JPWO2018116629A1 - 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
上記基板上に、上記第1の電極と電気的に接続する、上記第1の導電材料とは異なる第2の導電材料を有する第2の電極を形成し、
上記第1の電極及び上記第2の電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
上記層間絶縁膜に第1の開口部を形成して上記第1の電極の少なくとも一部を露出させ、
上記層間絶縁膜に第2の開口部を形成して上記第2の電極の少なくとも一部を露出させ、
露出させた上記第2の電極上に異方性導電層を形成し、
上記異方性導電層形成後、電解質を含む液体に上記第1の開口部、上記第2の開口部及び上記層間絶縁膜を曝す。
これにより、電極の腐蝕に起因する滅点の発生が防止され、表示特性に優れた表示装置を得ることができる。
上記基板は表示領域を有する。
上記有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記表示領域に設けられ、第1の導電材料を有する第1の電極と上記第1の電極上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と上記有機エレクトロルミネッセンス層上に設けられた第3の電極とからなる。
上記第2の電極は、上記基板の上記表示領域の外側に設けられ、上記第1の電極と電気的に接続する、上記第1の導電材料と異なる第2の導電材料を有する。
上記異方性導電層は、上記第2の電極上に設けられる。
このように第2の電極を外部接続端子として用い、異方性導電層を接続に用いても良い。
上記表示装置は、表示領域を有する基板と、上記表示領域に設けられた第1の導電材料を有する第1の電極と上記第1の電極上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と上記有機エレクトロルミネッセンス層上に設けられた第3の電極とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子と、上記基板の上記表示領域の外側に設けられ、上記第1の電極と電気的に接続する、上記第1の導電材料と異なる第2の導電材料を有する第2の電極と、上記第2の電極上に設けられた異方性導電層とを備える。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
図1は、本技術の一実施形態に係る有機EL表示装置の概略平面図である。図2は、有機EL表示装置の概略部分断面図である。図2は、図1に示す有機EL表示装置のパッド領域と表示領域それぞれの概略断面図であり、パッド電極と表示領域のアノード電極との接続状態を説明するための模式図である。
次に、上述の有機EL表示装置の製造方法について図2、図3、図4を用いて説明する。図3及び図4は有機EL表示装置の製造方法の工程の一部を説明する図であり、各図は図2に示す有機EL表示装置の断面に対応している。
まず、公知の製造方法により、基板601上に金属層301〜303、及び第1の層間絶縁膜3201を形成して駆動用トランジスタ及びサンプリングトランジスタ、配線101、金属層102及びパッド電極103を形成する。パッド電極103はAlCuを用いて形成される。パッド電極103は、接続孔112、金属層102、接続孔111を介して配線101と電気的に接続する。また、金属層303は、接続孔312、金属層302及び接続孔311を介して金属層301と電気的に接続する。金属層301と配線101とは同層で形成され電気的に接続している。
第1の実施形態においては、異方性導電層として熱硬化性樹脂に金属粒子を分散させたものを用いたが、本実施形態においては、異方性導電層として、フォトリソグラフィによるパターン形成が可能な樹脂に金属粒子を分散させたものを用いている点で第1の実施形態と異なる。
次に、図5(D)に示すように、パッド電極103上に残存する異方性導電膜1130の膜厚を所望の厚みにするように、O2アッシング(ドライプラズマ処理)によりEPD制御を用いて残存した異方性導電膜1130の一部を除去し、パッド電極103上に異方性導電層130を形成する。
第2の実施形態においては、異方性導電膜を露光、現像した後、O2アッシングによりパッド電極103上に残存する異方性導電膜の一部を除去して厚さを調整していたが、本実施形態ではO2アッシングによる厚さ調整を行わない点が第2の実施形態と異なる。本実施形態では、O2アッシング工程を省略することにより、O2アッシング工程により生じる残留した金属粒子の除去を行う必要がなく、スクラバ洗浄を省略することができる。以下、第2の実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する場合がある。
上記有機EL表示装置は、例えば後述の適用例1及び2などの種々の電子機器に組み込まれる。尚、適用例はこれらに限定されず、他に例えばビデオカメラ、携帯電話機等にも適用可能である。
図9はデジタルカメラの外観を表したものである。図9(A)はデジタルカメラ700の正面図、図9(B)はデジタルカメラ700の背面図である。このデジタルカメラ700は、ビューファインダ部701を有しており、このビューファインダ部701に上記有機EL表示装置が用いられる。
図10は、メガネやゴーグル、サングラス等のアイウェア800に、アイウェア装着型の片目用ディスプレイモジュール810を装着した外観を表したものである。アイウェア装着型の片目用ディスプレイモジュール810は、制御基板と、有機EL表示装置811を有しており、この有機EL表示装置811に上記有機EL表示装置が用いられる。
(1) 基板上に第1の導電材料を有する第1の電極を形成し、
前記基板上に、前記第1の電極と電気的に接続する、前記第1の導電材料とは異なる第2の導電材料を有する第2の電極を形成し、
前記第1の電極及び前記第2の電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に第1の開口部を形成して前記第1の電極の少なくとも一部を露出させ、
前記層間絶縁膜に第2の開口部を形成して前記第2の電極の少なくとも一部を露出させ、
