KR100450027B1 - 고온 전처리부를 구비한 탄소나노튜브의 합성장치 - Google Patents
고온 전처리부를 구비한 탄소나노튜브의 합성장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고온 전처리부를 구비한 탄소나노튜브 합성장치에 관한 것으로서, 액상 또는 고상의 촉매금속 전구체와 황 전구체를 기상의 상태로 변환시키는 기상부; 기상의 탄화수소 화합물, 촉매금속 전구체 및 황 전구체를 공급하는 공급부; 700 내지 1200 ℃로 설정되어 있어서 탄소나노튜브의 합성반응이 일어나는 반응부; 상기 공급부에 인접하도록 상기 반응부내에 위치하고, 반응부보다 고온인 범위에서 1000 내지 1700℃로 설정되어 있어서, 공급된 탄화수소 화합물 등의 분해반응 및 나노금속입자의 생성반응이 일어나는 고온 전처리부; 및, 반응 생성물을 배출시키기 위한 배출부를 포함하는 것으로 구성되어있다.
본 발명의 장치에 따르면, 단층 탄소나노튜브 및 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브를 고수율로 합성할 수 있으며, 탄화수소 화합물의 공급도 분당 10 ℓ 이상으로 늘릴 수 있으므로, 매우 간단하고도 저렴한 비용으로 다층 및 단층 탄소 나노튜브를 대량 합성할 수 있다.
Description
본 발명은 고온 전처리부를 구비한 탄소나노튜브 합성장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 반응물의 공급부에 인접한 합성 반응부의 내부에 반응 가스들의 분해와 금속 클러스터의 생성이 일어나는 고온 전처리부가 부설되어있어서, 반응부에서 단층 탄소나노튜브 또는 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브가 합성될 수 있는 장치를 제공한다.
단층 탄소나노튜브는, 직경이 5 ㎚ 이내이고 길이가 수 마이크로에서 수백 마이크로에 이를 정도로, 구조의 비등방성이 크다. 그리고, 직경에 따라서 도체 또는 반도체 성질을 가진다. 한편, 다층 탄소나노튜브는 직경이 수 ㎚ 내지 수백 ㎚로써, 직경에 상관없이 대부분 도체인 성질을 가진다.
이런 탄소나노튜브는 역학적으로도 견고하고(강철의 100 배 정도), 화학적인 안정성도 뛰어나며, 열전도도가 높고, 속이 비어있는 특성을 가진다. 이러한 탄소나노튜브를 전자파 차폐, 전기화학적 저장장치(2차 전지, 연료 전지 또는 수퍼 캐패시터)의 전극, 전계 방출 디스플레이, 전자 증폭기, 또는 가스 센서 등에 적용하는 연구가 활발이 진행되고 있다. 탄소나노튜브는 그것의 직경이 작을수록 전체 표면적이 넓으므로, 직경이 상대적으로 작은 탄소나노튜브는 상기에 언급한 대부분의 응용 분야(이차 전지, 연료전지, 수퍼캐패시터, 가스센서, 전자파 차폐등)에 바람직하다. 따라서, 이러한 탄소나노튜브의 응용 기술이 실용화되기 위해서는 직경이 작은 탄소나노튜브를 고순도 및 대량으로 합성할 수 있어야 한다.
현재, 탄소나노튜브를 합성하는 방법으로는, 아크 방전을 이용하는 방법, 레이저를 이용하는 방법, 열 및 화학 기상 증착법 등이 있으며, 이들 방법은 고순도의 제품을 제공하기는 하지만, 반응물의 연속적인 공급이 어려워 대량으로 탄소나노튜브를 합성하지 못하는 단점이 있다. 이외에, 반응로 내에서 탄소수소 화합물을 열분해하여 기상으로 탄소나노튜브를 합성하는 방법인 기상 합성법이 개발되어 있는데, 대량 생산에 유리한 장점은 있지만, 합성되는 탄소나노튜브의 직경이 50 ㎚ ~ 1 ㎛에 이를 정도로 크고 이를 수십 ㎚ 이하로 조절하기가 어려운 단점이 있다.
