이 아니라 후술되는 청구범위와 이의 기술적 사상에 의해 한정될 것이다. Therefore, the scope of the claims in the present invention will not be defined within the scope of the detailed description, but will be defined by the following claims and the technical spirit thereof.
이상에서와 같이 본 발명의 웨이퍼 표면연마장비의 웨이퍼 이탈 감지장치에 의하면, 웨이퍼의 하우징 충돌시 충격량을 감지하여 연마액이나 파티클 등의 오염물질에 의한 오작동을 방지함으로써 장치의 신뢰성을 향상시키고, 캐리어가 아닌 플래튼에 설치되어 공간 활용도가 높으며, 이탈된 웨이퍼의 실제 충돌 방향을 판단하여 방향성 예측은 물론, 사후조치시 재발방지를 위한 정확한 수리 정보를 얻을 수 있고, 연마패드의 세정과 동시에 하우징과 충격센서가 동시에 세정되므로 별도의 세척과정이 불필요하여 유지 보수시 시간과 비용을 절감할 수 있으며, 이탈된 웨이퍼가 플래튼의 외부로 비산되는 것을 방지하여 다른 장비와의 충돌이나 웨이퍼 파손을 방지할 수 있고, 웨이퍼의 이탈시 정확한 충격량을 감지하여 사고 예방을 위한 사후조치를 용이하게 할 수 있게 하는 효과를 갖는 것이다.As described above, according to the wafer detachment detection apparatus of the wafer surface polishing apparatus of the present invention, by detecting the impact amount during the impact of the wafer housing, it prevents the malfunction due to contaminants such as polishing liquid or particles, thereby improving the reliability of the apparatus, and It is installed on the platen rather than the platen, and the space utilization is high, and the actual collision direction of the detached wafer can be judged to obtain the correct orientation information as well as accurate repair information to prevent recurrence during the follow-up. As the impact sensor is cleaned at the same time, a separate cleaning process is unnecessary, which saves time and cost during maintenance, and prevents the separated wafer from scattering outside of the platen to prevent collision with other equipment or wafer breakage. It is possible to detect the exact amount of impact when the wafer leaves, and follow up to prevent accidents. It will have the effect that can be less than it.
Claims (6)
Priority Applications (1)
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KR1020060051352A KR100721755B1 (en) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Wafer slip-out sensing apparatus of chemical mechanical polishing equipment for wafer |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020060051352A KR100721755B1 (en) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Wafer slip-out sensing apparatus of chemical mechanical polishing equipment for wafer |
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KR19980018533A (en) * | 1996-08-09 | 1998-06-05 | 헨넬리 헬렌 에프 | Method and apparatus for controlling the flatness of a polished semiconductor wafer |
KR19990006376A (en) * | 1997-06-17 | 1999-01-25 | 마에다 시게루 | Polishing device |
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KR20050096446A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | 삼성전자주식회사 | Chemical mechanical polishing apparatus |
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2006
- 2006-06-08 KR KR1020060051352A patent/KR100721755B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
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