露出した前記第2の電極上に異方性導電層を形成し、
前記異方性導電層形成後、電解質を含む液体に前記第1の開口部、前記第2の開口部及び前記層間絶縁膜を曝す
表示装置の製造方法。
(2) 上記(1)に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の電極は前記基板の表示領域に形成され、前記第2の電極は前記基板の前記表示領域の外側の第1の領域に形成される
表示装置の製造方法。
(3) 上記(1)又は(2)に記載の表示装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜は第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜及び第3の層間絶縁膜を含み、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第2の電極を形成し、
前記第2の電極の形成後、前記第2の電極及び前記第1の層間絶縁膜上に前記第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜形成後、前記第2の層間絶縁膜上に前記第1の電極を形成し、
前記第1の電極形成後、前記第1の電極及び前記第2の層間絶縁膜上に前記第3の層間絶縁膜を形成する
表示装置の製造方法。
(4) 上記(3)に記載の表示装置の製造方法であって、
前記異方性導電層の形成は、
前記第1の電極の露出部、前記第2の電極の露出部及び前記層間絶縁膜上に異方性導電膜を形成し、
露出させた前記第2の電極上にのみ前記異方性導電膜が残存するように、EPD制御を用いて前記異方性導電膜をアッシングすることにより行う
表示装置の製造方法。
(5) 上記(1)〜(3)のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、
前記異方性導電層の形成は、
前記第1の電極の露出部、前記第2の電極の露出部及び前記層間絶縁膜上に光硬化性樹脂を含む異方性導電膜を形成し、
露出させた前記第2の電極上にのみ前記異方性導電膜が残存するように、前記異方性導電膜を露光、現像することにより行う
表示装置の製造方法。
(6) 上記(1)〜(5)のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、
前記異方性導電層を介して前記第2の電極と配線基板とを対向配置し、熱圧着することにより前記第2の電極と前記配線基板とを電気的に接続する
表示装置の製造方法。
(7) 上記(1)〜(6)のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の導電材料と前記第2の導電材料とは酸化還元ポテンシャルが異なる
表示装置の製造方法。
(8) 上記(1)〜(7)のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の導電材料は透明導電材料であり、前記第2の導電材料はアルミニウムを含む材料である
表示装置の製造方法。
(9) 上記(1)〜(8)のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の導電材料は酸化インジウムスズであり、前記第2の導電材料はアルミニウム銅合金である
表示装置の製造方法。
(10) 上記(1)〜(9)のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の電極は、前記第2の導電材料からなる第1の導電層と、前記第1の導電層上に設けられた前記第1の導電材料からなる第2の導電層との積層構造を有する
表示装置の製造方法。
(11) 上記(1)に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の電極は前記基板の表示領域の外側の第2の領域に形成され、前記第2の電極は前記基板の前記表示領域の外側の第1の領域に形成される
表示装置の製造方法。
(12) 表示領域を有する基板と、
前記表示領域に設けられた、第1の導電材料を有する第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に設けられた第3の電極とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記基板の前記表示領域の外側に設けられ、前記第1の電極と電気的に接続する、前記第1の導電材料と異なる第2の導電材料を有する第2の電極と、
前記第2の電極上に設けられた異方性導電層
を具備する表示装置。
(13) 上記(12)に記載の表示装置であって、
前記第1の導電材料と前記第2の導電材料とは酸化還元ポテンシャルが異なる
表示装置。
(14) 上記(12)又は(13)に記載の表示装置であって、
前記異方性導電層を介して前記第2の電極と電気的に接続する配線基板
を更に具備する表示装置。
(15) 表示領域を有する基板と、前記表示領域に設けられた第1の導電材料を有する第1の電極と前記第1の電極上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と前記有機エレクトロルミネッセンス層上に設けられた第3の電極とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の前記表示領域の外側に設けられ、前記第1の電極と電気的に接続する前記第1の導電材料と異なる第2の導電材料を有する第2の電極と、前記第2の電極上に設けられた異方性導電層とを備える表示装置
を具備する電子機器。
100…パッド領域(第1の領域)
103…パッド電極(第2の電極)
120、130…異方性導電層
140…第2の開口部
200…カソードコンタクト領域(第2の領域)
300…表示領域
304…アノード電極(第1の電極)
306…有機EL層
307…カソード電極(第3の電極)
310…有機エレクトロルミネッセンス素子
320…層間絶縁膜
330…第1の開口部
350…アルカリ性洗浄液(電解質を含む液体)
360…アルカリ現像液(電解質を含む液体)
700…デジタルカメラ(電子機器)