예를 들어, 유기금속 화합물과 탄화수소 화합물 및 수소 가스를 사용하여 600 ~ 1300℃에서 탄소나노튜브를 합성하는 미국특허 제4,578,813호, 이산화탄소, 벤젠 및 Fe(CO)5를 열분해하고 반응로에 알루니마, 지르코니아와 같은 무기물을 주입하는 탄소나노튜브를 합성하는 미국특허 제5,102,647호, 압력을 0 내지 100 psi로 하여 일산화탄소 및 수소 가스와 몰리브덴과 코발트를 포함하는 유기금속 화합물을 반응로에 주입하여 탄소나노튜브를 합성하는 WO 99/06618호 등은, 합성되는 탄소나노튜브의 직경이 50 ㎚ 이상으로서 매우 크거나 또는 비정질 탄소입자의 생성이 증가하는 문제점을 가지고 있다.
한편, 이들의 개선된 방법으로서 한국특허출원 공개 제2002-009875호는, 주입구측에 인접한 저온영역과 배출구측에 인접한 고온영역으로 이루어진 수직형 반응로의 내부에 분사기를 설치하고 외부에 유량 조절기를 설치한 합성장치를 제공하고 있는데, 이러한 장치를 통해 상기 특허들에 비해 작은 직경의 탄소나노튜브를 합성할 수는 있지만, 그것의 실시예에서 볼 수 있는 바와 같이, 합성된 탄소나노튜브의 평균 직경이 35 ㎚로서, 5 ㎚ 이하의 직경을 갖는 단층 탄소나노튜브나 적어도 30 ㎚ 이하의 직경을 가지는 다층 탄소나노튜브를 대량으로 생산할 수 없다.
따라서, 본 발명은 이러한 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 일거에 해결하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명의 목적은, 공급부에 인접한 반응부의 내부에 적어도 1000℃ 이상의 고온 전처리부를 위치시켜 상기 반응부에서 단층 탄소나노튜브 또는 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브를 대량으로 합성할 수 있는 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 탄소나노튜브 합성장치의 모식도이고;
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 탄소나노튜브 합성장치의 고온 전처리부의 모식도이고;
도 3은 실시예 1에서 합성된 탄소나노튜브의 전자현미경 사진이고;
도 4는 실시예 2에서 합성된 탄소나노튜브의 전자현미경 사진이고;
도 5는 실시예 2에서 합성된 탄소나노튜브의 라만 스펙트로스코피이다.
도면의 주요 부호에 대한 설명
100 : 탄소나노튜브 합성장치
200 : 주입구
300 : 버퍼가스 주입구
400 : 반응기
500 : 고온 전처리부
600 : 배출부
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 합성장치는,
액상 또는 고상의 촉매금속 전구체와 황 전구체를 기상의 상태로 변환시키는 기상부;
기상의 탄화수소 화합물, 촉매금속 전구체 및 황 전구체를 공급하는 공급부;
700 내지 1200℃로 설정되어 있어서 탄소나노튜브의 합성반응이 일어나는 반응부;
상기 공급부에 인접하도록 상기 반응부내에 위치하고, 반응부보다 고온이 범위에서 1000 내지 1700℃로 설정되어 있어서, 공급된 탄화수소 화합물 등의 분해반응 및 나노금속입자의 생성반응이 일어나는 고온 전처리부; 및,
반응 생성물을 배출시키기 위한 배출부;를 포함하는 것으로 구성되어있다.
따라서, 기상의 상태로 공급부를 통해 주입되는 탄화수소 화합물 등은, 우선 고온 전처리부에서, 탄화수소 화합물이 분해되고, 촉매금속 전구체가 분해되어 나노금속입자(나노금속 클러스터)를 생성하여, 반응부에서 작은 직경의 탄소나노튜브를 합성하게 된다.
본 발명자들은, 공급부를 거쳐 반응부내로 주입되는 탄화수소 화합물 등을 저온영역 및 고온영역의 순차적인 온도 프로파일로 가열하는 종래의 장치와는 달리, 반응부보다 고온인 범위에서 1000℃ 이상으로 설정된 고온 전처리부를 공급부에 인접하는 반응부의 내부에 위치시킬 경우, 놀랍게도 반응부에서 합성되는 탄소나노튜브의 직경이 적어도 30 ㎚ 이하가 된다는 것을 발견하고, 본 발명에 이르게 되었다. 이러한 발견은 이제껏 확인되지 않은 전혀 새로운 것으로서, 작은 직경의 탄소나노튜브(단층 탄소나노튜브 또는 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브)를 고순도 및 고수율로 대량 생산할 수 있는 기반을 제공한다.
상기 반응부의 온도 범위는 통상적인 기상 합성법에서 적용되는 범위와 거의 유사하며, 또한 본 발명에 따른 단층 탄소나노튜브와 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브의 합성반응에 바람직한 범위이다.
상기 고온 전처리부의 설정 온도는, 앞서 설명한 바와 같이, 반응부보다 고온인 범위에서 1000 내지 1700℃로서, 설정 온도가 1000℃ 이하이면, 공급되는 탄화수소 화합물 등이 부분적으로만 분해가 일어날 수 있고, 촉매금속 전구체가 분해되어 형성하게 되는 나노금속입자의 크기가 커질 수 있으므로, 단층 탄소나노튜브나 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브의 합성반응이 어렵게 하므로 바람직하지 않다. 반면에, 설정 온도가 1700℃ 이상이면, 소망하는 탄소나노튜브의 합성반응에는 유리하지만, 고온 전처리부를 이루는 소재가 열팽창에 의해 파괼 수 있으며, 온도를 높이기 위한 에너지 소모량이 크므로, 바람직하지 않다. 고온 전처리부의 더욱 바람직한 설정 온도는 1100 내지 1600℃이고, 특히 바람직하게는 1200 내지 1500℃이며, 이는 촉매금속의 융점에 근사한 온도이다.
고온 전처리부의 바람직한 예로는, 공급부와 반응부 사이의 통로를 형성하도록 내부가 관통되어있는 세라믹 보호부재, 상기 세라믹 보호부재 내부에 축 방향으로 장착되어있는 가열부재, 및 상기 가열부재에 연결되어있는 전기 공급부재로 구성되어있는 구조를 들 수 있다. 따라서, 상기 공급부재에 전류가 인가되면 가열부재가 가열되게 되고, 그것의 전도열에 의해 세라믹 보호부재를 관통하는 내부 통로가 적어도 1000℃ 이상으로 가열되게 된다. 탄화수소 화합물 등의 분해반응과 나노금속 클러스터의 생성반응은 이러한 세라믹 보호부재의 가열된 내부 관통로에서 일어나게 된다. 상기 내부 관통로의 크기는 반응기의 직경을 1 로 할 때 대략 0.05 내지 0.3 정도이다. 내부 관통로의 크기가 너무 작으면 반응부 내로 주입되는 반응물(분해된 탄화수소 가스, 생성된 나노금속 클러스터 등)의 량이 적어져서 대량 생산에 적합하지 않으며, 반대로 너무 크면 온도의 저하로 상기 분해반응률 및 생성 반응률이 떨어지므로 바람직하지 않다. 가열부재의 대표적인 예로는 필라멘트를 들 수 있는데, 고온의 열에 의해 분해된 탄소 원자 등이 필라멘트에 달라붙어 그것의 전기적 성질, 즉, 저항을 변화시키지 못하도록 고온용 세라믹 보호부재가필라멘트를 감싸고 있도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 반응부에서는 고온 전처리부에서 생성된 나노금속 클러스터가 촉매로 작용하여 분해된 탄화수소 화합물을 단층 또는 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브로 변화시키게 되며, 이러한 합성반응에 대한 정확한 반응기전은 알 수 없으나, 분해된 탄화수소 화합물이 나노금속 클러스터를 기점으로 나노튜브를 형성함으로써 안정화되는 것으로 믿어진다.
본 발명에 따른 장치에 공급되는 반응물(탄화수소 화합물 등)은, 탄화수소 화합물과 상기 탄화수소 화합물의 중량 대비 0.5 내지 20 중량%의 금속촉매 전구체 및 0.05 내지 5 중량%의 황 전구체를 포함하고 있다.