701…ビューファインダ部
810…アイウェア装着型の片目用ディスプレイモジュール(電子機器)
811…有機EL表示装置
900…フレキシブル配線基板
3041…ITO層(第2の導電層)
3042…AlCu層(第1の導電層)
3201…第1の層間絶縁膜
3202…第2の層間絶縁膜
3203…第3の層間絶縁膜
Claims (15)
- 基板上に第1の導電材料を有する第1の電極を形成し、
前記基板上に、前記第1の電極と電気的に接続する、前記第1の導電材料とは異なる第2の導電材料を有する第2の電極を形成し、
前記第1の電極及び前記第2の電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に第1の開口部を形成して前記第1の電極の少なくとも一部を露出させ、
前記層間絶縁膜に第2の開口部を形成して前記第2の電極の少なくとも一部を露出させ、
露出させた前記第2の電極上に異方性導電層を形成し、
前記異方性導電層形成後、電解質を含む液体に前記第1の開口部、前記第2の開口部及び前記層間絶縁膜を曝す
表示装置の製造方法。 - 請求項1に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の電極は前記基板の表示領域に形成され、前記第2の電極は前記基板の前記表示領域の外側の第1の領域に形成される
表示装置の製造方法。 - 請求項2に記載の表示装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜は第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜及び第3の層間絶縁膜を含み、
前記第1の層間絶縁膜上に前記第2の電極を形成し、
前記第2の電極の形成後、前記第2の電極及び前記第1の層間絶縁膜上に前記第2の層間絶縁膜を形成し、
前記第2の層間絶縁膜形成後、前記第2の層間絶縁膜上に前記第1の電極を形成し、
前記第1の電極形成後、前記第1の電極及び前記第2の層間絶縁膜上に前記第3の層間絶縁膜を形成する
表示装置の製造方法。 - 請求項3に記載の表示装置の製造方法であって、
前記異方性導電層の形成は、
前記第1の電極の露出部、前記第2の電極の露出部及び前記層間絶縁膜上に異方性導電膜を形成し、
露出させた前記第2の電極上にのみ前記異方性導電膜が残存するように、EPD制御を用いて前記異方性導電膜をアッシングすることにより行う
表示装置の製造方法。 - 請求項3に記載の表示装置の製造方法であって、
前記異方性導電層の形成は、
前記第1の電極の露出部、前記第2の電極の露出部及び前記層間絶縁膜上に光硬化性樹脂を含む異方性導電膜を形成し、
露出させた前記第2の電極上にのみ前記異方性導電膜が残存するように、前記異方性導電膜を露光、現像することにより行う
表示装置の製造方法。 - 請求項4に記載の表示装置の製造方法であって、
前記異方性導電層を介して前記第2の電極と配線基板とを対向配置し、熱圧着することにより前記第2の電極と前記配線基板とを電気的に接続する
表示装置の製造方法。 - 請求項6に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の導電材料と前記第2の導電材料とは酸化還元ポテンシャルが異なる
表示装置の製造方法。 - 請求項7に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の導電材料は透明導電材料であり、前記第2の導電材料はアルミニウムを含む材料である
表示装置の製造方法。 - 請求項8に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の導電材料は酸化インジウムスズであり、前記第2の導電材料はアルミニウム銅合金である
表示装置の製造方法。 - 請求項9に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の電極は、前記第2の導電材料からなる第1の導電層と、前記第1の導電層上に設けられた前記第1の導電材料からなる第2の導電層との積層構造を有する
表示装置の製造方法。 - 請求項1に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第1の電極は前記基板の表示領域の外側の第2の領域に形成され、前記第2の電極は前記基板の前記表示領域の外側の第1の領域に形成される
表示装置の製造方法。 - 表示領域を有する基板と、
前記表示領域に設けられた、第1の導電材料を有する第1の電極と前記第1の電極上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と前記有機エレクトロルミネッセンス層上に設けられた第3の電極とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記基板の前記表示領域の外側に設けられ、前記第1の電極と電気的に接続する、前記第1の導電材料と異なる第2の導電材料を有する第2の電極と、
前記第2の電極上に設けられた異方性導電層
を具備する表示装置。 - 請求項12に記載の表示装置であって、
前記第1の導電材料と前記第2の導電材料とは酸化還元ポテンシャルが異なる
表示装置。 - 請求項13に記載の表示装置であって、
前記異方性導電層を介して前記第2の電極と電気的に接続する配線基板
を更に具備する表示装置。 - 表示領域を有する基板と、前記表示領域に設けられた第1の導電材料を有する第1の電極と前記第1の電極上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と前記有機エレクトロルミネッセンス層上に設けられた第3の電極とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の前記表示領域の外側に設けられ、前記第1の電極と電気的に接続する前記第1の導電材料と異なる第2の導電材料を有する第2の電極と、前記第2の電極上に設けられた異方性導電層とを備える表示装置
を具備する電子機器。
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