공급부를 통해 반응부(정확하게는 고온 전처리부)로 주입되는 탄화수소 화합물은 기상의 상태로 주입될 수 있는 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니나, 바람직한 예로는 메탄, 에틸렌, 아세틸렌, 프로필렌, 에탄, 프로판, 부탄 가스 등을 들 수 있다. 이들은 화합물 단독의 상태로 사용될 수도 있고 또는 둘 이상의 혼합물의 상태로 사용될 수도 있다. 경우에 따라서는, 상온에서 액상으로 존재하는 탄화수소 화합물을 사용할 수도 있는데, 이러한 액상 탄화수소 화합물을 본 발명의 방법에 사용할 때에는, 이들이 기상으로 반응에 참여할 수 있도록 가열된 상태로 반응부에 주입하거나 초음파로 기화시켜 주입할 수 있다. 또는, 액상의 반응물을 액상 그대로 주입구 내를 통과 분무시켜(spray) 반응 중에 기상으로 존재하도록 할 수도 있다.
반응에 촉매로서 사용되는 상기 금속촉매 전구체의 예로는,페로신(ferrocene), 코발트신(cobaltocene), 니켈로신(nikellocene) 철 펜타카르보닐(iron pentacarbonyl), 니켈 카르보닐(nickel carbonyl) 등을 들 수 있다. 이들은 화합물 단독의 상태로 사용될 수도 있고 또는 2 이상의 혼합물의 상태로 사용될 수도 있다. 고상의 촉매금속을 사용할 때에는, 액상의 탄화수소 화합물인 벤젠, 톨루엔, 헥산 등에 녹여 액상으로 만든 후 이를 기화시켜 반응부내에 주입할 수도 있다. 이러한 기상화 방법에 대해서는 이후 상술한다.
금속촉매 전구체의 첨가량은 앞서 설명한 바와 같이 탄화수소 화합물 대비 0.5 내지 20 중량%이며, 0.5 중량% 이하인 경우에는 금속촉매의 부족으로 인한 탄소나노튜브의 형성이 어렵게 되며, 20 중량% 이상인 경우에는 직경이 큰 다층 탄소나노튜브가 합성될 가능성이 크므로 바람직하지 않다. 더욱 바람직한 첨가량은 1 내지 15 중량%이며, 특히 바람직하게는 2 내지 8 중량%이다.
상기 황 전구체는 단층 탄소나노튜브의 합성을 용이하게 한다고 알려져 있으며, 대표적인 예로는 티오펜(thiophene)을 들 수 있다. 황 전구체의 첨가량은 앞서 설명한 바와 같이 탄화수소 화합물 대비 0.05 중량% 내지 10 중량%이며, 너무 적을 경우에는 첨가 효과가 미미하게 되고, 너무 많을 경우에는 반응 후 잔존량이 많아져서 생성된 탄소 나노튜브의 불순물로 될 수 있으므로 바람직하지 않다. 특히 바람직한 첨가량은 0.1 중량% 내지 3 중량%이다.
금속촉매 전구체와 황 전구체는 고상 또는 액상으로 존재하게 되므로 기상의 상태로 변화시켜 반응부에 투입하는 것이 필요하다. 이러한 기상화 방법의 예로는, 상기에 기재된 비율로 혼합 후, 버블러(또는 기화기)를 통해 반응로 안으로 공급하거나, 초음파로 기화시킨 후 반응기내로 주입되는 탄화수소 화합물 가스와 함께 흐르게 하여, 반응기 안으로 공급할 수도 있다.
상기 반응에는 본 발명이 의도하는 단층 탄소나노튜브 또는 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브의 합성을 손상시키지 않는 범위내에서 기타 다른 화합물 등이 첨가될 수도 있다.
액상 또는 고상의 금속촉매 전구체와 황 전구체를 기상으로 변화시키는 기상부는, 앞서 설명한 바와 같이 기화기, 버블러 등으로서, 반응부의 고온 전처리부에 직접 연결되어있다. 따라서, 기상의 탄화수소 화합물이 고온의 전처리부를 통해 반응부내로 주입되듯이, 기상부에 의해 기상으로 변화된 금속촉매 전구체와 황 전구체도 고온의 전처리부를 통과 반응부내로 도입되어, 상기 합성반응에 참여하게 된다.
이하 본 발명에 따른 실시예에 의거하여 발명의 내용을 더욱 상술하지만, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.
탄소나노튜브 합성장치
도 1에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성장치(100)의 구조가 개략적으로 도시되어있다.
탄소나노튜브 합성장치(100)는, 탄화수소 화합물, 금속촉매 전구체, 황 전구체 등이 공급되는 반응물 주입구(200), 불활성 가스가 공급되는 버퍼가스 주입구(300), 탄소나노튜브 합성반응이 일어나는 수직형 반응기(400), 반응기(400)의 상부에 설치되어있고 탄화수소 화합물 등의 분해반응과 나노금속 클러스터의 생성반응이 일어나는 고온 전처리부(500), 반응기(400)의 하부에 설치되어 있고 생성된 탄소나노튜브를 포집하는 배출부(600)로 구성되어있다.
탄화수소 화합물 등의 반응물은 공급부(도시하지 않음)로부터 반응물 주입구(200)를 통해 반응기(400) 안으로 주입되는데, 이때, 고온 전처리부(500)를 거치면서 상기 분해반응 및 생성반응이 일어나게 된다. 반응기(400)는 수직로의 구조로 되어있고, 온도를 높이기 위하여 측면에 전기로(410)가 부설되어있다. 반응기(400)에서 합성된 탄소나노튜브는 중력의 힘에 의해 아래쪽의 배출부(600)로 하강하게 되지만, 반응기(400)내의 대류(고온의 가스가 위쪽으로 역류하는 현상)에 의해 일부 역류하여 반응기(400)내서의 잔류시간이 늘어나는 것을 방지하기 위하여, 아르곤 가스와 같은 불활성 가스(버퍼 가스)를 버퍼 가스 주입구(300)를 통해 일정한 속도로 공급한다. 배출부(600)에는 생성된 탄소나노튜브를 수집하기 위한 포집기(도시하지 않음)와 버퍼 가스와 미반응 가스 등을 빨아들이는 흡입기(도시하지 않음)가 설치되어있다.
도 2에는 본 발명에 따른 고온 전처리부(500)의 하나의 실시예에 따른 대략적 구조가 도시되어있다.
고온 전처리부(500)는, 주입구(도 1의 200)와 연결되어있는 내부 관통로(510)가 수직 방향으로 형성되어있는 세라믹 보호부재(520), 세라믹 보호부재(520)에 의해감싸여진 상태에서 수직 방향으로 부설되어있는 가열용 필라멘트(530), 필라멘트(530)에 전류를 공급하기 위한 도선(540)으로 구성되어있다. 필라멘트(530)에 전류가 인가되면 고온 전처리부는 적어도 1000℃ 이상으로가열되게 되어, 탄화수소 화합물 등의 분해반응과 나노금속 클러스터의 생성반응이 일어나게 된다. 이러한 분해 및 생성반응은 내부 관통로(510)에서 일어나게 된다. 세라믹 보호부재(520)는 1000℃ 이상의 고온에서 견디고 열변화에 따른 부피변화가 적어야 한다. 세라믹 보호부재(520)는 또한 분해된 탄소원자 등이 필라멘트(530)에 달라붙어 그것의 전기적 성질을 변화시키는 것을 방지하는 역할도 한다.
탄소나노튜브 합성 실험
[실시예 1]
고온 전처리부의 내경이 3 ㎝이고 반응부의 내경이 10 ㎝인 도 1의 장치를 사용하여 탄소나노튜브의 합성 실험을 행하였다. 합성 실험에는 기상의 탄화수소 화합물로서 아세틸렌 가스를, 금속촉매 전구체로서 철 펜타카르보닐((FeCO5)을, 황 전구체로서 티오펜(C4H4S)을 각각 사용하였다. 우선, 철 펜타카르보닐과 티오펜이 10 : 1의 중량비로 혼합되어 있는 버블러를 통해 아세틸렌 가스를 공급하면서 반응기 내로 주입하였다. 또한, 버퍼 가스 주입구를 통해 아르곤 가스를 반응기내로 공급하였다. 아르곤 가스는 MFC(Mass Flow Controller)를 통해 3 ℓ/분의 속도로 공급하였고, 아세틸렌 가스는 MFC를 통해 1 ℓ/분의 속도로 공급하였다. 철 펜타카르보닐의 공급량은 25 ㎎/분이고, 티오펜의 공급량은 2.5 ㎎/분이다. 그리고, 반응기의 온도를 1000℃로 설정하고, 고온 전처리부의 온도를 1100℃로 설정한 상태에서, 20 분간 실험을 행하였다. 그런 다음, 배출부에 붙어있는 포집기로부터 검은색의 반응 생성물을 포집하였다. 포집된 고상의 반응 생성물을 전자현미경으로 관찰한 결과, 직경이 30 ㎚ 이하인 다층 탄소나노튜브가 생성되었음을 확인하였다. 그러한 전자현미경 사진을 도 3에 개시한다.
[실시예 2]
고온 전처리부의 온도를 1400℃로 설정하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실험을 행하였다. 포집된 고상의 반응 생성물을 전자현미경으로 관찰한 결과 직경이 5 ㎚ 이하인 단층 탄소나노튜브가 생성되었음을 확인하였다. 그러한 전자현미경 사진을 도 4에 개시한다.
또한, 포집된 고상의 반응 생성물에 대해 라만 스펙트로스코피(Raman spectroscopy)로 확인한 결과, 도 5에서와 같이, 100 ~ 300 ㎝-1에서 피크를 볼 수 있는데, 이는 고상의 반응 생성물이 단층 탄소나노튜브임을 명확히 보여주고 있다.
본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 이상의 내용을 바탕으로 본 발명의 범주내에서 다양한 응용 및 변형이 가능할 것이다.
본 발명의 장치에 따르면, 단층 탄소나노튜브 및 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브를 고수율로 합성할 수 있으며, 탄화수소 화합물의 공급도 분당 10 리터 이상으로 늘릴 수 있으므로, 매우 간단하고도 저렴한 비용으로 다층 및 단층 탄소 나노튜브를 대량 합성할 수 있다.
Claims (6)
- 액상 또는 고상의 촉매금속 전구체와 황 전구체를 기상의 상태로 변환시키는 기상부;기상의 탄화수소 화합물, 촉매금속 전구체 및 황 전구체를 공급하는 공급부;700 내지 1200 ℃로 설정되어 있어서 탄소나노튜브의 합성반응이 일어나는 반응부;상기 공급부에 인접하도록 상기 반응부내에 위치하고, 반응부보다 고온인 범위에서 1000 내지 1700℃로 설정되어 있어서, 공급된 탄화수소 화합물 등의 분해반응 및 나노금속입자의 생성반응이 일어나는 고온 전처리부; 및,반응 생성물을 배출시키기 위한 배출부;를 포함하는 것으로 구성되어있는 것을 특징으로 하는, 단층 탄소나노튜브 또는 직경 30 ㎚ 이하의 다층 탄소나노튜브의 합성장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고온 전처리부의 설정 온도가 1100 내지 1600℃인 것을 특징으로 하는 합성장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고온 전처리부는, 공급부와 반응부 사이의 통로를 형성하도록 내부가 관통되어있는 세라믹 보호부재, 상기 세라믹 보호부재 내부에 축 방향으로 장착되어있는 가열부재, 및 상기 가열부재에 연결되어있는 전기 공급부재로 구성되어있는 것을 특징으로 하는 합성장치.
- 제 1 항에 있어서, 장치에 공급되는 반응물(탄화수소 화합물 등)은, 기상 또는 액상의 탄화수소 화합물과 상기 탄화수소 화합물의 중량 대비 0.5 내지 20 중량%의 금속촉매 전구체 및 0.05 내지 5 중량%의 황 전구체인 것을 특징으로 하는 합성장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 탄화수소 화합물은, 메탄, 에틸렌, 아세틸렌, 프로필렌, 에탄, 프로판, 부탄 가스, 또는 이들의 2 이상의 혼합물이고;상기 금속촉매 전구체는, 페로신(ferrocene), 코발트신(cobaltocene), 니켈로신(nikellocene) 철 펜타카르보닐(iron pentacarbonyl), 니켈 카르보닐(nickel carbonyl), 또는 이들의 2 이상의 혼합물이고;상기 황 전구체는 티오펜(thiophene)인 것을 특징으로 하는 합성장치.
- 제 1 항에 있어서, 반응부내에서의 대류를 막기 위하여 불활성 가스를 일정한 속도로 주입하기 위한 버퍼 가스 주입부를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 합성장치.
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